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Chapitre 7

Les semiconducteurs
7.1 Proprietes generales des semiconducteurs
7.1.1 Semiconducteurs et isolants
Comme nous lavons vu au 5.5, la structure de bande dun solide en-
semble avec son remplissage (nombre delectrons par maille) permet de faire
la dierence entre un isolant et un metal. Dans letat fondamental dun iso-
lant les bandes sont ou compl`etement remplies ou compl`etement vides, par
contre dans un metal au moins lune des bandes est partiellement remplie.
Cette distinction est representee schematiquement dans la Fig. 7.1, o` u les
zones hachurees representent les etats occupes.
E
g
E
(a)
g (E)
E
(b)
g (E)
E
F
Figure 7.1 Densite detat g(E) pour un isolant (a) et un metal (b). Dans un isolant
il existe une bande interdite, de largeur E
g
, qui separe les etats occupes (zone h achuree)
des etats vides ` a T = 0. Dans un metal lenergie de Fermi, E
F
, se trouve dans une bande
denergie permise.
A temperature nie, dans un isolant il existe une probabilite non nulle
quune fraction des electrons soit excitee thermiquement, `a travers la bande
interdite, dans les etats inoccupes de la bande denergie superieure, en faisant
apparatre des trous dans la bande denergie inferieure. Dans ces conditions
1
2 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
lisolant peut avoir une conductivite non nulle, cest la raison pour la-
quelle la bande denergie superieure, initialement vide, est dite bande de
conduction et la bande denergie inferieure est dite bande de valence. La
valeur de depend de k
B
T et de la largeur E
g
de la bande interdite (E
g
=
energy gap), nous montrerons plus loin que la fraction delectrons excites
est de lordre de
exp
_

E
g
2k
B
T
_
(7.1)
Nous reportons dans le tableau ci-dessous la fraction delectrons excites `a
temperature ambiante en fonction de E
g
E
g
fraction e

excites type de solide


4 eV
2 eV
0.25 eV
10
-35
10
-17
10
-2
isolant
limite
semiconducteur
Pour E
g
=4 eV la fraction delectrons excites est si faible que pratique-
ment la conductivite est nulle, cest le comportement dun isolant. Par contre
pour E
g
=0.25 eV, une fraction appreciable des electrons est excitee, le so-
lide dont la conductivite etait nulle `a T = 0, acquiert une conductivite qui
crot avec la temperature car le nombre de porteurs de charge augmente.
Cest le comportement typique dun semiconducteur. La distinction entre
semiconducteurs et isolants nest pas absolument nette, on consid`ere quun
solide est un semiconducteur si E
g
2 eV.
Les semiconducteurs peuvent etre des elements comme Ge ou Si, mais ils
peuvent aussi etre des composes tels que SiC, Cu
2
O, GaAs. Leurs proprie-
tes sont profondement modiees par la presence dimpuretes, de defauts, ou
decarts par rapport `a leur composition exacte. Les proprietes dun cristal
parfait ou dun compose dont la composition est exacte sont dites proprie-
tes intrins`eques. Leet dimpuretes ajoutees au semiconducteur, ou de
defauts, donne lieu `a des proprietes extrins`eques.
La conductivite dun semiconducteur est essentiellement due aux por-
teurs de charge (electrons) dans la bande de conduction et aux trous crees
dans la bande de valence sous leet des impuretes ou par excitation des
electrons dans la bande de conduction. Elle secrit
=
ne
2

e
m
e
+
pe
2

h
m
h
(7.2)
o` u n est la densite delectrons dans la bande de conduction,
e
le temps de
relaxation des electrons dans cette bande et m
e
leur masse eective. p,
h
,
m
h
representent les grandeurs correspondantes pour les trous dans la bande
de valence.
7.1. PROPRI

ET

ES G

EN

ERALES DES SEMICONDUCTEURS 3


Pour un semiconducteur, la valeur de la conductivite en fonction de T
est dominee par le comportement de n(T) et p (T) (n = p pour un semicon-
ducteur intrins`eque), car le temps de relaxation varie plus faiblement avec
la temperature. Ce comportement est tr`es dierent de celui dun metal pour
lequel la densite electronique n est constante, leet de la temperature sur
dependant enti`erement de la variation du temps de relaxation.
Experimentalement, la conductivite dun semiconducteur varie comme
indique dans la Fig. 7.2. A haute temperature le comportement est domine
par les eets intrins`eques, la pente de la variation lineaire de ln en fonction
de 1/T permet de determiner la largeur de la bande interdite
(ln ) ln n
i

E
g
2k
B
T
(7.3)
Le comportement `a plus basse temperature est fortement inuence par les
impuretes (voir explication plus loin).
1/T (K
-1
)
Figure 7.2 Comportement typique de la conductibilite electrique en fonction de T.
La variation lineaire de ln ` a haute temperature est dominee par les eets intrins`eques.
Laugmentation ` a temperature intermediaire et la deuxi`eme diminution lorsque T decrot
sont dues aux impuretes (eet extrins`eque).
7.1.2 La bande interdite, proprietes optiques
La conductivite intrins`eque et de nombreuses proprietes des semicon-
ducteurs dependent fortement de la largeur de leur bande interdite. Nous
donnons dans la Table 7.1 la valeur de E
g
pour plusieurs semiconducteurs
et quelques isolants.
Les semiconducteurs simples proviennent de la colonne IV du tableau
periodique, Si, Ge etant les deux elements les plus importants. Le carbone,
sous forme diamant, est un isolant. Une classe importante de semiconduc-
teurs sont les composes formes dun element de la colonne III et dun element
de la colonne V, les IIIV, le plus important du point de vue technologique
4 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
Cristal Gap E
g
, eV
0 K 300 K
Cristal Gap E
g
, eV
0 K 300 K
Diamant
Si
Ge
Sn
InSb
InAs
InP
GaP
GaAs
GaSb
AlSb
SiC(hex)
Te
ZnSb
i
i
i
d
d
d
d
i
d
d
i
i
d
5.4
1.17
0.744
0.00
0.23
0.43
1.42
2.32
1.52
0.81
1.65
3.0
0.33
0.56
1.11
0.66
0.00
0.17
0.36
1.27
2.25
1.43
0.68
1.6

0.56
HgTe
a)
PbS
PbSe
PbTe
CdS
CdSe
CdTe
ZnO
ZnS
SnTe
ACl
AgI
Cu
2
O
TiO
2
d
d
i
i
d
d
d
d
d
-0.30
0.286
0.165
0.190
2.582
1.840
1.607
3.436
3.91
0.03

2.172
3.03
0.34-0.37
0.27
0.29
2.42
1.74
1.44
3.2
3.6
0.18
3.2
2.8

Table 7.1 Largeur de la bande interdite. i correspond ` a un gap indirect et d ` a


un gap direct.
a)
HgTe est un semi-metal, les bandes de valence et de conduction de
recouvrent.
etant le GaAs. Dautres semiconducteurs sont dits IIVI, car formes dele-
ments de la colonne II et VI : CdS, ZnO, etc. Il existe beaucoup dautres
semiconducteurs.
On distingue les semiconducteurs qui ont un gap direct (notes d dans
la Table 7.1) et ceux qui on un gap indirect (notes i). Leur structure de
bande est representee schematiquement dans la Fig. 7.3
La largeur de la bande interdite peut etre mesuree de diverses fa cons,
on peut en particulier utiliser les mesures dabsorption optique. A basse
temperature il y a tr`es peu de porteurs de charges dans un semiconducteur
intrins`eque, les semiconducteurs sont transparents au rayonnement IR. Ils ne
deviennent absorbants que lorsque des transitions interbandes sont excitees,
soit lorque lenergie du photon est susante pour faire passer un electron
de la bande de valence ` a la bande de conduction. On sattend donc `a obser-
ver un seuil dabsorption, qui permet de determiner la largeur de la bande
interdite. Dans le cas dun semiconducteur `a gap direct, lenergie du photon
est directement reliee `a la largeur de la bande interdite,
= E
g
Dans le Si, le Ge o` u le gap est indirect, il faut satisfaire la conservation de
lenergie et du cristal momentum k (voir Fig. 7.3). Ceci nest possible que
si un phonon denergie (q) et de vecteur donde q participe `a la transition
en fournissant le crystal momentum qui manque.
7.2. LA STRUCTURE DE BANDE DE SI, GE, GAAS 5
E
g
(a) E
k
bande
conduction
bande
valence
(b) E
k q
E
g
Figure 7.3 Structure de bande schematique dun semiconducteur ` a gap direct (a) et ` a
gap indirect (b). Lors dune transition optique via un photon, en (a) le seuil dabsorption
optique est egal ` a = E
g
/, , en (b) il est donne par E
g
/ (q), car il faut tenir
compte du phonon de vecteur donde q et denergie (q) pour assurer la conservation de
la quantite de mouvement du cristal.
A basse temperature, o` u il y a peu de phonons dans le cristal, la transition
nest possible que si lenergie du photon est susante pour exciter un electron
dans la bande de conduction et creer un phonon
= E
g
+ (q)
Le seuil dabsorption apparat donc pour une frequence
=
E
g

+ (q)
La transition est cependant peu intense (processus `a 3 corps : photon, elec-
tron, phonon) jusqu`a ce quune transition verticale (q = 0) soit possible.
A plus haute temperature un phonon du cristal peut participer `a la
transition, le seuil dabsorption est alors donne par
=
E
g

(q) (7.4)
o` u le signe correspond au cas o` u un phonon du cristal est annihile lors de
la transition.
A titre dexemple nous donnons dans la Fig. 7.4 la partie imaginaire de
la constante dielectrique du Ge. En-dessous de 0.7 eV, le Ge est transparent
(
2
0), une absorption interbande apparat proche de 0.7 eV, mais elle
reste faible jusqu`a ce quune transition verticale (q = 0) soit possible vers
1.5 eV.
7.2 La structure de bande de Si, Ge, GaAs
Les proprietes electroniques des semiconducteurs sont determinees par le
petit nombre delectrons excites dans la bande de conduction et par les trous
6 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
0 2 4 6
40
30
20
10
E (eV)
Figure 7.4 Partie imaginaire de la constante dielectrique du Ge.
ainsi crees dans la bande de valence. Les electrons excites se trouvent dans
les niveaux electroniques situes au bas de la bande de conduction, les trous
etant dans les niveaux electroniques situes en haut de la bande de valence.
Ceci permet dapproximer lenergie des bandes par une forme quadratique
E
c
(k) = E
c
+
2
_
k
2
1
2m
e1
+
k
2
2
2m
e2
+
k
2
3
2m
e3
_
(7.5)
E
v
(k) = E
v

2
_
k
2
1
2m
h1
+
k
2
2
2m
h2
+
k
2
3
2m
h3
_
(7.6)
o` u les axes 1, 2, 3 correspondent aux directions principales de linverse du
tenseur de masse eective, introduit au chapitre 6. E
c
(k) est lenergie de la
bande de conduction, E
c
etant lenergie minimum de la bande. De meme
E
v
(k) est lenergie au sommet de la bande de valence, E
v
etant lenergie
maximum de cette bande. Les relations (7.5) et (7.6) impliquent que les
surfaces denergie constante sont des ellipsodes.
7.2.1 Structure de bande du Ge et du Si
La structure de bande des elements de la colonne IV du tableau perio-
dique (C, Si, Ge) est etroitement reliee `a leur structure atomique et `a la
structure cristallographique du solide. Les atomes de C, Si et Ge ont res-
pectivement la structure 1s
2
2s
2
2p
2
, [Ne] 3s
2
3p
2
et [Ar] 3d
10
4s
2
4p
2
, ils
poss`edent donc 4 electrons de valence par atome remplissant partiellement
8 etats electroniques en tenant compte du spin (2 de type s et 6 de type p).
Leur structure cristallographique est celle du diamant, cest une structure
fcc avec deux atomes dans la base, situes en (0, 0, 0) et (1/4, 1/4, 1/4).
7.2. LA STRUCTURE DE BANDE DE SI, GE, GAAS 7
Une caracteristique essentielle de la structure diamant (voir annexe A,
Fig. 11) est que chaque atome est relie `a 4 voisins situes sur les sommets
dun tetra`edre entourant latome central. Ceci sugg`ere de former `a partir des
fonctions donde atomiques 2s, 2p
x
, 2p
y
, 2p
z
(cas du Carbone) 4 nouvelles
fonctions donde obtenues par combinaison lineaire des orbitales atomiques
2s et 2p. Ces nouvelles orbitales, notees orbitales hybrides sp
3
, pointent vers
les 4 sommets dun tetra`edre et permettent de maximiser le recouvrement
entre les orbitales atomiques de 2 atomes voisins. Le gain en energie pro-
duit par ce recouvrement est plus que susant pour compenser lenergie
necessaire pour promouvoir lelectron 2s dans une orbitale 2p.
Dans lesprit de lapproximation des liaisons fortes, on peut se representer
la formation des bandes pour les elements de la colonne IV, selon le schema
donne `a la Fig. 7.5, qui correspond au cas du diamant.
r
quil
E
g
6N tats
2N tats
p
s
distance interatomique

n
e
r
g
i
e

l
e
c
t
r
o
n
i
q
u
e
Figure 7.5 Comportement schematique des bandes denergie en fonction de la dis-
tance interatomique pour un semiconducteur ou isolant ` a liaison tetraedrique tel que C, Si,
Ge. A la distance dequilibre apparat une bande interdite separant les 4 bandes occupees
(liantes de type sp
3
) et les 4 bandes vides (antiliantes de type sp
3
). Pour le diamant les
orbitales hybrides sp
3
sont formees `a partir des orbitales atomiques 2s et 2p, pour le Si `a
partir de 3s et 3p et pour le Ge ` a partir de 4s et 4p.
A grande distance o` u les atomes ninteragissent pas, le niveau s est de-
genere 2 N fois (N atomes et 2 etats de spin), le niveau p est degenere 6 N
fois (N atomes, 3 orbitales atomiques p
x
, p
y
, p
z
degenerees, 2 etats de spin
par orbitale). Lorsque les atomes se rapprochent, apparaissent des bandes
denergie construites `a partir dorbitales atomiques sp
3
, qui forment des
fonctions donde de types liant et antiliant. Il existe 4 N fonctions donde
de type liant (spin inclus) et 4 N de type antiliant. A la distance dequilibre
elles sont separees par une bande interdite de largeur E
g
.
En tenant compte du fait que la cellule unite dans la structure diamant
8 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
contient 2 atomes, le nombre de cellules unites et par consequent le nombre
de valeurs k par bande est egal `a N/2, ce qui correspond `a N etats electro-
niques par bande (spin inclus). Les 4 N etats liants correspondent donc `a
4 bandes denergie. Elles sont enti`erement remplies par les 4 N (N atomes
comportant chacun 4 electrons de valence) electrons disponibles. La struc-
ture de bande ainsi decrite correspond bien `a un isolant (ou semiconducteur)
forme de 4 bandes liantes enti`erement remplies separees de 4 bandes anti-
liantes vides par une bande interdite.
Notons en passant que la presence dune bande interdite separant les
etats liants et antiliants nest pas due `a la structure periodique du reseau,
mais plutot `a la structure locale du reseau. De ce point de vue un corps
amorphe, tel que le Si amorphe, peut aussi presenter une bande interdite.
k = (100) k =
( )
0.36 eV
0.29 eV
k = 0
[111] [100]
-13
-12
-11
-10
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
E
n
e
r
g
y
(
e
V
)
Ge
E
g
= 0.9 eV 1.1 eV 1.01 eV
5.4 eV
2.0 eV
1
2
1
2
1
2
3.5 eV
3.8 eV
L X
Figure 7.6 Structure de bande calculee de Ge. Les 4 bandes de valence sont dessinees
en gris. La structure ne de la bande de valence en k = 0 est due au couplage spin-orbite.
Le gap est indirect, la valeur minimum E
c
de lenergie de la bande de conduction est situee
en
2
a
(1/2, 1/2, 1/2).
7.2. LA STRUCTURE DE BANDE DE SI, GE, GAAS 9
Nous donnons dans la Fig. 7.6 la structure de bande calculee du Ge
le long des directions [111] (de `a L) et [100] (de `a X). On remarque les 4
bandes de conduction vides `a T = 0 et les 4 bandes de valence enti`erement
remplies `a T = 0. Le gap est indirect, lenergie minimum de la bande de
conduction est situee au point L en k =
2
a
(1/2, 1/2, 1/2) et le maximum
de la bande de valence au point en k = (0, 0, 0). La structure ne appa-
raissant en k = (0, 0, 0) pour la bande de valence est typique de plusieurs
semiconducteurs formes `a partir dorbitales atomiques sp, on retrouve une
situation equivalente pour le Si et le GaAs. Elle est schematisee dans la
Fig. 7.7, o` u nous avons represente la situation pour un semi-conducteur `a
gap indirect tel que le sommet de la bande de valence soit situe au point ,
soit en k = (0, 0, 0) et le bas de la bande de conduction en un autre point
de la zone de Brillouin.
E
g
E
k
bande de
conduction
trous lourds (hh)
trous
dtachs (soh)
trous lgers (lh)
Figure 7.7 Schema simplie de la structure de bande pour un semiconducteur ` a gap
indirect, tel que le Si, Ge. Dans le cas dun semiconducteur ` a gap direct, tel que le GaAs,
la bande electronique autour de k =(0,0,0) serait plus basse en energie que la bande en
k = (0,0,0).
Dans le cas du Ge o` u le minimum de la bande de conduction est situe
en bord de zone le long de [111], les surfaces denergie constante pour la
bande de conduction sont des demi-ellipsodes de revolution orientes selon
les 8 directions de symetrie derivees de [111]. Elles sont representees dans la
Fig. 7.8.
Les mesures de resonance cyclotronique permettent de determiner les
masses eectives pour les bandes de valence et de conduction. Dans le cas de
10 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
Figure 7.8 Surface denergie constante proches du minimum de la bande de conduc-
tion dans un cristal de germanium . Il y a 8 demi-ellipsodes de revolution, de directions
axiales orientees selon [111] et les directions equivalentes par symetrie.
la bande de valence dont le minimum est en , chacune des trois bandes (voir
Fig. 7.7) est caracterisee par une seule masse eective. Par contre la bande
de conduction est caracterisee par deux masses eectives, la masse eective
le long de laxe de lellipsode (notee m
l
) et la masse eective perpendiculaire
`a laxe (notee m
t
). Les valeurs mesurees pour le Si, le Ge et le GaAs sont
donnees dans la Table 7.2.
cristal electron
m
l
/m m
t
/m
trou lourd trou leger trou detache
GaAs
Ge
Si
0.066
1.6
0.92
0.08
0.19
0.5
0.34
0.52
0.082
0.043
0.16
0.17

Table 7.2 Valeurs approximatives des masses eectives pour les bandes de conduction
et de valence de GaAs (gap direct), Ge (gap indirect dans dir. [111]), Si (gap indirect dans
dir. [100]).
La structure de bande calculee du Si est donnee dans la Fig. 7.9.
Elle est assez proche de celle du Ge, mais le minimum de la bande de conduc-
tion est situe le long de la direction [100] (le long de X, proche du point
X). Les surfaces denergie constante pour la bande de conduction sont des
ellipsodes, par symetrie ils sont de revolution et orientes le long des six
directions equivalentes `a [100].
7.2.2 Structure de bande du GaAs
Le GaAs est un semiconducteur IIIV, qui comprend aussi 8 electrons
s p par cellule unite (3 provenant du Ga et 5 de As). Sa structure a un
7.2. LA STRUCTURE DE BANDE DE SI, GE, GAAS 11
L X K
-12
-6
6
E
(
e
V
)
k
0
Figure 7.9 Structure de bande calculee du Si. La bande de valence de plus haute
energie est 2 fois degeneree dans cette approximation.
nombre egal de Ga et As distribues sur un reseau de type diamant. Il poss`ede
donc, comme le Si et le Ge, 8 bandes derivees des orbitales sp
3
, dont 4 sont
enti`erement remplies. Sa structure de bande est donnee dans la Fig. 7.10.
On remarque que dans ce cas le minimum de la bande de conduction est
situe au centre de la zone de Brillouin. Cest un semiconducteur `a gap direct
situe au point .
-12
L X K
-6
6
E
(
e
V
)
k
0
Figure 7.10 Structure de bande du GaAs.
12 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
7.3 Niveaux electroniques dimpurete dans un se-
miconducteur
Les semiconducteurs extrins`eques sont des semiconducteurs qui ont
ete dopes, cest-`a-dire que lon a introduit des impuretes qui ont une va-
lence dierente de celle des atomes dans le semiconducteur `a letat pur.
On distingue les impuretes de type donneur, qui peuvent fournir des elec-
trons supplementaires `a la bande de conduction, et les impuretes de type
accepteur qui peuvent capturer des electrons de la bande de valence ou en
dautres termes fournir des trous `a la bande de valence.
Lintroduction dimpuretes peut considerablement modier la conducti-
bilite electrique dun semiconducteur. Ainsi laddition dun atome de Bore
au Si dans la proportion de 1 `a 10
5
multiplie la conductibilite du Si pur par
un facteur 10
3
`a temperature ambiante.
7.3.1 Les donneurs
Nous prendrons pour exemple le cas dune impurete de substitution dans
un semiconducteur du groupe IV, par exemple le Ge. Dans le Ge pur (et de
facon analogue pour le Si et le C) les 4 electrons de valence (2s et 2p) forment
avec les atomes voisins 4 liaisons sp
3
covalentes, chaque liaison etant due `a
2 electrons dans le meme etat orbital mais de spin oppose. Introduisons un
atome de la colonne V, par exemple As, qui prend la place dun atome de
Ge. Larsenic poss`ede 5 electrons de valence, 4 electrons vont former des
liaisons covalentes avec les 4 atomes de Ge voisins (voir Fig. 7.11), lelectron
supplementaire nest pas engage dans une liaison covalente faite avec le reste
du cristal, il est faiblement lie `a un atome As qui porte une charge residuelle
positive, et que lon peut considerer comme un ion As
+
. Sous leet de
la temperature lelectron supplementaire peut se detacher du ion As
+
et
participer `a la conduction electronique. Latome dAs est dit donneur car
ionise il donne un electron qui peut participer `a la conduction.
On peut calculer lenergie de liaison de lelectron supplementaire autour
du ion As
+
en remarquant que lelectron se deplace dans le potentiel cou-
lombien du ion As
+
, on a donc un probl`eme analogue `a celui de latome
dhydrog`ene. Cependant il faut tenir compte de 2 elements.
La fonction donde electronique de lelectron supplementaire est cons-
truite `a partir des etats de Bloch de la bande de conduction proches du
minimum denergie. Il faut donc associer `a lelectron supplementaire
une masse eective m

, en general nettement inferieure `a la masse m


dun electron libre.
Le champ electrique de la charge representant lion As
+
doit etre re-
duit par la constante dielectrique statique
r
du semiconducteur (voir
cours de physique generale). La constante dielectrique des semicon-
ducteurs est en general grande (
r
16 dans le Ge), ceci est relie `a
7.3. NIVEAUX

ELECTRONIQUES DIMPURET

E DANS UN SEMICONDUCTEUR 13
charge +
en excs
lectron provenant
de l'atome As
Figure 7.11 Charges associees ` a un atome As dans le Ge. Larsenic poss`ede 5 elec-
trons de valence, le Ge en a 4. Ainsi 4 electrons de lAs forment des liaisons covalentes
tetrahedriques avec les atomes de Ge voisins, le 5`eme est ` a disposition pour augmenter la
conduction electrique.
la relativement faible largeur de la bande interdite. Dans un metal, de
largeur de bande interdite nulle, il est facile de modier une fonction
donde electronique (un champ cree un courant), ce qui se traduit par
une constante dielectrique innie. Dans un semiconducteur, plus la lar-
geur de la bande interdite est faible, plus
r
est grand. Nous donnons
dans la Table 7.3 les constantes dielectriques statiques de quelques
semiconducteurs.
Cristal
r
Cristal
r
Diamond
Si
Ge
InSb
InAs
InP
5.5
11.7
15.8
17.88
14.55
12.37
GaSb
GaAs
AlAs
AlSb
SiC
Cu
2
O
15.69
13.13
10.1
10.3
10.2
7.1
Table 7.3 Constante dielectrique relative
r
de quelques semiconducteurs.
Ainsi on peut se representer lelectron supplementaire lie `a As
+
comme
une charge e, de masse m

se depla cant dans le champ dune charge e/


r
.
Il faut donc remplacer dans les relations obtenues pour latome dH, e
2
par
e
2
/
r
.
Le rayon de Bohr devient
r
0
= 4
0

2
m

e
2
/
r
=

r
m

/m
a
0
(7.7)
et lenergie de liaison
14 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
E
As
=
1
2
e
2
/
r
4
0
r
0
=
m

/m

2
r
E
H
(7.8)
o` u E
H
est lenergie de liaison de lelectron dans latome dH dans son etat
fondamental, E
H
= 13.6 eV.
Le rayon r
0
pour des valeurs typiques de m

/m et
r
est de lordre de
100

A. Cest une valeur superieure `a celle des distances interatomiques, ce
qui permet dutiliser le mod`ele semiclassique decrit au chapitre 6 et implici-
tement utilise ici. Il faut aussi remarquer que la valeur elevee de r
0
permet
a posteriori de justier lintroduction dune constante dielectrique, qui per-
drait son sens pour un electron tr`es localise.
Lenergie E
As
est beaucoup plus faible que E
H
, typiquement 1000 fois
plus faible, de lordre de 10 meV. Nous donnons `a titre dexemple dans
la table 7.4 les energies dionisation des electrons mesurees pour un atome
donneur de la colonne V dans le Si et le Ge. Dans la meme table nous donnons
aussi les energies dionisation des trous pour quelques atomes accepteurs de
la colonne III dans le Si et le Ge.
P As Sb B Al Ga In
Si
Ge
45
12
49
13
39
10
45
10
57
10
65
11
16
11
Table 7.4 Energie dionisation dimpuretes pentavalentes (P, A, Sb) et dimpuretes
trivalentes (B, Al, Ga, In) dans le Si et le Ge. Les energies sont donnees en meV.
Comme lenergie de liaison est mesuree par rapport `a lenergie E
c
au
bas de la bande de conduction (E
c
est lenergie des etats de Bloch dont
la superposition donne la fonction donde de lelectron lie), les impuretes
donneurs introduisent un niveau denergie supplementaire, `a lenergie E
d
,
qui se trouve dans la bande interdite (voir Fig. 7.12).
Lenergie de liaison, egale `a E
c
E
d
, est en general faible par rapport `a
E
g
qui est de lordre de 1 eV. Par la suite nous admettrons que
E
c
E
d
E
g
(7.9)
Si la concentration nest pas trop faible, les fonctions donde des etats
lies se recouvrent (r
0
est grand) et le niveau E
d
a tendance `a selargir en
une bande etroite, dite bande dimpuretes, qui peut aussi participer `a la
conduction electronique.
Pour un cristal contenant N
d
impuretes donneur par unite de volume, on
peut schematiquement representer la situation `a temperature nulle et tem-
perature non-nulle o` u une partie des impuretes est ionisee, selon la Fig. 7.13.
7.3. NIVEAUX

ELECTRONIQUES DIMPURET

E DANS UN SEMICONDUCTEUR 15
E
g
E
v
niveau donneur
niveau accepteur
E
E
c
E
d
E
a
g (E)
Figure 7.12 Densite detats pour un semiconducteur contenant des impuretes don-
neur (` a lenergie E
d
) et accepteur (` a lenergie E
a
).
E
E
c
E
d
E
v
e

(a)
E
(b)
E
c
E
d
E
v
e

Figure 7.13 A temperature nulle (a) lelectron supplementaire apporte par limpurete
est faiblement lie, les niveaux donneurs sont tous occupes. A temperature non nulle
(b), une partie des atomes As
+
e

est ionisee, lelectron supplementaire est delocalise


sur lensemble du cristal et participe ` a la conduction, les niveaux donneurs correspondant
sont vides.
7.3.2 Les accepteurs
Pour creer une impurete accepteur, il faut introduire dans le reseau dun
semiconducteur un atome etranger ayant un electron de valence de moins
16 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
que les atomes du semiconducteur. Par exemple un atome de la colonne III
(B, Al, In, Ga) dans un semiconducteur de la colonne IV.
charge
en excs
trou positif
Figure 7.14 Charges associees ` a un atome Ga dans le Si. Le Ga poss`ede 3 electrons
de valence, il compl`ete sa liaison tetrahedrique en captant un electron de la bande de
valence, creant ainsi un trou dans la bande de valence.
Pour assurer une liaison tetrahedrique avec les atomes de Si voisins,
favorable du point de vue energetique, il manque un electron de valence au
Ga. Ainsi limpurete de Ga capte un electron de la bande de valence an
de pouvoir completer la liaison. Le trou ainsi cree dans la bande de valence
evolue dans le champ coulombien associe au Ga et sa liaison tetrahedrique,
que lon a symbolise par le ion Ga

dans la Fig. 7.14. A basse temperature,


le trou est lie dans le champ de la charge negative de lion Ga

, son energie
de liaison peut se calculer de la meme mani`ere que celle de lelectron dans
le champ As
+
, elle est faible pour les memes raisons (voir Table 7.4). Sous
leet de la temperature l atome Ga

e
+
peut etre ionise, le trou est
delocalise sur lensemble du cristal et peut ainsi participer `a la conduction
electrique.
Du point de vue des electrons, un trou lie correspond `a un niveau dener-
gie supplementaire E
a
, vide, (voir Fig. 7.15) se trouvant leg`erement au-
dessus du sommet E
v
de la bande de valence. Cette remarque tient compte
du fait que lenergie associee `a un trou est de signe oppose `a celle de lelec-
tron manquant. Lenergie de liaison est egale `a E
a
E
v
. Comme dans le cas
du niveau donneur nous admettrons que
E
a
E
v
E
g
(7.10)
Pour un cristal contenant N
a
impuretes accepteur par unite de volume,
nous representons schematiquement la situation selon la Fig. 7.15. Il faut
realiser dans cette gure que lenergie de la bande de valence correspond `a
la situation

est plus basse que celle correspondant `a la situation , cela
est lie au fait que pour delocaliser un trou il faut fournir de lenergie aux
electrons de la bande de valence. Cest la raison pour laquelle nous avons
7.4. SEMICONDUCTEUR INTRINS
`
EQUE 17
represente le tourne vers le bas : lenergie augmente lorsque le trou passe
de haut en bas.
E
E
c
E
a
E
v
e
+
(a)
E
(b)
e
+
E
c
E
a
E
v
Figure 7.15 A temperature nulle (a) le trou est faiblement lie, les niveaux accepteurs

sont tous occupes. A temperature non nulle (b), une partie des atomes Ga

e
+
est
ionisee, le trou est delocalise sur lensemble du cristal et participe ` a la conduction. Les
niveaux accepteurs correspondants ne contiennent plus de trous.
Les relations (7.9) et (7.10) impliquent quil est beaucoup plus facile dex-
citer un electron dans la bande de conduction `a partir dun niveau donneur
(ou un trou dans la bande de valence `a partir dun niveau accepteur) que
dexciter un electron de la bande de valence `a la bande de conduction. Cest
la raison pour laquelle les impuretes introduites dans un semiconducteur ont
une telle inuence sur leur conductivite.
7.4 Calcul de loccupation des niveaux dans un se-
miconducteur intrins`eque
La conductibilite dun semiconducteur est directement reliee `a la den-
site n delectrons dans la bande de conduction et `a la densite p de trous
dans la bande de valence. Les densites n et p dependent de la tempera-
ture, mais aussi de la concentration dimpuretes donneur et accepteur. On
peut cependant etablir des relations generales et ulterieurement examiner
linuence des impuretes.
18 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
7.4.1 Relations generales entre n(T) et p(T)
De facon generale les densites delectrons et de trous dans les bandes de
conduction et de valence sont donnees par,
n(T) =

_
E
c
dEg
c
(E)
1
exp [ (E )] + 1
p (T) =
E
v
_

dEg
v
(E)
_
1
1
exp [ (E )] + 1
_
(7.11)
soit
p (T) =
E
v
_

dEg
v
(E)
1
exp [ ( E)] + 1
(7.12)
o` u g
c
(E) et g
v
(E) sont respectivement les densites detats electroniques
dans les bandes de conduction et de valence. Leet des impuretes est im-
plicitement contenu dans la valeur du potentiel chimique .
Faisons, pour poursuivre les calculs, lhypoth`ese que satisfait les condi-
tions
E
c
k
B
T
E
v
k
B
T
(7.13)
On dit quun semiconducteur qui satisfait les relations (7.13) est non
degenere. Ces conditions sont valables dans la plupart des cas, meme si
E
g
ne vaut que quelques dixi`emes delectron volts.
Ces conditions permettent decrire
n(T)

= N (T) exp [ (E
c
)]
p (T)

= P (T) exp [ ( E
v
)]
(7.14)
avec
N (T) =

_
E
c
dEg
c
(E) exp [ (E E
c
)]
P (T) =
E
v
_

dEg
v
(E) exp [ (E
v
E)]
(7.15)
N(T) et P(T) varient lentement avec la temperature si on les compare avec
les facteurs exponentiels dans n(T) et p(T). On peut sen convaincre en
7.4. SEMICONDUCTEUR INTRINS
`
EQUE 19
remplacant g
c
(E) et g
v
(E) par leur contribution pour une bande quadratique
en k. Dans ce cas, par analogie avec le cas de lelectron libre (voir 2.23),
g
c,v
(E) =
1
2
2
_
2m
c,v

2
_
3/2
[E E
c,v
[
1/2
(7.16)
o` u m
c,v
sont les masses eectives pour les bandes de conduction (de valence).
Le calcul explicite donne dans ce cas,
N (T) =
1
4
_
2m
c
k
B
T

2
_
3/2
= 2.5
_
m
c
m
_
3/2
_
T
300 K
_
3/2
10
19
/cm
3
P (T) =
1
4
_
2m
v
k
B
T

2
_
3/2
= 2.5
_
m
v
m
_
3/2
_
T
300 K
_
3/2
10
19
/cm
3
(7.17)
Ces relations indiquent que la concentration maximum de porteurs de charge
dans un semiconducteur non degenere est de lordre de 10
19
porteurs/cm
3
.
En multipliant lune par lautre les deux relations (7.14) on obtient un
resultat independant de , soit
n(T) p (T) = N (T) P (T) exp
_

E
g
k
B
T
_
(7.18)
o` u lon a pose E
c
E
v
= E
g
. La relation (7.18) est connue sous le nom de
loi daction de masse. Connaissant la concentration dun type de porteur,
on peut par (7.18) determiner lautre.
On peut, dans le cas intrins`eque, retrouver cette relation par un simple
argument cinetique (voir Kittel, Chap. 8).
7.4.2 Semiconducteur intrins`eque
Dans ce cas, le nombre de trous dans la bande de valence est egal au
nombre delectrons dans la bande de conduction, car les electrons dans la
bande de conduction ne peuvent provenir que de lexcitation des electrons
de la bande de valence. On a donc
n(T) = p (T) = n
i
(T)
o` u lindice i signie intrins`eque. De la loi daction de masse, on en deduit,
n
i
(T) = [N (T) P (T)]
1/2
exp
_

E
g
2k
B
T
_
(7.19)
et dans le cas particulier de (7.17)
n
i
(T) = 2.5
_
m
c
m
_
3/4
_
m
v
m
_
3/4
_
T
300 K
_
3/2
exp
_

E
g
2k
B
T
_
10
19
/cm
3
20 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
On peut aussi dans ce cas determiner le potentiel chimique en divisant
lune par lautre les deux relations (7.14), ce qui donne
=
i
= E
v
+
1
2
E
g
+
1
2
k
B
T ln
_
P
N
_
(7.20)
et dans le cas explicite de bandes quadratiques (par 7.17),

i
= E
v
+
1
2
E
g
+
3
4
k
B
T ln
_
m
v
m
c
_
(7.21)
Lorsque T 0 le potentiel chimique intrins`eque est exactement au milieu
de la bande interdite. Il sen ecarte peu (quelques k
B
T) `a temperature non
nulle, ce qui justie `a posteriori les hypoth`eses (7.13).
La situation est decrite dans la Fig. 7.16, o` u lon remarque que cest
uniquement la queue de la distribution de Fermi-Dirac qui intervient dans
le calcul de la densite electronique n(T) dans la bande de conduction, en
accord avec les expressions (7.14) o` u lon a remplace
1
exp [ (E )] + 1
par exp [ (E )] (7.22)
Ceci revient `a dire que, si les conditions (7.13) sont veriees, on peut rem-
placer la distribution de Fermi-Dirac par une distribution de Boltzmann, qui
est la distribution appropriee `a un gaz classique. Ceci implique en particu-
lier que la theorie du transport dans un semiconducteur non degenere est
semblable `a la theorie du transport dans un gaz classique forme de plusieurs
esp`eces de particules chargees.
Cest levolution de n
i
(T) qui est responsable du comportement de ln
en E
g
/2k
B
T `a haute temperature reporte dans la Fig. 7.2.
7.5 Occupation des niveaux dans un semiconduc-
teur dope
Nous examinons dans ce leet des impuretes sur les densites n et p de
porteurs dans les bandes de conduction et de valence. Notons tout dabord
que dans le cas du Ge pur, `a 300 K, la densite intrins`eque n
i
de porteurs,
donnee par 7.19, est de lordre de 5 10
13
electrons/cm
3
. Le Ge contient
4.4 10
22
atomes/cm
3
, on a donc env. 10
9
porteurs par atome. Si lon
ajoute 1 ppm dimpuretes dAs dans le Ge et si lon admet que seul 1% des
impuretes sont ionises, le nombre de porteurs de charge d u aux impuretes
est encore 10 fois plus grand que le nombre intrins`eque de porteurs. Cette
estimation indique clairement leet dominant des impuretes, meme en faible
concentration, sur le nombre de porteurs de charge.
7.5. SEMICONDUCTEUR DOP

E 21
E
niveau de
Fermi
f (E)
E
c
E
v
E
Figure 7.16 Ordres de grandeur du point de vue energetique de la fonction de
distribution de Fermi-Dirac et de la largeur E
g
de la bande interdite, dans le cas o` u
k
B
T E
g
.
7.5.1 Semiconducteur de type p et n
En presence dimpuretes, n et p ne sont pas necessairement egaux comme
cest le cas pour un semiconducteur intrins`eque.
n p = n ,= 0
En tenant compte de la loi daction de masse (7.18), qui est aussi valable en
presence dimpuretes, on obtient
n p = n
2
i
(7.23)
o` u n
i
(T) = n
i
est la densite de porteurs dans les bandes de conduction ou
de valence pour un semiconducteur intrins`eque. On en deduit
n =
1
2
_
(n)
2
+ 4n
2
i
+
1
2
n
p =
1
2
_
(n)
2
+ 4n
2
i

1
2
n
(7.24)
On peut dautre part montrer, en tenant compte de (7.14) que,
n
n
i
= 2 sinh [ (
i
)] (7.25)
o` u
i
est donne par (7.21).
Dans le cas o` u n est grand par rapport `a n
i
, on obtient par exemple
dans le cas n > 0,
22 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
n

= n p

= n
_
n
i
n
_
2
n (7.26)
Lun des types de porteur de charge est nettement dominant. On dit quun
semiconducteur est de type n si les porteurs de charge dominants sont les
electrons. Il est de type p si les trous sont les porteurs de charge dominants.
An de mieux comprendre la distinction entre un semiconducteur de
type n et de type p, considerons un semiconducteur dope avec N
d
impuretes
donneurs et N
a
impuretes accepteurs par unite de volume.
La situation dans le cas o` u N
d
> N
a
est representee dans la Fig. 7.17
pour le cas o` u N
d
= 5 et N
a
= 2.
E
a
E
d
E
(a)
E
(b)
E
c
E
d
E
a
E
v
Figure 7.17 Occupation des niveaux donneurs et accepteurs ` a T 0 dans le cas
N
d
> N
a
. Le cas (a) correspond `a la situation o` u lon isole les accepteurs des donneurs,
on a N
d
electrons lies dans le niveau donneur E
d
et N
a
trous lies dans le niveau accepteur
E
a
. Le cas (b) correspond ` a la situation reelle o` u il est favorable du point de vue energetique
que lelectron fourni par latome donneur compl`ete la liaison manquante dans le voisinage
dun atome accepteur.
Il est tr`es favorable du point de vue energetique que lelectron fourni par
latome donneur compl`ete la liaison manquante dans le voisinage dun atome
accepteur. Dans ce processus apparat dans le cristal un atome donneur
(par ex. As) avec ses liaisons tetrahedriques saturees, que lon peut assimiler
`a un ion As
+
ainsi quun atome accepteur (par ex. Ga) avec ses liaisons
tetrahedriques saturees, que lon peut assimiler `a un ion Ga

.
Tout se passe, en 1
`ere
approximation, comme si lon avait (N
d
N
a
) don-
neurs dans le cristal. Toutefois `a T 0, le potentiel chimique, qui marque la
limite entre les etats remplis et vides, se trouve `a lenergie E
d
. Dautre part,
pour des temperatures susamment elevees, on peut avoir des transitions
de la bande de valence dans les etats donneurs lies. Un semiconducteur tel
que N
d
> N
a
est de type n.
Dans le cas o` u N
d
< N
a
, tout se passe en 1
` ere
approximation comme si
lon avait (N
a
N
d
) impuretes accepteur dans le cristal, le semiconducteur
est de type p.
7.5. SEMICONDUCTEUR DOP

E 23
7.5.2 Occupation des niveaux pour un semiconducteur de
type n (aspect qualitatif)
Levolution qualitative en fonction de la temperature est representee dans
la Fig. 7.18.
(a) (b) (c)
(d)
E
c
E
a
E
v
E
E
d
Figure 7.18 Occupation des niveaux electroniques dans le cas o` u lon a N
d
donneurs
et N
a
accepteurs avec N
d
> N
a
. La temperature augmente progressivement depuis le cas
(a) o` u T 0 jusquau cas (d) o` u elle est susante pour creer un nombre signicatif de
paires electron-trou de la bande de valence ` a la bande de conduction et ainsi tendre vers
un comportement intrins`eque.
A T 0, cas (a), les donneurs qui nont pas transferes leurs electrons
aux accepteurs sont neutres (non ionises), le potentiel chimique E
d
,
comme mentionne au 7.5.1.
Lorsque la temperature augmente, une partie des donneurs sont ionises
et transf`erent leur electron `a la bande de conduction, le potentiel chimique
est compris entre E
d
et E
c
. Dans le cas o` u N
a
= 0, on montre sans diculte,
par analogie avec le cas intrins`eque que
1
1. La derivation de la formule 7.28 peut se faire de la mani`ere suivante. Par analogie ` a
ce qui a ete fait dans le cas intrins`eque on se place dans le cas o` u on peut considerer que
n(T) = N
d
n
d
(7.27)
24 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
=
1
2
(E
c
+E
d
)
1
2
k
B
T ln 2
1
2
k
B
T ln
N (T)
N
d
(7.28)
o` u N(T) a ete deni en (7.15).
A plus haute temperature, pratiquement tous les donneurs sont ionises,
la densite n delectrons dans la bande de conduction est egale `a N
d
N
a
. Le
potentiel chimique est inferieur `a E
d
. Cest une situation qui peut exister
sur une large gamme de temperature, soit dans le domaine o` u
k
B
T < E
d
,
E
g
2
Elle est realisee pour de nombreux semiconducteurs `a temperature ambiante,
nous admettrons que n N
d
N
a
en traitant la jonction p n au 7.6.
Lorsque la temperature est susamment elevee pour que n
i
> N
d
, le
comportement est domine par le passage des electrons de la bande de va-
lence `a la bande de conduction. On retrouve le comportement intrins`eque,
le potentiel chimique est donne par la relation (7.20).
Nous donnons dans la Fig. 7.19 levolution du potentiel chimique en
fonction de T pour un semiconducteur de type n ou p et dans la Fig. 7.20
levolution de la densite n delectrons de conduction en fonction de 1/T. Les
zones notees I `a IV dans les 2 gures se correspondent.
A titre dillustration, nous donnons dans la Fig. 7.21 la densite n des
electrons de conduction dans un semiconducteur de Ge de type n avec des
concentrations dimpuretes comprises entre 10
13
et 10
18
cm
3
. Les valeurs
cest-` a-dire que le nombre delectrons dans la bande de conduction est egal au nombre de
donneurs ionises (ceci est raisonnable ` a basse temperature o` u la contribution intrins`eque
peut etre negligee).
Dapr`es (7.34) on peut ecrire
n
d
=
N
d
1 +
1
2
exp [ (E
d
)]
on peut facilement en conclure que
N
d
n
d
=
N
d
1 + 2 exp((E
d
))

N
d
2
exp(( E
d
))
en utilisant le fait que E
d
k
B
T.
Lequation 7.27 implique que
n(T)
N
d
n
d
= 1 =
N(T) exp((E
c
))
N
d
1
2
exp(( E
d
))
= 2
N(T)
N
d
exp((E
c
+E
d
))
En multipliant les deux membres de legalite par 1/2N
d
/N(T) et en prenant le logarithme,
on obtient (7.28) en arrangeant les termes (et en utilisant la denition de ).
7.5. SEMICONDUCTEUR DOP

E 25
E
c
+ E
v
2
______
______
______
E
a
+ E
v
2
E
v
E
c
E
d
E
a
E
c
+ E
d
2
Figure 7.19 Evolution du potentiel chimique en fonction de T dans un semiconduc-
teur dope n (courbe superieure) et dope p (courbe inferieure). Les domaines notes I `a IV
se retrouvent dans la Fig. 7.20.
k
B
T
1
ln n
log (N
d
N
a
)
pente
E
g
/2
I
II
III
IV
(E
c
E
d
)/2
(E
c
E
d
)
Figure 7.20 Evolution de la densite n delectrons dans la bande de conduction pour
un semiconducteur dope n en fonction de 1/k
B
T. Les domaines notes I ` a IV se retrouvent
dans la Fig. 7.19. La zone IV correspond au comportement intrins`eque, la zone III est dite
de saturation. Les zones I, II, et III sont dominees par le comportement extrins`eque.
de n ont ete determinees par une mesure du coecient de Hall. Le compor-
tement qualitatif donne dans la Fig. 7.20 est facilement reconnaissable.
26 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
10
11
10
14
N
d
~ 10
13
cm
-3
N
d
~ 10
18
cm
-3
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
300 78 33.3 20.4 14.3 10
Temprature (K)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
n Ge
10
17
10
16
10
15
10
18
10
17
10
16
10
15
10
14
10
13
10
12
1/ T (K
-1
)
Figure 7.21 Densite n des electrons dans la bande de conduction pour un semi-
conducteur de Ge, dope n. La concentration dimpuretes varie de 10
13
` a 10
18
cm
3
. La
dependance en fonction de la temperature dans la region intrins`eque est indiquee par la
droite en traits interrompus.
7.5.3 Occupation des niveaux, formulation du probl`eme ge-
neral
Nous avons dej`a donne, dans le cas general, les expressions qui per-
mettent de determiner les densites de porteurs de charge negatifs n(T) et
positifs p(T). Dans le cas general elles secrivent
n(T) =

_
E
c
dEg
c
(E)
1
1 + exp [ (E )]
(7.29)
p (T) =
E
v
_

dEg
v
(E)
1
1 + exp [ ( E)]
(7.30)
et peuvent etre calculees pour autant que lon connaisse le potentiel chimique
7.5. SEMICONDUCTEUR DOP

E 27
(T), qui depend de la concentration dimpuretes donneurs N
d
et accepteurs
N
a
.
Il reste encore `a obtenir explicitement la densite n
d
delectrons associes
aux impuretes donneurs non ionises et la densite p
a
de trous associes aux
impuretes accepteurs non ionises. Nous ferons ici le calcul explicite pour
n
d
, le raisonnement est semblable pour le calcul de p
a
. Dans ce calcul nous
ferons lhypoth`ese que lon peut negliger les interactions entre les impuretes,
ce qui permet de calculer le nombre doccupation moyen < d > pour une
seule impurete ; do` u lon en deduit n
d
par
n
d
= N
d
< d > (7.31)
Le calcul pourrait etre fait en utilisant la statistique de Fermi Dirac, elle
donnerait
n
d
= N
d
f
FD
(E
d
) =
N
d
1 + exp [ (E
d
)]
(7.32)
Cependant, en faisant cela, on occulte un eet subtil lie `a la repulsion
electron-electron dont on ne tient pas compte dans un mod`ele delectrons
independants sur lequel est base la statistique de Fermi-Dirac. Pour le faire
apparatre notons que, de fa con generale, on peut ecrire dans un ensemble
grand canonique,
< d >=

j
N
j
exp [ (E
j
N
j
)]

j
exp [ (E
j
N
j
)]
(7.33)
o` u la somme est prise sur tous les etats du syst`eme considere, E
j
est lenergie
totale de letat j, et N
j
le nombre delectrons dans letat j. Dans le cas o` u le
syst`eme est forme dune seule impurete, les etats possibles sont les suivants :
niveau E
d
non occupe, ce qui correspond au cas o` u limpurete est
ionisee, lelectron se trouve dans la bande de conduction. On a donc
N
j
= 0, E
j
= 0.
niveau E
d
occupe une fois, lelectron est lie au ion As
+
. On a donc
N
j
= 1, E
j
= E
d
. Ce cas apparat cependant 2 fois, car on peut mettre
dans le niveau accepteur un electron de spin up ou un electron de spin
down.
niveau E
d
occupe par deux electrons de spin oppose. Cependant ce cas
est `a exclure car la repulsion coulombienne de deux electrons opposes
augmente lenergie de telle sorte que cette conguration est pratique-
ment exclue.
On a donc :
< d >=
2 exp [ (E
d
)]
1 + 2 exp [ (E
d
)]
=
1
1 +
1
2
exp [ (E
d
)]
28 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
do` u
n
d
=
N
d
1 +
1
2
exp [ (E
d
)]
(7.34)
Le lecteur pourra verier que la description qualitative que nous avons don-
nee en relation avec la Fig. 7.17 est compatible avec lexpression (7.34) de
n
d
. En particulier dans le cas c) o` u (E
d
)/kT 1, (7.34) donne n
d
N
d
qui est compatible avec la representation graphique.
Par un raisonnement semblable, on montre que la densite p
a
daccepteurs
non ionises est egale `a
p
a
=
N
a
1 +
1
2
exp [ ( E
a
)]
(7.35)
o` u N
a
est le nombre de niveaux accepteurs par unite de volume. Les ex-
pressions (7.29), (7.30), (7.34) et (7.35) permettent en principe de calculer
la population des niveaux electroniques, pour autant que soit connu. La
valeur (T) peut etre determinee implicitement en ajoutant lequation qui
assure la neutralite du semiconducteur, elle secrit
N
d
n
d
+p = N
a
p
a
+n (7.36)
o` u le membre de gauche correspond aux charges positives (N
d
n
d
don-
neurs ionises + p trous dans la bande de valence) et celui de droite aux
charges negatives (N
a
p
a
accepteurs ionises + n electrons dans la bande
de conduction).
Pour illuster ces relations, nous analysons ici uniquement le cas impor-
tant o` u est situe entre les niveaux accepteur et donneur et les inegalites
(7.37) sont veriees, soit
E
d
k
B
T
E
a
k
B
T
(7.37)
Il faut noter quelles sont leg`erement plus restrictives que les conditions
(7.13) valables pour un semiconducteur non degenere, cependant (E
c
E
d
)
et (E
a
E
v
) sont en general faibles par rapport `a (E
c
E
v
).
La condition (7.37) et les expressions (7.34) et (7.35) pour n
d
et p
a
impliquent que lexcitation thermique ionise compl`etement les impuretes
en ne laissant quune fraction negligeable delectrons ou de trous lies. On
peut donc ecrire en tenant compte de n
d
N
d
et p
a
N
a
et de la relation
(7.36)
n = n p

= N
d
N
a
(7.38)
Ceci permet de determiner n et p `a laide de la relation generale (7.24)
7.5. SEMICONDUCTEUR DOP

E 29
n =
1
2
_
(N
d
N
a
)
2
+ 4n
2
i
+
1
2
(N
d
N
a
)
p =
1
2
_
(N
d
N
a
)
2
+ 4n
2
i

1
2
(N
d
N
a
)
(7.39)
et le potentiel chimique par la relation (7.25),
N
d
N
a
n
i
= 2 sinh [ (
i
)] (7.40)
On remarque que, sauf dans le cas o` u (N
d
N
a
)/n
i
est tr`es grand, la relation
(7.40) implique que et
i
di`erent de quelques k
B
T, ce qui permet de satis-
faire la condition (7.37) dans les cas o` u E
g
k
B
T. Ainsi les relations (7.39)
permettent de decrire la situation lorsquon passe dun comportement intrin-
s`eque (n
i
[N
d
N
a
[) `a un comportement extrins`eque ([N
d
N
a
[ n
i
).
En particulier dans le cas extrins`eque, cest-`a-dire lorsque le nombre delec-
trons passant directement de la bande de valence `a la bande de conduction
est negligeable, on a
N
d
> N
a
_

_
n

= N
d
N
a
p

=
n
2
i
N
d
N
a
0
(7.41)
N
a
> N
d
_

_
p

= N
a
N
d
n

=
n
2
i
N
a
N
d
0
(7.42)
On constate que si N
d
> N
a
, lexc`es delectrons N
d
N
a
introduit par les
impuretes est presque enti`erement donne `a la bande de conduction et que la
densite de trous est tr`es faible. Ce nest pas tr`es etonnant, car les electrons
non donnes `a la bande de conduction remplissent les trous de la bande de
valence, ce qui est tr`es favorable du point de vue energetique. Inversement si
N
a
> N
d
, pratiquement tous les electrons `a disposition remplissent les trous
de la bande de valence et ne sont plus disponibles pour la conduction.
Une consequence importante des relations (7.41) et (7.42) est que dans
le cas o` u un materiau contient des impuretes de type donneur et accepteur,
tout se passe en premi`ere approximation comme si le materiau ne contenait
que des impuretes donneur de densite N
d
N
a
(cas N
d
> N
a
) ou accepteur
de densite N
a
N
d
(cas N
a
> N
d
). Nous utiliserons cette remarque dans le
suivant.
7.5.4 Conductivite electrique en presence dimpurete
Pour determiner la conductivite dun semiconducteur, il est important
dintroduire la mobilite, qui correspond `a lamplitude de la vitesse moyenne
des electrons ou des trous par unite de champ electrique
30 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
Cristal Electrons Trous Cristal Electrons Trous
Diamant
Si
Ge
InSb
InAs
InP
AlAs
AlSb
1800
1350
3600
800
30000
4500
280
900
1200
480
1800
450
450
100

400
GaAs
GaSb
PbS
PbSe
PbTe
AgCl
KBr(100K)
SiC
8000
5000
550
1020
2500
50
100
100
300
1000
600
930
1000

10-20
Table 7.5 Mobilite des porteurs de charge ` a 300 K en cm
2
/V s.
=
[< v >[
E
(7.43)
Elle est par denition positive pour les electrons et les trous, bien que leurs
vitesses de deplacement soient opposees. En introduisant les mobilites
e
et

h
pour respectivement les electrons et les trous, la conductibilite secrit
= ne
e
+pe
h
(7.44)
o` u dans un mod`ele simple
e
et
h
sont donnes par (voir par exemple la
relation 7.2)

e
=
e
e
m
e
et
h
=
e
h
m
h
(7.45)
Les mobilites dependent de la temperature, car le temps de relaxation est
donne par les collisions avec le reseau, qui sont principalement dues aux
phonons et `a leet des impuretes chargees (ionisees) des semiconducteurs.
On peut montrer en particulier que leet des phonons introduit une contri-
bution T
3/2
et les defauts une contribution T
3/2
(voir par ex.
Ibach et L uth, 12.5).
La table 7.5 donne quelques valeurs experimentales de la mobilite `a tem-
perature ambiante.
On remarque que la mobilite des trous est en moyenne plus faible que
celle des electrons. Il y a dautre part une tendance, pour les semiconduc-
teurs ayant un gap direct de faible valeur, `a avoir des mobilites elevees. En
particulier la mobilite elevee du GaAs est lune des raisons qui expliquent
son interet du point de vue technologique.
A haute temperature o` u le comportement intrins`eque domine, soit n
p n
i
, la variation en temperature de est faible par rapport `a la variation
exponentielle de n
i
, et exp(E
g
/2k
B
T). Par contre dans le domaine de
temperature o` u n est constant (domaine III de la Fig. 7.20), laugmentation
7.6. LA JONCTION P N 31
de lorsque T diminue (eet predominant des phonons) est responsable de
la croissance de lorsque T decrot (voir Fig. 7.2).
A titre dillustration, nous donnons dans la Fig. 7.22 la variation de en
fonction de la temperature pour un echantillon de Ge dope n avec diverses
concentrations dimpuretes donneurs.
Temprature (K)
1/T (K
-1
)
N
d
~ 10
18
cm
-3
N
d
~ 10
13
cm
-3
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
300 78 33.3 20.4 14.3 10
(1)
(2)
(4)
(5)
(6)
n Ge
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
(3)
Figure 7.22 Conductivite , mesuree sur un echantillon de Ge, dope n avec diverses
concentrations dimpuretes, en fonction de la temperature. Lechantillon mesure ici est le
meme que celui decrit dans la Fig. 7.21.
7.6 La jonction p n
La plupart des dispositifs semiconducteurs sont bases sur les phenom`enes
relies aux inhomogeneites dans les materiaux semi-conducteurs. Les inho-
mogeneites dans la concentration des impuretes donneur et accepteur in-
uencent en particulier les phenom`enes de conduction, ce qui permet de
construire des composants electroniques. Nous ne discuterons ici que des
proprietes de diode dune jonction p n.
Une jonction p n est un cristal semiconducteur dans lequel la concen-
tration en impuretes varie le long dune direction (notee x) dans une region
32 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
de faible dimension situee autour de x = 0. Pour x < 0 le cristal a un exc`es
dimpuretes accepteur (il est de type p) et pour x > 0 un exc`es dimpuretes
donneur (type n). Dans le cas ideal la transition autour de x = 0 aurait
lallure representee dans la Fig. 7.23, dans la pratique il sut que la largeur
de la zone de transition soit faible par rapport `a la largeur de la zone dans
laquelle la densite des porteurs de charge varie (zone de depletion de largeur
comprise entre 10
2
et 10
4

A).
densit des
impurets
x
x = 0
N
a
N
d
Figure 7.23 Densite des impuretes dans une jonction p n. Dans les cas reels, le
mod`ele ci-dessus garde son sens pour autant que la largeur de la zone de transition soit
faible par rapport `a la largeur de la zone de depletion (ou dappauvrissement) qui est
comprise entre 100

A et 10000

A.
Experimentalement on peut doperun cristal en utilisant des techniques
dierentes. Par exemple des impuretes accepteur peuvent etre introduites
par diusion dans une region et des impuretes donneur dans une autre. On
peut aussi introduire les impuretes par implantation ionique, en envoyant
des ions denergie cinetique elevee dans un cristal semiconducteur.
Dans ce qui suit nous aurons `a lesprit le cas du Si dope dans sa region
p avec des impuretes de la colonne III (B, Al, Ga) et dans la region n avec
des impuretes de la colonne V (P, As, Sb).
7.6.1 La jonction p n `a lequilibre thermique
Imaginons tout dabord que les moities p et n du cristal sont isolees
lune par rapport `a lautre (Fig. 7.24 a) de telle sorte que les potentiels
chimiques dans les deux regions ne soient pas situes `a la meme energie. En
realite il sagit du meme cristal et le potentiel chimique doit etre le meme
dans les deux moities du cristal, lorsquon est `a lequilibre thermique. Il doit
donc apparatre dans la zone de transition entre n et p une courbure de
bande (band bending), telle quelle apparat dans la Fig. 7.24 b. On lui
associe une dierence de potentiel entre la zone p et la zone n. Plus
generalement une section x de la jonction est soumise `a un potentiel (x) et
lon a = () ().
Il faut remarquer que le mod`ele semi-classique traite les electrons de la
bande n comme des particules classiques (paquet donde), dont lhamiltonien
7.6. LA JONCTION P N 33
en presence dun potentiel electrostatique (x) est donne par
1
n
= E
n
(k) e(x) (7.46)
Une telle approximation nest possible que si (x) varie lentement, en par-
ticulier il est necessaire que la variation de e(x) sur une distance interato-
mique soit faible par rapport `a E
g
. Dans le cas o` u le champ electrique est
tr`es intense, la possibilite existe dun transfert delectron par eet tunnel
entre les bandes de valence et de conduction. Un tel eet nest pas inclus
dans une description semi-classique.
A la dierence de potentiel (x) il faut associer par lequation de Poisson
une charge despace de densite (x)

2
=

2

x
2
=
(x)

r
(7.47)
o` u lon a introduit la constante dielectrique
r
du semiconducteur.
On peut comprendre lapparition de (x) et (x) par le raisonnement
simple suivant. Imaginons que lon parte dun semiconducteur dont les zones
p et n sont decouplees (voir Fig. 7.24 a) et dont la densite de charge est nulle
en tout point. Lorsquon met les deux moities du semiconducteur en contact,
une telle situation ne peut etre maintenue car les electrons de la bande de
conduction vont diuser de la partie n, o` u leur densite est elevee, `a la partie
p o` u elle est faible. De meme les trous vont diuser de la partie p `a la partie
n. Ce transfert de charge va creer une double couche de charge + et et par
consequent un champ electrique qui soppose aux courants de diusion. A
lequilibre thermique leet du champ electrique sur les porteurs de charge
compense exactement leet de la diusion.
La situation est resumee dans la Fig. 7.25 o` u nous avons represente la
densite des porteurs de charge, la densite de charge et le potentiel (x)
resultant.
A droite de la zone de transition (voir Fig. 7.24 a, b) la densite de
charge (x) est donnee par
(x) = e [(N
d
n
d
) n(x) +p (x)] x > 0 (7.48)
o` u (N
d
n
d
)e represente la charge des donneurs ionises. Nous admettrons
dans cette analyse que les conditions decrites `a la n du 7.5 sont realisees
et que pratiquement tous les donneurs sont ionises, soit n
d
0. De
meme, `a gauche de la jonction, nous admettons que tous les accepteurs
sont ionises, soit p
a
0.
Loin de la zone de transition, o` u la densite de charge est nulle, la densite
n(x) de porteurs majoritaires (les electrons) est ainsi telle que,
n(x = +)

= N
d
(7.49)
34 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
E
v
E
c
E
d
E
v
zone p zone n
0
x
a)
b)
E
E
E
c
E
a
Figure 7.24 Representation schematique dune jonction pn ` a lequilibre. a) schema
de bande pour les zones n et p dun semiconducteur en imaginant que les zones sont
decouplees. b) schema de bande lorsque les deux c otes sont ` a lequilibre thermique. Le
potentiel chimique (niveau de Fermi) est constant en fonction de x, une dierence de
potentiel apparat entre les zones n et p.
La densite p(x) de porteurs minoritaires (les trous) est faible, en accord
avec la loi daction de masse p(x) n(x) = n
2
i
, o` u n
i
N
d
. Physiquement,
elle resulte dun equilibre dynamique entre la creation de paire electron-trou
par excitation thermique et leur annihilation par recombinaison interbande
(bande de valence - bande de conduction). p(x), bien quil soit faible, joue
un role essentiel dans les proprietes de conduction de la diode.
Dans la zone de transition, pour un semiconducteur non degenere, n(x)
est obtenu `a partir de son expression (7.14) dans laquelle on remplace, en
accord avec le mod`ele semiclassique, lenergie E
c
par E
c
e(x), il vient
donc
n(x) = N (T) exp [ (E
c
e(x) )] (7.50)
Dans cette zone la densite electronique diminue et ne compense plus la
charge positive des donneurs ionises. Notons que la variation rapide de n(x)
et p(x) representee sur la Fig. 7.25 a, b est due au fait que si e(x) secarte
de quelques k
B
T de e(), la valeur de n(x) donnee par (7.50) decrot tr`es
rapidement. Ainsi dans une zone de transition etroite on passe pour n(x) de
7.6. LA JONCTION P N 35
! (!)
d
n
d
p
d
n
d
p
e N
d
d
n
N
d
"depletion layer"
x
(a)
x
(b)
x
(c)
p n
n
p
N
a
d
p
e N
a
" (x)
! (x)
! ( !)
Figure 7.25 (a) Densite des porteurs de charge ,(b) densite de charge et (c) potentiel
(x) reportes en fonction de x pour une jonction pn. Nous avons represente une situation
o` u pratiquement tous les donneurs ou trous sont ionises.
la valeur N
d
`a une valeur voisine de zero (N
d
n
i
).
Une analyse semblable peut etre faite `a gauche de la zone de transi-
tion, ou lon a les expressions equivalentes
(x) = e [(N
a
p
a
) +p (x) n(x)] x < 0 (7.51)
p ()

= N
a
(7.52)
p (x) = P (T) exp [ ( E
v
+e(x))] (7.53)
Il faut noter que pour x < 0, ce sont les trous qui correspondent aux porteurs
majoritaires et les electrons aux porteurs minoritaires.
A lequilibre thermique, ainsi que decrit plus haut, le courant de diusion
j
diff
d u aux electrons et aux trous compense exactement le courant j
E
des
porteurs de charge sous leet du champ E cree par la double couche de
charge
36 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
j
diff
+j
E
= 0 (7.54)
j
diff
= j
diff
e
+j
diff
h
= e
_
D
e
n
x
D
h
p
x
_
(7.55)
o` u D
e
et D
h
sont les coecients de diusion associes aux electrons et aux
trous
j
E
= j
E
e
+j
E
h
= e (n
e
+p
h
) E
x
(7.56)
o` u lon a introduit les mobilites
e
et
h
des electrons et des trous.
Il faut souligner que la relation (7.54) est non seulement veriee pour le
courant total, mais aussi separement pour les courants associes aux trous et
aux electrons. Il y a un equilibre thermique dynamique entre la creation de
paires electron-trou de part et dautre de la jonction et leur recombinaison.
On peut donc ecrire
e
_
D
e
n
x
_
= en
e
E
x
= en
e

x
(7.57)
o` u lon a remplace E par grad. En tenant compte de (7.50), n/x peut
secrire :
n
x
= en

x
(7.58)
En introduisant (7.58) and (7.57), on en deduit la relation dEinstein :
D
e
=
k
B
T
e

e
(7.59)
Il existe de meme une relation equivalente pour les trous.
7.6.2 Le mod`ele de Schottky
Un traitement exact de la jonction p n nest pas simple, car il faut
resoudre de facon autocoherente lequation de Poisson (7.47) en introduisant
(x) donne par (7.48) et (7.51) avec les conditions aux limites
n()

= N
d
= N (T) exp [ (E
c
e() )]
p ()

= N
a
= P (T) exp [ ( E
v
+e())]
(7.60)
Dans le mod`ele de Schottky, on admet, en accord avec la discussion
qualitative faite plus haut, que la densite de charge (x) est telle que
7.6. LA JONCTION P N 37
(x) =
_

_
0 si x > d
n
eN
d
si 0 < x < d
n
eN
a
si d
p
< x < 0
0 si x < d
p
(7.61)
o` u d
n
+d
p
mesure lextension de la zone dans laquelle la densite de charge est
non nulle. On parle de zone dapauvrissement car la densite des porteurs
de charge est tr`es faible dans cette zone.
Lequation de Poisson peut alors etre resolue en remplacant (x) par son
expression (7.61). On obtient :
(x) =
_

_
() x > d
n
()
_
eN
d
2
0

r
_
(x d
n
)
2
0 < x < d
n
() +
_
eN
a
2
0

r
_
(x +d
p
)
2
d
p
< x < 0
() x < d
p
(7.62)
La condition de continuite de /(x) en x = 0 implique que
N
d
d
n
= N
a
d
p
(7.63)
Cest simplement la relation qui exprime que lexc`es de charge positive du
cote n est compense par lexc`es de charge negative du cote p.
La condition de continuite de (x) en x = 0 secrit,
_
e
2
0

r
_
_
N
d
d
2
n
+N
a
d
2
p
_
= () () = (7.64)
Cette relation couplee avec la condition aux limites (7.60) qui implique que
e = E
g
+k
B
T ln
_
N
d
N
a
NP
_
permet de determiner d
n
et d
p
, on obtient
d
n
=
_
2
0

e
_
1/2
_
N
a
/N
d
N
a
+N
d
_
1/2
d
p
=
_
2
0

e
_
1/2
_
N
d
/N
a
N
a
+N
d
_
1/2
(7.65)
Pour une valeur e

= E
g
=1 eV,
r
=10, et des concentrations comprises
entre 10
14
et 10
18
impuretes/cm
3
on obtient,
d
n
= 2.35 10
4

A2.35 10
2

A
Ainsi la largeur de la zone de depletion est typiquement comprise entre 100
et 10000

A. Cela signie que si lon rep`ete ce calcul pour une jonction reelle,
dans laquelle la variation de la nature des impuretes se fait sur une zone
100

A, la nature qualitative des resultats ne sera pas modiee.
38 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
7.6.3 Leet diode dune jonction p n (traitement elemen-
taire)
Analysons maintenant le comportement dune jonction p n `a laquelle
on applique un potentiel exterieur V . Nous supposerons que V est positif
sil augmente le potentiel de la zone p par rapport `a la zone n.
Lorsque V = 0 nous avons montre que la densite des porteurs de charge
est tr`es faible dans la zone de depletion, cela implique que cette zone poss`ede
une resistance electrique nettement superieure `a celle des regions p et n
homog`enes. En dautres termes on peut considerer une jonction pn comme
un circuit serie o` u une zone de resistance elevee se trouve entre 2 zones de
faible resistance. Ainsi, lorsque le potentiel V est applique `a un tel circuit,
la variation de potentiel se fait pratiquement uniquement dans la zone de
depletion. Cependant la dierence de potentiel entre les 2 extremites de la
zone a change, elle passe de la valeur
0
(o` u lindice 0 indique que cest la
valeur pour V = 0) `a
=
0
V
On peut associer `a cette variation de une modication de lextension
d
n
+d
p
de la zone de depletion. Comme selon (7.65) d
n
et d
p
varient comme
()
1/2
, on a,
d
n
(V ) = d
n
(V = 0)
_
1
V
(
0
)
_
1/2
(7.66)
A lequilibre thermique le courant de diusion j
diff
e
et le courant j
E
e
sont
egaux et opposes, il en est de meme pour les courants associes aux trous.
En presence dun potentiel exterieur V cet equilibre est detruit. Considerons
par exemple les courants associes aux trous.
Le courant j
E
h
des porteurs minoritaires provient de la region n, les
trous sont entranes `a travers la zone de transition dans la region p par le
potentiel (x). Comme les porteurs minoritaires sont constamment generes
dans la region n par excitation thermique, on note ce courant le courant de
generation, j
gen
h
. Si la largeur de la zone de transition est susamment
faible et le taux de recombinaison electron-trou susamment petit, tous les
trous provenant de la region n qui subissent leet de (x) seront transferes
dans la region p. Cet eet est essentiellement independant de la valeur du
potentiel
0
et du potentiel exterieur V .
Le courant de diusion j
diff
h
des trous de la region p, o` u les trous sont
majoritaires, dans la region n se comporte dieremment. On le note courant
de recombinaison, j
rec
h
. Dans cette direction les trous doivent surmonter
la barri`ere de potentiel (
0
V ). La fraction de trous qui passent la barri`ere
de potentiel est determinee par le facteur de Boltzman, on a donc
7.6. LA JONCTION P N 39
j
rec
h
exp [ (e
0
eV )] (7.67)
Ce courant est donc tr`es sensible au potentiel exterieur V , contrairement au
generation current. Lorsque V = 0, le courant de trous global est nul, on
a donc,
j
rec
h
(V = 0) = j
gen
h
(7.68)
ce qui implique en tenant compte de (7.67),
j
rec
h
= j
gen
h
exp (eV/k
B
T)
Le courant total de trous est ainsi egal `a
j
h
= j
gen
h
_
exp
_
eV
k
B
T
_
1
_
(7.69)
o` u le signe moins vient du fait que le courant de generation circule dans
le sens oppose au courant de recombinaison.
On peut faire la meme analyse pour le courant associe aux electrons, ce
qui donne
j = j
e
+j
h
=
_
j
gen
e
+j
gen
h
_
_
exp
_
eV
k
B
T
_
1
_
(7.70)
qui poss`ede le comportement asymetrique caracteristique dune diode (voir
Fig. 7.26).
p n n p
j
V
j
e
+ j
h
gen gen
Figure 7.26 Courant en fonction de V pour une jonction pn. Cette caracteristique
est valable si eV est faible par rapport ` a E
g
. Le courant pour V < 0 depend de la
temperature en exp(E
g
/k
B
T).
Pour deriver une valeur quantitative du courant de saturation (j
gen
e
+
j
gen
h
) dans la polarite inverse, il faut faire une etude plus detaillee des cou-
rants stationnaires en presence dun potentiel exterieur. Le lecteur interesse
40 CHAPITRE 7. LES SEMICONDUCTEURS
pourra consulter un livre specialise ou par exemple Ashcroft-Mermin (n
du chap. 29). Lanalyse detaillee indique quun param`etre essentiel est la
longueur de diusion des electrons et des trous avant quils se recombinent
lors dune transition interbande. Elle est donnees pour les electrons, respec-
tivement pour les trous, par
L
e
= (D
e

e
)
1/2
L
h
= (D
h

h
)
1/2
(7.71)
o` u
e
et
h
sont les temps caracteristiques de recombinaison compris entre
10
3
et 10
8
s. Pour quune diode fonctionne normalement il est essentiel que
L
e
et L
h
soient superieurs `a la largeur (d
n
+d
p
) de la zone dappauvrissement.
Le resultat nal conduit `a :
j
gen
h
=
_
n
2
i
N
d
_
L
h

h
; j
gen
e
=
_
n
2
i
N
a
_
L
e

e
(7.72)
La dependance principale de j
gen
en fonction de la temperature provient du
terme en n
2
i
, proportionnel `a exp(E
g
/k
B
T) (voir 7.19).