ESTRUCTURAS Y

PROPIEDADES DE LOS
MATERIALES
Ciencia e Ingeniera de los materiales

Estructura de los materiales
METALES Y ALEACIONES
Buena conductividad elctrica.
Buena conductividad trmica.
Resistencia relativamente alta.
Gran rigidez, ductilidad o formabilidad.
Buena resistencia a los choques trmicos.
Aplicaciones estructurales o bajo cargas dinmicas.
CERMICOS
Materiales naturales.
No conducen bien el calor.
Son resistentes y duros, pero tambin muy frgiles.
Resistencia excepcional a la compresin.
POLMEROS
Materiales orgnicos, se producen por polimerizacin.
Muy buena resistividad elctrica.
Aislantes trmicos.
Buena resistencia a sustancia corrosivas.
COMPUESTOS
Unin de dos o ms
materiales.
Propiedades mejores
que las de los
componentes
individuales.
Excelente relacin
resistencia / peso.
ENLAZAMIENTO
ATMICO
Enlace metlico.
Enlace covalente.
Enlace inico.
Enlace de Van der Waals.

2
0
0
3

B
r
o
o
k
s
/
C
o
l
e

P
u
b
l
i
s
h
i
n
g

/

T
h
o
m
s
o
n

L
e
a
r
n
i
n
g

ENLACE METLICO
Se forma cuando
los tomos ceden
sus e
-
de valencia,
que pasan a
formar un mar de
e
-
. Los ncleos de
los tomos con
cargas (+),
quedan enlazados
por atraccin
mutua hacia los e
-

con carga (-).

2
0
0
3

B
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n
g

ENLACE COVALENTE
Los e
-
se comparten entre los tomos de tal forma que cada
tomo tenga lleno su orbital externo. En el silicio se forman
cuatro enlaces covalentes.
Los enlaces covalentes son direccionales, en el
silicio se forma una estructura tetradrica con
ngulos de 109.5 que se requieren entre cada
enlace covalente.

2
0
0
3

B
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n
g

ENLACE INICO
2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Se forma cuando un tomo le cede su e
-
de valencia a otro,
ambos se transforman en iones; el que aporta los e
-
queda con
carga (+) neta y se llama catin, mientras que el tomo que
acepta los e
-
adquiere carga (-) neta y se llama anin; los iones
con carga opuesta son atrados entre si y forman el enlace.
ENLACE DE VAN DER WAALS
Hay tres clases de interacciones de Van der Waals, que son las
fuerzas de London, de Debye y de Keesom.
2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
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A las fuerzas de Keesom se les llama con frecuencia puente
de Hidrgeno, cuando los tomos de hidrgeno forman una
de las regiones polarizadas. En el agua por ejemplo son las
responsables de la tensin superficial y del punto de
ebullicin.
2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
Learning
En el PVC, los
tomos de Cl, fijos a
a la cadena
polimtrica tienen
una carga (-); los de
H, tienen una carga
(+), las cadenas
estn unidas
dbilmente por
enlaces de Van der
Waals. Esta unin
hace que el PVC sea
mas rgido y frgil a
T amb. que otros
polmeros.
Orden de corto y largo alcance.
Redes, celdas unitarias y estructuras cristalinas.
Transformaciones alotrpicas o polimorfas.
Puntos, direcciones y planos en la celda
unitaria.
Difraccin de rayos X.
ORDEN DE CORTO ALCANCE (SRO): el arreglo especial de
tomos existe en la vecindad inmediata. Distancia corta,
generalmente uno o dos espaciamientos atmicos.

ORDEN DE LARGO ALCANCE (LRO): es un arreglo regular
repetitivo de tomos en un slido, el cual se extiende sobre una
larga distancia
Papel importante en la determinacin de la microestructura y
propiedades de los materiales
ARREGLOS ATMICOS E INICOS
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
ORDEN DE CORTO Y LARGO ALCANCE
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Vidrio de silicato Polietileno
CLASIFICACIN DE LOS MATERIALES
SEGN SU ORDENAMIENTO ATOMICO
Gases
Monoatmicos
No orden
Ej: Ar
Materiales Amorfos
Solo orden de Corto
Alcance
Ej: Si amorfo, vidrios,
plsticos
Cristales lquidos
Orden de Corto y de
largo Alcance en
pequeos volmenes
Materiales
Cristalinos
Orden de corto y
largo alcance
Policristalinos
Ej: metales,
aleaciones
Cristales
Sencillos
Ej: Si, GaAs
(a) Monocristal de silicio
(b) Acero inoxidable
REDES, CELDAS UNITARIAS Y
ESTRUCTURAS CRISTALINAS
RED: coleccin de puntos ordenados en un patrn peridico, de
tal forma que los alrededores de cada punto son idnticos.
Puede ser uni, bi o 3D.
BASE, MOTIVO: grupo de tomos ubicados en una forma
determinada.
ESTRUCTURA CRISTALINA: Red + Base
CELDA UNITARIA: subdivisin de la red que conserva las
caractersticas generales de la red.
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SISTEMAS
CRISTALINOS

Cbico
Tetragonal
Hexagonal
Ortorrmbico
Rombodrico
Monoclnico
Triclnico

Existen 14
arreglos
cristalinos,
Redes de Bravais
CARACTERISTICAS DE LOS
SISTEMAS CRISTALINOS
PARMETROS DE RED
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Los parmetros de red describen la forma y el tamao de la celda
unitaria, incluyen las dimensiones de las aristas y los ngulos
entre estas.
CANTIDAD DE ATOMOS POR CELDA
UNITARIA
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
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RADIO ATOMICO VS PARAMETROS DE
RED
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
Learning
Las direcciones de empaquetamiento compacto o
direcciones compactas, son las direcciones en la cuales
estn en contacto los tomos
SC (a
o
= 2r); BCC (a
o
= 4r /3); FCC (a
o
= 4r/2)
NUMERO DE COORDINACIN
Es la cantidad de tomos que tocan a determinado tomo, o sea
la cantidad de vecinos ms cercanos a ese tomo en particular.
Es una medida de que tan compacto y eficiente es el
empaquetamiento de los tomos.
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ESTRUCTURA HEXAGONAL
COMPACTA HCP
PROPIEDADES DE LA ESTRUCTURA
CRISTALINA DE ALGUNOS METALES
FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO
Es la fraccin de espacio ocupada por los tomos
suponiendo que estos sean esferas duras que tocan
a su vecino ms cercano.
unitaria celda la de vol
atomos de vol celda atomos
iento empaquetam de Factor
_ _ _ _
) _ _ )( / (#
_ _
74 . 0
18 ) 2 / 4 (
)
3
4
(4)(
Factor Packing
2 4r/ cells, unit FCC for Since,
)
3
4
)( atoms/cell (4
Factor Packing
3
3
0
3
0
3

r
r
r
a
a
CALCULO DEL FACTOR DE
EMPAQUETAMIENTO DE LA CELDA FCC
DENSIDAD TERICA
) )(# _ _ (
) _ )( / (#
_
avogadro unitaria celda vol
atomica masa celda atomos
Densidad
La densidad terica del material se puede calcular
con las propiedades de su estructura cristalina.
CALCULO DE LA DENSIDAD TERICA
DEL HIERRO BCC
3
23 24
/ 882 . 7
) 10 02 . 6 )( 10 54 . 23 (
) 847 . 55 )( 2 (
number) s adro' cell)(Avog unit of (volume
iron) of mass )(atomic atoms/cell of (number
Density
cm g

El parmetro de red para el hierro BCC es 0.2866 nm.

La densidad medida es 7.870 g/cm
3
. La pequea
discrepancia entre las densidades obedece a los
defectos presentes en el material.
PUNTOS EN LA CELDA UNITARIA
Los ndices de Miller de las direcciones son la notacin
abreviada para describir esas direcciones. El procedimiento
para determinarlos es el siguiente:
Determinar las coordenadas de dos puntos que estn en la
direccin.
Restar las coordenadas del punto cola de las coordenadas
de las del punto cabeza.
Reducir a mnimos enteros.
Encerrar los nmeros entre corchetes [ ]. Si se produce un
signo negativo, se representa con una barra o raya sobre el
nmero.
DIRECCIONES EN LA CELDA
UNITARIA
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Determinar los ndices de Miller para las siguientes
direcciones:
SOLUCIN
Direccin A:
1. Dos puntos son 1,0,0 y 0,0,0.
2. 1,0,0 0,0,0 = 1,0,0.
3. No hay que reducir a mnimos enteros.
4. [100]

Direccin B:
1. Dos puntos son 1,1,1 y 0,0,0.
2. 1,1,1 0,0,0 = 1,1,1.
3. No hay que reducir a mnimos enteros.
4. [111]
Direccin C:
Dos puntos son 0,0,1 y , -1,0.
0,0,1 ,-1,1 = -,-1,1.
2(-,-1,1) = -1,-2,2.


2] 2 1 [ . 4
SOLUCIN
CARACTERISTICAS DE LOS INDICES
DE MILLER PARA DIRECCIONES
Una direccin y su negativa no son idnticas; [100]
no es igual que [100]; representan la misma lnea,
pero en direcciones opuestas.
Una direccin y su mltiplo son idnticos; [100] es
igual que [200].
Ciertos grupos de direcciones son equivalentes;
tienen sus ndices particulares por la forma en que se
definen las coordenadas. Por ejemplo, en un sistema
cbico, una direccin [100] es una direccin [010] si
redefinimos el sistema de coordenadas.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Los grupos de direcciones equivalentes se pueden
indicar o presentar como una familia. Se usan los
parntesis especiales < > para indicar este conjunto
de direcciones.
IMPORTANCIA DE LAS
DIRECCIONES CRISTALOGRFICAS
Las direcciones cristalogrficas de usan para indicar
determinada orientacin de un solo cristal o de una
material policristalino. En muchas aplicaciones, es
til describirlas.
Por ejemplo los metales se deforman con ms
facilidad en direcciones a lo largo de las cuales los
tomos estn en contacto ms estrecho; Es decir
en las direcciones compactas.
PLANOS EN LA CELDA UNITARIA
Para identificar los planos se usan ndices de Miller, como
notacin abreviada, como se observa en el presente
procedimiento:
1. Identificar los puntos en donde el plano cruza los ejes X, Y y Z
en funcin de los parmetros de red. Si el plano pasa por el
origen, hay que mover el origen del sistema de
coordenadas.
2. Sacar los recprocos de esas intersecciones.
3. Simplificar fracciones, pero no reducir a mnimos enteros.
4. Encerrar entre parntesis ( ) los nmeros que resulten. De
nuevo, los nmeros negativos se deben escribir con una raya
sobre ellos.
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Determinar los ndices de Miller para los siguientes
planos:
SOLUCIN
Plano A
1. x = 1, y = 1, z = 1
2.1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1
3. No hay fracciones que eliminar
4. (111)

Plano B
1. El plano nunca corta el eje z, por lo tanto x = 1,
y = 2, y z =
2.1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0
3. Eliminando fracciones:
1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0
4. (210)
Plano C
1. Se debe cambiar el origen, porque el plano pasa
por 0, 0, 0. Moviendolo un parmetro de red en
direccin y. Tenemos:
x = , y = -1, y z =

2. 1/x = 0, 1/y = 1, 1/z = 0

3. No hay fracciones que eliminar.

4.
) 0 1 0 (
SOLUCIN
CARACTERSTICAS DE LOS
NDICES DE MILLER PARA PLANOS
1. Los planos y sus negativos son idnticos, en consecuencia,

1. Los planos y sus mltiplos no son idnticos.
2. En cada celda unitaria, los planos de una familia
representan grupos de planos equivalentes que tienen sus
ndices particulares debido a la orientacin de las
coordenadas. Se representan estos grupos de planos
similares con la notacin de llaves { } .
3. En los sistemas cbicos, una direccin que tiene los mismos
ndices que un plano es perpendicular a ese plano.
) 0 2 0 ( ) 020 (
PLANOS DE LA FAMILIA {110} EN LOS
SISTEMAS CBICOS
SISTEMA HEXAGONAL

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
h = 1/3 (2h k)
k = 1/3 (2k h)
i = - 1/3 (h + k)
l = l


SISTEMA HEXAGONAL



Plane A
1. a
1
= a
2
= a
3
= , c = 1
2. 1/a
1
= 1/a
2
= 1/a
3
= 0, 1/c = 1
3. No fractions to clear
4. (0001)

Plane B
1. a
1
= 1, a
2
= 1, a
3
= -1/2, c = 1
2. 1/a
1
= 1, 1/a
2
= 1, 1/a
3
= -2, 1/c = 1
3. No fractions to clear
4.

Direction C
1. Two points are 0, 0, 1 and 1, 0, 0.
2. 0, 0, 1, -1, 0, 0 = 1, 0, 1
3. No fractions to clear or integers to reduce.
4.
) 1 2 11 (
113] 2 [ or ] 01 1 [


Direction D
1. Two points are 0, 1, 0 and 1, 0, 0.
2. 0, 1, 0, -1, 0, 0 = -1, 1, 0
3. No fractions to clear or integers to reduce.
4. 100] 1 [ or ] 10 1 [