Diodo Schottky

Integrantes:

-Fsica de Semiconductores

23/10/2014

DIODO SCHOTTKY-FSICA DE SEMICONDUCTORES

23 de
octubre de
2014

Contenido
1 Introduccin ...................................................................................................... 3
2 Desarrollo ......................................................................................................... 4
3 Conclusiones .................................................................................................... 9
4 Apndice ......................................................................................................... 10
5 Bibliografa ...................................................................................................... 11

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Introduccin

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, se llama as en honor del fsico

alemn Walter H. Schottky.
Fue un fsico alemn que invent la pantalla de la red de tubo de vaco en 1915 y
la vlvula termoinica tetrodo en 1919 mientras trabajaba
en Siemens. En 1938 Schottky formul una teora para
predecir el efecto Schottky, que ahora se utiliza en los
diodos Schottky.

Este diodo (tambin conocido como diodo de barrera

superficial, diodo metal-semiconductor y diodo de
portadores activos) consiste en una unin metal
semiconductor (figura 1) rectificadora en la que los
portadores mayoritarios transportan el flujo de corriente.
Figura 1)

Diodo Schottky

Cuando el diodo est polarizado directamente, los

portadores son inyectados en la cara de metal de la
unin, donde permanecen como portadores mayoritarios con una energa superior
a la energa Fermi en el metal; esto les da el nombre de portadores activos o
excitados.
El diodo Schottky puede entrar en estado de corte en un tiempo
extremadamente corto (del orden de nanosegundos). No existe carga almacenada
en los portadores minoritarios. Las caractersticas corriente-tensin en sentido
inverso de este dispositivo son muy similares a las de los diodos de unin pn
convencionales. La corriente inversa aumenta con la tensin inversa
gradualmente, hasta que se llega a la avalancha.
Normalmente este tipo de diodos consisten en un material semiconductor
de silicio o arseniuro de galio en el que se deposita oro, platino, paladio o plata
mediante tcnicas de evaporacin o implantacin inica superficial. Los diodos
Schottky.

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DESARROLLO
Principio de Funcionamiento

Para poder comprender cmo funciona el diodo Schotkky comenzaremos con

analizar qu es lo que pasa al unir el semiconductor tipo N con el metal.
En un principio tenemos:

Figura 2) Bandas de energa del metal y semiconductor (n)

respectivamente.

En la figura 2 podemos observar que la energa del semiconductor es mucho

mayor que la energa del metal. Por lo que al unirlos para formar el diodo al igual
que en un semiconductor P-N despus de cierto tiempo alcanzan su equilibrio
trmico quedando:

Los niveles de Fermi se igualan.

Pasan
electrones
del
semiconductor hacia el metal dejando
iones fijos positivos en el lado del
semiconductor.

Figura 3) Banda de energa del diodo Schotkky .

Se forma una zona de deplexin

sobre el semiconductor N de ancho
Xn junto con una barrera de
potencial (Barrera schotkky).

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POLARIZACION DIRECTA

Cuando se aplica una polarizacin directa

(V >0) la zona de deplexin en el cristal N
se estrecha
Si esta polarizacin es suficiente (0.2[V]0.25[V]) como para compensar la barrera
de potencial, se produce una corriente de
electrones desde el semiconductor N hacia
el metal.

POLARIZACION INVERSA
En este caso (V<0) la zona de deplexin creada
en el cristal semiconductor N se ensancha,
impidiendo de esta forma el paso de electrones
hacia el metal. Por el contrario, en el lado del
metal no existe zona de deplexin que se
ensanche con la polarizacin inversa.
Por lo que los electrones en el metal se sienten
atrados por la carga positiva y al no existir zona
de deplexin estos fluyen libremente del metal
hacia el cristal semiconductor N. Por lo que su
corriente de ruptura inversa es baja con respecto
a la de un semiconductor P-N.

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ECUACIN Y GRFICA
La estructura del diodo Schottky tiene una caracterstica rectificadora de i-v muy
similar a la de un diodo de unin PN. Aunque la fsica fundamental de este diodo
es diferente de la propia unin PN, la caracterstica de i-v del diodo Schottky se
expresa por medio de la misma ecuacin que se da para la unin PN . por ende, la
curva caracterstica bsica del diodo i-v de Schottky es :

Sin embargo, la tensin de este activo es considerablemente ms baja, por lo

general de 0.3 a 0.4 [V], que la de un diodo de silicio. Por tanto, puede preferirse el
diodo Schottky para algunas aplicaciones de potencia ----------. En el sentido
inverso , este diodo tiene una corriente inversa de dispersin mayor que la de un
diodo de Si. En la actualidad, no se puede confiar en una tensin de ruptura de un
diodo Schottky mayor que de 100 a 200 [V].

Para comprender cmo funciona el diodo Schotkky observemos cmo se

comporta su grafica con respecto a la de un semiconductor normal.

CURVA CARACTERISTICA

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Otra consideracin a tomar en cuenta antes de ver las aplicaciones es que

cuando el diodo es sometido a ciclos de cambio en su polarizacin, la velocidad
con la que el diodo es capaz de cambiar de estar conduciendo a estar cortado y
viceversa, va a limitar la frecuencia a la que puede ser sometido en un circuito de
aplicacin. Como se vio en este diodo la corriente es debida a portadores
mayoritarios en todo proceso de conduccion 1, por lo tanto habr flujo de los
mismos en el instante en que se aplique una polarizacin directa y cesara el flujo
en el momento en que cese dicha polarizacin. Los diodos Rectificadores tienen
un tiempo de recuperacin inversa de pocos s, mientras que en los diodos
Schotkky este tiempo baja hasta los pocos ns.

1 En la unin P-N convencional (Diodo Rectificador) el flujo de corriente es debido a dos tipos de portadores:
electrones en el cristal N y huecos en el cristal P. Esto quiere decir que, durante la conduccin se produce un proceso de
recombinacin de electrones y huecos en los cristales, proceso que contribuye a la corriente en el diodo. En el
momento en que cesa la polarizacin directa de la unin, existen en los cristales concentraciones excedentarias de
portadores mayoritarios, estas concentraciones no pueden variar instantneamente, por lo que, se inicia un proceso de
recombinacin de cargas da tal manera que devuelva a la unin a su estado de reposo (sin polarizacin) para pasar a
polarizacin inversa (si se da el caso). Todo el proceso de recombinacin de cargas en el cambio de polarizacin, conlleva
un tiempo que limita los ciclos de polarizacin, es decir, la frecuencia, a la que puede ser sometido el diodo Rectificador.

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2.1

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Aplicaciones

Quiz la aplicacin ms extendida del Diodo Schottky fue su utilizacin en

la familia digital TTL. EL diodo se utiliza uniendo el colector y la base trifsica del
transistor bipolar para incrementar la velocidad de operacin de dicho transistor en
su funcin de conmutacin dentro de un circuito lgico.

Se utiliza tambin como rectificador en aplicacin de potencia. Debido a que

la tensin directa de es te diodo es baja y la resistencia dinmica, tambin lo es, y
por lo tanto, las prdidas de potencia por estos conceptos se minimizan. Por
ejemplo en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesitan
grandes velocidades de conmutacin y poco gasto de energa.

Tambin es utilizado ampliamente en aplicaciones de radiofrecuencia

debido a su alta velocidad de trabajo. Un ejemplo de aplicacin en este campo lo
tenemos en su utilizacin como diodo detector en RF.

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CONCLUSIONES

-Es la unin de Metal-Semiconductor (tipo N)

Para el SI:

Para el GaAs:

Platino (Pt)
Titanio (Ti)
Oro (Au)

Platino (Pt)
Plata (Ag)
Oro (Au)

Tras haber comprendido el funcionamiento de es diodo observamos que:

-En este tipo de diodos la corriente es solo por portadores mayoritarios
(Electrones).

- Tiene ventajas y desventajas con respecto a uno normal.

Ventajas:

Baja tensin umbral directa

Velocidad de trabajo alta

Desventajas:

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Apndice

10

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Bibliografa

Jose Manuel Migulaez Garcia, ELECTRONICA BASICA PARA TMA-s, 1ra

edicin, 361 p.

Materiales elctricos, Juntura metal-semiconductor,

http://www.herrera.unt.edu.ar/me/material/apuntes/jms.pdf

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