OperacindelBJT

El Transistor Bipolar de Unin (BJT)

(Spanglish Version 2006)

EL TRANSISTOR BIPOLAR
DE UNIN (BJT) es un
dispositivo que amplifica la
intensidad de corriente.
Se caracteriza porque la
corriente de salida es
controlada por la corriente
de entrada y amplificada en
un factor llamado . De ah
que se dice que la corriente
de salida es una variable
que depende tanto de la
intensidad de corriente a la
entrada como de la del
transistor.

El comportamiento de un BJT puede analizarse a

travs de sus curvas caractersticas, de forma
similar a como se hace con el diodo de unin. El
fenmeno de la corriente en el transistor, en
configuracin BASE COMN es un fenmeno
que se puede representar de la siguiente forma:

NP
N
----- + + --------- + ------------- C
------ - - - ++ + - - - - --------- - ++++
----++++
B
VBE

VCB

+ - +
MILIAMPERMETROS

OperacindelBJT

EL TRANSISTOR BIPOLAR
DE UNIN (BJT) es un
dispositivo que amplifica la
intensidad de corriente.
Se caracteriza porque la
corriente de salida es
controlada por la corriente
de entrada y amplificada en
un factor llamado . De ah
que se dice que la corriente
de salida es una variable
que depende tanto de la
intensidad de corriente a la
entrada como de la del
transistor.

El comportamiento de un BJT puede analizarse a

travs de sus curvas caractersticas, de forma
similar a como se hace con el diodo de unin. El
fenmeno de la corriente en el transistor, en
configuracin BASE COMN es un fenmeno
que se puede representar de la siguiente forma:

N
P
- -------- +
- -------- + +
- -------- -------- ++
- -------- ++++++++

N
-- -- -- -- --- - -- -- -- -- -C
--+----+++

B
VBE

VCB

100

99

- +- +
MILIAMPERMETROS

OperacindelBJT

El BJT se comporta como un gran nodo en el cual se cumple la Ley de

Kirchhoff de corrientes:
Corriente entrante = Corriente saliente
Corriente de Emisor = Corriente de Base + Corriente de Colector.

IE = IB + IC
Sin embargo, la corriente de
colector est formada por dos
componentes: los portadores
mayoritarios y los minoritarios.
A la corriente minoritaria se le
denomina ICO por lo que:

IC = IC mayoritaria + ICO

N
P
- -------- ++
- -------- +
- -------- -------- ++
- -------- +
- -------- ++++++++

N
--------- --- -- -C
---- - - --- --------- -- -- --- +--+++

B
VBE

VCB

100

99

- +

- +

MILIAMPERMETROS

Configuraciones del BJT.

Todos los transistores BJT, NPN y PNP pueden polarizarse de
manera que quede una terminal comn en su circuito de
polarizacin; es decir, un elemento que forma parte tanto del lazo de
entrada como del lazo de salida. ste puede ser cualquiera de las
tres terminales del dispositivo. As entonces, se tienen tres
configuraciones:
BASE COMN.
E

EMISOR COMN.
C
B

B
E

C
B

COLECTOR COMN.
E
B

Tipo NPN

B
E

Tipo PNP

Configuracin Base Comn

La base es comn a la entrada (emisor base) y a la salida (colector base)

Robert Boylestad
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Caractersticas de Base comn.

Para describir un dispositivo de
3 terminales, se requiere de 2
conjuntos de caractersticas:
Uno para la entrada.
Otro para la salida

Corriente de entrada IE vs tensin de entrada VBE para varas tensiones de salida VCB.
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Output Caractersticas
Base comn.Amplifier
Characteristicsde
forsalida
a Common-Base

alid
de a
nte
S
rrie
Co

Entrada

Tensin de Salida
Corriente de salida IC vs tensin de salida VCB para varias corrientes de entrada IE.
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3 Regiones de Operacin
Activa
Amplificador.
Corte
Apagado. Hay tensin pero poca corriente.
Saturacin
Encendido. Baja tensin y corriente alta.

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Emisor

Uniones:

(P)

Colector (P)

Emisor-Base, directamente
B (N)

Colector-Base, inversamente

VEB

VBC

Cmo son las corrientes por los terminales

del transistor?
E (P)

IB

IE = IB + IC

IE

C (P)
B (N)

VCB
+
+ VEB - -

VEB

IC

VBC

Output Caractersticas
Base comn.Amplifier
Characteristicsde
forsalida
a Common-Base

alid
de a
nte
S
rrie
Co

mA
=0
do
an
Cu
E

I
Tensin de Salida
Corriente de salida IC vs tensin de salida VCB para varias corrientes de entrada IE.
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Cuando IE = 0mA
IC = ICBO = ICO 0mA
(no se nota en la fig. anterior por la
escala!)
Pero por tratarse de una corriente de saturacin
inversa no debe olvidarse que puede convertirse
en un factor importante al aumentar la
temperatura

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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e

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As, en la regin activa:

IC IE

[Formula 3.3]

En la regin de corte, tanto la unin base-emisor como

colector-base se encuentran polarizadas
inversamente.(regin donde IC es cero.)
En la regin de saturacin (aquella a
la izq. de VCB =0), tanto la unin baseemisor como colector-base se
encuentran polarizadas en directa.

Por otro lado, se puede ver que

variaciones de VCB no provocan grandes
cambios en la corriente de salida IE una
vez que se supera el umbral de la unin
base-emisor; por lo que se puede
aproximar tambin que:

VBE 0.7

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Alfa ()
Alfa () relaciona las corrientes en DC debidas a los portadores mayoritarios IC con IE :
C
dc I
IE

[Formula 3.5]

Idealmente = 1, pero en dispositivos reales est entre 0.9 y

0.998.
Tenamos que
IC = IC mayoritaria + ICBO
Sustituyendo alfa:

IC = IE + ICBO

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Alfa ()
Para condiciones de ac, donde el punto de operacin se desplaza sobre la curva
caracterstica:

ac

C
I
IE VCB constante

[Formula 3.6]

ac se denomina: factor de amplificacin de base comn de corto circuito.

Aunque su valor difiere ligeramente de dc generalmente son muy parecidas
y se les puede utilizar indistintamente en los clculos.

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Accin amplificadora del transistor

IE Ii

Vi 200mV

10mA
Ri
20

IC IE as que IL Ii = 10mA
VL = IL * R = (10mA)(5k) = 50V

Av

VL
50V

250
Vi 200mV

Vase que la accin de amplificacin se

produjo mediante la transferencia de una
corriente desde un circuito de baja
resistencia a uno de alta resistencia.

transferencia + resistor = transistor.

Accin amplificadora del transistor

La resistencia ac de entrada es muy pequea

(tpicamente entre 10 y 100 ohms) .
Por ejemplo 0.7V @ 8ma

Pero a la salida generalmente es

muy alta (tpicamente entre 50 kilo
y 1 mega ohm) .
Por ejemplo 10V @ 2ma

Configuracin Emisor-comn.

Salida
Entrada

El emisor es comn tanto a la entrada (base-emisor) como a la salida (colector-emisor).

La entrada est en la base y la salida en el colector.
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Aunque cambia la configuracin, las siguientes relaciones siguen siendo aplicables:

IC = IE + ICBO

IE = IB + IC

Caracterstica del colector = caracterstica de salida.

Caracterstica de la base = Caracterstica de entrada.
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Ntese que las grficas de IB no son tan horizontales como las de IE base-comn; por ello
la tensin colector-emisor tendr influencia sobre la magnitud de la corriente del colector.

En la regin activa de un
amplificador emisor comn, la
unin base-emisor se
encuentra polarizada en
directa, mientras que la de
colector-base en inversa.
Vase tambin que la regin
de corte no est bien definida,
ya que IC no es cero cuando
IB=0

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11

La razn de lo anterior es:

Cosiderando el caso en que IB=0, y un
valor tpico de =0.996:

IC = IE + ICBO

IC

IC = (IC + IB)+ ICBO

IC = IC + IB+ ICBO

IC 250ICBO

IC = IC + IB+ ICBO

Como referencia general, la corriente de

colector cuando IB=0, ser:

IC - IC= IB+ ICBO

IC (1- )= IB+ ICBO

IC

IB
1

ICBO
(0 A)

1
1 0.996

corrriente de corte ICEO

I CBO

ICBO
1

IB 0

Beta ()

En DC :

dc IC
IB

En CA:

ac

[Formula 3.10]

IC
IB VCE constante

[Formula 3.11]

indica el factor de amplificacin del transistor de CD en emisor comn, y en las hojas de

datos se le refiere como hfe
Modelo Hbrido

Ntese que

cd hFE

maysculas

ca h fe

minsculas

12

Determinando beta () de la curva

AC (3.2mA 2.2mA) 1mA (paraVCE 7.5) 100
(30A 20A) 10A

Note: AC = DC

DC

2.7mA
25 A

(paraV CE 7.5) 108

Characteristics in which ac is the same everywhere and ac = dc.

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13

Relationship between and

Both indicate an amplification factor.

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[Formula 3.12a]

[Formula 3.12b]

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provides a Relationship between Currents

IC IB

IE ( 1)IB

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[Formula 3.14]

[Formula 3.15]

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14

Common Collector

The input on the Base and the output is on the Emitter.

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Characteristics of Common Collector

The Characteristics are similar to those of the Common-Emitter.
Except the vertical axis is IE.

IE

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15

FIGURE 3-21 Common-collector configuration used for impedance-matching purposes.

Alta impedancia de entrada y baja

impedancia de salida (contrario a basecomn y emisor-comn
Pobre

Deseable

Sobreacoplado

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Limitations of Operation for Each Configuration

Note:

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VCE is at maximum and IC is at minimum (ICmax=ICEO) in the cutoff region.

IC is at maximum and VCE is at minimum (VCE max = VCEsat = VCEO) in the
saturation region.
The transistor operates in the active region between saturation and cutoff.
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Power of Dissipation
Common Base:

PCmax VCBIC

[Formula 3.18]

Common Emitter:

PCmax VCEIC

[Formula 3.16]

Common Collector:

PCmax VCEIE

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Transistor Specification Sheet

Valores nominales (mximos

Pequeaseal
(amplificador)

Caractersticas elctricas

Encendido

Apagado

Caractersticas trmicas

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Transistor Testing
1. Curve Tracer
Provides a graph of the characteristic curves.
2. DMM
Some DMMs will measure DC or HFE.
3. Ohmmeter

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Transistor Terminal Identification

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