PROPRIEDADES ELTRICAS

DOS MATERIAIS
PROF SHEILA SANTOS

CONDUO ELTRICA
A conduo eltrica o resultado do movimento de portadores de
carga (Ex. eltrons) dentro de um material.
Portadores de carga
ESPCIES INDIVIDUAIS

ESCALA ATMICA

PROMOVEM A CONDUO DE
ELETRICIDADE NOS MATERIAIS

PORTADORES DE CARGA NEGATIVA: NIONS

EX: ELTRONS (1,6 x 10-19 C

DE CARGA NEGATIVA)

PORTADORES DE CARGA POSITIVA: CTIONS

DETERMINAO DA CONDUTIVIDADE
A condutividade o inverso da resistividade:

= 1/

Unid: -1.m-1

= resistividade (.m)
= R.A/l

onde: R= Resistncia (oms )

A= rea da seo transversal
l= comprimento

Condutividade
o produto da densidade de portadores de carga, n, a carga
transportada, q, e a mobilidade de cada um, :

= n.q.
n: densidade de portadores (m-3)
q: carga transportada (coulombs C)
: mobilidade m2/(V.s)

Mobilidade
a velocidade mdia do portador ou velocidade de arraste v, dividida
pela intensidade do campo eltrico E.

Unid:
: mobilidade m2/(V.s)
v= velocidade mdia m/s
E= intensidade do campo eltrico V/m

Exerccios:
01) Uma amostra de fio (1mm de dimetro por 1m de comprimento)
de uma liga de alumnio (contendo 1,2% Mn) colocada em um
circuito eltrico, como mostra a figura. Uma queda de tenso de
432mV medida entre as extremidades do fio quando este
transporta uma corrente de 10. Calcule a condutividade dessa liga.

02) Calcule a densidade de eltrons livres no cobre em

temperatura ambiente, sabendo que apresenta
mobilidade de 3,5x10-3 m2/(V.s) e condutividade de
58x106 -1.m-1. Suponha que a condutividade do cobre
seja inteiramente devida aos eltrons livres.
03) Calcule a velocidade de arraste dos eltrons livres
no cobre para uma intensidade de campo de 0,5V/m.
04) Quantos eltrons livres haveriam em um rolo de fio
de cobre de alta pureza (1mm de dimetro x 10 m de
extenso)?

CLASSIFICAO DOS MATERIAIS QUANTO A

CONDUTIVIDADE

CONDUTORES
SEMICONDUTORES
ISOLANTES

CONDUTORES
So materiais com grandes valores de condutividade;
Magnitude da ordem de 10x106 -1.m-1
Ex: Materiais metlicos

Temperatura e composio na condutividade

dos materiais metlicos.
1) TEMPERATURA: um aumento da temperatura, acima da temperatura
ambiente, resulta em uma queda na condutividade.
TEMPERATURA

AGITAO TRMICA
DA ESTRUTURA
CRISTALINA

MOBILIDADE E
CONDUTIVIDADE DOS
ELTRONS

OS
ELTRONS
APRESENTAM
UMA
NATUREZA
ONDULATRIA, E POR ISSO PODEM SE MOVER COM MAIS
EFICINCIA QUANDO A ESTRUTURA CRISTALINA
PERFEITA.

Resistividade aumenta com o aumento da

temperatura acima da temperatura ambiente.
Resistividade para condutores: 0,1x10-6.

onde,

: resistividade a temperatura ambiente

rt

: coeficiente de temperatura da resistividade

T: temperatura
Trt: temperatura ambiente

Resistividade a T.A e coeficiente da T de resistividade

2) COMPOSIO:
TOMOS DE
IMPUREZA

GRAU DE PERFEIO
CRISTALINA DE UM METAL
QUE SERIA PURO.

CONDUTIVIDADE E
RESISTIVIDADE

DIFICULTANDO ASSIM O
CAMINHO PERCORRIDO
PELOS ELTRONS

 Para pequenas adies de impurezas a um metal aproximadamente

puro, o aumento em
adicionada.

Onde:

quase linear com a quantidade de impureza

= resistividade do metal puro

0

= constante para determinado

sistema impureza-metal
x= quantidade de impureza
adicionada

EXERCCIOS

1) Calcule a condutividade do ouro a 200C. Dados: rt: 24,4 x10-9 .m

: 0,0034C-1.
2) Calcule a condutividade a 200 C de a) cobre (padro recozido) e b)
tungstnio. Utilize os dados da tabela.

Supercondutores
So materiais que em temperatura crtica - Tc , sua resistividade cai
abruptamente zero.
Ex: Mercrio
Nibio
Vandio
Chumbo e suas ligas

Isolantes
So materiais com baixa condutividade;
Magnitudes da condutividade de isolantes tpicos da ordem de 10-10
para 10-16 -1.m-1
80% do mercado de cermica industrial

Semicondutores
So materiais com condutividades intermedirias entre as dos
condutores e dos isolantes.
As magnitudes da condutividade esto no intervalo 10-10 e 10+4 -1.m-1
Em comparao com os metais e os isolantes, as propriedades eltricas
dos semicondutores so afetadas por variao de temperatura,
exposio a luz e acrscimos de impurezas.
O Silcio e o germnio so muito utilizados na fabricao de
semicondutores.

Caractersticas do Silcio e do Germnio

Apresentam estrutura cristalina cbica; so tetravalentes;
Os tomos so unidos por ligaes covalentes;
Cada um dos quatro eltrons de valncia de um tomo
compartilhado com um eltron do tomo vizinho, de modo que dois
tomos adjacentes compartilham os dois eltrons.
Na prtica esta ilustrao s conseguida quando
um cristal de silcio submetido a uma temperatura
de zero grau absoluto (-273 C). Pois suas ligaes
esto completas, onde os tomos apresentam oito
eltrons de valncia. Logo no h eltrons livres e o
material comporta-se como um isolante.

Semicondutor intrnseco
SEMICONDUTOR EM
ESTADO PURO

TEMPERATURA DE
ZERO GRAU ABSOLUTO

TEMPERATURA
AMBIENTE

ISOLANTE

CONDUTOR

CALOR FORNECE
ENERGIA TRMICA
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Semicondutor extrnseco
Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco)
este passa a denominar-se por semicondutor extrnseco, atravs de um
processo denominado de dopagem.
H diversas formas de se provocar o aparecimento de pares eletronslacuna livres no interior de um cristal semicondutor. Um deles atravs
da energia trmica (ou calor). Outra maneira, consiste em fazer com que
um feixe de luz incida sobre o material semicondutor.
.

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Processo de dopagem
Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro
(intrnseco), este passa a ser um semicondutor extrnseco.
As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrnseco
podem ser de dois tipos: impurezas ou tomos doadores e
impurezas ou tomos aceitadores.

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TOMOS DOADORES E ACEITADORES

tomos dadores tm cinco eletrons de valncia (so pentavalentes):
Arsnio (AS), Fsforo (P) ou Antimnio (Sb).

tomos aceitadores tm trs eletrons de valncia (so trivalentes):

ndio (In), Glio (Ga), Boro (B) ou Alumnio (Al).

Semicondutor do tipo N
INTRODUO DE
TOMOS
PENTAVALENTES

SEMICONDUTOR
INTRNSECO

ELTRONS LIVRES
Eletron livre
do Arsnio

TOMOS DOAM
ELTRONS AO CRISTAL

Todo o cristal de Silcio ou

Germnio,
dopado
com
impurezas
doadoras

designado por semicondutor

do tipo N (N de negativo,
referindo-se carga do
eletron).

TOMOS DOADORES

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Semicondutor do tipo P
INTRODUO DE
TOMOS TRIVALENTES

SEMICONDUTOR
INTRNSECO

LACUNAS LIVRES
TOMOS ACEITAM
ELTRONS DO CRISTAL
TOMOS ACEITADORES

Todo o cristal puro de

Silcio ou Germnio,
dopado com impurezas
aceitadoras designado
por semicondutor do tipo
P
(P
de
positivo,
referindo-se falta da
carga
negativa
do
eletron).

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Portadores maioritrios e minoritrios

Num semicondutor extrnseco do tipo N os eletrons esto em maioria
designando-se por portadores maioritrios da corrente elctrica. As lacunas
(que so a ausncia de um eletron), por sua vez, esto em minoria e
designam-se por portadores minoritrios da corrente eltrica.
Num semicondutor extrnseco do tipo P as lacunas esto em maioria
designando-se por portadores maioritrios da corrente eltrica. Os eletrons,
por sua vez, esto em minoria e designam-se por portadores minoritrios da
corrente eltrica.

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