Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-

Bauelement zum Steuern meistensniedriger elektrischer Spannungen und Strme. Er ist

das weitaus wichtigste aktive Bestandteil elektronischer Schaltungen der
beispielsweise in der !achrichtentechnik der "eistungselektronik und
in #omputers$stemen eingesetzt wird. Besondere Bedeutung haben %ransistoren -
zumeist als Ein&'us-Schalter - in integrierten Schaltkreisen was die weit
verbreitete (ikroelektronik ermglicht.
)er Begri* %ransistor ist eine +urz,orm des englischen transfer resistor [1] [2] was in der
-unktion einem durch eine angelegte elektrische Spannung oder einen elektrischen Strom
steuerbaren elektrischen Widerstand entspricht. )a die .irkungsweise einer entsprechenden
Elektronenrhre n/mlich der Triode /hnelt wird der %ransistor auch als Halbleitertriode
bezeichnet.
Inhaltsverzeichnis
0Verbergen1
1 Geschichte
2 Typen
2.1 Bipolartransistor
2.2 Feldeffekttransistor
2.2.1 SperrschichtFeldeffekttransistor
2.2.2 !etall"#id$albleiterFeldeffekttransistor
2.% Spe&ielle Transistortypen
% Ba'for(en
) Werkstoffe
* +n,end'ngsbereiche
*.1 -igitale Schalt'ngstechnik
*.2 +naloge Schalt'ngstechnik
*.% .eist'ngselektronik
/ Siehe a'ch
0 .iterat'r
1 Weblinks
2 3in&elnach,eise
Geschichte[Bearbeiten]

!achbau des ersten %ransistors von Shockle$ Bardeen und Brattain von 2345&46 im !i7dor,-(useum

8ermanium-+leinleistungstransistor im 8lasgeh/use R-9 aus den 239:er ;ahren. <"ackierung teilweise
ent,ernt=
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!ahau,nahme eines 8ermaniumtransistors aus den 239:er ;ahren mit zentraler 8ermaniumscheibe und
in der (itte die >ndiumpille als +ontakt
)ie ersten ?atente zum ?rinzip des %ransistors wurden von 4'li's 3dgar .ilienfeld im ;ahr 23@A
angemeldet.[%] "ilien,eld beschreibt in seiner 'rbeit ein elektronisches Bauelement das
Eigenscha,ten einer 3lektronenr5hre au,weist und im weitesten Sinne mit dem heute
als Feldeffekttransistor <-E%= bezeichneten Bauelement vergleichbar ist. Bu dieser Beit war es
technisch noch nicht mglich -elde*ekttransistoren praktisch zu realisieren.[)]
>m ;ahr 23C4 konstruierte und patentierte der deutsche ?h$siker "skar $eil den ersten
-elde*ekttransistor bei dem es sich um einen Halbleiter--E% mit isoliertem 8ate handelt.
[*] )ie ersten praktisch realisierten ;-E% mit einem pn6bergang<positiv-negativ= und einem
sogenannten Gate als Steuerelektrode gehen au, $erbert F. !atar7 $einrich Welker und parallel
dazu Willia( B. Shockley und Walter $. Brattain aus dem ;ahr 234A zurDck.[/] )er
-elde*ekttransistor wurde vor demBipolartransistor realisiert. )amals wurden diese
Bauelemente noch nicht als %ransistor bezeichnetE der Begri* %ransistor wurde 2346
von 4ohn 8. 9iercegepr/gt.[2]
'b 234@ e7perimentierte Herbert (atarF bei Telef'nken mit der von ihm so
genannten-'odiode <)oppelspitzendiode= im Gahmen der Entwicklung eines -etektors ,Dr
)oppler--unkmess-S$steme <8+-+8=. )ie von ihm dazu au,gebauten )uodioden waren
?unktkontakt-)ioden au, Halbleiterbasis mit zwei sehr nahe beieinander stehenden
(etallkontakten au, dem Halbleitersubstrat. (atarF e7perimentierte dabei
mit polykristalline( Silici'( <kurzH ?ol$silicium= das er von :arl Seiler aus demTelef'nken-"abor
in Bresla' bezog und mit Ger(ani'( das er von einem -orschungsteam der .'ft,affe bei
(Dnchen <in dem auch Heinrich .elker mitwirkte= erhielt. )abei entdeckte er bei den
E7perimenten mit 8ermanium E*ekte die sich nicht durch die Betrachtung als zwei
unabh/ngig arbeitende )ioden erkl/ren lieIenH )ie Spannung an der einen )iode konnte den
Strom durch die andere )iode beeinJussen. )iese Beobachtung bildete die 8rundidee ,Dr die
sp/ter ,olgendenSpit&entransistoren.
)er erste ,unktionierende Bipolartransistor wurde in -orm eines Spitzentransistors bei
den Bell .aboratories entwickelt und am @C. )ezember 2345 bei einer internen )emonstration
erstmals pr/sentiert.[0] [1] [2] Bur gleichen Beit entwickelten die deutschen -orscher (atarF
und .elker den ersten ,unktions,/higen ,ranzsischen %ransistor in der kleinen nicht
mit Westingho'se 3lectric verbundenen -irma;o(pagnie des Freins < Signa'# Westingho'se in +'lnay
so'sBois bei 9aris und reichten da,Dr am 2C. 'ugust 2346 eine ?atentanmeldung ein.[1=] [11]
[12] 'm 26. (ai 2343 wurde diese europ/ische ErKndung als %ransistron der L*entlichkeit
pr/sentiert [1%].
'us Mnterlagen geht hervor dass Shockle$ und ?earson ,unktionierende %ransistoren gebaut
haben die au, den ?atenten von "ilien,eld und Heil basieren. Sie unterlieIen es diese
grundlegenden "ilien,eld-?atente in ihren Ner*entlichungen sp/teren -orschungsberichten
oder historischen Berichten zu erw/hnen.[1)] [1*] )ie an der ErKndung des Bipolartransistors
beteiligten .. Shockle$ 4. Bardeen und .. Brattain erhielten da,Dr 23A9 den >obelpreis f?r 9hysik.
Ein wichtiger -ortschritt gelang bei den Bell "abs durch die Herstellung von
Bipolartransistoren aus einem +ristall <Fl@chentransistor Gordon Teal !organ Sparks Shockle$= statt
der bis dahin verwendeten Spitzentransistoren die 23A2 vorgestellt wurden.[1/]
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>n den 23A:er-;ahren gab es einen .ettlau, zwischen der 3lektronenr5hre und den damals
Dblichen Bipolartransistoren in dessen Nerlau, die #hancen des Bipolartransistors wegen der
vergleichsweise niedrigen TransitfreA'en&en h/uKg eher skeptisch beurteilt wurden. %ransistoren
haben Elektronenrhren als Signalverst/rker mittlerweile au, ,ast allen technischen 8ebieten
abgelst. %eilweise werden Ghren noch in der Sendetechnik im 8'ndf'nk und bei manchen
speziellen Gitarrenund +'dioBerst@rkern verwendet.
-elde*ekttransistoren spielten im 8egensatz zu den ersten Bipolartransistoren in den 23A:er
bis in die sp/ten 239:er ;ahre noch kaum eine Golle. Sie lieIen sich mit den damaligen
+enntnissen nicht wirtscha,tlich ,ertigen und waren wegen der-'rchschlagsgefahr des 8ates
durch unbeabsichtigte elektrostatische 3ntlad'ng umst/ndlich zu handhaben. Bur "sung der bei
bipolaren %ransistoren au,tretenden ?robleme wie "eistungsbedar, und 'n,orderungen
,Dr integrierte Schalt'ngenbesch/,tigte man sich ab etwa 23AA eingehender mit den
HalbleiteroberJ/chen und entwickelte -ertigungsver,ahren wie die9lanartechnik die die
-elde*ekttransistoren im -olgeOahrzehnt zur Serienrei,e brachten.
)ie ersten handelsDblichen Bipolartransistoren wurden aus dem
Halbleitermaterial Ger(ani'( hergestellt und /hnlich wie Elektronenrhren in winzige
8lasrhrchen eingeschmolzen. )ie verschieden dotierten Bonen erreichte man mit einem
zentralen 8ermaniumpl/ttchen in das von beiden Seiten Cndi'(pillen anlegiert waren[10]
[11] so dass letztere tie, in das 8rundmaterial eindrangen in der (itte aber eine Basisstrecke
gewDnschter )icke ,reiblieb. 23A4 kamen Bipolartransistoren aus Silicium heraus <8ordon
%eal bei Te#as Cnstr'(ents und !orris Tanenba'( an den Bell "abs=. Seit den sp/ten 239:er ;ahren
kommen groIteils (etall- oder +unststo*geh/use zur 'nwendung. Einsatzbereiche lagen
zun/chst in der analogen Schalt'ngstechnik wie beispielsweise den damals
au,kommenden Transistorradios. )as Basismaterial 8ermanium wurde in -olge verst/rkt durch
das technisch vorteilha,tere Silici'( ersetzt das einen grIeren 'rbeitstemperaturbereich bei
wesentlich geringeren Geststrmen abdeckte und durch die Silici'(dio#id
9assiBier'ng langzeitstabiler in den elektrischen +ennwerten gegenDber 8ermanium ist.
)er erste au, Galli'(arsenid basierende -elde*ekttransistor <!3SF3T= wurde 2399 von ;arBer
!ead entwickelt.[12] -?nnschichttransistoren <engl. thin flm transistor abgekDrzt TFT= wurden
bereits 239@ von ?. .eimer entwickelt konnten aber erst rund C: ;ahre sp/ter im Bereich
heute Dblicher ,arbiger TFT-isplays einen 'nwendungsbereich Knden.[2=]
.erden alle %ransistoren in s/mtlichen bislang hergestellten Schaltkreisen
wie +rbeitsspeicher 9ro&essoren usw. zusammengez/hlt ist der %ransistor inzwischen dieOenige
technische -unktionseinheit die von der (enschheit in den hchsten 8esamtstDckzahlen
produziert wurde und wird. (oderne integrierte Schalt'ngen wie die in 9ersonal
;o(p'terneingesetzten !ikropro&essoren bestehen aus vielen (illionen bis (illiarden
%ransistoren.
Typen[Bearbeiten]
Es gibt zwei wichtige 8ruppen von %ransistoren n/mlich Bipolartransistoren und
-elde*ekttransistoren <-E%= die sich durch die 'rt der 'nsteuerung voneinander
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unterscheiden. Eine "iste mit einer groben Einordnung bzw. 8ruppierung der %ransistoren
sowie weiteren %ransistorenvarianten Kndet sich unter .iste elektrischer Ba'ele(ente.
Bipolartransistor[Bearbeiten]
D Hauptartikel: Bipolartransistor
Schaltsy(bole des Bipolartransistors
npn pnp


Schema eines npn-%ransistors der im Nerst/rkungsbereich betrieben wird. >m Halbleiterkristall wird
elektrischer Strom durch "cher und Elektronen Dbertragen.
Bei bipolaren Transistoren tragen sowohl bewegliche negative "adungstr/ger die3lektronen
als auch positive "adungstr/ger sogenannte -efektelektronen zur -unktion bzw. zum
"adungstransport bei. )e,ektelektronen auch als Lcher bezeichnet sind unbesetzte
Bust/nde im Valen&band die sich durch Generation 'nd 8eko(bination von Elektronen im +ristall
bewegen. Bu den bipolaren %ransistoren gehren unter anderem der CGBT und der $4BT. )er
wichtigste Nertreter ist Oedoch der Bipolartransistor <engl.Hbipolar Ounction transistor B;%=
)er Bipolartransistor wird durch einen elektrischen Stro( angesteuert. )ie 'nschlDsse werden
mit Basis Emitter ollektor bezeichnet <im Schaltbild abgekDrzt durch die Buchstaben B E
#=. Ein kleiner Steuerstrom au, der Basis-Emitter-Strecke ,Dhrt zu Ner/nderungen
der 8a'(lad'ngs&onen im >nneren des Bipolartransistors und kann dadurch einen groIen Strom
au, der +ollektor-Emitter-Strecke steuern. ;e nach -otier'ngsfolge im 'u,bau unterscheidet man
zwischen npn- <negativ-positiv-negativ= und pnp-%ransistoren <positiv-negativ-positiv=.
)otierung bedeutet in diesem Busammenhang das Einbringen von -remdatomen bei dem
Herstellungsprozess in eine Schicht des hochreinen Halbleitermaterials um die
+ristallstruktur zu ver/ndern. Bipolartransistoren sind grunds/tzlich immer selbstsperren!H
Phne 'nsteuerung mittels eines kleinen Stromes durch die Basis-Emitter-Strecke sperrt der
%ransistor au, der +ollektor-Emitter-Strecke.
>m Schalts$mbol ist der 'nschluss Emitter <E= in beiden -/llen mit einem kleinen ?,eil
versehenH Bei einem npn-%ransistor zeigt dieser vom Bauelement weg beim pnp-%ransistor
weist er zu dem Bauelement hin.[21] )er ?,eil beschreibt dieelektrische Stro(richt'ng <Bewegung
gedachter positiver "adungstr/ger= am Emitter. >n ,rDhen ;ahren wurde in Schaltpl@nenbei den
damals o,t eingesetzten diskreten %ransistoren zur +ennzeichnung des %ransistorgeh/uses
ein +reis um das Oeweilige S$mbol gezeichnet. )ie +reiss$mbole sind durch den heutigen
vorherrschenden Einsatz integrierter Schaltungen unDblich geworden.
)ie NerknDp,ung zweier Bipolartransistoren mit Nor- und Hauptverst/rkung zu einer Einheit
wird als -arlingtonTransistor oder als )arlington-Schaltung bezeichnet. )urch diese
Nerschaltung kann eine deutlich hhere Stro(Berst@rk'ng erreicht werden als mit einem
einzelnen %ransistor. .eitere )etails zu den Besonderheiten und 'nsteuerungen Knden sich
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in dem eigenen 'rtikel Dber Bipolartransistoren und in der (athe(atischen Beschreib'ng des
Bipolartransistors. Ein,ache Schaltungsbeispiele Knden sich in dem 'rtikel
Dber Transistorgr'ndschalt'ngen und bei den 3rsat&schalt'ngen des Bipolartransistors.
Feldefekttransistor[Bearbeiten]
D Hauptartikel: Feldeffekttransistor
-elde*ekttransistoren abgekDrzt -E% oder auch als unipolare %ransistoren bezeichnet
werden durch eine Spannung gesteuert. Besonders ,Dr -E%s ist ein sehr
hoher 3ingangs,iderstand im statischen Betrieb und die daher ,ast leist'ngslose'nsteuerung
t$pisch.
)ie C 'nschlDsse werden als Gate <dt. %or 8atter= das der Steueranschluss ist "rain <dt.
Senke 'bJuss= und #ource <dt. Quelle BuJuss= bezeichnet. Bei !"SF3Ts <!etallo#idschicht=
kommt noch ein weiterer 'nschluss das sogenannte Bulk oderBo!$ <dt. Substrat= hinzu das
meist mit dem #ource-'nschluss verbunden wird. )er .iderstand und somit der Strom der
)rain-Source-Strecke wird durch die Spann'ng zwischen 8ate und Source und das dadurch
entstehende elektrische Feldgesteuert. )ie Steuerung ist im statischen -all ,ast stromlos. )er
gesteuerte Strom im )rain-Source-+anal kann im 8egensatz zum +ollektorstrom von
Bipolartransistoren in beiden Gichtungen JieIen.
)ie +lasse der -elde*ekttransistoren unterteilt sich in Sperrschicht--E%s <;-E%s= und in die
-E%s die mit einem durch einen >solator getrennten 8ate <(>S-E% (PS-E%= versehen sind.
Mnterschieden wird bei -elde*ekttransistoren darDber hinaus Oe nach )otierung des
Halbleiters zwischen n- und p--E%s die sich bei den (PS-E%s weiter in selbstleitende und
selbstsperrende %$pen au,teilen.
Bei den Mnipolartransistoren ist immer nur eine "adungstr/gerart negativ geladene
Elektronen oder positiv geladene )e,ektelektronen am "adungstr/gertransport durch den
%ransistor beteiligt.
Sperrschicht-Feldefekttransistor[Bearbeiten]
Schaltsy(bole Bon 4F3Ts
n-Kanal p-Kanal

D Hauptartikel: Sperrschicht-Feldeffekttransistor
Bei Sperrschicht--E%s <engl. %unction FET ;-E%= wird die elektrisch isolierende Schicht
zum Gate durch eine in Sperrrichtung betriebene -iode und deren unterschiedlich
groIe8a'(lad'ngs&one gebildet. Sperrschicht--E%s sind immer selbstleitende %ransistorenH Phne
Spannung am Gate sind sie zwischen #ource und "rain leitend. )urch das 'nlegen
einer Gate-Spannung geeigneter 9olarit@t wird die "eit,/higkeit
zwischen #ource und"rain reduziert.
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'uch ;-E%s gibt es in zwei 'rtenH n-+anal und p-+anal. >m Schalts$mbol wird bei einem n-
+anal der ?,eil zu dem %ransistor gezeichnet und au, dem 8ate-'nschluss eingezeichnet wie
in nebenstehender 'bbildung dargestellt. Beim p-+anal-%$p ist die ?,eilrichtung umgekehrt.
Sperrschicht--E%s Knden wegen der etwas komplizierteren 'nsteuerung nur in speziellen
'nwendungen wie beispielsweise !ikrofonBerst@rkern 'nwendung.
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldefekttransistor[Bearbeiten]

Schalts$mbole von (PS-E%s

?rinzipieller 'u,bau eines n-+anal-(PS-E%s im Querschnitt
D Hauptartikel: Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
)er Rberbegri* (>S-E% leitet sich von der englischen Bezeichnung (etal ins'lator
se(icond'ctor Keld-e*ect transistor <(etall->solator-Halbleiter--elde*ekttransistor= ab. Sie
stellen die andere groIe 8ruppe die -elde*ekttransistoren mit einem durch einen >solator
getrennten 8ate <engl.H isolated gate Keld-e*ect transistor CGF3T=. 'us historischen 8rDnden
wird statt (>S-E% oder >8-E% meist die Bezeichnung (PS-E% s$non$m verwendet. (PS-E%
steht ,Dr englisch metal o7ide semiconductor Keld-e*ect transistor <!etall"#id$albleiter
Feldeffekttransistor= und geht au, die MrsprDnge der Halbleitertechnik zurDckE damals wurde als
8ate-(aterial 'luminium und als >solator Siliciumdio7id verwendet.
.ie der !ame schon andeutet ist ein (PS-E% im .esentlichen durch den 'u,bau des 8ate-
Schichtstapels deKniert. )abei ist ein metallisches Gate durch ein P7id <>solator= vom
strom,Dhrenden +anal <Halbleiter= zwischen Source und )rain elektrisch isoliert. (it
%echnologiestand im ;ahr @::6 wird vornehmlich hochdotiertes ?ol$silicium als 8ate-(aterial
eingesetzt womit die Bezeichnung (>S-E% bzw. (PS-E% nicht korrekt ist. >n Nerbindung mit
dem Substratmaterial Silicium bietet sich Siliciumdio7id als >solationsmaterial an da es sich
technologisch ein,ach in den Herstellungsprozess integrieren l/sst und gute elektrische
Eigenscha,ten au,weist. Eine 'usnahme stellt die sogenannte $ighkE!etalGateTechnik dar bei
der ein metallisches 8ate in Nerbindung mit $ighk!aterialien aus (etallo7iden eingesetzt
wird.
Ein Norteil der (PS-E%-%echnik ist dass durch den Einsatz eines >solators im Betrieb keine
Gaumladungszone als %rennschicht wie beim Sperrschicht--E% mit entsprechender
'nsteuerungspolarit/t gebildet werden muss. )er Gate-'nschluss kann somit in bestimmten
Bereichen mit sowohl positiven als auch negativen Spannungen gegen den #ource-'nschluss
beau,schlagt werden.
;e nach )otierung des 8rundmaterials lassen sich sowohl n- und p-+anal-(PS-E%s herstellen.
)iese lassen sich auch in -orm selbstleitender oder selbstsperrender %$pen im Gahmen der
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Herstellungsprozesse konKgurieren. )ie Schalts$mbole um,assen damit vier mgliche
Nariationen wie in nebenstehender 'bbildung dargestellt. )abei ist erkennbar dass die
selbstleitenden (PS-E%s auch als Nerarmungst$p bezeichnet eine durchgezogene "inie
zwischen den 'nschlDssen "rainund #ource au,weisen. )iese "inie ist bei den
selbstsperrenden %$pen auch als 'nreicherungst$p bezeichnet unterbrochen. )er ?,eil wird
bei diesen %ransistoren am Bulk-'nschluss eingezeichnet und bei einem n-+anal-%$p zu dem
%ransistors$mbol orientiert bei einem p-+anal vom %ransistor weg gezeichnet. )er Bulk-
'nschluss ist o,t ,est mit dem #ource-'nschluss direkt am Halbleiter verbunden.
.egen der grIeren Niel,alt und der leichteren elektrischen Steuerbarkeit sind (PS-E%s die
heute mit groIem 'bstand am meisten produzierten %ransistoren. (glich wurde dies vor
allem durch die sogenannten ;!"S-%echnologie bei der n- und p-(PS-E%s kombiniert
werden. )er Einsatz dieser %echnologie erlaubte erst die Gealisierung hochkomple7er
integrierter Schaltungen mit einer deutlich reduzierten "eistungsau,nahme die mit anderen
%ransistort$pen nicht mglich w/re.
Spezielle Transistortpen[Bearbeiten]

!ahau,nahme eines -ototransistors<kleines Suadratisches ?l/ttchen in der Bildmitte=
!eben den %ransistorgrundt$pen gibt es einige weitere Narianten ,Dr spezielle
'nwendungsbereiche wie den Bipolartransistor (it isolierter Gateelektrode abgekDrzt >8B%. )iese
%ransistoren Knden seit Ende der 233:er ;ahre vor allem in der "eistungselektronik
'nwendung und stellen eine +ombination aus (PS- und Bipolartechnologie in einem
gemeinsamen 8eh/use dar. )a diese "eistungstransistoren Sperrspannungen bis zu 9 kN
au,weisen und Strme bis zu C k' schalten knnen ersetzen sie in der "eistungselektronik
zunehmend Thyristoren.
Fototransistoren sind optisch empKndliche bipolare %ransistoren wie sie unter anderem
in "ptokopplern Nerwendung Knden. )ie Steuerung dieser %ransistoren er,olgt nicht durch einen
kleinen Basis-Emitter-Strom T mitunter wird der Basisanschluss auch weggelassen T sondern
ausschlieIlich durch den Ein,all von.icht gesteuert <beispielsweise angewendet in
"ichtschranken=. "icht hat in der Gaumladungszone des p-n-Rberganges des
Bipolartransistors eine /hnliche .irkung wie der Basisstrom der normalerweise an der
Basis<B= au, engl. 8ate<8= geschaltet wird. )eswegen sollten herkmmliche %ransistoren
bei welchen dieser E*ekt unerwDnscht ist in einem lichtundurchl/ssigen 8eh/use
untergebracht sein.
Ein heute kaum noch verwendeter %ransistor ist der FniG'nctiontransistor abgekDrzt M;%. Er
/hnelt in seiner -unktion eher %h$ristoren bzw. den -iacs wird historisch aber zu den
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%ransistoren gez/hlt. Seine -unktion beispielsweise in S/gezahngeneratoren wird heute
groIteils durch integrierte Schaltungen realisiert.
>n manchen Fl?ssigkristallbildschir(en den meist ,arb,/higen %-%-)ispla$s kommen pro 9i#el im
aktiven Bildbereich bis zu drei -?nnschichttransistoren <engl. thin Klm transistor %-%= zu
'nwendung. )iese -elde*ekttransistoren sind praktisch durchsichtig. Sie werden zur
'nsteuerung der einzelnen ?i7el verwendet und ermglichen im Nergleich zu den
transistorlosen ,arb,/higen "#-)ispla$s einen hheren +ontrast. ;e nach 8rIe des %-%-
)ispla$ knnen pro Bildschirm bis zu einigen (illionen )DnnKlmtransistoren eingesetzt
werden.
>n elektrisch programmierbaren Fest,ertspeichern wie 398"!s und 3398"!s Knden spezielle
(PS-E% mit einem sogenannten Floating Gate als prim/res Speicherelement 'nwendung.
)urch die im -loating 8ate gespeicherte elektrische "adung ist der %ransistor permanent ein-
bzw. ausgeschaltet und kann den >n,ormationsgehalt eines Bits speichern. )as Beschreiben
und bei einigen %$pen auch das "schen wird mittels des
Suantenmechanischen T'nneleffektes ermglicht.
>n integrierten Schaltungen werden weitere spezielle -ormen wie der !'ltie(itter
Transistor eingesetzt welcher bei.ogikgattern in der TransistorTransistor.ogik die eigentliche
logische NerknDp,ung der Eingangssignale durch,Dhrt.
Bauformen[Bearbeiten]
>m "au,e der 8eschichte der (ikroelektronik wurden eine Nielzahl von %ransistorbau,ormen
entwickelt die sich vor allem in der Herstellung der pn-Rberg/nge und der 'nordnung der
dotierten Bereiche unterscheiden. )er erste praktisch realisierte %ransistor war 2345
der Spit&entransistor. )arau, ,olgten zahlreiche Nersuche die Herstellung ein,acher und somit
auch gDnstiger zu machen. .ichtige Bau,ormen bipolarer %ransistoren sindH der Transistor (it
ge,achsene( pn6bergang <engl.&ro'n %unction transistor= der .egier'ngstransistor der -rifttransistor
der -iff'sionstransistor der di*undiert-legierte!esatransistor der 3pita#ialtransistor und der "Berlay
Transistor. )ie wohl wichtigste Bau,orm ist Oedoch der 239: von 4ean
$oerni entwickelte 9lanartransistor der sowohl eine parallele (assen,ertigung au, einem
Substrat als auch wirksamen Schutz des sensiblen pn-Rbergangs w/hrend und nach der
-ertigung erlaubte.
)ie erst sp/ter praktisch realisierten -elde*ekttransistoren knnen in /hnlich vielen
Bau,ormen realisiert werden. )ie wichtigsten -ormen sind der planare !etall"#id$albleiter
Feldeffekttransistor der 3pita#ie9lanarTransistor der>anodrahttransistor sowie der FinF3T siehe
auch !etall"#id$albleiterFeldeffekttransistor.
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8ing es in der 'n,angsphase der (ikroelektronik noch darum Dberhaupt ,unktions,/hige
%ransistoren mit guten elektrischen Eigenscha,ten herzustellen so werden sp/testens seit
den 233:er ;ahren zunehmend Bau,ormen ,Dr spezielle 'nwendungen und 'n,orderungen
entwickelt beispielsweise $ochfreA'en& .eist'ngs und $ochspann'ngstransistoren. )iese
Mnterteilung gilt sowohl ,Dr Bipolar- als auch ,Dr -elde*ekttransistoren. -Dr einige
'nwendungen wurden auch spezielle %ransistort$pen entwickelt die t$pische Eigenscha,ten
der beiden Hauptt$pen vereinen z. B. der Bipolartransistor (it isolierter Gate3lektrode<>8B%=.
Werkstofe[Bearbeiten]

!ahau,nahme eines Halbleiterpl/ttchens <engl. !ie= mit einem Bipolartransistor von oben und den
'nschlussdr/hten
Bipolare %ransistoren wurden in der 'n,angszeit aus dem Halbleiter Ger(ani'(ge,ertigt
w/hrend heute Dberwiegend der Halbleiter Silici'( sowohl bei -elde*ekttransistoren als auch
Bipolartransistoren verwendet wird. )er schrittweise Ersatz des 8ermaniums durch Silicium
im "au,e der 239:er und 235:er ;ahre geschah unter anderem aus ,olgenden 8rDnden
<vgl. Ther(ische "#idation Bon Silici'(=H[22]
2.Silicium besitzt ein stabiles nichtleitendes P7id <Siliciumdio7id= hingegen ist
8ermaniumo7id wasserlslich was unter anderem die Geinigung komplizierter macht.
Siliciumdio7id eignet sich zur PberJ/chenpassivierung der Halbleiter wodurch die
Mmgebung <Nerschmutzungen PberJ/chenladungen usw.= die elektrischen Eigenscha,ten
der Bauelemente deutlich weniger beeinJussten und somit reproduzierbarer wurden.
(it der thermischen ()i!ation *on #ilicium e7istierte ein ein,acher Herstellungsprozess von
Siliciumdio7id au, einkristallinem Silicium. )ie dabei entstehende Silicium-Siliciumdio7id-
8renzJ/che zeigt eine geringe 'nzahl an 8renzJ/chenladungen was unter anderem die
praktische Mmsetzung von -elde*ekttransistoren mit isoliertem 8ate ermglichte.
2.Silicium ist genauso wie 8ermanium ein 3le(enthalbleiter. Bei Silicium ist die 8ewinnung und
Handhabung ein,acher als bei 8ermanium.
-Dr Spezialanwendungen werden weitere (aterialien eingesetzt. So besitzen
einige Verbind'ngshalbleiter wie das gi,tigeGalli'(arsenid bessere Eigenscha,ten ,Dr hoch,reSuente
'nwendungen sind aber teurer zu ,ertigen und bentigen andere -ertigungseinrichtungen.
Mm diese praktischen !achteile des 8alliumarsenids zu umgehen e7istieren verschiedene
Halbleiterkombinationen wie Silici'(ger(ani'( die ,Dr hhere -reSuenzen verwendbar sind.
-Dr Hochtemperaturanwendungen kommen ,Dr die Herstellung von %ransistoren spezielle
Halbleitermaterialien wie Silici'(carbid<Si#= zur 'nwendung. )iese %ransistoren knnen
beispielsweise direkt an einem Verbrenn'ngs(otor bei %emperaturen bis zu 9:: U# eingesetzt
werden.[2%] [2)] Bei siliciumbasierenden Halbleitern liegt die ma7imale Betriebstemperatur im
Bereich von 2A: U#.
Anwendungsbereiche[Bearbeiten]
%ransistoren werden heutzutage in nahezu allen elektronischen Schaltungen verwendet. )er
Einsatz als einzelnes <diskretes=Ba'ele(ent spielt dabei eine nebens/chliche Golle. Sogar in der
referat.clopotel.ro
"eistungselektronik werden zunehmend mehrere %ransistoren au, einem Substrat ge,ertigt
dies geschieht haupts/chlich aus +ostengrDnden.
Eine /ltere %$pisierung von %ransistoren er,olgte nach den EinsatzgebietenH
+leinsignaltransistoren T ein,ache ungekDhlte %ransistoren ,Dr analoge >F-%echnik ,Dr
"eistungen bis ca. 2 .
"eistungstransistoren T robuste kDhlbare %ransistoren ,Dr "eistungen oberhalb 2 .
Hoch,reSuenztransistoren T %ransistoren ,Dr FreA'en&en oberhalb 2:: kHz bei -reSuenzen
Oenseits der 2:: (Hz wird auch die /uIere 8estaltung beispielsweise
in Streifenleitertechnik ausge,Dhrt
Schalttransistoren T %ransistoren mit gDnstigem Nerh/ltnis von )urchlass- zu Sperrstrom bei
denen die +ennlinie nicht besonders linear zu sein braucht in Narianten ,Dr kleine und ,Dr
groIe "eistungen. Bipolare %ransistoren im +leinleistungsbereich mit integrierten
Norschaltwiderst/nden werden auch als -igitaltransistor bezeichnet.
Heute di*erenziert man noch mehr nach dem 'nwendungsgebiet. )ie (aIst/be haben sich
eben,alls verschoben die 8renze von 2:: kHz ,Dr H--%ransistoren wDrde heute ca. um den
-aktor 2::: hher angesetzt werden.
!i"itale Schalt#n"stechnik[Bearbeiten]
'usgehend von der Bahl der ge,ertigten Bauelemente ist das Hauptanwendungsgebiet der
%ransistoren in der -igitaltechnikder Einsatz in integrierten Schalt'ngen wie beispielsweise 8+!
Speichern FlashSpeichern !ikrocontroller!ikropro&essoren und .ogikgattern. )abei beKnden sich bei
hochintegrierten Schaltungen Dber 2 (illiarde %ransistoren au, einem Substrat welches
meistens aus Silicium besteht und eine -l/che von einigen Quadratmillimetern au,weist. )ie
im ;ahr @::3 noch e7ponentiell wachsende Steigerungsrate bei der Bauelementeanzahl pro
integriertem Schaltkreis wird auch als!ooresches Geset& bezeichnet. ;eder dieser %ransistoren
wird dabei als eine 'rt elektronischer Schalter eingesetzt um einen %eilstrom in der
Schaltung ein- oder auszuschalten. (it dieser immer hheren %ransistoranzahl Oe #hip wird
dessen Speicherkapazit/t grIer oder seine -unktionsviel,alt indem bei modernen
(ikroprozessoren beispielsweise immer mehr 'ktivit/ten in
mehreren 9ro&essorkernen parallel abgearbeitet werden knnen. 'lles dies steigert in erster "inie
die 'rbeitsgeschwindigkeitE weil die einzelnen %ransistoren innerhalb der #hips dabei aber
auch immer kleiner werden sinkt auch deren Oeweiliger Energieverbrauch so dass die #hips
insgesamt auch immer energiesparender <bezogen au, die 'rbeitsleistung= werden.
)ie 8rIe der %ransistoren <8ate-"/nge= bei hochintegrierten #hips betr/gt im ;ahr @::3 o,t
nur noch wenige !anometer. So betr/gt beispielsweise die 8ate-"/nge der ?rozessoren die
in der sogenannten )*n(Technik ge,ertigt wurden nur rund @2 nmE )ie 4A nm bei der 4A-nm-
%echnik beziehen sich au, die 8rIe der kleinen lithographisch ,ertigbaren Struktur
sogenannte ,eature size was in der Gegel der unterste (etallkontakt mit den )rain-Source-
8ebieten ist. )ie ,Dhrenden Halbleiterunternehmen treiben diese Nerkleinerung auch noch in
den n/chsten ;ahren voran so stellte >ntel im )ezember @::3 die neuen C@-nm-%estchips vor
die 'n,ang @:2: in Serie gehen sollen.[2*] 'uch '()&8lobal,oundries hat angekDndigt im ;ahr
@:2: die Serienproduktion in @6-nm- und %2n(Technik zu starten.[2/] >ntel erho*t sich durch
referat.clopotel.ro
neue %echnologien eine Geduzierung der 8rIe bis au, 22 nm bis @:2A.[2*] >n nach,olgender
%abelle ist beispielha,t die 'nzahl der au, einigen (ikroprozessoren eingesetzten %ransistoren
angegebenH
Prozessortyp Anzahl der Transistoren Technologieknoten Entwicklungsjahr
Cntel )==) 2.%== 1=.=== n( 1201
Cntel 9enti'( H9*I %.1==.=== 1== n( 122%
Cntel ;ore 2 HJorkfieldI pro -ie )1=.===.=== )* n( 2==0
Cntel Ctani'( 2 T'k,ila 2.=)/.===.=== /* n( 2=1=
+!- Tahiti KT[20] ).%12.011.10% 21 n( 2=11
>Bidia :epler G:11=[21] 0.1==.===.=== 21 n( 2=12
$nalo"e Schalt#n"stechnik[Bearbeiten]
>n der analogen Schaltungstechnik Knden sowohl Bipolartransistoren als auch
-elde*ekttransistoren in Schaltungen wie dem"perationsBerst@rker Signalgeneratoren oder als
hochgenaue 8eferen&spann'ngsA'elle 'nwendung. 'ls Schnittstelle zu digitalen 'nwendungen
,ungieren +nalog-igitalF(set&er und -igital+nalogF(set&er. )ie Schaltungen sind dabei im
Mm,ang wesentlich kleiner. )ie 'nzahl der %ransistoren pro #hip bewegen sich im Bereich von
einigen 2:: bis zu einigen 2:.::: %ransistoren.
>n %ransistorschaltungen zur SignalBerarbeit'ng wie VorBerst@rker ist das 8a'schen eine wesentliche
StrgrIe. Es spielt dabei vor allem das ther(ische 8a'schen das Schrotra'schen sowie das 1Lf
8a'schen eine Golle. Bei dem (PS--elde*ekttransistor ist das 2&,-Gauschen bereits unter ca.
2 (Hz besonders groI. )as unterschiedliche Gauschverhalten bestimmt eben,alls die
mglichen Einsatzbereiche der %ransistort$pen beispielsweise in !ieder,reSuenzverst/rkern
oder in speziellen rauscharmen $ochfreA'en&'(set&ern.
>n der analogen Schaltungstechnik werden auch heute noch diskrete %ransistoren
unterschiedlichen %$ps eingesetzt und mit anderen elektronischen Bauelementen
au, .eiterplatten verbunden so es ,Dr diese 'n,orderungen noch keine ,ertigen integrierten
Schaltungen bzw. Schaltungsteile gibt. Ein weiterer Einsatzbereich ,Dr den Einsatz diskreter
%ransistorschaltungen liegt im Sualitativ hheren Segment der +'diotechnik.
%eist#n"selektronik[Bearbeiten]

"eistungstransistor vom %$p+,-.// im T(---8eh/use durch eine8limmerscheibe elektrisch isoliert au,
einem 'luminium-+Dhlkrperau,geschraubt
%ransistoren werden in unterschiedlichen Bereichen der "eistungselektronik eingesetzt. >m
Bereich von .eist'ngsBerst@rkern Knden sie sich in 3ndst'fen. >m Bereich der geregelten
Stromversorgungen wie bei Schaltnet&teilen Knden .eist'ngs!"SF3Ts oder CGBTs 'nwendung T sie
referat.clopotel.ro
werden dort als .echselrichter und s$nchroner Gleichrichter verwendet. >8B% und "eistungs-
(PS-E%s dringen zunehmend in Bereiche vor die bisher grIeren Thyristoren vorbehalten
waren bspw. in Wechselrichtern oder (otorsteuerungen. )er Norteil der "eistungstransistoren
gegenDber %h$ristoren ist die (glichkeit %ransistoren Oederzeit ein- oder ausschalten zu
knnen. Herkmmliche %h$ristoren knnen zwar Oederzeit eingeschaltet <gezDndet= werden
aber nicht bzw. nur mit zus/tzlichem Schaltungsau,wand wieder ausgeschaltet werden. Ein
Mmstand der vor allem bei 8leichspannungsanwendungen von !achteil ist.
'u,grund der in der "eistungselektronik au,tretenden Nerlustleistungen kommen meist
grIere Transistorgeh@'se wie %P-@@: oder %P-C zur 'nwendung die zus/tzlich eine gute
thermische Nerbindung zu :?hlk5rpern ermglichen.
Siehe auch[Bearbeiten]
Transistorgr'ndschalt'ngen
Literatur[Bearbeiten]
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Weblinks[Bearbeiten]
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o!!ons: Transistoren T Sammlung von Bildern Nideos und 'udiodateien
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@::3 <Einige %ransistor-8rundschaltungen=.
4ohn !arkoffH Herbert F. Matar. !n in"entor of the transistor has his #o#ent. >nH ,e' 0ork
Times1 @4. -ebruar @::C abgeru,en am @@. ;uni @::3 <englisch=.
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+laus .illeH Halbleiterbauele#ente )Teil *+ Transistoren,. C. ;anuar @::A abgeru,en am 23. ;anuar
@:2@ <?)-E 2@ (B deutsch=.
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referat.clopotel.ro