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T.P.

Electronique applique aux tlcoms

Amplificateurs transistors 1

Amplificateurs transistors 1
Lobjectif principal de ce TP en deux parties est de concevoir des amplificateurs HF
transistors laide dADS. Dans cette premire partie nous allons aborder la polarisation, le
fonctionnement petits signaux, les distorsions et les modles de simulation utiliss par le
logiciel.

1. Analyse en courant continu : polarisation du transistor bipolaire


Pour pouvoir fonctionner en amplificateur linaire, le transistor doit tre polaris. Pour
cela, on slectionne un point de fonctionnement qui correspond un groupe de 4
valeurs pour IB0, VBE0, VCE0 et IC0.
1.1.

Trac des caractristiques IC = f(VCE) et IC = f(IB) :

Crer un nouveau projet ADS


Dans une fentre de schematic insrer le template BJT_Curve_Tracer (Menu
Insert/Template)
Placer le transistor pb_sms_BFP420_19960901. IBB devra varier entre 100uA et
260uA par pas de 20uA. Lancer la simulation. A quoi correspondent les courbes
obtenues ?

1.2.

Trac de la caractristique IC = f(IBB) :


Enregistrer le schma prcdent sous un autre nom et modifier le circuit de la
manire suivante :

Figure 1

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Lancer la simulation et tracer la courbe IC = f(IBB). A laide de deux marqueurs et


dune quation, dterminer la pente de la droite. A quoi correspond cette pente ?
Comparer la valeur de hfe donne dans le datasheet constructeur
(http://www.infineon.com/cms/en/product/findProductTypeByName.html?q=bfp4
20).

1.3.

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Circuits de polarisation et stabilit en temprature :


Le circuit de polarisation choisi est conforme au schma suivant :

Figure 2

On souhaite calculer laide dADS les valeurs de R1 et R2. Le point de repos


choisi est le suivant :
IC0
VCE0

15mA
2,5V

La mthode est la suivante :


A partir du schma de la Figure 1, et aprs avoir lanc la simulation, afficher
sous forme de tableau dans la fentre des rsultats de simulation (fichier .dds),
IBB, IC.i et VB. Quelle est la valeur de IBB qui permet dobtenir
IC0 15mA ?

Entrer les quations suivantes dans la feuille de rsultats :


o R2 = (5 VB)/IBB
o R1 = 2.5/IC.i

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Afficher dans un tableau R1 et R2. Encadrer la ligne qui correspond


IBB=220uA : elle correspond aux valeurs recherches.

Crer un nouveau schma conforme celui de la Figure 2 dans lequel vous aurez
donn R1 et R2 les valeurs dtermines prcdemment. Lancer une simulation et
afficher les valeurs du point de repos sur le schma (Menu
Simulate/Annotate DC solution). Vrifier que les valeurs sont
correctes.

Etude de la stabilit du point de repos en fonction de la temprature :


o Modifier linstrument DC de la manire suivante :

o Lancer la simulation et afficher VC = f(temp). Placer deux marqueurs sur


la courbe, lun 20, lautre 80 et laide dune quation calculer la
pente de la courbe. Conclusion ?

Dans le but de diminuer linfluence de la temprature sur le point de polarisation,


on adopte le schma suivant :

Figure 3

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o Calculer la nouvelle valeur de R2 par la mthode explique prcdemment,


refaire une simulation en temprature et constater lamlioration
quapporte ce montage.

2. Analyse temporelle

Enregistrer le schma prcdent sous un autre nom et le modifier de la manire


suivante :

Figure 4

Lancer la simulation et afficher en corrlation VIN, VIN_DC, VOUT et


VOUT_DC. Quel est le gain en tension de ce montage (utiliser une quation) ?
Quel est le dphasage entre le signal VOUT et le signal VIN ? Quelle est lutilit
des composants DC_Block ?

3. Comportement frquentiel

Afficher le spectre de VOUT en dBm dans un graphe (dBm(fs(VOUT))).


Constater la prsence des harmoniques 2 et 3. En recherchant sur Internet des
informations sur le fonctionnement dun transistor, expliquer la raison de ces non
linarits. On pourra sarrter en particulier sur les modles de Ebers-Moll et
Gummel-Poon. Un petit dtour mathmatique vers le dveloppement limit de la
fonction exponentielle sera bien utile

Fixer lamplitude de la source VtSine 0,1V et relancer la simulation. Que se


passe-t-il ? Conclure quant la zone de linarit du montage.

On peut raliser une tude plus prcise des non linarits dun amplificateur
transistor grce une simulation de type HARMONIC BALANCE. Ce type de
simulation utilise le modle non linaire du transistor dit de Gummel-Poon et est
donc parfaitement adapt ltude des phnomnes de distorsion introduits par un
montage transistor.
Commenons par lun des indicateurs de distorsion que lon appelle le point de
compression 1dB. Il sagit du point pour lequel la courbe de POUT = f(PIN) du
transistor scarte de 1dB par rapport la courbe damplification thorique. La
Figure 5 illustre ce concept.

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Figure 5

Sauvegarder le schma prcdent sous un autre nom et le modifier pour obtenir


celui-ci :

Figure 6

Lancer la simulation et tracer le graphe de VOUT en dBm. Tracer galement en


corrlation les graphes temporels de VIN et de VOUT (ts(VIN) et ts(VOUT).

Modifier le champ SweepVar de linstrument HARMONIC BALANCE de la


manire suivante :
SweepVar= "PIN"
La variable PIN du schma doit tre rendue accessible la feuille de rsultats.
Pour cela diter linstrument HARMONIC BALANCE (doucle-clic) et le modifier
de la manire suivante en cliquant sur le bouton Add/Remove :

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Ces modifications vont permettre de tracer la courbe POUT = f(PIN). Lancer la


simulation.

Taper les quations suivantes :

Tracer les courbes de POUT_dBm = f(PIN) et Pideal = f(PIN) sur le mme graphe.
Sur un autre graphe tracer la courbe de Gain = f(PIN). Ces courbes doivent,
laide dun curseur, vous permettre de dterminer le point de compression 1dB.
Expliquer le rle et le fonctionnement des quations ci-dessus. Comment retrouver
la valeur maximale de la sinusode dentre (en volts) partir de la puissance en
dBm ?

Nous allons maintenant mettre en vidence la notion de produit dintermodulation.


Sauvegarder le schma prcdent sous un autre nom et le modifier pour obtenir
celui-ci :

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Figure 7

La source dentre est maintenant constitue dune somme de deux sinusodes


lune RFfreq + deltaf lautre RFfreq deltaf. Tracer la courbe de
POUT_dBm = f(PIN). Expliquer les diffrentes raies obtenues. On pourra
considrer que :
VOUT = a0.VIN + a1.VIN^2 + a2.VIN^3
avec VIN = cos(2(RFfreq + deltaf)t) + cos(2(RFfreq - deltaf)t). Il faudra se
rappeler de quelques vieilles formules de trigonomtrie Cela permettra de
constater mathmatiquement que ce sont les produits dordre 3 qui sont le plus
proccupants pour un ampli. Saurez-vous expliquer pourquoi ?

Pour les plus courageux : faire un sweep sur PIN et dterminer le point
dinterception dordre 3 en sortie (Third Order Interception Point ou TOIP).

4. Modles de simulation pour la HF et les Hyperfrquences


Le modle du transistor que nous avons utilis jusqu prsent est un modle nonlinaire de type Gummel-Poon. Son schma lectrique est le suivant :

Figure 8

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Pour pouvoir lutiliser dans une simulation en paramtres S qui va nous permettre
dutiliser les mthodes de conception vues en TD (adaptation pour le MAG ou
pour une valeur de gain dtermine etc.), ADS linarise ce modle autour du point
de fonctionnement. Le modle de simulation est alors conforme au schma cidessous :

Figure 9

Nous souhaitons comparer ce modle un fichier de paramtres S donn par le


constructeur du transistor. Ce fichier est le modle de rfrence puisque les
paramtres S ont t obtenus par la mesure.

Saisir le schma suivant :

Figure 10

Il vous faudra crer un fichier .s2p contenant les paramtres S. Vous trouverez ce
fichier sur le site du constructeur. ATTENTION : choisir le fichier qui correspond
au point de polarisation (VCE = 2.5V et IC = 15mA).

Lancer la simulation et afficher les paramtres S des deux montages sur les mmes
graphes. Conclure.

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