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New oscillator based on periodically poled transducers

and guidance materials for the excitation of interface


elastic waves
Florent Bassignot
To cite this version:
Florent Bassignot. New oscillator based on periodically poled transducers and guidance mate-
rials for the excitation of interface elastic waves. Micro and nanotechnologies/Microelectronics.
Universite de Franche-Comte, 2011. French. <tel-00639401>
HAL Id: tel-00639401
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00639401
Submitted on 9 Nov 2011
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Anne 2011
THSE
prsent
LUFR DES SCIENCES ET TECHNIQUES
DE LUNIVERSIT DE FRANCHE-COMT
pour obtenir le
GRADE DE DOCTEUR
DE LUNIVERSIT DE FRANCHE-COMT
spcialit Sciences Pour lIngnieur
NOUVEAU TYPE DOSCILLATEUR
EXPLOITANT DES TRANSDUCTEURS
DOMAINES FERROLECTRIQUES ALTERNS
ET DES MATRIAUX DE GUIDAGE POUR
LEXCITATION DONDES ULTRASONORES
DINTERFACE
par
Florent BASSIGNOT
Soutenue le 25 octobre 2011 devant la commission dexamen :
Prsident B. DULMET Professeur lENSMM, Besanon
Directeur de thse S. BALLANDRAS DR2 CNRS ENSMM, Besanon
Rapporteurs E. DEFAY Ingnieur HDR, CEA-LETI, Grenoble
S. GARIGLIO Professeur assistant, Universit de Genve, Genve
M. PRIGENT Professeur des Universits, Universit de Limoges, Limoges
Examinateurs D. ALBRECHT Ingnieur DGA, Bagneux
J.M. LESAGE Ingnieur DGA, Rennes
G. CIBIEL Responsable technique, CNES, Toulouse
i
Remerciements
Quel serait mon travail sans la collaboration de toute une quipe de recherche, sans le soutien de
toute ma famille et sans les temps de dcontraction entre copains ? Et bien... Je ne peux pas vous
rpondre car mes travaux de thse ont t le fruit dune bonne entente avec mes collgues et dun
soutien moral permanent de mes proches. Ainsi, je tiens les remercier :
Tout dabord, je remercie mon directeur de thse, Sylvain Ballandras, de mavoir fait conance
pour mener un projet soutenu par la Direction Gnrale de lArmement (DGA). Son implication
dans mes travaux ma normment motiv et sa charge de travail ma pouss tre autonome rapi-
dement, me permettant ainsi de mimpliquer 100 % dans mon projet et dacqurir de nombreuses
connaissances.
Je remercie galement les membres de mon jury qui ont bien voulu lire ma prose et couter mon
discours. Soit mes rapporteurs, Michel Prigent, Stefano Gariglio et Emmanuel Defay dont les rap-
ports ont t trs instructifs et constructifs et mes examinateurs, Didier Albrecht, mon interlocuteur
DGA ainsi que Jean-Marc Lesage qui na pas pu tre disponible pour ma soutenance mais qui mont
encadrs pendant toute ma thse, Gilles Cibiel, grce qui je me suis plong dans la comprhension
des phnomnes intervenants dans le bruit de phase de mon oscillateur et enn Bernard Dulmet,
directeur du dpartement Temps-Frquence de lInstitut FEMTO-ST qui ma accueilli dans son
laboratoire et ma fait lhonneur de prsider mon jury.
A lorigine de mon projet, nous trouvons Emilie, reine de linversion de domaines ferrolectriques.
Elle ma transmis tout son savoir sans rechigner ou trs peu car parfois, je ne la croyais pas et
je tenais vrier par moi mme. Mais il sest avr quelle avait souvent raison mais je ne lui ai
jamais trop dit... Par contre, je lui ai dit que je laimais bien... Une autre personne ma aid de
nombreuses fois dans mes dbuts en salle blanche lorsque je galrais sur les machines capricieuses.
Jappelle donc Lamia la barre pour la remercier.
Ayant un projet compos de 50 % de simulation, conception et de 50 % de fabrication, jai pu faire
la connaissance de nombreuses personnes en salle blanche. Tout dabord Gwenn qui a toujours
t disponible pour rpondre mes interrogations et morienter dans mon projet. De plus, il est
initiateur de multiples ides plus ou moins farfelues et notamment une sur laquelle jai dpos
un brevet... Dans le sta techno , dont Gwenn fait partie, nous trouvons un pongiste nomm
Ptroch qui dans ces moments perdus fait un peu de maintenance (entre pongiste, on se taquine)
et sa femme, Valrie, reine de la dpanne et du bonding. Pour complter cette liste, je remercie
galement Jean-Yves, le rugbyman roi du dpt ; Denis toujours en qute de poussires dans les
environs de son masqueur ; Rolando qui est en train de stresser au moment o jcris ces remer-
ciements car bientt cest son tour de soutenir ; Blandine qui dcoupe et redcoupe des choses
parfois pas trs catholiques comme mes dispositifs, combien de fois les substrats se sont dcolls et
ont cass sa lame...
ii
Ah quest ce que lon a bien ri aussi devant la rdeuse avec Dams, Thomas et Eric. Eh oui, grce
eux le rodage tait plus fun ! Revenons Damien, mon binme de thse ou surtout de dames, de
billard, de baby-foot, enn bref de nombreux jeux anti-stress encore que lorsque nous faisions des
paris, je me suis retrouv lui devoir une centaine de repas au RU... Heureusement, on a trouv un
terrain dentente. Je remercie galement mes autres collgues de bureau et notamment les nouveaux
doctorants qui mont support lorsque je chantais mon single (Oh Marie, if you knew...).
Ct simulation, jai pu compter sur William, anti-Windows et pro-Linux, encore que jai vu quil
avait install une virtualbox Windows sur son Linux... Mais galement Julien et Thierry, codeurs
fous, qui mont permis dutiliser les logiciels grce leurs outils de calcul point and click .
Ct lectronique, jai drang plus dune fois Panda et Gilles. Eh oui, quand on est bon et bien
on assume ! De plus, Panda est un pcheur mais pas que du dimanche, vraiment un pcheur. On
sest retrouv ensemble faire des weekends de pche, ctait gnial !
Je vais nir par remercier ma famille, notamment ma maman, mon papa parti trop tt et ma
sur avec qui jai pass et passe de trs bons moments, me permettant de remplir ma mmoire de
trs bons souvenirs... Mes mamies, qui sont mme des super-mamies , trouvant toujours les mots
lorsque le moral ntait pas au rendez-vous. Et pour nir, je remercie galement mes oncles et tantes,
cousins, cousines, petits-cousins-cousines, je marrte l car je suis trs nul dans les liens de parent.
Ah bien sr sans oublier les copains avec qui nous nous dconnectons du travail pour passer de
super soires !
Voil, jai essay de remercier une bonne partie des personnes qui mont entoures durant ma
thse, jai d en oublier, cest sr mme, mais jespre quils ne men voudront pas trop...
iii
A mon papa parti trop tt,
ma maman,
ma sur et
mes super-mamies.
iv
Table des matires
Introduction 1
1 Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences 5
1.1 Les oscillateurs lectriques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.1 Applications et structure gnrale des oscillateurs lectriques . . . . . . . . 6
1.1.1.1 Applications multiples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.1.2 Structure de base et principe de fonctionnement . . . . . . . . . . 8
1.1.2 Caractristiques des oscillateurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.2.1 Caractrisation de linstabilit en frquence dans le domaine temporel 14
1.1.2.2 Caractrisation de linstabilit en frquence dans le domaine fr-
quentiel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.1.2.3 Liens entre domaine temporel et domaine frquentiel . . . . . . . . 16
1.2 Oscillateurs stabiliss par rsonateurs ondes lastiques . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.2.1 Introduction la pizolectricit : application aux rsonateurs pizolectriques 17
1.2.1.1 Brve introduction et dnition de la pizolectricit . . . . . . . . 17
1.2.1.2 Application des matriaux pizolectriques : rsonateurs ondes
lastiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.2.2 Rsonateurs ondes de volume . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.2.2.1 Rsonateur quartz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.2.2.2 Rsonateurs lms minces . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.2.3 Rsonateurs ondes de surface . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.2.3.1 Dnition et fabrication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.2.3.2 tat de lart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2 Nouveau concept de rsonateur ondes lastiques 35
2.1 La ferrolectricit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.1.1 Introduction la ferrolectricit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.1.1.1 Bref historique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.1.1.2 Dnition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.1.1.3 Les matriaux ferrolectriques et leurs particularits . . . . . . . . 38
2.1.1.4 Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.1.2 Domaines ferrolectriques : inversion par application dun champ lectrique 40
v
vi Table des matires
2.1.2.1 Introduction et mise en vidence de direntes techniques dinversion 40
2.1.2.2 Contexte de linversion de domaines par application dun champ
lectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.1.2.3 Mcanisme de basculement de la polarisation par application dun
champ lectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2.1.2.4 Cintique de linversion de domaines ferrolectriques par applica-
tion dun champ lectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.1.2.5 Paramtrage de limpulsion lectrique haute-tension : Cas des nio-
bate et tantalate de lithium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.2 Concept du nouveau rsonateur acoustique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.2.1 Prsentation et tat de lart autour du concept . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.2.1.1 Prsentation du concept . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.2.1.2 Etat de lart autour de ce nouveau concept . . . . . . . . . . . . . 51
2.2.2 Intrts et enjeux de ce nouveau concept . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
2.2.2.1 Intrts des TPPs et comparaison avec les peignes inter-digits clas-
siques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
2.2.2.2 Retombes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3 Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP 57
3.1 Outils de simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.1.1 lements nis et de frontire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.1.2 Conditions aux limites lectriques, priodicit et rayonnement . . . . . . . . 60
3.1.3 Prise en compte des eets de temprature dans les calculs dlments nis et
de frontires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
3.1.4 Outil de calcul de la dispersion harmonique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.2 Simulations de Transducteurs Polariss Priodiquement . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.2.1 Modlisation dun TPP : dnition du maillage . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.2.2 Cas particulier de TPP en niobate ou tantalate de lithium . . . . . . . . . . 68
3.2.2.1 Simulations par lments nis de TPPs en niobate ou tantalate de
lithium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
3.2.2.2 Simulations en temprature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
3.3 Simulations de guides dondes base de TPPs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.3.1 Modlisation de guide dondes base de TPP : Maillage et rayonnement . . 74
3.3.2 Etude des proprits de dispersion de la structure Si/TPP/Si . . . . . . . . 76
3.3.3 Simulation en temprature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
3.3.4 Analyse des proprits de dispersion harmonique de la structure silicium/TPP/-
silicium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
3.3.5 Etude des eets de guidage et simulation en temprature de diverses con-
gurations de guides dondes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
3.3.5.1 Matriau de guidage/TPP pais/Matriau de guidage . . . . . . . 90
3.3.5.2 Silicium/Silice/TPP aminci/Silice/Silicium . . . . . . . . . . . . . 92
3.3.5.3 Quartz/TPP aminci/Quartz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
vii
3.3.5.4 Diamant/TPP aminci/Diamant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
3.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
4 Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement 101
4.1 Fabrication du TPP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
4.1.1 Inversion des domaines ferrolectriques par application dun champ lectrique 102
4.1.1.1 Description du banc dinversion de domaines ferrolectriques . . . 102
4.1.1.2 Dnition de la structure priodique isolante . . . . . . . . . . . . 105
4.1.2 Inversion de domaines priodiques sur niobate et tantalate de lithium . . . 108
4.1.2.1 Rseaux priodiques sur niobate de lithium . . . . . . . . . . . . . 108
4.1.2.2 Rseaux priodiques sur tantalate de lithium . . . . . . . . . . . . 112
4.1.3 Ralisation du TPP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
4.2 Report de plaques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
4.2.1 Collage mtallique par compression . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
4.2.2 Caractrisations des collages : mthodes destructives ou non . . . . . . . . . 115
4.2.2.1 Mthodes destructives : arrachement et observation de linterface . 115
4.2.2.2 Mthode non destructive : caractrisation ultrasonore . . . . . . . 116
4.3 Amincissement de plaques composites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
4.3.1 Rodage et polissage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
4.3.1.1 Bref historique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
4.3.1.2 Rodage et polissage : Quelques dnitions . . . . . . . . . . . . . . 119
4.3.2 Les machines de rodage et polissage : procds mis en uvre et applications 121
4.3.2.1 Les rdeuses simple et double face . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
4.3.2.2 La polisseuse double face et quipements . . . . . . . . . . . . . . 124
4.4 Connexions lectriques du rsonateur et fabrication de loscillateur . . . . . . . . . 127
4.4.1 Cas des matriaux de guidage usinables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
4.4.2 Cas des matriaux de guidage conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
4.4.3 Application pour tous types de matriaux de guidage . . . . . . . . . . . . 129
4.4.4 Fabrication de loscillateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
4.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
5 Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie 137
5.1 Transducteurs Polariss Priodiquement sur niobate et tantalate de lithium . . . . 138
5.1.1 Prsentation des outils de caractrisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
5.1.2 Recherche dune gomtrie optimale du TPP pour allier miniaturisation et
qualit du signal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
5.1.2.1 Inuence de louverture acoustique du TPP . . . . . . . . . . . . . 141
5.1.2.2 Inuence de la longueur du TPP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.1.3 Comparaisons thorie/exprience de TPPs en niobate et tantalate de li-
thium : admittances et drives en temprature . . . . . . . . . . . . . . . . 144
5.1.3.1 Admittances exprimentales et thoriques de TPPs en niobate et
tantalate de lithium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
5.1.3.2 Mesures en temprature et comparaison avec la thorie . . . . . . 147
5.1.4 Etude de la propagation des ondes lastiques dans un TPP . . . . . . . . . 148
viii Table des matires
5.1.4.1 Description du banc de mesures acousto-optiques . . . . . . . . . . 149
5.1.4.2 Mesures acousto-optiques dun TPP : mise en vidence dondes
quasi-stationnaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
5.2 Oscillateur stabilis par un rsonateur silicium/TPP pais/ silicium . . . . . . . . . 152
5.2.1 Caractrisation des rsonateurs sur guides dondes . . . . . . . . . . . . . . 152
5.2.1.1 Caractrisations de direntes connexions lectriques de rsona-
teurs silicium/TPP/silicium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
5.2.1.2 Etude dtaille de rsonateurs silicium dop/TPP pais en LiTaO
3
et LiNbO
3
/ silicium dop : Admittance, paramtres S et drive en
temprature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
5.2.2 Caractrisation de loscillateur 131 MHz stabilis par un rsonateur sili-
cium/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium . . . . . . . . . . . . . . 161
5.2.2.1 Simulation du rsonateur 131 MHz et du circuit amplicateur
avec le logiciel ADS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
5.2.2.2 Bruit de phase et stabilit de notre oscillateur . . . . . . . . . . . 164
5.3 Rsonateurs base de TPPs amincis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
5.3.1 Caractrisations des rsonateurs sur guides dondes base de TPP amincis 172
5.3.1.1 Vhicule de test : Si dop/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=30 m)/Si
dop . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
5.3.1.2 Vhicule de test : Si dop/TPP LiTaO
3
(p=50 m, e=30 m)/Si
dop . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
5.3.2 Etude du tirage en frquence des modes par application dun champ lec-
trique statique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178
5.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
6 Vers un nouveau type de TPP : Barreaux polariss priodiquement 185
6.1 Prsentation du concept : contexte et enjeux associs . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
6.1.1 Barreaux polariss priodiquement : contexte . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
6.1.2 Objectifs et applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187
6.2 Modlisations et proprits remarquables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
6.2.1 Maillage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
6.2.2 Analyse des proprits de dispersion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189
6.3 Fabrication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
6.4 Caractrisation et confrontation thorie/exprience . . . . . . . . . . . . . . . . . . 196
6.4.1 Etudes de linuence de la longueur, de la profondeur et de la largeur du
barreau sur lexcitation des ondes lastiques . . . . . . . . . . . . . . . . . 196
6.4.1.1 Inuence de la longueur du barreau . . . . . . . . . . . . . . . . . 196
6.4.1.2 Inuence de la profondeur du barreau . . . . . . . . . . . . . . . . 197
6.4.1.3 Inuence de la largeur du barreau . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
6.4.2 Etude du couplage lectromcanique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199
6.4.3 Etude des drives en frquence et en tension du mode longitudinal en fonction
de la temprature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201
6.4.3.1 Mesures en temprature et comparaison avec la thorie . . . . . . 201
ix
6.4.3.2 Etude de la drive en tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 202
6.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
Conclusion gnrale et perspectives 205
Annexe A Orientations cristallines 209
Annexe B Formulations des proprits de diraction 211
Annexe C Inversion de domaines ferrolectriques 213
Annexe D Inuence du rapport cyclique des TPPs 215
Annexe E Procds de rodage et polissage 217
E.1 Procds de rodage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
E.2 Procds de polissage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
Bibliographie 221
x Table des matires
Introduction
Le temps est la grandeur physique que nous mesurons avec le plus dexactitude.
Les systmes utiliss pour mesurer le temps sont gnriquement appels horloge.
Une horloge est un dispositif capable de gnrer de manire autonome des repres
priodiques permettant de synchroniser divers lments et destimer des dures. Les
horloges sont de nos jours de plus en plus prcises et stables et leurs applications
sont de multiples natures : les montres, linformatique, les tlcommunications, la
mtrologie, le positionnement, etc. Revenons maintenant sur le pass pour percevoir
lvolution de la mesure du temps. Ds lAntiquit, les hommes ont cherch valuer
lcoulement du temps rythm par les annes, les saisons, les jours et les nuits. Les
premiers instruments de mesure connus sont les gnomons et les cadrans solaires.
Fonds sur le dplacement relatif du Soleil par rapport la Terre, ils ne pouvaient
fonctionner que le jour, par temps ensoleill et nindiquaient quapproximativement
lheure. Avec le temps, lhomme sest inspir de phnomnes physiques dont il avait
remarqu le caractre priodique pour concevoir et mettre au point des dispositifs
de mesure du temps de plus en plus prcis. Les horloges mcaniques au XVIII
me
sicle en sont un exemple. Elles permirent aux hommes de connatre lheure tout
moment et en tout lieu. Dsormais, elles ne sont plus lordre du jour sur le plan
de la prcision. Des moyens plus prcis et plus compacts ont t dvelopps. En la
matire, lhorloge quartz a constitu un vritable progrs. Le premier oscillateur
quartz apparat en 1933 mais sa taille est plus proche dun rfrigrateur que dune
montre bracelet. Produit dune grande miniaturisation, cette dernire napparat que
dans les annes 1970.
Aujourdhui, nous trouvons encore des diapasons quartz formant le cur des
montres dans de nombreux quipements de tlcommunication, de test et de me-
sure. Les diapasons quartz sont conus pour vibrer des frquences allant de
la dizaine de kilohertz, quelques dizaines de mgahertz. Pour des frquences su-
prieures, les rsonateurs ondes de surface ou de volume base de quartz sont
les mieux adapts. Ils sont largement utiliss pour le traitement du signal Radio-
Frquence (RF) et notamment pour la stabilisation doscillateurs lectriques dans la
1
2 Introduction
gamme de frquence 50 MHz 6 GHz mais restent en outre un composant limit par
sa sensibilit lenvironnement (notamment la temprature qui est la premire
cause dinstabilit des oscillateurs) mais aussi par le besoin de la qualit de son
encapsulation (surfaces libres, encapsulation sous vide). Les besoins doscillateurs
trs hautes frquences, de puret spectrale et de stabilit court terme proviennent
des demandes du march mondial dans les applications comme le positionnement,
la navigation et plus gnralement dans les systmes radars. Une diminution des
incertitudes est recherche, ce qui implique de possder des rfrences encore plus
stables.
Lambition de ces travaux est de fabriquer un nouveau rsonateur ondes lastiques
avec un principe dexcitation des ondes novateur permettant de stabiliser des sources
hautes frquences. Comment allons-nous concevoir ce rsonateur pratiquement in-
sensible aux pollutions extrieures et prsentant des possibilits dencapsulation bas
cot ?
Les deux premiers chapitres dniront les notions indispensables la conception
dun nouvel oscillateur stabilis par un rsonateur ondes lastiques. En eet, dans
un premier temps nous tudierons le fonctionnement et les applications dun oscilla-
teur et nous aborderons quelques caractristiques de rsonateurs ondes lastiques
prsents sur le march. Nous serons donc amen introduire la notion de pizolec-
tricit. Dans un second temps, nous nous intresserons un nouveau principe dexci-
tation des ondes fond sur une alternance de domaines ferrolectriques. Ainsi, nous
prsenterons la notion de ferrolectricit avec notamment les proprits de quelques
matriaux ferrolectriques et plus prcisment du niobate et du tantalate de lithium.
Nous dcrirons diverses mthodes dinversion de domaines ferrolectriques en insis-
tant sur la technique dinversion par application dun champ lectrique, retenue pour
la fabrication du transducteur du nouveau rsonateur. Nous proposerons un compa-
ratif des transducteurs polariss priodiquement avec ceux peignes inter-digits et
nous prsenterons le concept du nouveau rsonateur structur en guide dondes.
Le troisime chapitre prsente une tude thorique autour de ce nouveau concept.
Nous commencerons par dcrire les logiciels utiliss puis nous analyserons la struc-
ture de transduction domaines polariss priodiquement. Ensuite nous nous concen-
trerons sur ltude du rsonateur en analysant les proprits de dispersion de diverses
structures composes par dirents matriaux. Nous retiendrons une architecture ad-
hoc an de la mettre en uvre dans le chapitre suivant.
Le quatrime chapitre dtaille les tapes cruciales dans la fabrication du nouvel oscil-
lateur stabilis par un rsonateur fond sur un transducteur polaris priodiquement
report de part et dautre sur un substrat de silicium. Nous indiquerons nos di-
3
rents choix technologiques.
Le cinquime chapitre est consacr la caractrisation pas pas de loscillateur
ainsi constitu et la comparaison des mesures exprimentales avec les rsultats
thoriques. Ce chapitre nous permet de conclure quant la faisabilit des dispositifs
et denvisager de futurs dveloppements tirant parti des avances de nos travaux
dont nous prsentons un exemple dans le chapitre six.
Le sixime et dernier chapitre correspond une tude dun autre concept fond tou-
jours sur les domaines ferrolectriques alterns mais dont la structure et notamment
lexcitation du transducteur ont t modies. Nous prsentons une tude complte
de ce nouveau dispositif appel barreau polaris priodiquement dont nous remar-
quons un vritable potentiel par ses forts coecients de couplages lectromcaniques.
Enn, nous conclurons ces travaux et fournirons des perspectives de poursuite de
cette tude.
4 Introduction
Chapitre 1
Rsonateurs employs pour la
stabilisation doscillateurs hautes
frquences
Ce premier chapitre prsente le cadre gnral dans lequel sinscrit ce travail de
thse. En eet, nous allons introduire quelques notions sur les oscillateurs et notam-
ment sur les rsonateurs, lments centraux de ces systmes.
Dans une premire partie, nous prsenterons les oscillateurs harmoniques en d-
taillant leur principe de fonctionnement et les diverses applications vises. Nous
orienterons notre tude sur les oscillateurs hautes frquences en dnissant di-
rentes topologies de tels circuits et leurs caractristiques types, notamment le bruit
de phase et la stabilit en frquence. Dans une seconde partie, nous nous attarde-
rons sur llment de stabilisation de loscillateur. En eet, les caractristiques de
loscillateur sont lies celles du rsonateur. Nous commencerons par introduire
la pizolectricit, caractristique essentielle des cristaux utiliss pour fabriquer de
nombreux rsonateurs prsents sur le march. Nous prsenterons un tat davance-
ment des dirents types de rsonateurs commercialiss en prcisant les demandes
actuelles. Nous nous intresserons alors ltude des rsonateurs ondes de volume
(nomms en anglais rsonateurs BAW pour Bulk Acoustic Wave ) avec, entre
autres, les structures base de quartz. Puis nous dcrirons dautres rsonateurs fon-
ds sur lexcitation dondes lastiques tels que les rsonateurs ondes de surface
(appels en anglais, SAW pour Surface Acoustic Wave ). Ces prsentations nous
permettront de mieux dnir la problmatique de la prsente thse ddie la ra-
lisation de rsonateurs ondes lastiques guides sur substrats composites capables
de rpondre aux besoins de sources hautes frquences.
5
6 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
1.1 Les oscillateurs lectriques
Parmi les phnomnes naturels remarquables par leur complexit et leur singula-
rit, il existe une classe de systmes particulirement intressants tudier appels
systmes oscillants. En reprenant la dnition du Petit Robert, osciller consiste :
Aller de part et dautre dune position moyenne par un mouvement alternatif plus
ou moins rgulier . Un oscillateur lectrique est un systme dont lvolution est d-
crite par la variation priodique (ou pseudo priodique) dune grandeur lectrique.
Autrement dit, nous pouvons associer un oscillateur une grandeur physique (para-
mtre descriptif de loscillateur) qui est une fonction priodique du temps. On dis-
tingue plusieurs types doscillateurs se direnciant notamment par leur principe de
fonctionnement et leur domaine dapplication. Nous nous proposons, dans cette par-
tie, dtablir un aperu des direntes applications des oscillateurs lectriques pour
ensuite revenir sur leur principe de fonctionnement. Enn, nous dcrirons diverses
topologies doscillateurs et nous examinerons les deux principales caractristiques
permettant den qualier le fonctionnement.
1.1.1 Applications et structure gnrale des oscillateurs lectriques
1.1.1.1 Applications multiples
Les oscillateurs, sous toutes leurs formes, font partie des circuits lectroniques
les plus employs : un microprocesseur utilise une horloge pour eectuer ses opra-
tions, en transmission de donnes numriques, on utilise une horloge pour cadencer la
transmission, en transmission de donnes avec modulation, on utilise des oscillateurs
sinusodaux pour gnrer la porteuse, etc. En eet, ils permettent la gnration de
signaux priodiques dont la frquence dtermine la cadence dexcution des tches
raliser. Loscillateur est un composant indispensable dans llectronique grand
public comme les rseaux de tlcommunication, les ordinateurs, les tlphones por-
tables, mais galement dans des versions labores en mtrologie, pour la golocali-
sation, les tlcommunications spatiales, les tudes de physiques fondamentales, etc.
Les principaux leaders du march des oscillateurs acoustolectriques sont Epson
Toyocom, NDK, TXC, Vectron et Temex. Ces entreprises commercialisent de nom-
breux oscillateurs dans dirents secteurs dactivit. Daprs la thse de David Pe-
tit [1], nous prsentons en gure 1.1(a) un diagramme circulaire de la rpartition
des ventes doscillateurs en 2008 par secteur dactivit de lentreprise TXC Cor-
poration [2]. Nous remarquons que les oscillateurs sont utiliss dans de nombreux
domaines et plus particulirement dans les secteurs de la tlphonie mobile et des
rseaux de communications, qui sont encore en 2011 en pleins essors. Ces oscillateurs
1.1. Les oscillateurs lectriques 7
ne possdent pas tous les mmes caractristiques (frquence de synchronisme, ther-
mostat ou non, ondes de surface ou de volume), cest pourquoi nous proposons
en gure 1.1(b), un diagramme circulaire prsentant une tude de march conduite
par Dedalus consulting en 2007 [1] indiquant la rpartition mondiale des ventes
de dirents oscillateurs.
(a) (b)
Figure 1.1 (a) Diagramme circulaire reprsentant la rpartition des ventes doscillateurs en 2008
par secteur dactivit de lentreprise TXC Corporation [2] et en (b) reprsentation de la rpartition
des dirents oscillateurs vendus dans le monde value par Dedalus consulting en 2007 [1]
Nous trouvons en tte des ventes, les oscillateurs quartz classique utiliss essen-
tiellement dans de nombreux dispositifs lectroniques tels que les tlphones mobiles,
ordinateurs, etc. Nous pouvons ajouter ces marchs, le besoin de divers oscillateurs
quartz compenss en temprature tels que les XO ( X-crystal Oscillator dont
la coupe du cristal de quartz a t choisie pour sa compensation en temprature),
les TCXO ( Temperature Compensated X-crystal Oscillator avec une compen-
sation lectronique de la temprature) et les OCXO ( Oven Controlled X-crystal
Oscillator dont lobjectif est de maintenir loscillateur une temprature xe).
Ces oscillateurs sont fonds sur des rsonateurs ondes de volumes ( BAW ). En
outre, des oscillateurs stabiliss par des rsonateurs ondes de surface ( SAW )
sont galement disponibles commercialement. Ces deux approches seront dtailles
par la suite.
Maintenant que nous avons soulign le besoin important doscillateurs lectriques,
nous allons dcrire dans le paragraphe suivant leur principe de fonctionnement an
den pointer les dicults opratoires spciques.
8 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
1.1.1.2 Structure de base et principe de fonctionnement
En lectronique, un oscillateur est un systme auto-entretenu capable de gnrer
un signal temporellement priodique. Ce signal est caractris principalement par sa
frquence centrale note gnralement f
0
, exprime en Hertz (Hz). Il existe principa-
lement deux sortes doscillateurs : loscillateur relaxation qui produit des signaux
pouvant prendre deux tats au cours du temps (la dure de transition entre ces deux
tats tant trs courte) et dont lvolution des oscillations est non-linaire, et loscil-
lateur harmonique que nous allons tudier, dont le signal gnr est quasi-sinusodal
avec une frquence de synchronisme ne dpendant que des caractristiques du sys-
tme. On parle doscillateur quasi-sinusodal plutt que doscillateur sinusodal car
la nature mme des composants lectroniques rend un tel oscillateur impossible
raliser. En eet, la distribution spectrale, de lnergie des signaux dlivrs par cet
oscillateur prsente des harmoniques.
Un oscillateur comporte toujours un lment actif (circuit amplicateur) associ
un circuit passif (diple ou quadriple de raction). En eet, le rsonateur prsentant
des pertes, nous devons en consquence ajouter un systme les compensant an den-
tretenir les oscillations la frquence doscillation f
0
. Lamplicateur va apporter de
lnergie au systme de faon maintenir constante lnergie emmagasine. Encore
faut-il respecter les critres de Barkhausen [3] pour que les oscillations dmarrent.
Considrons le systme boucl de loscillateur prsent en gure 1.2.
V
1
V
2
V
2 V
3

K
K
H
Figure 1.2 Schma de principe dun systme contre-ractionn double ports
Il est compos par une chane directe, de fonction de transfert H() et dune
chane de retour, de fonction de transfert K(). Llment H dit amplicateur
dentretien contient gnralement un ou plusieurs composants non linaires (tran-
sistors, diodes, etc.) Son rle principal est dassurer le transfert de lnergie et de
1.1. Les oscillateurs lectriques 9
compenser les pertes dans le circuit oscillateur dune part et dautre part de limiter
lamplitude doscillation. Llment K reprsente le circuit rsonnant dont la mod-
lisation peut tre dipolaire ou quadripolaire. Pour que les oscillations dmarrent, il
faut raliser lquilibre entre les pertes du rsonateur et le gain de lamplicateur.
Cette caractristique est traduite par le critre doscillation de Barkhausen [3]. Si
nous supposons que les deux lments H et K sont caractriss par une rponse
harmonique en amplitude (|H| et |K|) et en phase (
H
et
K
), nous obtenons :
V
2
= |H|e
j
H
V
1
, (1.1)
V
3
= |K|e
j
K
V
2
, (1.2)
soit V
3
= |H||K|e
j
H
+
K
V
1
(1.3)
Le fonctionnement de loscillateur exige lgalit des tensions V
3
(tension sortante
du rsonateur) et V
1
(tension entrante dans le circuit damplication) ce qui conduit
une condition sur lamplitude et sur la phase appele critre de Barkhausen :
{
|H||K| = 1

H
+
K
= 0 + 2k, k Z
(1.4)
Le critre de Barkhausen impose un gain unitaire et une condition de phase nulle
dans la boucle. Si le produit |H||K| < 1, les oscillations samortissent et loscilla-
teur sarrte. Dans le cas |H||K| > 1, les oscillations sont amplies et crossent
indniment avec le temps. La condition |H||K| = 1 nest pas ralisable avec des
composants linaires. Dans un oscillateur rel, les non linarits de lamplicateur
entranent une diminution du gain lorsque lamplitude augmente. Lamplitude en r-
gime permanent est xe par la condition |H||K| = 1. La frquence doscillation du
rsonateur est en gnral xe par la condition sur la phase. En pratique, les dpha-
sages introduits par lamplicateur ou le rsonateur peuvent varier sous linuence
de dirents facteurs :
introduction de capacits parasites extrieures au montage,
variations de temprature modiant les capacits internes des composants lec-
troniques et de faon plus gnrale limpact des variations paramtriques sur
le point de fonctionnement du circuit complet,
vieillissement des composants lectroniques modiant leurs valeurs.
Les uctuations de phase gnres dans la boucle vont occasionner des uctuations de
la frquence du signal de sortie pour assurer la condition de Barkhausen sur la phase.
La gure 1.3 montre linuence dun dphasage parasite sur la frquence doscillation
en fonction de la pente de la courbe de phase en comparant les caractristiques de
deux rsonateurs A et B.
10 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
Figure 1.3 Inuence dun dphasage parasite sur la frquence doscillation
Nous remarquons que la variation de frquence est dautant plus faible que la
rotation de phase est rapide au voisinage de la frquence doscillation. Cette pente
(S) dpend du facteur de qualit en charge (Q
L
) du rsonateur telle que :
S =
2Q
L

0
2
(1.5)
Ainsi, pour raliser des oscillateurs stables, il est prfrable dutiliser des dispositifs
fort facteur de qualit. En eet, si un signal doscillation sinusodal existe linstant
t = 0, alors son amplitude va dcrotre exponentiellement car le signal est amorti
par les pertes. Lnergie emmagasine dans le rsonateur (W) atteingnant une valeur
nie, va suivre exactement la mme volution. En considrant la diminution dnergie
emmagasine W au cours dune priode T, on dnit le coecient de qualit (Q)
du rsonateur tel que :
Q =
2W
W
=

0
W
P
, (1.6)
o P est la puissance dissipe par priode par le rsonateur et scrit :
P =
W
T
=
dW
dt
. (1.7)
Dans le domaine frquentiel, les pertes se traduisent par un largissement de la
raie de rsonance (cf. gure 1.4(a)). Le facteur de qualit du rsonateur en charge
(Q
L
) est alors :
Q
L
=
f
0
f
, (1.8)
avec f
0
la frquence de rsonance et f, la largeur du pic de conductance mi-
hauteur.
1.1. Les oscillateurs lectriques 11
Nous prsentons en gures 1.4(a, b) la rponse typique en module et en phase
dun rsonateur.
frquence
f
o
3dB
f
Module
(a)
/2
/2
Phase
frquence
f
o
(b)
Figure 1.4 Module (a) et phase (b) de la rponse dun rsonateur
Nous prsentons en gure 1.5 un exemple doscillateur de type LC an dillustrer
ces propos. Le circuit est compos dun amplicateur en tension idal de gain A
0
avec une impdance dentre innie an que le signal ne soit pas perturb par des
lments extrieurs. Le rseau de raction form dune cellule en PI est quant
lui compos dlments purement ractifs comme des capacits et des inductances.
Figure 1.5 Schma lectrique dun oscillateur LC
Les fonctions de transfert de lamplicateur H et de la chane de raction K sont
donnes respectivement par ces quations :

H(j) =
A
0
Z
e
(j)
R
s
+ Z
e
(j)
avec Z
e
(j) =
Z
3
(j)(Z
1
(j) + Z
2
(j))
Z
1
(j) + Z
2
(j) + Z
3
(j)
K(j) =
Z
1
(j)
Z
1
(j) + Z
2
(j)
(1.9)
12 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
Puis en appliquant la condition de Barkhausen et sachant que les composants sont
de nature ractive, nous obtenons lquation suivante :
A
0
X
1
X
2
= jR
s
(X
1
+ X
2
+ X
3
) X
3
(X
1
+ X
2
) (1.10)
Cette quation doit vrier lgalit des parties relles et imaginaires do :
galit des parties relles : A
0
X
1
= X
3
galit des parties imaginaires : X
1
+ X
2
+ X
3
= 0
}
(1.11)
Lamplicateur prsente une rotation de phase de 180. Ainsi X
1
et X
3
sont de mme
signe, donc de mme nature, alors que la seconde condition impose une dirence
de nature entre X
2
et les deux lments prcdents. Les deux structures satisfaisant
cette condition, dites de Hartley et de Colpitts sont reprsentes sur la gure 1.6.
(a) (b)
Figure 1.6 (a) Rseau de raction de Hartley et (b) rseau de raction de Colpitts
La seconde condition xe la frquence doscillation f
0
gale pour le rseau de
Hartley :
f
0
=
1
2

(L
1
+ L
2
)C
(1.12)
et pour le rseau de Colpitts :
f
0
=
1
2

C
1
C
2
C
1
+ C
2
L
(1.13)
La structure Colpitts ainsi obtenue est plus frquente dans les montages dos-
cillateurs car elle ne ncessite quune seule inductance, rduisant ainsi les eets
dantenne. De plus, cette inductance peut tre remplace par la partie inductive
dun rsonateur. Pour plus dinformations sur ce circuit, notamment sur le principe
de fonctionnement de son lectronique, le lecteur peut se rfrer la thse de Jol
Imbaud [4].
Maintenant que nous avons mis en vidence quelques notions sur la conception
doscillateurs lectriques, nous allons tudi dirents lments permettant de les
caractriser.
1.1. Les oscillateurs lectriques 13
1.1.2 Caractristiques des oscillateurs
Les caractristiques dun oscillateur sont fonctions essentiellement de larchitec-
ture du circuit dentretien et de llment rsonant. Les principales caractristiques
dun oscillateur sont :
la frquence doscillation dpend principalement des caractristiques propres
du rsonateur,
les temps dtablissement de lamplitude et de la frquence dpendent du r-
glage du gain de lamplicateur de loscillateur,
la consommation de puissance exprime en Watt dpend essentiellement des
composants lectroniques utiliss pour raliser le circuit damplication mais
aussi des pertes du rsonateur,
la drive en frquence de loscillateur dpend principalement de la qualit du
rsonateur, autrement dit de son facteur de qualit et de sa sensibilit lenvi-
ronnement extrieur,
le bruit de phase exprim en dBc/Hz est reli la stabilit en frquence
des oscillateurs court terme.
Nous allons dtailler les deux caractristiques majeures dun oscillateur soient sa
drive en frquence (sa stabilit court et moyen termes) et son bruit de phase.
Considrons que loscillateur dlivre un signal V
s
(t) parfaitement sinusodal avec en
permanence la mme frquence
0
et la mme amplitude V
0
. On a alors :
V
s
(t) = V
0
(cos(2
0
t)). (1.14)
Ainsi dans le domaine frquentiel, ce signal est reprsent par un seul Dirac la
frquence
0
. Dans la ralit, le signal dlivr par un oscillateur nest jamais parfaite-
ment sinusodal. Des phnomnes alatoires interviennent pour modier lamplitude
et la phase dune oscillation lautre. La tension de sortie V
s
(t) dun oscillateur rel
scrit alors :
V
s
(t) = V
0
[1 + (t)][cos(2
0
t + (t))]. (1.15)
avec (t) et (t) reprsentant respectivent les uctuations damplitude et de phase
du signal. Dans la plupart des cas, les uctuations damplitude sont ngligeables par
rapport aux uctuations de phase. La caractrisation des uctuations de frquence
du signal peut tre ralise soit dans le domaine temporel soit dans le domaine fr-
quentiel [4].
14 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
1.1.2.1 Caractrisation de linstabilit en frquence dans le domaine temporel
La caractrisation des instabilits de frquence dans le domaine temporel fait
appel des mthodes statistiques. Des compteurs de frquence haute rsolution
sont utiliss an de mesurer les uctuations relatives de frquence y moyennes sur
des dures . Si nous considrons deux comptages successifs y
k
et y
k+1
(k tant
le numro dchantillon) dmarrant respectivement aux temps t
k
et t
k+1
, alors la
variance dAllan
y
2
() [5] est dnie par :

y
2
() =
1
2
(y
k+1
y
k
)
2
, (1.16)
o les reprsentent une moyenne sur un grand nombre dchantillons.
Cette variance est prfre au calcul de variance classique qui diverge pour certains
types de bruits [4]. An dillustrer ce calcul statistique et de donner un aperu de
ltat de lart de la stabilit en frquence de quelques oscillateurs, nous proposons
en gure 1.7 une reprsentation de lcart-type dAllan en fonction du temps dint-
gration pour dirents talons atomiques.
Figure 1.7 Stabilit de frquence de quelques talons atomiques
1.1.2.2 Caractrisation de linstabilit en frquence dans le domaine frquentiel
Dans le domaine frquentiel, les densits spectrales de puissance (DSP) S

(f) et
S

(f), exprimes respectivement en rad


2
/Hz (ou dB.rad
2
/Hz) et Hz
1
, caractrisent
la rpartition frquentielle de (t) et (t). Les constructeurs spcient rgulirement
1.1. Les oscillateurs lectriques 15
le bruit de phase dune source par la quantit L(f) telle que :
L(f) =
1
2
S

(f) (1.17)
En dB, on a donc L(f) = S

(f) 3dB.
La modulation de phase et damplitude du signal par le bruit provoque un talement
de la puissance du signal sur une bande de frquence autour de la frquence centrale

0
(voir gure 1.8). La puret spectrale peut alors tre caractrise pour chaque
frquence une distance f =
0
de la porteuse par la puissance disponible P

sur la puissance de la porteuse P


0
. En prsence du seul bruit de phase, on a alors :
S

(f) = 10log
2P

P
0
[dB.rad
2
/Hz] (1.18)
(a) (b)
Figure 1.8 (a) Pic de Dirac dun oscillateur idal et (b) talement frquentiel de la puissance
du signal d au bruit dans un oscillateur rel
On peut aussi faire lanalyse du signal driv (t). Il caractrise les uctuations
de la frquence instantane dnie comme la drive de la phase totale, soit :
(t) =
0
+
(t)
2
(1.19)
Il est commode dutiliser la quantit sans dimension :
y =

0

0
=
(t)
2
0
(1.20)
y reprsente les uctuations relatives de frquence. Le spectre correspondant est not
S
y
(f). Les signaux (t) et y(t) correspondent par drivation. Les spectres sont donc
dans un rapport j2f par transforme de Fourier. Il en rsulte que leurs densits
spectrales sont lies par :
S
y
(f) =
(
f

0
)
2
S

(f). (1.21)
16 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
1.1.2.3 Liens entre domaine temporel et domaine frquentiel
Lquation 1.21 met en vidence quil est possible de lier les rsultats de lanalyse
temporelle avec ceux de lanalyse frquentielle. Un modle classiquement utilis pour
dcrire le spectre de bruit de phase dun oscillateur est celui dit de la loi en
puissance . On a ainsi :
S

(f) =
4

i=0
b
i
f
i
. (1.22)
Le spectre de bruit de phase trac dans un diagramme log-log (gure 1.9) est alors
constitu de plusieurs droites de pentes direntes. A chacune de ces pentes corres-
pond un type de source de bruit. De la mme manire, on a :
S
y
(f) =
2

i=2
h
i
f
i
. (1.23)
La gure 1.9 rsume les liens entre S

(f), S
y
(f) et
2
y
().
Figure 1.9 Spectre des uctuations de phase S

(f), de frquence S
y
(f) et variance dAllan
2
y
()
1.2. Oscillateurs stabiliss par rsonateurs ondes lastiques 17
Ainsi, dans cette partie, nous avons rappel quelques proprits sur les oscilla-
teurs. Nous avons prsent la structure dun oscillateur et nous avons mis en vidence
quelques caractristiques des oscillateurs. Nous concluons que la fabrication dune
source de frquence stable passe par le choix et ladaptation des composants lectro-
niques ncessaires lamplication du signal et des caractristiques du rsonateur.
En eet, un rsonateur fort facteur de qualit, insensible lenvironnement ( la
temprature essentiellement) est privilgier. De ce fait, nous allons, dans la partie
suivante, nous intresser aux dirents rsonateurs ondes lastiques dvelopps
jusqu prsent an dtablir un tat de lart du domaine pour positionner par la
suite notre nouvel oscillateur.
1.2 Oscillateurs stabiliss par rsonateurs ondes lastiques
1.2.1 Introduction la pizolectricit : application aux rsonateurs pi-
zolectriques
1.2.1.1 Brve introduction et dnition de la pizolectricit
Leet pizolectrique a t dcouvert il y a plus dun sicle mais intresse tou-
jours autant la communaut scientique. En eet, cest en 1880 que les frres Pierre
et Jacques Curie mettent en vidence que, dans certaines classes cristallines non
centrosymmtriques, lapplication de contraintes sur le cristal entrane lapparition
de charges lectriques sa surface, que nous appelons eet pizolectrique direct
[6]. Lexistence de leet inverse fut prdite lanne suivante par Gabriel Lippman
sur la base de calculs thermodynamiques [7] et immdiatement vrie par les frres
Curie [8]. Cette dcouverte ouvre la voie la gnration contrle dondes las-
tiques, dont les mcanismes de propagation ont t tudis approximativement la
mme poque par les gophysiciens : ondes de surface par Rayleigh [9], ondes de
plaques par Lamb [10], ondes dinterface par Stoneley [11]. La pizolectricit resta
une curiosit de laboratoire pendant une trentaine dannes. Elle donna surtout lieu
des travaux thoriques sur les structures cristallines prsentant cette proprit.
Ces travaux aboutirent en 1910 la publication par Woldemar Voigt du Lehrbuch
der Kristallphysik qui donne les vingt classes cristallines pizolectriques, et dnit
rigoureusement les constantes pizolectriques dans le formalisme de lanalyse ten-
sorielle [12]. Dun point de vue pratique, la pizolectricit ne fut utilise que pour
raliser quelques instruments de laboratoire.
Le vritable essor des composants pizolectriques na lieu quau cours de la premire
guerre mondiale. Avec le progrs de llectronique, notamment lapparition dampli-
18 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
cateurs, la ncessit militaire de pouvoir dtecter des sous-marins allemands et aprs
le choc engendr par le drame du Titanic, Paul Langevin conoit avec Constantin
Chilowski un systme permettant la dtection dobstacles partir de lcho quils
renvoient. Le premier SONAR ( SOund Navigation And Ranging ) tait compos
de lames de quartz colles entre deux plaques dacier et permettait, par la mesure
du temps coul entre lmission dune onde acoustique et la rception de son cho,
de calculer la distance lobjet [13]. Peu de temps aprs, au dbut des annes 1920,
le premier oscillateur quartz est mis au point par Walter Cady, ouvrant ainsi la
voie au contrle de frquence [14]. Le succs de ces dveloppements suscita un grand
intrt pour la pizolectricit, relana les recherches et conduisit travers les an-
nes qui suivirent la mise au point de nouveaux dispositifs pour une large palette
dapplications pratiques concernant lindustrie et la recherche.
1.2.1.2 Application des matriaux pizolectriques : rsonateurs ondes lastiques
Il existe un nombre important de matriaux pizolectriques, ils peuvent tre
classs en deux grandes catgories :
les naturels : le quartz, la topaze, la tourmaline, la berlinite, le sucre, le sel de
Rochelle, etc.
les synthtiques : les cramiques PZT, lorthophosphate de gallium (GaPO
4
), la
langasite (La
3
Ga
5
SiO
14
), la langatate (La
3
Ga
5.5
Ta
0.5014
), larsniate de gallium
(GaAsO
4
), le niobate de lithium (LiNbO
3
), le tantalate de lithium (LiTaO
3
),
etc.
Dans la plupart des rsonateurs utiliss pour le traitement du signal base de
ces matriaux, une onde est pige dans des cavits acoustiques rendant celle-ci
stationnaire. Une rsonance se produit lorsque londe acoustique est rchie en
phase par les parois de la cavit de manire interfrer constructivement. Ceci
ne peut se produire que si la longueur de la cavit est gale une demi-longueur
donde, ou un multiple impair de cette longueur. lectriquement, ces composants
peuvent tre reprsents par le schma quivalent dit de Butterworth-Van Dyke
tel que que prsent en gure 1.10, o C
0
reprsente la capacit statique due aux
phnomnes purement lectriques prsents dans la cavit, et R
m
, L
m
et C
m
forment
un circuit rsonnant rendant compte de la rsonance mcanique due aux phnomnes
acoustiques. A ce titre, ces paramtres dpendent des caractristiques de londe
excite ainsi que de la gomtrie du rsonateur.
1.2. Oscillateurs stabiliss par rsonateurs ondes lastiques 19
R
m
C
m
L
m
C
0
Figure 1.10 Schma lectrique quivalent un rsonateur ondes lastiques [15]
Des caractristiques lectriques dun rsonateur pizolectrique, en loccurrence le
module de ladmittance et le trac de la conductance et de la susceptance la rso-
nance sont reprsentes sur la gure 1.11.
(a) (b)
Figure 1.11 (a) Module de ladmittance et (b) conductance et susceptance la rsonance dun
rsonateur pizolectrique
A la rsonance, nous pouvons dnir deux frquences distinctes :
la frquence de rsonance srie, correspondant au maximum, en module, de
ladmittance,
la frquence de rsonance parallle, correspondant au minimum, en module, de
ladmittance.
Dans le cas conforme au schma lectrique quivalent, lcart entre ces deux fr-
quences est caractristique du couplage lectromcanique du mode de vibration ex-
cit. De ce fait, il nest que modrment sensible la gomtrie du rsonateur, en
dehors des paramtres qui forcent le choix du mode de vibration, cest--dire princi-
palement des rapports daspects, des conditions aux limites et la nature du substrat.
Nous reviendrons sur les calculs de ce coecient de couplage lectromcanique dans
le chapitre 5 lors de la caractrisation du nouveau rsonateur car cest une notion
20 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
en pratique assez mal dnie bien qu utilise systmatiquement, quil faut rednir
pour chaque type de rsonateur. On a dj prsent le coecient de qualit (cf.
1.1.1.2) comme tant le rapport de la frquence de rsonance sur la largeur mi-
hauteur du pic visible sur la conductance du rsonateur. Ceci permet de dterminer
dans quelle mesure lnergie est pige dans la cavit.
Ainsi, grce aux proprits pizolectriques de certains matriaux, il est possible
dy gnrer des ondes lastiques par application dun champ lectrique sur leurs
faces une fois mtallises de faon circonstancie. Nous allons maintenant traiter
quelques topologies doscillateurs associs leur lment rsonant qui, suivant leur
principe de fonctionnement, exciteront des ondes lastiques de direntes natures.
Nous dbuterons par ltude doscillateurs stabiliss par des rsonateurs ondes de
volume avec notamment la description des rsonateurs quartz qui savrent les
plus communs pour ensuite se familiariser avec les rsonateurs ondes lastiques de
surface.
1.2.2 Rsonateurs ondes de volume
Les rsonateurs ondes de volume sont fonds sur lexitation et le pigeage dune
onde de volume au sein dun matriau pizolectrique. Les ondes de volume sont
des vibrations capables de se propager lintrieur dun volume, par opposition aux
ondes de surface, qui se propagent le long dune interface. Lexcitation de telles ondes
dans les matriaux pizolectriques vont dpendre de la mise en forme du cristal.
En fonctionnement, le cristal, par sa nature pizolectrique, est le sige de dfor-
mations caractrises par ses proprits lastiques. Cette dformation engendre des
ondes rchies aux extrmits du matriau. Entretenue par un champ lectrique, il
y a apparition dune onde stationnaire (phnomne de rsonance) condition que les
ondes rchies aux interfaces soient superposes aux ondes incidentes et lpaisseur
du matriau (e) soit gale un nombre entier de demi-longueur donde. En posant
e = /2 et sachant que la longueur donde est gale c/ avec c la clrit de
londe et la frquence de londe, nous obtenons :
=
c
2e
. (1.24)
Ainsi, plus lpaisseur du cristal est faible, plus la frquence de rsonance sera leve.
An de fabriquer des oscillateurs stabiliss par des rsonateurs ondes de volume
sur une gamme de frquence allant de quelques kilohertz quelques gigahertz, dif-
frentes topologies de rsonateurs existent et notamment les rsonateurs quartz et
les rsonateurs lms pizolectriques minces que nous allons tudier.
1.2. Oscillateurs stabiliss par rsonateurs ondes lastiques 21
1.2.2.1 Rsonateur quartz
Principe et fabrication
Comme son nom lindique, un rsonateur quartz est fond sur lutilisation du
quartz, cristal pizolectrique, pour permettre lexcitation dondes lastiques. Le
quartz nest pas le seul minral a possder des proprits pizolectriques, et pourtant
il est le seul minral tre utiliser autant dans le monde de lhorlogerie car il possde
des proprits mcaniques trs stables au cours du temps. Les rsonateurs quartz
sont constitus dune lame de matriau pizolectrique prise entre deux lectrodes
comme le prsente la gure 1.12.
pizolectrique
Lame
U
i
Figure 1.12 Schma de principe dun rsonateur quartz
Sous laction dune tension alternative U, la lame vibre la mme frquence.
Comme tout systme mcanique, la lame possde des frquences de vibrations propres.
Au voisinage de la frquence de rsonance propre de la lame, limpdance du diple
subit des variations importantes, en module et en phase. Ces rsonateurs sont ainsi
sensibles aux vibrations, une bonne suspension du cristal dans le boitier est donc
indispensable.
La fabrication de rsonateurs de hautes qualits passe dabord par le choix du ma-
triau. En eet, un quartz sans dfauts est prfr. Pour ce faire, lutilisation de
quartz synthtique est une solution bon march. En eet, le quartz synthtique ore
lavantage dtre pur et exempt de dfauts mcaniques (du type dislocation), sou-
vent prsents dans les cristaux naturels. Nanmoins, il est indispensable de possder
du cristal de quartz naturel pour pouvoir en faire la synthse. La fabrication de
quartz synthtique reproduit les conditions naturelles ayant permis la croissance des
cristaux de roche. Les lments suivants doivent tre combins pour que la cristal-
lisation sopre : de leau additionne dlments basiques ou acides pour dissoudre
les lments minraux qui lentourent, de fortes tempratures (de lordre de 350)
et de fortes pressions (allant jusqu 1500 kg/cm
2
). La vitesse de croissance est de
22 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
quelques diximes de millimtre par jour et par face. Le cristal crot paralllement
laxe cristallographique Z. Une fois le cristal conu, il est tranch laide dune
scie selon des angles de coupe dnis par lutilisateur suivant lapplication desti-
ne. En eet, le quartz tant un matriau anisotrope, ses proprits mcaniques
et lectriques vont varier suivant lorientation considre dans le cristal. Les dif-
frentes coupes de ce cristal se divisent en deux grandes catgories : les coupes
double rotation et simple rotation (cf. annexe A). Par exemple, les coupes AT,
BT ( simple rotation) et IT ( double rotation) sont des coupes compenses en
temprature, cest dire que dans ces orientations, le matriau est moins sensible
la temprature, sa gomtrie est plus stable. Dautres coupes existent galement
avec des particularits direntes. Les paisseurs de ces plaquettes ainsi dcoupes
sont standardise classiquement une paisseur de 350 m ou 500 m. Ensuite, un
contrle de langle de coupe de ses tranches est ralis et un premier tri seectue.
Comme nous lavons vu prcdemment, la frquence de rsonance du rsonateur
quartz est dnie par lpaisseur de la plaquette. Ainsi, ltape suivante correspond
la dnition de lpaisseur du substrat par un amincissement mcanique par rodage
et polissage. Aprs cette tape cruciale, des lectrodes mtalliques sont dposes de
part et dautre de la plaquette an de pouvoir exciter le matriau. Le dispositif est
ensuite encapsul dans un botier an de lisoler du monde extrieur puis reli
llectronique damplication. Lors de leur mise en botier, les cristaux de quartz
doivent tre maintenus mcaniquement sans que cela perturbe les vibrations comme
le prsente la gure 1.13. Enn la frquence de loscillateur est rgle nement de
faon lectrique (avec lajout dune capacit variable). Sa stabilit en frquence, sa
consommation et sa drive thermique sont alors mesures. Nous allons tudi ces
caractrisations dans le paragraphe suivant.
Figure 1.13 Image dun rsonateur quartz avant encapsulation
1.2. Oscillateurs stabiliss par rsonateurs ondes lastiques 23
tat de lart
An dtablir ltat de lart des principaux types doscillateurs rsonateur quartz,
nous allons nous appuyer sur les donnes constructeurs de la socit Nihon Dempa
Kogyo [16]. Nous rsumons dans le tableau 1.1 quelques caractristiques des princi-
paux types doscillateurs base de quartz vendus par cette socit. Nous rappelons
rapidement les fonctions de ses diverses versions doscillateurs. Les oscillateurs
quartz simple dits en anglais XO (X-crystal Oscillator) car ils ne possdent pas
de systme de contrle en temprature de la frquence doscillation, les oscillateurs
contrls en tension dits VCXO (Voltage Controlled X-crystal Oscillator) permet-
tant de faire varier la frquence doscillation via une capacit variable en jouant sur
la tension dentre de cette dernire, les oscillateurs compenss en temprature dits
TCXO (Temperature Compensated X-crystal Oscillator) utilisant une compensa-
tion analogique avec une capacit variable place en srie ou en parallle avec
le rsonateur associ un capteur de temprature et les oscillateurs thermostats
dits OCXO (Oven Controlled X-crystal Oscillator) dont lobjectif est de maintenir
loscillateur une temprature xe.
Structure XO VCXO TCXO OCXO
Frquence (MHz) 1,5 80 2 185 10 150 10 40
Drive thermique (ppm) 50 100 50 0,5 2,5 0,01 0,3
(-40 +85) (-40 +85) (-30 +75) (10 +75)
Consommation (mW) 10 30 33 330 4 480 1000 1400
Prix (AC) [17] 3 (CMS) 30 (CMS) 3 (CMS) 120 (traversant)
Table 1.1 Synthse de quelques caractristiques des principaux types doscillateurs base de
quartz [16]
Ces oscillateurs fonctionnent des frquences doscillation infrieures 200 MHz.
Nous remarquons que les oscillateurs sans compensation en temprature possdent
une drive thermique relativement leve de (50 ppm) compare celles des TCXO
ou OCXO pouvant descendre jusqu 0,01 ppm. Nanmoins, cette stabilit en fr-
quence en fonction de la temprature se paye par une augmentation de la consom-
mation du dispositif.
Concernant la taille de ces oscillateurs, nous allons prendre pour exemple les tailles
minimale et maximale des oscillateurs quartz de la socit Epson Toyocom [18].
Nous trouvons des oscillateurs de taille (2x1,6x0,73 mm) pour le plus petit et
24 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
(14x9,8x4,7 mm) pour le plus volumineux. La taille du boitier dpend essentielle-
ment de la version doscillateur fabrique. En eet, un XO demande une lectronique
plus simple quun oscillateur compens en temprature.
Dans ce paragraphe, nous avons prsent les oscillateurs quartz avec leur tech-
nologie de fabrication mature, industrialisable ( bas cot) et fonctionnant des
frquences en-dessous de la centaine de mgahertz car la frquence doscillation est
limite par lpaisseur du matriau rsonant. Ce composant nest pas intgrable sur
silicium facilement, obligeant une encapsulation pour lintroduire dans des systmes
micro-lectroniques base de ce matriau. An de concurrencer ces oscillateurs
quartz, il faut une technologie permettant la fabrication doscillateur intgrable sur
silicium encore moins coteuse avec des caractristiques lectriques quivalentes et
une frquence doscillation dpassant la centaine de mgahertz. Vient ainsi une nou-
velle technologie utilisant, comme pour les rsonateurs quartz, les ondes de volume
gnres dans un matriau pizolectrique dpaisseur infrieure au micron.
1.2.2.2 Rsonateurs lms minces
Dnition et fabrication
Comme nous lavons vu dans ltude des rsonateurs quartz, la frquence dos-
cillation est limite par lpaisseur du substrat pizolectrique. Lobjectif de cette
nouvelle tude est de russir trouver un concept permettant lexcitation dune
plaque pizolectrique dpaisseur dnie, de lordre du micron voire infrieure, an
de gnrer des ondes lastiques de volume hautes frquences.
En 1980, Lakin [19], mais aussi Grudkowski [20], eurent lide de proter de dvelop-
pements technologiques dont bnciait la micro-lectronique pour les appliquer
llectro-acoustique. Beaucoup dtudes ont en eet t menes dans le domaine des
dpts de couches minces et dans les techniques dusinage et de dopage du silicium.
Llectronique voluant, les composants de traitement du signal (ltres, lignes re-
tard) et les rsonateurs pour sources de frquence se devaient galement dvoluer.
Les auteurs susmentionns proposent de dposer une couche mince pizolectrique
sur un substrat de silicium qui sera ensuite usin [21]. Dj lpoque, cette solution
semble prometteuse en terme dintgration de tels dispositifs sur les circuits lectro-
niques ddis, malgr les nombreuses dicults techniques surmonter.
Direntes congurations sont rapidement tudies et trois structures rsonantes,
prsentant chacune leurs avantages et leurs inconvnients, voient le jour. Nous pour-
rons ainsi distinguer les rsonateurs lms minces (en anglais FBAR, Thin Film
Bulk Acoustic Resonators , appels encore TFR pour Thin Film Resonator ),
1.2. Oscillateurs stabiliss par rsonateurs ondes lastiques 25
les rsonateurs sur miroirs de Bragg (en anglais SMR, Solidly Mounted Resona-
tors) et les rsonateurs composites modes harmoniques levs (en anglais HBAR,
High-overtone Bulk Acoustic Resonator). Nous prsentons les schmas de principe
de chacun dentre eux sur les gures 1.14, 1.15 et 1.16.
SiO
2
SiO
2
p+ p+ p+ p+ p+ p+ p+ p+ p+
ZnO
Si Si
Si dop
Al
Figure 1.14 Schma de principe de lun des premiers FBAR [21]
Les rsonateurs FBAR ont pour objectif de poursuivre les tudes menes sur les
rsonateurs quartz, notamment lexcitation de couches pizolectriques trs nes
en-dessous du micron an de fabriquer des rsonateurs hautes frquences. Deux
principaux concepts ont l labors. Le premier est compos dun substrat massif
grav ponctuellement sur toute son paisseur et sur lequel une couche pizolectrique
dpose forme une membrane auto-suspendue. Un second, prsent en gure 1.14
dvelopp par Lakin et al. en 1987 [21] repose sur une couche pizolectrique dpose
sur un substrat massif (tel que du silicium) dop en surface dont la zone de dopage
sert de couche darrt la gravure ponctuelle du silicium. Cette solution permet
de rigidier la structure en la faisant reposer sur une membrane servant galement
dlectrode infrieure. Bien que de nature composite et asymtrique selon lpais-
seur, les conditions aux limites lectriques ne permettent que de gnrer des modes
harmoniques impairs.
Les rsonateurs SMR ont t dvelopps par Lakin et al. en 1995 et correspondent
un autre type de rsonateur lm mince (gure 1.15).
1
2
Z
Z
Z
1
2
Z
1
2 3
lectrodes
Z
Z
Z
pizolectrique
lectrodes pizolectrique
substrat substrat
Figure 1.15 Schma de principe de deux concepts de SMR
26 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
La membrane des FBAR est remplace par une alternance de couches quart
dondes de faibles et hautes impdances acoustiques [22]. Ces couches agissent alors
comme un miroir de Bragg, londe tant en partie rchie chaque interface du
fait du fort contraste dimpdance (comme propos par Newell [23]). Le nombre de
couches quart dondes ncessaire une rexion quasi-totale de londe dpend de leur
direntiel dimpdance acoustique. Ainsi la structure est nettement plus rigide et
permet dliminer les modes de plaque prsents dans les membranes pizolectriques
des FBAR. De plus, les couches quart dondes autorisent galement le couplage
longitudinal entre rsonateurs. Dirents rsonateurs peuvent ainsi tre superposs
et coupls an de constituer un ltre CRF (Coupled Resonator Filter) [24].
Substrat
Pizolectrique
Electrodes
Figure 1.16 Schma de principe dun rsonateur HBAR
Les rsonateurs HBAR (gure 1.16) sont des structures composites constitues
dune couche mince pizolectrique et dlectrodes dposes sur un substrat mas-
sif, dveloppes depuis les annes 80 [25]. La couche mince est employe davantage
comme transducteur et le substrat support comme milieu de propagation et cavit
rsonante. Ainsi, lpaisseur prise en compte pour le calcul de la frquence du mode
fondamental est celle du substrat support ajoute celle de la couche pizolectrique.
Cette paisseur tant de plusieurs centaines de microns, la frquence du mode fon-
damental sera relativement faible. Ainsi, les harmoniques sont utiliss car ils sont
dordre lev dautant plus que contrairement aux FBAR et aux SMR les conditions
aux limites lectriques des HBAR permettent aux harmoniques pairs aussi bien qu
impairs dtre exploits.
tat de lart
Nous allons dnir quelques caractristiques des rsonateurs FBAR, SMR et HBAR.
Toutes ces structures de rsonateurs prsentes prcdemment utilisent une couche
pizolectrique dpose. Nous proposerons galement quelques rsultats de rsona-
1.2. Oscillateurs stabiliss par rsonateurs ondes lastiques 27
teurs FBAR et HBAR dont la couche pizolectrique monocristalline est ralise par
des techniques damincissement mcanique.
Tout dabord, concernant les rsonateurs FBAR, une tude a t ralise dans les
annes 80 par Lakin et al. sur les consquences de lorientation et de la nature de la
couche pizolectrique dpose sur les caractristiques dun rsonateur FBAR [26].
En eet, que ce soit pour du nitrure daluminium (AlN) ou de loxyde de zinc (ZnO),
les auteurs ont dpos des couches orientes selon laxe Z, avec laxe optique normal
la surface de dpt, permettant dexciter des modes longitudinaux et des couches
inclines an de gnrer des ondes de volume transverses (en anglais shear). Ensuite,
Lakin et al. ont tudi linuence de la nature du matriau pizolectrique dpos
sur les caractristiques du rsonateur [26] dont les rsultats sont proposs dans le
tableau 1.2 avec Q correspondant au facteur de qualit et CTF pour Coecient de
Temprature de la Frquence . Les expriences ont t menes sur les deux topo-
logies de rsonateurs FBAR dcrites plus haut, soit une membrane auto-suspendue
(le matriau massif a t grav sur toute son paisseur) et une membrane constitue
dun lm pizolectrique et de llectrode compose dune couche de silicium dop.
Matriaux Mode Frquence de Q Couplage CTF
du rsonateur excit rsonance (MHz) (%) (ppm/)
ZnO/Si longitudinal 500 >9000 5,5 -31
ZnO/Si transverse 290 >4600 3 -20
ZnO longitudinal 600 >1000 24 -62
ZnO transverse 400 >1500 17 -36
AlN/Si longitudinal 330 >7500 2,5 -1
AlN longitudinal 790 >1200 10,5 -20
Table 1.2 Rsultats obtenus par Lakin et al. sur direntes topologies de FBAR [26]
Il sest avr que lAlN permettait dexciter des modes plus hautes frquences
que le ZnO. En eet, la vitesse de phase du mode longitudinal est de 11600 m/s
pour lAlN contre 6300 m.s
1
pour le ZnO. De plus, le nitrure daluminium permet
dattnuer la drive thermique condition que le matriau soit de faon approprie
dpos [27] (bien que lexprience nest depuis pu t reproduite). La rsonance ob-
tenue par des rsonateurs membranes auto-suspendues est de moins bonne qualit
que celle gnre par des rsonateurs membranes composites avec des facteurs de
qualit pouvant atteindre les 9000 500 MHz. Nanmoins, dans ces structures
membranes composites, le coecient de couplage lectromcanique est nettement
diminu mais reste susant (au-del du pourcent) pour la synthse de ltres pour
les tlphones cellulaires par exemple. Une autre solution technologique pour la fa-
28 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
brication des FBAR consiste reporter un substrat pizolectrique monolithique
sur un autre substrat avant de laner mcaniquement [28]. Lobjectif est de conser-
ver les proprits intrinsques au matriau an dobtenir entre autre, des meilleurs
coecients de couplage lectromcanique (jusqu 20% pour le mode fondamental
avec une couche pizolectrique en niobate de lithium) [29]. Les premiers oscilla-
teurs utilisant la technologie des ondes de volume ont t dvelopps dans les annes
2000 pour des applications hautes frquences et faibles consommations telles que
les rseaux maills de capteurs pour lesquels une miniaturisation est recherche. En
2002, Otis publie pour cette application un oscillateur base de rsonateur FBAR
qui fonctionne vers 2 GHz et consomme 300 W sous 1 V [30]. Cette approche est
galement utilise pour concevoir des oscillateurs commands en tension. Dans cette
application, la capacit dajustement de la frquence est optimise. Dans ce contexte,
stmann propose dintgrer le rsonateur FBAR directement sur le substrat de sili-
cium (matriau du circuit intgr) et atteint une capacit dajustement en frquence
de 37 MHz autour de 2,1 GHz [31].
Les rsonateurs SMR trouvent de nombreuses applications hautes frquences : en
commenant par la fabrication de rsonateurs SMR aux alentours de 2 GHz [32],
aux ltres 8 GHz [33]. Des rsonateurs SMR avec une couche pizolectrique en
Aln ont permis datteindre une frquence de rsonance de 7,4 GHz avec des fac-
teurs de qualit de 400 600 et des coecients de couplage lectromcanique de
4 5,5% ont t galement labors [34]. Pour la fabrication doscillateurs stables
en frquence, Vanhelmont a conu un rsonateur ondes de volume sur miroir de
Bragg 1,9 GHz compens en temprature [35]. Lutilisation dun miroir de Bragg
compos de silice contribue de faon non ngligeable la rduction de la drive en
temprature.
Enn, les rsonateurs HBAR comme les rsonateurs SMR ont permis la monte
en frquence tout en gardant un dispositif robuste. Ds le dbut des annes 1980,
Moore et al. propose un rsonateur HBAR compos dun substrat de saphir sur le-
quel a t dpose une couche pizolectrique de ZnO avec un facteur de qualit de
7000 plus de 7,6 GHz [25]. Depuis, un rel intrt a t port aux HBAR pour
la conception doscillateur UHF (Ultra Haute Frquence) et micro-ondes faible
bruit [36, 37, 38]. Le rsonateur HBAR fournit ainsi une solution intressante pour
la conception de sources haute frquence. De plus, la monte en frquence est plus
vidente quavec les solutions prcdemment dcrites et permet datteindre de hauts
facteurs de qualit haute frquence.
1.2. Oscillateurs stabiliss par rsonateurs ondes lastiques 29
Ainsi, les rsonateurs ondes de volume lms minces sont fonds sur le mme
principe que le rsonateur quartz mais prsentent lavantage de fonctionner dans
une gamme de frquence allant de 1,5 GHz 8 GHz. Plusieurs concepts de rsona-
teurs ondes de volume ont t prsents avec chacun leurs avantages, tant lors de
la fabrication que de la caractrisation. Il reste encore une approche fonde sur les
ondes lastiques de surface trs employe pour la fabrication de rsonateurs hautes
frquences, nomme en anglais SAW pour Surface Acoustic Wave . Nous allons
aborder cette technique travers les oscillateurs rsonateurs ondes de surface
dans le paragraphe suivant.
1.2.3 Rsonateurs ondes de surface
1.2.3.1 Dnition et fabrication
Lhistoire des dispositifs ondes de surface prend forme en 1965 avec linvention
du peigne inter-digit sur quartz par White et Voltmer [39]. En eet, ils montrent la
possibilit de gnrer directement des ondes de surface sur matriau pizolectrique
en excitant lectriquement un transducteur en forme de peignes inter-digits dposs
la surface du substrat comme prsent sur la gure 1.17.
Figure 1.17 Principe dune ligne retard ondes lastiques de surface selon White et Voltmer
[39]
Si leur premier dispositif tait base de quartz, dautres substrats ont t ex-
ploits depuis : niobate de lithium, tantalate de lithium, langasite entre autres ou
mme des substrats multicouches comme de loxyde de zinc sur silicium ou du ni-
trure daluminium sur diamant ou saphir par exemple. Le choix du substrat est dict
par les applications vises, gnralement le besoin dun fort facteur de qualit, dun
30 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
fort couplage pizolectrique ou dun comportement en temprature donn. Nous
trouvons sur le march deux principaux dispositifs utilisant les ondes de surface : les
ltres, rsonateurs et capteurs SAW.
Un rsonateur SAW peut prsenter un ou deux ports. Un rsonateur SAW simple
port est compos dun seul transducteur peignes inter-digits (en anglais Interdi-
gital Transducer dit IDT) avec des recteurs de part et dautre de celui-ci comme
prsent en gure 1.18(a). Aprs avoir t gnr par lIDT, londe de surface est
conne entre les deux recteurs an de former une onde de surface stationnaire en-
gendrant une rsonance fort facteur de qualit. Un rsonateur SAW double port
prsent en gure 1.18(b) est constitu dune paire dIDTs borne par une paire de
recteurs permettant lobtention dune rsonance fort facteur de qualit comme
pour un rsonateur avec un port. Comme un rsonateur deux ports est un ltre
passe bande pouvant prsenter une bande troite et de faibles pertes dinsertion, il
convient bien la fabrication doscillateur.
SUBSTRAT PIEZOELECTRIQUE
IDT REF. REF.
IN
OUT
(a)
IN
OUT
REF. IDT IDT REF.
SUBSTRAT PIEZOELECTRIQUE
(b)
Figure 1.18 Schmas de principe de rsonateurs SAW, (a) simple port et (b) double port
La frquence doscillation () des rsonateurs SAW est xe au premier ordre
par la longueur donde (landa) de lIDT (dpendant de lcartement entre les di-
rents peignes du transducteur) et la vitesse de phase (c) de londe lastique excite,
dpendant de la nature du matriau par la relation suivante :
=
c

(1.25)
Les peignes sont construits suivant les techniques classiques de la microlectronique.
Il existe deux faons de raliser les peignes. La premire consiste dposer sous vide
une couche homogne et uniforme de mtal (gnralement de laluminium) sur le
cristal pizolectrique, que lon recouvre dune rsine photosensible. Cette dernire
est ensuite insole avec une lumire ultraviolette au travers dun masque transparent
qui reproduit en sombre la photographie des lectrodes. Les parties insoles sont alors
1.2. Oscillateurs stabiliss par rsonateurs ondes lastiques 31
dissoutes dans un bain rvlateur (base) et le mtal ainsi mis nu est limin par
une attaque chimique ou ionique. Il sagit alors de la mthode par gravure directe.
La seconde technique, galement trs souvent employe, consiste raliser dabord
un masque en rsine sur le substrat pizolectrique destin masquer les zones
qui ne devront pas tre mtallises. Le substrat est ensuite mtallis sur toute sa
surface et les zones recouvertes par la rsine sont dissoutes dans un solvant. Il ne
reste alors que les parties mtalliques dposes directement que le substrat, cette
mthode porte le nom de lift-o . Ces deux techniques dutilisation, trs souples,
permettent de raliser des peignes dont la distance et la largeur des doigts sont
variables et dlement reproduite.
1.2.3.2 tat de lart
Comme nous lavons vu prcdemment, la frquence de rsonance des rsona-
teurs SAW dpend entre autre de la priodicit du transducteur. Pour monter en
frquence, il faut diminuer cet cartement. Cependant, la fabrication de ces disposi-
tifs pour des frquences suprieures 3 GHz, en considrant une vitesse de phase de
lordre de 3000 5000 m.s
1
, prsente dimportantes dicults technologiques, tant
donne la trs grande sensibilit aux dfauts du transducteur peignes inter-digits
tels que les courts-circuits. Pour obtenir des dispositifs dont la frquence de travail
serait suprieure 3 GHz, il faudrait tre capable de fabriquer des peignes dont la
priode serait infrieure au micron. Cependant, en photolithographie classique, il est
dicile de raliser de tels dispositifs moins de diposer dquipements appropris
mais trs coteux.
Nous trouvons plusieurs leaders sur le march des dispositifs SAW, notamment EP-
COS, Fujitsu, Triquint et Murata. Ces fournisseurs fabriquent entre autres des r-
sonateurs aux alentours de 433 MHz correspondant la bande de frquences ISM
(industriel, scientique et mdical) utilise essentiellement pour des liaisons domes-
tiques faible performances ou dbit, en particulier les tlcommandes de voiture
ou de portails, les thermomtres dextrieurs, les modems radio, les portiers vido
sans l, les alarmes sans l, les baby phone, des jouets, etc. Par exemple, EPCOS
propose des rsonateurs SAW dans une gamme de frquences allant de 315 MHz
1,2 GHz. En 2009, cette socit a mis en uvre des nouveaux rsonateurs SAW avec
une rduction de la tolrance sur la frquence centrale de plus de 50%, soit 25 kHz
433,92 MHz. Ces composants utilisent un substrat en quartz mont hermtique-
ment dans un botier cramique de format 3 x 3 mm
2
. La temprature dutilisation
pour laquelle les caractristiques sont garanties se situe entre 45 et +125. Les
premiers rsonateurs de ces sries appels R990 (433,92 MHz) et R991 (315 MHz)
32 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
sont conus pour des metteurs sans l de prcision, pour des systmes de gestion
de la pression des pneus (TPMS) ainsi que pour toutes autres applications dans les
bandes de frquence ISM. La sensibilit des rcepteurs sen trouve augmente et les
interfrences rduites [40]. Ces rsonateurs SAW sont vendus un prix unitaire de
deux euros.
Nous reviendrons dans le chapitre 2 sur cette technologie pour tablir une comparai-
son entre les dispositifs SAW et notre nouveau concept. Ainsi, les rsonateurs SAW
sont classiquement disponibles sur le march pour des applications RF (50 MHz -
2,5 GHz) et principalement utiliss dans le domaine des tlcommunications sans
ls.
1.3 Conclusion
Ce chapitre a permis de prsenter le contexte et les enjeux de cette thse. Nous
avons tabli, dans un premier temps, quelques notions sur les oscillateurs lectriques
et not diverses applications de ceux-ci, en soulignant lapplication tlphonie mobile
o cinq oscillateurs stabiliss par rsonateurs quartz sont ncessaires pour lI-phone
par exemple. En outre, nous avons dni certaines caractristiques des oscillateurs
et plus particulirement leur stabilit en frquence ainsi que leur bruit de phase au
voisinage de la frquence doscillation.
Dans un second temps, nous avons tudi direntes technologies fondes sur la
propagation dondes lastiques pour la conception de rsonateurs. Nous avons re-
marqu que loscillateur quartz, protant de la conance des concepteurs compte
tenu de sa maturit et ses qualits remarquables, est lheure actuelle le compo-
sant de rfrence dans les applications doscillateurs RF. La stabilit thermique dun
rsonateur quartz est assure lors de sa conception soit par le choix de la coupe
cristallographique du matriau directement, soit par une compensation lectronique
bien matrise assurant un cot de conception rduit. Nanmoins, ce composant est
limit en frquence (en-dessous de 300 MHz) et reste dicilement intgrable sur
silicium. Les rsonateurs ondes lastiques de surface (SAW) permettent de monter
en frquence au-del de 2 GHz mais ncessite galement une hybridation des sys-
tmes, mme si certaines tudes montrent la possibilit de les marier au silicium. Les
dispositifs SAW sont trs utiliss notamment dans les tlcommunications sans l
pour la conception de ltres et de rsonateurs frquences intermdiaires et RF. En
eet, les composants ondes lastiques de surface dominent le march du ltrage
RF. Ils ont longtemps t prsents comme concurrent des dispositifs ondes de
volume (BAW) mais apparaissent de nos jours comme complmentaire. Cette ten-
1.3. Conclusion 33
dance est vrie par les fabricants de dispositifs SAW qui aujourdhui dveloppent
et commercialisent des fonctions ltrages base de SAW et BAW.
Nous avons enn prsent trois concepts dirents de rsonateurs ondes de volume
haute frquence sur lms minces. Le rsonateur HBAR, suivi du rsonateur SMR,
sont les plus simples fabriquer. Nanmoins, le rsonateur FBAR possde des ca-
ractristiques plus avantageuses que les prcdents, principalement un coecient de
couplage lectromcanique de 7 (AlN) 20% (LiNbO
3
) compars au 5% maximum
des rsonateurs HBAR. Les dispositifs BAW permettent ainsi de monter encore en
frquence et de dpasser les 5 GHz et sont intgrables sur silicium.
Maintenant que nous avons runi les lments pour comprendre et dnir un nou-
veau concept doscillateur, nous allons dans le chapitre suivant nous centrer sur le
concept de rsonateur ondes lastiques gnres par un transducteur domaines
ferrolectriques alterns que nous utiliserons par la suite.
34 Chapitre 1. Rsonateurs employs pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences
Chapitre 2
Nouveau concept de rsonateur
ondes lastiques
Ce chapitre se compose en deux parties. La premire dcrit lessentiel des propri-
ts des matriaux ferrolectriques avec une attention particulire porte sur linver-
sion de domaines ferrolectriques. Nous prsenterons les mcanismes de formation
des domaines qui nous serviront de base pour raliser et interprter une inversion de
domaines ferrolectriques. Nous tudierons direntes techniques dinversion et plus
particulirement linversion par champ lectrique. Aprs avoir expliqu la cintique
de linversion par champ lectrique, nous paramtrerons limpulsion lectrique an
de concevoir des Transducteurs Polariss Priodiquement (TPP) sur niobate et tan-
talate de lithium, lment clef du nouveau rsonateur acoustique.
La seconde partie utilise les connaissances exposes dans la premire partie, pour
concevoir et dcrire la conception du nouveau rsonateur. Nous proposerons gale-
ment un tat de lart prcis autour de ce nouveau concept an de bien dnir la
technologie et les principes mis en uvre. Nous poursuivrons par une comparaison
entre les principes dexcitation des rsonateurs ondes de surface (ROS) base de
transducteurs peignes inter-digits et du nouveau rsonateur utilisant un principe
de transduction domaines ferrolectriques alterns priodiquement. Enn, nous
tablirons une tude des retombes scientiques et du march industriel autour de
ce dispositif innovant.
35
36 Chapitre 2. Nouveau concept de rsonateur ondes lastiques
2.1 La ferrolectricit
2.1.1 Introduction la ferrolectricit
2.1.1.1 Bref historique
Le premier compos ferrolectrique NaKC
4
H
4
O
6
-4H
2
O connu sous le nom de sel
de Rochelle ou sel de Seignette a t fabriqu dans une pharmacie en 1655 par le
docteur Seignette pour ses pouvoirs purgatifs. Ce nest quen 1920 que Valasek met
en vidence les proprits ferrolectriques de ce corps. En 1935, la ferrolectricit
retrouve un second soue avec la dcouverte de toute la famille base de dihydro-
gnes de phosphates et darsenates et en particulier le dihydrogno-phosphate de
potassium, KH
2
PO
4
(KDP). Par ailleurs, la structure de ces corps tant plus simple
que celle du sel de Rochelle, les tout premiers modles microscopiques de ces corps
ont pu tre dvelopps. Cest ainsi que le modle de Slater, fond sur la prsence de
liaisons hydrogne (origine de la ferrolectricit) est propos ds 1941. Ce modle est
trs rapidement abandonn aprs la dcouverte du titanate de baryum (BaTiO
3
) par
Wul et Goldman qui montrent ainsi, que la liaison hydrogne nest pas une condition
ncessaire lapparition de la ferrolectricit [41]. La dcouverte de loxyde ferro-
lectrique BaTiO
3
est particulirement importante car cest le premier compos de
la famille trs nombreuse des provskites ferrolectriques. Ces matriaux ont permis
le dveloppement de la thorie de la ferrolectricit.
2.1.1.2 Dnition
Un matriau est dit ferrolectrique lorsquil possde, dans une certaine gamme
de temprature et en labsence de champ lectrique appliqu, une polarisation spon-
tane stable selon une ou plusieurs directions et dont lorientation peut tre inverse
[42]. Une dnition plus gnrale existe, englobant les ferrolectriques, les ferroma-
gntiques et les ferrolastiques, o respectivement la polarisation, laimantation et
la dformation sont des grandeurs caractristiques du matriau, possdant au moins
deux tats distincts pour lesquels lapplication dun champ externe, lectrique, ma-
gntique, ou de contrainte, permet de passer de lun lautre. On parle alors de
matriaux ferroques.
Ainsi, la polarisation spontane (P
s
) est la grandeur macroscopique mesurable et
caractristique dun matriau ferrolectrique. Dun point de vue microscopique, la
polarisation spontane nait dun moment dipolaire form par la dlocalisation du
barycentre des charges positives et ngatives de la maille cristalline.
2.1. La ferrolectricit 37
Prenons lexemple du BaTiO
3
dont sa maille est prsente en gure 2.1.
(a) (b)
Figure 2.1 Schma de la maille cristalline de loxyde ferrolectrique de titanate de baryum
(BaTiO
3
) de type provskite, (a) moment dipolaire positif et (b) moment dipolaire ngatif
Un ion mtallique, Ti, est insr dans un octadre doxygne allong dans une
certaine direction (selon laxe de la polarisation spontane sur le schma). Cette
dformation conduit un positionnement de lion mtallique lgrement dcal par
rapport au centre de loctadre. Ceci entrane lapparition dun moment dipolaire
lectrique dans la maille cristalline puisque le barycentre des charges ngatives in-
duites par les atomes doxygne nest plus confondu avec lion mtallique, porteur
des charges positives. En basculant dune position lgrement au-dessus lgre-
ment en-dessous du centre de loctadre doxygne, lion mtallique induit un mo-
ment dipolaire tantt positif (gure 2.1(a)) tantt ngatif (gure 2.1(b)). Les atomes
encadrants la maille cristalline sont, dans les cas des provskites, galement des ions
mtalliques (dans notre cas des ions Ba), mais leur participation au moment dipo-
laire est moindre que celle de Titanate.
Dans le cas du niobate ou du tantalate de lithium, la structure est lgrement plus
complexe. En eet, elle nest plus cubique, mais rhombodrique. Malgr tout, nous
retrouvons la mme corrlation entre les ions mtalliques et la prsence des oxy-
gnes. Pour information, la polarisation spontane du niobate de lithium est gale
78 C/cm
2
[43, 44] et celle du tantalate gale 55 C/cm
2
[45]. De plus, ces
matriaux sont unipolaire au sens de la ferrolectricit dont laxe de polarisation est
laxe Z.
En outre, la polarisation spontane est fonction de la temprature. En eet, la
temprature de Curie Tc (dpendant du matriau), la polarisation spontane du ma-
triau sannule et ainsi, le matriau perd ses proprits ferrolectriques. Par exemple,
la temprature de Curie du niobate est de 1210 alors que celle du tantalate est
de 610 .
Nous allons maintenant nous intresser aux matriaux ferrolectriques et leurs
particularits.
38 Chapitre 2. Nouveau concept de rsonateur ondes lastiques
2.1.1.3 Les matriaux ferrolectriques et leurs particularits
Classication des matriaux ferrolectriques
On distingue deux grandes familles doxydes ferrolectriques, provskite et aurivil-
lius, auxquelles sajoutent une quantit dautres familles secondaires.
La plus connue et la plus tudie est la famille des provskites (nom tir du minerai
provskite CaTiO
3
). Un lment typique est le BaTiO
3
, pour lequel les premires
tudes remontent aux annes 1950. Cet oxyde a servi de rfrence pour la compr-
hension des principe de ferrolectricit [46]. Un autre matriau connu est le PZT,
intensivement utilis pour ses proprits pizolectriques. Les matriaux provskites
sont reconnaissables leur composition gnrique ABO
3
, avec A et B des cations.
La seconde grande famille concerne les ferrolectriques de la phase dite Aurivillius
dont le principal reprsentant est le SrBi
2
Ta
2
O
3
(SBT). Ce dernier est trs promet-
teur pou les applications en microlectronique, notamment pour la fabrication de
dispositifs mmoire non volatile [47]. En eet, ces matriaux ne prsentent pas de
phnomne de fatigue au cours des cyclages en polarisation. Ils se caractrisent par
une structure fortement anisotrope, alternant des blocs provskite et des feuillets
doxyde de bismuth [48].
Le niobate de lithium (LiNbO
3
), le tantalate de lithium (LiTaO
3
) et leurs ven-
tuels drivs, forment une famille part, bien quils prsentent la composition des
provskites ABO
3
. En eet, comme le PZT, ils sont tous deux ferrolectriques et
trs utiliss pour leurs proprits pizolectriques mais leur maille cristalline pr-
sente une structure rhombodrique. Ils sont particulirement utiliss sous forme de
monocristaux dans les dispositifs ondes lastiques de surface [49].
Particularits des matriaux ferrolectriques : pyrolectricit et pizolectricit
Le caractre ferrolectrique et toutes les proprits qui en dcoulent naissent de
la dissymtrie structurelle du matriau. Un matriau ferrolectrique est galement
pyrolectrique ( une variation de temprature est associe une variation de pola-
risation lectrique) et pizolectrique ( une contrainte applique est associe une
variation de polarisation lectrique). Ces deux proprits sexpliquent par le lien di-
rect entre la position des atomes dans la maille cristalline et le moment dipolaire
associ. Une variation de temprature entrane une dilatation ou une contraction
thermolastique qui, de mme que lapplication dune contrainte, dforme le mat-
riau. Ainsi, sur lexemple de la gure 2.1, loctadre doxygne subit une dformation
plus importante qui entrane un dplacement de lion mtallique et donc une mo-
dication du moment dipolaire. Il sen suit que leet lectromcanique peut tre
invers : une variation de polarisation, induite par lapplication dune tension, en-
2.1. La ferrolectricit 39
trane une dformation mcanique. Un matriau ferrolectrique est en quelque sorte
un convertisseur lectro-mcanique. Les matriaux ferrolectriques appartiennent
la classe des matriaux pyrolectriques, incluse dans celle des matriaux pizo-
lectriques, elle mme incluse dans la classe des matriaux non centro-symtriques.
Ainsi, il existe des matriaux pizolectriques qui ne sont pas pyrolectriques (cest
le cas du quartz) et des matriaux pyrolectriques qui ne sont pas ferrolectriques.
La gure 2.2 ore une vue schmatise de ces relations.
Figure 2.2 Hirarchisation des classes cristallines
2.1.1.4 Applications
Dans les annes 90, les matriaux ferrolectriques ont t utiliss pour le d-
veloppement de condensateurs [50]. Ces dispositifs sont raliss partir de corps
dilectriques prsentant une permittivit trs leve. Ces dernires annes, de nou-
velles applications de ces matriaux sont apparues dans dirents domaines. En
lectronique, ils sont utiliss pour la fabrication de mmoire. Les plus connus sont
les mmoires non volatiles FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) intgrant
un matriau ferrolectrique pour le stockage de linformation. Compte tenu de leur
faible temps daccs et de leur faible consommation, les mmoires ferrolectriques
FRAM sont surtout dveloppes pour les applications de cartes puces sans contact
physique avec le lecteur [47].
Dans le secteur des nergies renouvelables, ils sont exploits pour faire de la rcup-
ration dnergie. Par exemple, un lm de PZT, riche en zirconium (Zr), dvelopp
par Mischenko et al. montre un eet dit lectrocalorique gant et serait sus-
ceptible de rcuprer lnergie thermique dissipe dans un environnement donn,
via ltablissement dune tension aux bornes du corps ferrolectrique soumis une
variation de temprature [51].
En micro-acoustique, pour leurs proprits pizolectriques, les matriaux ferrolec-
triques trouvent ce titre un grand nombre dapplications. Le niobate de lithium
40 Chapitre 2. Nouveau concept de rsonateur ondes lastiques
est trs pris dans le march des tlcommunications, pour des applications hautes
frquences compte tenu des vitesses de propagation trs leves des ondes excitables
sa surface (jusqu 6500 m.s
1
pour le mode longitudinal [52]). De plus, il prsente
de meilleurs coecients pizolectriques, de couplage lectromcanique et de qualit
mcanique que le quartz [53], le rendant particulirement adapt aux applications
hautes frquences faibles pertes. Le tantalate de lithium est un autre candidat pour
des applications radio-frquences, prsentant une meilleure stabilit en frquence que
le niobate de lithium car ce matriau est moins sensible la temprature. De plus,
la grande partie des ltres RF pour la tlphonie cellulaire est ralise sur tantalate
de lithium laide dondes lastiques de surface [54]. Cest pour ces raisons que nous
allons plus particulirement nous intresser ces matriaux.
2.1.2 Domaines ferrolectriques : inversion par application dun champ
lectrique
2.1.2.1 Introduction et mise en vidence de direntes techniques dinversion
Pour tout matriau ferrolectrique, il existe au moins deux tats stables de po-
larisation, P
s
et +P
s
, dnis par deux puits de potentiel (gure 2.3). On trouve
donc des rgions du matriau pour lesquelles la polarisation se trouve dans lun ou
lautre de ces tats. Nous appelons ces rgions des domaines. Pour des matriaux
ferrolectrique unipolaire, comme le niobate et le tantalate de lithium, linversion de
domaines consiste retourner de 180

(dun point de vue cristallographique) ou de


changer dtat (dun point de vue physique) la polarisation spontane du cristal.
Energie libre
Polarisation
Ps +Ps
Figure 2.3 Reprsentation des deux tats stables dun matriau ferrolectrique unipolaire par
deux puits de potentiel
2.1. La ferrolectricit 41
Pour inverser la polarisation dun matriau ferrolectrique, plusieurs techniques
ont t dveloppes, notamment pour linversion de domaines dans le niobate de
lithium [55].
Une premire technique consiste inverser le cristal ferrolectrique lors de sa crois-
sance avec un dopant [56]. Cette mthode, bien adapte pour orienter la polarisation
dune carotte dans une mme direction, ne convient pas la fabrication de rseaux
priodiquement polariss.
Deux autres techniques dinversion ont t dvelopps, soit lexodiusion de Li
2
O
sur la face Z+ et la diusion de titane sur la face Z+. Ces deux techniques sont
fondes respectivement sur un traitement thermique et sur la diusion datomes et
ncessitent donc des tempratures avoisinant les 900 1200 . Ces tempratures
sont proches de la temprature de Curie de certains matriaux ferrolectriques (par
exemple, la temprature de Curie du niobate de lithium est de 1210 ). Or, au voi-
sinage de cette temprature, la structure cristalline du matriau se dforme et perd
la symtrie qui lui confre ses proprits ferrolectriques (la polarisation sannule)
[57].
Une autre technique dinversion de domaines consiste bombarder lectroniquement
le matriau ferrolectrique laide dun Microscope Balayage Electronique (MEB)
ou dune machine de lithographie lectronique. Cette mthode permet dobtenir une
rsolution de lordre de 5 nm, permettant la cration de domaines priodiquement
alterns de priode 10 nm [55]. Par contre, linversion prend beaucoup de temps, ce
qui limite la gomtrie du dispositif [58, 59]. Or, pour les ondes lastiques guides,
plus le nombre de priodes est grand, plus la signature spectrale est rsolue.
Enn, la technique dinversion de domaines par application dun champ lectrique
est la plus rpandue. Plusieurs voies ont t envisages cette n. Par exemple,
linversion par microscope force atomique (AFM) [60] est utilise gnralement
pour linversion de rseaux priodiques de surface ne dpassant pas le millimtre
carr et pour des paisseurs de matriau ferrolectrique infrieures au micromtre.
Une seconde voie est eectue par impulsion lectrique de haute tension [52]. Cette
technique est celle que nous avons mise en uvre et que nous allons dtailler ci-aprs.
2.1.2.2 Contexte de linversion de domaines par application dun champ lectrique
En 1992, Yamada et al. ont ralis les premiers tests dinversion de domaines ferro-
lectriques sur niobate de lithium par champ lectrique temprature ambiante [61].
Bien que la reproductibilit de leur procd soit faible, leurs rsultats suscitent un vif
intrt. Un programme de recherche est alors lanc au E. L. Ginzton Laboratory de
Stanford et a permis le dveloppement dune technique dinversion de domaines par
42 Chapitre 2. Nouveau concept de rsonateur ondes lastiques
champ lectrique fonde sur la dnition dun masque par photolithographie permet-
tant la matrise de la priode et du rapport cyclique des domaines inverss [43, 62].
Ds lors, de nombreux travaux thoriques et exprimentaux ont dmontr le poten-
tiel de cette technique, notamment dans la ralisation de dispositifs lectro-optiques
et non-linaires. Bien que cette mthode ne permette pas datteindre une rsolution
aussi ne que celle obtenue avec la mthode de bombardement lectronique tant
donn quelle soure dun largissement des domaines en n de croissance qui rend
la matrise de la taille des domaines dicile, elle prsente de nombreux avantages
pour notre application. En eet, la technique dinversion de domaines par applica-
tion dun champ lectrique permet dinverser des domaines ferrolectriques sur de
grandes surfaces et sur toute lpaisseur du matriau. Elle permet galement de tra-
vailler grande chelle , cest--dire sur des plaques de niobate de lithium de 3 ou
4 pouces de diamtre, ce qui correspond respectivement des diamtres de 7,62 cm
et 10,16 cm. De plus, contrairement aux techniques fondes sur la diusion datomes
ou sur un traitement thermique qui peuvent induire une modication des proprits
ferrolectriques du matriau compte tenu des tempratures requises qui sont proches
de la temprature de Curie, linversion de domaines par champ lectrique se ralise
temprature ambiante.
2.1.2.3 Mcanisme de basculement de la polarisation par application dun champ
lectrique
Fixons comme hypothse que le matriau ferrolectrique est unipolaire et que
sa polarisation spontane est xe dans un tat (+P
s
ou P
s
). Lorsquun champ
lectrique susamment intense est appliqu dans la direction oppose sa polarisa-
tion spontane, lion mtallique situ au centre de loctadre doxygne passe dune
position lautre (cf. lexemple de structure provskite du schma gure 2.1). On
appelle ce champ, le champ coercitif, not E
c
.
Une reprsentation qualitative de la ferrolectricit du niobate de lithium (identique
pour le tantalate de lithium), est prsente sur la gure 2.4. Latome de lithium peut
tre lgrement au-dessus ou lgrement en-dessous de son plan doxygne le plus
proche alors que le niobium ou le tantale peuvent tre respectivement lgrement
au-dessus ou lgrement en-dessous du centre de leur octadre doxygne.
2.1. La ferrolectricit 43
Axe de la polarisation
P = Ps P = +Ps
Plan datomes doxygne
Atome Lithium
Atome Niobium (Nb) ou Tantale (Ta)
Figure 2.4 Reprsentation qualitative de la ferrolectricit du niobate de lithium, identique pour
le tantalate de lithium. La polarisation spontane est dtermine par la direction du dplacement
ionique
En thermodynamique, lnergie libre du systme (W
el
) va dpendre de la polari-
sation spontane (P
s
) et du champ lectrique (E) appliqu au matriau par unit
de volume (V ), qui revient crire :
W
el
=

P
s
.E dV. (2.1)
Nous reprsentons, sur la gure 2.5, lvolution de lnergie libre en fonction de la
polarisation et du champ lectrique appliqu.
Energie libre
Polarisation
Ps +Ps
+Ps Ps Ps
+Ps
E = 0 E = Ec/2 E= Ec
Figure 2.5 volution de lnergie libre dune maille ferrolectrique soumis un champ lec-
trique oppos ltat de polarisation initiale. Plus le champ augmente, plus le prol dnergie se
dissymtrise pour favoriser ltat de polarisation oriente dans le sens du champ (ici la polarisation
favorise est P
s
)
44 Chapitre 2. Nouveau concept de rsonateur ondes lastiques
Initialement sans champ lectrique, le cristal prsente deux tats stables de polari-
sation comme vu prcdemment. En appliquant un champ lectrique orient dans le
sens de la polarisation nale voulue (ici P
s
), lnergie libre tend ne former quun
seul puits de potentiel. Lorsque le champ lectrique est susamment important (gal
au champ coercitif), lnergie apporte au systme sut pour que la polarisation sin-
verse et ne forme quun seul puits.
A la polarisation spontane, une contribution linaire avec le champ lectrique peut
tre ajoute. Elle correspond la prise en compte de la constante dilectrique du
matriau. La polarisation rsultante (P) peut sexprimer ainsi comme,
P = P
s
+
0
(
r
1)E. (2.2)
P
s
correspond la polarisation spontane, oriente dans un sens ou lautre de laxe
de polarisation,
r
est la constante dilectrique du matriau et
0
celle du vide. Cette
fonction est reprsente par un cycle dhystrsis [62]. Sur la gure 2.6a, nous repr-
sentons le cycle idal dune maille cristalline. En ralit, le matriau ferrolectrique
possde une capacit ferrolectrique qui donne lieu un cycle tel que prsent sur la
gure 2.6b. Cette hystrsis traduit un phnomne dinversion dans le temps et non
instantane dont la cintique de linversion est prsente dans le paragraphe suivant.
Le cycle dhystrsis met galement en vidence les deux tats stables +P
s
et P
s
du matriau.
Polarisation P
Ec Ec
Ps
Ps
Champ lectrique E
(a)
Polarisation P
Champ lectrique E
Ec
Ps
Ps
Ec
(b)
Figure 2.6 Cycles dhystrsis (a) dune maille cristalline, (b) dun matriau ferrolectrique
Dans les cas du niobate et tantalate de lithium congruents, temprature am-
biante, le champ coercitif E
c
est environ gal 21 kV/mm [45]. En outre, 25, la
polarisation spontane, dtermine par le dplacement relatif de lion mtallique par
rapport aux plans datomes doxygne (cf. gure 2.4), est dirente entre les deux
matriaux. Le niobate de lithium atteint une amplitude de P
s
=75 C/cm
2
alors que
2.1. La ferrolectricit 45
le tantalate de lithium a une polarisation spontane de P
s
=55 C/cm
2
[45]. Les
cycles dhystrsis de ces matriaux sont donns sur les gures suivantes 2.7(a) et
2.7(b).
LiNbO
3
+Ps
Ps
Ec
20
40
60
80
20
40
60
80
10 20 10 20
Polarisation (C/cm)
Champ lectrique appliqu
(kV/mm)
(a)
Ps
+Ps
LiTaO
3
Ec
20
40
60
80
20
40
60
80
10 20 10 20
Polarisation (C/cm)
Champ lectrique appliqu
(kV/mm)
(b)
Figure 2.7 Cycles dhystrsis, (a) du niobate de lithium, (b) du tantalate de lithium [45]
Ainsi, lors dun basculement de domaine ferrolectrique, un dplacement de charges
lintrieur du matriau seectue. Un courant correspondant aux charges transf-
res pour compenser linversion peut alors tre observ qui nous permet de caract-
riser linversion de la polarisation spontane. Cette quantit de charge Q est donne
par lintgrale suivante :
Q =

I
pol
dt = 2P
s
.A, (2.3)
o I
pol
( pol pour poling en anglais) est le courant dinversion et A laire
des domaines inverss. La forme du courant dinversion est lie la manire dont
croissent les domaines. Les direntes tapes de formation des domaines sont expli-
cites dans le paragraphe suivant.
2.1.2.4 Cintique de linversion de domaines ferrolectriques par application dun
champ lectrique
Une description de la cintique de linversion priodique de domaines ferrolec-
triques a t propose par Miller et al. en 1998 [62] et reprise ensuite par Shur en
2006 [63]. Linversion de domaines comporte six tapes : la nuclation des domaines,
la propagation des pointes, la terminaison des pointes (formation des parois), la
coalescence rapide entre les parois (propagation verticale), croissance horizontale
des domaines et enn, la stabilisation des nouveaux domaines. Nous prsentons sur
la gure 2.8, le processus dune inversion priodique de domaines par application
dun champ lectrique.
46 Chapitre 2. Nouveau concept de rsonateur ondes lastiques
Z
X
Y
E E
E
E
E
E
3. Terminaison des pointes sur
la face oppose
2. Propagation des pointes vers
la face oppose
1. Nuclation des domaines aux
bords des lectrodes
6. Stabilisation des nouveaux
domaines
5. Propagation des domaines
sous lisolant (propagation horizontale)
4. Coalescence rapide sous
les lectrodes (propagation verticale)
Ps
Structures isolantes
Figure 2.8 Cintique de linversion de domaines ferrolectriques par application dun champ
lectrique
Ces direntes tapes sont dtailles largement dans la thse dAnthony Martinez
[57]. Ainsi, nous prsentons rapidement ces tapes pour mieux comprendre par la
suite le paramtrage de limpulsion lectrique qui sera gnr pour faire une inversion
priodique de domaines par application dun champ lectrique.
Nuclation des domaines
La premire tape de formation des domaines sappelle la nuclation. Les premiers
germes cristallins ou nuclei prennent naissance sur les sites de nuclation (lieux o
dbute la croissance de chaque domaine). Thoriquement, ils se trouvent sous les
extrmits des lectrodes, car la valeur du champ lectrique est la plus intense due
aux eets de bord (accumulation des charges au bord disopotentielles).
Propagation des pointes
La seconde tape correspond la propagation verticale des nuclei oriente dans le
sens du champ lectrique pour former des pyramides dont la base est hexagonale
[62].
Terminaison des pointes
La troisime tape reprsente la formation des parois verticales des domaines qui
intervient lors du contact des nuclei avec la face oppose du matriau.
2.1. La ferrolectricit 47
Coalescences verticale puis horizontale
Dans un premier temps, aprs la formation des parois, le domaine crot rapidement
selon son axe polaire. Ensuite, le domaine crot latralement (perpendiculairement
laxe polaire) comme prsent sur la gure 2.9. Heureusement, la croissance latrale
est plus lente que la croissance verticale [62].
v
l
v
l
Largeur de llectrode
Lignes de champ dues aux
effets de bord
Champ lectrique intense
V
Largeur du domaine invers
Ps
Figure 2.9 largissement du domaine invers sous lisolant
Stabilisation des domaines inverss
Les nouveaux domaines inverss prsentent encore un champ coercitif intrinsque,
(valant 17,5 kV/mm dans le cas du niobate de lithium [62, 64]) qui va dcrotre
dans le temps (en 28 ms pour le niobate de lithium) jusqu 0 kV/mm. Le champ
lectrique appliqu doit alors tre maintenu (temps de maintien dpendant du mat-
riau ferrolectrique) une valeur gale ou suprieure 17,5 kV/mm pour stabiliser
lorientation des ces nouveaux domaines. Sinon, les domaines inverss retournent
leur tat de polarisation initiale : on dsigne ce phnomne par le terme de backs-
witching (ou rebond en franais) [65].
Maintenant que nous avons introduit le principe de basculement des domaines ferro-
lectriques, ainsi que la cintique de linversion de domaines ferrolectriques par ap-
plication dun champ lectrique, nous allons paramtrer limpulsion lectrique pour
inverser les domaines dans le niobate et le tantalate de lithium, matriaux-clefs pour
notre application (cf. 2.2.1.2).
2.1.2.5 Paramtrage de limpulsion lectrique haute-tension : Cas des niobate et
tantalate de lithium
Limpulsion lectrique ncessaire pour inverser correctement un domaine ferro-
lectrique doit respecter des niveaux de tension bien dnis. En eet, la cintique de
linversion (nuclation, propagation et stabilisation des domaines) doit apparatre
travers limpulsion lectrique. Daprs la thse dEmilie Courjon [52], inspire de
48 Chapitre 2. Nouveau concept de rsonateur ondes lastiques
la thse dAnthony Martinez [57], la forme caractristique de limpulsion lectrique
pour raliser une inversion de domaine dans le niobate ou le tantalate de lithium est
prsente sur la gure 2.10.
t1
0
Stabilisation
Nuclation
Coalescence
t4 t3 t2
Temps
Tension
Emax
Ec
E2
E1
Figure 2.10 Impulsion lectrique gnrale pour linversion de domaines ferrolectriques par
application dun champ lectrique
Nous proposons un tableau pour rcapituler les objectifs et les paramtres (ten-
sion applique, dure de limpulsion) lis chaque phase (tableau 2.1).
Phases Objectifs Tensions appliques [44, 62] Dure
Phase 1 Prparer le matriau avant nuclation E
1
< E
c
30 ms
(t
1
) viter les brusques variations de tension E
1
0, 9E
c
viter les claquages lectriques
Phase 2 Amorcer la nuclation E = E
c
0, 5 kV t
2
= 2t
(t
2
) Propager les domaines verticalement (incertitude sur E
c
) t = (2P
s
A)/I
pol
et horizontalement
Phase 3 Stabiliser les domaines inverss E < E
c
28 ms LiNbO
3
[64]
(t
3
) E > 17, 5 kV/mm 2 s LiTaO
3
[64]
Phase 4 Finaliser linversion E 0 kV 10 ms
(t
4
)
Table 2.1 Rcapitulatif des objectifs et des temporisations des direntes phases de limpulsion
lectrique pour le niobate et le tantalate de lithium
En pratique, la valeur de t
2
est toujours prise suprieure t (typiquement
t
2
2t) car lorsque les domaines slargissent sous lisolant, des charges de pola-
risation spontane sont dposes la surface du matriau, entranant une diminution
du champ lectrique total. La croissance des domaines doit sarrter seule.
2.1. La ferrolectricit 49
Nous paramtrons maintenant cette impulsion pour linversion de la polarit du nio-
bate et du tantalate de lithium. Tout dabord, nous rappelons dans le tableau 2.2
quelques donnes sur ces matriaux an dtablir les tensions et dures ncessaires
des impulsions lectriques.
Matriaux Epaisseur du Congruent ou E
c
P
s
matriau (m) stoechiomtrique (kV/mm) (C/cm
2
)
LiNbO
3
500 Congruent 21 [45] 78 [45]
LiTaO
3
500 Congruent 21 [45] 55 [45]
Table 2.2 Rcapitulatif des caractristiques gomtrique et physique du niobate et tantalate de
lithium
Les impulsions lectriques appliques aux niobate et tantalate du lithium, para-
mtres en fonction de ces matriaux, sont prsentes sur la gure 2.11. Seule la
dure de coalescence reste calculer car elle dpend de laire inverser (dpend du
motif inverser).
t 2
0
Temps (ms)
20 10
11
10,5
10
9,5
Tension
(kV)
10 70
(a)
t 2
0
Temps (ms)
20 10
11
10,5
10
9,5
Tension
(kV)
10 3000
(b)
Figure 2.11 Impulsions lectriques paramtres pour inverser des domaines, (a) dans du niobate
de lithium, (b) dans du tantalate de lithium dpaisseur 500 m
Nous allons maintenant nous servir de ces bases sur la ferrolectricit pour prsen-
ter le nouveau concept de rsonateur acoustique haute-frquence pour la stabilisation
doscillateurs lectriques.
50 Chapitre 2. Nouveau concept de rsonateur ondes lastiques
2.2 Concept du nouveau rsonateur acoustique
2.2.1 Prsentation et tat de lart autour du concept
2.2.1.1 Prsentation du concept
Lide consiste utiliser un guide dondes domaines ferrolectriques distribus
priodiquement ralis sur un substrat ferrolectrique mono-cristallin plac entre
deux substrats de guidage de matriaux mono-cristallins. Londe engendre par le
transducteur sattnue exponentiellement et se propage sans pertes par rayonnement
dans la structure priodique, de faon comparable une onde dinterface [66, 67]
comme illustre sur la gure 2.12.
Figure 2.12 Schma dun guide dondes dinterfaces exploitant un transducteur domaines
ferrolectriques alterns
Lexcitation est eectue grce deux lectrodes en regard, aux interfaces entre
le matriau ferrolectrique et les deux substrats de guidage. Ces interfaces sont
ralises par une technique de report impliquant une couche mtallique et vitant
tout matriau organique susceptible dengendrer des pertes viscolastiques [60, 68].
En eet, lutilisation de couches dor de quelques centaines de nanomtres dposes
sur chaque face des substrats coller rend possible le contact solide entre deux
matriaux, condition que leur surface soit raisonnablement plane et peu rugueuse
(typiquement, ltat de surface de plaquettes de silicium, de quartz ou de niobate de
lithium polies avec des variations dpaisseur sur lensemble de la plaque de quelques
micromtres au plus). Ce type de technologie a t dvelopp FEMTO pour des
applications de report de niobate de lithium sur silicium [69], comme lillustre la
gure 2.13.
2.2. Concept du nouveau rsonateur acoustique 51
Figure 2.13 Exemple de collage Au/Au :le collage rsiste au clivage de la plaquette composite
(ici une plaque de niobate (YXl)36reporte sur silicium [69])
Parmi les matriaux possibles pour la transduction, on retiendra particulirement
le niobate de lithium ainsi que le tantalate de lithium, et plus particulirement
les coupes (ZX) de ces matriaux unipolaires au sens de la ferrolectricit. Divers
matriaux de guidage vont tre tudis mais une attention particulire est porte au
silicium car ce matriau se prte bien au guidage des ondes et permet une intgration
du systme en micro-lectronique de bas cot. De plus, la dpendance des proprits
dilectriques de matriaux ferrolectriques au champ lectrique permet priori de
raliser un ajustement en frquence lectrique en superposant un champ statique
lexcitation dynamique. Cette fonctionnalit peut tre par ailleurs exploite pour
compenser lectriquement le rsonateur des eets de temprature, ce quelle que soit
sa sensibilit intrinsque.
2.2.1.2 Etat de lart autour de ce nouveau concept
Comme nous lavons vu dans le chapitre 1, les rsonateurs ondes de surface
(ROS) fonds sur des transducteurs peignes inter-digits (IDT) sont particuli-
rement utiliss pour la stabilisation doscillateurs hautes frquences, notamment
dans les applications radars. Cependant, les limites ultimes pressenties ou mises en
vidence par les auteurs peuvent se rsumer comme suit en termes de ralisations
technologiques ; En photolithographie classique, il ressort aujourdhui une limitation
technologique 2,5 GHz des rsonateurs ondes de surface sur quartz AT correspon-
dant une nesse de gravure de 0,3 m [70]. Pour continuer amliorer la rsolution
des motifs et ainsi raliser des rsonateurs ondes de surface plus haute frquence,
lutilisation dun faisceau dlectrons connue sous le nom de lithographie par faisceau
52 Chapitre 2. Nouveau concept de rsonateur ondes lastiques
dlectrons et aussi de lithographie lectronique peut tre une solution (un disposi-
tif exprimental 3 GHz a t fabriqu par lithographie lectronique directe [70]).
Lapproche dveloppe ici consiste travailler non pas la frquence de Bragg mais
plutt lharmonique deux. Ceci permet un doublement des frquences de travail
technologie identique aux IDT. Ce principe a dj t dmontr en basses et hautes
frquences direntes reprises par notre groupe [68, 71].
Les tudes ddies aux ondes dinterface se rsument trs peu de travaux s-
rieusement entrepris pour eectivement dmontrer les principes [66, 67]. Si certaines
ralisations rcentes base de couches paisses de silice sont identies sous le terme
dondes dinterface [72] fondes sur des ides souvent proposes il y a plusieurs d-
cennies [73], elles ne mritent pas un tel classement notre sens puisquelles sappa-
rentent lexcitation de modes de plaques guids de type Sezawa, sensibles ltat
de surface suprieur au mme titre que les ondes de surface. La seule vritable ana-
lyse paramtre des proprits de ces ondes dinterface et de leur excitation par un
transducteur lectrique gure dans la rfrence [74]. Par ailleurs, le dveloppement
eectif de transducteurs domaines ferrolectriques alterns priodiquement na
fait lobjet que de trs peu de publications [60, 68]. Enn, le collage par compression
dor est une technique connue, mme si notre procd froid prsente des avantages
particulirement favorables lutilisation de niobate de lithium et de silicium par
exemple [69]. L encore, le nombre de publications rcentes ddies ce sujet est
plutt modeste [75, 76], plaant ainsi le projet dans une position innovante.
Lutilisation de matriaux fort couplage lectromcanique pour les applications de
ltrage RF sest rvle particulirement fructueuse pour la mise au point de du-
plexeurs large bande pour la tlphonie grand public ainsi que pour les applications
professionnelles (radar, station de base, etc.) [77]. Ces matriaux sont principalement
ferrolectriques et unipolaires comme le tantalate de lithium, le niobate de lithium
ou encore le niobate de potassium. Ils ont la particularit de prsenter des couplages
lectromcaniques remarquablement levs (25 50 fois celui du quartz) compatibles
avec la ralisation de ltres larges bandes (5 10 % de la frquence porteuse) [77].
Ils se prtent donc particulirement bien aux techniques dites de poling dailleurs la
coupe Z de niobate est particulirement exploite pour la ralisation de doubleurs
de frquence en optique [78]. De plus, le niobate est connu pour prsenter des coef-
cients de pertes viscolastiques plus faibles que ceux du quartz [22] et savre un
matriau particulirement adapt aux applications radiofrquences. Cest donc le
matriau-phare retenu pour la suite de ltude. Le tantalate prsente galement des
proprits ferrolectriques similaires au niobate de lithium et sera aussi tudi car il
prsente des avantages spciques sur lesquels nous reviendrons plus loin [79].
2.2. Concept du nouveau rsonateur acoustique 53
2.2.2 Intrts et enjeux de ce nouveau concept
2.2.2.1 Intrts des TPPs et comparaison avec les peignes inter-digits classiques
Comme nous lavons vu prcdemment, notre nouveau concept constitue une al-
ternative au rsonateur ondes de surface fond sur des transducteurs peignes
inter-digits (IDT) comme reprsent sur la gure 2.14(a). La structure de trans-
duction exploite correspond une plaque au sein de laquelle des domaines ferro-
lectriques ont t inscrits articiellement, comme illustr en gure 2.14(b).
substrat pizolectrique
ac p
V
(a)
p
ac
V
Substrat ferrolectrique polarisation
alterne
=
(b)
Figure 2.14 Schmas de principe dun transducteur,(a) peignes inter-digits (IDT), (b) polaris
priodiquement (TPP)
Nous abandonnons donc la structure peignes inter-digits exploite jusque-l
pour les composants ondes dinterface pour de multiples raisons que nous dtaillons
maintenant.
Tout dabord, le principe dexcitation des ondes dun transducteur polaris prio-
diquement (TPP) est plus robuste quun transducteur peignes inter-digits clas-
siques. En eet, lors de la fabrication des peignes inter-digits par les mthodes de
photolithographie, des court-circuits entre les peignes, provenant de la fabrication
ou de contaminations extrieures, peuvent apparatre nuisant lecacit du peigne
de manire irrversible. Le fait davoir les lectrodes massives de part et dautre
du matriau ferrolectrique dans le cas du TPP, nous place labri de cette di-
cult. De plus, la fabrication dun guide dondes base de transducteurs peignes
inter-digits impose, dfaut dune matrise parfaite des mthodes de report de pla-
quettes via une couche dilectrique solide, lusage dun lm polymre (pour ne pas
court-circuiter les lectrodes) assurant la liaison lastique entre les matriaux mis en
jeu et engendrant des pertes acoustiques notables [80, 81]. Par contre, lutilisation
dune structure de transduction employant des lectrodes pleines dposes sur ses
deux faces ouvre la perspective de reporter un substrat pais sur chaque face du
transducteur par collage compressif direct.
54 Chapitre 2. Nouveau concept de rsonateur ondes lastiques
Ensuite, compte tenu de lisolation entre les deux lectrodes par le matriau fer-
rolectrique, la tenue en puissance du TPP est nettement suprieure celle dun
IDT. En eet, le problme du transducteur peignes inter-digits est li dune part
aux phnomnes dlectromigration induit par lchauement des lectrodes fortes
puissances dexcitation et dautre part aux eets de coalescence [82].
Puis, dun point de vue acoustique, notamment de vitesse de propagation des ondes,
le transducteur polaris priodiquement fonctionne intrinsquement une frquence
double de celle dun transducteur peignes inter-digits classique (pour une mme
rsolution lithographique) comme illustr sur la gure 2.14. En eet, dans un TPP, la
longueur donde acoustique est gale la priode mcanique du dispositif, contraire-
ment aux transducteurs peignes inter-digits o elle est gale deux fois la priode
mcanique pour une mme largeur de trait.
Enn, une fois le rsonateur ralis, il nest plus possible dajuster mcaniquement sa
frquence de rsonance. Lusage dun matriau ferrolectrique tel que le niobate ou
tantale de lithium savre alors particulirement intressant puisque ceux-ci voient
leurs proprits lectriques modies par lapplication dun champ lectrique statique
(dpendance des proprits dilectriques du matriau ferrolectrique au champ lec-
trique). En eet, dans la thse de D. Gachon [29], il est not quun rsonateur
modes de volume harmoniques pouvait tre ajust en frquence de la sorte. An de
raliser une telle fonction avec des dirences de potentiel raisonnables (infrieures
50 V), il est ncessaire de disposer de couches ferrolectriques de faible paisseur
(au moins infrieure 50 m).
2.2.2.2 Retombes
Scientiques et techniques
Ce nouveau rsonateur vise au dveloppement dune nouvelle gamme de composants
fonds sur lexploitation de la ferrolectricit pour lexcitation dondes lastiques par
un transducteur alliant les qualits spectrales des peignes inter-digits, les robustesse
et simplicit du rsonateur ondes de volume sur lms minces et les avantages
techniques des ondes dinterface. En termes scientiques, il sagit dune avance
notable puisquun tel principe na jamais t propos jusqu prsent. Dans la thse
dEmilie Courjon [52], la possibilit de raliser des transducteurs ondes dinterface,
domaines ferrolectriques alterns priodiquement et des rsonateurs lms de
matriaux ferrolectriques amincis a t dmontre. La conuence de ces avances
2.2. Concept du nouveau rsonateur acoustique 55
toutes issues de notre laboratoire a apporte une protection intellectuelle sur les
dispositifs ondes lastiques dinterfaces [83].
Industrielles
La mise au point dun nouveau principe dexcitation dondes sans pertes linterface
entre deux plaquettes de matriau tel que le silicium prsente un avantage consid-
rable en matire de ralisation de composants de haute qualit, de puret spectrale
et dinsensibilit aux pollutions extrieures. De plus, en utilisant du silicium comme
couche guidante, le dispositif prsente des possibilits dencapsulation bas cot. Ces
dirents aspects ne sont pas les seuls prsenter un intrt sur le plan industriel.
La fonctionnalit dajustement lectrique de la frquence de fonctionnement du rso-
nateur constitue un avantage dcisif dans la course aux systmes agiles actuellement
mene par les grands quipementiers des systmes radiofrquences. Par ailleurs, il
nexiste pratiquement pas de solution facilement accessible et raisonnablement bas
cot pour la fabrication doscillateurs pilots en tension trs haute frquence (su-
prieure 500 MHz) et prsentant des stabilits compatibles avec les applications
embarques modernes. Si cette technologie ne reprsente pas dans un premier temps
un volume de production de masse, les parts de march accessibles concernent des
objets forte valeur ajoute dont la matrise et la banalisation peuvent conduire
dautres applications telles que les ltres RF ajustables pour lesquels la demande
et les volumes nanciers sont plus apprciables. Nous navons pas mentionn ici
le domaine des capteurs, mais il est clair que celui-ci tirerait grandement parti du
dveloppement de composants intgrables dans nimporte quelle structure et ne n-
cessitant pas les prcautions habituelles propres lutilisation des dispositifs ondes
de surface et de volume (gap dair).
En matire dlectronique de dfense
La fabrication dun rsonateur ultra-stable, insensible aux perturbations extrieures,
compens en temprature et fonctionnant dans une gamme de frquence 10 MHz-
1 GHz est trs utile pour des applications radars. En eet, nous pouvons imaginer,
en matire de dfense, quiper tous les matriels qui sont destins tre positionns
avec prcision (missiles, vhicules ou individus). Si loscillateur drive en frquence,
nous perdons toute prcision de localisation. De plus, selon lapplication, les oscil-
lateurs subissent de fortes variations thermiques, de pression (comme les systmes
embarqus dans lespace) et doivent rsister des contraintes mtorologiques et
aux pollutions. Le nouveau concept permet de rpondre au mieux ces critres
de manire autonome, cest dire en rduisant la contribution de llectronique de
loscillateur.
56 Chapitre 2. Nouveau concept de rsonateur ondes lastiques
2.3 Conclusion
Ce chapitre a dcrit lessentiel des notions de ferrolectricit, avec une accen-
tuation sur linversion de domaines ferrolectriques et son utilit au cur de notre
nouveau systme.
La premire partie a permis de se familiariser avec la ferrolectricit et com-
prendre les phnomnes mis en jeu lors de linversion de domaines ferrolectriques.
Nous avons numr direntes mthodes dinversion et expliqu en dtail la tech-
nique dinversion de domaines par application dun champ lectrique retenue pour
concevoir nos dispositifs. Nous avons galement ralis un bref inventaire des mat-
riaux ferrolectriques existants et nous avons orient notre choix sur le niobate et le
tantalate de lithium comme base de ltude.
La seconde partie explique en dtail le concept de notre nouveau rsonateur, fond
sur lutilisation de domaines ferrolectriques alterns, en mettant en avant ses avan-
tages par rapport aux systmes acoustiques existants. En eet, depuis des annes,
les transducteurs utiliss pour les rsonateurs radio-frquences utilisent le principe
des peignes interdigits pour lexcitation dondes de surfaces voire dinterfaces. Les
transducteurs polariss priodiquement (TPPs) dvelopps dans notre projet, pos-
sdent des atouts par rapport aux dispositifs utilisant des IDTs : leur frquence de
fonctionnement deux fois plus leve que celle des dispositifs classiques pour une
priode mcanique identique ; les TPPs sont trs robustes du fait des polarisations
alternes inscrites au cur du matriau et des lectrodes dexcitation massives de
part et dautre du substrat, vitant ainsi les courts-circuits, la coalescence et llec-
tromigration. Ces nouveaux transducteurs ont donc des atouts indniables qui en
font une alternative intressante aux IDTs classiques, raison pour laquelle cette tude
a t eectue. En outre, le systme propos sappuyant sur un guide dondes permet
un guidage des ondes lastiques gnres par le TPP, sans pertes de rayonnement.
Nous obtenons ainsi un systme auto-encapsul compatible avec la microlec-
tronique.
Dans le chapitre suivant, nous allons analyser plusieurs structures utilisant di-
rents substrats an dtudier les eets de guidage et les drives en tempratures de
la frquence des dispositifs qui nous permettra dtablir des nouvelles particularits
intressantes de notre rsonateur acoustique.
Chapitre 3
Simulations acousto-lectriques : du
TPP au guide dondes base de TPP
An de valider le principe, optimiser la gomtrie et identier les matriaux
idoines du nouveau rsonateur guide dondes base de TPP, nous proposons une
analyse thorique du systme eectue laide de nos outils de calculs.
Tout dabord, nous prsenterons dans une premire partie, les outils de simulation
permettant de modliser des composants acoustiques ( ondes de surface, de volume
ou dinterface). De plus, nous dtaillerons certaines fonctionnalits intgres dans
nos calculs, comme la prvision des drives thermiques ou lanalyse des proprits
de dispersion harmonique des dispositifs tudis.
Nous consacrerons une seconde partie lanalyse des modes excits par des trans-
ducteurs polariss priodiquement. Nous retiendrons particulirement le niobate de
lithium ainsi que le tantalate de lithium comme matriaux de transduction, et plus
particulirement les coupes (Z) de ces matriaux unipolaires au sens de la ferrolec-
tricit. Pour le guidage, nous considrerons particulirement le silicium mais dautres
matriaux comme le diamant, le quartz, la silice seront galement pris en compte.
Une troisime partie prsentera les rsultats des calculs concernant lanalyse des
conditions dexcitation et de guidage des ondes au sein de guides base de TPP.
Nous identierons des combinaisons de matriaux optimales pour lexcitation et le
guidage dondes ainsi que la drive en temprature de la frquence des modes gnrs
par TPP. Nous tudierons de faon dtaille la conguration de guidage par silicium
an dextraire des points de fonctionnement optima, lis la gomtrie du TPP et
den optimiser lexcitation (couplage, vitesse de phase, puret spectrale).
57
58 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
3.1 Outils de simulation
Les modles physico-mathmatiques utiliss pour la simulation des composants
ondes de surface sont gnralement trs sophistiqus. Ils sont fonds sur la thorie
de llasticit linaire, complique par lanisotropie des matriaux, la pizolectri-
cit et linhomognit des milieux dexcitation et de propagation des ondes. Ces
modles sont de deux types, soit heuristiques , soit exacts . Les modles
heuristiques sont fonds sur des reprsentations phnomnologiques dont les fon-
dements physiques ne sont pas totalement rigoureux, bien que gnralement res-
pectueux des principes de base (conservations de la charge lectrique, de lnergie,
de la causalit, de la rciprocit de Lorentz). Cest le cas des modles unidimen-
sionnels appels matrice mixte ou de son quivalent, appel COM (pour
Coupling Of Modes )[84]. Cest le cas aussi des modles de prise en compte des
modes transverses, de la diraction, etc. Ces approches conduisent nanmoins des
rsultats tonnamment proches de la ralit pour peu que lon y introduise quelques
perfectionnements. Dautres modles utilisent des dveloppements mathmatiques
sophistiqus, ainsi que des techniques numriques labores. Pour les simulations
les plus exigeantes (prise en compte de tous les phnomnes), on utilise des m-
thodes de types lments nis et lments de frontires (fondes sur des
formulations intgrales et des fonctions de Green, exposes par la suite). Nous pou-
vons simuler alors des composants ondes de surface, de volume ou dinterface en
se rapprochant au mieux de leurs natures et conditions de fonctionnement relles.
La combinaison de mthodes de simulations labores, de la connaissance prcise
des proprits des matriaux et de la gomtrie des transducteurs conduit des
accords simulation-mesure rarement rencontrs dans dautres domaines industriels.
Nous proposons dans les paragraphes qui suivent une revue des outils de simulation
des composants acousto-lectriques ncessaires ltape cruciale de conception des
rsonateurs ondes lastiques guides. Ce rcapitulatif thorique a t tir en partie
des rfrences [84, 85, 86] dans lesquelles le lecteur intress trouvera davantage
dexplications, notamment sur ltablissement des quations.
3.1.1 lements nis et de frontire
La mthode des lments nis ou FEM en anglais (Finite Element Method) per-
met de rsoudre un problme dquations aux drivs partielles associes des condi-
tions aux limites bien dnies, conformment au schma de principe de la gure 3.1.
3.1. Outils de simulation 59
partielles avec conditions aux limites
Equations aux drives
Approximation par sousdomaines,
organisation matricielle
Principe des travaux
virtuels
Lois de la physique
sciences pour lingnieur
Systmes dquations
algbriques
Solution (thorique)
Systme Physique
Formulation intgrale
Rsolution numrique

Figure 3.1 La mthode des lments nis
Ainsi, la thorie des lments nis repose sur une expression globale de lnergie
du systme, et sur la discrtisation de la structure tudie en sous-lments appels
lments nis. Le principe variationnel dcrit chaque instant lquilibre nergtique
en tout point de la structure. La discrtisation est une projection sur une base
fonctionnelle qui sous-entend que la vibration globale de la structure est obtenue par
composition des vibrations dun ensemble discret de points. Cette discrtisation est
rendue ncessaire du fait que nous navons pas accs une solution gnrale simple
du problme car il nen existe pas compte tenu de la complexit des gomtries mises
en uvre [87]. Nous pallions ce problme en considrant la densit dlments du
maillage susante pour approcher localement la solution du problme par une forme
polynomiale. La solution en tout point du milieu est alors obtenue par interpolation
en supposant les valeurs nodales du champ concidant la solution vraie. Cette
forme polynomiale permet alors le calcul pour chaque lment des contributions
lmentaires aux matrices de masse et de raideur du problme complet, ainsi que le
vecteur du second membre lmentaire. Allick et Hugues [88] ont t les premiers
appliquer la mthode des lments nis un solide pizolectrique laide dune
formulation globale en dplacements et potentiel. De cette faon, et en supposant la
prsence de vibrations monochromatiques, on obtient le systme suivant :
(
K
uu
w
2
M
uu
K
u
K
u
K

)(

u

)
=
(

F
Q
)
, (3.1)
o

u est le vecteur des dplacements nodaux et est le scalaire des potentiels
nodaux. M
uu
est la matrice de masse, K
uu
la matrice de rigidit mcanique, K
u
la matrice de couplage pizolectrique et K

la matrice de rigidit dilectrique.


60 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
Les termes du second membre,

F et Q, sont respectivement le vecteur des charges
nodales mcaniques et la charge lectrique. Nous nentrerons pas dans les dtails de
ces modles de calcul, qui sont explicits de faon dtaille dans la thse de M. Wilm
[87].
La mthode des lments de frontire ou BEM en anglais (Boundary Element Me-
thod), est galement une mthode de rsolution numrique. Elle se prsente comme
une alternative la mthode des lments nis voire une mthode complmentaire
compte tenue de son adquation au traitement de problmes ouverts (milieux de
rayonnements semi-innis). Depuis plusieurs annes, les dveloppements dlments
nis et de frontire mis en uvre dans notre quipe de recherche reposent sur la
bibliothque Modulef, initialement dveloppe par lINRIA [89]. Modulef est une bi-
bliothque crite en Fortran et relativement modulable dont nous navons conserv
nalement que la norme de stockage des donnes et les modules de pr-traitement
associs. Il a donc t possible dintroduire la notion de priodicit et de tempra-
ture dans le code initial de faon pouvoir simuler la majeure partie des dispositifs
raliss dans notre quipe.
An de simuler les structures de guides dondes, il est ncessaire dintroduire les
conditions aux limites du systme, notamment la priodicit an de simuler un
transduceur dont la cohrence de phase est xe par la priodicit, le potentiel lec-
trique pour lexcitation du matriau et le rayonnement pour modliser les structures
de guidage. Ces notions seront abordes dans la partie suivante.
3.1.2 Conditions aux limites lectriques, priodicit et rayonnement
Dans la plupart des cas, la rsolution dun problme physique rel passe par
la possibilit de dcrire les conditions aux limites correspondantes de la structure
maille par lments nis. Nous allons dnir les trois conditions aux limites que
nous utilisons pour dcrire nos structures de guides dondes, soit les conditions aux
limites lectriques, la priodicit et le rayonnement.
Les conditions aux limites lectriques sont de diverses natures. On distingue les
conditions de potentiel forc (attaque en tension), de potentiel libre (circuit ouvert),
de charge de courant sous impdance donne et enn de surface non mtallise pour
laquelle on tablit la continuit du dplacement lectrique normal linterface. Les
conditions aux limites lectriques scrivent telles que [54, 85, 86] :
3.1. Outils de simulation 61
pour une surface libre (non mtallise) :
(
D
solide
i
D
vide
i
)
(

e
2
)
= 0, (3.2)
pour un potentiel forc :

e
2
)
= V
cte
, (3.3)
pour un potentiel libre :

Surface
QdS = 0,
(

e
2
)
= Cte, (3.4)
pour une isopotentielle charge par une impdance Z :
jZ
(
D
solide
i
D
vide
i
)
(

e
2
)
=
(

e
2
)
, (3.5)
o est le potentiel lectrique, e la distance entre les deux lectrodes et D
i
le
vecteur dplacement lectrique.
La priodicit permet de reproduire priodiquement linni une mme structure
maille. Considrons une zone maille avec des rfrences de bord de la priode
notes
A
et
B
. Pour tenir compte de la priodicit du problme, on lie les degrs
de libert en chaque bord
A
et
B
de la priode par la relation de phase suivante,
qui suppose que ces derniers concident strictement en altitude [54] :
(
u

B
)
=
(
u

A
)
e
j2
, (3.6)
o u reprsente les dplacements mcaniques, le potentiel lectrique, et le
paramtre harmonique dexcitation. Une structure excite en = 1/2 quivaut
une alternance de potentiel dexcitation +V/-V, tel que pour les transducteurs
peignes interdigits et une structure excite en entier correspond une excitation
en phase sur tout le rseau.
An de dnir le rayonnement, nous allons supposer une surface plane au travers de
laquelle le transducteur rayonne dans un milieu ouvert strati interfaces planes,
auquel est associe une fonction de Green reliant dplacements et contraintes sur-
faciques. La fonction de Green de surface est une grandeur rendant compte de la
rponse impulsionnelle en dplacements et potentiel lectrique de la surface une
sollicitation en contraintes ou en charge. Linuence de ce milieu sur le transducteur
est obtenue par intgration sur la surface de rayonnement. Le transducteur tant
simul de faon numrique (par lments nis), on raccorde lintgrale de rayonne-
ment au problme discret en introduisant la notion dlments de frontire au niveau
du second membre de la formulation variationnelle [87]. En pratique les fonctions
de Green sont calcules numriquement par la mthode de la matrice de diusion
62 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
[90, 91]. Cette mthode est ddie lanalyse des structures homognes multi-couches
pizolectriques, uides et mtalliques, par exemple nos guides dondes avec la prise
en compte des substrats de guidage. Les deux mthodes de calculs exploitant res-
pectivement les fonctions de Green pour la zone homogne et les lments nis pour
la zone inhomogne sont ensuite recombines de faon obtenir la charge et les
dplacements des structures considres [87]. Cet outil se rvle indispensable pour
simuler nos dispositifs ainsi que pour envisager dautres structures. De mme, par
ce calcul, nous avons accs ladmittance harmonique de nos dispositifs qui nous
permettra de comparer thorie et mesures exprimentales, celles-ci tant obtenues
laide de lanalyseur de rseau (cf. chapitre 5).
An dtudier la dispersion en frquence des modes excits lors de variations en tem-
prature, il est indispensable dintgrer une routine de calcul aux codes existants. En
eet, lobtention dun oscillateur stable en frquence dpend de la stabilit de son
rsonateur et celle-ci est lie la sensibilit en frquence du mode la temprature,
la pression, etc. La partie suivante traitera la mise en uvre dun outil permettant
destimer la drive en frquence des ondes lorsque la structure est soumise des
variations de temprature.
3.1.3 Prise en compte des eets de temprature dans les calculs dl-
ments nis et de frontires
La prise en compte des eets de temprature a t intgre dans nos logiciels
dlments nis et de frontire pour prvoir les drives en temprature de la frquence
de nos dispositifs. Le code sappuie sur lapproche dite de Campbell et Jones [92]. Elle
consiste calculer, pour chaque temprature, les constantes eectives du matriau
selon une dcomposition en dveloppement de Taylor. La gomtrie de la structure
volue ainsi avec la temprature. Ce phnomne perturbe le comportement acousto-
lectrique du systme et provoque invitablement une drive de la frquence de
synchronisme des ondes gnres. La variation relative de frquence est la rsultante
de deux contributions autour de la temprature de rfrence T
0
=25 :
la variation relative de vitesse :
v(T)
v
=
v(T) v(T
0
)
v(T
0
)
(3.7)
la variation relative de distance de propagation :
(T)

=
(T) (T
0
)
(T
0
)
(3.8)
3.1. Outils de simulation 63
On rappelle que
F =
v

, do
F(T)
F
=
v(T)
v

(T)

. (3.9)
De la mme faon,
v =

, do
c(T)
c
=
1
2
(
c(T)
c

(T)

)
, (3.10)
o c reprsente la constante lastique et la masse volumique.
chaque point de temprature, le problme lectromcanique est rsolu en mo-
diant simplement les constantes physiques eectives et la masse volumique des
matriaux constituant la structure. Pour cela, il est ncessaire de connatre les coef-
cients de sensibilit de toutes les constantes la temprature et les coecients de
dilatation des matriaux dans les trois directions de lespace tels que :
c
ijkl
(T) = c
ijkl
(T
0
)
N

n=0
1
c
ijkl
(T
0
)

(n)
c
ijkl
T
(T T
0
)
n
=
N

n=0
K
(n)
ijkl
T
n
(3.11)
L
x
i
(T) =
N

n=0

(n)
L
x
i
T
(T T
0
)
n
=
N

n=0

(n)
x
i
T
n
(3.12)
avec L
x
la longueur selon les directions despace x
i
. Les coecients de sensibilits
K
(n)
et de dilatation
(n)
sont dtermins exprimentalement et disponibles dans la
littrature jusqu lordre n=3 pour le quartz ou la langasite, n=2 ou n=1 seulement
pour la majorit des autres matriaux (tantalate, niobate, silice, etc. [93]). Quant
la masse volumique, elle est relie la dilatation de la maille lmentaire V
me
(T) du
cristal telle que :
(T) =
(T
0
)V
ol
(T
0
)
V
ol
(T)
et V
me
(T) = L
x
1
.L
x
2
.L
x
3
. (3.13)
De cette faon, la frquence de rsonance du rsonateur pour un mode donn
est recalcule en chaque point de temprature an dtablir une loi frquence-
temprature analytique. Il faut toutefois ne pas cacher la principale faiblesse du
modle. Ce modle mlange les eets linaires et non linaires et ne recourt pas
des tenseurs invariants par rotation tensorielle. Il nest donc prcis que pour les
coupes au voisinage desquelles les constantes eectives ont t mesures. De plus,
pour des structures associant une zone maille une structure calcule par les fonc-
tions de Green (tel est le cas dans les guides dondes), la dilatation dans les deux
directions du plan du systme est impose sur les rfrences du maillage. Cette hy-
pothse est vrie pour les lms minces sur substrat pais mais tombe priori en
dfaut pour des couches dpaisseur commensurables. Ainsi, nous devons choisir si
64 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
le maillage va se dilater suivant les constantes eectives du matriau du maillage ou
suivant celles du matriau de rayonnement. Ainsi, nous ne prenons pas en compte
les eets des contraintes thermodirentielles. Il faudrait ajouter des termes dans la
loi de Hooke gnralise pour simuler galement le comportement thermolastique
de ces structures. Il est bon dindiquer cette limitation, tout en considrant mal-
gr tout que le modle dcrit ci-dessus fournit des valeurs ralistes pour la plupart
des congurations de base (ondes de volume ou de surface) et galement pour des
structures guides dondes lorsque la partie homogne ou inhomogne est favorise.
A partir de cette analyse, on peut tablir une loi frquence-temprature rgie par la
forme suivante :
f
f
=

(T T
0
) +

(T T
0
)
2
+

(T T
0
)
3
. (3.14)
o lon retrouve les Coecients de Temprature de la Frquence (CTF en franais
ou TCF en anglais, Temperature Coecient of Frequency) des premier, deuxime
et troisime ordres. Cette mthode a t mise en uvre pour calculer les CTF des
ondes lastiques de dispositifs acoustiques [90, 52].
Un dernier outil de simulation va nous permettre dtudier la dispersion harmo-
nique de structures priodiques. En eet pour raliser un rsonateur, il faut une
cavit rsonnante. En acoustique, nous tudierons lexistence dune bande darrt
pour statuer sur les possibilits de faire rsonner la structure.
3.1.4 Outil de calcul de la dispersion harmonique
Aprs avoir obtenu ladmittance harmonique de la structure par les modles dl-
ments nis et de frontire, nous pouvons extraire de cette dernire plusieurs infor-
mations sur lexcitation et le guidage des ondes. En particulier, pour les modes ou
pseudo-modes du guide, on peut caractriser la bande de frquence correspondant
aux conditions de Bragg pour lesquelles le rseau diracte les ondes incidentes. En
eet, la courbe de dispersion est notoirement aecte au voisinage des conditions
de synchronisme et prsente un comportement non-linaire dans une bande de fr-
quence donne. Cette bande de frquence souvent appele bande darrt correspond
un rgime macroscopique pour lequel londe voit son nergie dcrotre exponen-
tiellement le long du rseau, ce qui mathmatiquement se concrtise par une partie
imaginaire non nulle du vecteur dondes eectif. Pour eectuer cette extraction de
paramtres, nous considrons une forme isomorphe de ladmittance harmonique au
voisinage de la singularit que nous souhaitons caractriser. Cette fonction fait ap-
paratre un certain nombre de caractristiques identier en fonction des variables
3.2. Simulations de Transducteurs Polariss Priodiquement 65
du problme, la frquence et le coecient dexcitation. Nous proposons en annexe
B les formulations permettant de calculer les proprits de diraction dans diverses
structures.
Maintenant que nous avons introduit les principaux outils de simulation mis notre
disposition, nous allons les exploiter pour caractriser dans un premier temps les
transducteurs polariss priodiquement sur niobate et tantalate de lithium puis dans
un second temps, divers guides dondes base de TPP.
3.2 Simulations de Transducteurs Polariss Priodiquement
3.2.1 Modlisation dun TPP : dnition du maillage
Un transducteur polaris priodiquement est dni gomtriquement par une
priode (p) gale sa longueur donde acoustique, une paisseur (e), une ouverture
acoustique (l) et une longueur (L) comme prsent sur la gure 3.2. Les lectrodes
excitant le matriau ferrolectrique ne sont pas prsentes sur le dessin. Elles sont
dposes sur la totalit des faces suprieure et infrieure du matriau pour une
excitation entier (deux potentiels distincts, ici 0/+V).
Figure 3.2 Reprsentation schmatique dun transducteur polaris priodiquement avec ses
grandeurs gomtriques caractristiques
En supposant une ouverture acoustique trs grande devant la longueur donde (10
fois minimum), une analyse bidimensionnelle de cette structure simplie les calculs
et permet de gagner du temps de simulation. Le maillage consiste alors assembler
deux rectangles reprsentant deux domaines de polarit oppose pour modliser une
priode du TPP. Nous prsentons ce maillage tel que utilis dans nos simulations
sur la gure 3.3.
66 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
Figure 3.3 Maillage type dun TPP, avec les paramtres paisseur (e) et priode (p) modiables
Le maillage de cette zone est obligatoire, car bien quil sagisse du mme mat-
riau, cette partie prsente des proprits pizolectriques htrognes. En eet, le
changement de polarit modie certaines proprits intrinsques du matriau. Cest
pourquoi, un domaine polaris Z+ correspond la coupe (YXl)/90 selon la norme
IEEE [94] alors que le second, de polarit oppose Z-, est de coupe (YXl)/-90. Cest
pour cette raison que chaque domaine a sa propre couleur sur le schma de la gure
3.3. Les numros visibles sur les bords du maillage sont des rfrences caractris-
tiques des conditions appliques sur les limites. Dans notre cas, les rfrences notes
1 et 2 correspondent lapplication dun champ lectrique et les rfrences
notes 3 et 4 sont reprsentatives de la priodicit. La formulation des int-
grales de frontire repose avant tout sur un calcul priodique : on considre que la
structure maille est rpte priodiquement pour former un rseau inni. Dans ce
cas, lexcitation lectrique est suppose harmonique. Chacun des lments du rseau
est alors port au potentiel :
V
n
= V
0
exp(2j) (3.15)
o V
0
est le potentiel de llment de rfrence, V
n
celui de llment considr,
et , le paramtre dexcitation harmonique permettant de dcrire la manire dont
la structure est excite. Dans notre cas, doit tre choisi entier car tout le rseau
doit tre excit en phase. Arbitrairement, dans nos simulations, nous avons choisi
une dirence de potentiel de 1 V et pour ce faire, nous avons x la rfrence 1
la masse et la rfrence 2 1 V.
Pour dnir au mieux la structure maille, nous avons employ des lments tri-
angulaires utilisant une interpolation de Lagrange de degr 2. Ce maillage est la
3.2. Simulations de Transducteurs Polariss Priodiquement 67
fois valable pour le niobate de lithium et le tantalate de lithium car les coupes de
matriaux sont identiques (coupe cristallographique Z). Avant de dbuter les tudes
approfondies sur les TPPs, nous allons essayer dajuster au mieux la densit du
maillage. Il ne doit pas tre trop dense pour un gain de temps de calcul mais su-
sant pour converger vers la frquence de synchronisme des modes et donc respecter
les rgles de discrtisation de Shannon-Nyquist. Arbitrairement, le TPP tudi est
en niobate de lithium avec une paisseur (e) de 500 m et une priode (p) de 50 m.
Le maillage correspondant est prsent sur la gure 3.4(a).
(a)
0.01
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
75 76 77 78 79 80 81
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

(
S
)
Frquence (MHz)
Imag(Y
11
) = f(frquence, densit du maillage)
e(6 seg),p(4 seg)
e(15 seg),p(6 seg)
e(30 seg),p(12 seg)
e(60 seg),p(24 seg)
e(120 seg),p(48 seg)
(b)
Figure 3.4 (a) Schma reprsentant le maillage dun TPP dpaisseur (e) 500 m dnie par 6
segments, 7 nuds et de priode (p) 50 m dnie par 4 segments, 5 nuds, (b) partie imaginaire
de ladmittance harmonique, centre sur un mode, dun TPP en niobate de lithium (p=50 m,
e=500 m) pour direntes densits de maillage
La gure 3.4(b) prsente la partie imaginaire de ladmittance harmonique (la
susceptance B) de cette structure, centre sur un mode, pour direntes densits
de maillage. Nous observons une stabilit en frquence du mode lorsque le maillage
se densie. Cependant, avec un processeur de 1,2 GHz dhorloge, la simulation du
maillage le plus dense prend 24 heures pour seulement 60 points de frquence. Un
bon compromis entre le temps de calcul et la prcision frquentielle du mode est
le maillage dni par 30 segments pour lpaisseur et 12 pour la priode. Dans ce
cas, la simulation prend environ 10 minutes. Lors dune modication de la gomtrie
de la zone maille, il sut dadapter la densit du maillage en fonction de ce rsultat.
68 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
Une fois le maillage dni, il nous est possible de simuler nimporte quelle structure,
quelle soit purement pizolectrique, telle que les transducteurs que nous avons fa-
briqus pour valider notre principe dexcitation ou quil sagisse des guides dondes,
ceux-ci ncessitant lajout dun substrat pris en compte par les conditions de rayon-
nement. Nous commencerons par ltude des TPPs pour nir sur les guides dondes.
3.2.2 Cas particulier de TPP en niobate ou tantalate de lithium
Pour simuler un transducteur polaris priodiquement sur niobate ou tantalate de
lithium, seul le maillage de base, tudi prcdemment, est ncessaire et nous donne
accs, grce aux calculs fonds sur les lments nis priodiques, ladmittance
harmonique des dispositifs. On peut ainsi dterminer quels modes sont excits, leur
frquence de synchronisme, leur couplage lectromcanique et les pertes associes.
De plus, loutil de calcul des eets thermiques nous permet destimer les drives en
temprature de la frquence des TPPs tudis. Les analyses suivantes sont ralises
avec un maillage de TPP de 500 m dpaisseur et de 50 m de priode. Le choix
de ces grandeurs gomtriques provient :
pour lpaisseur, de la contrainte lors de lachat du matriau ferrolectrique.
Le niobate de lithium de coupe Z est achet une paisseur de 500 m chez
Roditi , revendeur de Yamaju Ceramics et le tantalate de lithium de
coupe Z chez Red Optronics , galement une paisseur de 500 m.
pour la priode, le choix est arbitraire car celle-ci joue uniquement sur la fr-
quence dexcitation des modes selon la formule de premire approximation sui-
vante [85, 86] :
=
c

(3.16)
avec , la longueur donde du transducteur (en m), c la clrite du mode (en
m.s
1
) et la frquence de synchronisme du mode (en Hz). Nanmoins, an
de valider le principe technologiquement, nous prfrerons une priode assez
grande, plus facile raliser par les techniques de photolithographie classique,
que nous xons 50 m.
3.2.2.1 Simulations par lments nis de TPPs en niobate ou tantalate de lithium
Nous allons tudier les admittances harmoniques de TPPs en niobate ou tantalate
de lithium en mettant en avant les modes excits, leur frquence de synchronisme
ainsi que leur couplage lectromcanique. Les admittances harmoniques des TPPs
(p=50 m, e=500 m) en niobate et tantalate de lithium sont prsentes respecti-
vement en gure 3.5 et 3.6.
3.2. Simulations de Transducteurs Polariss Priodiquement 69
-0.0005
0
0.0005
0.001
0.0015
0.002
0.0025
0.003
0.0035
0.004
0.0045
40 60 80 100 120 140 160
0.006
0.008
0.01
0.012
0.014
0.016
0.018
0.02
0.022
0.024
0.026
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
TPP LiNbO
3
(p=50m, e=500 m), Y
11
=f(f)
G thorique
B thorique
Figure 3.5 Admittances harmoniques dun TPP dpaisseur 500 m et de priode 50 m sur
niobate de lithium
-0.0001
0
0.0001
0.0002
0.0003
0.0004
0.0005
0.0006
0.0007
0.0008
0.0009
40 60 80 100 120 140 160
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0.04
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
TPP LiTaO
3
(p=50 m, e=500 m), Y
11
=f(f)
G thorique
B thorique
Figure 3.6 Admittances harmoniques dun TPP dpaisseur 500 m et de priode 50 m sur
tantalate de lithium
Quel que soit le matriau, deux contributions ressortent clairement. Pour le nio-
bate de lithium, le premier mode est excit une frquence de 76 MHz (soit une
vitesse de phase de 3800 m.s
1
) et le second 131 MHz (soit 6550 m.s
1
). Pour
le tantalate de lithium, nous retrouvons deux modes des frquences plus faibles :
le premier 65 MHz (soit 3250 m.s
1
) et le second 112 MHz (soit 5600 m.s
1
).
70 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
On notera au passage la trs grande densit de modes de ces structures qui les rend
dicilement exploitables en ltat.
Notre outil de simulation nous permet de visualiser lallure des modes excits an de
dterminer la polarisation des ondes gnres. Nous prsentons en gure 3.7, lallure
des deux modes excits par un TPP en niobate de lithium. Les modes sur tantalate
de lithium sont de mmes polarisations que sur niobate de lithium.
(a) (b) (c) (d)
Figure 3.7 (a) Mode dominante elliptique avec zoom (b), (c) mode purement longitudinal avec
zoom (d), obtenus pour un TPP (p=50 m, e=500 m) en niobate de lithium
Le premier mode peut tre compar aux ondes de Lamb [85] car contrairement
aux ondes de Rayleigh excites par IDTs qui sont des ondes de surface, les ondes de
Lamb sont des modes de plaque. En eet, les ondes de Lamb sont gnres suivant
la direction de propagation par les multiples rexions des ondes longitudinales et
transversales sur les faces suprieure et infrieure de la plaque. Il en existe deux
familles : les modes antisymtriques o la vibration de la plaque est antisymtrique
par rapport au plan mdian et les modes symtriques o la vibration de la plaque
est symtrique par rapport au plan mdian. Une reprsentation de ces deux familles
de mode est reporte en gure 3.8.
(a) (b)
Figure 3.8 Onde de Lamb : (a) Mode symtrique - (b) Mode antisymtrique [85]
3.2. Simulations de Transducteurs Polariss Priodiquement 71
Dans notre cas, le premier mode excit est un mode symtrique, avec une dfor-
mation du matriau suivant les axes Z et X. Par la suite, nous nommons ce mode, un
mode elliptique. En eet, compte tenu de la nature symtrique de notre structure,
nous nous attendons voir lexcitation de ce type de mode favoris.
Le second mode est de polarisation longitudinale. En eet, une onde est longitu-
dinale lorsque le dplacement des points du milieu de propagation seectue dans
la mme direction que celle de la propagation (un exemple simple de la propaga-
tion dune onde longitudinale se retrouve lors de la compression et lextension dun
ressort). Sur les gures 3.7(c,d), nous observons que le dplacement et la polarisa-
tion sont selon laxe X, ainsi le mode est bien longitudinal. Pour une tude plus
dtaille de ce mode, notamment sur sa dcouverte, il est possible de se rfrer la
thse dEmilie Courjon [52]. Nous pouvons nanmoins noter sa vitesse de phase trs
leve, 6500 m.s
1
pour le niobate et 5600 m.s
1
pour le tantalate de lithium. Ce
rsultat est de bonne augure pour la conception de rsonateur haute frquence.
Intressons-nous maintenant au coecient de couplage lectromcanique. Celui-ci
caractrise les phnomnes de conversion dnergie lectrique en nergie acoustique.
Ce coecient est une mesure de la capacit du systme (ou matriau) faire passer
une partie de lnergie lectrique en nergie acoustique et inversement. Dans le cas
du couplage capacitif, de la magntostriction ou de llectrostriction, le coecient
de couplage dpend majoritairement du champ statique appliqu. Dans le cas dun
matriau pizolectrique, le coecient de couplage dpend du matriau, de la coupe
cristalline et du type donde propag. Bon nombre de matriaux utiliss pour les
composants SAW et BAW sont en fait des matriaux ferrolectriques polariss (tan-
talate et niobate de Lithium). Dans le domaine des ondes de surface, une estimation
raliste de ce coecient de couplage dnomm k
2
est donne par [85] :
k
2
=

2
0

2
m

2
0
, (3.17)
o
0
est la vitesse de londe en surface libre et
m
la vitesse de londe en surface
mtallise ( paisseur de mtal nulle).
Si nous passons cette formule en une variation de frquence en supposant la longueur
dondes constante, nous obtenons :
k
2
=
f
2
a
f
2
r
f
2
a
= 1
(
f
r
f
a
)
2
, (3.18)
avec f
r
, la frquence de rsonance correspondant la frquence de la conductance
maximale du mode tudi et f
a
, la frquence danti-rsonance gale la frquence
de la rsistance maximale de ce mme mode.
72 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
Par ce calcul, nous obtenons un couplage lectromcanique de 0,1 % pour les deux
modes excits par un TPP en niobate de lithium et de 0,05 % pour ceux excits
par un TPP en tantalate de lithium. Ces coecients de couplage sont quivalents
au coecient de couplage dondes de Rayleigh sur quartz (environ 0,1 % [54]).
En ce qui concerne les contributions mineures aux alentours des deux modes prin-
cipaux, elles correspondent des modes de polarisation complexe impliquant du
cisaillement qui ne trouvent pas dutilit dans nos applications, car elles sont peu
couples (k
2
<0,1 ).
Une dernire tude sur le comportement de ces modes vis vis de la tempra-
ture va nous permettre destimer une drive en temprature (CTF) de ces modes
pour les deux matriaux ferrolectriques.
3.2.2.2 Simulations en temprature
En acoustique, quelle que soit lapplication vise, il est important de connatre
la drive thermique de la frquence des dispositifs. En eet, si nous devons raliser
un capteur thermique ou encore des rsonateurs ultra-stables, nous devons tre en
mesure de pouvoir estimer thoriquement leur drive thermique. Pour ce faire, nous
calculons ladmittance harmonique de nos TPPs sur niobate et tantalate de lithium
pour direntes tempratures allant de 298 323 K par pas de 5 K. En eet, comme
nous lavons expliqu au dbut de ce chapitre, nous avons intgr dans les logiciels
danalyse une fonctionnalit simplie de prvision des drives thermiques fonde sur
une dilatation des matriaux. Nous prsentons en gure 3.9 la susceptance du mode
elliptique pour direntes tempratures dune structure utilisant un TPP en niobate
de lithium. Les rsultats sont similaires pour lautre mode (mode longitudinal) et
sur tantalate de lithium.
0.004
0.006
0.008
0.01
0.012
0.014
0.016
0.018
0.02
76 76.2 76.4 76.6 76.8 77
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

(
S
)
Frquence (MHz)
TPP LiNbO
3
(p=50m, e=500m),
Imag(Y
11
)=f(f) Mode elliptique
T=298 K
T=303 K
T=308 K
T=313 K
T=318 K
T=323 K
Figure 3.9 Susceptances harmoniques du mode elliptique calcules pour direntes tempratures
dun TPP en niobate de lithium (p = 50 m, e = 500 m)
3.2. Simulations de Transducteurs Polariss Priodiquement 73
partir de ces rsultats, nous pouvons estimer la drive en temprature de chaque
mode (en ppm/K) grce la relation suivante :
CTF =
1
T
f
n
f
0
f
0
10
6
, (3.19)
avec f
n
correspondant aux frquences de rsonance du mode tudi pour chaque
temprature, si la drive est linaire.
Pour dterminer ce coecient, nous traons la sensibilit en frquence des modes
(exprime en ppm) en fonction de la temprature (exprime en Kelvin). Le coef-
cient directeur de la droite obtenue correspond au CTF. La gure 3.10 prsente
respectivement la sensibilit en fonction de la temprature des modes excits par un
TPP en niobate de lithium et ceux excits par un TPP en tantalate de lithium.
-2500
-2000
-1500
-1000
-500
0
300 305 310 315 320
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t

(
p
p
m
)
Temprature (K)
TPP (p=50m, e=500m),
Sensibilit=f(T, matriau du TPP)
CTF
mode elliptique TPP LiNbO
3
= -76 ppm/K
CTF
mode longitudinal TPP LiNbO
3
= -81 ppm/K
CTF
mode elliptique TPP LiTaO
3
= -74 ppm/K
CTF
mode longitudinal TPP LiTaO
3
= -49 ppm/K
Mode elliptique TPP LiNbO
3
Mode longitudinal TPP LiNbO
3
Mode elliptique TPP LiTaO
3
Mode longitudinal TPP LiTaO
3
Figure 3.10 Drives en temprature des principaux modes dun TPP (p = 50 m, e = 500 m)
en niobate et tantalate de lithium
Nous remarquons que les CTF des modes elliptique et longitudinal dun TPP en
niobate de lithium sont proches (-81 ppm/K pour le mode eliptique et -76 ppm/K
pour le mode longitudinal) et semblables aux valeurs trouves dans la littrature [95]
alors que ceux dans le tantalate sont considrablement dirents (-74 ppm/K pour
le mode elliptique et seulement -49 ppm/K pour le mode longitudinal). Ainsi ces
matriaux ont une maille cristalline identique, des proprits pizolectriques sem-
blables mais des constantes eectives suivant la temprature notablement direntes.
Toutes ces simulations nous indiquent que le principe de transducteurs base de
domaines alterns donne les rsultats escompts et permet galement dexciter une
74 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
onde (londe longitudinale) ayant une vitesse de phase relativement leve qui ne
peut tre excite aisment laide de peignes interdigits classiques. Ces deux mat-
riaux sont nanmoins trs sensibles la temprature. Il est alors impratif de trouver
une solution permettant de rduire ce CTF. Une des approches est le double report
de ces matriaux pizolectriques sur un autre substrat peu sensible la tempra-
ture. Pour simuler ces structures, nous nous sommes servis la fois des lments nis
et des lments de frontire base de fonctions de Green. Cette tude est dtaille
dans la partie suivante.
3.3 Simulations de guides dondes base de TPPs
Dans la partie prcdente, nous avons mis en avant lexistence des deux modes
principalement gnrs par un transducteur polaris priodiquement. Ces modes,
lun elliptique et lautre longitudinal, possdent des couplages infrieurs au pourcent
et des drives en temprature suprieures -50 ppm/K.
Cette partie consiste analyser un nouveau concept de rsonateur fond sur le
report dun matriau ferrolectrique entre deux substrats qui auront pour but de
guider les modes, consolider la structure et diminuer les drives thermiques. Nous
allons tout dabord prsenter la modlisation de ce type de structure par nos outils
de simulation. Nous tudierons ensuite les proprits de dispersion et de dispersion
harmonique dun guide donde compos par un TPP en niobate ou tantalate de
lithium sur du silicium. Cette conguration correspond ltude exprimentale ef-
fectue dans le chapitre 5. Enn, nous testerons dautres matriaux de guidage pour
nos guides dondes an dtudier leur comportement vis vis de la temprature et
leurs eets de guidage.
3.3.1 Modlisation de guide dondes base de TPP : Maillage et rayon-
nement
Nous proposons sur la gure 3.11 un schma de guide dondes base de TPP.
Nous retrouvons le TPP prcdemment tudi avec de part et dautre un matriau
de guidage plan et homogne.
3.3. Simulations de guides dondes base de TPPs 75
b
b
p
Electrode : Or
Electrode : Or
Coupe (YXl) 90 Coupe (YXl) 90
Couche guidante
Couche guidante
Couche ferrolectrique
e
Figure 3.11 Schma du guide dondes base de TPP
La modlisation de cette structure doit prendre en compte la partie non homo-
gne du problme (le TPP) et la partie homogne (les matriaux de guidage). Nous
utilisons un maillage pour simuler par lments nis les TPPs (gure 3.12(a)) et les
lments de frontire base de fonctions de Green pour modliser les substrats de
guidage (gure 3.12(b, c)).
(a) (b) (c)
Figure 3.12 (a) Maillage type dun TPP pour un calcul fond sur les lments nis et schmas
des matriaux de guidage pour le calcul par lments de frontire base de fonction de Green tels
que gurs au sein du logiciel, (b) rayonnement en milieu suprieur appliquer sur la rfrence
2 et (c) rayonnement en milieu infrieur appliquer sur la rfrence 1
La couche en or sert dlectrode pour exciter le matriau pizolectrique ainsi
que de liant entre les matriaux de guidage et le TPP. Nous avons x lpaisseur de
cette couche 250 nm. Nous allons appliquer sur les rfrences du maillage du TPP,
en plus des conditions de priodicit sur les rfrences 3 et 4 et de potentiel
76 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
sur les rfrences 1 et 2 , des conditions de rayonnement sur les rfrences
1 et 2 . Nous avons opt, pour des substrats de guidage semi-innis an de
caractriser les proprits intrinsques des modes qui nous intressent ; le caractre
nis des substrats suscitant des modes parasites rendant cette analyse dicile.
Nous allons maintenant tudier les proprits de dispersion et de diraction ainsi
que le CTF dun guide dondes de type silicium/TPP/silicium car le sillicium est
trs utilis en micro-lectronique, donc bien matris en technologie de fabrication
et bon march.
3.3.2 Etude des proprits de dispersion de la structure Si/TPP/Si
Cette partie est consacre ltude du comportement des ondes lastiques dans la
structure silicium/TPP/silicium lorsque nous modions lpaisseur (e) et la priode
(p) du transducteur. La structure de base tudie est prsente sur la gure 3.11
avec pour couche guidante du silicium de coupe XY semi-inni.
Tout dabord, nous allons tudier les eets de guidage de cette structure, pour un
TPP en niobate de lithium de priode 50 m et dpaisseurs 500, 50, 30, 15 et 10 m.
Les admittances harmoniques rsultantes sont prsentes sur la gure 3.13. Les r-
sultats sont similaires avec un TPP en tantalate de lithium.
La gure 3.13(a) illustre ladmittance harmonique obtenue pour un TPP de 500 m
dpaisseur. Nous remarquons, dans ce cas, une contribution principale excite
131 MHz (soit 6550 m.s
1
). Si nous la comparons aux modes excits par le trans-
ducteur seul, cette mme frquence, nous trouvons un mode purement longitudinal
(cf. partie 3.2.2.1). Grce notre outil de simulation, nous avons vri que sa po-
larisation etait purement longitudinale, ainsi nous retrouvons le mode excit par un
transducteur seul. Cependant, londe polarisation elliptique ne peut pas tre gn-
re dans les congurations guides dondes car les matriaux de guidage contraignent
le TPP en surface. En eet, nous avons vu que londe elliptique a une composante
suivant laxe Z et dforme le matriau en surface, alors que londe longitudinale suit
laxe X et sa dformation est dans le volume.
3.3. Simulations de guides dondes base de TPPs 77
0
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0.006
40 60 80 100 120 140 160
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
Silicium/TPP LiNbO
3
(p=50m, e=500m)/Silicium,
Y
11
=f(f)
G tho
B tho
(a)
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0 20 40 60 80 100 120 140
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
1.5
2
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
Silicium/TPP LiNbO
3
(p=50m)/Silicium,
Y
11
=f(f, paisseur du TPP)
G (e
TPP
=50 m)
B (e
TPP
=50 m)
G (e
TPP
=30 m)
B (e
TPP
=30 m)
G (e
TPP
=15 m)
B (e
TPP
=15 m)
G (e
TPP
=10 m)
B (e
TPP
=10 m)
(b)
Figure 3.13 Admittances harmoniques dune structure Si/TPP LiNbO
3
(p=50 m)/Si, (a) pour
une paisser de 500 m de TPP, (b) pour des paisseurs de 50, 30, 15 et 10 m de TPP
Nous avons cherch obtenir une courbe de dispersion de londe longitudinale (cou-
plage lectromcanique et frquence de synchronisme) mais il sest rvl notable-
ment dicile de la suivre car plusieurs branches modales se superposent au voisinage
de sa frquence de synchronisme comme dans le cas des plaques. Nous avons donc
tabli une cartographie modale du maximum de la partie relle de ladmittance en
78 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
fonction du rapport (e/p), pour un TPP de 10 m de priode dont on fait varier
lpaisseur de 1 100 m. La gure 3.14 prsente les rsultats obtenus.
Figure 3.14 Lieux des isovaleurs de maximum de conductance pour une structure Si/TPP
LiNbO
3
(p=10 m)/Si dpaisseur de TPP variable avec la mise en vidence des eets de dispersion
et des embranchements dondes entre 6500 et 7000 m.s
1
(vitesse de phase assimilable celle de
londe longitudinale)
Nous remarquons que cette onde croise de nombreuses autres contributions pa-
rasites lors de lamincissement du transducteur, ce qui perturbent considrablement
son suivi. Cependant, la cartographie de ses proprits en fonction des paramtres
dimensionnables du guide donne limpression dune continuit de contribution dune
seule et mme onde correspondant celle que lon veut suivre. Ainsi, nous observons
que la clrit de londe crot exponentiellement lorsque lpaisseur du transducteur
diminue. Pour des rapports (e/p) compris entre 8 et 10, la clrit est relativement
stable et le couplage lectromcanique de londe est constant et toujours du mme
ordre de grandeur que celui du mode longitudinal dun TPP, soit de 0,15 %. Cette
conguration est envisager lors de la fabrication du rsonateur an den valider le
concept.
Nous nous sommes intresss ensuite, la disparition du mode elliptique. Pour cela,
nous avons fait voluer lpaisseur de la couche guidante en silicium de 1 100 m
pour une structure Si/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/Si. Le suivi de la fr-
quence de synchronisme et du couplage lectromcanique de ce mode pour direntes
paisseurs de silicium est prsent en gure 3.15.
3.3. Simulations de guides dondes base de TPPs 79
75
76
77
78
79
80
81
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
F
r

q
u
e
n
c
e
d
e
s
y
n
c
h
r
o
n
i
s
m
e
(
M
H
z
)
C
o
u
p
l
a
g
e

l
e
c
t
r
o
m

c
a
n
i
q
u
e
(
%
)
Epaisseur de silicium (m)
Silicium/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/Silicium,
Courbes de dispersion du mode elliptique en fonction de lpaisseur de silicium
Frquence de synchronisme
Couplage lectromcanique
Figure 3.15 Suivis de la frquence de synchronisme et du couplage lectromcanique du mode
elliptique, dans la structure Si/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/Si, pour direntes paisseurs
de silicium de 1 100 m
Pour une paisseur de 1 m, les ondes excites par le TPP ne sont pas aectes
par le silicium, ainsi nous retrouvons le mode elliptique 76 MHz. Ensuite, plus
lpaisseur de silicium augmente, plus la frquence de synchronisme de ce mode
crot car londe est de plus en plus guide par le silicium. En outre, son couplage
lectromcanique chute car ce mode est de plus en plus contraint par la couche gui-
dante. Ce mode nit par se stabiliser 81 MHz avec un couplage proche de 0 %
do sa disparition.
En amincissant le transducteur, nous observons sur la gure 3.13(b) que londe lon-
gitudinale pralablement tudie rayonne dans le substrat de guidage avec beaucoup
de pertes et devient ainsi inexploitable. Pour tre dans les conditions de guidage,
il faut que la vitesse de phase de londe excite par le TPP soit infrieure celle
des ondes SSBW du matriau de guidage [96]. En eet, nous observons sur la partie
relle de ladmittance une rupture de guidage 113 MHz traduit par lapparition
abrupte dune valeur non nulle de conductance. Aprs cette frquence, la structure
ne permet plus le guidage des ondes. Nous trouvons ainsi une vitesse des ondes
SSBW dans le silicium de 5650 m.s
1
. En outre, une nouvelle onde apparat guide,
pure spectralement (aucune autre contribution parasite), dont la clrit dpend de
lpaisseur du transducteur, que nous nommons mode isol. Nous avons eectu un
suivi de sa frquence et de son couplage lectromcanique pour direntes paisseurs
de TPP (de 5 500 m). Les rsultats sont prsents en gure 3.16.
80 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
80
85
90
95
100
105
110
115
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
F
r

q
u
e
n
c
e
d
e
s
y
n
c
h
r
o
n
i
s
m
e
(
M
H
z
)
C
o
e

c
i
e
n
t
d
e
c
o
u
p
l
a
g
e

l
e
c
t
r
o
m

c
a
n
i
q
u
e
(
%
)
Epaisseur du TPP (m)
Silicium/TPP LiNbO
3
(p=50m)/Silicium,
tude du mode isol
Frquence de synchronisme
Couplage lectromcanique
Figure 3.16 Courbes de dispersion du mode isol pour la structure Si/TPP
LiNbO
3
(p=50 m)/Si, avec une paisseur de TPP variant de 5 500 m
Nous remarquons deux phases dans le suivi de la frquence de rsonance du mode
isol. Dans la premire phase, de 500 m 30 m, la frquence de synchronisme ainsi
que le couplage lectromcanique du mode isol croissent exponentiellement avec une
frquence de 81 MHz 500 m et un couplage proche de 0 %, telle tait la frquence
de localisation et le couplage du mode elliptique cette paisseur (cf. gure 3.15).
Ainsi le mode isol prend naissance avec le mode elliptique du TPP seul. Dans la
seconde phase, de 30 m 1 m, la frquence augmente plus lentement car la vitesse
de phase du mode est ralentie par celle des ondes SSBW du silicium et de ce fait, le
couplage lectromcanique chute considrablement. De ce suivi, nous tirons un point
de fonctionnement optimal o le couplage lectromcanique du mode est maximum
pour une paisseur de 30 m du TPP. Lvolution du couplage lectromcanique
dans un guide dondes est li la polarisation de londe. Ainsi, nous avons tudi
la polarisation du mode isol pour direntes paisseurs du TPP et nous prsentons
les rsultats principaux en gure 3.17.
3.3. Simulations de guides dondes base de TPPs 81
(a) (b)
(c) (d)
Figure 3.17 Etude de la polarisation du mode isol direntes paisseurs du TPP, (a) 500 m,
polarisation majoritairement elliptique avec contribution transverse, (b) 100 m, polarisation
majoritairement longitudinale et transverse avec contribution elliptique, (c) 30 m, polarisation
majoritairement longitudinale et transverse avec contribution elliptique, (d) 10 m, polarisation
majoritairement longitudinale avec contribution elliptique
Nous remarquons que la polarisation du mode isol volue en fonction de lpaisseur
du TPP et joue un rle notable sur le couplage du mode. En eet, les direntes
polarisations correspondent des points cls des courbes de la gure 3.16. A 500 m,
le mode est majoritairement elliptique semblable aux modes de Lamb symtriques,
ainsi ce mode est trs contraint par la couche guidante. Puis en amincissant le
transducteur, la polarisation du mode devient de plus en plus majoritairement lon-
gitudinale avec du cisaillement pour nir par devenir un mode de compression.
Nous avons choisi dtudier les proprits de dispersion de ce mode pour direntes
priodes de TPP avec un matriau de transduction en niobate et tantalate de lithium.
Nous prsentons sur les gures 3.18(a, b) les rsultats des courbes de dispersion du
82 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
mode isol pour un TPP en niobate de lithium et en gures 3.18(c, d) celles pour un
TPP en tantalate de lithium. Nous avons choisi de dnir la frquence de synchro-
nisme et le couplage lectromcanique du mode en fonction du rapport paisseur
du TPP sur priode du TPP (e/p) car les points de fonctionnement de chaque
structure correspondent un mme rapport entre lpaisseur et la priode du TPP.
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
F
r

q
u
e
n
c
e

(
M
H
z
)

e/p
p = 5 m
p = 10 m
p = 15 m
p = 20 m
p = 30 m
p = 50 m
(a)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
C
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t

d
e

c
o
u
p
l
a
g
e

l
e
c
t
r
o
m

c
a
n
i
q
u
e

(
%
)
e/p
p = 5 m
p = 10 m
p = 15 m
p = 20 m
p = 30 m
p = 50 m
(b)
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
F
r

q
u
e
n
c
e

(
M
H
z
)

e/p
p = 10 m
p = 20 m
p = 30 m
p = 50 m
(c)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
C
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t

d
e

c
o
u
p
l
a
g
e

l
e
c
t
r
o
m

c
a
n
i
q
u
e

(
%
)
e/p
p = 10 m
p = 20 m
p = 30 m
p = 50 m
(d)
Figure 3.18 Etude de la dispersion du mode isol en fonction du rapport (e/p) du TPP pour dif-
frentes priodes, (a, b) pour une structure Si/LiNbO
3
/Si, (c, d) pour une structure Si/LiTaO
3
/Si
Quel que soit le matriau de transduction, nous remarquons, quil existe un rap-
port (e/p) optimal pour lexcitation de ce mode. En eet, pour un rapport (e/p)
de 0,6, le couplage atteint, pour une structure en niobate de lithium, est de 0,7 %
(vrai pour une priode de 50 m) et pour une structure en tantalate de lithium
est de 1,1 %, soit sept fois suprieurs ceux des ondes de surface sur quartz [54].
Ces rsultats laissent donc augurer des conditions dutilisation confortables de ce
mode. En revanche, la vitesse du mode varie fortement aux alentours de ce point
de fonctionnement (gure 3.18(a, c)) et peut donc se rvler dicile matriser en
pratique. De plus, lvolution du couplage pour diverses priodes dire dans les
3.3. Simulations de guides dondes base de TPPs 83
deux congurations. En eet, la frquence de rsonance ainsi que le couplage lec-
tromcanique dpendent de la longueur donde du transducteur. Pour le TPP en
niobate de lithium (gure 3.18(b)), ce phnomne est trs prononc. Plus la priode
du TPP augmente, plus le maximum de coecient de couplage lectromcanique
crot jusqu stabilisation vers 0,7 % pour une priode de plus de 30 m. Alors que
pour le TPP en tantalate de lithium (gure 3.18(d)), cest linverse, le couplage a
tendance augmenter lgrement lorsque la priode diminue, nanmoins il reste trs
proche de 1 %.
Ainsi, en pratique, nous allons essayer de nous placer dans les conditions dexcitation
optimales obtenues pour un rapport (e/p) de 0,6. Pour les deux structures (niobate
et tantalate de lithium), nous favoriserons une priode de 50 m ce qui augmentera
lpaisseur nale du transducteur 30 m, an de valider le concept.
Ayant dtemin les direntes ondes excites et leurs conditions de guidage opti-
males dans une structure guide dondes sur silicium, nous allons maintenant estimer
leurs drives en frquence suivant la temprature dans la partie suivante.
3.3.3 Simulation en temprature
Nous avons tudi sparment les drives en temprature de londe longitudinale
et du mode isol car ces deux ondes nexistent pas en mme temps pour les points
de fonctionnement optima dnis prcdemment. Pour calculer le CTF dans les
structures guides dondes, nous imposons sur la partie maille (ici le TPP) une
dilatation suivant laxe Z daprs les constantes eectives du matriau ferrolectrique
du TPP (car il ny a pas de contraintes sur lpaisseur du TPP) et une dilatation
suivant laxe X daprs les constantes eectives du matriau de guidage (car le TPP
est contraint de part et dautre par un matriau). Le logiciel ne prend pas en compte
les eets des contraintes thermodirentielles. Nous proposons un suivi, pour les deux
ondes, du CTF en fonction des paisseurs du TPP. Les rsultats sont prsents en
gure 3.19.
84 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
-71
-70
-69
-68
-67
-66
-65
-64
-63
-62
100 150 200 250 300 350 400 450
C
T
F
t
h

o
r
i
q
u
e
d
u
m
o
d
e
l
o
n
g
i
t
u
d
i
n
a
l
(
p
p
m
/
K
)
Epaisseur du TPP en LiNbO
3
(m)
Mode longitudinal
(a)
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5
C
T
F
t
h

o
r
i
q
u
e
m
o
d
e
i
s
o
l

(
p
p
m
/
K
)
Log(paisseur du TPP en LiNbO
3
)
Mode isol
(b)
Figure 3.19 Suivi du CTF dans la structure silicium/TPP LiNbO
3
(p=50 m)/silicium pour
direntes paisseurs de TPP , (a) de londe longitudinale, (b) du mode isol avec une chelle
logarithmique sur les paisseurs
Nous remarquons que plus le TPP est pais, plus londe longitudinale drive en fr-
quence avec la temprature, jusqu stabilisation -70 ppm/K (gure 3.19(a)). De
mme, nous observons une stabilisation du CTF du mode isol pour de faibles pais-
seurs de TPP -30 ppm/K (gure 3.19(b)). La rfrence [95] value galement un
3.3. Simulations de guides dondes base de TPPs 85
CTF dans le silicium -30 ppm/K. Ainsi, en simulation, partir de 1 m dpaisseur
de TPP, la dilatation du matriau de transduction devient ngligeable par rapport
celle des matriaux de guidage. Et inversement pour de fortes paisseurs de TPP
(suprieure 350 m), le CTF tend vers celui du matriau de transduction. Nous
rsumons lvolution du CTF dans un guide dondes par la courbe de la gure 3.20.
Tend vers le CTF
du matriau de guidage
Tend vers le CTF
du matriau du TPP
Epaisseur
du TPP
CTF
0
Figure 3.20 Comportement du CTF en fonction de lpaisseur du TPP dans une structure guide
dondes
Nous conrmons par la gure 3.21 que quel que soit le matriau de transduction
(niobate ou tantalate de lithium), le CTF, pour une paisseur de TPP de 1 m, tend
vers celui du silicium.
-900
-800
-700
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
295 300 305 310 315 320 325
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t

(
p
p
m
)
Temprature (K)
Silicium XY/TPP (p=50m, e=1m)/Silicium XY, Sensibilit=f(T, matriau du TPP)
CTF (Si/TPP LiNbO
3
/Si) = -32 ppm/K
CTF (Si/TPP LiTaO
3
/Si) = -32 ppm/K
Si/TPP LiNbO
3
/Si
Si/TPP LiTaO
3
/Si
Figure 3.21 Drives en tempratures du mode isol des structures, Silicium/TPP (p=50 m,
e=500 m)/Silicium, utilisant des TPPs en niobate et tantalate de lithium
86 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
Un dernier point danalyse, pour complter nos connaissances sur cette structure,
est ltude des proprits de dispersion harmonique. Pour raliser un rsonateur, il
faut une cavit rsonante. Nous allons donc tudier lexistence dun phnomne de
bande darrt pour statuer sur les possibilits de faire rsonner la structure.
3.3.4 Analyse des proprits de dispersion harmonique de la structure
silicium/TPP/silicium
Pour les modes ou pseudo-modes dun guide, on peut caractriser la bande de
frquence correspondant aux conditions de Bragg pour lesquelles le rseau diracte
les ondes incidentes. Cette bande de frquence souvent appele bande darrt cor-
respond un rgime macroscopique pour lequel londe voit son nergie dcrotre
exponentiellement le long du rseau.
Ladmittance harmonique obtenue par un calcul couplant mthodes numriques et
analytiques donne accs aux paramtres de propagation et dexcitation dondes sous
rseaux priodiques. Le code de calcul dvelopp dans le cadre des travaux sur les
sondes dimagerie priodiques, massivement fond sur les lments nis et tenant
compte des conditions de rayonnement via une formulation de frontire par fonction
de Green, a fait lobjet dune validation probante pour le traitement des ondes de
surface [97]. Ce code ncessite ladjonction dun module dajustement paramtrique
pour lestimation numrique des paramtres de propagation des ondes au sens de
la matrice mixte. Nous prsentons ici les principaux rsultats de ce calcul inspir
fortement des travaux de Fusero et Pastureaud [98, 99] et adapt notre problme.
Le cas dcrit en dtail sur la gure 3.22 concerne ltude des proprits de dispersion
harmonique dune structure de type silicium/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=10 m)/
silicium. Nous avons choisi une paisseur du TPP de 10 m car cette paisseur,
la rponse est trs pure spectralement (prsence du mode isol seulement). La p-
riodisation se fait comme toujours sur les artes latrales et le rayonnement dans
le silicium (100) sopre via les faces sur lesquelles des conditions pour le potentiel
sont galement appliques. La simulation est eectue dans un premier temps avec
des lments de Lagrange de degr 1 sans prjudice sur la prcision de calcul. Les
courbes de dispersion ainsi obtenues sont reportes en gure 3.22(a, b, c) montrant
respectivement ladmittance harmonique de cette structure, la bande darrt telle
quhabituellement reprsente (nombre dondes en fonction de la frquence) mais
galement les paramtres spectraux du ple qui se rvlent riches en informations.
Pour notre propos, chacune de ces grandeurs est reporte sous forme complexe.
3.3. Simulations de guides dondes base de TPPs 87
0
0.002
0.004
0.006
0.008
0.01
0.012
0.014
0.016
0.018
40 60 80 100 120 140 160
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
Silicium/TPP LiNbO
3
(p=50m, e=10m)/Silicium,
Y
11
=f(f)
G
B
(a)
0
5e05
0.0001
0.00015
0.0002
0.00025
0.0003
110.504 110.508 110.512 110.516 110.52
0
1e05
2e05
3e05
4e05
5e05
6e05
7e05
8e05
P
a
r
t
i
e

r

e
l
l
e

d
e

p
P
a
r
t
i
e

i
m
a
g
i
n
a
i
r
e

d
e

p
Frquence (MHz)
Re(
p
)
Im(
p
)
(b)
1e07
0
1e07
2e07
3e07
4e07
5e07
6e07
7e07
8e07
9e07
110.504 110.508 110.512 110.516 110.52
3e10
2e10
1e10
0
1e10
2e10
3e10
4e10
5e10
6e10
7e10
8e10
P
a
r
t
i
e

r

e
l
l
e

d
e

p
P
a
r
t
i
e

i
m
a
g
i
n
a
i
r
e

d
e

p
Frquence (MHz)
Re(
p
)
Im(
p
)
(c)
Figure 3.22 (a) Admittance harmonique de la structure tudie, Si/TPP LiNbO
3
(p=50 m,
e=10 m)/Si et paramtres caractristiques de londe au voisinage de la bande darrt (b) nombre
dondes normalis et (c) paramtre spectral du ple
Il est tout fait remarquable de constater que chacun de ces termes est gnrale-
ment complexe, et quen loccurrence la justication dune telle hypothse appert
des courbes de la gure 3.22. En pratique, pour un mode de surface standard (ondes
de Rayleigh guide par la surface ou sous rseau dlectrodes), la partie imaginaire
du nombre dondes normalis
p
est nulle avant et aprs la bande darrt. Dans le
cas prsent, on voit (gure 3.22(b)) une partie imaginaire non nulle de
p
tendre vers
zro en entre et sortie de bande darrt et se comporter de manire habituelle dans
la bande darrt. En clair, le transducteur prsente toujours des pertes en dehors de
la condition de synchronisme, celles-ci tendant sannuler a proximit des limites de
la bande darrt. Il en va de mme pour la position spectrale du ple (gure 3.22(c)).
En pratique, la gure 3.22(c) montre que la structure rsonne en sortie de bande
darrt avec une trs lgre contribution en entre de cette mme bande au sens des
paramtres de matrice mixte.
88 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
Les gures 3.23 et 3.24 prsentent respectivement lvolution de la bande darrt
pour un TPP en niobate et en tantalate de lithium dpaisseur 10 m sur silicium
pour direntes priodes variant de 10 m 50 m.
0
0.0001
0.0002
0.0003
0.0004
0.0005
0.0006
0.0007
0.9996 1 1.0004 1.0008 1.0012
0
0.0001
0.0002
0.0003
0.0004
0.0005
0.0006
0.0007
0.0008
N
o
m
b
r
e
d

o
n
d
e
s
n
o
r
m
a
l
i
s

(
p
a
r
t
i
e
r

e
l
l
e
)
N
o
m
b
r
e
d

o
n
d
e
s
n
o
r
m
a
l
i
s

(
p
a
r
t
i
e
i
m
a
g
i
n
a
i
r
e
)
Frquence normalise (MHz)
Silicium/TPP LiNbO
3
(e=10m)/Silicium,
Bande darrt = f(priode du TPP)
p=10 m, Re(
p
)
p=10 m, Im(
p
)
p=25 m, Re(
p
)
p=25 m, Im(
p
)
p=30 m, Re(
p
)
p=30 m, Im(
p
)
p=50 m, Re(
p
)
p=50 m, Im(
p
)
Figure 3.23 Evolution du nombre dondes normalis en fonction de la priode pour une structure
de guidage de 10 m dpaisseur en niobate de lithium
0
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0.006
0.996 1 1.004 1.008 1.012
0
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0.006
0.007
N
o
m
b
r
e
d

o
n
d
e
s
n
o
r
m
a
l
i
s

(
p
a
r
t
i
e
r

e
l
l
e
)
N
o
m
b
r
e
d

o
n
d
e
s
n
o
r
m
a
l
i
s

(
p
a
r
t
i
e
i
m
a
g
i
n
a
i
r
e
)
Frquence normalise (MHz)
Silicium/TPP LiTaO
3
(e=10m)/Silicium,
Bande darrt=f(priode du TPP)
p=10 m, Re(
p
)
p=10 m, Im(
p
)
p=20 m, Re(
p
)
p=20 m, Im(
p
)
p=30 m, Re(
p
)
p=30 m, Im(
p
)
p=50 m, Re(
p
)
p=50 m, Im(
p
)
Figure 3.24 Evolution du nombre dondes normalis en fonction de la priode pour une structure
de guidage de 10 m dpaisseur en tantalate de lithium
Au premier abord, nous observons que, quel que soit le matriau de transduction,
la bande darrt slargit lorsque la priode diminue. Cependant un suivi plus prcis
3.3. Simulations de guides dondes base de TPPs 89
de la largeur de la bande darrt en fonction de la priode du TPP, prsent sur la
gure 3.25, permet dapporter des modications cette hypothse.
0
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0.006
0.007
10 15 20 25 30 35 40 45 50
L
a
r
g
e
u
r

d
e

b
a
n
d
e

d

a
r
r

t

n
o
r
m
a
l
i
s

Priode du TPP (m)


Silicium/TPP LiNbO
3
(e=10m)/Silicium,
Largeur de bande darrt=f(priode du TPP)
(a)
0
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0.006
0.007
10 15 20 25 30 35 40 45 50
L
a
r
g
e
u
r

d
e

b
a
n
d
e

d

a
r
r

t

n
o
r
m
a
l
i
s

Priode du TPP (m)


Silicium/TPP LiTaO
3
(e=10m)/Silicium,
Largeur de bande darrt=f(priode du TPP)
(b)
Figure 3.25 Evolution de la largeur de la bande darrt en fonction de la priode pour une
structure de guidage de 10 m dpaisseur, (a) en niobate de lithium, (b) en tantalate de lithium
En eet, nous remarquons, pour la structure en niobate de lithium (gure 3.25(a)),
que la courbe nest pas monotone et prsente un maximum de largeur de bande dar-
rt pour une priode denviron 15 m correspondant un rapport (e/p) de 0,6, en
lien avec le maximum de couplage. Par contre, la courbe en gure 3.25(b), avec du
tantalate de lithium, est strictement monotone et conrme notre premire hypothse.
Lors de cette tude de guide dondes sur silicium, nous nous sommes aperus que les
eets de guidage ainsi que le CTF dpendaient des proprits de la couche guidante
lorsque lpaisseur de TPP est ngligeable. Nous allons maintenant tudier dautres
congurations de guides dondes utilisant divers matriaux de guidage an dessayer
de rduire le CTF et de modier les eets de guidage.
3.3.5 Etude des eets de guidage et simulation en temprature de di-
verses congurations de guides dondes
Dans le cadre de lanalyse des direntes solutions envisageables pour rduire le
CTF ou guider les ondes plus hautes frquences, nous avons considr les combi-
naisons de matriaux suivantes :
Silicium/Silice/TPP/Silice/Silicium
Quartz/TPP/Quartz
Diamant/TPP/Diamant
90 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
Nous allons tudier les rponses acoustiques de ces structures pour des TPP pais
(e=500 m) et amincis (e=10 m) an de dterminer des congurations idoines pour
le guidage des ondes lastiques et pour la compensation de la drive en temprature.
Nous comparerons systmatiquement les structures bases sur un transducteur en
niobate de lithium et celles en tantalate de lithium.
3.3.5.1 Matriau de guidage/TPP pais/Matriau de guidage
Lobjectif de ltude de diverses congurations de matriaux base de transduc-
teurs pais (e=500 m) est dobserver si les matriaux de guidage jouent leur rle
de guide dondes. Nous rsumons en gure 3.26, les admittances harmoniques des
dirents guides dondes excits par un TPP (p=50 m, e=500 m) en niobate de
lithium. Les rsultats sont similaires sur tantalate de lithium.
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
40 60 80 100 120 140 160
0.02
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
Substrat/TPP LiNbO
3
(p50m, e=500m)/Substrat,
Y
11
=f(frquence, matriaux de guidage)
G (silicium XY)
B (silicium XY)
G (silicesilicium XY)
B (silicesilicium XY)
G (quartz AT)
B (quartz AT)
G (diamant YX)
B (diamant YX)
(a)
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
131 131.1 131.2 131.3 131.4 131.5
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
Substrat/TPP LiNbO
3
(p50m, e=500m)/Substrat,
Y
11
=f(frquence, matriaux de guidage)
G (silicium XY)
B (silicium XY)
G (silicesilicium XY)
B (silicesilicium XY)
G (quartz AT)
B (quartz AT)
G (diamant YX)
B (diamant YX)
(b)
Figure 3.26 Admittances harmoniques de guides dondes Substrat de guidage/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/Substrat de guidage, (a) simulations sur une large bande de frquence, (b)
simulations centres sur le mode principal
Quel que soit le matriau de guidage, une seule contribution est toujours excite
la mme frquence de synchronisme, soit 131 MHz pour un TPP en niobate de
lithium et 112 MHz pour du tantalate de lithium. Cette onde a dj t analyse
prcdemment et correspond une onde longitudinale. Ainsi, dans cette congura-
tion, les matriaux de guidage ninuent pas sur la frquence de synchronisme des
ondes. En outre, sur la gure 3.26(b), nous observons nanmoins quelques dirences
suivant les congurations. Les guides dondes avec de la silice et du quartz gnrent
des pertes acoustiques sur cette onde avec un coecient de qualit notablement d-
grad (large pic de conductance). De plus, nous observons que londe est guide avec
du diamant car sa frquence de synchronisme est lgrement plus leve que pour
3.3. Simulations de guides dondes base de TPPs 91
les autres congurations et ceci est vri par la vitesse de phase des ondes SSBW
dans le diamant qui est de 12500 m.s
1
. Pour les autres matriaux de guidage, la
vitesse de phase des ondes SSBW est infrieure la contribution longitudinale, ainsi
ces dernires ne sont pas guides. Nous proposons dans le tableau 3.1, un rcapitu-
latif des vitesses de phase des ondes SSBW dans divers matriaux obtenues par nos
logiciels de simulations.
Matriaux de guidage Vitesse des ondes SSBW (m.s
1
)
Silicium XY 5650
Silice 5600
Quartz AT 3900
Diamant YX 12500
Niobate de lithium ZX 4000
Tantalate de lithium ZX 3300
Table 3.1 Rcapitulatif des vitesses des ondes SSBW dans divers matriaux
Maintenant que nous avons analys les eets de guidage des ondes dans di-
rentes structures base de TPP dpaisseur 500 m, nous allons tudier sa drive en
frquence en fonction de la temprature pour chaque structure. Nous avons trac sur
les gures 3.27 et 3.28 une estimation de la sensibilit thermique de londe longitudi-
nale dans les diverses structures utilisant respectivement du niobate et du tantalate
de lithium comme matriau de transduction.
-2500
-2000
-1500
-1000
-500
0
295 300 305 310 315 320 325
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t

(
p
p
m
)
Temprature (K)
Substrat/TPP LiNbO
3
(p=50m, e=500m)/Substrat,
Sensibilit=f(T, matriau guidage)
CTF (silicium XY) = -71 ppm/K
CTF (silice-silicium XY) = -68 ppm/K
CTF (quartz AT) = -82 ppm/K
CTF (diamant YX) = -73 ppm/K
Silicium XY
Silice-silicium XY
Quartz AT
Diamant YX
Figure 3.27 Drives en tempratures de structures Substrat/TPP LiNbO
3
(p=50 m,
e=500 m)/Substrat
92 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
-1600
-1400
-1200
-1000
-800
-600
-400
-200
0
200
300 305 310 315 320 325 330
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t

(
p
p
m
)
Temprature (K)
Substrat/TPP LiTaO
3
(p=50m, e=500m)/Substrat,
Sensibilit=f(T, matriau guidage)
CTF (silicium XY) = -36 ppm/K
CTF (silice-silicium XY) = -38 ppm/K
CTF (quartz AT) = -46 ppm/K
CTF (diamant YX) = -33 ppm/K
Silicium XY
Silice-silicium XY
Quartz AT
Diamant YX
Figure 3.28 Drives en tempratures de structures Substrat/TPP LitaO
3
(p=50 m,
e=500 m)/Substrat
Nous rappelons que nous avions calcul un CTF de -81 ppm/K pour le mode lon-
gitudinal dun transducteur en niobate de lithium sans matriaux de guidage et de
-49 ppm/K pour un en tantalate de lithium. En reportant ce TPP sur des matriaux
de guidage, nous avons abaiss le CTF denviron 10 ppm/K sauf avec le quartz o
le CTF nest que trs peu modi. Ces rsultats restent nanmoins des approxima-
tions car nous ne prenons pas en compte, dans nos calculs, les eets de contraintes
thermodirentielles. De plus, nous nous apercevons que quel que soit le matriau de
guidage, le CTF est de mme ordre de grandeur, ainsi nous ne pouvons pas rduire
le CTF dans cette conguration. Nous avons vu que lamincissement du TPP tait
une solution pour compenser la drive en temprature des ondes, ainsi nous allons
tudier ces mmes structures avec un TPP aminci.
3.3.5.2 Silicium/Silice/TPP aminci/Silice/Silicium
Ltude sur silicium ayant dj t ralise, nous commencons par la simulation
de la structure comportant de la silice. Cette conguration se direncie de celle sur
silicium par sa structure rayonnante constitue de silice et de silicium comme nous
lavons schmatise sur la gure 3.29(a). Nous avons paramtr une couche de 10 m
de silice sur une couche semi-innie de silicium avec au centre, un TPP de priode
50 m et dpaisseur 10 m en niobate et en tantalate de lithium. Ladmittance
harmonique de cette structure est prsente en gure 3.29(b).
3.3. Simulations de guides dondes base de TPPs 93
SiO
2
TPP
(YXl)90 (YXl)90
Au
Au
Si
Si
2
SiO
(a)
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
60 80 100 120 140 160 180
15
10
5
0
5
10
15
20
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
Silicium/Silice(e=10m)/TPP (p=50m, e=10m)/Silice(e=10m)/Silicium,
Y
11
=f(f, matriau du TPP)
G (TPP LiNbO
3
)
B (TPP LiNbO
3
)
G (TPP LiTaO
3
)
B (TPP LiTaO
3
)
(b)
Figure 3.29 (a) Structure du guide dondes Si/SiO
2
/TPP/SiO
2
/Si, (b) admittances harmoniques
de cette structure avec une paisseur de silice de 10 m pour un TPP de priode 50 m et dpaisseur
10 m en niobate et en tantalate de lithium
Ladmittance harmonique est proche de celle calcule pour une structure utilisant
que du silicium. En eet, ceci est due la forte prsence du silicium et la silice
qui est un compos du silicium. La seule dirence notable est la vitesse de londe
SSBW dans le compos silice-silicium (5600 m.s
1
) qui est lgrement infrieure par
rapport celle dans le silicium seul (5650 m.s
1
). Nous observons ainsi une seule
contribution guide, toujours de polarisation majoritairement longitudinale avec une
contribution elliptique, se propageant 5200 m.s
1
avec un TPP en niobate de
lithium et 4900 m.s
1
avec du tantalate de lithium.
Lintrt principal de cette structure rside dans la compensation en temprature.
En eet, la silice est bien connue pour compenser les drives en temprature [100]
par son CTF positif. Nous avons eectu plusieurs simulations en temprature pour
direntes paisseurs de silice de 1 m 10 m, que nous prsentons en gure 3.30.
Nous prsentons seulement ltude ralise sur un TPP en niobate de lithium car
nous trouvons les mmes rsultats avec du tantalate (comme nous lavons montr
dans la structure avec du silicium).
94 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
-800
-600
-400
-200
0
200
400
600
295 300 305 310 315 320 325
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t

(
p
p
m
)
Temprature (K)
Si/SiO
2
/TPP LiNbO
3
(p=50m, e=1m)/SiO
2
/Si,
Sensibilit=f(T, paisseur SiO
2
)
CTF (SiO
2
(10 m)) = 22 ppm/K
CTF (SiO
2
(5 m)) = 1 ppm/K
CTF (SiO
2
(1 m)) = -25 ppm/K
SiO
2
(10 m)
SiO
2
(5 m)
SiO
2
(1 m)
Figure 3.30 Drives en tempratures de la structure, Silicium/Silice/TPP LiNbO
3
(p=50 m,
e=500 m)/Silice/Silicium, pour direntes paisseurs de silice
Nous remarquons que le CTF volue en fonction de lpaisseur de silice. Plus lpais-
seur est grande, plus le CTF augmente. Avec 5 m de silice sur du silicium, nous
obtenons une drive thermique proche de 0 ppm/K. Ces paramtres sont retenir
pour raliser un dispositif stable en frquence malgr des variations de temprature.
Nous allons maintenant tudier une autre conguration fonde sur du quartz (coupe
AT), pour essayer galement de compenser la drive thermique.
3.3.5.3 Quartz/TPP aminci/Quartz
Le quartz a la particularit de peu se dilater avec la temprature. Donc la fr-
quence de rsonance, qui dpend de la taille, sera relativement constante. Il existe
plusieurs coupes de quartz possdant direntes proprits. La plus rpandue est
la coupe AT, qui prsente une bonne stabilit en temprature (les coupes AT sont
spcies gnralement pour que le point dinexion de la courbe frquence = f(T)
se trouve 25C). Ainsi, dans la continuit de lanalyse prcdente, nous avons test
lusage de quartz AT comme matriau de guidage de nos structures.
Nous avons dabord constat sur la gure 3.31 que le guidage ntait pas envisa-
geable avec un TPP en niobate de lithium, malgr un ajustement en paisseur du
TPP pour exciter une onde plus basse frquence. En eet, les ondes SSBW dans
le quartz sont assez lentes (3900 m.s
1
).
3.3. Simulations de guides dondes base de TPPs 95
0
0.002
0.004
0.006
0.008
0.01
0.012
0.014
0.016
0.018
60 80 100 120 140
-0.05
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
Quartz AT/TPP (p=50m, e=50m)/Quartz AT,
Y
11
=f(f, matriau du TPP)
G (TPP LiNbO
3
)
B (TPP LiNbO
3
)
G (TPP LiTaO
3
)
B (TPP LiTaO
3
)
Figure 3.31 Admittances harmoniques dun TPP sur tantalate et niobate de lithium entre deux
substrats semi-innis de quartz AT avec une paisseur du TPP de 50 m et une priode du rseau
de 50 m
Par contre, lutilisation dun TPP en tantalate de lithium enserr par deux sub-
strats semi-innis de quartz AT donne des rsultats nettement plus encourageants,
avec lexcitation dune onde de polarisation majoritairement longitudinale avec une
contribution elliptique guide 3800 m.s
1
pour un rapport (e/p) gal ou suprieur
1. En eet, compte tenu des vitesses de phase plus faibles des ondes de Rayleigh
sur tantalate (ZX) (3500 m.s
1
) que sur niobate (3800 m.s
1
), nous arrivons ainsi
guider le mode isol. Les conditions de guidage restent nanmoins fortement d-
pendantes du rapport (e/p). Le mode est nanmoins coupl avec un autre mode
perturbant sa puret spectrale et lui ajoutant des pertes.
Nos outils de calculs des drives en temprature ne prennent pas en compte les
eets des contraintes thermodirentielles, ainsi les estimations des CTF entre les
deux extremums sont errones (gure 3.20). Ne pouvant pas guider des modes plus
faibles paisseurs de TPP, d aux ondes SSBW dans le quartz qui sont trs lentes,
la simulation en temprature de cette structure 50 m dpaisseur na pas de sens
physique.
Aprs cette structure, nous nous sommes intresss au guidage par diamant qui
est rput, en acoustique, essentiellement par ses vitesses de phase des ondes SSBW
trs rapides comme nous lavons vu dans le tableau 3.1.
96 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
3.3.5.4 Diamant/TPP aminci/Diamant
La conguration avec du diamant est beaucoup plus confortable en termes de
guidage grce aux vitesses de propagation leves dans le diamant. En eet, en
supposant des matriaux semi-innis de part et dautre du transducteur et compte
tenu de la vitesse de phase correspondant aux ondes SSBW (12500 m.s
1
), et un
transducteur aminci 10 m, nous retrouvons notre mode isol nettement acclr
avec une polarisation majoritairement longitudinale et une contribution elliptique
comme prsent sur la gure 3.32.
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0 50 100 150 200 250 300
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
Diamant/TPP LiNbO
3
(p=50m)/Diamant,
Y
11
=f(f, paisseur du TPP)
G (e
LiNbO
3
=10 m)
B (e
LiNbO
3
=10 m)
G (e
LiNbO
3
=20 m)
B (e
LiNbO
3
=20 m)
Figure 3.32 (a)Admittances harmoniques dun TPP de priode 50 m sur niobate de lithium
entre deux substrats semi-innis de diamant avec une paisseur de TPP de 10 m et 20 m
Pour une telle structure et quelle que soit la priode considre, nous obtenons
une vitesse de phase du mode isol de 8700 m.s
1
en utilisant un TPP en niobate de
lithium et de 7500 m.s
1
avec du tantalate de lithium. Nous apercevons galement
une deuxime onde plus haute frquence qui nest pas guide avec 10 m dpais-
seur du TPP, mais qui est la limite du guidage. Ainsi, en augmentant lgrement
lpaisseur du TPP ( 20 m), nous rduisons la vitesse des ondes excites et ainsi,
nous arrivons guider cette onde plus de 11000 m.s
1
polarisation majoritaire-
ment longitudinale. Les rsultats sont quivalents avec du tantalate de lithium avec
pour seule dirence, une vitesse de phase des ondes plus faible comme nous lavons
dj vu auparavant.
De plus, nous avons tudi en gure 3.33 la drive en temprature du mode isol dans
cette structure avec 1 m dpaisseur de TPP et nous trouvons un CTF denviron
-10 ppm/K.
3.3. Simulations de guides dondes base de TPPs 97
-350
-300
-250
-200
-150
-100
-50
0
295 300 305 310 315 320 325
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t

(
p
p
m
)
Temprature (K)
Diamant/TPP (p=50m, e=1m)/Diamant,
Sensibilit=f(T, matriau du TPP)
CTF (Diamant/TPP LiNbO
3
/Diamant) = -11 ppm/K
CTF (Diamant/TPP LiTaO
3
/Diamant) = -13 ppm/K
Diamant/TPP LiNbO
3
/Diamant
Diamant/TPP LiTaO
3
/Diamant
Figure 3.33 Drives en temprature du mode isol dans une structure diamant/TPP (p=50 m,
e=1 m)/diamant
De telles congurations savrent donc particulirement avantageuses pour les
applications RF avec une faible variation en frquence des modes avec la temprature
( -10 ppm/K) mais restent problmatiques mettre en uvre du fait de la nature
mme des matriaux de guidage. Il faut donc identier lpaisseur critique ncessaire
au guidage pour une paisseur de transducteur donne, sachant quil nest pas raliste
de fabriquer des guides base de substrats de diamant massif. La gure 3.34 prsente
les admittances harmoniques obtenues pour diverses paisseurs de diamant (30 m,
50 m et semi-innie).
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
50 100 150 200 250 300
15
10
5
0
5
10
15
20
25
30
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
Diamant/TPP LiNbO
3
(p=50m, e=10m)/Diamant,
Y
11
=f(f, paisseur de diamant)
G (e
diamant
=30m)
B (e
diamant
=30m)
G (e
diamant
=50m)
B (e
diamant
=50m)
G (e
diamant
=)
B (e
diamant
=)
Figure 3.34 Admittances harmoniques dune structure Diamant/TPP LiNbO
3
(p=50 m,
e=10 m)/Diamant pour direntes paisseurs de diamant
98 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
Daprs cette simulation, lpaisseur critique de diamant, pour un guidage des
ondes comparable un substrat de diamant semi-inni, est de 50 m de diamant.
Aprs cette paisseur, nous commenons perdre les eets de guidage et le mode
isol drive en frquence (vitesse de phase plus faible).
3.4 Conclusion
Ces simulations ont permis de mieux comprendre le fonctionnement du nouveau
systme et dtablir des points de fonctionnement qui nous serviront pour la fabri-
cation.
Tout dabord, nous constatons deux dirences principales entre les combinaisons
utilisant un transducteur en niobate et celles en tantalate de lithium. La premire
concerne la puret spectrale. En eet, les structures base de tantalate excitent des
modes avec une meilleure puret spectrale que pour des structures en niobate, ce qui
permettrait daugmenter considrablement le coecient de qualit du rsonateur. La
seconde repose sur la dirence de clrit de londe de Lamb entre les deux mat-
riaux frrolectriques. Pour le tantalate, londe de Lamb se propage 3500 m.s
1
alors que pour le niobate de lithium, la vibration de phase atteint 3800 m.s
1
. Cest
pourquoi nous observons les mmes ondes excites (avec les mmes polarisations),
quelle que soit la nature du matriau ferrolectrique, des frquences plus faibles
pour les structures avec du tantalate quavec du niobate. En outre, nous avons remar-
qu que les eets de guidage des ondes lintrieur des structures dpendaient de la
vitesse des ondes SSBW dans les matriaux de guidage. En eet, si londe excite par
le TPP est moins rapide que londe SSBW de la structure guidante, alors cette onde
sera guide sinon, elle rayonnera dans le substrat de guidage. De ce fait, nous avons
analys diverses structures, avec des objectifs dirents. La structure silicium/TPP/-
silicium est une conguration robuste technologiquement (insensible aux paramtres
technologiques de fabrication) et de bas cot pour la mise en uvre et lencapsu-
lation en micro-lectronique mais avec une drive de temprature de la structure
saturant -30 ppm/K. Lajout de silice aux interfaces silicium/TPP constitue un
driv de cet empilement. Les modes excits sont semblables ceux de la struc-
ture avec silicium et la drive en temprature peut tre amene 0 ppm/K avec une
paisseur de 5 m de silice. Le point critique de cette structure est la couche de silice
qui doit tre dense, ce qui ncessite des conditions dlaboration spciques (haute
temprature en systeme de dpt en phase vapeur activ par plasma (PECVD)). La
conguration avec du quartz avait pour but galement davoisiner les 0 ppm/K mais
la vitesse des ondes SSBW dans ce matriau est trop faible pour pouvoir guider des
3.4. Conclusion 99
modes purs spectralement. Enn, les structures fondes sur du diamant, permettent
dexciter des modes haute frquence mais la mise en uvre nest pas envisageable
aisment pour des raisons techniques et nancires. Un rcapitulatif des modes ex-
cits dans les diverses structures avec certaines caractristiques (vitesse de phase et
CTF) est prsent dans le tableau 3.2.
Structure Matriau Mode excit Clrit CTF
du TPP (m.s
1
) (ppm/K)
TPP LiNbO
3
Mode de Lamb 3800 -75
Mode longitudinal 6550 -80
LiTaO
3
Mode de Lamb 3250 -75
Mode longitudinal 5600 -50
Substrat/TPP(e=500m)/Substrat LiNbO
3
Onde longitudinale 6550 -70
LiTaO
3
Onde longitudinale 5600 -40
Silicium/TPP(e=1m)/Silicium LiNbO
3
Mode isol 5500 -30
LiTaO
3
Mode isol 5200 -30
Si/SiO
2
/TPP(e=1m)/SiO
2
/Si LiNbO
3
Mode isol 5200 0
pour 5m de SiO
2
LiTaO
3
Mode isol 4900 0
Quartz/TPP(e=50m)/Quartz LiNbO
3
Aucun
LiTaO
3
Mode isol 3800 Logiciel
limit
Diamant/TPP(e=1m)/Diamant LiNbO
3
Mode isol 8700 -10
LiTaO
3
Mode isol 7500 -10
Table 3.2 Rcapitulatif des modes excits et de certaines caractristiques dans les TPP en
niobate et tantalate de lithium et dans les structures guides dondes
Il ressort de ces travaux lexistence de nombreux degrs de libert pour loptimisa-
tion des transducteurs polariss priodiquement, avec comme matriaux dexcitation
le niobate et le tantalate en coupe Z, prsentant des proprits ferrolectriques trs
proches mais des vitesses des ondes lastiques notablement direntes, permettant
lutilisation de matriaux de guidage multiples : quartz, silicium, silice, diamant,
niobate et tantalate de lithium selon des modalits dnies. Dautres matriaux de
guidage sont bien sr envisageables : nitrure daluminium (dans la mesure o des
couches paisses pourraient tre synthtises), saphir, carbure de silicium sont les
candidats les plus en vue. Nous allons maintenant passer la partie fabrication du
rsonateur ondes lastiques guides par du silicium et excites par un TPP de
priode 50 m et dpaisseur 500 m et galement dpaisseur 30 m an de se
positionner sur les points optima calculs dans la partie 3.3.2.
100 Chapitre 3. Simulations acousto-lectriques : du TPP au guide dondes base de TPP
Chapitre 4
Fabrication du rsonateur base de
transducteur polaris priodiquement
Dans ce chapitre, nous allons dcrire les direntes tapes technologiques n-
cessaires la fabrication de rsonateurs sur guides dondes base de TPPs. Nous
traiterons distinctement chaque tape-cl de la fabrication de ce nouveau type de
rsonateur pour nir sur la conception de loscillateur.
Tout dabord, nous porterons un intrt particulier la conception des TPPs qui
seront la base de notre systme. Nous expliquerons le fonctionnement de notre banc
dinversion de domaines par application dun champ lectrique et nous visionnerons
quelques rsultats dinversion sur niobate et tantalate de lithium.
Ensuite, nous aborderons les techniques de report de plaques par collage mtallique
et nous prsenterons notre procd de collage temprature ambiante adapt des
matriaux composites. De plus, nous mettrons en avant nos moyens de caractrisa-
tion des collages, notamment notre banc ultrasonore.
Nous dvelopperons par la suite, notre savoir-faire dans le domaine des rodage et
polissage de plaques. Cette tape est ncessaire an damincir nos substrats dans le
but dobtenir un dispositif rpondant aux caractristiques optimales calcules dans
le chapitre 3.
Enn, nous examinerons direntes mthodes de connexion lectrique permettant
de caractriser nos rsonateurs. Nous prsenterons les procds de fabrication lis
chaque type de connectique. La dernire tape consiste insrer le rsonateur dans
une boucle doscillation dont nous expliquerons le fonctionnement et la fabrication.
101
102 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
4.1 Fabrication du TPP
Dans le chapitre 2, nous nous sommes concentrs sur laspect thorique de lin-
version priodique de domaines ferrolectriques dans le niobate ou le tantalate de
lithium. Cette partie dcrit la mthode employe pour fabriquer les transducteurs
domaines priodiquement alterns. Tout dabord, nous prsenterons notre banc din-
version de domaines par application dun champ lectrique pour des substrats de 3
et 4 pouces de diamtre. Ensuite, nous dnirons la structure priodique isolante
fonde sur une rsine photosensible en dtaillant les procds de photolithographie
mis en uvre. Enn, nous utiliserons ces rseaux priodiques pour donner naissance
aux TPPs.
4.1.1 Inversion des domaines ferrolectriques par application dun champ
lectrique
4.1.1.1 Description du banc dinversion de domaines ferrolectriques
Comme nous lavons vu dans le chapitre 2, linversion de domaines est fonde
sur lapplication dune impulsion lectrique de part et dautre du substrat ferro-
lectrique. Rappelons que le champ coercitif du niobate et du tantalate de lithium
congruents est de 21 kV/mm. Etant donn que nous disposons de substrats de 500 m
dpaisseur, nous devons donc appliquer une dirence de potentiel de 11 kV. Le
schma du montage est prsent en gure 4.1.
CH1 CH2
Electrolyte
liquide
Impulsion lectrique H.T.
Ampli H.T.
Gnrateur de
signaux
Tension
Plexiglas
(gain : 2000V/V)
(impulsion)
PC
Z+
Plexiglas
3 3 LiNbO ou LiTaO
Masque
en rsine
Haute Tension
Masse
Courant dinversion
LiNbO3 ou LiTaO3
Figure 4.1 Schma synthtique du banc de polarisation [52]
4.1. Fabrication du TPP 103
Compte tenu des tensions leves que nous devons utiliser pour raliser une inver-
sion de domaines, le banc de polarisation ncessite un amplicateur haute tension
(HT) pilot par un gnrateur de signaux. Celui-ci reoit limpulsion pralablement
programme grce lordinateur. La source haute tension est ensuite connecte di-
rectement au substrat grce la cellule schmatise sur le zoom de la gure 4.1.
Lamplicateur haute tension dlivre une image basse tension qui nous permet de
contrler la tension externe et le courant dlivrs grce un oscilloscope. Ces deux
paramtres sont alors enregistrs et nous renseignent sur la dynamique de linversion
de polarisation. Par ailleurs lintgration temporelle i(t) nous donne la quantit de
charges transfre dans le circuit, donc laire totale inverse. Ceci est possible car
lamplicateur fonctionne en rgime de saturation pour fournir des charges compen-
sant linversion de polarisation (I
sat
=22,4 mA) lorsque le champ total aux bornes
du substrat est suprieur au champ coercitif.
Le dispositif permettant le contact lectrolytique consiste en deux plaques de Plexi-
glas entre lesquelles le substrat est bloqu grce deux joints toriques circulaires en
silicone qui servent de compartiment pour llectrode liquide. Le Plexiglas est choisi
pour ses proprits non conductrices et de transparence, ce qui permet dobserver
et dliminer les bulles ventuelles prsentes dans le liquide, empchant localement
linversion de polarisation. En thorie, une solution sature de chlorure de lithium
[62, 101], caractrise par sa haute conductivit, est employe comme lectrolyte
mais tant donn sa viscosit leve lorsquelle est sature, on prfrera utiliser une
solution de LiCl trs lgrement dilue (ajout de 2 ml deau pour 250 ml de LiCl
satur) an quelle puisse se rpartir convenablement dans les motifs de lisolant.
Cela naecte pas lecacit de llectrolyte et nous permet dobtenir des motifs in-
verss de forme rgulire. De plus, lemploi dhuile de silicone sur les joints diminue
les eets de bords permettant ainsi dviter les claquages des joints et de lair. Il
garantit galement ltanchit du dispositif.
Nanmoins, il faut tre trs minutieux lors de la prparation de lchantillon et vi-
ter toute contamination (poussire, bulle, etc.) pour esprer raliser une inversion
russie sur plus de 90 % de la surface. Lorsque lchantillon est prt, il sut de
connecter le dispositif au circuit lectrique et de gnrer limpulsion haute tension.
La mise en uvre technologique de ce banc dvelopp par Jrme Hauden et Emilie
Courjon [52] est prsente sur la photographie de la gure 4.2. Nous utilisons un
amplicateur HT TREK 20/20B dlivrant des tensions de 0 20 kV qui est
pilot par un gnrateur de signaux HP 33120A . Cette source HT est directe-
ment relie la cellule dans laquelle est plac le substrat ainsi qu un ordinateur
qui nous permet de crer et de gnrer limpulsion. Enn, lacquisition de la tension
104 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
et du courant dlivrs lors de linversion est possible grce un oscilloscope HP
54603B .
Figure 4.2 Photographie prsentant le banc dinversion de domaines
Les dispositifs de maintien des substrats 3 et 4 pouces, fabriqus par nos soins,
sont prsents en gure 4.3.
(a) (b)
Figure 4.3 Photographies des cellules de maintien de substrats (a) 3 pouces et (b) 4 pouces
4.1. Fabrication du TPP 105
Nous retrouvons dans ces dispositifs tous les lments dcrits prcdemment. Sur
la gure 4.3(b), nous observons des rseaux structurs en rsine photosensible sur un
substrat de niobate de lithium de diamtre 4 pouces. Nous allons expliquer dans le
paragraphe suivant le rle de cette rsine et dcrire sa mise en uvre technologique.
4.1.1.2 Dnition de la structure priodique isolante
Nous avons choisi une structure dnie par photolithographie pour assurer une
isolation lectrique priodique sur une des deux faces du matriau ferrolectrique,
en loccurrence la face Z+. Lautre face sera en contact sur toute sa surface avec
llectrode liquide en LiCl.
Nous avons test direntes rsines pour jouer le rle disolant lectrique. Les pre-
miers essais ont montr que la rsine positive S1828 (Shipley) jouait bien le
rle disolant lectrique escompt, pour une paisseru des motifs de rsine optimise
3,5 m. La rsolution des motifs fabriqus est nanmoins limite tant donne
lpaisseur de cette rsine (rsolution maximale denviron 5 m). Nous avons donc
test une rsine plus ne, la S1813 (Shipley), pour une paisseur de 1,3 m.
Cependant, les tests ont dmontr que pour une telle paisseur, la rsine nest plus
assez isolante. En eet, nous avons invers la polarit du substrat sous toute la sur-
face protge par la rsine. Nous avons donc chang de type de rsine et tudi la
rsine Ti09-XR (Microchemicals), pour une paisseur de 0,9 m. Cette rsine
inversible de haute rsolution est usuellement prconise pour la ralisation de pro-
cds dits de lift-o (ancs rentrants). Cette particularit nest pas un inconvnient
dans notre cas, bien au contraire, car lpaisseur de rsine est constante dans les
zones protges, contrairement une rsine positive donnant un prol en trapze
comme le prsente la gure 4.4. Lors de nos tests, cette rsine a jou son rle diso-
lant et sera donc utilise pour la dnition de rseaux alterns de faibles priodes,
soit infrieures 10 m.
Rsine positive
Zone protge
(a)
Rsine inversible
Zone protge
(b)
Figure 4.4 Prols dune rsine positive (a) et inversible (b)
106 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
Les tapes de photolithographie ralises pour les deux types de rsine sont sch-
matises en gure 4.5.
UV
3
LiNbO
3
LiNbO
3
LiNbO
1. Enduction et recuit de la rsine
2. Insolation
3. Dveloppement
Rsine positive
(a)
UV
LiNbO
3
LiNbO
3
1. Enduction et recuit de la rsine
LiNbO
3
3. Recuit dinversion
LiNbO
3
4. Insolation sans masque
UV
LiNbO
3
5. Dveloppement
2. Insolation avec masque
Rsine inversible
(b)
Figure 4.5 Dnition par photolithographie de la structure priodique isolante, (a) avec une
rsine positive telle que la rsine S1828 , (b) avec une rsine inversible telle que la rsine Ti09-
XR
Nous remarquons, que le procd de lithographie de la rsine rversible est plus
complexe que celui utilis pour de la rsine positive. Ainsi, nous avons choisirons la
rsine S1828 pour des rseaux alterns de priodes suprieures 10 m et la
rsine Ti09-XR pour des motifs infrieurs 10 m de priode.
Ltape la plus dlicate est le recuit de la rsine permettant dliminer les solvants.
En eet, le niobate de lithium ainsi que le tantalate de lithium sont deux mat-
riaux pyrolectriques. Les paramtres de recuit ont donc t adapts de faon ne
pas crer de chocs thermiques. Pour cela, nous cuisons la rsine dans une tuve
95 car la temprature est homogne puis nous la laissons temprature ambiante
quelques heures pour que le substrat ferrolectrique se dcharge avant de linsoler.
De cette faon, des motifs avec direntes priodes ont t raliss en fonction de lap-
plication vise. Nous prsentons en gure 4.6 un exemple schmatique dun masque
de rseaux priodiques adapt pour des rsines positives. Pour les inversibles, il faut
inverser la polarit de ce masque. Les rseaux sont spars, centrs et ne doivent
pas dpasser la surface du joint torique utilis pour dlimiter les lectrodes liquides.
Louverture acoustique est choisie suprieure 100 longueurs dondes [85, 86].
4.1. Fabrication du TPP 107
Chrome
Figure 4.6 Masque en chrome utilis lors de linsolation dune rsine positive pour structurer
des rseaux priodiques
Nous prsentons en gure 4.7 la photographie dun substrat de diamtre 4 pouces
en niobate de lithium avec des rseaux priodiques thorique de 50 m structurs
en rsine ainsi quun zoom obtenu par microscope optique.
(a) (b)
Figure 4.7 (a) Photographie dun substrat de diamtre 4 pouces en niobate de lithium recouvert
de rsine S1828 structure (six rseaux priodiques de 50 m de priode environ) et (b) mesures
de la largeur des traits obtenues sur ce substrat avec un microscope optique
Nous remarquons que nous nobtenons pas une rsine structure de priode 50 m
prcisment. En eet, lors de ltape de dveloppement de la rsine, un phnomne
de sur-dveloppement intervient ce qui modie lgrement les cotes.
108 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
4.1.2 Inversion de domaines priodiques sur niobate et tantalate de li-
thium
Avant toutes choses, il est ncessaire de faire une brve description des substrats
utiliss. Comme nous lavons dit prcdemment, le retournement de la polarisation
est fait suivant laxe Z. Il nous faut donc des substrats de niobate de lithium ou
de tantalate de lithium de coupe (ZX), de faon ce que laxe Z soit normal la
plaque. Les dirents substrats ont t achets auprs de deux entreprises amri-
caines, Crystal Technology en ce qui concerne le LiNbO
3
et Red Optronics
pour le LiTaO
3
. Ils sont de composition dite congruente, font 3 et 4 pouces de dia-
mtre, 500 m dpaisseur et prsentent un polissage dit de qualit optique sur
les deux faces. Il est important de rajouter que pour une campagne de fabrication,
nous utilisons des substrats provenant tous de la mme boule donc ont t fabriqus
en mme temps. Ceci permet de garantir au mieux la reproductibilit de ltape
dinversion sur les direntes plaquettes. Enn, ils possdent un deuxime mplat
permettant de distinguer la face Z+ de la face Z-.
Nous proposons en annexe C un rsum des tudes ralises sur linversion de do-
maines en mettant en vidence les rsultats de photolithographie et dinversion cor-
respondant pour direntes rsines.
4.1.2.1 Rseaux priodiques sur niobate de lithium
La premire tape essentielle lors de la fabrication dun TPP consiste choisir
lisolant lectrique en fonction de la priode dsire. Rappelons que nous utilisons
la rsine S1828 pour des priodes suprieures 10 m et la rsine Ti09-XR
dans les autres cas. Une fois le masque de rsine structur sur le substrat, il reste
programmer limpulsion lectrique dnie dans le chapitre 2 en gure 2.11 et
lappliquer sur la plaque.
On rappelle que la dure de la rampe dinversion t dpend de la surface inverser,
de la polarisation spontane et du courant dinversion.
La gure 4.8 prsente un exemple de courbes tension-courant que lon peut obtenir.
Il sagit dun zoom sur la partie haute de limpulsion. Cet exemple correspond une
inversion de rseaux priodiques de priode 50 m sur un substrat de niobate de
lithium de diamtre 3 pouces. La dure t calcule de la rampe dinversion est de
33 ms. Ainsi, nous avons programm une rampe de 60 ms gale environ deux fois
cette dure.
4.1. Fabrication du TPP 109
Figure 4.8 Courbes obtenues sur loscilloscope, lors dune inversion de domaines sur un substrat
de diamtre 3 pouces de niobate de lithium, centres sur le dbut de limpulsion; tension (courbe
verte) et image du courant (courbe rouge)
Sur cette gure, nous pouvons observer les formes typiques de la tension et du cou-
rant dlivrs lors dune inversion de domaines russie : on observe une chute de
tension ainsi quun pic de courant lorsque la polarisation sinverse. Lamplicateur
fonctionne en mode de saturation, cest pour cette raison que lintensit du courant
est maintenue une valeur constante pendant linversion. On peut galement noter
que le processus sarrte de lui-mme ; ce phnomne est appel self-termination
en anglais. Au moment o lintensit du courant chute, la croissance des domaines
se poursuit sous lisolant ; le champ lectrique sous la rsine est alors infrieur au
champ coercitif, la vitesse de croissance des murs des domaines chute alors brutale-
ment et la quantit de charges apportes sur la surface des zones inverses diminue
lentement puis sannule. Notons enn que les domaines forms sont stables car aucun
courant ngatif de backswitching nest observ car le paramtrage de limpulsion
lectrique a t optimis en ce sens.
Avant denlever le substrat du banc, nous calculons la quantit de charges transfres
pour compenser linversion de domaines an de la comparer la valeur thorique
de faon savoir si linversion est totale ou non, ou sil y a eu sur-inversion ,
cest--dire inversion sous lisolant. Pour ce faire, nous utilisons un programme qui
calcule laire eective sous la courbe de courant, ce qui nous permet de remonter
la quantit de charges transfres par la formule :
Q =

I
pol
t = 2P
s
A. (4.1)
Nous trouvons pour le cas prsent en gure 4.8 une quantit de charges transfres
de 540 C correspondant une dure t de 41 ms. Thoriquement, nous avions
calcul une dure de 33 ms, on en conclut quil y a eu sur-inversion .
Aprs cette vrication, nous enlevons le substrat du banc et nous le nettoyons
dabord avec de lalcool an denlever le chlorure de lithium restant puis dans lac-
tone pour liminer le masque de rsine. Un second passage dans un bain dalcool
110 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
propre permet dliminer lactone. Les domaines crs sont ensuite caractriss au
microscope optique. Nous proposons en gure 4.9 quelques images de rseaux de
direntes priodes (de 200 5 m) faites par microscope optique avec lumire
polarise.
(a) (b)
(c) (d)
Figure 4.9 Inversion de domaines vues au microscope optique de rseaux, (a) de priode tho-
rique de 200 m (exprimentalement nous obtenons 201 m), (b) de priode thorique 50 m
(exprimentalement 49 m), (c) de priode 10 m et (d) de priode 5 m sur des plaques de
500 m dpaisseur
Nous proposons une autre technique de visualisation des rseaux par gravure des
domaines dans un bain acide. En eet, dans sa thse [57], Anthony Martinez observe
que le niobate de lithium orient Z- se grave plus rapidement dans un bain de HF
que celui orient Z+. Ainsi, nous avons plong nos chantillons inverss dans un
bain de HF pur 40 % pendant une demi heure. La gure 4.10 correspond limage
dun rseau de priode 50 m plong dans un bain de HF obtenue au microscope
optique ainsi qu son prol. Cette caractrisation est destructive mais peut trouver
un intrt pour structurer le matriau ferrolectrique. Dans le cas de rsonateur, nous
pourrions utiliser ce phnomne pour crer une rupture dimpdance pour fabriquer
un rseau de Bragg.
4.1. Fabrication du TPP 111
(a) (b)
Figure 4.10 (a) Vue des domaines par microscope optique dun rseau de priode 50 m en
niobate de lithium qui a t plong dans un bain de HF et (b) mesure du prol par prolomtre
Nous remarquons que le rapport cyclique des rseaux se dtriore lorsque la p-
riode diminue ( lerreur de lecture prs). En eet, le rapport cyclique est un para-
mtre trs dicile matriser car les domaines slargissent sous lisolant (cf. partie
2.1.2.4) [57]. Ce phnomne de sur-inversion est dautant plus critique que la
priode est faible comme nous pouvons lobserver sur les gures 4.9(c, d) avec une
inversion par blocs . Une premire solution trs simple pour essayer de remdier
ce problme est de tenir compte de ce phnomne sur le masque en jouant sur le
rapport cyclique de la lithographie. Toutefois, cette solution est vite limite pour
des priodes infrieures 10 m car nous arrivons aux limites des techniques de
photolithographie classique. Par consquent, nous proposons une autre solution qui
consiste amincir pralablement le substrat ferrolectrique an de rduire le champ
lectrique appliqu lors de linversion. En eet, en rduisant la dirence de potentiel
applique sur le substrat, nous allons rduire les lignes de champs qui se propagent
sous lisolant [57]. Pour ce faire, nous procdons lamincissement du substrat par
des techniques de rodage et polissage que nous dtaillerons par la suite. Nous nous
limitons une paisseur de 250 m car la plaque devient trop fragile pour des pais-
seurs plus faibles. Nous rduisons ainsi par deux le champ lectrique appliquer,
soit environ 5 kV. Les rsultats dinversion de rseaux de priode 5 m utilisant ce
procd sont trs encourageants comme le montre la gure 4.11.
112 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
Figure 4.11 Inversion de domaines vue au microscope optique de rseaux de priode 5 m sur
une plaque de niobate de lithium de 270 m
Maintenant que nous sommes au point aves la fabrication de rseaux alterns sur
niobate de lithium (de priode 5 m 200 m), nous allons nous intresser celle
sur tantalate de lithium.
4.1.2.2 Rseaux priodiques sur tantalate de lithium
Linversion priodique des domaines sur tantalate de lithium est trs semblable
celle sur niobate de lithium. Ainsi, nous allons prsenter seulement les points sur
lesquels le tantalate dire du niobate de lithium. La premire dirence concerne
limpulsion lectrique applique : elle comporte une phase de stabilisation des do-
maines nettement plus longue que sur niobate soit de trois secondes comme le pr-
sente la gure 2.11 du chapitre 2. On rappelle quelle nest que de 70 ms pour le
niobate de lithium.
La seconde dirence rside dans les paramtres du calcul de la dure de la rampe
dinversion. En eet, ils doivent tre modis car la polarisation spontane du tanta-
late de lithium est de 55 C/cm
2
, soit 30 % de moins que celle du niobate. En dehors
de ces deux paramtres, le procd dinversion est identique celui sur niobate de
lithium. Nous prsentons une image dinversion de domaines de priode 50 m sur
du tantalate de lithium en gure 4.12.
Figure 4.12 Inversion de domaines sur tantalate de lithium vue au microscope optique (rseaux
thoriques de priode 50 m)
4.1. Fabrication du TPP 113
Nous observons sur cette gure, des priodes mieux rsolues que sur niobate de
lithium (aucune coupure des domaines). Cependant leet de sur-inversion est
plus prononc que sur niobate de lithium.
Vue quil est dicile de respecter un rapport cyclique de 50 %, nous avons tudi
linuence du rapport cyclique sur la rponse du transducteur polaris priodique-
ment. Les rsultats sont prsents en annexe D. En rsum, tant que le rapport
cyclique des rseaux nest pas infrieur 30 %, les transducteurs sont exploitables.
Aprs avoir tudi la mthode de fabrication de domaines priodiquement alterns,
nous allons prsenter lexploitation de ces rseaux en tant que transducteur polaris
priodiquement.
4.1.3 Ralisation du TPP
Linversion de domaines est largement utilise pour des applications optiques
[101]. Nous allons, dans notre cas, les exploiter dans une autre application touchant
le domaine de lacoustique, en fabriquant des transducteurs ondes lastiques gui-
des. Pour ce faire, nous allons utiliser les proprits pizolectriques du matriau
ferrolectrique. Ainsi, pour exciter des ondes lastiques, nous devons fabriquer des
lectrodes de part et dautre des rseaux priodiquement inverss. Nous proposons
en gure 4.13 un procd de fabrication de ces TPPs (gure (a)) et une photographie
dun substrat ayant subi toutes les tapes technologiques (gure (b)).
Niobate de lithium
Rsine positive
Domaines inverss
Aluminium
1. Substrat vierge
2. Ralisation du masque de rsine
3. Inversion de domaines
4. Elimination du masque
6. Structuration des lectrodes suprieures
7. Dpt de llectrode face arrire
5. Dpt dune couche dAl
(a) (b)
Figure 4.13 (a) Etapes de ralisation des transducteurs polariss priodiquement et (b) photo-
graphie dun substrat 3 pouces avec lectrodes prsentant 5 TPPs
114 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
Le transducteur polaris priodiquement ainsi conu est prt tre test. Les
caractrisations seront prsentes dans le chapitre 5. Nous poursuivons maintenant
la description de la fabrication du rsonateur ondes guides base de TPP en
passant ltape de report du transducteur sur un matriau de guidage des ondes.
4.2 Report de plaques
Les simulations du chapitre 3 montrent que le silicium est un bon candidat pour la
fabrication de guides dondes. Il est de plus bon march, bien adapt aux techniques
de microfabrication et nous lachetons en substrat de diamtre 3 ou 4 pouces avec
un TTV ( Total Thickness Variation ) contrl infrieur 3 m chez Siltronix ,
idal pour le reporter sur un autre matriau. Cest pourquoi nous avons dcid de
raliser un vhicule de test base de silicium.
4.2.1 Collage mtallique par compression
De nombreux articles dans la littrature dmontrent quil est possible de coller
des substrats via une interface mtallique par diusion mtal/mtal [102, 103, 104].
Cependant, tous les essais ont t raliss des tempratures suprieures 300 .
Une telle temprature ne nous est pas accessible compte tenu de lcart des proprits
thermolastiques des deux matriaux et plus particulirement des carts entre les di-
latations thermiques du silicium et du niobate ou tantalate de lithium entranant des
contraintes thermodirentielles lors du retour lambiante dpassant la limite las-
tique des deux matriaux. Nanmoins, cette mthode nous semble judicieuse pour
dune part, viter les pertes acoustiques dues lutilisation dun polymre en tant
que colle et dautre part pour utiliser cette couche mtallique comme lectrode
enterre. Pour ces raisons, nous avons entrepris la dveloppement de ce procd
basse temprature. Bien que dirents matriaux puissent tre utiliss pour raliser
linterface mtallique [104, 105], nous avons choisi de travailler avec de lor tant
donn son caractre inoxydable et ductile. Nous utilisons des substrats de silicium
de 3 ou 4 pouces de diamtre suivant le diamtre du substrat ferrolectrique, de
380 m dpaisseur et de TTV contrl (infrieur 3 m).
Des premiers tests de collage composite basse temprature ont t raliss au sein
de notre laboratoire par Dorian Gachon et Emilie Courjon [29, 52] en assemblant
ainsi deux substrats recouverts dune ne couche dor (environ 150 nm) dans la ma-
chine de Wafer Bonding 30 pendant douze heures. Nous avons remarqu
que ses collages ntaient pas reproductible en terme de qualit de collage. En eet,
lors de la dcoupe par la scie des dispositifs, il arrivait que lempilement des mat-
4.2. Report de plaques 115
riaux se sparait aux interfaces mtalliques. Nous avons ainsi dcid de modier le
procd en ajoutant une tape de pression supplmentaire et en saranchissant des
problmes lis la dilatation thermique des matriaux en eectuant notre collage
temprature ambiante. Le nouveau protocole est le suivant :
1. Nettoyage des substrats (bain Piranha constitu dacide sulfurique et de p-
roxyde dhydrogne ou bain sulfochromique) an dliminer toutes pollutions
en surface des plaquettes, dure 15 minutes,
2. Dpt par pulvrisation cathodique de 40 nm de chrome puis de 150 nm dor
sur les faces des deux substrats coller ; la couche de chrome sert de couche
daccroche car lor nadhre pas directement sur les substrats, dure 45 minutes,
3. Positionnement des deux plaques dans la machine de Wafer Bonding faces
mtallises en regard et cration dun vide 10
2
mbar et pression 4000 N an
de raliser un pr-collage des deux substrats dans un environnement contrl,
dure 5 minutes,
4. Nouvelle pression 40000 N avec une presse hydraulique an de chasser les
ventuelles bulles dair prisonnires linterface et de naliser le collage, dure
15 minutes.
La dure complte de ce procd de collage est infrieure deux heures. Maintenant,
an de qualier nos collages, nous devons les caractriser. Pour ce faire, direntes
techniques destructives ou non sont listes dans le paragraphe suivant.
4.2.2 Caractrisations des collages : mthodes destructives ou non
4.2.2.1 Mthodes destructives : arrachement et observation de linterface
Une premire solution envisage dans la thse de Damien Hermelin [106] est un
test darrachement mcanique destructif.
Une seconde solution donnant un aperu de linterface or-or entre les deux matriaux
est lutilisation dun Microscope Balayage Electronique (MEB). Pour ce faire, nous
plaons dans le MEB une tranche du collage et nous focalisons sur linterface or/or.
La gure 4.14 prsente deux collages dun substrat de silicium sur niobate de lithium.
La gure 4.14(a) prsente un collage dont on ne distingue quune seule couche dor
linterface entre les des deux tranches. Cette caractrisation nous fait penser que les
deux couches dor soumises lintense pression mcanique samalgament, donnant
lieu une couche mtallique premire vue homogne. La gure 4.14(b) prsente
un collage dont les couches dor nont pas dius avec la prsence dun espace entre
les deux couches mtalliques.
116 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
(a) (b)
Figure 4.14 Images MEB dun collage mtallique temprature ambiante, (a) dont les deux
couches dor sont lies et (b) avec un espace dair entre les deux matriaux
Ces deux solutions sont reprsentatives de la qualit du collage mais uniquement
de faon ponctuelle et elles sont destructives. Nous proposons dans le paragraphe sui-
vant la description du banc ultrasonore mis en place par notre quipe permettant de
caractriser linterface de collage dun substrat entier par balayage sans dectruction
du dispositif.
4.2.2.2 Mthode non destructive : caractrisation ultrasonore
Nous avons mis en place un banc de caractrisation ultrasonore permettant des-
timer le pourcentage de zones colles de substrats composites de 3 ou 4 pouces de
diamtre.
Nous reportons en gure 4.15 une photo du banc de caractrisation ultrasonore en
immersion avec une plaquette en position, prte tre caractrise.
Figure 4.15 Bac ultrasons permettant une tude qualitative du collage entre substrats
4.2. Report de plaques 117
Le principe de caractrisation du collage est fond sur la diraction acoustique
dune onde longitudinale. Pour une plaque sans dfaut, en dehors des eets de r-
exion aux dioptres solide/liquide et solide/solide, on dtecte aisment la transmis-
sion du signal acoustique mis. La prsence dun dfaut mme ponctuel entrane
un dcit notable dnergie acoustique transmise, voire aucune transmission dans le
cas dun dioptre solide/air franc (cas dun dfaut de collage caractris). Les sondes
ultrasonores sont focalises, le point focal est rgl au voisinage de linterface. Nous
balayons avec les sondes la plaque composite caractriser et nous acqurons un
C-scan, soit une cartographie planaire de linterface, laide dun logiciel. La gure
4.16 prsente deux acquisitions dun mme substrat composite, lune avant le passage
du substrat sous la presse hydraulique et lautre aprs.
(a) (b)
Figure 4.16 Caractrisations par chographie dun collage dun substrat de 3 pouces de silicium
sur un substrat de niobate de lithium (a) collage avant le passage sous la presse hydraulique, (b)
collage aprs pression 40000 N
Nous reprons sur la gure 4.16(a) deux zones bleutes correspondant un mini-
mum de puissance transmise de londe et traduisant ainsi une rupture dimpdance
cre par de lair. En pressant la structure la presse hydraulique 40000 N, nous r-
duisons considrablement cette zone, ce qui permet dhomogniser le collage. Cette
tape de renforcement de collage est primordiale pour garantir le guidage homogne
des ondes lastiques. De plus, il est essentiel de minimiser les zones non colles pour
ltape damincissement du substrat ferrolectrique. En eet, si le collage est dfec-
tueux et en particulier si des bulles dair restent piges linterface, les substrats
se dcolleront ou prsenteront de nombreux dfauts en surface comme le prsente la
photographie de la gure 4.17.
118 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
Figure 4.17 Photographie dun substrat composite silicium-niobate de lithium dont on a aminci
le niobate de lithium environ 50 m avec mise en vidence de dfauts structurels rsultant dun
collage localement dfectueux ou insusant
Une fois ltape de collage ralise, il faut maintenant amincir le substrat com-
posite. Nous allons prsenter dans la partie suivante les moyens technologiques mis
en place pour amincir des substrats de diamtre 3 et 4 pouces jusqu une dizaine
de microns.
4.3 Amincissement de plaques composites
Dans cette tude, nous prsentons un savoir-faire acquis par notre quipe concer-
nant le rodage et le polissage de substrats de silicium, quartz, niobate et tantalate
de lithium en diamtre 3 et 4 pouces. Tout dabord, un bref historique sur le rodage
sera propos et nous poserons quelques dnitions. Ensuite, nous ferons un bilan des
multiples machines de notre laboratoire ddies au rodage et polissage en expliquant
leurs principes de fonctionnement ainsi que les applications vises. Nous proposons
en annexe E les plans dexpriences qui ont permis de guider notre recherche ainsi
que les procds tablis.
4.3.1 Rodage et polissage
4.3.1.1 Bref historique
Le rodage fait partie des technologies les plus anciennes ayant susit la fabrication
de machines ddies. Le principe du rodage peut tre expliqu de manire basique
par la gure 4.18. Le procd de rodage est le rsultat de linteraction entre la
4.3. Amincissement de plaques composites 119
friction rotative du matriau sur le support de rodage, la vitesse, la charge, les
grains dabrasifs et le liquide.
Figure 4.18 Principe du procd de rodage (bauche provenant de Deutsches Museum Munich,
Allemagne)
Un croquis illustrant une machine permettant de roder une face dun matriau
imagine par Lonard de Vinci est prsent en gure 4.19. Ce concept propos en
1493 par le matre italien de la renaissance a t seulement reconnu comme applicable
en 1950.
Figure 4.19 Concept dune rdeuse simple face conu par Lonard de Vinci en 1493 avec contrle
de la vitesse de rotation par loprateur [107]
Les machines de rodage ont t dveloppes pour dirents usinages de mat-
riaux et ont t consolides et industrialises depuis les annes 90. Maintenant, les
rdeuses sont employes rgulirement dans les domaines des cramiques, du verre,
des mono-cristaux ou dautres matriaux durs. Aprs dcoupe des matriaux, un tra-
vail de prcision pour uniformiser les paisseurs et optimiser la planit des pices
est indispensable et pour linstant, le procd de rodage est le plus utilis.
4.3.1.2 Rodage et polissage : Quelques dnitions
Le rodage plan est une opration mcanique qui amliore la planit et ltat de
surface dune pice par un enlvement de matire. Cest un procd par abrasion.
Nous distinguons deux degrs de qualit dtat de surface principaux, en fonction des
120 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
rugosits souhaites : le rodage et le polissage. An de roder et de polir des plaques,
de nombreux produits et du matriel adapts sont indispensables. En eet, nous
trouvons sur le march un vaste panel de machines (rdeuse simple ou double face
manuelle ou automatise) et dabrasifs (carbure de silicium, opaline, silice collodale,
diamant, etc.). Une des donnes fondamentales du rodage est lutilisation dabrasifs
dans un milieu chimique (un liant), permettant de garder les particules dabrasifs
libres. Ce mlange abrasif est inject entre la pice et le support de rodage. La go-
mtrie de la pice est directement induite par la gomtrie du plateau de rodage.
Pour garantir ces deux critres, les choix de labrasif, du liant et du plateau sont
ajuster en fonction de la pice usiner.
Le polissage permet lobtention dune surface polie miroir laide dun disque de
polissage et dun mlange abrasif galement. Les disques de polissage peuvent tre
ocks, tisss, en polyurthanes ou compresss. Ils sont trs doux (contrairement aux
plateaux de rodage) et leur structure permet labrasif de pntrer plus ou moins
profondment de faon obtenir une surface polie de grande qualit. Les abrasifs
sont regroups en deux gammes : les abrasifs diamants et les abrasifs conventionnels
(oxyde daluminium, carbure de silicium, silice collodale, etc). Le type dabrasif est
caractris par sa nature, sa granulomtrie et sa forme (poudre ou liquide). Tous ses
paramtres sont ajuster pour chaque matriau an dobtenir les rsultats escomp-
ts. En eet, nous distinguons dirents objectifs de polissage suivant lapplication :
le polissage daspect o le contrle principal est simplement visuel et le polissage
fonctionnel o le contrle va tre dni par une valeur prcise en tat de surface.
Nous relverons ainsi les valeurs caractristiques principales de ltat de surface,
soient Ra, Rt, Rp et Rc dnies sur la gure 4.20. Ce type de polissage est large-
ment demand dans les domaines de loptique et de lacousto-lectronique [107].
Y
X
Rt Ra
Rp
Rc
0
Figure 4.20 Paramtres de mesure de rugosit
4.3. Amincissement de plaques composites 121
4.3.2 Les machines de rodage et polissage : procds mis en uvre et
applications
Nous proposons en annexe E les plans dexpriences tablis et un rsum des
procds de rodage et polissage optimaux pour divers matriaux.
4.3.2.1 Les rdeuses simple et double face
Notre laboratoire dispose de deux rdeuses : une rdeuse simple face qui permet
de traiter une seule des deux faces dun substrat et une rdeuse double face qui
agit sur les deux faces simultanment. Nous allons maintenant dnir les direntes
possibilits de fonctionnement de ces deux machines et tablir des procds optimaux
en termes de vitesse de rodage et de rugosit pour le silicium, le niobate et tantalate
de lithium.
La rdeuse simple face, de marque Sthli , est quipe dun plateau en laiton
entrain par un moteur vitesse constante et dun minuteur amnag par nos soins
an de la rendre plus commode dutilisation et de matriser au mieux la planit et
lpaisseur nale du substrat. Nous prsentons en gure 4.21 une photographie de
cette rdeuse avec ses quipements supplmentaires.
Figure 4.21 Rdeuse simple face Sthli avec quipements supplmentaires
Tout dabord, nous avons modi le circuit de distribution dabrasif. En eet, nous
ralisons notre mlange (eau, abrasif en poudre, huile) dans un pot de trois litres,
extrieur la machine an de faciliter lapprovisionnement en abrasif. Un malaxeur
permet de constament mlanger la prparation an dviter les dpts dabrasifs.
122 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
Les intrts de ne pas eectuer le mlange dans la cuve vendue avec la machine
sont une meilleure accessibilit, une solution homogne et un nettoyage facile. Nous
avons par ailleurs dispos une pompe pristaltique pour alimenter le plateau en
abrasif. Nous pouvons ainsi maitriser le dbit dabrasif et nettoyer aisment le tuyau
dalimentation aprs manipulation. Nous avons galement labor un systme de
maintien des plaques par le vide qui amliore la planit et le contrle de lpaisseur
rode. Le principe de fonctionnement est fond sur une pice guide en translation
par rapport un anneau de centrage et amene en bute sur celui-ci an de stopper
le rodage. Sur la gure 4.22(a, b), nous pouvons observer respectivement le nouveau
dispositif avec les trois butes micromtriques et un zoom du contact ponctuel de la
bute sur lanneau de centrage. Le substrat est positionn sur un support en laiton et
maintenu par le vide via une pompe externe. Le contrle du contact des butes avec
lanneau est ralis laide dun multimtre qui permet de mesurer la conductivit
entre les deux objets.
(a) (b)
Figure 4.22 (a) Support de maintien par le vide de substrats 3 ou 4 pouces avec rglage par
butes micromtriques de lpaisseur rder, (b) zoom sur une bute du dispositif insr dans
lanneau de centrage
Lpaisseur restante du matriau est dduite de la mesure des paisseurs initiale
et nale obtenues laide dun palpeur numrique. Des mesures de rugosits ont t
ralises avec un rugosimtre. Nous prsentons un rsultat de rugosit aprs rodage
dun substrat de niobate de lithium en gure 4.23. Nous avons utilis un grain de
9 m de carbure de silicium comme abrasif. Dautres amincissements sur tantalate
de lithium, silicium et quartz ont t raliss avec succs avec une rugosit similaire
celle prsente.
4.3. Amincissement de plaques composites 123
(a) (b)
Figure 4.23 (a) Photographie de notre rugosimtre et (b) mesures de rugosit dun substrat de
niobate de lithium rd
Nous avons russi obtenir avec cette mthode des amincissements plus ou
moins 5 m de lpaisseur dsire avec une planit pouvant atteinde dix longueur
dondes sur un substrat de diamtre 3 pouces.
Cette machine est utilise pour du prototypage car nous ne pouvons amincir que
deux plaques simultanment. Elle prsente des avantages tels que sa facilit de net-
toyage et une matrise de lpaisseur rode au micron prs. Nanmoins, nous avons
rencontr des dicults obtenir une surface plane car les butes micromtriques
viennent en contact avec lanneau qui suse lors du rodage. Ainsi, si une bute vient
en contact avec lanneau avant les autres, nous obtenons une usure irrgulire de
lanneau qui se rpercute sur le substrat rd. Il est alors prfrable dutiliser une
rdeuse double face pour assurer une meilleure planit des plaques au nal.
La rdeuse double face de chez SOMOS , prsente en gure 4.24, nous a permis
deectuer des rodages collectifs (5 plaques simultanment).
Figure 4.24 Rdeuse double face SOMOS
124 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
Son principe de fonctionnement est relativement simple. Les substrats amincir
sont insrs dans des satellites, habituellement en poxy. Le plateau suprieur est
abaiss et le poids sur les plaques est rgl par un ressort (masse maximale=masse du
plateau=36 kg). Loprateur peut ensuite rgler les vitesses des plateaux suprieur,
infrieur et du pignon entranant les satellites en rotation. Le mlange dabrasif,
dont le dbit est rglable, est distribu par cinq orices du plateau suprieur. Une
bute micromtrique centrale permet de stopper la machine quand la cte dsire
est atteinte.
Assez rapidement, nous avons constat les avantages et les inconvnients de cette
rdeuse. En eet, elle peut tre utilise aisment pour conditionner des substrats
de diamtre 3 ou 4 pouces (maxi) bruts an de corriger leurs dfauts de planit
et dhomogniser leurs paisseurs comme prsent en gure 4.25. Il est important
de noter que le conditionnement des substrats est primordial notamment quand le
procd ncessite une tape de collage (pour ne pas additionner les dfauts).
Figure 4.25 Schma de correction de la planit des substrats
En revanche, lamincissement de substrats composites est dlicate. En eet, comme
les deux faces sont rodes, il est dicile de matriser lpaisseur du matriau et en-
core plus damener les cinq plaques la mme paisseur. Cependant, il est possible
de favoriser le rodage dune face par rapport lautre en jouant sur la vitesse des
plateaux.
4.3.2.2 La polisseuse double face et quipements
Une fois le substrat rd, nous devons lui redonner son tat de poli miroir .
Pour ce faire, nous utilisons une polisseuse double face de chez SOMOS dont le
principe de fonctionnement est identique la rdeuse prsente prcdemment. Les
seules dirences concernent les plateaux qui sont recouverts dun feutre et la taille
du grain dabrasif qui est denviron 50 nm.
Nous utilisons cette machine dans deux congurations :
en polisseuse double face, lorsque nous avons trait pralablement nos plaques
la rdeuse double face,
en polisseuse simple face, lorsque nous disposons dune seule plaque rode pra-
lablement par la rdeuse simple face. Dans cette conguration, nous avons ra-
lis un support de maintien par le vide du substrat insr dans une couronne
dente comme prsent en gure 4.26.
4.3. Amincissement de plaques composites 125
(a) (b)
Figure 4.26 Photographies, (a) du support de maintien insr dans la polisseuse double face,
(b) du support de maintien avec couronne dente (ici adapt pour des substrats 4 pouces)
Pour un polissage optimal, on adapte les feutres et labrasif selon le matriau
polir. Nous avons tabli des procds de polissage pour dirents matriaux que
nous prsentons en annexe E. Nous pouvons observer en gure 4.27 un substrat de
diamtre 4 pouces poli ainsi que les mesures reprsentatives de son tat de surface.
(a) (b)
Figure 4.27 (a) Substrat composite silicium/niobate de lithium avec rseaux dinversion de
domaines aminci 30 m et poli et (b) mesures de rugosit du substrat poli
La mesure de la rugosit prsente un pic ngatif correspondant une micro-
rayure. Hormis ce dfaut, le polissage obtenu est de qualit optique avec une rugosit
moyenne infrieure 50 nm [108].
126 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
Une fois lamincissement du matriau contenant les rseaux polariss priodique-
ment eectu, nous devons renouveler ltape de collage pour reporter un deuxime
matriau de guidage et ainsi fabriquer le guide dondes. Aprs cette tape, nous d-
coupons la scie le substrat compos de trois couches an dobtenir nos dispositifs.
Nous positionnons nos traits de dcoupe lintrieur des rseaux polariss priodi-
quement an de ne pas exciter dondes parasites (notamment des ondes de volume).
En gure 4.28, nous observons des images MEB des rsonateurs guides dondes
base de TPP et de silicium aprs dcoupe.
(a) (b) (c)
Figure 4.28 Images MEB du rsonateur base de TPP et de silicium, (a) vue de la coupe
selon la largeur dun rsonateur, (b) zoom sur un transducteur aminci 30 m emprisonn entre
deux substrats de silicium et (c) zoom sur un transducteur pais (500 m) emprisonn entre deux
substrats de silicium avec rvlation des domaines par gravure dans un bain de HF
Nous pouvons observer en gure 4.28(b) un rsonateur guide dondes base
de TPP sur niobate de lithium de priode 50 m aminci 30 m report de part
et dautre sur du silicium dpaisseur 380 m. Nous avons dcid damincir le TPP
30 m car dans ltude des proprits de dispersion de cette structure (chapitre
3), nous avons observ pour cette conguration lexcitation dun seul mode avec un
couplage lectromcanique maximal de 0,7 %. La gure 4.28(c) prsente galement
un rsonateur guide dondes respectant le mme empilement de matriaux mais avec
un TPP de 500 m dpaisseur. Nous avons de plus ralis avec succs des rsona-
teurs guides dondes base de TPPs de priode 50 m sur tantalate de lithium plein
paisseur (500 m) et aminci dont nous verrons les caractristiques acoustiques dans
le chapitre 5.
Ltape suivante consiste raliser la connectique an de concevoir un vhicule de
test oprationnel. Nous devons exciter les lectrodes en or enterres aux interfaces
des matriaux. Ainsi la partie suivante prsente direntes solutions de connectique
envisageables selon la nature des matriaux de guidage.
4.4. Connexions lectriques du rsonateur et fabrication de loscillateur 127
4.4 Connexions lectriques du rsonateur et fabrication de
loscillateur
Pour exciter notre rsonateur, nous devons appliquer une dirence de poten-
tiel sur les lectrodes en or enterres aux interfaces des matriaux. Cette partie
rsume les direntes connectiques envisages suivant les proprits des matriaux
de guidage utiliss. En eet, en fonction du type de matriau (conducteur, facilit
dusinage, etc.) nous avons prvu une solution de connexion lectrique an de rali-
ser un vhicule de test. Nous proposons galement une solution adapte tous types
de matriaux. Les caractrisations de ces vhicules de test seront prsentes dans le
chapitre 5.
4.4.1 Cas des matriaux de guidage usinables
Plusieurs technologies sont ddies lusinage de matriaux. Nous trouvons des
techniques dites de gravure sche comme la DRIE (Deep Reactive Ion Etching)
ou la gravure par ultrasons mais galement les gravures dites humides comme les
bains dhydroxyde de potassium (KOH) ou dacide uorhydrique (HF).
Les matriaux concerns par les gravures sches sont notamment le silicium [109, 110]
et ses composs. Dautres matriaux comme la silice ou le niobate de lithium sont
aussi concerns mais leur usinage est lent et limit par la slectivit du masque [111].
Pour la gravure humide, nous utiliserons un bain basique KOH pour graver le sili-
cium et un bain dacide HF pour la silice et le niobate de lithium [112].
Nous proposons en gure 4.29(a) le procd suivre pour la fabrication de guides
dondes utilisant des matriaux de guidage usinables et en gure 4.29(b) une photo-
graphie dun vhicule de test dun rsonateur guide dondes silicium/TPP/silicium
avec ouverture du silicium par DRIE.
La connexion lectrique du vhicule de test est ralise par ls dor. Les contacts
lectriques sur le dispositif sont pris sur les lectrodes en or de part et dautre du
TPP dont on a pris soin denlever ponctuellement la couche guidante sur une surface
denviron 5 mm
2
. Puis nous relions un des ls au point chaud du port SMA et lautre
sur la masse. Le circuit imprim sur lequel est coll le rsonateur est mis la masse
an dviter les eets dantennes .
Lavantage principal dune telle connectique est le contact lectrique direct avec
llectrode du rsonateur, minimisant les pertes lectriques. Cependant, la fabri-
cation des ouvertures dans la couche guidante ajoute une tape dlicate et peut
fragiliser la structure. Ainsi, nous allons dnir dans les paragraphes suivants deux
autres procds ne ncessitant aucune gravure.
128 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
(a) (b)
Figure 4.29 (a) Etapes de ralisation dun guide dondes base de TPP utilisant un matriau
de guidage usinable tel que le silicium et (b) vhicule de test correspondant
4.4.2 Cas des matriaux de guidage conducteurs
Nous considrons dans les matriaux conducteurs, les mtaux et les semi-conducteurs
dops. Lobjectif est de connecter le vhicule de test sans fragiliser la structure. Pour
ce faire, les contacts lectriques du dispositif sont pris directement sur le matriau
de guidage conducteur qui est en contact avec les lectrodes. Si nous liminons ainsi
ltape de gravure, nous devons nanmoins prparer la surface du silicium an dli-
miner la couche doxyde natif en surface (de quelques nanomtres dpaisseur [113]).
Nous proposons en gure 4.30(a) le procd dvelopp pour un substrat de guidage
en silicium dop et en gure 4.30(b) une photographie dun vhicule de test dun
rsonateur sur guide dondes silicium dop/TPP/silicium dop.
An dliminer la couche doxyde natif se dposant temprature ambiante et lair
libre, nous proposons une mthode de gravure par plasma argon. Pour ce faire, avant
de dposer notre couche daccroche en chrome puis la couche dor par pulvrisation
cathodique sur le silicium, nous gravons sa surface par un plasma argon de forte
puissance(environ 250 W) pour dtruire loxyde natif. Nous faisons de mme sur les
surfaces extrieures an dobtenir un contact lectrique able lors de la connexion
des ls dor.
Ce procd est plus robuste que le prcdent mais peut prsenter des pertes lec-
triques dues la rsistivit des lectrodes massives ralises par le matriau conduc-
teur. Enn, nous proposons une dernire connectique adaptable tous les matriaux
dans le paragraphe suivant.
4.4. Connexions lectriques du rsonateur et fabrication de loscillateur 129
1. Photolithographie
4. Collage par thermocompression
5. Amincissement par rodage et polissage
7. Second collage par thermocompression
LiNb03 Z+ LiNb03 Z
Rsine photosensible
Chrome Or
Si dop
2. Inversion des polarits
6. Gravure par plasma argon de loxyde natif
8. Gravure par plasma argon de loxyde natif
3. Gravure par plasma argon de loxyde natif
sur le silicium et dpt par pulvrisation
sur le silicium et dpt par pulvrisation
sur le silicium et dpt par pulvrisation
(a) (b)
Figure 4.30 (a) Etapes de ralisation dun guide dondes base de TPP utilisant un matriau
de guidage conducteur tel que du silicium dop et (b) vhicule de test correspondant
4.4.3 Application pour tous types de matriaux de guidage
Nous avons dvelopp une dernire connectique adapte tous les matriaux.
Lide consiste envelopper le matriau de guidage par un lm dor an dobtenir
un report des lectrodes par les bords du matriau de guidage. Ainsi quel que soit le
matriau, nous pouvons rcuprer les contacts lectriques. Nous proposons en gure
4.31(a) le procd dvelopp et en gure 4.31(b) une photographie dun vhicule
de test dun rsonateur sur guide dondes silicium/TPP/silicium avec report des
lectrodes en or sur les tranches du silicium.
LiNb03 Z+ LiNb03 Z
Si
Or
Rsine photosensible
Chrome
1. Photolithographie
2. Inversion des polarits
6. Dpts par pulvrisation
7. Second collage par thermocompression
4. Collage par thermocompression
3. Dpts par pulvrisation
5. Amincissement par rodage et polissage
simple face
(a) (b)
Figure 4.31 (a) Etapes de ralisation dun guide dondes base de TPP adaptes pour tous les
matriaux de guidage et (b) vhicule de test correspondant
130 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
Le report de llectrode sur les bords est ralis lors du dpt de la couche dor
par pulvrisation sur chaque face du matriau. En eet, la pulvrisation cathodique
permet un dpt non directif ce qui permet de mtalliser les ancs des substrats. Ce-
pendant, cette conguration impose une dcoupe des dispositifs sur toute la longueur
du substrat an de conserver le retour des lectrodes. Ainsi, nous nous retrouvons
avec des dispositifs longs et une zone non polaris priodiquement participant gale-
ment de lexcitation car il nous est impossible de raliser une inversion de domaines
sur toute la longueur du substrat (en raison de la surface limite des joints toriques
permettant de localiser llectrode liquide). On sattend donc des modes de volume
contribuant de faon parasitaire au signal selon cette approche.
Aprs avoir abord les direntes solutions de connexion lectrique du rsonateur
sur guide dondes, nous allons maintenant connecter le rsonateur la partie lectro-
nique damplication an de fabriquer un oscillateur. Cette partie est dcrite dans
le paragraphe suivant.
4.4.4 Fabrication de loscillateur
Comme nous lavons vu dans le chapitre 1, il existe plusieurs types doscilla-
teurs comme par exemple loscillateur rsistance ngative ou encore loscillateur
boucle de rtroaction dont les caractristiques de fonctionnement dirent sensible-
ment. Pour des applications frquences intermdiaires, il est assez simple et ecace
de mettre en uvre un oscillateur Colpitts. Dans notre tude, nous nous sommes
inspirs du montage Colpitts an de crer notre propre montage amplicateur dont
le circuit lectrique est donn en gure 4.32.
Figure 4.32 Schma lectronique de loscillateur
4.4. Connexions lectriques du rsonateur et fabrication de loscillateur 131
Nous allons maintenant identier les principaux blocs composant notre montage :
Montage Amplicateur : mme si plusieurs topologies doscillateur sont viables
pour la conception dun VCO RF (oscillateur command en tension), celle qui a
connu le plus de succs dans de nombreux modules VCO et beaucoup de VCO
discrets est sans conteste la topologie Colpitts collecteur commun [4]. Cette
topologie est ecace sur une vaste plage de frquences de fonctionnement, de-
puis les frquences intermdiaires jusquaux aux frquences radio. Ainsi nous
avons choisi dutiliser un montage similaire pour fabriquer notre tage dam-
plication du signal dont nous prsentons en gure 4.33 le schma lectronique
avec polarisation du transistor par pont diviseur de tension et ajustement de
la frquence doscillation par les capacits.
Vcc
Vce
Ib
Re R2
R1
C1
C2
Gnd
Rc
Figure 4.33 Schma lectronique du notre montage amplicateur
La tension polarisant la base du transistor est fournie par un pont diviseur
form par deux rsistances (R
1
et R
2
), lmetteur voit une rsistance R
e
et le
collecteur est charg par une rsistance R
c
.
La dtermination du point de polarisation Q du transistor est donne par les
quations rgies par la loi des mailles et le pont diviseur de tension suivantes :
V
e
= V
b
V
be
, (4.2)
V
b
=
R
2
R
1
+ R
2
V
cc
, (4.3)
avec V
e
la tension au borne de lmetteur, V
b
la tension au borne de la base et
V
be
la tension base-metteur. La tension V
be
est constante car nous avons aaire
une jonction, sa valeur est typiquement gale 0,7 V. Le courant dmetteur
I
e
est gale :
I
e
=
V
e
R
e
=
V
b
V
be
R
e
. (4.4)
De plus, une relation liant les courants du transistor est dtermine par la loi
des nuds :
I
e
= I
c
+ I
b
, (4.5)
132 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
en considrant I
b
, le courant de la base trs petit devant I
c
, le courant de
collecteur, on obtient :
I
e
I
c
=
V
e
R
e
. (4.6)
Ainsi, cest la rsistance dmetteur qui rgle le courant de collecteur. Enn, sui-
vant la loi des mailles, nous pouvons dterminer la tension collecteur-metteur,
V
ce
telle que :
V
ce
= V
cc
R
c
I
c
R
e
I
e
, (4.7)
En considrant I
c
I
e
, on obtient :
V
ce
= V
cc
(R
c
+ R
e
)I
c
. (4.8)
Ainsi, nous disposons de toutes les donnes pour tracer la droite de charge
statique dans le quadrant caractrisant le courant I
c
du transistor en fonction
de sa tension V
ce
. Nous pouvons alors en dduire un point de fonctionnement
du transistor positionn idalement au milieu de cette droite [4].
Nous avons choisi le transistor NPN BFS17 idal pour des applications
RF. Daprs ses caractristiques, nous avons trac, sur la gure 4.34, sa droite
de charge avec ses donnes maximales, cest dire pour une tension V
ce max
de 15 V et un courant I
c max
de 25 mA ainsi que la droite de charge pour
une tension dalimentation de 10 V correspondant la tension que nous avons
choisie.
Ic (mA)
Vce (V)
Ic max = 25 mA
Vceo = 15 V max
Droite de charge (donne constructeur)
Droite de charge (pour Vcc = 10 V)
10
16,7
Q
5 V
8,3 mA
= Vcc/(R1+R2)
= Vcc
0
Figure 4.34 Caractristique du transistor BFS17 I
c
=f(V
ce
) avec tracs des droites de charge
maximale et choisie
Daprs les relations (4.3) (4.9), nous avons calcul les valeurs des rsistances
de polarisation correspondantes an de positionner le point de fonctionnement
4.4. Connexions lectriques du rsonateur et fabrication de loscillateur 133
Q au milieu de la droite de charge dtermine pour V
cc
=10 V. On obtient alors :
R
c
=200 , R
e
= 400, R
1
= 15 k, R
2
=10 k.
De plus, la frquence doscillation (f
0
) de ce montage, dtermine par les
condensateurs C
1
, C
2
et C

correspondant la capacit quivalente du rso-


nateur ainsi que par les inductances L
m
(inductance motionnelle du rsonateur
quivalent) et L

(inductance cre par la longueur des pistes lectroniques), est


donne par la relation suivante :
f
0
=
1
2

(L
m
+ L

)(
C
1
C
2
C

C
1
+C
2
+C

)
(4.9)
Montage suiveur : ce montage de type collecteur commun, schmatis en gure
4.35, prsente le mme intrt quun suiveur de tension ralis avec un ampli-
cateur oprationnel. Il permet de bncier dune haute impdance dentre
et dune faible impdance de sortie. Nous lutilisons ainsi comme adaptateur
dimpdance pour empcher une impdance de charges de crer des perturba-
tions sur notre montage Colpitts et isoler ce dernier.
R1
R2 Re
RL
Ve
Vs
Vcc
Ce
Cs
Vce
Ib
Figure 4.35 Montage suiveur en tension
Coupleur directionnel : un coupleur directionnel est un dispositif qui permet de
contrler la transmission dnergie le long dune ligne. Il sinsre sur la ligne, par
exemple dans notre cas, entre le rsonateur et loscillateur et mesure le courant
qui circule dans celle-ci en prlevant une petite partie de ce courant, de lordre
de quelques pourcents. Le coupleur utilis dans notre montage correspond au
composant DBTC-17-5 . Il sagit dun coupleur 17 dB qui prlve ainsi
17 % de la puissance vhicule sur la ligne. Nous devrons en tenir compte lors
des mesures de spectres du rsonateur par le port SMA connect au coupleur.
Lobjectif de ce composant est de permettre la mesure de puissance en entre
du rsonateur.
134 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
Ltape suivante de la fabrication de loscillateur est la dnition du circuit imprim
laide du logiciel Eagle . La gure 4.36 prsente le typon correspondant au
circuit lectronique de la gure 4.32. Nous avons galement prvu un emplacement
sur le circuit imprim pour intgrer notre rsonateur.
Figure 4.36 Typon correspondant au schma lectronique de loscillateur fabriquer
Enn, nous ralisons le ciruit imprim avec les composants adapts la frquence
de synchronisme du rsonateur. Nous prsentons sur la gure 4.37 une photographie
dun oscillateur stabilis par un rsonateur sur guide dondes 131 MHz.
Figure 4.37 Oscillateur stabilis par un rsonateur guide dondes 131 MHz
Le rsonateur est x par de la pte dargent (bien adapte pour de telles fr-
quences, en-dessous de 500 MHz) sur le circuit imprim mettant en contact lectrique
une des lectrodes du rsonateur la masse. Lautre lectrode est connecte par un
l dor la piste dentre de loscillateur. Nous avons ajout un port SMA sur le
circuit imprim an de caractriser le rsonateur avec un analyseur de rseau.
4.5. Conclusion 135
Ainsi, nous avons prsent le montage lectronique de notre oscillateur en dtaillant
chaque module. Nous avons prvu des sorties RF pour pouvoir le caractriser et nous
lavons mis en botier (cage de Faraday) an de lisoler des perturbations extrieures.
A ce stade, nous navons pas inclus dlments de stabilisation de la temprature
mais il est clair quune telle fonction devra tre terme intgre dans notre systme.
4.5 Conclusion
Ce chapitre nous a permis de dtailler les direntes tapes technologiques nces-
saires la fabrication des rsonateurs sur guide dondes base de TPP. Nous avons
ainsi abord les dirents verrous technologiques que sont linversion de domaines, le
collage et lamincissement. Nous avons russi mettre en place un banc dinversion
de domaines permettant de raliser de faon systmatique des inversions jusqu
une priode du transducteur de 5 m sur niobate de lithium et sur tantalate de
lithium sur substrats 3 et 4 pouces. Nous avons galement dvelopp un procd de
collage fond sur la compression de deux couches mtalliques et un banc ultrasonore
caractrisant les collages raliss. Nous avons dmontr que ce procd est able et
rptable avec plus de 95 % de la surface colle. Nous avons apport une attention
particulire lamincissement des substrats qui savre une tape dlicate mais pri-
mordiale pour concevoir des dispositifs guide dondes. Nous ne sommes pas les
pionniers dans le domaine du rodage et polissage, mais nous avons acquis un savoir-
faire non ngligeable dans lamincissement de matriaux cristallins [114]. Grce aux
nombreuses machines du laboratoire et aux moyens mis en uvre pour dvelopper
les procds, nous pouvons traiter sur la rdeuse simple face, un ou deux substrats
simultanment et russissons respecter la cte dsire plus ou moins 5 m avec
une planit sur substrat 3 pouces dune dizaine de longueurs dondes dans lair. La
planit du substrat peut tre amliore en modiant son systme de maintien ou
en courtant le temps de rodage pour minimiser les eets indsirables. Pour ce faire,
nous pourrions commencer par traiter les substrats avec une rectieuse, planeuse et
nir par un rodage et polissage double face. Concernant les connexions lectriques
du rsonateur, nous avons dtaill direntes mthodes de connectiques en fonction
des substrats de guidage utiliss. Nanmoins, celle mise en uvre pour les matriaux
de guidage conducteurs est la plus simple (pas de gravure) et la mieux adapte
notre structure (pas de retour des lectrodes par les tranches des matriaux). Enn,
nous avons tudi un montage lectronique permettant de mettre en oscillation notre
rsonateur. Nous avons dcrit le fonctionnement de chacun de ses modules et dni
136 Chapitre 4. Fabrication du rsonateur base de transducteur polaris priodiquement
les caractristiques de chacun des composants le constituant. Nous avons fabriqu
avec succs des oscillateurs base de rsonateurs sur guides dondes.
Dans le chapitre suivant, nous allons nous attacher donner les rsultats expri-
mentaux obtenus avec nos dispositifs, puis nous les comparerons aux simulations
de faon valider notre concept de rsonateurs guides dondes base de transduc-
teurs domaines alterns. Nous ferons galement la dmonstration dun oscillateur
131 MHz avec un plancher de bruit de phase -165 dBc/Hz et une stabilit court
terme de 10
9
.
Chapitre 5
Caractrisations exprimentales et
comparaison avec la thorie
Les trois chapitres prcdents ont permis de dnir le nouveau concept de rso-
nateur guide dondes base de TPP, de dcrire son fonctionnement thorique ainsi
que sa fabrication. Ce chapitre est, quant lui, consacr son tude exprimentale
ainsi qu la comparaison des rsultats thoriques et des rsultats exprimentaux.
Ce chapitre sera compos de trois parties.
Tout dabord, nous procderons aux caractrisations de TPPs en niobate et tan-
talate de lithium. Pour ce faire, nous commencerons par prsenter nos outils de
caractrisation radio-frquence. Ensuite, nous tudierons linuence de la gom-
trie du transducteur sur sa rponse acoustique an de dterminer une conguration
optimale pour les structures suivantes. Puis, nous caractriserons les admittances
de TPPs en niobate et tantalate de lithium et nous eectuerons des mesures en
temprature an destimer les drives en temprature. Nous comparerons systma-
tiquement ces caractrisations la thorie. Enn, nous tudierons la distribution
dnergie lastique dans un TPP par une mesure acousto-optique.
La seconde partie prsentera les caractrisations de rsonateurs guides dondes fon-
ds sur des TPPs pais reports sur silicium. Nous testerons dabord les direntes
connectiques des rsonateurs dnies dans le chapitre 4. Puis nous nous attacherons
dterminer le vhicule de test prsentant les meilleurs rsultats en terme de guidage
des ondes an de caractriser la rsonance de rsonateur utilisant des TPPs pais
en niobate et tantalate de lithium. Nous mettrons alors en oscillation le meilleur
rsonateur et nous caractriserons le bruit de phase de loscillateur ainsi constitu
ainsi que sa stabilit en frquence.
La dernire partie concerne les mesures eectues sur des rsonateurs guides dondes
137
138 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
base de TPPs amincis en niobate et tantalate de lithium reports sur silicium.
Nous prsenterons leurs admittances exprimentales permettant de localiser en fr-
quence les modes excits ainsi que les mesures des drives en frquences de ceux-ci
en fonction de la temprature et nous les comparerons aux simulations. Enn, nous
tudierons le tirage en frquence des ondes par application dun champ lectrique
statique dans une structure TPP en tantalate aminci sur silicium.
5.1 Transducteurs Polariss Priodiquement sur niobate et
tantalate de lithium
5.1.1 Prsentation des outils de caractrisation
Plusieurs transducteurs polariss priodiquement ont t fabriqus avec succs.
Nous avons tabli dans le tableau 5.1, un rcapitulatif des divers TPPs mis en uvre.
insrer tableau 1
Matriaux Substrat Priode du TPP (m) Epaisseur du TPP (m)
LiNbO
3
3 et 4 pouces 200, 100, 50, 10 500
3 pouces 5 270
LiTaO
3
3 pouces 50 500
Table 5.1 Rcapitulatif des TPPs fabriqus
Comme nous pouvons lobserver, ltude a surtout t mene sur du niobate de
lithium. Le dveloppement de TPP sur tantalate de lithium permet de confronter
les rsultats obtenus sur les deux matriaux an de percevoir les intrts de chacun.
Avant de prsenter nos outils de caractrisation, nous rappelons que pour fabriquer
un TPP, nous avons dpos une lectrode en aluminium pleine plaque sur une
face du substrat et structur des lectrodes rectangulaires localises sur les rseaux
de domaines alterns sur lautre face. Nous avons galement prvu un retour de
llectrode pleine plaque sur la face avant an davoir accs la masse et au signal
RF sur une mme face. Ce retour de masse se rvle cependant modrment able
dans de nombreux cas et ne peut rellement remplacer la prise de contact directement
sur la face mtallise.
Pour caractriser ces TPPs, nous disposons dun testeur sous pointes RF Sss
Microtech connect un analyseur de rseaux Rohde-Schwarz ZVR permettant
de mesurer ladmittance des transducteurs. Une pointe RF est constitue de deux
voies spares par un espace normalis dni par le constructeur (250 m, 500 m ou
1 mm). Une voie est relie la masse et lautre au signal RF gnr par lappareil,
5.1. Transducteurs Polariss Priodiquement sur niobate et tantalate de lithium 139
do lintrt de reporter la masse proximit de llectrode suprieure avec la
restriction prcdente (en pratique, les tests sous pointes permettent de localiser les
modes spectralement).
Un exemple de mesures obtenues pour un TPP de 50 m de longueur donde et
500 m dpaisseur sur niobate de lithium est report sur la gure 5.1.
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
60 80 100 120 140
-0.04
-0.02
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
G exp
B exp
Figure 5.1 Rponse (admittance) dun TPP sur niobate de lithium (p=50 m, e=500 m)
caractris par testeur sous pointes
Nous observons une admittance trs bruite avec un trs fort parasitage d la
mauvaise qualit lectrique du retour de masse par les bords du substrat. On en
dduit ainsi que cette mthode nest pas la mieux adapte pour ce genre de caract-
risation car elle engendre un biais au niveau de la rponse acoustique et notamment
en ce qui concerne la ligne de base. En eet, les pertes et les perturbations sont
induites par lenvironnement lectromagntique du dispositif. Malgr ce problme,
nous pouvons observer les contributions des TPPs. An de saranchir de ces dfauts
de mesure, un dispositif permettant de connecter directement la masse au niveau de
la face arrire du substrat et le signal RF sur llectrode rectangulaire a t labor.
Une photographie de ce dispositif est prsente en gure 5.2.
140 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
Figure 5.2 Photographie de loutil de caractrisation des TPPs permettant de diminuer limpact
des eets lectromagntiques
Nous prsentons en gure 5.3, la mesure de ladmittance du mme TPP mais ef-
fectue par loutil prsent en gure 5.2.
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
60 80 100 120 140
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
0.2
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
G exp
B exp
Figure 5.3 Rponse dun TPP sur niobate de lithium (p=50 m, e=500 m) caractris par
loutil de la gure 5.2
Cette mthode permet dobtenir des courbes beaucoup moins bruites avec peu
de parasitage lectromagntique. Ainsi, chaque fois que cela a t possible, nous
avons utilis ce dispositif.
Avant de comparer les rponses exprimentales obtenues avec nos divers transduc-
teurs aux simulations, nous allons dabord essayer de dnir une gomtrie optimale
du TPP an dobtenir le meilleur compromis entre la miniaturisation du transduc-
teur et la qualit de sa rponse acoustique.
5.1. Transducteurs Polariss Priodiquement sur niobate et tantalate de lithium 141
5.1.2 Recherche dune gomtrie optimale du TPP pour allier miniatu-
risation et qualit du signal
Nous rappelons quun transducteur polaris priodiquement est dni par une
ouverture acoustique (l), une longueur (L), une paisseur (e) et une priode (p).
Ainsi, la miniaturisation du TPP peut seectuer en modiant ces paramtres et
notamment en diminuant son ouverture acoustique (l) et sa longueur (L). Nous avons
cherch optimiser ces deux grandeurs en essayant dobtenir un compromis entre la
dimension du TPP et la rponse acoustique correspondante obtenue. Pour ce faire,
nous avons seulement modi le masque de photolithographie pour la conception des
lectrodes des TPPs. Une autre solution plus contraignante aurait t de modier les
rseaux alterns. Ainsi, nous avons cr un masque avec des lectrodes rectangulaires
de direntes dimensions de faon nexciter quune zone des rseaux alterns. Le
masque utilis est prsent en gure 5.4. Les tests ont t raliss sur des TPPs en
niobate de lithium de 50 m de longueur donde.
Figure 5.4 Masque 4 pouces pour la conception de TPPs avec direntes ouvertures acoustiques
(lectrodes de gauche) et direntes longueurs (lectrodes de droite)
5.1.2.1 Inuence de louverture acoustique du TPP
Nous avons x la longueur du TPP constante, arbitrairement 1,7 cm et nous
avons ajust louverture acoustique (l) 5 mm, 2,5 mm, 1,2 mm, 500 m et 50 m.
Nous avons normalis ces valeurs en fonction de la longueur donde du transducteur
(=50 m) ce qui donne : une longueur de 340 et une ouverture acoustique variant
de 100 1 . Nous prsentons les admittances obtenues pour chaque ouverture
acoustique (l) en gure 5.5.
142 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
60 80 100 120 140
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
Frquence (MHz)
l = 100
l = 50
l = 25
l = 10
l = 1
(a)
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0.04
0.045
0.05
0.055
60 80 100 120 140
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
l = 100
l = 50
l = 25
l = 10
l = 1
(b)
Figure 5.5 Admittances mesures pour des TPPs en niobate de lithium (p=50 m, e=500 m)
de longueur L constante et gale 340 et douverture acoustique l variant de 100 1 , (a)
conductances et (b) susceptances mesures
Nous remarquons que plus louverture acoustique est grande, plus la ligne de base
de la susceptance du spectre est pentue. En eet, lorsque louverture acoustique
augmente la surface du transducteur excite augmente galement. Ainsi, la capacit
statique, reprsentative de leet capacitif du dilectrique entre les deux lectrodes
du TPP, crot. Cette capacit est traduite par le coecient directeur de la ligne de
base de la susceptance. Nous observons galement que lorsque louverture acoust-
ique crot, la qualit du spectre augmente et les deux contributions sont de mieux
en mieux rsolues. Le tableau 5.2 prsente les facteurs de qualit des deux modes
principaux localiss 76 MHz et 131 MHz aux diverses ouvertures acoustiques.
Nombre de excits Facteur de qualit
Mode 76 MHz Mode 131 MHz
1 non dni non dni
10 450 800
25 410 650
50 500 820
100 500 750
Table 5.2 Estimation des facteurs de qualit des rsonances 76 MHz et 131 MHz pour
direntes ouvertures acoustiques du TPP
Les rsonances sont optimales pour 50 douverture acoustique (facteur de qualit
maximal).En outre, les modes se stabilisent en amplitude partir de 50 douverture
acoustique. Ainsi, on en dduit que pour obtenir un spectre susament rsolu, il faut
au minimum une ouverture acoustique de 50 .
5.1. Transducteurs Polariss Priodiquement sur niobate et tantalate de lithium 143
5.1.2.2 Inuence de la longueur du TPP
Nous avons galement tudi la longueur limite dun TPP. Pour ce faire, nous
avons x arbitrairement louverture acoustique 100 et nous avons fait varier la
longueur (L) du TPP soit le nombre de priodes excites : 1100 , 270 , 130 ,
65 , 30 et 10 . Nous prsentons les admittances obtenues pour chaque longueur
de TPP en gure 5.6.
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
60 80 100 120 140
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
Frquence (MHz)
L = 1100
L = 270
L = 130
L = 65
L = 30
L = 10
(a)
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
60 80 100 120 140
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
L = 1100
L = 270
L = 130
L = 65
L = 30
L = 10
(b)
Figure 5.6 Admittances mesures pour des TPPs en niobate de lithium (p=50 m, e=500 m)
douverture acoustique l constante et gale 100 et de longueur L variant de 1100 10 , (a)
conductances et (b) susceptances mesures
Nous observons le mme phnomne que prcdemment concernant la ligne de
base. De mme concernant la rsolution des contributions. En eet, plus le trans-
ducteur est long, plus la capacit est grande, plus la ligne de base du spectre est
pentue et plus les modes sont rsolus. La courbe correspondant 1100 quivaut
lexcitation dun TPP de priode 50 m dont la longueur est limite par la taille
du substrat. Nous ne pouvons donc pas exciter plus de priodes sur un substrat 3
pouces. Il est ainsi prfrable de fabriquer des transducteurs avec plus de 1000 en
gardant un compromis entre leet capacitif et la rsolution des modes.
En rsum, nous fabriquerons et caractriserons par la suite des TPPs de plus de
1000 de longueur et de 100 douverture acoustique. Maintenant que nous avons
dni la gomtrie idone pour lexcitation des ondes dans un TPP, nous allons, dans
le paragraphe suivant, caractriser des TPPs en niobate et tantalate de lithium et
comparer les rsultats la thorie.
144 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
5.1.3 Comparaisons thorie/exprience de TPPs en niobate et tantalate
de lithium : admittances et drives en temprature
Nous avons fabriqu avec succs des TPPs en niobate de lithium et en tantalate
de lithium comme rcapitul dans le tableau 5.1. Nous allons prsenter dans ce
paragraphe essentiellement des caractrisations de TPP de priode 50 m car cest
la longueur donde que nous avons retenu lors de ltude thorique de guides dondes
base de TPP report sur silicium. Nous prsenterons galement des TPPs 5 m
de priode an dexciter des ondes hautes frquences, au del du gigahertz.
5.1.3.1 Admittances exprimentales et thoriques de TPPs en niobate et tantalate
de lithium
Nous commenons par valider le concept de TPP en caractrisant un transducteur
de priode 50 m et dpaisseur 500 m sur niobate et tantalate de lithium et en
le comparant la simulation correspondante. Les gures 5.7 et 5.8 prsentent les
admittances mesures de TPP respectivement sur niobate de lithium et sur tantalate
de lithium.
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
60 80 100 120 140
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
0.2
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)
G theo
B theo
G exp
B exp
Figure 5.7 Comparaison des admittances thoriques et exprimentales dun TPP (p=50 m,
e=500 m) sur niobate de lithium
5.1. Transducteurs Polariss Priodiquement sur niobate et tantalate de lithium 145
0.005
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0.04
0.045
0.05
60 80 100 120 140
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
TPP LiTaO
3
(p=50 m, e=500 m)
G theo
B theo
G exp
B exp
Figure 5.8 Comparaison des admittances thoriques et exprimentales dun TPP (p=50 m,
e=500 m) sur tantalate de lithium
Nous observons un accord thorie/exprience densemble permettant didentier
sans ambigut les deux principaux modes de la structure. On retrouve bien le mode
elliptique 76 MHz et le mode longitudinal 131 MHz que nous avions observs
sur les graphes obtenus avec notre outil de simulation. Nous rcapitulons dans le
tableau 5.3, les caractristiques de ces deux modes pour les deux matriaux, soient
leur clrit, leur couplage lectromcanique (k
2
) et leur facteur de qualit (Q).
Matriaux Structure Mode elliptique Mode longitudinal
Clrit k
2
Q Clrit k
2
Q
(m.s
1
) (%) (m.s
1
) (%)
LiNbO
3
TPP 3800 0,007 550 6500 0,3 1600
(p=50 m, e=500 m)
LiTaO
3
TPP 3200 0,001 350 5600 0,003 X
(p=50 m, e=500 m)
Table 5.3 Rcapitulatif des caractristiques mesures des modes elliptique et longitudinal excits
par un TPP en niobate et tantalate de lithium
Les ondes excites par un TPP en niobate de lithium savrent mieux couples
que sur tantalate de lithium. Le coecient de couplage de londe longitudinale sur
niobate est dailleur du mme ordre de grandeur que celui des ondes de Rayleigh sur
146 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
quartz (environ 0,1 % [54]). Les facteurs de qualit sont nanmoins faibles quel que
soit le matriau et la nature de londe, et sensiblement identiques. Nous remarquons
galement quun TPP en niobate de lithium excite des ondes vitesse de phase
plus leve que celles excites par un TPP en tantalate de lithium. Nous avons
par consquent choisi le niobate de lithium pour raliser des dispositifs plus haute
frquence, lobjectif tant la fabrication dun rsonateur 1 GHz. Pour ce faire, nous
avons fabriqu un TPP de priode 5 m sur niobate de lithium selon les techniques
de fabrication (cf. chapitre 4). Les mesures obtenues sont prsentes en gure 5.9.
0.0112
0.0114
0.0116
0.0118
0.012
0.0122
0.0124
0.0126
0.0128
0.013
775 775.5 776 776.5 777 777.5 778 778.5 779
0.0417
0.0418
0.0419
0.042
0.0421
0.0422
0.0423
0.0424
0.0425
0.0426
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
TPP LiNbO
3
(p=5m, e=270m),
Onde elliptique
G exp
B exp
(a)
0.004
0.0045
0.005
0.0055
0.006
0.0065
0.007
0.0075
1304 1306 1308 1310 1312 1314 1316
0.054
0.0545
0.055
0.0555
0.056
0.0565
0.057
0.0575
0.058
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
TPP LiNbO
3
(p=5m, e=270m),
Onde longitudinale
G exp
B exp
(b)
Figure 5.9 Admittance exprimentale dun TPP (p=5 m, e=270 m) sur niobate de lithium
(a) centre sur londe elliptique et (b) centre sur londe longitudinale
Thoriquement nous devons obtenir une onde elliptique vers 760 MHz et une onde
longitudinale vers 1,3 GHz. Les signaux ont t acquis via le testeur sous pointes car
lautre dispositif de caractrisation nest pas assez isol lectriquement pour des me-
sures hautes frquences et les tailles des plots de contact du dispositif sont trop petits
cette longueur dondes. Nous remarquons que ladmittance est trs bruite car le
contact lectrique de la masse par les bords du substrat engendrent des pertes et
des perturbations lectromagntiques. Nanmoins, nous retrouvons les deux contri-
butions elliptique et longitudinale respectivement 777 MHz et 1,31 GHz. Ainsi,
londe elliptique voit sa vitesse de phase augmente lgrement lorsque la priode
diminue. La nature dispersive des modes a dj t montre par E. Courjon [97].
Les premiers dispositifs nous ont donc permis de valider le principe de transduc-
tion laide de domaines ferrolectriques alterns et de dmontrer la faisabilit de
TPP excitant des ondes au GHz. Nous allons continuer tudier les TPPs de p-
riode 50 m en caractrisant la drive en frquence des modes en fonction de la
temprature.
5.1. Transducteurs Polariss Priodiquement sur niobate et tantalate de lithium 147
5.1.3.2 Mesures en temprature et comparaison avec la thorie
An deectuer des mesures en temprature, nous dposons nos chantillons sur
le support thermostat de notre testeur sous pointes. Nous limitons la gamme de
temprature de 20 60 car nos matriaux sont pyrolectriques et ainsi les charges
se dplacent dans le substrat crant ventuellement des arcs lectriques gnrant des
amorces de rupture. Nous proposons en gure 5.10 les conductances mesures pour
un TPP de priode 50 m sur niobate de lithium pour des tempratures variant de
20 60 (mode elliptique).
0.035
0.04
0.045
0.05
0.055
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.085
75.2 75.4 75.6 75.8 76 76.2 76.4 76.6
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
Frquence (MHz)
T = 20C
T = 30C
T = 40C
T = 50C
T = 60C
Figure 5.10 Mesures de la conductance du mode elliptique dun TPP sur niobate de lithium
(p=50 m, e=500 m) pour des tempratures variant entre 20 et 60
On observe une chute de la frquence de rsonance en fonction de la monte en
temprature des dispositifs. Il est alors possible de calculer la drive en temprature
de nos structures comme nous lavons expliqu prcdemment (cf. section 3.2.2.2).
Nous obtenons une droite dont le coecient directeur correspond au CTF pour
chaque mode. Ces droites peuvent ensuite tre superposes celles obtenues laide
de notre logiciel dlments nis/lments de frontire. On obtient alors les graphes
des gures 5.11(a et b) prsentant respectivement les CTFs des modes elliptique et
longitudinal pour un TPP de priode 50 m sur niobate et tantalate de lithium.
148 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
500
1000
290 300 310 320 330 340
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t


(
p
p
m
)
Temprature (K)
TPP LiNbO
3
(p=50m, e=500m)
CTF
exp mode elliptique
= 79 ppm/K
CTF
theo mode elliptique
= 76 ppm/K
CTF
exp mode longitudinal
= 83 ppm/K
CTF
theo mode longitudinal
= 81 ppm/K
Mode elliptique (exp)
Mode elliptique(theo)
Mode longitudinal (exp)
Mode longitudinal (theo)
(a)
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
500
1000
290 300 310 320 330 340
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t


(
p
p
m
)
Temprature (K)
TPP LiTaO
3
(p=50m, e=500m)
CTF
exp mode elliptique
= 68 ppm/K
CTF
theo mode elliptique
= 72 ppm/K
CTF
exp mode longitudinal
= 53 ppm/K
CTF
theo mode longitudinal
= 49 ppm/K
Mode elliptique (exp)
Mode elliptique(theo)
Mode longitudinal (exp)
Mode longitudinal (theo)
(b)
Figure 5.11 Drives thermiques thoriques et exprimentales des modes elliptique et longitudinal
dun TPP (p=50 m, e=500 m) (a) sur niobate de lithium et (b) sur tantalate de lithium
Les rsultats exprimentaux et thoriques sont concordants. Nous remarquons
nanmoins que le tantalate de lithium est notablement moins sensible la temp-
rature que le niobate de lithium notamment concernant londe longitudinale. Cette
proprit nest pas ngliger pour la suite de nos expriences car la ralisation dun
oscillateur stable dpend de la stabilit du rsonateur, elle-mme fonction de sa sen-
sibilit aux variations extrieures (temprature, pression, etc.).
Ces tests dmontrent que la prise en compte de la temprature dans notre outil
de simulation est able pour ce type de structure. Ainsi, nous pouvons esprer une
compensation en temprature des modes lorsque le transducteur sera enserr entre
deux matriaux de guidage. Avant de caractriser des guides dondes, nous allons
dabord tudier la nature de la propagation des ondes lastiques au sein dun TPP
an de dterminer si londe est progressive ou stationnaire.
5.1.4 Etude de la propagation des ondes lastiques dans un TPP
Nous avons vu prcdemment que deux modes de propagation principaux sont
excits dans un TPP : un mode de plaque que nous avons nomm mode elliptique
et un mode longitudinal. Notre objectif tant de raliser un rsonateur, nous devons
donc fabriquer une cavit rsonante dans laquelle les ondes lastiques vont se rchir
en phase. Dans le cas des transducteurs peignes inter-digits classiques, les ondes
excites sont principalement des ondes de surface progressives [85] qui continuent
se propager au-del des peignes. Ainsi, des recteurs sont prvus aux extrmits
de lIDT pour crer un rsonateur an de rchir ces ondes et gnrer une onde
stationnaire. Ltude mene dans ce paragraphe va permettre de dterminer la nature
5.1. Transducteurs Polariss Priodiquement sur niobate et tantalate de lithium 149
de la propagation des ondes excites par un TPP an de concevoir notre rsonateur.
Nous savons que les conditions dexcitation au sein dun TPP ne correspondent pas
la condition de Bragg mais un rgime de type second harmonique. Nous allons
donc en caractriser les consquences par une mesure acousto-optique directe.
5.1.4.1 Description du banc de mesures acousto-optiques
An de dterminer la propagation des ondes dans un TPP, nous avons analys
la distribution des ondes lastiques pour un transducteur excit sur ses modes prin-
cipaux. Ceci a t rendu possible grce lutilisation dun vibromtre laser mis en
place par Sarah Benchabane lInstitut FEMTO-ST [115] permettant la mesure
ponctuelle et absolue du dplacement normal la surface. Ainsi, seul le mode ellip-
tique, dformant le matriau en surface, a pu tre tudi. Le montage exprimental
est prsent en gure 5.12.
Laser HeNe
PD
MAO
CP
Analyseur de Spectre
MAO = Modulateur acousto-optique
CP = Cube polariseur
PD = Photodtecteur
Platines de translation
( )
2
l
q
4
l
PD = Photodtecteur
chantillon
Figure 5.12 Schma du montage du vibromtre laser pour la caractrisation mcanique de la
propagation des ondes lastiques
Le banc de mesures est compos dune source lumineuse polarise de type Helium-
Non mettant 632,8 nm de longueur donde. Le faisceau source, polaris horizon-
talement, traverse une lame quart donde dont laxe rapide est orient 0, ce qui ne
modie pas la polarisation du faisceau. Suit une lame demi-onde oriente suivant un
angle thta. Aprs le passage du faisceau travers cette lame, sa polarisation reste
rectiligne mais tourne de deux thta. Un cube sparateur de polarisation (CP) di-
150 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
vise ensuite le faisceau en deux polarisations orthogonales : le faisceau rfrence et le
faisceau sonde. Le premier est dirig vers la photodiode, alors que le second, polaris
verticalement, traverse le modulateur acousto-optique fonctionnant sous rgime de
Bragg, modulant ainsi sa pulsation. Le faisceau est ensuite focalis laide dun ob-
jectif de microscope, puis rchi par lchantillon qui vibre sa pulsation propre. Il
eectue ensuite le chemin inverse et retraverse le modulateur, ce qui module nou-
veau la pulsation laser. Le modulateur acousto-optique employ une frquence de
fonctionnement de 81 MHz, donne une frquence de porteuse 162 MHz. Le double
passage travers les deux lames, puis la rexion sur le miroir du laser font tourner
la polarisation de 90. Grce au cube sparateur de polarisation, le faisceau sonde
est maintenant dirig vers la photodiode. Les deux faisceaux rfrence et sonde,
interfrent sur la photodiode relie un amplicateur faible bruit et large bande
conditionnant le signal. Un analyseur de spectre permet dacqurir lamplitude de la
porteuse et dune des raies latrales. Un synthtiseur de frquence permet dexciter
le dispositif positionn sur deux platines de translation motorises, permettant ainsi
de dplacer lchantillon an deectuer une cartographie de la zone dsire. Enn,
le systme est pilot informatiquement par un programme LabVIEW permettant
dacqurir la cartographie de lchantillon.
5.1.4.2 Mesures acousto-optiques dun TPP : mise en vidence dondes quasi-stationnaires
Nous avons caractris un transducteur de priode 50 m et dpaisseur 500 m
en niobate de lithium excit par des lectrodes en aluminium sur la surface du trans-
ducteur. Seuls les modes ayant une dformation suivant laxe Z sont exploitables par
le vibromtre laser. Ainsi nous nous intresserons la propagation du mode ellip-
tique se propageant 76 MHz. Nous prsentons en gures 5.13(a, b et c) les rsultats
des acquisitions en rexion et en amplitude obtenues lors de lexcitation du mode
elliptique.
La mesure en rexion (gure 5.13(a)) permet didentier les lectrodes mtalliques.
En eet, lors du balayage dune lectrode, la puissance rchie par le dispositif est
de 10 dB sinon elle est de -10 dB. Nous remarquons deux zones mtallises localises
entre 2000 et 4000 m et entre 6500 et 7500 m. Llectrode excite correspond
celle situe entre 2000 et 4000 m. Les gures 5.13(b et c) prsentent la variation
en amplitude des vibrations du matriau suivant laxe Z pour cette zone. Nous ob-
servons une amplitude des vibrations maximales sous la zone de llectrode excite.
Puis cette amplitude sattnue exponentiellement sur 1 mm de part et dautre de
llectrode. De plus, nous avons galement remarqu que la propagation des ondes
dans un TPP ne dpend pas de la forme de llectrode en surface.
5.1. Transducteurs Polariss Priodiquement sur niobate et tantalate de lithium 151
(a)
(b)
(c)
Figure 5.13 Balayages acousto-optiques raliss avec un vibromtre laser, (a) en rexion,(b) en
amplitude de vibration, (c) traitement des donnes en amplitude de vibration lors de lexcitation
ponctuelle du mode elliptique dun TPP en niobate de lithium
Londe elliptique dun TPP nest pas progressive car son nergie dcrot trs rapide-
ment lorsque le TPP nest plus excit. Cette onde est ainsi quasi-stationnaire. Ainsi,
nous navons pas besoin a priori dajouter une structure de diraction des ondes
pour crer un rsonateur base de TPP. Nanmoins, nous avons vu que la longueur
dexcitation jouait un rle sur la qualit du signal. Le rsoanteur compact tirerait
donc partie dune structure de rexion ecace.
152 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
Aprs avoir valid le principe du TPP, nous pouvons maintenant tudier le cas des
rsonateurs sur guides dondes base de TPP. La partie suivante y sera consacre.
Nous dbuterons par caractriser des rsonateurs sur guides dondes utilisant des
TPPs pais (500 m) sur du silicium. Nous proterons de cette tude pour tester
les direntes connectiques exposes dans le chapitre 4. Enn, nous mettrons en
oscillation un des rsonateurs fabriqus.
5.2 Oscillateur stabilis par un rsonateur silicium/TPP pais/
silicium
Cette partie prsente les caractrisations de rsonateurs sur guides dondes base
de TPPs en niobate et tantalate de lithium de priode 50 m et dpaisseur 500 m
reports sur silicium. Nous allons tout dabord tester les direntes connexions lec-
triques du rsonateur dnies dans le chapitre 4. Ensuite, nous caractriserons, les
admittances et les drives en temprature des rsonateurs sur guides dondes dnis
prcdemment. Nous mettrons enn en oscillation le meilleur rsonateur (selon son
facteur de qualit, sa rotation de phase et sa dynamique) et nous caractriserons le
bruit de phase ainsi que la stabilit en frquence de loscillateur ainsi form.
5.2.1 Caractrisation des rsonateurs sur guides dondes
5.2.1.1 Caractrisations de direntes connexions lectriques de rsonateurs sili-
cium/TPP/silicium
Dans le chapitre 4, nous avons tabli trois procds de fabrication des rsona-
teurs sur guides dondes permettant, suivant la nature du matriau de guidage, de
fabriquer un vhicule de test. En eet, nous avons tudi les possibilits technolo-
giques de reprises des lectrodes du rsonateur pour les cas de matriaux de guidage
usinables, conducteurs et les autres types de matriaux. Pour ce faire, nous avons
fabriqu trois vhicules de tests chacun avec une connectique dirente. Nous avons
choisi le silicium comme matriau de guidage car il est facilement usinable par DRIE
et peut tre conducteur sil est dop.
Caractrisation du vhicule de test avec gravure du silicium
Nous rappelons que les ouvertures dans le silicium sont dbouchantes et dune surface
de 5 mm
2
de faon avoir aisment accs aux lectrodes en or dposes de part et
dautre du TPP comme prsent en gure 5.14.
5.2. Oscillateur stabilis par un rsonateur silicium/TPP pais/ silicium 153
Figure 5.14 Schma du rsonateur avec ouvertures dans le silicium
Un l dor est ensuite connect sur chaque lectrode et reli la masse dun port
SMA pour lun et au point chaud pour lautre.Nous prsentons en gure 5.15 la
comparaison de ladmittance mesure dun rsonateur guide dondes silicium/TPP
LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium avec ouvertures dans le silicium ladmit-
tance harmonique.
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0.04
0.045
0.05
60 80 100 120 140
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
G theo
B theo
G exp
B exp
Figure 5.15 Comparaison des admittances exprimentale et thorique dun vhicule de test
compos dun rsonateur guide dondes silicium/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium
avec des ouvertures de 5 mm
2
dans le silicium
Nous observons sur la caractrisation exprimentale les deux mmes modes que
ceux excits par un TPP seul, cest--dire le mode elliptique 76 MHz et le mode
longitudinal 131 MHz. Alors que la thorie prvoit quun seul mode, le mode
longitudinal car le mode elliptique est contraint par le silicium. Cette dirence
peut sexpliquer par la prsence douvertures dans le silicium. En eet, dans les
zones ouvertes, le dispositif correspond un empilement silicium/TPP et non sili-
cium/TPP/silicium.
154 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
Nous avons donc compar, en gure 5.16, la mesure ladmittance harmonique dune
structure silicium/TPP.
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0.04
0.045
0.05
60 80 100 120 140
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
G theo
B theo
G exp
B exp
Figure 5.16 Comparaison de ladmittance exprimentale dun vhicule de test silicium/TPP
LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium avec des ouvertures de 5 mm
2
dans le silicium avec lad-
mittance harmonique dune structure silicium/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)
Nous remarquons que le mode elliptique 76 MHz est prsent dans la congura-
tion silicium/TPP. Ainsi, les ondes lastiques excites dans ce dispositif proviennent
de la structure silicium/TPP/silicium mais galement de la structure silicium/TPP.
Ce type de connectique nest donc pas adapt pour la fabrication des rsonateurs
guides dondes.
Caractrisation du vhicule de test fond sur lutilisation de silicium dop comme
substrat de guidage
Nous avons alors dvelopp un vhicule de test utilisant un rsonateur silicium do-
p/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium dop. Cette conguration permet
dliminer ltape de gravure du silicium car nous prenons directement les contacts
lectriques sur le silicium conducteur. Ainsi la structure du rsonateur est homogne
comme prsente en gure 5.17.
5.2. Oscillateur stabilis par un rsonateur silicium/TPP pais/ silicium 155
Figure 5.17 Schma du rsonateur fond sur du silicium dop
Nous prsentons une comparaison des admittances exprimentale et thorique de
ce vhicule de test en gure 5.18.
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
60 80 100 120 140
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
G theo
B theo
G exp
B exp
Figure 5.18 Comparaison des admittances exprimentale et thorique dun vhicule de test
compos dun rsonateur guide dondes silicium dop/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium
dop avec reprise des contacts lectriques sur le silicium dop
Les rsultats exprimentaux sont en accord avec la thorie : nous observons un
mode principal correspondant au mode longitudinal 131 MHz. De plus, la r-
ponse exprimentale ne prsente pas de perturbations extrieures majeures lies
la connectique. En eet, la ligne de base de la conductance est relativement plane
et proche de zro, les lectrodes massives najoutant pas de pollution notable sur le
signal. Nous avons donc retenu ce type de connectique pour raliser nos rsonateurs
sur guides dondes base de silicium.
156 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
La dernire connectique avec le report des lectrodes sur la tranche des substrats
de guidage (cf. gure 5.19) na pas fonctionn car le contact lectrique ntait pas
susant (trop rsistif). Nous avons nanmoins mesur une admittance comportant
des modes de volume parasites priodiques car la majeure partie du dispositif excit
correspond au matriau ferrolectrique et non pas au transducteur. Ainsi la structure
est typiquement une structure de rsonateurs ondes de volume.
Figure 5.19 Schma du rsonateur fond sur le report des lectrodes sur les tranches du silicium
5.2.1.2 Etude dtaille de rsonateurs silicium dop/TPP pais en LiTaO
3
et LiNbO
3
/
silicium dop : Admittance, paramtres S et drive en temprature
Maintenant que nous avons dni la connectique idale pour nos vhicules de test,
nous allons les caractriser en dtail. Nous allons tout dabord tudier un rsonateur
silicium/TPP LiTaO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium, puis nous nous concentrerons
sur un rsonateur silicium/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium.
Rsonateur : silicium dop/TPP LiTaO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium dop
Nous prsentons en gure 5.20, les admittances thorique et exprimentale du rso-
nateur base de TPP en tantalate de lithium.
Les rsultats exprimentaux sont en accord avec la thorie (principalement concer-
nant la position du mode longitudinal). Nous observons une contribution majeure
112 MHz identie thoriquement comme une onde longitudinale. Cependant, nous
constatons que dautres modes analyss comme tant des modes de cisaillement,
viennent parasiter le signal. En eet, en nous focalisant sur le mode principal, nous
remarquons sur la gure 5.20(b) que le mode principal est perturb par dautres
modes voisins. Nous calculons nanmoins un facteur de qualit de 2500 et un cou-
plage lectromcanique de 0,007 %. Cette onde est donc trs peu couple, notamment
en comparaison du couplage des ondes de Rayleigh sur quartz qui est de 0,1 % [54].
Nanmoins, le facteur de qualit a nettement augment compar au transducteur
non report que nous navions mme pas p dnir. Ainsi, les ondes sont connes
dans la structure et stablissent dans la structure sur guide dondes avec moins de
pertes viscolastiques.
5.2. Oscillateur stabilis par un rsonateur silicium/TPP pais/ silicium 157
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
40 60 80 100 120 140 160
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
G theo
B theo
G exp
B exp
(a)
0.008
0.01
0.012
0.014
0.016
0.018
0.02
0.022
0.024
0.026
111.8 111.9 112 112.1 112.2 112.3 112.4
0.046
0.048
0.05
0.052
0.054
0.056
0.058
0.06
0.062
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
G exp
B exp
(b)
Figure 5.20 (a) admittances thorique et exprimentale et (b) admittance exprimen-
tale centre sur le mode longitudinal dun rsonateur silicium dop/TPP LiTaO
3
(p=50 m,
e=500 m)/silicium dop
Ltude des paramtres S, prsente en gure 5.21, souligne les variations dampli-
tude et de phase du mode.
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
111.8 111.9 112 112.1 112.2 112.3 112.4
147
146
145
144
143
142
141
140
139
138
137
136
A
m
p
l
i
t
u
d
e

(
d
B
)
P
h
a
s
e

(

)
Frquence (MHz)
Amplitude exp
Phase exp
Figure 5.21 Mesures des paramtres S en rexion du rsonateur silicium dop/TPP LiTaO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium dop centres sur le mode longitudinal
Nous observons une dynamique infrieure 3 dB et une rotation de phase den-
viron 10. Toute tentative de mise en oscillation de ce rsonateur est pratiquement
voue lchec tant donn ces caractristiques. En eet, la mise en oscillation dun
tel rsonateur oblige un dispositif dentretien des oscillations ajust prcisment.
De plus le moindre bruit sur lamplicateur ou extrieur le rendrait instable en fr-
quence.
158 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
Nous avons nanmoins caractris la drive en frquence de ce mode en fonction
de la temprature et lavons compare aux simulations. La gure 5.22 prsente ces
rsultats.
-2500
-2000
-1500
-1000
-500
0
500
1000
1500
260 270 280 290 300 310 320 330 340
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t

(
p
p
m
)
Temprature (K)
CTF
exp mode longitudinal
= -33 ppm/K
CTF
theo mode longitudinal
= -36 ppm/K
mode longitudinal (exp)
mode longitudinal (theo)
Figure 5.22 Drives en frquence du mode longitudinal en fonction de la temprature pour le
rsonateur silicium/TPP LiTaO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium
Nous observons la concordance des CTFs entre la simulation et lexprience (
mieux que 10 % prs). De plus, compar au CTF du mode longitudinal excit par
un TPP en tantalate de lithium non report gale -49 ppm/K, celui obtenu pour
le mme mode dans la structure sur guide dondes de -33 ppm/K est infrieur. Nous
connaissons la drive en temprature du silicium qui est denviron -30 ppm/K [64].
Ainsi, on en conclut que le silicium permet de compenser en partie la drive en tem-
prature du tantalate de lithium.
Cependant, malgr cette compensation en temprature, nous navons pas russi
faire osciller ce rsonateur car la rotation de phase de sa rsonance nest pas su-
samnent leve. Nous avons donc tudi le rsonateur base de TPP en niobate de
lithium.
5.2. Oscillateur stabilis par un rsonateur silicium/TPP pais/ silicium 159
Rsonateur : silicium dop/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium dop
Les caractrisations des admittances thorique et exprimentale du vhicule de
test, silicium dop (e=380 m)/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium dop
(e=380 m), sont prsentes en gure 5.23(a).
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
60 80 100 120 140
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
G theo
B theo
G exp
B exp
(a)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
131.21 131.23 131.25 131.27 131.29 131.31
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
G exp
B exp
(b)
Figure 5.23 Caractrisations dun rsonateur silicium dop/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500
m)/silicium dop, (a) admittances thorique et exprimentale et (b) admittance exprimentale
centre sur le mode longitudinal
Les caractrisations concordent et prsentent un mode principal correspondant
thoriquement une onde longitudinale 131 MHz. Nous proposons en gure 5.23(b)
ladmittance mesure centre sur ce mode. Ce rsonateur 131 MHz est trs convain-
cant tant par son facteur de qualit qui atteint les 13000, que par son coecient de
couplage lectromcanique de 0,25 %. En gure 5.24, nous prsentons galement la
caractrisation de lamplitude et de la phase de ce mode correspondant aux para-
mtres S en rexion.
8
7
6
5
4
3
2
1
0
131.25 131.27 131.29 131.31 131.33 131.35
200
150
100
50
0
50
100
150
200
A
m
p
l
i
t
u
d
e

(
d
B
)
P
h
a
s
e

(

)
Frquence (MHz)
Amplitude exp
Phase exp
Figure 5.24 Paramtres S en rexion, amplitude et phase, centrs sur la rsonance 131 MHz
160 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
Nous observons une rotation de phase de ce mode de 320 avec une dynamique
de 8 dB. Ces rsultats sont trs encourageants car avec de telles caractristiques,
nous pouvons faire osciller ce rsonateur. Concernant ltude en temprature, nous
prsentons en gure 5.25 la comparaison des drives thermiques exprimentale et
thorique de ce mode.
-4000
-3000
-2000
-1000
0
1000
2000
3000
260 270 280 290 300 310 320 330 340
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t

(
p
p
m
)
Temprature (K)
CTF
exp mode longitudinal
= -52 ppm/K
CTF
theo mode longitudinal
= -70 ppm/K
mode longitudinal (exp)
mode longitudinal (theo)
Figure 5.25 Drives en temprature thorique et exprimentale du mode longitudinal 131 MHz
excit par un rsonateur silicium/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium
Nous remarquons que la simulation prvoit une drive de ce mode de -70 ppm/K
contre -52 ppm/K exprimentalement. Comme nous lavons mis en vidence dans le
chapitre 3, les calculs en temprature sont ables lorsque la drive en temprature
tend vers celle du TPP ou vers celle du matriau de guidage. Ici, nous obtenons une
drive en temprature du mode denviron -50 ppm/K comprise entre la drive en
temprature du silicium qui est de -30 ppm/K [64] et celle du TPP sur niobate de
lithium de -80 ppm/K. Ainsi, la simulation permet dobtenir, dans cette congura-
tion, seulement lordre de grandeur du CTF. Ce mode reste nanmoins plus sensible
la temprature que celui excit par un rsonateur base de TPP en tantalate de
lithium.
En rsum, nous avons prsent les caractristiques des deux rsonateurs sur guides
dondes utilisant un transducteur de priode 50 m et dpaisseur 500 m sur niobate
et tantalate de lithium report sur du silicium dop. Malheureusement, le rsona-
teur base de tantalate de lithium ne prsente pas une contribution susamment
rsolue pour pouvoir la faire osciller. En revanche, le rsonateur base de niobate de
5.2. Oscillateur stabilis par un rsonateur silicium/TPP pais/ silicium 161
lithium excite un mode 131 MHz avec une rotation de phase de 320 et un facteur
de qualit de 13000. Il est donc adapt pour la conception dun oscillateur.
5.2.2 Caractrisation de loscillateur 131 MHz stabilis par un rso-
nateur silicium/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m)/silicium
Dans cette partie, nous prsentons tout dabord le circuit lectrique quivalent
du rsonateur 131 MHz et nous le simulons avec le logiciel ADS an de
retrouver la rsonance 131 MHz. Ensuite, nous proposons la simulation du circuit
damplication adapt cette frquence an de xer les valeurs des composants
du circuit dentretien et de vrier la bande de frquence dans laquelle le signal
sera ampli. Enn, nous prsentons les caractrisations de loscillateur 131 MHz,
notamment son bruit de phase et sa stabilit en frquence.
5.2.2.1 Simulation du rsonateur 131 MHz et du circuit amplicateur avec le logiciel
ADS
Autour du point de fonctionnement, tout composant lectronique peut tre mo-
dlis par un schma lectrique quivalent, ce qui permet dcrire les quations de
fonctionnement du systme. Au voisinage de la rsonance, le schma lectrique qui-
valent la cavit dun rsonateur ondes lastiques est un circuit RLC srie avec
une capacit statique C
0
en parallle. Le rsonateur sur guide dondes tant dipo-
laire, le schma quivalent est prsent en gure 5.26.
Rm Lm Cm
Co
Figure 5.26 Schma lectrique quivalent du rsonateur sur guide dondes
Nous allons maintenant calculer les valeurs des dirents composants de ce cir-
cuit quivalent en se basant sur les caractrisations du rsonateur sur guide dondes
prsentes prcdemment.
162 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
Calcul de la rsistance motionnelle
Ladmittance quivalente la rsonance du circuit de la gure 5.26 est :
Y
eq
=
1
R
m
+ jC
0
(5.1)
car la rsonance |Z
Cm
| = |Z
Lm
|. La rsistance motionnelle (R
m
) correspond ainsi
la partie relle de limpdance (Z
exp
), soit : R
m
= R
e
(Z
exp
) obtenue graphiquement
par lordonne lorigine de limpdance.
Nous obtenons ainsi : R
m
= 2 .
Calcul de la capacit statique
La capacit statique C
0
dpend de la conguration physique du dispositif. Dans notre
cas, elle reprsente la capacit entre les deux lectrodes excitant le TPP. Daprs la
relation (5.1), la capacit statique se traduit par le coecient directeur de la ligne
de base de la susceptance (Y
eq
).
Ainsi, nous en avons dduit la capacit statique de notre rsonateur :
C
0
= 6 10
10
F
Calcul de la capacit motionnelle
La capacit motionnelle (C
m
) est estime en premire approximation par la relation
suivante [4] :
C
m
= k
2
s
C
0
, (5.2)
avec k
2
s
, le couplage lectromcanique de londe excite. Dans notre cas, nous avons
calcul un couplage lectromcanique de : k
2
s
= 0, 0025
Ainsi, la capacit motionnelle de notre rsonateur est : C
m
= 1, 67 10
12
F
Calcul de linductance motionnelle
La frquence de rsonance srie (f
r
) dans un circuit RLC est donne par la relation
suivante :
f
2
r
=
1
4
2
L
m
C
m
(5.3)
De cette relation, nous extrayons linductance motionnelle (L
m
) et nous la calculons
pour la frquence de rsonance srie (f
r
) de 131 MHz.
Nous obtenons : Ainsi, L
m
= 8, 82 10
7
H
Maintenant que nous avons calcul les valeurs des composants du circuit quivalent,
nous allons simuler le rsonateur avec le logiciel ADS . Lobjectif est de vrier que
nous obtenons bien une rsonance proche de 131 MHz avec les composants calculs.
5.2. Oscillateur stabilis par un rsonateur silicium/TPP pais/ silicium 163
Nous proposons, en gure 5.27(a), le schma lectronique du rsonateur quivalent,
simul avec le logiciel ADS .
(a) (b)
Figure 5.27 (a) Schma lectronique quivalent du rsonateur 131 MHz, (b) simulation en
paramtres S en transmission de ce rsonateur avec le logiciel ADS
La gure 5.27(b) correspond la simulation en paramtres S de ce rsonateur.
Ce trac prsente la transmission du signal entre le port 1 et le port 2. Lorsque
ce paramtre vaut 0 dB, la totalit du signal est transmise et lorsquil est infrieur
0 dB, une partie du signal est rchie. Nous observons un creux 131,3 MHz
correspondant la frquence de rsonance du rsonateur. Ainsi, les valeurs des com-
posants du circuit quivalent calcules prcdemment sont valides.
Maintenant que nous avons valid le modle du rsonateur, nous allons nous in-
tresser lamplicateur. Le schma lectronique de lamplicateur (cf. partie 4.4.4)
tel que programm sous ADS , est donn en gure 5.28(a).
(a) (b)
Figure 5.28 (a) Schma lectronique quivalent de lamplicateur, (b) simulation en paramtres
S en rexion de cet oscillateur avec le logiciel ADS
164 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
La gure 5.28(b) prsente les paramtres S du port 1 en rexion de loscillateur
de la gure 5.28(a). Nous observons pour 131 MHz, un gain de plus de 10 dB, lar-
gement suprieur aux conditions limites de dmarrage des oscillations, cest dire
selon les critres de Barkhausen un gain suprieur 0 dB.
Une fois les simulations ralises et les composants lectroniques xs, nous avons
fabriqu le circuit imprim de loscillateur tel que nous lavons prsent dans le cha-
pitre 4. Nous allons maintenant caractriser cet oscillateur stabilis par le rsonateur
sur guide dondes 131 MHz caractris plus haut.
5.2.2.2 Bruit de phase et stabilit de notre oscillateur
Etude du bruit de phase
An de caractriser notre oscillateur, nous avons travaill dans le domaine de Fou-
rier car les densits spectrales de uctuation de phase ou de frquence contiennent
plus dinformations que la variance dAllan. Nous avons donc utilis la mthode de
mesure par asservissement de phase ; elle permet dobtenir facilement le spectre de
phase comme tudi dans le chapitre 1.
Pour ce faire, nous avons utilis un synthtiseur de frquence contenant un oscillateur
de rfrence pour mesurer la densit spectrale des uctuations de phase de notre os-
cillateur. Lutilisation dune telle source de rfrence permet daccorder la frquence
dun synthtiseur avec celle de loscillateur tester. Cependant, pour ltude doscil-
lateurs haute puret spectrale, nous pouvons tre limits par le plancher de bruit
du synthtiseur. Ainsi, nous avons mesur le bruit de phase laide dun analyseur
de spectre de phase FSUP26 Rohde-Schwarz avec un plancher du bruit du syn-
thtiseur qui se situe -170 dB environ pour les frquences de Fourier suprieures
10 kHz [116]. Nous prsentons en gure 5.29, lvolution du bruit de phase de notre
oscillateur 131 MHz en fonction de la puissance en entre du rsonateur.
5.2. Oscillateur stabilis par un rsonateur silicium/TPP pais/ silicium 165
(a) P
in
= 250 W
160
140
120
100
80
60
40
20
1 10 100 1000 10000 100000 1e+06
160
140
120
100
80
60
40
20
B
r
u
i
t

d
e

p
h
a
s
e

(
d
B
c
/
H
z
)
Frquence (Hz)
Puissance = 500 W
(b) P
in
= 500 W
160
140
120
100
80
60
40
20
1 10 100 1000 10000 100000 1e+06
160
140
120
100
80
60
40
20
B
r
u
i
t

d
e

p
h
a
s
e

(
d
B
c
/
H
z
)
Frquence (Hz)
Puissance = 1260 W
(c) P
in
= 1260 W
Figure 5.29
166 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
180
160
140
120
100
80
60
40
20
1 10 100 1000 10000 100000 1e+06
180
160
140
120
100
80
60
40
20
B
r
u
i
t

d
e

p
h
a
s
e

(
d
B
c
/
H
z
)
Frquence (Hz)
Puissance = 2510 W
(d) P
in
= 2510 W
180
160
140
120
100
80
60
40
20
1 10 100 1000 10000 100000 1e+06
180
160
140
120
100
80
60
40
20
B
r
u
i
t

d
e

p
h
a
s
e

(
d
B
c
/
H
z
)
Frquence (Hz)
Puissance = 2820 W
(e) P
in
= 2820 W
Figure 5.29 Densits spectrales des uctuations de phase de notre oscillateur 131 MHz pour
direntes puissances dentre du rsonateur, (a) 250 W, (b) 500 W, (c) 1260 W, (d) 2510 W
et (e) 2820 W
5.2. Oscillateur stabilis par un rsonateur silicium/TPP pais/ silicium 167
La puissance dentre du rsonateur est obtenue par une mesure spectrale len-
tre du rsonateur. En eet, nous rappelons quune partie du signal dentre du
rsonateur (17 %) est dirige vers un port SMA grce un coupleur directionnel
de 17 dB (cf. partie 4.4.4). Nous rglons la puissance en modiant la tension dali-
mentation de loscillateur. Nous sommes limits en courant par les transistors du
montage amplicateur et suiveur ( 100 mA) mais contrairement aux rsonateurs
SAW, nous ne sommes pas limits par le rsonateur car nous avons une excitation
pleine plaque (cf. chapitre 2). Nous prsentons en gure 5.30(a) le spectre dam-
plitude obtenu lentre du rsonateur pour une puissance en entre du rsonateur
de 250 W correspondant une tension dalimentation de 6 V. Nous prsentons
galement le spectre de la porteuse 131 MHz en gure 5.30(b).
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
0 200 400 600 800 1000
A
m
p
l
i
t
u
d
e

(
d
B
m
)
Frquence (MHz)
U
alim
= 6 V
(a)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136
A
m
p
l
i
t
u
d
e

(
d
B
m
)
Frquence (MHz)
U
alim
= 6 V
(b)
Figure 5.30 (a) Spectre damplitude en entre du rsonateur 131 MHz aprs passage par un
coupleur directionnel de 17 dB, (b) centr sur la porteuse
Nous savons que thoriquement, le spectre dun signal sinusodal parfait corres-
pond une fonction de Dirac la frquence de la porteuse. Nous observons sur la
gure 5.30(a) que nous excitons des harmoniques en plus du fondamental 131 MHz.
Notre signal nest donc pas une sinusode parfaite, son taux de distorsion est de 5,8 %.
Pour rduire ce taux, il faudrait rgler ltage damplication au plus prs du critre
de Barkhausen ou utiliser un dispositif de rgulation du gain de lamplicateur pour
viter lcrtage du signal de sortie.
Revenons maintenant aux courbes de bruit de phase. Nous avons trac sur la gure
5.29(a) les direntes droites correspondant aux divers bruits autour de la porteuse.
Nous avons un bruit en f
3
suivi dun bruit en f
2
, puis un bruit en f
1
galement
appel aussi icker et enn un bruit en f
0
nomm bruit blanc. Le bruit en f
3
,
au plus proche de la porteuse, est inuenc par la drive en frquence lie la stabi-
168 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
lit de loscillateur. Le bruit blanc est, quant lui, sensible la puissance en entre
du rsonateur. En eet, le plancher de ce bruit diminue avec la puissance comme
nous lavons observ sur les direntes courbes de la gure 5.29. De plus, nous avons
calcul la frquence de Leeson gale f
0
/2Q (cf. chapitre 1), avec f
0
, la frquence
de rsonance du systme (ici 131 MHz) et Q le facteur de qualit de la rsonance
(ici 13000). Ce qui nous donne une frquence de Leeson de 5 kHz. Nous retrouvons
graphiquement cette frquence sur les densits spectrales de uctuation de phase.
En eet, cette frquence correspond au point dintersection des bruits en f
3
et f
1
(cf. chapitre 1) comme prsente en gure 5.29(a). Nous remarquons galement que
lorsque la puissance augmente le bruit en f
3
au voisinage de la porteuse est aect.
En eet, comme loscillateur nest pas thermostat, en augmentant la puissance,
nous augmentons la temprature des composants lectroniques donc la stabilit en
frquence de loscillateur est modie.
Nous proposons dans le tableau 5.4, un rcapitulatif de lvolution du palier de bruit
en fonction de la puissance en entre du rsonateur (nous avons ajout les 17 dB du
coupleur an dobtenir la puissance exacte).
Tension Puissance en entre Densit spectrale
dalimentation (V) du rsonateur (W) du plancher (dBc/Hz)
6 250 -153
7 500 -155
9 1260 -158
13 2510 -161,5
15 2820 -163
Table 5.4 Rcapitulatif de lvolution du plancher du bruit de phase en fonction de la puissance
en entre du rsonateur 131 MHz
Nous prsentons en gure 5.32 ci-contre, lvolution du plancher du bruit de phase
en fonction de la puissance en entre du rsonateur.
On remarque que lon gagne 10 dBc/Hz sur le palier du bruit de phase pour une
augmentation de la puissance de 2 mW. On observe un dbut de stabilisation du
plancher de bruit vers -165 dBc/Hz, cependant nous ne savons pas si cette stabi-
lisation est lie notre oscillateur ou loscillateur de rfrence de lappareil de
mesure dont le plancher se situe vers -170 dBc/Hz. Nanmoins, nous sommes sr
que notre rsonateur atteint au minimum un plancher de bruit de -165 dBc/Hz. La
puissance en entre du rsonateur a t limite par llectronique damplication,
notamment par le courant admissible par les transistors. Notre rsonateur est eec-
tivement adapt la tenue en puissance tant donn ses lectrodes massives de part
et dautre du transducteur.
5.2. Oscillateur stabilis par un rsonateur silicium/TPP pais/ silicium 169
162
161
160
159
158
157
156
155
154
153
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
N
i
v
e
a
u

d
u

p
a
l
i
e
r

d
u

b
r
u
i
t

d
e

p
h
a
s
e

(
d
B
c
/
H
z
)
Puissance en entre du rsonateur (W)
Figure 5.31 Evolution du palier du bruit de phase en fonction de la puissance en entre du
rsonateur
Nous avons positionn, en gure , le bruit de phase de notre oscillateur parmi dautres
bruits de phase doscillateurs vers la centaine de mgahertz prsents sur le march,
notamment des oscillateurs quartz.
180
160
140
120
100
80
60
10 100 1000 10000 100000 1e+06
180
160
140
120
100
80
60
B
r
u
i
t

d
e

p
h
a
s
e

(
d
B
c
/
H
z
)
Frquence (Hz)
Nouvel oscillateur
VCXO VX 700 (f=128 MHz) Vectron
TCXO TX 508 (f=100 MHz) Vectron
OCXO ULN HF B (f=100 MHz) Rakon
Figure 5.32 Positionnement du bruit de phase de notre oscillateur 131 MHz parmi dautres
bruits de phase gnrs par des oscillateurs quartz prsents sur le march
Sur le march, nous trouvons des oscillateurs stabiliss par des rsonateur contrl
en tension (VCXO), compens en temprature (TCXO) ou thermostat (OCXO).
Nous remarquons que notre oscillateur dont le plancher est proche de -165 dBc/Hz
sinscrit dans le dveloppement de systmes de dtection embarqus de haute rso-
lution (applications radar). Nous allons maintenant tudier la stabilit en frquence
de notre oscillateur.
170 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
Etude de la stabilit en frquence
Nous rappelons que la caractrisation de la stabilit de frquence des oscillateurs
dans le domaine temporel fait appel une mthode statistique. Des compteurs de
frquence haute rsolution sont utiliss an de mesurer les uctuations relatives
de frquence y moyennes sur des temps . Si nous considrons deux comptages
successifs y
k
et y
k+1
dmarrant respectivement aux temps
k
et
k+1
, alors la variance
dAllan
2
y
() [117] est dnie par :

2
y
() =
1
2
(y
k+1
y
k
)
2
, (5.4)
o les signient une moyenne sur un grand nombre dchantillons.
La variance dAllan est prfre au calcul dune variance classique qui peut diverger
pour certains types de bruits (cf. chapitre 1). Le banc de mesure utilis pour mesurer
la variance dAllan de notre oscillateur est prsent en gure 5.33.
Linstrument de mesure de la frquence dun oscillateur est un oscillateur dit de
Compteur
mesurer
Oscillateur
Oscillateur
rubidium
Figure 5.33 Banc de mesure de la stabilit de frquence de notre oscillateur dans le domaine
temporel
rfrence associ un systme de comparaison. Par consquent, il est ncessaire de
disposer dune source de trs haute stabilit de frquence pour caractriser dautres
sources moins stables. Le compteur de frquence utilis est un compteur Agilent
53131A . Son oscillateur de rfrence prsente une stabilit de frquence maximale
de 10
9
moins dune seconde [118]. Pour que notre mesure ne soit pas limite par
cette rfrence, nous avons connect un oscillateur externe stabilis par un rsonateur
rubidium de stabilit gale 10
12
sur une seconde. La manipulation a t ralise
temprature ambiante sans thermostat. Nous relevons priodiquement la frquence
doscillation de notre oscillateur et nous traitons les donnes laide du logiciel
AlaVar . Nous avons choisi dacqurir une mesure de frquence toutes les 0,1
secondes car nous avons remarqu que notre oscillateur avait une stabilit court
terme et nous voulions appercevoir le plancher de stabilit. Nous prsentons en
gure 5.34 lcart-type dAllan () en fonction en fonction du temps dintgration
() de notre oscillateur.
5.2. Oscillateur stabilis par un rsonateur silicium/TPP pais/ silicium 171
Figure 5.34 Stabilit de frquence de notre oscillateur 131 MHz
La courbe de stabilit de notre oscillateur prsente un minimum 10
9
moins
dune seconde. La limite de stabilit de frquence des oscillateurs est caractrise par
le palier icker correspondant un bruit icker de frquence. Direntes sources de
uctuations vont limiter la stabilit de frquence du signal fourni par loscillateur.
On distingue :
les uctuations court terme lies aux sources de bruit lectronique,
les uctuations long terme engendres par les variations de lenvironnement
de loscillateur et par consquent de sa sensibilit propre ces variations.
Nous rappelons que le CTF de notre rsonateur est denviron -50 ppm/K, donc
une variation de temprature dans la salle de mesures entrane une variation de la
frquence de notre rsonateur. Ainsi, si nous voulons obtenir une source plus stable
dans ces conditions opratoires, nous devons rduire cette drive en temprature.
Nous pourrions prvoir une lectronique compensant cette drive an de gagner un
premier ordre de grandeur en stabilit court terme ou dans notre cas, nous pouvons
galement jouer sur la nature des matriaux du rsonateur et notamment amincir
le transducteur polaris priodiquement an de diminuer la drive thermique du
rsonateur. Cest cette particularit que nous allons tester dans la partie suivante.
172 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
5.3 Rsonateurs base de TPPs amincis
Dans le chapitre 3, nous avons identi un point de fonctionnement optimal pour
le guidage des ondes dans une structure silicium/TPP/silicium. En eet, pour un
rapport paisseur sur priode du TPP (e/p) de 0,6, nous excitons un seul mode
avec un couplage lectromcanique de lordre du pourcent. Ainsi, utilisant des TPPs
de priode 50 m, nous devons amincir notre transducteur 30 m. Nous avons
galement montr que le CTF dun rsonateur sur guide dondes aminci tend vers
celui du matriau de guidage. Nous avons donc fabriqu deux rsonateurs sur guides
dondes fonds sur des transducteurs en niobate et tantalate de lithium de 50 m
de priode amincis environ 30 m et reports sur silicium. Nous avons galement
mis en vidence une adaptation en frquence des modes excits par une structure
compose par du silicium sur un TPP en tantalate de lithium aminci 30 m lorsque
nous appliquons un champ lectrique statique aux bornes du TPP.
5.3.1 Caractrisations des rsonateurs sur guides dondes base de TPP
amincis
5.3.1.1 Vhicule de test : Si dop/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=30 m)/Si dop
Nous rappelons que ltape damincissement du TPP est ralis par les tech-
niques de rodage et de polissage que nous avons dtailles dans le chapitre 4. Nous
avons galement abord dans ce chapitre les problmes de planit nale du substrat
aminci. En eet, notre procd nous permet dobtenir des substrats 3 pouces avec
des planchettes denviron 10 m. Nanmoins, malgr ces dfauts de planit,
nous ne rencontrons pas de dicult lors du report du second matriau de guidage.
Ainsi, nous avons fabriqu et caractris des rsonateurs guides dondes amincis
environ 30 m dont nous prsentons une image MEB en gure 5.35.
(a) (b)
Figure 5.35 Image MEB de la tranche dun rsonateur Si dop/TPP LiNbO
3
(p=50 m,
e=30 m)/Si dop, (a) vue densemble et (b) vue centre sur la couche de niobate de lithium
5.3. Rsonateurs base de TPPs amincis 173
Nous prsentons en gure 5.36 ci-contre, les admittances thorique et exprimen-
tale de ce rsonateur.
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
60 80 100 120 140
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
G theo
B theo
G exp
B exp
Figure 5.36 Admittances thorique et exprimentale du vhicule de test silicium dop/TPP
LiNbO
3
(p=50 m, e=30 m)/silicium dop
Nous observons un accord densemble des admittances thorique et exprimentale.
Le rsonateur excite un mode principal 112 MHz en limite de guidage que nous
avons appel mode isol. Nous remarquons que la conductance prsente des pertes
avec une ligne de base suprieure zro. Nous nous sommes centrs sur ce mode
an dtudier son couplage lectromcanique et ses paramtres S.
La gure 5.37(a) prsente ladmittance exprimentale centre sur ce mode et la gure
5.37(b) ses paramtres S en rexion.
0.42
0.44
0.46
0.48
0.5
0.52
0.54
0.56
0.58
0.6
108 109 110 111 112 113 114 115 116
0.48
0.5
0.52
0.54
0.56
0.58
0.6
0.62
0.64
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
G exp
B exp
(a)
0.969
0.968
0.967
0.966
0.965
0.964
0.963
0.962
0.961
0.96
0.959
0.958
104 106 108 110 112 114 116 118 120
0.046
0.044
0.042
0.04
0.038
0.036
0.034
0.032
A
m
p
l
i
t
u
d
e

(
d
B
)
P
h
a
s
e

(

)
Frquence (MHz)
Amplitude exp
Phase exp
(b)
Figure 5.37 (a) Admittance et (b) paramtres S centrs sur le mode isol vers 112 MHz
174 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
Nous ne pouvons pas dterminer objectivement de coecient de qualit avec une
dynamique de signal aussi faible. En eet, la bande de frquence mi-hauteure du
pic de rsonance est noye dans la ligne de base. Nanmoins, nous avons calcul
son coecient de couplage lectromcanique qui est de 0,7 % comme prvu par nos
simulations. Nous remarquons que la phase ne tourne quasiment pas (0,01) et quil
ne prsente galement presque pas de dynamique (0,01 dB). Nous pensons que les
pertes engendres dans cette structure sont causes par les dfauts de planit du
transducteur que nous avons aminci qui mise dune part la slection modale (dis-
persion) et favorise par ailleurs les rayonnements parasites. En eet, la frquence
du mode dpend de lpaisseur du transducteur, donc avec une planchette mesure
denviron 10 m entre les deux extrmits du dispositif, plusieurs modes trs rap-
prochs sont excits se qui revient lobservation dun seul mode avec un facteur de
qualit trs faible.
Nous avons nanmoins caractris la drive en frquence de ce mode en fonction de
la temprature. Nous prsentons en gure 5.38 une comparaison des drives en tem-
prature exprimentale et thorique de ce dispositif. Nous pouvons observer sur ce
graphe les limites du logiciel de simulation mises en vidence dans le chapitre 3. En
eet, lors de la simulation dune structure compose dun lment priodique simul
par lments nis et dun lment rayonnant simul par les fonctions de Green, nous
ne prenons pas en compte dans nos calculs les eets des contraintes thermodiren-
tielles.
4000
3000
2000
1000
0
1000
300 305 310 315 320 325 330 335 340
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t


(
p
p
m
)
Temprature (K)
CTF exp (e
LN
=30m) = 34 ppm/K
CTF theo (e
LN
=30m) = 53 ppm/K
CTF theo (e
LN
=20m) = 53 ppm/K
CTF theo (e
LN
=10m) = 43 ppm/K
CTF theo (e
LN
=5m) = 37 ppm/K
CTF theo (e
LN
=1m) = 32 ppm/K
CTF theo (e
LN
=0,1m)= 31 ppm/K
e
LN
=30m (exp)
e
LN
=30m (theo)
e
LN
=20m (theo)
e
LN
=10m (theo)
e
LN
=5m (theo)
e
LN
=1m (theo)
e
LN
=0,1m (theo)
Figure 5.38 Drives en temprature thoriques et exprimentale du mode isol excit par le
rsonateur silicium/TPP LiNbO
3
(p=50 m, e=30 m)/silicium
5.3. Rsonateurs base de TPPs amincis 175
Cependant, nous remarquons que lorsque nous diminuons lpaisseur du TPP, la
simulation tend vers lexprience et donc vers la drive en temprature du matriau
de guidage qui est denviron -30 ppm/K pour le silicium [64]. Cette tude est trs en-
courageante car elle montre que nous pouvons compenser davantage cette drive en
modiant la nature des matriaux de guidage, par exemple en ajoutant une couche
doxyde de silicium aux interfaces comme simule dans le chapitre 3.
Ainsi, nous avons montr la possibilit dexciter un seul mode 112 MHz dri-
vant seulement de -30 ppm/K avec une conguration de guide dondes fonde sur
un TPP en niobate de lithium aminci mais malheureusement ce mode ne possde
pas des caractristiques susantes pour tre exploit au sein dun oscillateur. Dans
la partie suivante, nous avons caractris ce mme rsonateur mais avec un TPP en
tantalate de lithium.
5.3.1.2 Vhicule de test : Si dop/TPP LiTaO
3
(p=50 m, e=30 m)/Si dop
Les tapes de fabrication du vhicule de test Si dop/TPP LiTaO
3
(p=50 m,
e=30 m) /Si dop sont identiques celles prsentes prcdemment. Concernant
lamincissement du TPP, nous obtenons malheureusement les mmes dfauts de
planit. Les admittances thorique et exprimentale de ce vhicule de test sont
prsentes en gure 5.39.
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
60 80 100 120 140
-0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
G theo
B theo
G exp
B exp
Figure 5.39 Admittances thorique et exprimentale du vhicule de test silicium dop/TPP
LiTaO
3
(p=50 m, e=30 m)/silicium dop
176 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
Nous observons une concordance entre les admittances thorique et exprimen-
tale ( mieux de 1 sur la frquence). On remarque que le rsonateur excite un
mode principal vers 90 MHz. Nous nous sommes alors centrs sur ce mode an dtu-
dier son couplage lectromcanique et ses paramtres S. La gure 5.40(a) prsente
ladmittance de ce mode et la gure 5.40(b) ses paramtres S en rexion.
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
84 86 88 90 92 94 96 98
0.32
0.33
0.34
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frequence (MHz)
G exp
B exp
(a)
10
9.5
9
8.5
8
7.5
7
84 86 88 90 92 94 96 98
72
74
76
78
80
82
84
86
A
m
p
l
i
t
u
d
e

(
d
B
)
P
h
a
s
e

(

)
Frequency (MHz)
Amplitude exp
Phase exp
(b)
Figure 5.40 (a) Admittance et (b) paramtres S centrs sur le mode isol vers 90 MHz
Nous nous apercevons que ce mode contient plusieurs contributions lies au dfaut
de planit de notre TPP, de plus visiblement, il y a une impdance non nulle hors
acoustique. La premire contribution semble tre la mieux rsolue, comme nous
pouvons lobserver sur la gure 5.41.
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
87.24 87.26 87.28 87.3 87.32 87.34
0.32
0.33
0.34
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frequence (MHz)
Conductance
Susceptance
Figure 5.41 Admittance exprimentale centre sur la premire contribution 87 MHz
On mesure un facteur de qualit de 4000, un coecient de couplage lectromca-
nique de 0,6 %, une dynamique de 2 dB et une rotation de phase de 10. Thorique-
5.3. Rsonateurs base de TPPs amincis 177
ment, nous nous attendions un couplage lectromcanique vers le pourcent pour ce
rsonateur. Mais compte tenu des dfauts de planit du transducteur (planchette
denviron 10 m), le couplage lectromcanique diminue comme nous lavons simul
dans le chapitre 3. Ces caractristiques sont encore une fois insusantes pour faire
osciller ce rsonateur.
Nous avons galement mesur la drive en frquence de ce mode en fonction de la
temprature. Nous prsentons en gure 5.42 une comparaison entre la drive exp-
rimentale et celles dduites de nos simulations.
4000
3000
2000
1000
0
1000
300 305 310 315 320 325 330 335 340
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t


(
p
p
m
)
Temprature (K)
CTF exp (e
LT
=30m) = 31 ppm/K
CTF theo (e
LT
=30m) = 50 ppm/K
CTF theo (e
LT
=5m) = 37 ppm/K
CTF theo (e
LT
=1m) = 32 ppm/K
CTF theo (e
LT
=0,1m)= 31 ppm/K
e
LT
=30m (exp)
e
LT
=30m (theo)
e
LT
=5m (theo)
e
LT
=1m (theo)
e
LT
=0,1m (theo)
Figure 5.42 Drives en temprature thoriques et exprimentale du mode isol excit par le
rsonateur silicium/TPP LiTaO
3
(p=50 m, e=30 m)/silicium
De mme que pour ltude en temprature du vhicule de test base de niobate
de lithium aminci, nous observons une dirence entre les rsulats exprimentaux
et thoriques due aux limites du logiciel de calcul. Nous remarquons galement que
lorsque nous diminuons lpaisseur du TPP, la simulation tend vers lexprience
et donc vers la drive en temprature du matriau de guidage qui est denviron -
30 ppm/K pour le silicium [64].
Cette partie nous a permis dtablir quil tait possible dexciter un seul mode guid
par nos rsonateurs (en niobate et tantalate de lithium amincis) avec une compen-
sation de la drive en temprature lie au matriau de guidage. Nanmoins, nous
navons pas russi faire osciller ses rsonateurs car ils prsentent trop de pertes
(lectriques, eets de dispersion). Pour pallier ce problme, nous devons amliorer
la planit de nos substrats amincis. En particulier, nous pouvons ajouter une tape
de rodage ralise par une rectieuse, planeuse an de diminuer le temps de rdage
178 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
la machine simple face et ainsi minimiser le dfaut de planit des substrats.
Malgr la fabrication dun rsonateur compens partiellement en temprature par
sa structure, nous narriverons jamais obtenir de la sorte une drive thermique de
zro avec prcision. Ainsi, nous allons utiliser les proprits dilectriques du matriau
ferrolectrique an dajuster lectriquement la frquence de notre rsonateur. Nous
allons ainsi montrer dans le paragraphe suivant, la possibilit dajuster la frquence
de certaines structures par application dun champ lectrique statique.
5.3.2 Etude du tirage en frquence des modes par application dun
champ lectrique statique
Une fois le rsonateur ralis, il nest plus possible dajuster mcaniquement sa
frquence de rsonance lie la priode du transducteur et son paisseur. Ainsi,
nous allons utiliser les proprits des matriaux pizolectriques pour ajuster lec-
triquement cette frquence de rsonance . En eet, lapplication de contraintes sur le
cristal pizolectrique entrane lapparition de charges lectriques sa surface (eet
pizolectrique direct), puis inversement, lapplication dun champ lectrique gnre
des dformations du cristal (eet pizolectrique indirect) [6, 8].
Dans notre cas, le transducteur polaris priodiquement sapparente un condensa-
teur. La force lectrostatique (

F ), drivant de lnergie potentielle, qui sexerce sur


chacune des lectrodes du TPP scrit donc :

F =

0
.
r
.S.V
2
2e
2

n , (5.5)
avec
0
la permittivit dilectrique du vide,
r
la permittivit dilectrique relative
au milieu entre les lectrodes, S la surface en regard des lectrodes, V la dirence
de potentiel entre les lectrodes et e la distance sparant les lectrodes.
Ainsi, nous pouvons jouer sur cette force pour modier la gomtrie de notre trans-
ducteur ainsi que les constantes eectives de notre matriau ferrolectrique [119].
De plus, lutilisation des proprits ferrolectriques du TPP, soit la sensibilit de
ses constantes dilectriques la polarisation doit permettre de changer les condi-
tions dexcitation des modes. En eet, certains dilectriques particuliers possdent
un moment lectrique dipolaire spontan provenant de lasymtrie du rseau cristal-
lin. Linduction (D) et le champ lectrique (E) dans ses matriaux sont lis par la
relation :
D =
0
E + P (5.6)
avec P la polarisation du matriau lorsque le champ lectrique E est appliqu et
0
est la permittivit du vide.
5.3. Rsonateurs base de TPPs amincis 179
Comme les constantes dilectriques sont fonctions de lpaisseur du matriau fer-
rolectrique, alors plus lpaisseur du transducteur sera ne, plus le matriau va se
dilater. Nous avons donc essay deectuer un tirage en frquence du mode isol
excit par nos rsonateurs fonds sur des TPPs amincis 30 m mais nous navons
pas observ de dcalage de la frquence de rsonance. Nous avons alors test dautres
structures et nous avons constat que seule la structure silicium/TPP aminci 30 m
et principalement avec un transducteur en tantalate de lithium a permis de valider la
possibilit dajuster la frquence des modes par application dun champ lectrique
statique. An de raliser une tude complte de ce dispositif, nous prsentons en
gure 5.43 ladmittance mesure dans la structure silicium/TPP LiTaO
3
(p=50 m,
e=30 m) et ladmittance harmonique dtermine par nos simulations.
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
50 60 70 80 90 100
-2
0
2
4
6
8
10
12
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
G
(
S
)
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e
B
(
S
)
Frquence (MHz)
Silicium/TPP LiTaO
3
(p=50 m, e=30 m)
G theo
B theo
G exp
B exp
Figure 5.43 Admittances thorique et exprimentale du vhicule de test silicium dop/TPP
LiTaO
3
(p=50 m, e=30 m)
Nous pouvons souligner la cohrence de la thorie et de lexprience. Nous dis-
tinguons trois modes, le premier vers 64 MHz, le deuxime proche de 77 MHz et le
dernier aux alentours de 91 MHz. Grce au logiciel de visualisation de la dforme
des structures simules, nous avons pu identier ces trois modes en gure 5.44. Le
mode 64 MHz prsent en gure 5.44(a) est un mode principalement elliptique
avec un couplage lectromcanique de 0,2 %, celui 77 MHz, gure 5.44(b), cor-
respond un mode majoritairement de cisaillement (k
2
s
=0,2 %) et enn le mode
91 MHz, gure 5.44(c), est un mode forte dominante de propagation longitudinale
(k
2
s
=0,5 %).
180 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
(a) (b) (c)
Figure 5.44 (a) Mode dominante elliptique 64 MHz, (b) mode de cisaillement 77 MHz,
(c) mode purement longitudinal 91 MHz excits par une structure Silicium dop/ PPT LiTaO
3
(p=50 m, e=30 m)
Nous avons ensuite tudi la drive en frquence de ces modes en fonction de la
tension continue applique. Nous avons limit la tension 150 V de faon ce quelle
soit infrieure la tension dinversion des domaines gale 600 V pour une paisseur
de TPP de 30 m. Les gures 5.45, 5.46 et 5.47 prsentent les conductances expri-
mentales obtenues pour diverses tensions appliques respectivement pour les modes
elliptique, de cisaillement et longitudinal. Nous proposons galement la sensibilit
en tension des deux premiers modes.
Nous remarquons que le mode de cisaillement 77 MHz est le plus aect par lap-
plication dune tension continue avec une sensibilit atteignant les 100 Hz/V (gale
1,3 ppm/V). Vient ensuite le mode elliptique avec une sensibilit de 30 Hz/V (gale
0,5 ppm/V), quant au mode longitudinal, il ne drive pas avec la tension. Lexpli-
cation de ces rsultats nest pas immdiate et passe ncessairement par lanalyse des
constantes matriaux mises en jeu au sein du dispositif. En nous rfrant [120],
nous pouvons obtenir une loi paire dvolution de la constante dilectrique en fonc-
tion du champ statique appliqu, en supposant, par ailleurs, que ce seul mcanisme
soit lorigine des variations de frquence observes. Il est probable qu la variation
de constantes dilectriques se superpose des eets dlectrostriction [121].
5.3. Rsonateurs base de TPPs amincis 181
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
63.85 63.9 63.95 64 64.05 64.1
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
Frquence (MHz)
Vdc = 150V
Vdc = 120V
Vdc = 80V
Vdc = 40V
Vdc = 0V
Vdc = 40V
Vdc = 80V
Vdc = 120V
Vdc = 150V
(a)
63.937
63.938
63.939
63.94
63.941
63.942
63.943
63.944
63.945
63.946
150 100 50 0 50 100 150
F
r

q
u
e
n
c
e

(
M
H
z
)
Tension DC (V)
sensibilit = 27 Hz/V
(b)
Figure 5.45 Drive en tension du mode elliptique (64 MHz), (a) Conductances exprimentales
releves pour direntes tensions, (b) drive en tension
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
0.2
0.22
0.24
0.26
0.28
0.3
75.6 75.65 75.7 75.75 75.8
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
Frquence (MHz)
Vdc = 150V
Vdc = 120V
Vdc = 80V
Vdc = 40V
Vdc = 0V
Vdc = 40V
Vdc = 80V
Vdc = 120V
Vdc = 150V
(a)
75.67
75.675
75.68
75.685
75.69
75.695
75.7
150 100 50 0 50 100 150
F
r

q
u
e
n
c
e

(
M
H
z
)
Tension DC (V)
sensibilit = 98 Hz/V
(b)
Figure 5.46 Drive en tension du mode de cisaillement (77 MHz), (a) Conductances exprimen-
tales releves pour direntes tensions, (b) drive en tension
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.2
0.21
0.22
0.23
90.4 90.6 90.8 91 91.2 91.4 91.6
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
Frquence (MHz)
Vdc = 150V
Vdc = 120V
Vdc = 80V
Vdc = 40V
Vdc = 0V
Vdc = 40V
Vdc = 80V
Vdc = 120V
Vdc = 150V
Figure 5.47 Conductances exprimentales du mode longitudinal (91 MHz) releves pour di-
rentes tensions
182 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
Nous avons ainsi valid la possibilit dajuster en frquence certaines ondes exci-
tes par des structures base de TPP en appliquant un champ lectrique statique
aux bornes du transducteur. Cette commande en tension pourra servir corriger
la drive en temprature de nos modes sur des gammes de temprature toutefois
troites ( 5) ou encore asservir loscillateur pour le rendre ultra-stable.
5.4 Conclusion
Ce chapitre nous a permis de valider le fonctionnement des transducteurs pola-
riss priodiquement et de les utiliser dans une structure de guide dondes an de
crer un oscillateur. Nous avons caractris de nombreux vhicules de test et nous
avons compar les rsultats exprimentaux la thorie.
Dans un premier temps, nous avons tudi des transducteurs polariss priodique-
ment en niobate et tantalate de lithium. Deux modes sont excits dans ces structures,
un mode elliptique et un mode longitudinal. Suivant la priode du transducteur, ces
modes prsentent une frquence de synchronisme allant de la centaine de mgahertz
au gigahertz. A laide de mesures acousto-optiques, nous avons constat que les ondes
excites par un TPP sont quasi-stationnaires, ce qui concide nalement bien avec
les conditions dexcitation ( = 1, seconde harmonique).
Des guides dondes lastiques ont galement t raliss avec succs dmontrant la
robustesse de nos structures et la matrise de nos outils technologiques dont notre
mthode de collage et damincissement de plaques. Nous avons dni la structure
optimale de nos vhicules de tests reposant sur une conguration homogne mais
applicable uniquement pour des substrats de guidage conducteurs. Nous avons cr
un oscillateur stabilis par un rsonateur sur guide dondes 131 MHz avec un cou-
plage lectromcanique de 0,7 %, une drive en temprature de -50 ppm/K, une
stabilit en frquence de 10
9
et un plancher du bruit de phase, ajustable avec la
puissance en entre du rsonateur, pouvant atteindre -165 dBc/Hz 100 kHz de la
porteuse. Nous avons galement montr la possibilit de rduire la drive thermique
des modes excits par notre structure par amincissement du substrat pizolectrique.
Nous avons caractris des rsonateurs silicium/TPP/silicium avec des drives de
-30 ppm/K. Les limites de notre logiciel destimation des drives en temprature
ont t soulignes mais nous avons remarqu que les rsultats thoriques tendent
vers les rsultats exprimentaux. Ainsi, pour des stuctures guides dondes base
de TPPs amincis une dizaine de microns, la drive en temprature est limite
par celle des substrats de guidage. Dautres congurations avec divers substrats de
guidage sont donc envisageables, notamment avec de la silice. Malheureusement, la
5.4. Conclusion 183
planit de nos substrats doit tre encore amlior car les rsultats exprimentaux
ne prsentent pas de rsonance avec des caractristiques susantes pour une mise
en oscillation. Cependant, nous avons valid la possibilit dajuster en frquence cer-
taines des ondes excites par nos structures par application dun champ lectrique
statique. Cette commande en tension peut servir corriger la drive en temprature
de nos modes (dans une certaine mesure) an damliorer la stabilit de nos oscilla-
teurs.
Un dernier chapitre est ddi ltude dun nouveau concept bas sur lexcitation de
barreaux polariss priodiquement. Les avantages dune telle structure sont la nais-
sance de modes hautes vitesses (plus de 10000 m.s
1
) prsentant des couplages
lectromcaniques de plus de 20 %.
184 Chapitre 5. Caractrisations exprimentales et comparaison avec la thorie
Chapitre 6
Vers un nouveau type de TPP :
Barreaux polariss priodiquement
Nous avons prsent dans les chapitres prcdents la possibilit de stabiliser un
oscillateur par un rsonateur guide dondes base de TPP. Nous avons remarqu
que le couplage lectromcanique des ondes excites par nos transducteurs polariss
priodiquement ne dpassaient par le pourcent. Ainsi, dans cette conguration, peu
dnergie lectrique est convertie en nergie mcanique. Ce rsultat nous a quelque
peu surpris, tenat compte des constantes pizolectriques des niobate et tantalate de
lithium. Ainsi nous nous sommes penchs sur limpact de la structure dexcitation
et de son orientation vis vis du rseau polaris priodiquement.
Nous proposons dans ce chapitre, une tude dun nouveau type de transducteur
polaris priodiquement (TPP) fond sur des barreaux haut facteur de forme. Ce
systme a permis de mettre en vidence des ondes vitesses de phase de plus de
10000 m.s
1
avec des couplages lectromcaniques dpassant les 20 % et deectuer
ainsi de la protection intellectuelle [122]. Tout dabord, nous prsenterons ce nouveau
concept en dcrivant le principe dexcitation et les ventuels enjeux associs. Ensuite,
nous analyserons cette structure laide de nos logiciels de calculs an de mettre en
avant les proprits remarquables de ces barreaux polariss priodiquement. Nous
dcrirons dans une troisime partie, les tapes technologiques ncessaires la mise
en uvre de vhicules de test. Enn, nous caractriserons les premiers dispositifs de
test ainsi mis en uvre et nous confronterons nos mesures aux simulations.
185
186 Chapitre 6. Vers un nouveau type de TPP : Barreaux polariss priodiquement
6.1 Prsentation du concept : contexte et enjeux associs
6.1.1 Barreaux polariss priodiquement : contexte
Nous rappelons que les transducteurs polariss priodiquement classiques sont
raliss de faon planaire et donnent lieu des modes dont les vitesses de phase
de lordre de 3800 et 6500 m.s
1
sont compatibles avec les applications de ltres et
sources radiofrquence mais prsentant des couplages assez modestes (de quelques
fractions de pourcents), comme nous lavons vu dans les chapitres prcdents. Le
nouveau dispositif repose sur lexcitation dun barreau dcoup dans un rseau de
domaines priodiquement inverss. Lexcitation ne se fera plus de part et dautre
du TPP (gure 6.1(a)) mais sur les ancs du barreau. Le schma du concept est
prsent en gure 6.1(b).
Figure 6.1 (a) image en 3D du TPP classique tudi lors de la conception de notre rsonateur
guide dondes et (b) image en 3D du nouveau concept de transducteur polaris priodiquement
Nous proposons galement une vue approche de la ralit en trois dimensions,
en gure 6.2, du barreau polaris priodiquement structur sur un substrat massif.
Figure 6.2 Schma en trois dimensions de la structure du nouveau concept fond sur lexcitation
dun barreau polaris priodiquement
6.1. Prsentation du concept : contexte et enjeux associs 187
Lide motrice de ce nouveau concept consiste donc raliser un barreau par-
tir dun transducteur domaines polariss priodiquement puis de mtalliser les
faces latrales en regard ainsi obtenues. Cette opration est rendue possible grce
lutilisation de notre scie lame diamante polissant les ancs des barreaux, leur
confrant ainsi des capacits de guidages compatibles notre application. On a donc
maintenant faire une structure dont les mtallisations sont le long de laxe Z,
laxe de propagation des ondes tant toujours selon X et la normale la plaque
tant maintenant Y .
6.1.2 Objectifs et applications
Lenjeu de ce nouveau systme est de taille car si nous arrivons produire un
composant acoustique excitant des ondes couplages lectromcaniques dpassant
les 10 %, il trouvera directement des applications dans le domaine du ltrage pour
la tlphonie mobile. En eet, il pourra tre utilis par exemple pour la ralisation
de ltres lectroniques grande largeur de bande (plus de 5 %), un niveau de
pertes donn, indispensables aux tlcommunications portables. De plus, les bandes
de frquence alloues aux services des tlcommunications portables sont situes
des frquences de plus en plus leves : 400 MHz pour la tlvision UHF (Ul-
tra Haute Frquence) traditionnelle, 900 MHz puis 1800 MHz pour les tlphones
portables GSM (Global System for Mobile Communications), plus de 2200 MHz
pour la nouvelle norme UMTS (Universal Mobile Telecommunications System), et
probablement encore plus haut pour tous les futurs services de tlcommunications
par voie hertzienne. Ainsi, la structure tant toujours fonde sur lexcitation de do-
maines alterns, la longueur donde acoustique du dispositif est gale la priode
mcanique du dispositif, contrairement aux transducteurs peignes inter-digits o
elle est gale deux fois la priode mcanique pour une mme largeur de trait. En
consquence, quelle que soit la priode, la frquence de synchronisme obtenue avec
un transducteur polarisation alterne est deux fois plus leve que celle obtenue
avec un transducteur classique pour une limite technologique donne. En outre
laide de nos outils de simulation des eets de la temprature, nous pourrons mme
prvoir un dispositif peu sensible lenvironnement.
Maintenant que nous avons introduit le nouveau transducteur fond sur lexcitation
de barreaux polariss priodiquement et identi les enjeux associs ce systme,
nous allons analyser cette structure par nos outils de calculs. Lobjectif est dtudier
les eets de guidage des ondes lastiques dans un barreau polaris priodiquement
an de mettre en vidence ses proprits remarquables.
188 Chapitre 6. Vers un nouveau type de TPP : Barreaux polariss priodiquement
6.2 Modlisations et proprits remarquables
6.2.1 Maillage
Les proprits des barreaux polariss priodiquement peuvent tre modlises
dans un premier temps en deux dimensions en utilisant un maillage simple. Grce
nos outils de simulations par lments nis et de frontires, nous allons dnir
le systme par une alternance de deux domaines dnissant une priode avec une
certaine largeur de barreau. Nous appliquons galement la dnition des angles de
coupe conforme la situation que nous cherchons modliser : lalternance de po-
larisation correspond donc des coupes (YX) et (YXl)/180 qui rfrent bien un
retournement de 90 de la plaque ZX (au lieu davoir deux domaines voisins dnis
respectivement avec les coupes (YXl)/+90 et (YXl)/90 dans le cas dune excita-
tion sur les faces en regard de la plaque de coupe ZX comme nous lavons tudi
jusqu maintenant). La gure 6.3 prsente le maillage de base dun barreau de 5 m
de largeur et de 50 m de priode (longueur donde).
Figure 6.3 Maillage de base utilis pour les calculs de rponses harmoniques de barreaux polariss
priodiquement
Nous pouvons observer deux couleurs direntes sur le maillage correspondant
aux deux domaines de coupes cristallographiques (YX) et (YXl)/180. Seule une p-
riode est maille car nous appliquons une condition de priodicit sur les rfrences
notes 3 et 4. Les rfrences notes 1 et 2 serviront lexcitation, une dirence
de potentiel de 1 V y tant applique. La profondeur du barreau suivant laxe Z,
correspondant louverture acoustique du dispositif, est suppose innie dans les
simulations en deux dimensions. Nous avons choisi le niobate de lithium comme ma-
triau ferrolectrique pour analyser notre structure.
Nous allons maintenant identier les modes excits par ce type de structure. Nous
analyserons en particulier leurs proprits de dispersion en fonction du rapport lar-
geur du barreau sur priode du transducteur.
6.2. Modlisations et proprits remarquables 189
6.2.2 Analyse des proprits de dispersion
Dans un premier temps, nous allons comparer, pour une conguration donne, les
rponses harmoniques dun TPP classique avec les domaines dnis par les coupes
(YXl)/+90 et (YXl)/90 et celles dun barreau polaris priodiquement dont les
coupes des domaines sont (YX) et (YXl)/180. Nous avons choisi un maillage rec-
tangulaire comme dni en gure 6.3 avec une largeur de 5 m et une priode de
50 m. An de mettre en vidence le couplage lectromcanique, la conductance et
la rsistance thoriques ont t traces en gure 6.4 pour les deux congurations.
0
50000
100000
150000
200000
250000
300000
350000
400000
450000
50 100 150 200 250 300
0
1e08
2e08
3e08
4e08
5e08
6e08
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

h
a
r
m
o
n
i
q
u
e

(
S
.
m

1
)
R

s
i
s
t
a
n
c
e

h
a
r
m
o
n
i
q
u
e

(

.
m

1
)
Frquence (MHz)
TPP LiNbO
3
(p=50m, e=5m)
G theo
R theo
(a)
0
5e+08
1e+09
1.5e+09
2e+09
2.5e+09
3e+09
3.5e+09
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
1e06
2e06
3e06
4e06
5e06
6e06
7e06
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

h
a
r
m
o
n
i
q
u
e

(
S
.
m

1
)
R

s
i
s
t
a
n
c
e

h
a
r
m
o
n
i
q
u
e

(

.
m

1
)
Frquence (MHz)
Barreau de TPP LiNbO
3
(p=50m, l=5m)
G theo
R theo
(b)
Figure 6.4 Rponses harmoniques de rseaux polarisation ferrolectrique priodique de priode
50 m, (a) axe Z normal la plaque avec une paisseur de TPP de 5 m (b) axe Y normal au
barreau avec une largeur du barreau de 5 m
Nous observons dans le cas classique, avec laxe Z normal la plaque, nous obte-
nons un mode longitudinal se propageant 6200 m.s
1
avec un couplage lectrom-
canique (k
2
s
) relativement modeste (infrieur au pourcent). Dans le second cas, avec
laxe Y normal au barreau, nous obtenons deux modes principaux vers 125 MHz et
380 MHz. A laide de notre outil de modlisation, nous avons identi en gure 6.5
ces deux modes. Le premier correspond un mode longitudinal avec une vitesse de
phase de 6300 m.s
1
et un couplage avoisinant la dizaine de pourcent. Le second est
un mode de cisaillement se propageant une vitesse de 19000 m.s
1
notablement
mieux coupl. On trouve en eet une valeur de k
2
s
proche des 23 %.
190 Chapitre 6. Vers un nouveau type de TPP : Barreaux polariss priodiquement
(a) (b)
Figure 6.5 Reprsentations graphiques des deux modes excits par une structure de domaines
ferrolectriques alterns utilisant les coupes LiNbO
3
(YX) et LiNbO
3
(YXl)/180, (a) mode
polarisation majoritairement longitudinal 6300 m.s
1
, (b) mode de cisaillement 19000 m.s
1
Nous allons maintenant suivre lvolution du couplage lectromcanique et de la
frquence de synchronisme de ces deux modes en fonction du rapport largeur du
barreau (l) sur priode du transducteur (p). Le schma gnral est donn en gure
6.6.
3
LiNbO
3
LiNbO
Coupe (YXl) 180 Coupe (YX)
p
l
Figure 6.6 Schma gnrique pour ltude des proprits de dispersion des modes du barreau
polaris priodiquement
Les proprits dispersives de ces deux modes ont t tudies pour trois priodes
arbitraires, 10 m, 50 m et 100 m avec un rapport cyclique de polarisation de 50 %
pour une variation du rapport largeur sur priode du transducteur (l/p) de 0,1 2.
Nous proposons en gure 6.7 un premier rcapitulatif des modlisations illustrant le
suivi du mode longitudinal pour les trois priodes. Nous nous sommes concentrs sur
lvolution du couplage lectromcanique du mode et sur sa dispersion en frquence.
6.2. Modlisations et proprits remarquables 191
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
F
r

q
u
e
n
c
e

d
e

s
y
n
c
h
r
o
n
i
s
m
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(
G
H
z
)
C
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e
f
f
i
c
i
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n
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c
o
u
p
l
a
g
e

l
e
c
t
r
o
m

c
a
n
i
q
u
e

(
%
)
largeur/priode
Barreau polaris priodiquement LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m),
mode longitudinal
p = 10 m, f
rsonance
p = 50 m, f
rsonance
p = 100 m, f
rsonance
p = 10 m, couplage
p = 50 m, couplage
p = 100 m, couplage
Figure 6.7 Suivis thoriques du mode longitudinal pour trois priodes du transducteur di-
rentes, 10 m, 50 m et 100 m de lvolution du couplage lectromcanique et de lvolution de la
frquence de rsonance, en fonction du rapport largeur du barreau sur la priode du transducteur
Nous proposons la mme tude mais pour le mode transverse en gure 6.8.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
0
5
10
15
20
25
F
r

q
u
e
n
c
e

d
e

s
y
n
c
h
r
o
n
i
s
m
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(
G
H
z
)
C
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e
f
f
i
c
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n
t

d
e

c
o
u
p
l
a
g
e

l
e
c
t
r
o
m

c
a
n
i
q
u
e

(
%
)
largeur/priode
Barreau polaris priodiquement LiNbO
3
(p=50 m, e=500 m),
mode transverse
p = 10 m, f
rsonance
p = 50 m, f
rsonance
p = 100 m, f
rsonance
p = 10 m, couplage
p = 50 m, couplage
p = 100 m, couplage
Figure 6.8 Suivis thoriques du mode de cisaillement pour trois priodes du transducteur di-
rentes, 10 m, 50 m et 100 m de lvolution du couplage lectromcanique et de lvolution de la
frquence de rsonance, en fonction du rapport largeur du barreau sur la priode du transducteur
192 Chapitre 6. Vers un nouveau type de TPP : Barreaux polariss priodiquement
Nous observons tout dabord que quelle que soit la priode du transducteur, lvo-
lution du couplage lectromcanique est identique. Nous remarquons galement que
lvolution du couplage nest pas linaire et prsente des maximums locaux. Ceci est
d un phnomne de recouvrement avec dautres modes venants croiser le mode
suivi. Concernant la dispersion en frquence des modes, elle est dautant plus leve
que la priode est petite. Par exemple, pour le mode longitudinal, nous avons une
dispersion de 250 MHz pour une priode de 10 m et seulement de 25 MHz pour
une priode de 100 m. Par comparaison des proprits des deux modes, nous re-
marquons que le mode longitudinal est moins dispersif que le mode de cisaillement,
dun facteur cinq pour une mme priode, mais moins coupl (jusqu 23 % pour le
mode de cisaillement contre 12 % pour le mode longitudinal).
Ainsi, cette tude met en vidence des points optimums de couplage lectromca-
nique notamment pour des rapports (l/p) de 0,4 pour le mode longitudinal avec un
couplage de 12 % et de 0,2 pour le mode transverse avec un couplage remarquable
de 23 %. Nanmoins, la ralisation de barreaux ces points de fonctionnement est
critique car la frquence de synchronisme de ces modes est trs dispersive. En outre,
nous trouvons une autre zone de travail o la frquence de synchronisme dpend
moins de la largeur du barreau avec un couplage lectromcanique qui se stabilise
vers les 6 % pour le mode longitudinal et vers 17 % pour lautre mode. Cette zone
correspond un rapport (l/p) entre 0,7 et 0,9 pour le mode longitudinal et entre 0,4
et 0,6 pour le mode transverse. Nanmoins, pour ces rapports, nous remarquons, sur
la gure 6.9, que les frquences de synchronisme des deux modes sont trs voisines
ainsi, lors de la caractrisation, ils seront diciles direncier.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
F
r

q
u
e
n
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d
e

s
y
n
c
h
r
o
n
i
s
m
e
(
G
H
z
)
largeur/priode
p = 10 m, mode longitudinal
p = 50 m, mode longitudinal
p = 100 m, mode longitudinal
p = 10 m, mode transverse
p = 50 m, mode transverse
p = 100 m, mode transverse
Figure 6.9 Suivi des frquences de synchronisme des modes longitudinal et transversal pour
direntes priodes de transducteurs ; mise en vidence dune zone de probable interaction entre
les modes (vers largeur/priode =0,4)
6.3. Fabrication 193
Maintenant que nous avons identi certains points de fonctionnements optimaux
pour lexcitation dondes lastiques hautes vitesses de phase et forts couplages
lectromcaniques, nous allons fabriquer des premiers vhicules de tests.
6.3 Fabrication
Le procd complet de ralisation de barreaux, qui comporte plusieurs tapes de
micro-fabrication usuelles, est fonctionnel pour nimporte quelle coupe du matriau
utilis. Loriginalit du principe de ralisation repose essentiellement sur lutilisation
dune scie de prcision de marque Disco qui permet en deux traits de scie de
dnir des barreaux. La largeur de ces barreaux est dnie par la prcision dali-
gnement entre ces deux traits de scie et peut atteindre 1 m dans le meilleur des
cas (avec lquipement utilis). La hauteur des barreaux est dnie quant elle par
la profondeur de dcoupe demande et peut donc atteindre plusieurs centaines de
micromtres. An dexciter des ondes lastiques, des lectrodes sont dposes sur les
ancs des barreaux. Le procd de ralisation technologique des barreaux est dtaill
en gure 6.10.
Figure 6.10 Etapes de ralisation des barreaux polariss priodiquement
La toute premire tape de ralisation de barreaux polariss priodiquement cor-
respond la fabrication de rseaux domaines polariss priodiquement. Les tapes
correspondantes nont pas t rappeles et sont dtailles dans le chapitre 4.
194 Chapitre 6. Vers un nouveau type de TPP : Barreaux polariss priodiquement
Ltape suivante consiste enduire dune rsine le substrat ferrolectrique sur le-
quel se trouvent nos rseaux. Cette rsine nous servira par la suite pour une tape
de lift-o (cf. chapitre 4), ainsi nous prenons une rsine dont lpaisseur de dpt
est relativement importante. Nous utilisons la rsine S1828 de marque Shipley
que nous dposons laide dune tournette sur une paisseur de 2.5 m et que nous
cuisons en tuve pendant une demi-heure 95 an dvaporer les solvants et de
rendre ainsi cette rsine plus rsistante ltape de dcoupe la scie.
Ensuite, nous dnissons les barreaux par sciage. Les traits de dcoupe doivent
tre raliss dans laire des rseaux polariss priodiquement et dans le sens de la
longueur du rseau. Quatre traits de scie sont requis an de raliser un barreau.
En eet, la largeur de la lame tant de 200 m, nous ralisons deux traits de scie
juxtaposs de chaque ct du barreau an dobtenir un espace accessible de
350-400 m lors des tests sous pointes. Nous dnissons ainsi la fois la largeur et
la hauteur des barreaux par la profondeur de dcoupe et la prcision dalignement
(de paralllisme) entre les deux traits de scie de part et dautre du barreau.
Ltape suivante consiste dnir les lectrodes sur les ancs des barreaux ainsi
quau fond des tranches de largeur comprise entre 350 et 400 m et sur une lon-
gueur pouvant atteindre plusieurs centimtres. An de recouvrir les ancs des bar-
reaux pouvant atteindre plusieurs centaines de micromtres, le dpt daluminium
est ralis par pulvrisation cathodique en trois fois en tiltant la puce deux fois de 45.
A cette tape, le substrat entier est recouvert de la couche daluminium. Les lec-
trodes sont obtenues par la technique dite de lift-o. Pour cela, la puce est plonge
dans un bain de remover 1165 , solution chimique dissolvant la rsine de protec-
tion, chau 70 pendant plusieurs heures.
Enn, nous dcoupons nos dispositifs la scie an dobtenir nos puces contenant
plusieurs barreaux polariss priodiquement. Pour ce faire, nous protgeons dabord
les barreaux en les enduisant dune rsine de protection S1805 laide de la tech-
nique de spray-coating pour limiter la casse des barreaux lors de la dcoupe. La
gure 6.11(a, b) montre la matrise de lensemble du procd qui donne lieu des
barreaux de haut facteur de forme (plus de 10 pour le rapport hauteur sur largeur).
6.3. Fabrication 195
(a) (b)
Figure 6.11 Images MEB de barreaux fabriqus avec succs, (a) vue densemble de quatre
barreaux de direntes largeurs, (b) dtail de lencastrement avec mise en vidence de lvasement
du barreau
Nous observons sur la gure 6.11(b) un vasement de la largeur du barreau. La
lame de scie prsente naturellement un dfaut dorthogonalit (compensable selon
diverses approches non mises en uvre ici). De plus, larrondie observ langle du
barreau avec le substrat de base est lie la gomtrie de la lame. En outre, nous
avons parfois observ des court-circuits entre les deux lectrodes dont le contact
lectrique se fait par le sommet du barreau. Nous avons galement remarqu que
certains barreaux ntaient pas constant en largeur car la lame de scie dviait de
sa trajectoire. Ces dfauts sont inhrents la machine utilise ici et sont bien sr
amliorables.
Dans le tableau 6.1, nous rcapitulons les dirents barreaux polariss priodique-
ment sur niobate de lithium fabriqus avec succs et que nous allons caractriser
dans la partie suivante.
Priode du Profondeur de Largeur du Rapport
transducteur (m) dcoupe (m) barreau (m) (l/p)
10 50 7 0,7
100 7 16 0,7 1,6
250 11 22 1,1 2,2
50 90 6 0,1
12 0,25
20 0,4
24 0,5
260 15 0,3
27 0,55
Table 6.1 Rcapitulatif des dirents barreaux polariss priodiquement fabriqus avec succs
196 Chapitre 6. Vers un nouveau type de TPP : Barreaux polariss priodiquement
6.4 Caractrisation et confrontation thorie/exprience
Daprs le tableau 6.1 prcdent, nous remarquons que nous avons considr deux
priodes direntes de barreaux polariss priodiquement sur niobate de lithium
ainsi que plusieurs profondeurs et largeurs de barreaux. Ce dernier paramtre est
notablement plus facile modier que la priode du rseau, force une bonne fois
pour toute par la polarisation. Grce ces dirents barreaux, nous allons tudier
linuence de la longueur, de la profondeur et de la largeur du transducteur sur
ladmittance. En outre, nous calculerons les coecients de couplages lectromca-
niques des modes identis et nous eectuerons des mesures en temprature et en
tension an dtudier les drives en frquence de ces modes. An de caractriser nos
barreaux, nous utilisons un testeur sous pointes reli un analyseur de rseaux. Les
pointes viennent en contact sur les lectrodes en aluminium de part et dautre du
barreau.
6.4.1 Etudes de linuence de la longueur, de la profondeur et de la
largeur du barreau sur lexcitation des ondes lastiques
6.4.1.1 Inuence de la longueur du barreau
Dans un premier temps, nous avons dcoup un barreau de largeur 24 m et
de priode 50 m en plusieurs tronons de longueurs direntes (2 mm, 5 mm,
10 mm et 16 mm). Ainsi, nous obtenons un barreau de rapport (l/p) de 0,5 avec
une excitation thorique dun mode longitudinal 110 MHz et un mode transverse
115 MHz. Nous avons mesur les conductances de ces quatre barreaux dont les
rsultats sont prsents en gure 6.12.
0.005
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0.04
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
Frquence (MHz)
l=24 m, L = 16mm
l=24 m, L = 10mm
l=24 m, L = 5mm
l=24 m, L = 2mm
Figure 6.12 Conductances exprimentales de barreaux de largeur 24 m et de priode 50 m
pour direntes longueurs de barreaux, de 2 16 mm
6.4. Caractrisation et confrontation thorie/exprience 197
Cette caractrisation met en vidence lexcitation de nombreux modes des fr-
quences avoisinant la centaine de mgahertz. Nous ne retrouvons pas distinctement
les deux modes aux frquences attendues. Nanmoins, nous remarquons que plus la
longueur du barreau est grande, plus ladmittance est rsolue. En eet, la longueur
du barreau joue sur le nombre de priodes excites du transducteur. Ainsi nous
devons privilgier des barreaux dont la longueur est suprieure 300 .
6.4.1.2 Inuence de la profondeur du barreau
Dans un second temps, nous avons dcoup des barreaux de largeur 15 m, de
priode 10 m, de longueur 500 environ direntes profondeurs de barreaux
(50 m et 250 m). Ainsi, nous obtenons un barreau de rapport (l/p) de 1,5 avec
une excitation thorique des deux modes principaux 380 MHz pour le mode lon-
gitudinal et 450 MHz pour le mode transverse. Nous avons mesur et compar
les conductances de ces deux barreaux la thorie (avec une structure inniment
profonde) dont les rsultats sont prsents en gure 6.13.
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
300 400 500 600 700 800 900 1000
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
Frquence (MHz)
G theo
profondeur = 50 m
profondeur = 250 m
Figure 6.13 Conductances exprimentales de barreaux de largeur 15 m et de priode 10 m
pour direntes profondeurs de barreaux, 50 et 250 m; comparaison de la position spectrale des
modes avec les prcisions thoriques
Nous observons un accord densemble de la thorie avec lexprience. Plusieurs
modes sont excits dans une bande de frquence de 300 MHz 1 GHz notamment
un mode longitudinal vers 380 MHz et un mode transverse vers 450 MHz. Nous re-
marquons que quelle que soit la profondeur du barreau, la position frquentielle des
modes est identique. De surcrot, nous observons que le signal obtenu pour une pro-
198 Chapitre 6. Vers un nouveau type de TPP : Barreaux polariss priodiquement
fondeur de 250 m prsente moins de pertes dinsertion (amlioration du coecient
de qualit des rsonances) que pour une profondeur de 50 m. Nous rappelons que
nos simulations en deux dimensions concernent des barreaux inniment profonds.
Nous pouvons lier, dans le cas des barreaux polariss priodiquement, la profon-
deur du barreau louverture acoustique du dispositif. Nous rappelons que pour le
TPP classique nous avions retenu une ouverture acoustique de plus de 100 longueurs
dondes. Dans le cas du barreau, nous ne pouvons pas respecter cette grandeur pour
linstant, car les substrats vendus ont une paisseur de 500 m. Ainsi, dautres struc-
tures sont envisageables pour permettre datteindre une profondeur maximale des
barreaux de 500 m :
soit en reportant le substrat ferrolectrique sur un support isolant. Ainsi, nous
pourrons crer des barreaux sur toute lpaisseur du matriau ferrolectrique,
soit nous pouvons fabriquer des barreaux suspendus par ses extrmits dans la
masse du matriau ferrolectrique. Ces structures nont pas t tudies.
6.4.1.3 Inuence de la largeur du barreau
Nous avons remarqu, lors de ltude de la dispersion des ondes lastiques dans
nos structures, que la vitesse de phase des modes excits dpend principalement
de la largeur du barreau. Ainsi, nous avons caractris quatre barreaux de priode
50 m et de largeurs 6, 12, 20 et 24 m. Les conductances mesures sont prsentes
en gure 6.14.
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0 50 100 150 200 250 300 350
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
Frquence (MHz)
l=6 m
l=12 m
l=20 m
l=24 m
Figure 6.14 Conductances exprimentales de barreaux de priode 50 m pour direntes largeurs
de barreaux, 6 m, 12 m, 20 m et 24 m
6.4. Caractrisation et confrontation thorie/exprience 199
Nous pouvons observer de nombreux modes dans la bande de frquences 20 MHz
350 MHz. Quelle que soit la largeur du barreau, nous retrouvons les mmes modes
excits. Un seul mode prsente un comportement dispersif manifeste selon la largeur
du barreau. En eet, ce mode drive de 120 MHz 90 MHz. Nous pensons que ce
mode correspond au mode longitudinal car pour une largeur de 6 m correspondant
en loccurence un rapport (l/p) de 0,12, le mode longitudinal est excit thorique-
ment 125 MHz et le mode transverse 300 MHz. Nous ne voyons pas apparatre
le mode transverse qui doit thoriquement driver en frquence lorsque la largeur
du barreau est modie. Ce mode tant trs dispersif lorsque la largeur du barreau
varie, la gomtrie du barreau doit tre homogne pour en favoriser lexcitation en
bande troite. En eet, nous devons concevoir des barreaux avec une dirence de
largeur infrieure au micron. Selon les quipements actuellement disponibles pour
nos tests, les largeurs des barreaux peuvent varier de quelques microns. Ainsi nous
devons amliorer notre procd de dcoupe la scie.
Maintenant que nous avons tudi linuence des paramtres gomtriques des bar-
reaux polariss priodiquement sur lexcitation des ondes lastiques, nous allons nous
concentrer sur la proprit remarquable de ce nouveau dispositif, soit des couplages
lectromcaniques de plus de 10 %.
6.4.2 Etude du couplage lectromcanique
Nous rappelons que nous calculons le couplage lectromcanique (k
2
s
) des ondes
lastiques par la relation suivante que nous avons dni dans le chapitre 3 :
k
2
= 1
(
f
r
f
a
)
2
, avec f
r
, la frquence de rsonance correspondant la frquence de
la conductance maximale du mode tudi et f
a
, la frquence danti-rsonance gale
la frquence de la rsistance maximale de ce mme mode.
Nous allons tudier les couplages lectromcaniques du mode identi prcdemment
pour les barreaux de priode 50 m et de largeurs 6 m, 12 m, 20 m et 24 m.
Pour ce faire, nous avons mesur les conductances et les rsistances de ces quatre
barreaux dont les rsultats sont prsents en gure 6.15.
200 Chapitre 6. Vers un nouveau type de TPP : Barreaux polariss priodiquement
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
90 100 110 120 130 140 150
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
R

s
i
s
t
a
n
c
e

R

(

)
Frquence (MHz)
G l=6 m
R l=6 m
(a)
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0.04
0.045
90 100 110 120 130 140 150
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
R

s
i
s
t
a
n
c
e

R

(

)
Frquence (MHz)
G l=12m
R l=12m
(b)
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
80 90 100 110 120 130 140 150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
R

s
i
s
t
a
n
c
e

R

(

)
Frquence (MHz)
G l=20m
R l=20m
(c)
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
80 90 100 110 120 130 140 150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
R

s
i
s
t
a
n
c
e

R

(

)
Frquence (MHz)
G l=24m
R l=24m
(d)
Figure 6.15 Conductances et rsistances exprimentales releves sur des barreaux de priode
50 m, de largeur (a) 24 m, (b) 20 m, (c) 12 m et (d) 6 m
Nous avons calcul le couplage lectromcanique exprimental du mode longitudinal
pour chaque largeur de barreau. Nous rcapitulons ses rsultats dans le tableau 6.2.
Priode du Profondeur de Largeur du f
r
f
a
k
2
s
transducteur (m) dcoupe (m) barreau (m) (MHz) (MHz) %
50 90 6 118 128 15
12 104 108 7,3
20 97 100 5,9
24 88 89 2,2
Table 6.2 Tableau rcapitulatif des couplages lectromcaniques obtenus pour le mode longitu-
dinal pour les quatre largeurs de barreaux
Nous obtenons un couplage qui augmente lorsque le rapport (l/p) diminue. En
thorie nous obtenons un maximum de couplage de 12 % pour une largeur de 20 m
de barreau. En exprience, nous avons estim un couplage lectromcanique de 15 %
6.4. Caractrisation et confrontation thorie/exprience 201
pour une largeur de barreau de 6 m, ce qui est exceptionnel vue les couplages
lectromcaniques que nous obtenions avec un TPP classique (moins du pourcent).
Les dirences entre la thorie et lexprience peuvent provenir de plusieurs raisons :
des hypothses faites en simulation (profondeur innie du barreau),
des dfauts de fabrication des barreaux (irrgularit de la largeur du barreau
dans la longueur et dans la hauteur, profondeur insusante du barreau).
Nous remarquons galement un autre mode trs peu dispersif vers 130 MHz avec un
couplage lectromcanique de 4 % pour des largeurs de barreaux suprieures 20 m.
Nous allons maintenant tudier les drives en frquence du mode identi comme le
mode longitudinal en fonction de la temprature et du champ lectrique statique.
6.4.3 Etude des drives en frquence et en tension du mode longitudinal
en fonction de la temprature
Nous avons remarqu que les barreaux polariss priodiquement permettent dex-
citer en thorie deux modes principaux, un longitudinal et lautre transverse avec des
couplages pouvant dpasser les 10 %. Hors les caractrisations ont point lexcitence
dun seul mode avec un couplage maximum de 15 %. Nous allons donc tudier dans
cette partie, la sensibilit la temprature et la tension de ce mode.
6.4.3.1 Mesures en temprature et comparaison avec la thorie
Le barreau concern pour ltude de la sensibilit du mode longitudinal la tem-
prature est un barreau de priode 50 m, de largeur 27 m et de profondeur de
dcoupe de 260 m. La gure 6.16 prsente la conductance et la rsistance expri-
mentales de ce barreau.
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
R

s
i
s
t
a
n
c
e

R

(

)
Frquence (MHz)
G exp
R exp
Figure 6.16 Conductance et rsistance exprimentales dun barreau de priode 50 m, de pro-
fondeur de dcoupe de 260 m et de largeur 27 m
202 Chapitre 6. Vers un nouveau type de TPP : Barreaux polariss priodiquement
Nous constatons lquivalence de la rponse avec les mesures eectues sur les
barreaux de mme priode et largeur mais pour une profondeur de 90 m comme
prsent prcdemment. Nous reprons vers 100 MHz le mode identi comme le
mode longitudinal. Ainsi, nous allons nous centrer sur ce mode et nous allons faire
varier la temprature de 20 60 par pas de 10 . Nous relevons pour chaque
temprature la conductance du barreau et nous en dduisons sa sensibilit la
temprature. Ces rsultats sont prsents en gure 6.17.
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
90 92 94 96 98 100 102 104
C
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e

G

(
S
)
Frquence (MHz)
T=20C
T=30C
T=40C
T=50C
T=60C
(a)
4000
3000
2000
1000
0
1000
295 300 305 310 315 320 325 330 335 340
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t


(
p
p
m
)
Temprature (K)
CTF exp (l=27m) = 65 ppm/K
CTF theo (l=25m) = 76 ppm/K
l=27m (exp)
l=25m (theo)
(b)
Figure 6.17 (a) Conductances exprimentales centres sur le mode longitudinal pour direntes
tempratures (de 20 60 par pas de 10 ), (b) drive en frquence du mode longitudinal en
fonction de la temprature
Nous remarquons que le mode longitudinal drive en frquence en fonction de la
temprature applique. Plus la temprature est leve, plus la frquence de synchro-
nisme du mode diminue. Nous obtenons une drive en temprature de -65 ppm/K
du mme ordre de grandeur que les -75 ppm/K prvus par nos simulations. La di-
rence entre la thorie et lexprience est surement due lirrgularit de la gomtrie
du barreau test.
6.4.3.2 Etude de la drive en tension
Une fois le barreau excit, il nest plus possible dajuster mcaniquement la
frquence de ses modes. Lusage dun matriau ferrolectrique tel que le niobate
de lithium savre particulirement intressant puisque celui-ci voit ses proprits
lectriques modies par lapplication dun champ lectrique statique comme nous
lavons expliqu dans le chapitre 5. An de mettre en oeuvre cette proprit sur les
barreaux polariss priodiquement, nous avons appliqu en parallle sur les pointes
du testeur sous pointes une tension continue variant de 0 V 100 V. Nous avons
6.5. Conclusion 203
test plusieurs barreaux, mais aucun mode ne drive en frquence lorsque nous ap-
pliquons un champ lectrique statique.
Nous avons remarqu lors de lapplication de la tension quun courant circulait dans
le dispositif alors que les lectrodes sont spares par le barreau. Ainsi, nous avons
des court-circuits entre les deux lectrodes. Par une observation au microscope op-
tique, nous avons observ des ponts mtalliques entre les deux lectrodes au sommet
du barreau. En eet, lors de la dcoupe du barreau la scie, la rsine en surface du
substrat peut tre endommage. Ainsi, le lift-o ne fonctionne plus si la couche de
rsine est absente en dessous du mtal. Cest pourquoi, nous avons parfois quelques
ponts mtalliques. Une amlioration de la fabrication des barreaux (barreaux uni-
formes, sans vasements, sans dfauts lectriques) devrait permettre dobserver un
tirage en frquence de certains modes lorsquune tension est applique.
6.5 Conclusion
Ce chapitre nous a permis de considrer une nouvelle forme de transducteurs
polariss priodiquement sur matriaux ferrolectriques et plus particulirement sur
niobate de lithium. Le nouveau dispositif fond sur lexcitation dun barreau pola-
ris priodiquement permet de rsoudre le problme de la fabrication de rsonateurs
acousto-lectriques fort couplage et haute vitesse de propagation pour les applica-
tions radiofrquences. En eet, nous pouvons envisager la fabrication de ltres fort
couplage, de rsonateurs haute frquence, de capteurs de temprature, dacclra-
tion, gyromtres, de capteurs de couple, de capteurs gravimtriques, de modulateurs
acousto-optiques fort connement, forte modulation.
Dans un premier temps, nous avons modlis en deux dimensions la structure et
nous avons remarqu lexcitation de deux modes principaux. Le premier mode, peu
dispersif, avec une vitesse de phase maximale de 6200 m.s
1
est un mode majoritai-
rement longitudinal et peut atteindre un coecient de couplage lectromcanique de
14 % pour un rapport largeur du barreau sur priode du transducteur (l/p) de 0,4.
Le second mode, trs dispersif, avec une vitesse de phase maximale de 20000 m.s
1
est un mode transverse et peut atteindre un coecient de couplage lectromcanique
de 23 % pour un rapport (l/p) de 0,2.
Dans un second temps, nous avons montr la faisabilit du systme par des tech-
niques de micro-fabrication. Lutilisation dune scie lame polissant les ancs de
dcoupe permet de raliser des barreaux de ne paisseur (dmonstration faite 5
m) an datteindre des points de fonctionnement optimums sur une gamme spec-
trale allant de quelques dizaines de mgahertz jusquau gigahertz. Nanmoins, nous
204 Chapitre 6. Vers un nouveau type de TPP : Barreaux polariss priodiquement
avons soulev direntes amliorations apporter, notemment pour viter lvase-
ment en largeur et larrondie de la dcoupe du barreau. En eet, nous pouvons
essayer de crer des barreaux en suspension (dcoupe dbouchante) dont les extr-
mits seront lies au substrat ou de reporter le barreau sur une base isolante qui nous
permettra galement de dcouper dans toute lpaisseur du substrat ferrolectrique
et de solidier la structure.
Dans un dernier temps, nous avons test plusieurs prototypes de barreaux polariss
priodiquement sur niobate de lithium. Nous avons identi un mode se propageant
6200 m.s
1
avec un couplage lectromcanique de 15 % que nous avons li au
mode longitudinal prvu thoriquement. Nanmoins, nous navons pas distingu le
mode transverse. En outre, nous avons mesur la sensibilit en tempratue du mode
excit qui est de -65 ppm/K. Nous pouvons prvoir des combinaisons de matriaux
permettant de compenser cette drive en temprature. Par exemple, la ralisation
dun barreau en niobate de lithium quip dlectrodes et recouvert dune couche de
silice dpaisseur approprie permettrait daprs nos simulations de raliser un rso-
nateur trs fort couplage lectromcanique (jusqu 23 %) compens des eets de
temprature. Ceci nest quun exemple des possibilits oertes par ce nouveau dispo-
sitif qui permet donc de raliser des dispositifs indits dans une bande de frquence
largement exploite pour les applications de tlcommunication, de mtrologie, voire
de micro-actionnement.
Conclusion gnrale et perspectives
Les travaux raliss dans le cadre de cette thse sattachent dmontrer la pos-
sibilit de fabriquer un nouveau type doscillateur exploitant des transducteurs
domaines ferrolectriques alterns et des matriaux de guidage pour lexcitation
dondes lastiques. Ces trois annes de recherche nous ont permis de mener un projet
dans sa globalit en abordant divers domaines que sont la conception et la fabrication
de microsystmes, la modlisation de ces structures ainsi que leur caractrisation ex-
primentale.
An de situer le contexte dans lequel sest inscrit notre travail de recherche, nous
avons tout dabord dni quelques notions portant sur les oscillateurs, la pizolec-
tricit et la ferrolectricit. Nous avons list de nombreuses applications lies aux
oscillateurs lectriques telles que la tlphonie mobile demandant de plus en plus de
fonctions oscillateurs au sein dune mme application ou les radars dont le besoin
doscillateurs ultra-stables avec un palier de bruit de phase de plus en plus faible per-
met la dtection de signaux trs bruits. Nous avons tudi le coeur de ses systmes
oscillants et plus particulirement les rsonateurs ondes lastiques. Une prsen-
tation de la technologie quartz a permis de dtailler les divers types doscillateurs
existants (XO, TCXO, etc.). Nous avons soulign le fort march de ces composants
dans le monde de part leurs diverses possibilits de compensation en temprature et
leurs cots de conception faibles. Nanmoins les oscillateurs quartz sont limits en
frquence ( 500 MHz) et ne sont pas intgrables sur silicium. Nous avons ensuite
prsent deux autres technologies fondes sur les ondes de volume et de surface per-
mettant de monter en frquence et lintgration dans un systme microlectronique.
Une revue prsentant ces trois technologies nous a permis de mettre en avant leurs
avantages ainsi que leurs faiblesses. De ces constatations est ne lide de fabriquer
un rsonateur ondes lastiques base dun transducteur domaines ferrolec-
triques inverss en niobate ou tantalate de lithium, deux matriaux bien adapts
aux applications hautes frquences et report entre deux matriaux de guidage an
de conner les ondes gnres.
Ce nouveau type de transducteur polaris priodiquement (TPP), fond sur lexcita-
205
206 Conclusion gnrale et perspectives
tion et la dtection dondes par lintermdiaire de deux plans mtalliques en regard,
prsente des avantages non ngligeables compars aux transducteurs peignes inter-
digits (IDTs) classiques. En eet, cette mthode permet, dune part, de saranchir
des dfauts de surface tels que les courts-circuits frquemment rencontrs lors de
la fabrication dIDTs et dautre part, dexciter des ondes dont la frquence de syn-
chronisme est deux fois plus leve que celle obtenue avec des IDTs classiques pour
une priode mcanique identique. Aprs avoir dmontr lintrt de telles struc-
tures, nous nous sommes donc concentrs sur les direntes mthodes dinversion
de domaines disponibles. La mthode retenue pour inverser les domaines consiste
appliquer un champ lectrique sur le substrat via une lectrode liquide en raison de
plusieurs critres : elle permet, dune part, de travailler grande chelle (sur plaque
de diamtre 3 ou 4 pouces) et dautre part, nous avons eu lopportunit dacqurir
un banc de polarisation, dvelopp au laboratoire doptique P.M. Dueux durant la
thse dA. Martinez et de proter des connaissances dans le domaine des inversions
de domaines grce au savoir-faire dE. Courjon acquis durant sa thse.
A ce jour, nous avons fait dmonstration de notre capacit raliser un oscillateur
stabilis par un rsonateur ondes lastiques exploitant des transducteurs do-
maines ferrolectriques alterns sur niobate et tantalate de lithium en utilisant les
moyens technologiques disponibles au sein de la plateforme MIMENTO de linsti-
tut FEMTO-ST. Toutes les tapes de fabrication de ce rsonateur sont maitrises
jusqu une priode du transducteur de 5 m (inversion de domaines, collage, amin-
cissement, vhicule de test). Les caractrisations acoustiques des vhicules de tests
fabriqus tant avec des transducteurs pais quamincis, en niobate de lithium ou
tantalate de lithium appuient nettement les progrs dans le domaine. En eet, nous
notons la bonne concordance entre les rsultats thoriques et exprimentaux. De
plus, nous avons montr thoriquement que nous pouvions compenser la drive en
temprature des modes gnrs par notre rsonateur en amincissant le transducteur
et en le reportant sur un matriau idone tel que de la silice. De mme, nous avons
vri exprimentalement la possibilit de raliser un tirage en frquence de certain
mode excit notamment pour une structure Si/TPP en LiTaO
3
aminci 30 m en
appliquant un champ lectrique statique. Des caractrisations acousto-optiques nous
ont permis de rendre compte du caractre stationnaire des ondes excites par des
structures utilisant des transducteurs domaines alterns. De plus, la dmonstration
dun oscillateur stabilis par notre rsonateur 131 MHz, avec un palier du bruit
de phase -165 dBc/Hz 100 kHz de la porteuse et une stabilit de 10
9
avec une
drive thermique denviron -50 ppm/K, met en vidence la russite du projet. Des
tudes annexes ont t menes notamment concernant la modlisation et la fabrica-
207
tion dun nouveau concept de transducteur fond sur des barreaux de transducteur
domaines alterns gnrant des modes fort couplage lectromcanique (de lordre
de 20 %) permettant de viser dautres applications (les ltres RF larges bandes en
sont un exemple).
De futurs dveloppements concernant ces structures peuvent tre envisags. En ef-
fet, concernant les rsonateurs, nous navons pas inclus dlments de stabilisation
de la temprature dans loscillateur mais il est clair quune telle fonction devra tre
terme intgre dans notre systme. De plus, nous avons dmontr thoriquement
la possibilit dexciter des ondes compenses en temprature ou avec une vitesse de
phase de plus de 10000 m.s
1
, mais il reste les mettre en uvre. Par la mme
occasion, il faudrait poursuivre notre comprhension sur les analyses thermiques
en tenant compte des eets des contraintes thermodirentielles an destimer les
drives thermiques de structures complexes. En outre, la monte en frquence de
ces rsonateurs passe galement par la rduction de la longueur donde du trans-
ducteur. En pratique, il faut diminuer lpaisseur du substrat ferrolectrique an
dappliquer un champ lectrique plus faible pour diminuer les lignes de champ se
propageant sous lisolant. Lide est dinverser des structures composites avec un ma-
triau ferrolectrique aminci une dizaine de microns. De surcroit, jusqu prsent,
les inversions de domaines ont t ralises dans des matriaux de coupe cristal-
lographique Z mais dautres coupes peuvent tre envisages (par exemple LiNbO
3
(YXl)36) permettant peut-tre la gnration dondes lastiques avec des proprits
remarquables. Une autre tape essentielle la fabrication du rsonateur correspond
lamincissement du transducteur. Pour ce faire, nous utilisons une rdeuse simple
face mais lpaisseur nale du substrat obtenue nest pas uniforme donnant lieu
lexcitation dune multitude de modes. Pour rduire ce dfaut, lutilisation dune
rectieuse-planeuse pourrait tre envisage. Enn, les proprits remarquables des
barreaux de TPP pourraient tre valorises notamment dans un cadre industriel.
208 Conclusion gnrale et perspectives
Annexe A
Orientations cristallines
La norme IEEE 1949 est une norme qui permet de reprer lorientation de la
coupe dun substrat par rapport au repre cristallin. Une lame cristalline est carac-
trise dans les normes IEEE par les angles de coupe du cristal et et par langle
dnissant la direction de propagation pour les ondes de surface. La notation
normalise associe une lame quelconque est du type :
(Y Xlwt)
1
/
2
/
3
(A.1)
Dans cette notation, on considre la lame caractrise par trois dimensions, son
paisseur t (thickness en anglais), sa longueur l (length) et sa largeur w (width). La
premire lettre majuscule correspond laxe (avant toute rotation) suivant lequel
on considre lpaisseur de la plaque et la deuxime lettre majuscule, laxe (avant
toute rotation) suivant lequel on considre la longueur de la plaque. La gure A.1
prsente les trois plaques non tournes gnralement utilises, Y X en gure A.1 (a),
Y Z en gure A.1 (b) et XY en gure A.1 (c).
Figure A.1 Dnomination normalise de lames cristallines non tournes
209
210 Annexe A. Orientations cristallines
chaque dimension de la plaque est associ un axe (propre la plaque) rfr par
la mme lettre l, w ou t (cf. gure A.2). La premire lettre miniscule de la formule
A.1 reprsente laxe autour duquel sera eectue la premire rotation, la seconde
lettre, laxe autour duquel sera eectue la deuxime rotation et la troisime lettre
reprsente laxe autour duquel sera eectue la troisime rotation. Chaque rotation
aura respectivement pour valeur
1
,
2
, et
3
.
Figure A.2 Dnition des axes propes dune lame critalline
Annexe B
Formulations des proprits de
diraction
Les modles fonds sur les lments nis donnent accs ladmittance harmo-
nique. De l, on peut extraire de cette dernire plusieurs informations sur lexcita-
tion et le guidage des ondes pour diverses congurations dlectrodes. En particulier,
pour les modes ou pseudo-modes du guide, on peut caractriser la bande de frquence
correspondant aux conditions de Bragg pour lesquelles le rseau diracte les ondes
incidentes. Cette bande de frquence souvent appele bande darrt correspond
un rgime macroscopique pour lequel londe voit son nergie dcrotre exponentiel-
lement le long du rseau, ce qui mathmatiquement se concrtise par une partie
imaginaire non nulle du vecteur dondes eectif. Pour eectuer cette extraction de
paramtres, nous allons considrer une forme isomorphe de ladmittance harmonique
au voisinage de la singularit que nous souhaitons caractriser. Cette fonction fera
apparatre un certain nombre de caractristiques identier en fonction des variables
du problme (la frquence et le coecient dexcitation).
Nous considrons le cas dun vrai ple (pas de pertes de propagation) de la charge
harmonique donn par la forme suivante :
Q
h
(, ) = Q
r
+ Qp()
1

p
()
(B.1)
avec Q
r
la charge rsiduelle qui contient les contributions de tout ce qui ne correspond
pas au ple considr, soit les autres ples pseudo-ples sils existent, les ondes de
volume rayonnes et les contributions lectrostatique et acoustique lenteur nulle,
Q
p
est lamplitude de charge du ple et
p
le paramtre eectif de propagation
du ple qui vaut cos
2
(p) pour une structure excite en = 1/2 (alternance de
potentiel dexcitation +V/-V, tel est le cas dans des les transducteurs IDTs) et
p
=
211
212 Annexe B. Formulations des proprits de diraction
sin
2
(p) pour une structure excite en entier ( = 1, cas de nos structures guides
dondes avec une excitation 0/+V de part et dautre de la plaque pizolectrique).
Si ce dernier est un vrai ple, nous pouvons dterminer objectivement, au voisinage
de ce ple, ses caractristiques par un calcul de trois points dadmittance ou de
charge harmonique ou de deux points pour les cas particuliers des ondes de surface
faibles pertes de propagation [99]. Nous rsolvons alors un systme algbrique
trois quations pour le mode trois points et de deux quations pour le mode deux
points. Nous obtenons les rsultats suivants pour chacun des modes :
Mode 3 points :

p
=
Q
3

3
(
1

2
) Q
1

1
(
3

2
) + Q
2

2
(
3

1
)
Q
3
(
1

2
) Q
1
(
3

2
) + Q
2
(
3

1
)
(B.2)
Q
r
=
Q
2
(
2

p
)(1
1
) Q
1
(
1

p
)(1
2
)
(
2

p
)(1
1
) (
1

p
)(1
2
)
(B.3)
Q
p
=
(Q
r
Q
1
)(
1

p
)
(1
1
)
(B.4)
Mode 2 points :

p
=
Q
1

1
(1
2
) Q
2

2
(1
1
) Q
r
(
1

2
)
Q
1
(1
2
) Q
2
(1
1
) Q
r
(
1

2
)
(B.5)
Q
p
=
(Q
r
Q
1
)(
1

p
)
(1
1
)
(B.6)
Ces valeurs ne permettent pas cependant de garantir une prcision ultime de dter-
mination des caractristiques du ple tudi. Nous vrions donc la cohrence de
cette dtermination par un procd itratif dans lequel nous cherchons minimiser
lerreur rsiduelle entre chaque itration.
Annexe C
Inversion de domaines
ferrolectriques
Nous proposons un schma rcapitulatif en gure C.1 an de rsumer les possi-
bilits dinversion de domaines utilisant diverses rsines photosensibles.
Figure C.1 Schma rcapitulatif des tests de photolithographie et dinversion de domaines
alterns pour diverses priodes (de 5 50 m) utilisant direntes rsines
213
214 Annexe C. Inversion de domaines ferrolectriques
Annexe D
Inuence du rapport cyclique des
TPPs
Comme nous lavons vu lors de la fabrication des rseaux alterns, il est dicile
de matriser le rapport cyclique lors des inversions de domaines, cest pourquoi nous
avons cherch savoir en quoi ce paramtre inuait sur lexcitation des ondes. Pour
cela, le maillage a t modi de faon crer deux domaines de largeurs direntes.
Nous avons x arbitrairement la priode du transducteur 50 m et nous avons
modi le rapport cyclique (50 %, 40 %, 30 %, 20 % et 10 %). Nous avons choisi de
simuler ces dirents cas sur une structure en niobate de lithium dpaisseur 500 m.
Les rsulats des susceptances harmoniques sont prsents en gure D.1.
Nous constatons que les frquences de synchronisme des deux contributions majeures
drivent de quelques centaines de kilohertz. De plus, nous observons que lamplitude
des modes diminuent lorsque nous nous loignons du cas idal de rapport cyclique
50 %. Nanmoins, pour nos applications, ce paramtre nest pas critique si le rapport
cyclique est compris entre 30 % et 50 % car lamplitude des pics nest que lgrement
diminue. Les rsultats sont quivalents sur tantalate de lithium.
215
216 Annexe D. Inuence du rapport cyclique des TPPs
0.1
0.05
0
0.05
0.1
0.15
40 60 80 100 120 140 160
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
TPP LiNbO
3
(p=50m, e=500m), Im(Y
11
)=f(f, rapport cyclique)
= 50%
= 40%
= 30%
= 20%
= 10%
(a)
0.06
0.04
0.02
0
0.02
0.04
0.06
0.08
76 76.2 76.4 76.6 76.8 77
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
Mode elliptique
= 50%
= 40%
= 30%
= 20%
= 10%
(b)
0.1
0.05
0
0.05
0.1
0.15
130.7 130.8 130.9 131 131.1 131.2
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B

(
S
)
Frquence (MHz)
Mode longitudinal
= 50%
= 40%
= 30%
= 20%
= 10%
(c)
Figure D.1 Comparaison de la rponse dun transducteur polaris priodiquement
(p=50 m, e=500 m) sur niobate de lithium en fonction de cinq rapports cycliques, =
50 %, 40 %, 30 %, 20 %, 10 %
Annexe E
Procds de rodage et polissage
E.1 Procds de rodage
Nous disposons dun tour rder actionn par un moteur lectrique pour raliser
des tests rapides de rodage avec des quipements de maintien des substrats comme
prsent en gure E.1.
(a) (b) (c)
Figure E.1 Photographies (a) du tour avec un plateau acier, (b) support de maintien de substrat 3
pouces utilisant du scotch double face comme adhrant, (c) support de maintien par micro-ventouse
pour substrat n et plan 3 pouces, utilisant un disque Tempal (de chez Lam Plan)
Le tour nous permet de traiter unitairement des substrats 3 pouces ou des mor-
ceaux de plaques infrieurs 3 pouces. Par sa facilite de nettoyage, nous nous en
servons pour raliser nos tests de rodage dont le plan dexprience est nonc dans
le tableau E.1. En eet, nous avons tudi, pour dirents matriaux, linuence de
la matire du plateau de rodage, de la nature et de la taille de labrasif sur ltat de
surface des matriaux et sur la vitesse de rodage.
217
218 Annexe E. Procds de rodage et polissage
Rponse
Rugosit Ra, Rt
paisseur Vitesse de rodage
Facteur 1
Matire du plateau Fonte
Laiton
Facteur 2
Abrasifs CSI vert 17 m Fournisseur : LAbrasienne
CSI noir 17 m Fournisseur : Mcalock
CSI vert 9 m Fournisseur : LAbrasienne
CSI vert 6,5 m Fournisseur : LAbrasienne
Al
2
O
3
13 m Fournisseur : LAbrasienne
Al
2
O
3
9 m Fournisseur : LAbrasienne
Al
2
O
3
6 m Fournisseur : LAbrasienne
Facteur 3
Concentration abrasif 1500 g/L
150 g/L
Facteur 4
Matriaux Silicium 4 chantillons de 10 cm
2
Niobate de lithium 4 chantillons de 20 cm
2
CSI : Carbure de silicium
Al
2
O
3
: Alumine
Table E.1 Plan dexpriences : tude de linuence de la matire du plateau et de la nature et
de la taille de labrasif sur ltat de surface et la vitesse de rodage pour dirents matriaux
Nous prsentons un rcapitulatif de ces tests dans le tableau E.2. Nous avons
tabli galement des tests sur quartz et tantalate de lithium et il savre, que ces
matriaux ont, pour le rodage, un comportement similaire au niobate de lithium. Nos
objectifs sont, tout dabord, de rechercher un abrasif commun pour rder le silicium,
le quartz, le niobate et le tantalate de lithium an dviter toutes les pollutions des
machines. Puis, de statuer sur un bon compromis entre la vitesse de rodage et ltat
de surface aprs rodage. En eet, aprs ltape de rodage, il faut polir. En eet, plus
ltat de surface est correcte, plus le temps de polissage est faible. Les sous-facteurs
en gras prsentent le procd optimum.
E.1. Procds de rodage 219
Table E.2 Tableau rcapitulatif des rsultats des multiples tests en relation avec le plan dex-
priences
En conclusion pour rpondre nos objectifs, le procd retenu sera : plateau de
rodage en laiton, abrasif en carbure de silicium avec des grains de 9 m en moyenne
et une concentration en abrasif dune centaine de grammes par litre.
220 Annexe E. Procds de rodage et polissage
E.2 Procds de polissage
An de rechercher les procds de polissage pour divers matriaux, nous proc-
dons de la mme manire que pour le rodage (en utilisant un tour). Ainsi, un plan
dexpriences simpli (seulement les facteurs pertinents) a t tabli et rcapitul
dans le tableau E.3.
Rponse
Rugosit Ra, Rt Rugosimtre
Temps Temps de polissage Chronomtre
Facteur 1
Feutres Strawberry (tiss) Fournisseur : LAM PLAN
Aquablack (mousse) Fournisseur : LAM PLAN
PADTEC 100 remb Fournisseur : SOMTEC
Facteur 2
Abrasifs Silice collodale Fournisseur : Diatechnics
Liquide diamant Fournisseur : LAM PLAN
Opaline Fournisseur : AGP
Facteur 3
Matriaux Silicium Fournisseur : Siltronix
Quartz Fournisseur : Roditi
Niobate de lithium Fournisseur : Roditi
Tantalate de lithium Fournisseur : Red Optronics
Table E.3 Plan dexpriences : tude de linuence de la matire du plateau et de la nature et
de la taille de labrasif sur ltat de surface et la vitesse de rodage pour dirents matriaux
Nous cherchons rduire au maximum la rugosit (proche du nanomtre) ainsi
que le temps de polissage. De ce plan dexpriences, nous avons tir les conclusions
prsentes dans le tableau E.4.
Matriaux Feutre Abrasif
Silicium PADTEC 100 remb Silice collodale
Quartz PADTEC 100 remb Opaline
Niobate/tantalate de lithium Strawberry Silice collodale
Table E.4 Procds pour polir du silicium, quartz, niobate et tantalate de lithium avec un tour
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Rsum
Ce mmoire prsente ltude et la fabrication de rsonateurs sur guide dondes exploitant des
substrats composites base de matriau ferrolectrique polaris priodiquement capables de
rpondre aux besoins de sources hautes frquences dont les caractristiques sont compatibles
avec les applications concernes (dtection radar). Lide consiste utiliser un guide dondes
fond sur un Transducteur domaines ferrolectriques Polariss Priodiquement (TPP) ralis
sur un substrat ferrolectrique mono-cristallin tel que le niobate ou le tantalate de lithium, plac
entre deux substrats mono-cristallins permettant le guidage dondes sans pertes.
Plusieurs dispositifs ont t fabriqus avec succs. Tout dabord, des TPPs de diffrentes
priodes (de 200 5 m) ont t raliss permettant lexcitation dondes lastiques de
30 MHz 1,3 GHz. Ensuite, un oscillateur 131 MHz stabilis par un rsonateur sur guide
dondes a vu le jour avec des caractristiques encourageantes. En effet, un palier de bruit de
phase a t mesur -165 dBc/Hz 100 kHz de la porteuse avec une puissance en entre
du rsonateur de 2 mW et une stabilit de frquence court terme de 10
9
(oscillateur non
thermostat avec une drive en temprature du rsonateur de -50 ppm/K). Dautres rsonateurs
sur guide dondes exploitant des TPPs amincis une trentaine de microns ont permis de
mettre en vidence lexcitation dun mode pur spectralement avec une drive thermique
avoisinant celle des matriaux de guidage (soit -30 ppm/K avec du silicium). Enn, un
nouveau systme fond sur des barreaux polariss priodiquement est prsent. Il se caractrise
par ses proprits remarquables et notamment avec lexcitation dondes vitesse de phase
suprieure 10000 m.s
1
et prsentant des coefcients de couplage lectromcanique de plus
de 10 % capable de rpondre des applications de ltrage large bande pour la tlphonie mobile.
Mot-cls : Rsonateurs, Guide dondes acoustique, Transducteur polaris priodiquement,
Oscillateurs, Bruit de phase, Stabilit de frquence, Couplage lectromcanique.
Abstract
This works consists of studying and fabricating waveguides resonators exploiting composite
substrates with periodically poled ferroelectric materials capable of meeting the need of
high-frequency sources for the concerned applications (radar detection). The idea consists of
using a waveguide based on a Periodically Poled Transducer (PPT) realized on a ferroeclectric
single-crystal substrate such as lithium niobate or tantalate inserted between two single-crystal
substrates allowing the guidance of waves without losses.
Several devices have been successfully fabricated. First of all PPTs on lithium niobate and
tantalate have been fabricated with transducers of different periods allowing the excitation of
elastic waves of 30 MHz to 1,3 GHz. Then an oscillator stabilized by a waveguide resonator
operating at 131 MHz appeared with encouraging characteristics. A phase noise has then been
measured at -165 dBc/Hz at 100 kHz from the carrier with an input power of 2 mW and a
frequency stability of 10
9
(oscillator without temperature compensation and with a -50 ppm/K
resonator temperature drift). Other resonators on waveguides exploiting thinned PPTs (around
thirty microns) allowed the excitation of only one contribution with a thermal sensibility equal
to the one of the guiding materials (-30 ppm/K for silicon). Finally a new system based on
a periodically poled bridge is presented. It is characterized by its remarkable properties in
particular the excitation of waves with phase velocity higher than 10000 m.s
1
and presenting
electromechanical coupling coefcients of more than 10 % able to answer applications of wide
ltering for the mobile telephony.
Key words : Resonators, Acoustic waveguides, Periodically poled transducer, Oscillator,
Phase noise, Frequency stability, Electromechanical coupling.