Universidad

los
FACULTAD
DE de
INGENIERA
Y
talentos
ARQUITECTURA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENRA DE
SISTEMAS E INFORMTICA

FSICA ELECTRNICA
UNIN P - N

TEACHER

: CONDORI ZAMORA, Kelly

ESTUDIANTE
CARRERA PROFESIONAL
CICLO
ODE
FECHA

: CHUQUIMBALQUI MASLUCN, Nilo

: ING. DE SISTEMAS E INFORMTICA
: IV
: AYACUCHO
: 04-11-14

AYACUCHO
PER 2014

EXPLORACIN DE APLLETS
A continuacin se describen los applets observados:

1. DIODO DE UNIN PN POLARIZADO

Muestra la polarizacin virtual de un semiconductor unin P-N cuando
se aplica una diferencia de potencial externa, continua. La
polarizacin del diodo puede ser directa o inversa.

Mediante el uso de voltaje permitir los huecos de la regin P y los

electrones de la regin N sean empujados hacia la unin dando lugar
a la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de
transicin. Los portadores mayoritarios (huecos de la zona P y
electrones de la zona N) de ambas regiones tienden a separase de la
unin, empujados por el campo elctrico a que da lugar la
polarizacin, aumentando la anchura de la zona de transicin.

2. LA LEY DE SHOCKLEY
Muestra la polarizacin lineal de la concentracin de electrones
minoritarios tipo P y la concentracin de electrones tipo N. Utilizando

los botones para y pausa podemos visualizar lo que suceden dicha

polarizacin.
Mientras que las relaciones no lineales dan como resultado curvas
entre la concentracin de huecos y la concentracin de huecos
minoritarios.

A continuacin se muestra la unidad de corriente:

Descripcin cualitativa del flujo de corriente en una unin:

3. CONMUTACIN DEL DIODO

Se puede realizar la conmutacin de un diodo cambiando la tensin
aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se
dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una
positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin
(que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Este esquema se
sita en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar
entre tensiones haciendo clic con el ratn en la zona entre las dos
fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y
una flecha que seala la mencionada zona sensible.

Se puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el

botn del panel superior con el texto "Parmetros circuito". Al
presionar aparecer una ventana con tres campos editables donde se
pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin
directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin
(R). Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn
"Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que
tengan efecto los cambios. Debajo del circuito aparecen cuatro
grficas que varan en el tiempo y donde se representan los
parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del
diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el
circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la
carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la

aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin

que cae enbornas del diodo. Estas cuatro grficas se van actualizando
en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance
el tiempo. En la parte superior de la derecha del programa aparecen
las ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el
experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales para
la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los perfiles
de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo de bajo de cada una
de estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustituyendo cada
variable por el valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los
parmetros son constantes en el tiempo, pero otros se modifican
instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la
derecha de las grficas, se muestran los valores instantneos para
estas funciones temporales.

En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar

la apariencia de la zona de las funciones temporales y la simulacin
temporal del applet. Los cuatro botones de la izquierda permiten
ocultar o mostrar cada una de las grficas delas funciones. As se
podr ocultar alguna de ellas si no se est interesado en ella en
algn momento para centrarse en la evolucin y caractersticas de
otras. Los cuatro botones de la derecha permiten variar la velocidad
de simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la
simulacin y con los otros dos se puede detener y avanzar paso a

paso. El botn de siguiente paso slo estar activo cuando la

simulacin est pausada.

BIBLIOGRAFA
Qu son los diodos
Autor: Cesar Malo
https://www.youtube.com/watch?v=gfmTexqLexo
Fecha de visualizacin: 05-11-14
Semiconductores 03, Unin PN polarizada, Diodo polarizado en directa
Universidad a distancia, Ingeniera Mecnica en Lnea
Autor: Jorge Das Moreno
Fecha: 05-11-14
Departamento de Electrnica y Tecnologa de los Computadores
La Unin P-N Cmo funcionan los diodos?
https://www.youtube.com/watch?v=hsJGw_c-Nn4
Fecha: 05-11-14
Universidad de Granada
Departamento de Electrnica y Tecnologa de los Computadores
La Unin P-N Cmo funcionan los diodos?
https://www.youtube.com/watch?v=hsJGw_c-Nn4
Fecha: 06-11-14
Que es un applets
http://aprenderinternet.about.com/od/Glosario/g/Applet-En-Java.htm
Fecha: 06-11-14
Shockley
http://es.wikipedia.org/wiki/William_Bradford_Shockley
Fecha: 06-11-14

ANEXO
1. DIODO
El diodo es un semiconductor ms bsico, se usa fuertemente en la
industria, su funcionamiento est basado en la unin PN (positivo,
negativo). Es un elemento de circuito no lineal, muy simple, la
relacin entre el voltaje y la corriente elctrica no es una recta.
El diodo se utiliza para diferentes propsitos, ya que permite el flujo
de la corriente elctrica en una sola direccin, acta como una
vlvula y es el componente ideal para rectificar una corriente alterna
a corriente continua.
Su resistencia protege en el caso de sobrecarga de corriente y
protege a los semiconductores.
1.1. Representacin de un diodo

2. SEMICONDUCTOR
El semiconductor ms usado es el silicio; en un cristal de silicio cada
tomo est unido a sus vecinos con 4 electrones formando enlaces
covalentes. Cuando se incrementa la temperatura algunos electrones
pueden ganar energa trmica y escapan quedando libres para
conducir.
Los enlaces rotos pueden ser ocupados por otros electrones y al
estado roto lo llamamos hueco.
Hueco. Es un enlace roto a efectos de que un electrn gan energa,
los huecos se comportan con una carga y masa positiva. Los enlaces
rotos pueden ser ocupados por otros materiales.
3. SEMICONDUCTOR TIPO P Y SEMICONDUCTOR TIPO N
3.1. SEMICONDUCTOR TIPO P
Es un semiconductor extrnseco de Germanio o Silicio dopado
con impurezas de Fsforo o Arsnico que donan un electrn por
cada tomo, ya que son tomos pentavalentes.
El semiconductor de tipo N, en estado de reposo tiene muchos
electrones y unos cuantos huecos. Tiene una resistencia baja
porque sus impurezas son donadoras. Al polarizar (conectar dos
placas) en los extremos del semiconductor y se hace pasar una
corriente elctrica (flujo de electrones), los electrones libres son
atrados por la terminal positiva y los huecos que son minora se
van al terminal negativo ayudados por los electrones vecinos.
Figura 1.
-

e
e

Algunos electrones provenientes del cable ingresan al semiconductor

debido a que los huecos toman iones positivos, se comportan como
cargas positivas, estos atraen a los electrones y se combinan hasta
convertir el semiconductor como un cristal extrnseco puro, y se
comporta como aislante perfecto y por lo tanto su resistencia es enorme
al ser completados los huecos.
Figura 2.
-

Aislante
perfecto
-

3.2. SEMICONDUCTOR TIPO P

Es un semiconductor extrnseco de Germanio o Silicio, dopado
con impurezas de Boro, Aluminio o Galio que donan un hueco
por cada tomo debido a que son tomos trivalentes. El
semiconductor tiene muchos huecos que son dopados por la
placa negativa ayudado por los electrones vecinos. Cada
electrn proveniente del alambre entran fcilmente al cristal
recombinndose con cada uno de los huecos de las impurezas
trivalentes
que
dentro
del
material
(semiconductor)
experimentan una fuerza de atraccin con la placa positiva y
para poder continuar con el proceso se ayudan de los huecos.

Conduct
or
e

El conductor se polariza y se convierte en un conductor que facilita la

corriente elctrica.

CONCLUSIN
1. Un material Tipo N, tiene impurezas con electrones mayoritarios que
ejercen una corriente elctrica que se comportan como un aislante
perfecto, su resistencia es grande.
2. Un material Tipo P, tiene impurezas con huecos mayoritariamente
(impurezas aceptadoras) que al ejercer una corriente elctrica cada
hueco acepta un electrn proveniente del exterior y el material se
comporta como un conductor. Por lo tanto la resistencia es pequea.
3.3. UNIN P-N
La Unin P-N, es la unin de material Tipo P y N, es decir la
unin de un material conductor y un aislante. Un fabricante
puede construir un material que contenga la unin Tipo P y Tipo
N. Los dos materiales en un solo material, el cual estar limitado
por una lnea de unin.
Los electrones libres del material Tipo N se mueven en
diferentes direcciones, algunos traspasan la lnea de unin
llegando al material Tipo P y se ubican junto a la lnea de unin,
es decir, prximos a los huecos el material Tipo P y de los

electrones del material Tipo N que se encuentra junto a la lnea

de unin.
Figura 1.

Material
Tipo P
-

Lnea de
unin
-

Material
Tipo N
-

Los electrones del Tipo N que pasaron la lnea de unin y los

huecos del Tipo P, se unen al electrn ms prximo. Es decir, los
que se encuentran junto a la lnea de unin, los cuales forman
una zona de Deflexin y en ambos lados de los materiales, se
forman la zona de agotamiento o empobrecimiento.

Figura 2.
Material
Tipo P
-

Zona de
Deflexin
-

Zona de agotamiento o
empobrecimiento

Material
Tipo N

Lnea de
unin

Zona de agotamiento o
empobrecimiento

Los electrones del material Tipo N no podrn traspasar la lnea

de unin ya que se formar la zona de Deflexin que impide el
paso de los electrones del Tipo N al Tipo P. Pero algunos
electrones logran pasar, pero la zona de Deflexin se har cada
vez ms ancha que impedir el pase de los electrones del Tipo
N.
Cuando ambos materiales se encuentren en equilibrio, la zona
de Deflexin se convertir en una barrera para los electrones del
Tipo N.
Es ms visible la carencia de huecos del lado P cercanos a la
zona de Deflexin al formarse la zona de empobrecimiento, lo
mismo ocurre con los electrones libres del lado N.

Figura 3.
Material
Tipo P
-

Zona de
Deflexin
-

Zona de agotamiento o
empobrecimiento

Material
Tipo N

Lnea de
unin

+
Zona de agotamiento o
empobrecimiento

Lado P.
El electrn libre que ha pasado al lado P, se combina con el
hueco del tomo trivalente, deja de ser libre y se convierte en
un electrn de valencia, el cual queda cargado en forma
negativa, hay ms electrones en sus capas de valencia que
protones en su ncleo.
Lado N.
El tomo pentavalente pierde un electrn libre y atraviesa el
lado P quedando cargo positivamente debido a la cantidad de
protones del ncleo no ha cambiado. El tomo tiene un protn
ms en su ncleo, el cual queda positivamente.
Entre ambos materiales se forma la Potencial de Barrera con
signo positivo y negativo, lo que permiti la creacin de los
semiconductores.

Figura 4.
Material
Tipo P
-

Zona de
Deplexin
-

e
e

+
Zona de agotamiento o
empobrecimiento

Zona de agotamiento o
empobrecimiento

3.4. LEY DE SHOCKLEY

Material
Tipo N

Lnea de
unin

POTENCIAL DE
BARRERA
William Bradford Shockley (13 de
febrero de 1910 - 12 de agosto de
1989), fsico estadounidense. Junto
con John Bardeen y Walter Houser
Brattain, obtuvo el premio Nobel de
Fsica
en
1956
por
sus
investigaciones
sobre
semiconductores y el descubrimiento
del Transistor".

En 1955, Shockley abandon los

laboratorios Bell y regres a su ciudad natal, Palo Alto,

California, en las proximidades de la Universidad de Stanford,

para crear su propia empresa, Shockley Semiconductors
Laboratory, con el apoyo econmico de Arnold Beckman, de
Beckman Instruments. Contando con la influencia de su prestigio
y el respaldo econmico de Beckman Instruments trato de
convencer a varios de sus compaeros de trabajo de Bell que se
unieran a l en la nueva empresa; ninguno quiso. Por lo tanto
empez a rebuscar en las universidades a los ms destacados
estudiantes para formar con ellos la empresa. Pero, dado su
estilo empresarial, ocho de los investigadores abandonaron la
compaa en 1957 para formar la empresa Fairchild
Semiconductor. Entre ellos estaban Robert Noyce y Gordon
Moore que ms tarde crearan Intel.
A finales de los aos 1960, Shockley realiz unas controvertidas
declaraciones acerca de las diferencias intelectuales entre las
razas, defendiendo que las pruebas de inteligencia mostraban
un factor gentico en la capacidad intelectual revelando que los
afro-estadounidenses eran inferiores a los estadounidenses
caucsicos y que la mayor tasa de reproduccin entre los
primeros ejerca un efecto regresivo en la evolucin.
Entre sus publicaciones destaca "Electrones y huecos en el
semiconductor", obra publicada en 1950.
Ecuacin de Shockley
Modelo de Shockley del Diodo
El modelo matemtico ms empleado en el estudio del diodo es
el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que
permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora
de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de
corriente y la diferencia de potencial es:

Dnde
I
: Es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y
VD la diferencia de
tensin entre sus extremos.
IS : Es la corriente de saturacin (aproximadamente 10 12A)
q : Es la carga del electrn
T : Es la temperatura absoluta de la unin
K : Es la constante de Boltzmann

N : Es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de

fabricacin del
diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el
germanio) y del orden
de 2 (para el silicio).
El trmino VD = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la
temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300
K 27 C).
Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno
de los modelos ms sencillos), en ocasiones se emplean
modelos ms simples an, que modelizan las zonas de
funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados
modelos de continua o de Ram-seal.