Propriedades Eltricas

Gerado em: 02/10/14

Objetivo
Analisar o comportamento de um material aplica!o
de um campo eltrico"
Par#metros importantes e mecanismos da condu!o
por eltrons"
Estrutura de bandas de ener$ia eletr%nica"

&ondutores' semicondutores e isolantes

()picos

Estrutura da ener$ia de bandas

*n+lu,ncia da temperatura' da de+orma!o pl-stica e de

impure.as na condutividade dos materiais

/un!o do tipo n0p" Aplica1es 2transistor' circuitos3

&omportamento dieltrico

4erroeletricidade" Pie.oeletricidade"

Aplica1es"

5ei de O6m 273
8ual a +acilidade em 9ue um material transmite uma
corrente eltrica:
;: volta$em aplicada 2volts3
i: corrente 2amp<re3
=: resist,ncia do material 273

Para muitos materiais' R

independente da corrente"

Resistividade

> independente da $eometria

2l: dist#ncia entre dos pontos onde medida a volta$em3
2A: -rea da se!o reta do condutor3

?nidade: o6m0metro 270m3

Condutividade
m6o0metro

&lassi+ica!o 9uanto condutividade

&ondutores

@emicondutores

*solantes

&omo entender a condutividade:

A condutividade eltrica dependente do nAmero de e

B
livres"

O nAmero de e
B
livres depende dos nCveis de ener$ia' e
maneira como esses estados s!o ocupados"

Envolve princCpios da Dec#nica 8u#ntica"

&amadas 21' 2' E' etc3 e subcamadas 2s' p' d' +3

Os eltrons preenc6em os estados de ener$ia mais baiFas GHIJ

Em -tomos muito separados' cada -tomo seria independente"

Ktomos pr)Fimos L eltrons intera$em 2perturba!o3

Bandas de Energia Eletrnica
Estrutura da Ener$ia de Mandas

Estrutura da Ener$ia de Mandas

EF: A$re$ado de 12 -tomos"

O nAmero de estados dentro da banda ser- i$ual a totalidade de todos os

estados contribuCdos pelos N -tomos 2s L N estadosO p L EN estados3"

Estrutura da Ener$ia de Mandas

As propriedades eltricas s!o conse9u,ncia da estrutura de banda 2mais

eFterna' e de acordo com o preenc6imento da banda3"

Estrutura da Ener$ia de Mandas

Estrutura de bandas possCveis em s)lidos a 0P"

&obre e elementos
com 1e de val,ncia"
Da$nsio
2isolantes3 2semicondutores3

Apenas e0 9ue possuem E maiores 9ue E+ podem ser Qe0 livresQ"

&ondu!o x Ener$ia de Mandas

Eltrons livres

Muracos 2semicondutores e isolantes3' E R E

+
' participam da condu!o"

&ondutividade uma +un!o do nAmero de e

-
livres e buracos"
Metais

Para 9ue e0 se torne livre' dever- ser promovido para um estado S E

+

Pouca ener$ia necess-ria"

&ondu!o x Ener$ia de Mandas
Isolantes e Semicondutores

Estados va.ios adjacentes: n!o disponCveis"

Necess-rio ener$ia i$ual a ener$ia entre as bandas 2E

e
3"

Ener$ia provinda de +ontes n!o eltrica 2calor' lu.3"

8uanto maior espaamento' menor nAmero de e

0
livres 2menor T3"

*solantes: li$a!o i%nica ou +ortemente covalente"

@emicondutores: li$a!o covalente e relativamente +raca"

Dobilidade Eletr%nica

Dovimento dos eltrons oposta do campo eltrico"

Dec" 8u#ntica di. 9ue n!o eFiste intera!o entre e0 livres e os -tomos em
um retCculo cristalino per+eito"

EFiste resist,ncia devido o espal6amento dos e0 pelas imper+ei1es"

Mobilidade eletrnica
;elocidade de arraste
Condutividade em termos de
NAmero
de e0 livres
1'U 10
01V
&

&ondutividade Eltrica dos Detais

=esistividade Eltrica dos Detais
;ibra1es
trmicas
*mper+ei1es We+orma!o
pl-stica
Influncia da Temperatura

Acima de 0200
o
2linear3
Influncia da Deformao !l"stica

Aumento de discord#ncias
aumenta o espal6amento de e0

=esistividade Eltrica dos Detais
Influncia das Impure#as

Wepende da concentra!o da
impure.a"
2+ra!o at%mica Xa3

&aracterCsticas de 5i$as &omerciais

&obre de alta condutividade' isento de oFi$,nio 2O4Y&3

produ.ido para muitas aplica1es eltricas"

AlumCnio 2T
Al
Z [ T
cu
3' +re9uentemente usado como condutor eltrico"

Prata possui T S T
&u
' mas invi-vel pelo custo"

=esist,ncia Dec#nica F &ondutividade 2li$a com +ase compatCvel3

Elementos de a9uecimento de um +orno 2elevada \3 B EF: Nicromo

@emicondutividade

@ensCvel a presena de minAsculas concentra1es de impure.as"

@emicondutores Intrnsecos: comportamento baseado na estrutura

eletr%nica inerente ao metal puro"

@emicondutores Extrnsecos: comportamento re$ido pelos -tomos de

impure.a

&ondutividade *ntrCnseca

Wois tipos de portadores 2eltrons e buracos3

NAmero de
buracos por m
E
Dobilidade
do buraco
@empre]
2semicondutores
3

*ntrCnsecos
2mobilidades na tabela3

&ondutividade *ntrCnseca

&ondutividade *ntrCnseca

&ondutividade *ntrCnseca

@emicondutividade EFtrCnseca

;irtualmente todos os semicondutores comerciais s!o eFtrCnsecos"

EF: um -tomo de impure.a em 10

12
-tomos su+iciente para deiFar o
silCcio eFtrCnseco temperatura ambiente"

Tipo $n%

@ilCcio L 24e
0
3 L 4 -tomos de @i adjacentes

Ktomo de impure.a com val,ncia ^ 2substitutivo3 B Grupo ;' eF: P' As e @b

4 de ^ +ar!o li$a!o covalente

1 e0 +ica +racamente preso

Ener$ia de li$a!o de 0'01 e; 2estado de ener$ia dentro da .ona proibida

pr)Fimo a banda de condu!o3

_ temperatura ambiente' a ener$ia su+iciente para eFcitar muitos e0 dos

estados `doadoresa

Ocorrem al$umas transi1es intrCnsecas `M& L M;a 2mas poucas3

n SS p na banda de condu!o' lo$o

Para semicondutores do tipo `na a E+ deslocada para o espaamento

entre bandas' at pr)Fimo ao estado doador

Tipo $n%

Tipo $n%

Tipo $n%

Tipo $n%

Tipo $p%

@ubstitui!o do @i ou Ge por impure.as trivalentes 2Grupo *** A3

?ma das li$a1es covalentes +ica de+iciente de um eltron 2buraco

+racamente li$ado ao -tomo3

&ada -tomo de impure.a deste tipo introdu. im nCvel de ener$ia dentro

do espaamento entre bandas' pr)Fimo banda de val,ncia"

?m e0 livre n!o criado no nCvel da impure.a ou na banda de condu!o"

?ma impure.a assim c6amada `receptoraa' pois capa. de aceitar um
e0 deiFando p/ tr-s um buraco"

Muracos presentes em concentra1es muito maiores p SS n

&oncentra1es controladas de receptores 2e doadores3 s!o adicionadas

intencionalmente' com tcnicas 2dopa$em3

Em temperatura ambiente os semicondutores eFtrCnsecos possuem alta

condutividade e s!o usados em dispositivos eletr%nicos"

Tipo $p%

Tipo $p%

Tipo $p%

&ondutividade e &oncentra!o de Portadores
TEM!ER&T'R&

O nAmero tanto de eltrons 9uanto de buracos aumentam com (' pois

mais ener$ia trmica est- disponCvel para eFcitar os eltrons da M; para
a M&" 2n e p aumentam3

As mobilidades 2b3 tanto de buracos

9uanto de eltrons diminuem com ('
pois aumenta o espal6amento' porm
n!o supera o aumento de p e n' e o
e+eito lC9uido o aumento da
condutividade 2T3"

Wispositivos @emicondutores

Wiodos e (ransistores B dispositivos em estado s)lido

Pe9uenas dimens1es' baiFo consumo de ener$ia' ineFist,ncia de um

tempo de a9uecimento

&6ip de silCcio
(uno retificadora p)n

=eti+icador 2ou diodo3' dispositivo eletr%nico 9ue permite o escoamento

da corrente em apenas uma dire!o" EF: trans+ormador A& L &&

Wiodo
&omportamento de uma corrente

(ransistor

Wois tipos principais: `p0n0pa e `n0p0na

&ircuitos Dicroeletr%nicos

Dil6ares de componentes e circuitos eletr%nicos est!o incorporados em

um espao muito pe9ueno

Pie.oeletricidade

Geram uma resposta eltrica aplica!o de uma press!o mec#nicaO

=eciprocamente' sinais eltricos podem $erar press!o

(ransdutor: dispositivo 9ue converte uma +orma de ener$ia em outra

4erroeletricidade

=ecebem este nome pela semel6ana entre os ciclos de 6isterese e

raramente contm +erro como constituinte si$ni+icativo

4erroeletricidade