Efecto Hall en el Germanio Tipo n

Resumen
Se estudian aqu las propiedades de un semiconductor tipo n analizando los resultados
del efecto Hall sobre una muestra de germanio n-dopado y el comportamiento de
algunos parmetros fsicos propios del material cuando se aumenta su temperatura.
1. Propiedades de los Semiconductores
Los semiconductores son una numerosa clase de sustancias, cuya resistividad vara entre
amplios lmites y disminuye intensamente con el aumento de la temperatura.
Las bandas de energa en los cristales se subdividen en :
i. Bandas de valencia.
ii. Bandas de conduccin.

En los metales a temperatura ambiente ( T 3000K ) los niveles energticos en la

banda de conduccin no estn ocupados por completo, lo que determina la buena
conductibilidad elctrica de los metales. En los semiconductores a diferencia de lo
que ocurre en los aisladores, la zona prohibida entre la banda de valencia y la primera
banda no llena no es muy grande.
Conductibilidad Intrnseca
La conductibilidad elctrica del semiconductor puro se denomina conductibilidad
intrnseca. La conductibilidad electrnica (conductibilidad del tipo n) se origina al pasar
desde la banda de energa de valencia a la banda de conduccin. La conductibilidad de
los semiconductores aumenta con la temperatura t segn :
Eg

0e

2 kT

(1)

La resistencia elctrica de los semiconductores disminuye al calentarlos.

Conductibilidad Extrnseca
Esta es debida a la presencia de impurezas : i. a los tomos de elementos extraos ; ii.
Toda clase de defectos de la red cristalina, etc.
La transicin de los electrones desde los niveles donadores a la zona de conduccin del
semiconductor, origina la conductibilidad electrnica extrnseca. Esta clase de
semiconductores se denominan conductores por exceso o del tipo n.

1. Efecto Hall
Se denomina efecto Hall a la aparicin de un campo elctrico transversal y a una
diferencia de potencial en un metal o en un semiconductor por los cuales fluye una
corriente elctrica. Al situarlos en un campo magntico perpendicular a la direccin de
la corriente.

a
+

V
d

muestra

Vab RH

IB
(2)
d

donde RH es una constante denominada coeficiente Hall.

Segn la formula de Lorentz, la fuerza que acta sobe la carga es :

F e( v B ) e v B

La intensidad de campo elctrico creado al surgir la diferencia de potencial Vab, ser :

V
E ab
b
donde b es la anchura de la lmina.
Por consiguiente la fuerza elctrica que acta sobre la carga es :
V
Fe e ab
b
El estado estacionario tendr lugar cuando las fuerzas sean iguales es decir, FB = FE :

V
e ab e v B (3)
b

Si suponemos que v v , entonces tenemos que ab v B (4)

b

Adems : I bdne v
de donde

vI

bdne

reemplazando en (4) obtenemos que

Vab

1 IB
(5)
ne d

En correspondencia con la ecuacin (2) la constante RH ha resultado proporcional a 1 /

en

RH 1 ne

Al medir simultneamente el efecto Hall y la conductividad elctrica dada por

ne
se obtiene el valor de la movilidad H . Adems se tiene que :
E

jB
1
en jBH (6)
nev
v

donde j es la densidad de corriente , la cual es proporcional a la concentracin de

electrones n, y viene dada por

I
ne E ne v
A

siendo a el rea que atraviesan loes electrones.

La conductividad 0 dada por la ec. (1), la movilidad H , y la densidad n de
electrones transportados estn todos relacionados por el coeficiente Hall RH
H RH 0 (7)

1
(8)
eRH

1. Procedimiento Experimental

2. Anlisis y Resultados.
Al graficar los valores obtenidos para el voltaje Hall como funcin de la corriente de
control en la muestra se encontr una relacin lineal
VH I
Voltaje Hall vs Corriente de Control
0

Vh (m V)

-10

10

15

20

25

30

35

-20
-30
-40
-50

y = -1,8335x - 0,068

-60
Ic (m A)

Como el campo magntico es constante el factor RH B / d en (2) es constante y

corresponde a la pendiente de la recta de la figura 3.

RH B d 1.83V A
de aqu obtenemos RH ya que conocemos el campo magntico y el espesor de la
muestra de germanio d = 1 mm, as
3
V
d (1.83 A)(1 10 m)
Vm
RH

(6..98 0.35) 10 3
B
(262mT )
TA

 De las medidas tomadas del voltaje Vab en funcin del campo magntico B, teniendo
una corriente constante I = 16.4 0.4 mA, se calcul el cambio de la resistencia
en la muestra ( RB R0 ) R0 .

(RB - Ro) / Ro

Resistencia vs Campo Magntico

y = 2E-07x2 + 6E-05x + 0,0245

0,08
0,07
0,06
0,05
0,04
0,03
0,02
0,01
0
0

100

200

300

400

500

B (mT)

Dicho cambio es creciente con la magnitud del campo magntico y al parecer vara
como el cuadrado de la magnitud del campo. El cambio en la resistencia de la muestra
debido al campo magntico es asociado con la reduccin del camino medio libre de
las cargas transportadas.
Con la direccin de la corriente de control y un campo magntico como se muestra en
la figura 1, las cargas transportadas son deflectadas hacia el borde delantero de la
muestra. Por tanto en la conduccin por electrones (n-germanio), el borde delantero
ser positivo.
Voltaje Hall vs Campo Magntico
0

V hall (m V)

-10

50

100

150

200

250

300

350

400

450

-20
-30
-40

y = -0,1099x - 0,1499

-50
B (m T)

La figura muestra una relacin lineal entre el voltaje Hall y el campo magntico B, cuya
pendiente es m = -0.109 V / T. El coeficiente Hall RH , de acuerdo con (2) toma la forma
V d
d
RH H m
B I
I
donde I = 16.4 mA y el espesor de la muestra es d = 1 103 m . As
1 10 3 m
RH (0.109V T )
(6.64 0.4) 10 3 Vm
TA
16.4 10 3 A
el cual difiere solo por 0.34 103Vm / TA del valor anterior.

La conductividad de la muestra a temperatura ambiente es calculada teniendo la longitud

de la muestra l = 0.02 m, la seccin transversal a travs de la cual pasan las cargas A = 10
mm 2 y la resistencia Ro = 40 como sigue
0

l
50 1m 1
R0 A

Con esto, y con el valor obtenido para RH podemos obtener usando (7) la movilidad
H de las cargas transportadas
H (0.349 0.02)m 2 / Vs
La concentracin n de la muestra de germanio tipo n es calculada usando (8), teniendo
en cuenta que e 1.602 1019 As . As se tiene que
n ( 1.03 0.08) 10 21 m 3

1 / Vab (1/v)

Inverso voltaje de la Muestra vs Inverso de la

Temperatura
6
5
4
3
2
1
0
0

0,0005

0,001

0,0015

0,002

0,0025

0,003

0,0035

1 / T (1/k)

La Primera parte de la curva corresponde a la regin de conductividad intrnseca,

la cual se caracteriza por un comportamiento en la conductividad descrito por
(1). Aplicando logaritmo natural en ambos lados de (1) se tiene
ln ln 0

Eg
2k

T 1 (9)

Al graficar la primera parte de la curva de la figura 6 con una escala logartmica en el eje
Y obtenemos

Inverso voltaje de la Muestra vs Inverso de la

Temperatura

y = 80,91e-1488,5x

1 / Vab (1/v)

10

1
0

0,0005

0,001

0,0015

0,002

0,1
1 / T (1/k)

0,0025

0,003

0,0035

Se ha obtenido una lnea recta con pendiente m = -1488 K , la cual segn (9)
corresponde a
m

Eg
2k

1488 K

Donde Eg es la energa de activacin. Como las medidas se hicieron con una corriente de
control aprox. Constante, podemos expresar Vab1 . As, si k 8.625 10 5 ev / K
, tenemos que
E g m 2k (0.26 0.079)eV

Al graficar el voltaje may como funcin de la temperatura para un campo magntico

constante se tiene
Voltaje Hall vs Temperatura
60
V Hall (m V)

50
40
30
20
10
0
0

100

200

300

400

500

T (K)

Como las medidas se hicieron con una corriente de control constante, se puede
atribuir el crecimiento a un incremento en el nmero de cargas transportadas y a la
reduccin asociada en su velocidad. El cambio de la velocidad en las cargas
transportadas est relacionada con el voltaje may a travs de la fuerza de Lorentz.
1. Conclusiones

El voltaje may medido en la muestra es directamente proporcional a la corriente que

se le suministre lo cual es debido al aumento de cargas deflectadas por la fuerza
de Lorentz
El cambio de la resistencia elctrica de la muestra crece al aumentar el campo
magntico a travs de ella, lo cual viene asociado con la reduccin del camino
medio libre de las cargas transportadas
El voltaje may es linealmente dependiente del campo magntico a travs de la
muestra debido a que al aumentar el campo se hace mayor la fuerza de Lorentz,
lo cual hace que un mayor nmero de cargas se deflecten sobre el borde de la
muestra.
La muestra usada en nuestro experimento se caracteriza por tener un coeficiente may
RH ( 6..98 0.35) 103 Vm TA , una movilidad H (0.349 0.02)m 2 / Vs
y
una concentracin de electrones n (1.03 0.08) 10 21 m 3 .
La energa de activacin de la conductividad intrnseca del germanio tipo n es
E g (0.26 0.079)eV .

El voltaje Hall de la muestra decrece con el aumento de la temperatura lo cual puede

atribuirse a un incremento del nmero de cargas transportadas y a una reduccin de
su velocidad.