12 - El Transistor Bipolar

El transistor bipolar
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Revisin de las zonas de trabajo y la recta de carga.

Lun 11.08.2014
Creado por: V. Garca.
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Idioma
Spanish English French German Italian Portuguese
Tema:
INTRODUCCIN
A mediados del siglo pasado, los semiconductores fueron abrindose camino en la
rama tecnolgica de la electrnica, al descubrir las posibilidades que ofreca un material
cristalino, una materia abundante en nuestro planeta. Partieron de una unin de dos
piezas de Germanio, una con iones positivos y otra con iones negativos, y crearon el
diodo de cristal de Germanio, luego vieron que el silicio ofreca mejores condiciones y
pronto se normaliz su uso.
Creo que debera empezar un poco antes y decir que, los semiconductores son
materiales de la naturaleza cuya conductividad vara con la temperatura, pudiendo
comportarse como conductores o como aislantes. Realmente se requieren variaciones
de la conductividad pero controlables elctricamente a voluntad, por el hombre.
De acuerdo con la moderna teora de la materia, los tomos, estn constituidos por
un ncleo cargado positivamente, alrededor del cual giran en distintas orbitas, cargas
elctricas negativas llamadas electrones, aunque indivisibles e idnticas para toda la
materia.
Ciertos materiales, principalmente los metales, tienen un gran nmero de electrones
libres, en la orbita exterior que, estn movindose en todos los sentidos a travs del
material, dicho movimiento se neutraliza as mismo, si no hay una causa externa,
como es el aporte de electrones, que los dirija en un sentido. Estos materiales tienen la
facilidad de transmitir cargas de electrones (cargas elctricas) de un objeto a otro,
estos son los antes mencionados conductores.
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En la naturaleza existen otros semiconductores. El Germanio (Ge), fue el primer

material semiconductor utilizado, actualmente el material semiconductor ms utilizado
es el Silicio (Si). El silicio est presente de manera natural en la arena por lo que se
encuentra con abundancia en la naturaleza.
Los cristales de Silicio estn formados a nivel atmico por una malla cristalina basada
en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de valencia del
tomo de Silicio, cabe mencionar que adems de los electrones existe otro concepto
que es el hueco. Hueco, como su nombre indica, es el lugar que deja un electrn
cuando abandona su capa de valencia y se convierte en un electrn libre, esto es lo
que se conoce como pares electrn - hueco.
La generacin de pares electrn - hueco se debe, de modo natural a la temperatura
ambiente (20-25 grados C, algunas de las fuertes uniones entre los tomos se
rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello,
algunos de los electrones pasan a ser libres) o mediante la intervencin de la mano del
hombre. En un semiconductor puro (intrnseco) se cumple que, a temperatura
constante, el nmero de huecos es igual al de electrones libres.
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SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
Se llaman semiconductores extrnsecos a aquellos semiconductores puros a los que
se les han introducido impurezas en pequesimas cantidades, con el propsito de
aumentar su conductividad. Dichas impurezas suelen ser elementos pertenecientes a
los grupos tercero o quinto de la tabla peridica.
Se introducen impurezas en el semiconductor (tomos de otros elementos), en
estado de fusin y se mezclan con el silicio, para que sean sustituidos por tomos de
impureza durante el proceso de cristalizacin. Este efecto se denomina dopado y
segn el grupo tercero o quinto el semiconductor se denomina de tipo P o N.
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El tipo P est con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el
nmero de huecos supera el nmero de electrones libres, los huecos son los
portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.
El tipo N es el que est con impurezas "Donadoras", que son impurezas
pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo N,
reciben el nombre de "Portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les
denomina "Portadores minoritarios".
UNIN DIODO
Al unir por fusin dos elementos tipo N y tipo P, en dicha unin se crea una barrera de
potencial o zona de empobrecimiento en la que los tomos con exceso de electrones
por un lado (semiconductor N) y los que tienen exceso de huecos por otro lado
(semiconductor P) se ceden electrones hasta alcanzar un estado de equilibrio con 8
electrones en su ltima rbita. Al mismo tiempo, se crean dos zonas de iones en esa
misma unin. Por un lado se crean iones positivos (nodo), en la zona del
semiconductor tipo N, y del otro lado se crean iones negativos (ctodo), en la zona del
semiconductor tipo P.
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Por lo tanto, se crea una zona de potencial de 0,3 V en semiconductores de germanio

y de 0,7 V en el caso de semiconductores de silicio (este tipo de semiconductor ms
usado habitualmente). Esta unin PN acta bsicamente como una barrera para los
electrones que circulan en sentido inverso.
POLARIZACIN DIRECTA.
Los electrones libres de las zonas N y P se recombinan quedando todos ellos con 8
electrones en su rbita exterior, crendose una barrera de potencial que en principio no
permite el establecimiento de una corriente elctrica entre sus terminales, puesto que
la zona de empobrecimiento de alguna forma, no es conductora.
No obstante, si aplicamos una tensin positiva en el nodo, generar un campo
elctrico que "inyectar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de
la zona de empobrecimiento (algunos autores lo llaman zona de agotamiento).
Mientras exista sta barrera (zona de empobrecimiento), no ser posible la
conduccin, de modo que cuando la tensin aplicada supera la de barrera, el
dispositivo conduce.
Cuando se polariza el diodo correctamente, el polo negativo de la batera en la zona N
y positivo en la zona P, ste conducir manteniendo la cada de tensin que hemos
hablado de 0,3 V o 0,7
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Que ocurre, que la batera cede electrones a la zona N, que est saturada, he irn a
llenar los huecos de los iones positivos de la zona N de su unin y a su vez de los
tomos de la zona P, tras lo cual volvern a la batera, cerrando el circuito.
POLARIZACIN INVERSA.
En caso, de conectar la batera a la inversa, es decir, el polo positivo de la batera en
la zona N y el polo negativo en la zona P, la polarizacin de la unin es la inversa y los
electrones que cede la batera trataran de atravesar la zona de unin PN pasando a
travs de la zona P, lo que ocurre es que los iones negativos de la zona P en la unin,
tienen su ltima rbita completa y repelen a estos electrones, impidiendo el paso. Por
ese motivo, los diodos slo conducen en un sentido.
El siguiente es el smbolo del diodo y debajo una foto de un diodo de silicio.
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Simbolo
Este es a grandes rasgos el diodo semiconductor, su funcionamiento debe tratarse

con cierta profundidad, aunque aqu no es el sitio.
EL TRANSISTOR.
Un dispositivo que no se calienta y por lo tanto se le supone una vida mas larga que
las lmparas incandescentes que se venan utilizando de no muchos aos atrs,
adems de un considerable ahorro econmico. Se pens en igualar las funciones de las
lmparas que podan amplificar una corriente o una seal. De esta idea pronto se logr
(1951) un dispositivo que era capaz de amplificar una corriente y sus creadores le
llamaron TRANSISTOR que es la contraccin en ingls de (transfer resistor) resistencia
de transferencia. La nueva tecnologa inici una autntica revolucin en la electrnica
que cada da sigue superando cualquier previsin inicial.
Un transistor es un dispositivo electrnico que normalmente se presenta con 3
patillas, Colector, Base y Emisor, las cuales debemos saber diferenciar. En las hojas de
datos del fabricante se puede ver como determinarlas. Segn su construccin, hay dos
tipos de transistor denominados de polaridad NPN y PNP. La corriente que circula de
colector a emisor se controla mediante una dbil corriente de control en la base.
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VAMOS A VER COMO FUNCIONA.

Comparado en un sistema hidrulico, en principio, el comportamiento de un
transistor, es similar a un grifo. De manera que, hay una parte donde la toma general
tiene agua a presin (Tensin, similar al Colector), una parte es el mando (similar a la
Base) para abrir/cerrar y una parte como es la boca o salida del grifo (similar al
Emisor).
En estas condiciones:
Si
Si
Si
Si
no giramos el mando, no habr salida de agua.

giramos muy poco el mando (con poco esfuerzo = poca corriente de base), saldr un hilo de agua.
giramos hasta un cuarto del recorrido, el caudal de salida ser considerablemente aumentado.
giramos al mximo el mando, el caudal desbordar lo previsto.
Para que funcione un transistor, debemos conectar sus tres terminales o patillas. El
caso es que hay tres formas caractersticas de conectar o en un lenguaje ms tcnico
"polarizar" un transistor.
POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR
El correcto funcionamiento del transistor, se logra mediante las adecuadas tensiones
de polarizacin. La polarizacin de un transistor en ausencia de seal de entrada, ver
figura, consiste en aplicar las tensiones calculadas a las uniones respectivas VBE
(Emisor-Base) y VBC (Colector-Base) que permitan situar al transistor en la regin de
funcionamiento.
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Punto de trabajo
En general, podemos decir que la unin Emisor-Base se polariza directamente y la

unin Colector-Base inversamente. Un transistor se puede conectar en 3 modos que se
conocen por, Emisor-comn, Base-comn y Colector-comn. Cada uno de estos
modos ofrece unas caractersticas concretas que no abordaremos aqu. En la figura
que sigue, se muestran los circuitos de polarizacin ms tpicos, basados en
resistencias y fuentes de alimentacin.
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Polarizaciones del transistor.
CURVAS CARACTERSTICAS CON EMISOR COMN.

Se pueden representar en una grfica, las corrientes de Base IB sobre unos ejes de
coordenadas, el eje de abscisas X representa las tensiones Colector-Emisor y el eje de
ordenadas Y la corriente de colector Ic. En dicha grfica se representan varias zonas
claramente diferenciadas:
Zona de corte (rea roja en la imagen), donde no se alcanza una tensin Base-Emisor suficiente y el transistor se
comporta como un circuito abierto
Zona de saturacin (rea verde en la imagen), en la que la tensin Colector-Emisor es cero y la corriente de
Colector es mxima, aqu el transistor se comporta como un cortocircuito.
Zona lineal o de carga que se utiliza controlando la intensidad de Base cuando, necesitamos amplificadores y
dems circuitos lineales.
Las funciones que puede hacer un transistor son infinitas, puede amplificar corriente,
amplificar una seal, invertir una seal, oscilar para generar una frecuencia, para crear
puertas lgicas y otras muchas funciones.
Las caractersticas del transistor en la configuracin de emisor comn que, es la ms
utilizada en la prctica. Estas curvas caractersticas representan en coordenadas
cartesianas, las variables (tensiones o corrientes) de un transistor bipolar. La siguiente
figura, es una muestra de las curvas de salida en emisor comn, del transistor NPN
BC547, representan las variables IC, VCE e IB.
La magnitud de IB se indica en microamperios, IC en los miliamperios.
La corriente de colector (IC), se muestra en el eje Y, la tensin colector-emisor (VCE)

en el eje X, y se dibuja una curva para cada uno de los valores que se consideren
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necesarios de la corriente de base (IB), por ejemplo en la figura se toma el intervalo de

50 a 400 A.
Por medio de estas curvas, las tensiones y corrientes del mismo (es decir, una vez
polarizado), es posible determinar el punto de trabajo del transistor, evitando hacerlo
trabajar en la zona prohibida, ya que el transistor no ser capaz de disipar el calor
que genera y se destruir.
Representacin de la recta de carga esttica en un circuito de polarizacin fija, sobre las caractersticas de salida en
emisor comn.
Segn la aplicacin y del punto de polarizacin depender el circuito a elegir,

amplificacin, conmutacin, oscilacin, etc.
EL TRANSISTOR BIPOLAR EN AMPLIFICACIN.

Conectado un transistor en modo Emisor comn acta como amplificador, dejando
pasar ms o menos corriente. Tendremos un comportamiento similar al descrito en el
caso hidrulico. En el transistor, si no aplicamos corriente a su Base, la corriente de
Colector-Emisor, ser 0 y la tensin ser igual a la tensin de Vcc (batera). De modo
que, aplicando una pequea corriente en la Base del transistor, obtendremos una
pequea corriente de paso desde Colector a Emisor.
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En el esquema vemos un transistor genrico NPN al que se ha conectado una batera

de 10 Voltios, entre Colector y Emisor a travs de una resistencia R1 de 1K, adems,
mediante R2 resistencia de 400K se une el positivo de la batera al terminal Base.
Tambin hemos intercalado 4 ampermetros como se aprecia, uno entre la Base y R2,
otro ampermetro entre R1 y Colector, un tercero entre Emisor y masa y el cuarto en
serie con la batera.
Ahora, activamos simular, pero en el esquema debemos insertar la GND para hacer la
simulacin, observemos que ocurre.
Vemos que por la base circula una corriente de 23,26 micro amperes, lo que activa al
transistor que debido al factor beta que, amplifica esta corriente (de Base), ahora por
el Colector circulan los 23,26 micro amperes multiplicado por el factor (beta). Por lo
tanto, si aumenta, aumenta la corriente IC, y en consecuencia la IE.
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Observamos que la corriente que pasa por el Colector Ic es igual a la intensidad de

Base Ib por el factor (beta) que se representa por hFE. El factor beta, viene
determinado por el fabricante y en transistores genricos puede estar alrededor de
300. Pero, cuanto vale la beta de este transistor?, suponiendo que es un BC547A.
Vamos a calcular este factor en nuestro esquema.
Como se puede ver en la simulacin:
EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIN.

Las zonas de Saturacin y Corte son la base de la conmutacin y se utilizan mucho en
la electrnica digital. Veamos como llevar el transistor a los estados de Saturacin y
Corte.
Cuando la corriente de Base es muy elevada, la corriente de Colector no depende del
factor beta del transistor, el transistor esta trabajando en una zona de la curva que se
le llama Saturacin, en ese caso la corriente de colector estar limitada por la
resistencia R1. Si modificamos R2 resistencia de Base en la figura anterior, por ejemplo
a 10K, la corriente en Base es de 926,63 micro amperes, si aplicamos la formula F1,
obtendremos una corriente de colector aproximada de 28 Amperes, esto a todas luces
es imposible puesto que actuara R1, incluso cambiando R1 a 200 y sin contemplar el
transistor, la corriente mxima quedara limitada a 550 mA. Esto es lo que se llama
SATURACIN del transistor, en saturacin la tensin Vce= 0 Voltios.
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El transistor se considera saturado cuando la corriente de Colector Ic es

aproximadamente igual a Vcc/Rc independientemente del valor que tenga (beta). Por
lo tanto en saturacin Ic x Ib.
En cambio, cuando la corriente de base es nula o casi nula, el transistor no conducir,
es como si estuviera abierto, se dice que el transistor est en CORTE. Un transistor
esta en corte, cuando Ic = 0, Ib = 0 e Ie = 0. Digamos que, si el valor de R2 lo
sustituimos por una resistencia de 10M por ejemplo, la corriente de Base = 930nA, la
corriente de Colector = 237uA y la corriente de Emisor = 238uA, son unos valores
mnimos que son despreciables lo que lleva al transistor al corte o circuito abierto.
La polarizacin de base es muy til en los circuitos digitales, la razn es que, por lo
general, estos circuitos se disean para funcionar en las regiones de saturacin y
corte. Por este motivo, se obtendr a la salida una tensin prxima a la tensin de
alimentacin (valor alto de tensin) 1 lgico y tambin prxima a cero (valor bajo de
tensin) 0 lgico. Si representamos los puntos correspondientes al corte y a la
saturacin sobre las caractersticas de salida y los unimos obtenemos la recta de
carga.
Dicho de otra manera, no se emplea ningn punto de la recta de carga que no est
situado en la regin de saturacin o corte, por lo que la estabilidad de dicho punto
pasa a un segundo plano. En la figura se muestra un esquema de polarizacin de base
al cual se le aplica una tensin Vi que puede tomar valores muy altos, prximos a VCC,
o bien prximos a cero.
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De manera que, si en dicho circuito hacemos que Vi = 0, la tensin entre emisor-base

no ser suficiente para que haya una corriente de base apreciable, considerndose que
IB = 0, IC = 0 y por lo tanto, la cada de tensin en la resistencia de colector ser nula,
y toda la tensin de alimentacin, Vcc = Vo.
Esta situacin se corresponde con el punto de trabajo Q1 mostrado en la figura
anterior. Por el contrario, si Vi = VCC, la corriente de base ser muy elevada y debe
calcularse en funcin de las caractersticas de la carga que queremos controlar, al igual
que IC, llevando el transistor a la zona de saturacin, posicin representada por Q2.
Cuando queremos utilizar un transistor, nos asaltan las dudas, qu transistor
elegimos entre los miles que hay?, Qu resistencia hay que colocar entre la base y la
resistencia de salida del transistor?, estas son las ms importantes, aunque podemos
listar muchas ms. Las respuestas requieren mas datos, naturalmente, para que lo
vamos a usar, amplificador, interruptor, oscilador...
A la hora de elegir un transistor hay cuatro parmetros que hay que tener en cuenta:
LA INTENSIDAD DE CARGA, naturalmente dicho valor ha de ser inferior a la IC intensidad d
TENSIN DE CARGA, esta tensin de funcionamiento de carga, ha de ser menor que la tensi
colector-emisor VCE.
TIPO DE CARGA, se debe tener en cuenta si la carga es resistiva o inductiva, en este cas
disponer un diodo en paralelo a la carga, para evitar las sobretensiones inversas de la
INTENSIDAD MXIMA A ENTREGAR A LA BASE, este dato es necesario para seleccionar la ganan
calcular la resistencia de base, la mayora de transistores tienen una
del fabricante suele servirnos para conocer este dato.
suficiente, en
Vayamos a un ejemplo que nos sirvan para aclarar las ideas. Queremos controlar el
encendido de una lmpara con un transistor, el problema principal es que la lmpara es
de 220V y claro el transistor no soporta estas condiciones. La idea es usar un rel que
controlamos con el transistor y ya tenemos una solucin posible.
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Disponemos de una salida de un Arduino capaz de suministrar 25 mA mx. a 5V. El

bobinado del rel necesita 80 mA a 6 Voltios. Viendo estos datos acudimos a las hojas
de datos y entre los transistores NPN ms comunes, tenemos:
TIPO
Ic mx.
Vceo
BC459C
BC337
100 mA
800 mA
30V
45V
260/900
100/630
BD139
1'5 A
80V
40/250
BD135
1'5 A
45V
40/250
Estos transistores son de los ms comunes y todos cubren con los parmetros
exigidos. En el caso del BC459C es suficiente. Calculemos la resistencia de base:
IB = IC/ = 0,8/260 =0,3mA
(5-0,7)
RB = -------- = 2328 =2400 = 2K4
0.0003
EL TRANSISTOR DRLINGTON
Este transistor es un circuito interno compuesto por dos transistores con una alta
ganancia de corriente, que suele encontrarse normalizado en el mercado, no obstante,
usted puede construir uno, simplemente, conectando ambos en cascada, como se
puede ver en la figura que sigue:
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La ecuacin de ganancia en un transistor BJT tpico es: IE= x IB. La corriente de

colector es igual a beta por la corriente de base.
Analizando la anterior figura:
- Ecuacin del primer transistor es: IE1 = 1 x IB1 (1)
- Ecuacin del segundo transistor es: IE2 = 2 x IB2 (2)
Por lo tanto, la corriente de emisor del transistor Q1 es la misma que la corriente de

base del transistor Q2. Entonces IE1 = IB2 (3)
De modo que, utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene: IE2 = 2 x IB2
= 2 x IE1
Y reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1) ) se obtiene
la ecuacin final de ganancia del transistor Darlington.
IE2 = 2 x 1 x IB1
Se puede deducir que, si cada transistor tiene una de 100, al conectarlos en
darlington y aplicando la ecuacin anterior, se obtiene una ganancia terica de 10000.
Por ese motivo se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar
cargas grandes con corrientes muy pequeas.
Este tutorial lo he realizado con un lenguaje sencillo para dar respuesta a una
consulta que me hizo en su da mi hijo, cuando an no saba como funcionaba un
transistor. As que, aqu est para l y para quienes tengan esa misma pregunta.
Espero haber logrado poner un poco de luz a todos ellos.
Referencias.
http://www.ecured.cu/index.php/Uni%C3%B3n_P-N
http://html.rincondelvago.com/materiales-conductores-y-aislantes.html
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http://www.gayatlacomulco.com/tutorials/quimica/t45.html
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_1.htm
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Principios-Basicos-Materiales-Semi
http://www.ecured.cu/index.php/Uni%C3%B3n_P-N
http://www.gayatlacomulco.com/tutorials/quimica/t45.html#261,12,PROPIEDADES T
Esto es todo por lo que se refiere al funcionamiento del transistor NPN, las formulas y
el funcionamiento del transistor PNP a grandes rasgos, es prcticamente igual solo que
cambian los signos.
Esto es todo, por este simple tutorial. Si tiene inters en leer ms sobre Arduino,
revele esta seccin. (Mostrar/Ocultar)
Creada el: 06-06-2014

Actualizada el: 29/06/2014
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12 - El Transistor Bipolar

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En la naturaleza existen otros semiconductores. El Germanio (Ge), fue el primer

Por lo tanto, se crea una zona de potencial de 0,3 V en semiconductores de germanio

El siguiente es el smbolo del diodo y debajo una foto de un diodo de silicio.

Este es a grandes rasgos el diodo semiconductor, su funcionamiento debe tratarse

VAMOS A VER COMO FUNCIONA.

no giramos el mando, no habr salida de agua.

En general, podemos decir que la unin Emisor-Base se polariza directamente y la

Polarizaciones del transistor.

CURVAS CARACTERSTICAS CON EMISOR COMN.

La magnitud de IB se indica en microamperios, IC en los miliamperios.

La corriente de colector (IC), se muestra en el eje Y, la tensin colector-emisor (VCE)

necesarios de la corriente de base (IB), por ejemplo en la figura se toma el intervalo de

Segn la aplicacin y del punto de polarizacin depender el circuito a elegir,

EL TRANSISTOR BIPOLAR EN AMPLIFICACIN.

En el esquema vemos un transistor genrico NPN al que se ha conectado una batera

Observamos que la corriente que pasa por el Colector Ic es igual a la intensidad de

Como se puede ver en la simulacin:

EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIN.

El transistor se considera saturado cuando la corriente de Colector Ic es

De manera que, si en dicho circuito hacemos que Vi = 0, la tensin entre emisor-base

Disponemos de una salida de un Arduino capaz de suministrar 25 mA mx. a 5V. El

La ecuacin de ganancia en un transistor BJT tpico es: IE= x IB. La corriente de

Por lo tanto, la corriente de emisor del transistor Q1 es la misma que la corriente de

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