MOSFET de Canal Largo

Introduccin
La tecnologa dominante en la industria actual de los semiconductores es la llevada adelante con
circuitos basados en los MOSFETs. Desde simples compuertas lgicas hasta memorias pasando por
los circuitos ms diversos con cientos, miles (y actualmente millones) de transistores, la
estructura MOS es la ms empleada. En este tema veremos la configuracin bsica ms utilizada:
el MOSFET de canal largo en modo de enriquecimiento, su construccin, funcionamiento, sus
caractersticas estticas y su respuesta a la alterna.

Caractersticas constructivas:
En la siguiente figura vemos un corte transversal de un transistor MOSFET. Fsicamente, no es mas
que un capacitor MOS con dos uniones pn adyacentes a la regin controlada por la compuerta
(Gate). El sustrato de Si puede ser tipo p (si es un MOSFET de canal n) o tipo n (si es un MOSFET de
canal p). Cada regin pn recibe un electrodo, que permite el flujo de corriente por el dispositivo.

Para el MOSFET de canal n, los portadores (electrones en este caso) entran a la estructura por la
Fuente (Source o S), salen por el Drenaje (Drain o D) y estn sujetos al control o regulacin a travs
de la Compuerta (Gate o G).
Se denomina
a la tensin aplicada a la compuerta respecto de tierra y
a la tensin del
drenaje respecto de tierra. Normalmente la Fuente (S) y el Sustrato (Bulk) estn conectados a
tierra salvo que se indique otra cosa.
Observar que normalmente el Drenaje siempre esta polarizado de manera que la juntura pn entre
drenaje y sustrato est polarizada en inversa ( 0 en este caso donde el canal va a ser tipo n).

Anlisis Cualititativo de Funcionamiento:

Efecto de la polarizacin de la Compuerta
Primeramente hacemos

=0 para observar el papel de la compuerta.

Nota:
= Vthreshold, tensin o voltaje umbral (es la tensin del punto de transicin de
vaciamiento a inversin, cuando se forma el canal).
Cuando la compuerta esta polarizada en acumulacin o vaciamiento, ( ), la zona entre las
islas de fuente y drenaje contiene o bien un exceso o un dficit de lagunas y muy pocos electrones.
Por lo cual a lo largo de la superficie entre las islas citadas se ve un circuito abierto. Cuando la
compuerta est polarizada en inversin (
), en la interfase Si-SiO2 del lado del
semiconductor se forma (o induce) una capa de inversin que tiene electrones mviles. Ahora
entre las islas
de Fuente y Drenaje se forma un canal conductor que los conecta. Cuanto mayor
sea la
mayor ser la cantidad de electrones en el canal y mayor la conductancia de esa zona.
Efecto de la polarizacin del Drenaje
Si adems de una
en la figura):

empezamos a aplicar una

positiva, ocurrir lo siguiente (Como se ve

a) Si =0, prevalece el equilibrio trmico y la =0

b) Si
es ligeramente positiva, el canal superficial entre Fuente y Drenaje acta como una
resistencia simple y empieza e fluir corriente de Drenaje - -, proporcional a
. En la
curva - se ve un crecimiento inicial en lnea recta de con ese crecimiento de
(en
la curva hasta A). Esto es vlido para pequeas polarizaciones de .
c) Una vez que
aumenta por sobre una dcimas de volt, empieza una nueva fase de
operacin, el flujo de corriente por el canal junto con la cada de tensin del drenaje hacia
la fuente comienzan a anular el efecto de la capa de inversin. Como se ve en la fig. b. la
regin de vaciamiento (juntura) se ensancha a lo largo del canal y por lo tanto disminuye
la cantidad de portadores de la capa de inversin. Todo esto provoca una disminucin en
la conductancia del canal que se refleja en una disminucin de la pendiente de la curva . Si sigue aumentando
aumenta el vaciamiento del canal y sigue la cada de la
pendiente de la curva - . Finalmente la capa de inversin desaparece por completo
del canal al borde del Drenaje y esa condicin se conoce como estrangulamiento o cierre
del MOSFET. Entonces se alcanza el punto B de la curva - donde la pendiente de la
misma se hace prcticamente cero. All, los electrones aprovechan el campo elctrico de
la z.c.e. de la juntura entre canal y sustrato para llegar al drenaje.
d) Cuando > sat, la parte estrangulada del canal se ensancha desde un punto hasta una
extensin L. Dado que esa es z.c.e. (o de vaciamiento), la misma absorbe la mayor parte
de la cada de tensin que supera a sat. Y como L << L (canal largo) , la zona del
MOSFET desde el Source hasta la regin de estrangulamiento es exactamente de la misma
forma y tiene las mismas tensiones extremas con lo cual la corriente que atraviesa esta
regin se mantiene invariable o constante. O sea que =cte para > sat. Si LL la
sat se desarrolla sobre un canal mas corto y entonces la
de postestrangulamiento
aumenta un poco.

Efecto combinado de polarizacin de Compuerta y Drenaje

Evidentemente si , la polarizacin de compuerta no alcanza para formar el canal y entonces
=0. Cuando
aparece la caracterstica observada en la figura. Dado que al aumentar
aumenta la conductancia del canal, la pendiente inicial de la curva - tambin aumenta con el
incremento de . Y a mayor cantidad de portadores en el canal (o capa de inversin) mayor ser
la tensin de Drenaje requerida para lograr el estrangulamiento con lo cual sat debe aumentar
al aumentar
y las curvas sern como las de la figura.

En definitiva, el MOSFET es un dispositivo donde la corriente de salida ( ) es controlada o

modulada por una tensin de entrada aplicada a la compuerta ( ).
En cuanto a la curva y sus distintas zonas, la porcin de caractersticas donde
> sat se
denomina regin de saturacin. La zona donde < sat se llama regin lineal de funcionamiento
(trodo por su similitud con esa vlvula de vaco).
Segn sean los portadores de la capa de inversin sern dispositivos de canal n (electrones) o de
canal p (lagunas).

Anlisis Cuantititativo de Funcionamiento:

Relaciones

Existen formulas muy precisas y complejas para los dispositivos MOSFETs de canal largo, las mas
conocidas tiene que ver con las teoras de ley cuadrtica y decarga en volumen. La primera
proporciona relaciones simples mientras que la segunda es mucho mas precisa. Lo importante es
que con excepcin de los pasos de deduccin, ambas teoras son idnticas.
Consideraciones previas
Voltaje umbral: es la tensin que determina el nacimiento del canal, tericamente el canal nacera
cuando s >
, pero desde el punto de vista prctico el canal sera til para la conduccin
cuando s > 2 .
Movilidad efectiva: la movilidad implica una medida de la velocidad de los portadores dentro del
semiconductor. Pero en el sustrato del semiconductor es decir en un punto alejado de la superficie
del mismo, las movilidades dependen fuertemente de la interaccin con la red y con las impurezas
ionizadas. Para una cierta temperatura y contaminacin, las movilidades estn bien definidas y su
valor es constante. Pero en un MOSFET, el movimiento de portadores se hace por la capa de
inversin superficial (canal) donde el campo elctrico inducido por la compuerta acelera los
portadores hacia la superficie. Con lo cual los mismos estn sujetos a colisiones contra dicha
superficie de Si adems de colisiones con la red y las impurezas ionizadas que dificultan su
movimiento. Todo esto hace que disminuya la movilidad de los portadores y los que estn mas
cerca de la superficie de Si son los mas afectados. Por eso se trabaja con una movilidad media
denominada movilidad efectiva y .

Para calcular la movilidad efectiva se considera un MOSFET de canal n como el de la figura

Donde :
Z: espesor de la pastilla
x: profundidad del semiconductor desde la interfaz xido-semic.
y: distancia a lo largo del canal desde la fuente al drenaje.
(y): profundidad del canal.
n(x,y): concentracin de electrones en el canal en el punto (x,y).
n: movilidad de electrones en el canal en el punto (x,y).
=

( )

) (

( )

= Movilidad efectiva en la capa de inversin (canal)

Si tenemos en cuenta que la carga electrnica total (coulomb/

) en el canal para un punto y

determinado es:
Qn(y) = -q

( )

, aui tenemos en cuenta que la carga en el canal depende slo de

podemos escribir la movilidad efectiva como:

= -

( )

( )

) (

De ahora en adelante y pueden considerarse como un parmetro del dispositivo

independiente del eje y (que corre a lo largo del canal) y tambin de la tensin .
Pero en relacin a la dependencia de y con
, el aumento de la polarizacin de inversin
(
) coloca mas portadores cerca del la interfaz xido-semic. e incrementa el campo que
acta sobre los portadores , esta combinacin de efectos disminuye la movilidad efectiva y esto
no se puede ignorar. La dependencia de y respecto de
vara de dispositivo a dispositivo
pero en general sigue la forma de la figura:

Como vemos pueden resultar movilidades efectivas considerablemente inferiores a la movilidad

del sustrato.
Teora de la ley cuadrtica
Para la deduccin usaremos un MOSFET de canal n largo con la estructura y dimensiones
mostradas en la figura anterior, que repetimos

Curvas de Salida

Para
y para
inferiores al estrangulamiento (0
- se puede deducir a partir de :

sat) la ley cuadrtica de relacin

Jn = q.n.n.E + q.Dn. n

Simplificaciones

Dentro del canal la corriente fluye casi exclusivamente en direccin y.

La corriente de difusin es despreciable dado la gran cantidad de portadores que hay
en un punto del semiconductor .
Jn

Jny = q.n.n.E y = - q.n. n.

(en el canal)

Aproximacin de canal gradual (GCA Gradual cannel Approximation):

Se asume que el voltaje

a lo largo del canal desde el drenaje hacia la fuente vara
gradualmente. Al mismo tiempo, la tensin entre compuerta y sustrato que controla la
zona de inversin y la z.c.e. entre sta y el sustrato provoca un campo E x transversal tal
que E x >> E y.

Por lo tanto la variacin del campo en la direccin y (E y)(a lo largo del canal) es mucho
menor en magnitud que la variacin del campo en la direccin x (E x) (perpendicular a

la interfaz Si-SiO2) y como variacin es derivada:

con lo que podemos hacer

<

La ecuacin de Poisson

la podemos desarrollar en una sola dimensin (esto

=-

vale slo para canal largo)

introducirla en

=0

y calcular Qn como se hizo anteriormente e

Clculo de Id:
Como la corriente est limitada al canal superficial, en cualquier plano transversal (x,z) del canal
vale
( )

= - Jny.dx.dz = -
( )

== (- Z

) . (-q

donde (-q

( )

.dx
). dx

( )

) (

) (

)
) = .Qn con lo cual

= - Z. . Qn.
Y si tenemos en cuenta que
canal:

=- Z

es independiente de y, podemos integrar en la longitud del

y si es independiente de la posicin

. L = - Z. .
=-

Para vincular Qn con el potencial en un punto y, debemos tener en cuenta que en una juntura
MOS, la carga de equilibrio de la capa de inversin es casi exactamente igual a la carga del metal
cuando
,
=

que podemos escribir para como variaciones de carga de compuerta y semiconductor

(

)=-

para

Como las cargas se agregan instantneamente a los bordes del xido tambin se puede afirmar

) para

con lo cual

) para

Donde

, que es la capacidad del xido por unidad de rea de la compuerta.

: espesor del xido,

Ac hay que tener en cuenta que en el capacitor de la juntura MOS toda la placa de semiconductor
est a tierra mientras que en el MOSFET el potencial de esta placa varia desde cero en la Fuente a
en el Drenaje.

Entonces en el MOSFET la diferencia de potencial entre placas es

Drenaje y en un punto intermedio y vale
, con lo cual podemos escribir
(y)
=
=

) y remplazando

[(

en el

] para

sat

Hay que aclarar que este desarrollo y la ecuacin final slo valen antes del estrangulamiento.
Si se usan valores de > sat en la ecuacin anterior, el valor de
comienza a disminuir para
valores dados de . Sin embargo como se ve en el anlisis cualitativo,
es aproximadamente
constante si > sat. Con lo cual con bastante aproximacin la regin de saturacin de las
caractersticas - se puede modelar haciendo:
(

[(

sat -

Si tenemos en cuenta que el canal se estrangula en el extremo del Drenaje, esto implica que
(L)

0 cuando (L) =

(L) =

) = 0 tambin

y la

sat , entonces podemos escribir que

se puede escribir:
] si no tenemos en cuenta la dependencia de con

ltima ecuacin predice una corriente de drenaje de saturacin (

, vemos que la

) de dependencia cuadrtica

que vara con el exceso de voltaje de compuerta por encima del voltaje umbral (que es el trmino
[
] ).
Se puede demostrar que el lugar geomtrico donde las curvas pasan de la zona lineal a la de
saturacin es una parbola lmite que se obtiene haciendo
=
y reemplazando en la
anterior nos queda

Curvas de Transferencia

La caracterstica de transferencia en la regin de saturacin (donde se ubica el punto de trabajo

en el modo activo) se obtiene graficando

=
.

] , como se ve, se trata de una parbola donde la corrente se anula para

Influencia de la carga en volumen

La teora de la ley cuadrtica que vimos si bien es vlida, contiene una falla importante que
merece destacarse.
Se supuso que las variaciones de la carga de compuerta slo son compensados por Qn

)=-

Que equivale a que el ancho de la z.c.e. que rodea al canal de la Fuente al Drenaje, permanece
constante ( ) an con
0 . Sin embargo como se ve en la figura , el ancho de la z.c.e.
aumenta al acercarnos al Drenaje cuando
0.

Esta variacin punto a punto en la z.c.e. o carga en volumen debe incluirse en cualquier
variacin de cargas. Esto implica agregar un trmino en la expresin de
(y)
( )
que muestre esta carga en volumen. Ese trmino depende de la contaminacin
del sustrato
(tipo p en este caso) y de la variacin del ancho de la zona de vaciamiento.
Carga en volumen: q.

. (W(y) -

) , con lo cual la Qn nos queda:

(y)
( ) + q. . (W(y) ) , esto provoca una modificacin importante en la
expresin de
que va a incluir un trmino negativo de influencia de la carga en volumen que
afecta las curvas reduciendo
y
para determinadas condiciones de funcionamiento.
Conceptualmente cuanto menor es la contaminacin del sustrato , la teora de la ley cuadrtica es
mas precisa ya que el trmino q. . (W(y) ) pierde influencia al disminuir .
Notar que en la figura, cuanto menor es

, mas se acerca la curva a la de la Ley cuadrtica.

Limitaciones a las teoras de la ley cuadrtica y de carga en volumen

a) Suponemos que para
as, existe una pequea
inters.

, la

= 0 , sin embargo en la prctica esto no es necesariamente

distinta de cero y su valor preciso a veces puede ser de

b) las relaciones que se establecen en las teoras de la ley cuadrtica y de carga en volumen en
cuanto a la porcin de saturacin de las curvas no son exactas. Si se trabajara con las teoras de
carga superficial y carga exacta se puede calcular incluso la
y los resultados tienen
mayor exactitud que con ley cuadrtica y carga en volumen.

Respuesta en Frecuencia de MOSFETs

Circuitos equivalentes de pequea seal
Usando la teora de cuadripolos, podemos desarrollar un circuito equivalente de seales
dbiles(pequeas) de c.a. para analizar el comportamiento de los MOSFETs. En principio se limita
su rango a bajas frecuencias de operacin, donde ignoramos los efectos capacitivos .

La entrada estar entre Fuente y Compuerta y la salida entre Drenaje y Fuente

Justamente dado que un capacitor se comporta como un circuito abierto a bajas frecuencias,
podemos modelar la entrada del MOSFET como un circuito abierto entre Fuente y Compuerta.
Para los contactos de salida, podemos decir que la corriente de Drenaje de contnua
funcin de
y .
=F(

Si hay una variacin de

d

es una

habr una variacin de

, variacin

derivada

Si se usan seales alternas de muy pequea amplitud

d
d
d
y podemos escribir
=

Donde podemos reemplazar

(para

= 0) =

(para

= 0) =

En los FETs,

, conductancia de Drenaje, o de salida.

,transconductancia.

cumple un papel similar al de y en los transistores bipolares

y

al diferenciar las expresiones de

Antes del estrangulamiento (

=
=

sat):

) , surge de derivar
, surge de derivar

=
[(

[(
)

] y haciendo

En saturacin (

>

sat):

= 0 (pendiente de
=

es igual a cero,

= 0)

) , surge de derivar

con

Para frecuencia altas de trabajo es importante el acoplamiento capacitivo entre terminales del
dispositivo. As aparece una
que produce una realimentacin indeseable entre entrada y salida
que tiene que ver con la porcin de la Compuerta que se superpone a la isla de Drenaje, esta
capacidad se puede reducir formando un xido mas grueso en la regin o autoalineando la
compuerta para disminuir la superposicin.
est asociada a la capacidad de la compuerta MOS.

Frecuencia mxima de uso en MOSFETs

La
de un MOSFET se define como la frecuencia a la cual el dispositivo ya no amplifica la seal
de entrada es decir cuando la corriente de salida es igual a la corriente de entrada.
De acuerdo al circuito de la figura
= j (

j(2 )

donde suponemos que

=

, y si se hace
=

y se resuelve para =
=

(para

si se reemplaza a

sat)

Como vemos, la longitud del canal es el parmetro clave en la determinacin de

,
disminuyendo L se logran frecuencias de trabajo superiores del MOSFET, esto implica la necesidad
de tener una longitud de canal corta para lograr un funcionamiento de alta frecuencia y con alta
velocidad de respuesta.

Caractersticas de pequea seal

A menudo es posible obtener informacin til de los parmetros de pequea seal
(
) como funcin de los voltajes de cc de los terminales.
Como vemos, en la frmula de

) si

=0y

, entonces

0, sin embargo, en la prctica no es as ya que hay una pequea concentracin de minoritarios en

la superficie del canal, en el punto de transicin de vaciamiento a inversin. Esto se desprecia en la
teora de ley cuadrtica y carga en volumen.
Teniendo en cuenta que
es proporcional a se puede usar este concepto para determina la
movilidad efectiva partir de la pendiente
. Este es un buen mtodo siempre que el
dispositivo tenga una baja densidad de trampas de interfase. Si no fuera el caso, dara un valor
errneamente bajo de .
Tambin es til ver el grfico de capacidad de compuerta ( ) en funcin de
con el Drenaje a
tierra. La curva del MOSFET es muy similar a la del capacitor MOS y tambin sirve para fines de
diagnstico.

Circuito amplificador utilizando MOSFET canal n

Efecto de una estructura MOS no ideal en los MOSFETs

Cualquier variacin en la tensin de compuerta (
) afecta al el valor de la tensin umbral
partir de la cual hay un canal o zona de inversin til en un MOSFET
Ajuste del Voltaje Umbral (
=

) de los MOSFETs

donde

= tensin umbral real

= tensin umbral ideal
= tensin de Flat Band (Banda plana), se puede calcular a partir de informacin conocida de las
caractersticas no ideales del dispositivo.
Debido a los problemas de no idealidad de la juntura MOS, en la prctica, para un dispositivo
de canal n,
es habitualmente negativa y >>
(que es positiva), con lo cual
(la real )es
negativa .!!!!!
Tengamos en cuenta que en teora un MOSFET de canal n conduce cuando > , por lo dicho
anteriormente en la prctica con = 0 Volts el dispositivo ya conducira y habra que aplicar
negativas para que el dispositivo se corte.
Con el mismo razonamiento, para el caso de un MOSFET de canal p habra que aplicar
negativas para que el dispositivo conduzca.
Si el MOSFET conduce para

mas

=0 trabaja en modo de empobrecimiento

Si el MOSFET esta en corte para

=0 trabaja en modo de enriquecimiento

Los MOSFETs de canal p son ideal y prcticamente dispositivos de enriquecimiento. Los MOSFETs
de canal n ideales son tambin dispositivos de enriquecimiento .
Pero en la prctica por todo lo expuesto sobre no idealidades que tienden a desplazar el valor de
hacia polarizaciones negativas, los MOSFETs de canal n reales eran dispositivos de
empobrecimiento ya que conducan para
= 0. Por eso hasta 1977 la tecnologa PMOS ejerca un
dominio sobre la NMOS en la fabricacin de IC. La mejora en la tcnica de fabricacin de los
dispositivos NMOS desde fines de la dcada del 70 sumado a la mayor movilidad de los
electrones hace que hoy da se prefieran estos en los diseos actuales.
Hoy en da, el xido en las porciones de los circuitos integrados fuera de la compuerta,
denominado xido de campo es mucho mas grueso que el xido de compuerta en las regiones
activas de la estructura. Esto es para limitar la aparicin de canales indeseables provocados por
los potenciales aplicados a las capas de metal donde llegan las polarizaciones de compuerta y

drenaje. Esto permite de alguna manera regular o mejor dicho corregir el valor de la tensin
umbral al variar el espesor del xido.

Tambin se logra un cierto control de

a travs de la contaminacin del sustrato pero ambas
regulaciones quedan predeterminadas por los factores de diseo.
El uso de un semiconductor degenerado o semimetal como el POLISILICIO en lugar de Aluminio
para la compuerta modifica el potencial de contacto entre el metal y el semiconductor (
), de
manera de obtener transistores NMOS con tensiones umbral positivas
Actualmente, para conseguir un ajuste de umbral flexible , donde
se pueda controlar a
voluntad, se usa la tcnica de implantacin inica y tambin se puede aplicar la polarizacin del
sustrato con relacin a la fuente.

Ajuste de

por Implantacin Ionica

Se implanta una cantidad relativamente pequea pero rigurosamente controlada de de iones de

Boro Fsforo en la regin superficial del semiconductor. Cuando el MOS trabaja por
empobrecimiento o esta polarizado en inversa , la contaminacin implantada se suma a la carga
existente de iones de impureza cercana a la interfaz xido-semiconductor y por lo tando translada
la que presenta la estructura. La implantacin de Boro produce un desplazamiento positivo de
y la implantacin de Fsforo produce un desplazamiento negativo de
Muy simplificadamente es como si se agregara una carga fija adicional en la interfaz xidosemiconductor.
Ajuste de

por polarizacin del sustrato

Este mtodo elctrico de ajuste de es anterior a la implantacin ionica y consiste en polarizar

inversamente el contacto posterior o sustrato de un MOS con respecto a la fuente.
Llamamos

a la diferencia de potencial entre el sustrato (Bulk) y la Fuente (S).

Si
2

= 0, la inversin se produce cuando la cada de tensin en el semiconductor (s) es igual a

.

Si
no hay inversin an cuando s = 2 , pero en esta situacin cualquier portador que
que aparece en la superficie del semiconductor emigra lateralmente hacia la fuente o hacia el
drenaje porque estas regiones estn a una energa inferior , y la superficie se invierte recin
cuando s = 2 . Eso modifica haciendo mas negativo el umbral de los de canal p y mas
positivo el umbral de los de canal n de los dispositivos reales.