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TUCURU PAR
2013
1
A.
L.
Arajo
como
TUCURU PAR
2013
2
RESUMO
Este relatrio contemplar as experincias realizadas em laboratrio as quais foram
fundamentadas no mesmo principio de circuitos amplificadores diferenciais com transistores.
O circuito foi anteriormente projetado com auxlio do simulador de software comercial
Proteus na verso 7.2. Atravs da simulao sero obtidos os dados utilizados no presente
relatrio. Tendo como objetivo a familiarizao com as propriedades e aplicaes dos Amp.
Op.
LISTA DE FIGURAS
FIGURA 1. MONTAGEM DO EMISSOR COMUM. [1] ........................................................ 8
FIGURA 2. A CONFIGURAO BSICA DO PAR DIFERENCIAL COM TBJ. [1] .......... 9
FIGURA 3. CORRENTES DO PAR DIFERENCIAL COM TBJ. [1] .................................... 10
FIGURA 4. TRANSISTORES (A) NPN E (B) PNP. .............................................................. 11
FIGURA 5. ESTRUTURA SIMPLIFICADA DO TRANSISTOR NPN. [2].......................... 12
FIGURA 6. BANCADA COM INSTRUMENTAO. ......................................................... 14
FIGURA 7. CIRCUITO ORIGINAL DO ROTEIRO. ............................................................. 15
FIGURA 8. CIRCUITO MONTADO NO SOFTWARE........................................................ 16
FIGURA 9. GERADOR DE SINAIS AJUSTADO. ................................................................ 20
FIGURA 10. TENSO PICO NO COLETOR DE Q1............................................................. 21
FIGURA 11. TENSO PICO NO COLETOR DE Q3............................................................. 21
FIGURA 12. TENSO PICO NO COLETOR DE Q4............................................................. 22
FIGURA 13. TENSO NA BASE DE Q3. ............................................................................. 22
FIGURA 14. TENSO NA BASE DE Q4. ............................................................................. 23
FIGURA 15. TENSO DE PICO EM Q1 E Q2. ..................................................................... 23
FIGURA 16. TENSO DE PICO EM Q1 E Q2. ..................................................................... 24
LISTA DE TABELAS
TABELA 1. VALORES DAS RESISTNCIAS. .................................................................... 14
TABELA 2. VALORES DOS TRANSISTORES.................................................................... 15
TABELA 3. VALORES DE TENSO MEDIDOS NOS COLETORES E NO EMISSOR. .. 17
TABELA 4. VALORES DAS CORRENTES NOS COLETORES. ....................................... 18
TABELA 5. VALORES CALCULADOS DE ALFA. ............................................................ 19
TABELA 6. VALORES DA RESISTNCIA DE EMISSOR. ................................................ 19
TABELA 7. VALORES DA RESISTNCIA r . ................................................................... 19
TABELA 8. MEDIO DA TENSO PICO A PICO. .......................................................... 20
SUMRIO
INTRODUO .......................................................................................................................... 7
FUNDAMENTAO TERICA ............................................................................................. 8
1AMPLIFICADORES ............................................................................................................ 8
2.1MATERIAIS .................................................................................................................... 13
2.2METODOLOGIA ............................................................................................................ 13
2.3RESULTADOS E DISCUSSES ................................................................................... 16
CONCLUSO .......................................................................................................................... 24
REFERNCIAS ....................................................................................................................... 25
INTRODUO
Em muitas aplicaes industriais frequentemente necessita-se amplificar
diferenas de tenses. Um amplificador diferencial um tipo de amplificador eletrnico que
multiplica a diferena entre duas entradas por um valor constante (o ganho diferencial).
O transistor bipolar de junes (TBJ) foi o primeiro dispositivo de semicondutor
desenvolvido tecnologicamente capaz de amplificao de potncia. O seu princpio de
funcionamento baseia-se no comportamento da juno p-n. Nomeadamente, as correntes no
dispositivo podem ser modalizadas em termos da evoluo das densidades dos portadores
minoritrios junto regio de transio.
Este experimento tem por objetivo a verificao prtica de um circuito amplificador
diferencial usado largamente em diversas reas da engenharia eletrnica. Nas experincias
que aqui iremos discutir foram montadas dois tipos de configuraes usando transistores do
tipo TBJ, os quais iremos primeiramente fazer uma fundamentao terica e em seguida
expor os materiais e mtodos utilizados durante as experincias assim como discutir os
resultados tericos e prticos.
FUNDAMENTAO TERICA
1. AMPLIFICADORES
O uso de amplificadores operacionais (Amp Ops) com realimentao negativa permite
realizar montagens amplificadoras muito versteis e, particularmente, com ganho muito
estabilizado. Realmente, hoje em dia, os amplificadores que se usam so praticamente sempre
com realimentao.
Das montagens bsicas, a montagem de emissor comum (EC) com BJT (ou de fonte
comum (FC) com FET) que permite obter um mais elevado ganho de tenso, simultaneamente
com um Ri no muito baixo.
Assim, poder-se-ia realizar o amplificador de cima, com um s transistor, como
indicado na Figura 1. As resistncias R2 e R1 so as que definem o ganho. Por anlise direta,
fcil verificar que se obtm um ganho V0 / Vi -9,1, razoavelmente prximo de R2/R1 = 10.
Contudo, notrio que a montagem EC, por si s, no tem condies para poder
realizar satisfatoriamente as caractersticas do AmpOp. Por exemplo, no tem entrada
diferencial (logo, no serve para implementar a montagem no inversora), tem resistncia de
entrada relativamente baixa e resistncia de sada elevada (Ri r e R0 100 k // 10 k).
[1]
i C1, 2
1 e
vd
Equao 1
VT
gm
IC
VT
Equao 2
Obtendo
Equao 3
atravs de,
re
VT
IE gm
Equao 4
10
Calculando a resistncia r .
gm
Equao 5
Ou,
r 1re
Equao 6
11
12
EXPERINCIA
2. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM TBJs.
2.1. MATERIAIS
2.2. METODOLOGIA
13
R1
R2
R3
Resistncia
Resistncia
Valor resultante
(Valor Comercial)
(Valor Medido)
da associao
10K
9,84K
10K
9,94K
10K
10K
10K
9,83K
10K
9,81K
4,98K
4,93K
14
(Valor Medido)
Q1
BC 546
364
Q2
BC 546
353
Q3
BC 546
388
Q4
BC 546
287
R5
V1
R4
10k
V3
R2
C1
100k
47uF
VOFF = 0
VAMPL = 100 mV
FREQ = 10kHz
15V
10k
Q2
Q3
Q2N3904
Q2N3904
R6
R3
100k
R7
100k
R9
V2
150 Ohms
150 Ohms
15,7V
R1
7,35k
Q4
Q1
0
Q2N3904
Q2N3904
15
100mV pico a pico, com frequncia de 10KH no circuito da Figura 7. Com o auxlio do
osciloscpio verificou-se os valores das tenses de pico em cada um dos coletores dos TBJs
que compem o par diferencial.
Depois de montado o circuito, partiu-se para a etapa das medies para a confirmao
dos resultados calculados e novos valores. Os resultados dos parmetros encontrados sero
apresentados e discutidos no prximo tpico.
16
Q1
Q1
Q3
Q4
8,24
0,64
3,45
12,34
8,85
8,93
0,63
0,63
Tenso (V) no
Coletor
Emissor
Q 4 e Q1 .
Utilizando a Equao 7.
Vcc VC1
R2
Equao 7
9 1,36
4,9 K
Equao 8
I C1 1,534 mA
Equao 9
I C1
I C1
Calculando I C 2 .
Vcc VC 2
R3
Equao 10
I C 2 1,125 mA
Equao 11
IC2
Calculando I C 3 .
I C3
9 8,3
10K
I C 3 1,73mA
Equao 12
Equao 13
17
Transistor
Q1
1,76
1,73
Q2
2,41
2,39
Q3
1,54
1,534
Q4
1,12
1,125
g m ,
gm
I C I C1 I C 2
VT
VT
Equao 14
gm
1,534 1,125mA
25mV
Equao 15
g m 0,1063 AV
Equao 16
1,54 1,12mA
25mV
g m 0,1064 AV
Equao 17
Equao 18
18
Transistor
(Valor Medido)
Q1
364
0,9973
Q2
353
0,9972
Q3
388
0,9974
Q4
287
0,9965
Utilizando os valores de
Valores calculados de
Transistor
re
(Valor Medido)
Q1
9,373
Q2
9,372
Q3
9,374
Q4
9,366
re (Valor Calculado)
9,376
9,375
9,377
9,369
Utilizando os valores tantos medidos como calculados da transcondutncia, obtiveramse os valores da resistncia r . A Tabela 7 mostra os valores encontrados para resistncia r
.
Tabela 7. Valores da resistncia r .
Transistor
r (Valor Medido)
r (Valor Calculado)
Q1
3,42K
3,42K
Q2
3,32K
3,318K
19
Q3
3,65K
3,64K
Q4
2,71K
2,69K
Coletor de
Q1
1,17
1,12
Q3
1,17
1,12
Q4
1,16
Nas Figuras 10, 11 e 12 tm-se as tenses de pico a pico dos transistores na pratica.
20
21
Tambm colheram-se os valores da tenso de sada vin1 e vin 2 nas bases dos TBJs Q3
e Q4 , atravs da simulao utilizando Proteus 7.2. Obteve-se vin1 1V e vin 2 1V , na Figura
13 tem-se o sinal em forma de onda senoidal de vin1 e na Figura 14 de vin 2 , ambos
demonstrado no osciloscpio virtual.
22
Q3
e Q4 .
Na Figura 16, tem-se a tenso de pico nos coletores de Q1 (onda amarela) e Q2 (onda
azul).
23
CONCLUSO
24
REFERNCIAS
25
Disponvel
em:
<http://liraeletronica.weebly.com/uploads/4/9/3/5/4935509/eletronica_experimento_guia_2_2
011_2.pdf>. Acesso em: 02 de abril de 2013.
[5]
LOBO,
Aniela
Oliva
P.
Amplificadores
Operacionais.
Disponvel
em:
Acesso
26