Diodo de cuatro capas

El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas
semiconductoras npnp, cuya estructura y smbolo se describen en la figuras 12.2.a y 12.2.b.
Esencialmente es un dispositivo interruptor.
Al aplicar un tensin positiva entre nodo y ctodo se puede observar que la unin J1 y J3 est
polarizada en directa, y la unin J2 polarizada en inversa.
En estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y eldispositivo se
encuentra cortado.
Aumentando esta tensin positiva se llega a una tensin VBO de ruptura o avalancha donde
la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de la misma manera.
En este momento, el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a conduccin.

Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su

estructura fsica en dos mitades (figura 12.2.c).
La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el circuito mostrado
en la figura 12.3.d que normalmente es referido como candado.
Las caractersticas elctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la grfica de la
figura 12.3. En esta grfica, se pueden identificar dos zonas y cuatro regiones de operacin:

DIAC: Control de potencia en corriente alterna (AC)

El DIAC es
un diodo de
disparo bidireccional,
especialmente
diseado
para
disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dosterminales: MT1
y MT2. Ver el diagrama.
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas
opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que
est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una
pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin
dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente
en aplicaciones de control de potenciamediante control de fase. La curva caracterstica
del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando:

- +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto
- +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito
Sus principales caractersticas son:
- Tensin de disparo
- Corriente de disparo
- Tensin de simetra (ver grafico anterior)
- Tensin de recuperacin
- Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1
watt.)

SCR - Smbolo, estructura y funcionamiento bsico.

El SCR (Silicon
Controled
Rectifier
/
Rectificador
controlado
de
silicio)
dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como unconmutador casi ideal.

es

un

El smbolo y estructura del SCR se muestran en la

figura.
Analizando
los diagramas:
A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo

Funcionamiento bsico del SCR

El siguiente grfico muestra un circuito equivalente
del SCRpara comprender su funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 ycolector de Q1), se producen dos
corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1
(IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente
en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y......

Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

Los parmetros del SCR son:

-

VRDM: Mximo voljaje inverso de cebado (VG = 0)

VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
IF: Mxima corriente directa permitida.
PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

Nota: dv/dt, di/dt: Ver parmetros del SCR en SCR en corriente continua

Curva caracterstica del SCR

En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de conmutacin y la corriente de
compuerta. Cuando el SCR est polarizado en inversa se comporta como un diodo comn (ver la
corriente de fuga caracterstica que se muestra en el grfico).
En la regin de polarizacin en directo el SCR se comporta tambin como un diodo comn,
siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E.
Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de nodo a ctodo es
menor (VC).

Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. (ver el punto B y A, y el voltaje anodoctodo VB y VA).

Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje nodo-ctodo tender a
aumentar antes de que el SCRconduzca (se ponga en On / est activo)

Qu es un Triac?
El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la
familia de los dispositivos de control: los tiristores. El triac es en
esencia la conexin de dostiristores en paralelo pero conectados en
sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta. (ver imagen).
A1: Anodo 1, A2: Anodo 2, G: Compuerta
El triac slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor,
se dispara por la compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la
onda que ser positiva y otra negativa.

Funcionamiento del Triac

La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y cuando haya
habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de arriba
hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera:
La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y cuando haya
habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de abajo
hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia arriba)
Para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta
o compuerta).
Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y as, controlar
el tiempo que cadatiristor estar en conduccin. Recordar que un tiristor slo conduce cuando
ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay un voltaje positivo de un
valor mnimo para cada tiristor)
Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor est en conduccin, se puede controlar la
corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume.
Ejemplo:
Una
aplicacin
muy
comn
incandescentes (circuito de control de fase).

es

el

atenuador

luminoso

de lmparas

Donde:
Ven:
Voltaje
aplicado
al
circuito
(A.C.)
L:
lmpara
P: potencimetro
C: condensador
(capacitor)
R: Resistor
T: Triac
A2:
Anodo
2
del Triac
A3:
Anodo
3
del
Triac
- G: Gate, puerta o compuerta del Triac
El triac controla el paso de la corriente alterna a la
lmpara (carga), pasando continuamente entre los estados de conduccin (cuando la corriente
circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente no circula)
Si se vara el potencimetro, se vara el tiempo de carga de un capacitor causando que se
incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensin de alimentacin y la que se aplica a
la compuerta

Notas:
- La diferencia de fase o la fase entre dos seales u ondas se define como el ngulo (diferencia
de
tiempo)
que
existe
entre
los
dos
orgenes
de
las
mismas.
- En este documento se utiliza el termino tiristor como sinnimo de SCR.

Qu es un transistor UJT?
El transistor UJT (transistor de unijuntura Unijunction transistor) es un dispositivo con un
funcionamiento diferente al de otros transistores. Es
un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de
una sola unin PN
Muy importante: No es un FET
Fsicamente el transistor UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas
a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en
alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una
regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Ver los siguientes grficos
Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la
Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp =
0.7 + n x VB2B1

Donde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7
dependiendo del dispositivo y la temperatura.

Dos ejemplos sencillos con el transistor UJT

Ejemplo 1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1.
Cul es el voltaje de disparo aproximado?
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios
Ejemplo 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de
disparo aproximado?
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios.
Notas:
- Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y
B1
para
que
el
UJT
se
dispare
=
Ip.
- Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es de material
tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de igual
forma que el UJT pero con las polaridades de lastensiones al revs