Captulo 2 .

- Fundamentos fsicos de
la transformacin fotovoltaica1

OBJETIVO
- Dar a conocer los principios bsicos que rigen el movimiento de cargas elctricas en los
conductores y semiconductores para la conversin de la energa solar en energa elctrica.

En este captulo se repasarn unos breves conceptos sobre electricidad y estructura de la

materia, necesarios para comprender el funcionamiento de las clulas solares fotovoltaicas.

2.1. La corriente elctrica

Las cargas elctricas positivas tienden a moverse de los puntos de mayor a
menor potencial. Por lo tanto, al unir dos conductores que estn a diferente
potencial, se producir un movimiento de cargas positivas del polo positivo o de
mayor potencial, al negativo, cuyo potencial es menor. Este movimiento de
cargas se denomina corriente elctrica.
Se puede definir el concepto de diferencia de potencial como el trabajo
necesario para llevar una unidad de carga positiva entre dos puntos. La unidad
de diferencia de potencial es el voltio (V).
En los metales, la corriente elctrica se basa en la presencia de electrones
"libres", es decir, cargas negativas. Normalmente, dichos electrones se mueven
entre los tomos del metal de una manera desordenada, pero al establecerse
la diferencia de potencial, se ven obligados a desplazarse en una determinada
direccin, dando lugar a la corriente elctrica (figura 2.1).

Figura 2.1: Sentido de los electrones y de la corriente.

Los electrones se mueven del polo negativo al positivo. Sin embargo, por
convenio, se establece que la corriente elctrica va del polo positivo al
negativo, igual que si estuviese formada por cargas positivas1.

Histricamente, la corriente elctrica se defini como un flujo de cargas positivas y se fij el

sentido convencional de circulacin de la corriente desde el polo positivo al negativo. Sin
embargo, posteriormente se observ, gracias al efecto Hall, que en los metales los portadores
de carga son negativos (electrones), los cuales fluyen en sentido contrario al convencional.

2.1.1. Corriente continua y alterna

La corriente continua es la que circula siempre en un mismo sentido. Es el tipo

de corriente que producen las pilas o acumuladores en una parte del circuito
elctrico del automvil, o despus de haber sido transformada en el interior de
los equipos electrnicos.
Por otro lado, en las centrales elctricas para la produccin de electricidad se
produce la corriente en forma alterna senoidal a una tensin y frecuencia
determinadas, por sus ventajas en la transmisin de potencia. En gran parte de
Europa y algunos pases de Amrica del Sur, la corriente alterna es de 220 V a
una frecuencia de 50 Herzios (Hz), mientras que en pases como Mxico o
EE.UU es de 120 V/60 Hz.
La frecuencia es el nmero de ciclos que se producen en un segundo,
completndose un ciclo cuando se vuelve a repetir la seal con el mismo valor
y sentido de la corriente. Cada ciclo se compone de un semiciclo positivo y de
otro negativo. De esta manera, 50 Hz significan que se producen cincuenta
ciclos y cien cambios de sentido de la corriente por segundo (figura 2.2).

Figura 2.2: Ilustracin de una onda senoidal y de la corriente continua en un osciloscopio.

2.1.2. Intensidad de la corriente elctrica

Todos los efectos de la corriente elctrica estn relacionados con su

intensidad. La intensidad de una corriente elctrica se mide en amperios (A), y
se define como la cantidad de electricidad que pasa en cada segundo por una
seccin del conductor.

donde:
I= intensidad o carga que atraviesa la unidad de conductor en un segundo,
amperios (A).
Q= carga que atraviesa el conductor, culombios (C).
t= tiempo que tarda la carga en atravesar la unidad de conductor, segundos.

Figura 2.3: Circulacin de la corriente por un trozo de conductor.

2.1.3. Ley de Ohm

El enunciado de la ley de Ohm establece que la diferencia de potencial entre

los extremos de un conductor es directamente proporcional a la intensidad de
corriente que circula por l.

donde:
I= intensidad, amperios (A).
V1-V2= diferencia de potencial entre los puntos 1 y 2 del conductor, voltios (V).
R= carga resistiva, ohmios ()

2.1.4. Agrupacin de resistencias en serie y en paralelo

2.1.4.1. Circuito serie

Tal y como se ilustra en la figura 2.4, en un circuito serie las resistencias o

cargas estn colocadas una a continuacin de la otra. En esta situacin se
cumplen una serie de condiciones:
- La corriente que circula por cada una de las resistencias es la misma:
It = I1 = I2 = I3...
- La resistencia total es la suma de las resistencias parciales:
Rt = R1 + R2 + R3...
- La suma de las cadas de tensin en las resistencias es igual a la tensin
aplicada.
Vt = V1 + V2 + V3... donde V1 = I1 R1; V2 = I2 R2; V3 = I3 R3...

Figura 2.4: Circuito serie.

Un ejemplo son las pilas elctricas conectadas en serie que dan lugar a la
formacin de una batera elctrica. El terminal positivo de una pila elctrica se
conecta al terminal negativo de la pila siguiente, con lo cual entre los terminales
extremos de la asociacin se tiene una diferencia de potencial igual a la suma
de la de ambas pilas. La corriente que circula es igual a la corriente que circula
por cada uno de los terminales.

2.1.4.2. Circuito paralelo

Tal y como se ilustra en la figura 2.5, las resistencias estn colocadas en paralelo o
derivacin. Los terminales de entrada de todas las resistencias conectadas coinciden
entre s, lo mismo que sus terminales de salida. Las bombillas de iluminacin de una
casa forman un circuito en paralelo: si una bombilla se apaga, las dems siguen
encendidas.
Al igual que en el caso anterior, se cumplen una serie de condiciones:
- Si las resistencias son iguales, tanto la corriente que circula como la cada de tensin
en cada una de las resistencias es siempre la misma:
I1 = I2 = I3=...= In V1=V2=V3=...=Vn
Asimismo, la corriente total es igual a la suma de las intensidades que circulan por cada
una de ellas:
It = I1 + I2 + I3+...+ In
La resistencia total se obtiene dividiendo el valor de una de ellas por el nmero (n) de
las mismas: Rt=R/n.

Figura 2.5: Circuito paralelo de dos resistencias.

- Si las resistencias son de valores diferentes, la corriente que circula por cada una de
ellas es distinta; sin embargo, la cada de tensin individual es siempre la misma. La
corriente total sigue siendo la suma de todas las corrientes que circulan por cada una de
ellas.

En todo circuito paralelo se cumple que la resistencia total o equivalente es inferior al

valor de la mnima resistencia del circuito. Se calcula con la frmula:

Figura 2.6: Circuito paralelo de tres resistencias.

2.1.5. Potencia elctrica

La potencia elctrica entre dos puntos se enuncia como el producto de la

corriente por su cada de tensin (diferencia de potencial). La unidad de
potencia es el watt (W), y se define como la potencia consumida entre dos
puntos cuando al aplicarles una tensin de un voltio circula entre stos la
intensidad un amperio.

En consecuencia, la potencia total de un circuito serie viene dada por:

Si el circuito es en paralelo, la potencia total ser el producto de la tensin por

la intensidad total: Pt=VIt.

La intensidad de corriente que circula por un circuito se mide con un

ampermetro dispuesto siempre en serie con el circuito a medir. En el
caso de que se quiera medir tensin, se utilizar un voltmetro colocado
siempre en paralelo.

2.2. Estructura de la materia

El tomo es la menor partcula en que puede dividirse un elemento simple sin
que pierda sus propiedades qumicas. Los tomos estn constituidos por un
ncleo formado por protones (carga positiva) y neutrones (carga neutra). A su
alrededor giran, distribuidos en capas, y en distintos orbitales, un nmero de
electrones (carga negativa) igual al de protones.
Cada capa de un tomo puede contener un nmero mximo de electrones
determinado por la expresin 2n2, siendo n el nmero de la rbita. Una nueva
capa no se forma hasta que la anterior no se ha completado con el nmero de
electrones correspondiente.
Diremos que un tomo es estable cuando ste no interacta ni qumica ni
electricamente con otros tomos, y su capa exterior est completa o dispone al
menos de ocho electrones, en caso contrario se dice que es un tomo
qumicamente activo.

Los elementos se caracterizan por su diferente nmero y

disposicin de los electrones, protones y neutrones.

Cada tomo de un diferente elemento se diferencia del resto en el nmero y

disposicin de los electrones, protones y neutrones.

2.2.1. El enlace metlico: modelo de gas electrnico y modelo de

bandas

Un enlace metlico es un enlace qumico que mantiene unidos los tomos

(unin entre cationes y los electrones de valencia) de los metales entre s.
Existe en todos los metales puros y en la mayora de las aleaciones.
Existen dos modelos que explican la formacin del enlace metlico: modelo de
gas electrnico y modelo de las bandas.
2.2.1.1. Modelo de gas-electrnico

Este modelo considera a los metales como una red peridica tridimensional, en
la que existe un conjunto de iones positivos fuertemente empaquetados y
rodeados de un cierto nmero de electrones libres (electrones de valencia),
formando una especie de "nube electrnica". Estos electrones pueden
moverse, con relativa facilidad, a travs de todo el metal1 .
En la figura 2.7 se ilustra una representacin del modelo de gas electrnico.

Figura 2.7: Modelo de gas-electrnico.

Los "restos positivos" (tomos del metal sin sus electrones de valencia) estn
ordenados, mientras que los electrones de valencia se distribuyen
desordenadamente, sin estar asociados individualmente a ningn ion.
Segn dicha teora, los electrones estaran continuamente en movimiento
browniano, de forma que la corriente media sera nula. De esta manera, se
explicara la conductividad trmica y elctrica, y la ductilidad y maleabilidad de
los metales; sin embargo, el modelo es bastante inexacto a la hora de aplicarlo
a la realidad.

Morcillo, J. 1993. Temas Bsicos de Qumica. Pg. 143-144. Ed. Alhambra Universidad.
Madrid, Espaa.

2.2.1.2. Modelo de las bandas

Esta teora, basada en los orbitales moleculares, representa un modelo ms

elaborado para explicar la formacin del enlace metlico.
Propone que los electrones que constituyen un tomo tienen cuantificada su
energa, es decir, no puede haber dos electrones con los mismos nmeros
cunticos en un determinado nivel energtico (principio de exclusin de Pauli).

Por tanto, al unirse dos o ms tomos para formar una red cristalina, se
producen redistribuciones de los electrones para cumplir con este principio. En
este contexto, si para tomos individuales tiene sentido hablar de niveles de
energa permitidos para los electrones, en los cristales tendremos bandas de
energa permitidas para los electrones.
Cuando dos tomos se enlazan, los orbitales de la capa de valencia se
combinan para formar dos orbitales nuevos que pertenecen a toda la molcula,
uno que se denomina enlazante (de menor energa) y otro antienlazante (de
mayor energa). Si se combinasen 3 tomos se formaran 3 orbitales
moleculares, con una diferencia de energa entre ellos menor que en el caso
anterior. En general, cuando se combinan N orbitales, de otros tantos tomos,
se obtienen N orbitales moleculares de energa muy prxima entre s,
constituyendo lo que se llama una "banda".

El modelo de las bandas es un modelo explicativo del enlace metlico

desde el punto de vista energtico, y no del movimiento de electrones,
como en el modelo de gas-electrnico.

Se considera que los electrones no pertenecen exclusivamente a un tomo,

sino al conjunto metlico, pero adscritos a determinados niveles energticos,
que varan de forma discreta.
Una banda est constituida por niveles de energa muy prximos los unos a los
otros, de forma que se tendr qu proporcionar poca energa (trmica o
elctrica) para hacer pasar electrones a niveles energticos inmediatos.
Hay que aclarar que no todos los electrones participarn de igual manera en la
conduccin. En efecto, los que se hallan en la parte alta de la banda necesitan
menos energa para pasar a un determinado nivel energtico superior que los
de la parte inferior, que requieren ms energa para llegar a ese nivel,
participando menos (o nada) en la conduccin trmica y elctrica.
En consecuencia, desde el punto de vista energtico, nos interesarn los
electrones situados en las capas externas electrnicas, denominados
electrones de valencia.
Tal y como se ilustra en la figura 2.8, los electrones de valencia pueden
localizarse en la banda de valencia (BV) o bien en la banda de conduccin
(BC).
La banda de valencia constituye el conjunto de niveles energticos de los
electrones de valencia, que no participan en la conduccin. Estructuralmente,
dichos electrones pueden estar formando parte de enlaces covalentes; no

obstante, si se aporta la energa necesaria para romper estos enlaces, los

electrones podran saltar a la banda de conduccin.

Figura 2.8: Banda de valencia y banda de conduccin.

La banda de conduccin es el conjunto de niveles energticos de los

electrones de valencia que participan en la conduccin (trmica o elctrica).
La diferencia energtica entre el nivel superior de la BC y el inferior de la BV se
denomina energa de gap (EG) o banda prohibida. Segn el valor de EG, los
materiales pueden clasificarse en:
- Aislantes. Tienen un valor de energa de gap muy grande (algunos eV). No
hay posibilidad de que un electrn de la BV salte a la BC, por lo que no existir
conduccin (la BC estar "vaca"). A pesar de ello, con un aporte lo
suficientemente grande de energa, los materiales aislantes podrn ser dbiles
conductores.
- Conductores (metales). La energa de gap de estos materiales es pequea.
Las bandas BC y BV estn solapadas, de forma que casi todos los electrones
de valencia sern libres para la conduccin (la BC estar "llena").
- Semiconductores. Se caracterizan por tener una energa de gap no muy
elevada (aproximadamente 1 eV), en funcin de la temperatura a la que se
encuentre el material. Estas sustancias cobran una especial importancia en los
dispositivos electrnicos (caso del Si y el Ge), ya que se puede controlar el
comportamiento de estos materiales para hacerlos aislantes o conductores.

2.2.2. Los semiconductores

Tal y como se ha comentado en el prrafo inmediatamente anterior, estos

materiales se distinguen por tener una resistividad intermedia, con una banda

prohibida no muy ancha, que los distingue de las sustancias aislantes o

conductoras.
Los elementos semiconductores como el silicio (Si) o el germanio (Ge) tienen
cuatro electrones en su ltima capa, lo que hace que su cristalizacin se realice
mediante enlaces covalentes (figura 2.9).

En la estructura del silicio los electrones de valencia no estn libres, a

diferencia de los materiales conductores, sino formando enlaces
covalentes.

Figura 2.9: Estructura cristalina del silicio.

Este tipo de enlace es propio de los semiconductores, ya que los electrones

compartidos son los que hay que hacer saltar a la banda de conduccin para
las aplicaciones posteriores.
Todos los semiconductores son aislantes a 0 K, sin embargo, a temperatura
ambiente, algunos enlaces covalentes pueden romperse, haciendo posible el
paso de electrones a la banda de conduccin.

En el caso del silicio, es necesario proporcionar una energa de gap de

1,12 eV a temperatura ambiente para romper el enlace covalente.

En general, para hacer saltar electrones de la banda de valencia a la de

conduccin, se requiere un aporte energtico, ya sea calentando el material,
aplicando una diferencia de potencial o, en nuestro caso, iluminndolo, es
decir, haciendo incidir fotones de luz sobre los electrones para sacarlos de su
rbita.

2.2.2.1. Energa ptima de gap

En conclusin, se ha visto que los electrones estn normalmente ligados a los

tomos que constituyen la estructura slida de la materia, y que para circular
por el semiconductor hay que dotarlos de una energa suficiente como para
vencer la energa de la banda prohibida. Pues bien, esto es justamente lo que
realizan las partculas de luz o fotones.
En efecto, cada fotn es capaz de hacer subir un electrn desde la banda de
valencia hasta la de conduccin, dejando un hueco en su lugar. Si fusemos
capaces de canalizar la cada energtica que ms pronto o ms tarde tendra el
electrn, retornando de nuevo a la banda de valencia -haciendo desaparecer
otro hueco-, obtendramos una corriente aprovechable (figura 2.10).
Es obvio que para hacer saltar un electrn de la banda de valencia a la de
conduccin se necesita una energa superior a la de la zona prohibida: por ello,
si se quieren utilizar los fotones de luz solar como iniciadores, la energa de
gap debe ser ms pequea que la proporcionada por los fotones que
componen los rayos solares.
Normalmente, la energa de los fotones oscila entre lo 0,4 y 3 eV1, siendo la
energa de gap caracterstica de los materiales empleados. Por ejemplo, el
silicio tiene una banda prohibida de 1,12 eV, y el germanio de 0,67 eV.

Figura 2.10: Forma de aprovechamiento de la energa fotnica captada por un electrn en un

cristal.

No obstante, no sera conveniente escoger un material con una energa de gap

muy pequea, pues si bien es cierto que tendramos en la banda de
conduccin multitud de electrones dispuestos a volver a la banda de valencia,
la energa retornada por cada uno sera del orden de la energa de gap, para
cualquier energa del fotn incidente causante del salto. Anlogamente,
tampoco sera adecuado escoger un material con una banda prohibida elevada,
pues en este caso tendramos un retorno de los electrones bastante energtico,
pero pobre en cantidad.
En realidad, existe una energa de gap ptima para la conversin fotovoltaica
cifrada en los 1,5 eV, a la que los semiconductores, como es el caso del silicio,
deben aproximarse.

Un electron-volt es la energa que adquiere un electrn al saltar bajo la diferencia de potencial

de 1 voltio.

2.2.2.2. Produccin de pares electrn-hueco

Cuando se rompe un enlace covalente, uno de los dos electrones compartidos

en el enlace queda libre, dejando un hueco en el lugar que ocupaba. Se define
como hueco, la ausencia de carga en una posicin del tomo en que debera
existir. A esta ausencia de carga se le da, por convenio, el signo positivo.
El hueco puede ser ocupado, a su vez, por otro electrn cercano, dejando ste
ltimo un nuevo hueco en la BV, y as sucesivamente. Por tanto, se producen
continuas generaciones de pares electrn-hueco y recombinaciones (cuando
un electrn llena un hueco), que dan lugar a una corriente de electrones en un
sentido, y de huecos, en el sentido contrario.
Asimismo, hay que aclarar que no slo los electrones libres contribuyen a la
conductividad, sino que tambin lo hacen los huecos.

Los huecos equivalen a cargas positivas libres en la BV. Por tanto,

puede afirmarse que la BV es para los huecos lo que la BC es para los
electrones libres.

Con el fin de aclarar un poco el concepto de hueco y la connotacin de su

carga positiva, se emplear el siguiente smil (figura 2.11):

Supngase un grupo de corredores en formacin (a). Si el primer corredor sale

de la formacin, en sta se genera un hueco (b). El segundo de la fila, al darse
cuenta, recupera la posicin dejada por su compaero, desplazndose el
hueco hacia atrs (c). Los gimnastas que se encuentran por detrs irn
sucesivamente ocupando la posicin dejada por los anteriores, con lo que el
hueco se ir desplazando a un lugar posterior, hasta llegar a la ltima posicin
(e).
La comparacin se establece suponiendo la formacin como la red cristalina,
cada corredor como un electrn y el espacio dejado, como un hueco.

Figura 2.11: La corriente de huecos y de electrones tienen sentidos opuestos.

Si el primer gimnasta se incorpora de nuevo a la formacin, lo har en la

posicin del hueco; por lo tanto, puede decirse que, como el hueco atrae al
corredor, uno y otro son de cargas opuestas, y como el gimnasta era el
electrn, el hueco tiene carga positiva (+).

La conduccin en los semiconductores se realiza por portadores de

carga, pares electrn-hueco, de los que el primero es negativo y el
segundo es positivo.

2.2.2.3. Clases de semiconductores

Ya se ha comentado la importancia del silicio y del germanio en la fabricacin

de los semiconductores. Ahora bien, purificar un material al 100% requiere de
procesos muy costosos, lo que supone utilizar materiales con muchas
impurezas.
Segn la cantidad de impurezas1 que presente el material, los semiconductores
se pueden clasificar en intrnsecos y extrnsecos.
Semiconductores intrnsecos

Prcticamente carecen de impurezas, ya que se encuentra un tomo de

impureza por cada 1011 tomos de semiconductor.
La conduccin en estos materiales se realiza por pares electrn-hueco
producidos por generacin trmica, de tal forma que cuanto ms grande sea el
calor, mayor ser la cantidad de portadores de carga libre, y menor su
resistividad.
En estas condiciones se cumple que el nmero de huecos es igual al nmero
de electrones e igual a la concentracin intrnseca.
Este tipo de semiconductores se emplea como elementos sensibles a la
temperatura, ya que a bajas temperaturas se comportan como materiales casi
aislantes, pues no hay portadores de carga. En cambio, a medida que crece la
temperatura, mayor es el nmero de pares generados y, en consecuencia,
tambin lo es la cantidad de electrones libres en la banda de conduccin.
Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el Si o Ge, se le aade un pequeo
porcentaje de tomos tri-valentes o penta-valentes, se transforma en un
semiconductor dopado, impuro o extrnseco. Normalmente, contienen un tomo
de impureza por cada 107 tomos de semiconductor.
La razn por la que deben tener tres o cinco electrones de valencia estriba en
la conveniencia de que falte o sobre un electrn para completar los enlaces
covalentes. En efecto, al tener portadores independientes de la generacin
trmica, la conductividad aumentar con el nmero de impurezas y, por tanto,
ser superior al caso intrnseco.
En consecuencia, este tipo de semiconductores se pueden subdividir en dos
tipos muy importantes: tipo n y tipo p.
En los semiconductores tipo n se introducen impurezas como el Sb, Bi, Ac, P
o As, que poseen cinco electrones de valencia. De esta forma, cuatro de estos
electrones se unirn uno a uno con los otros cuatro del Si, quedando un
electrn libre, que podr actuar como portador de carga negativa.

Figura 2.12: Estructura cristalina de un semiconductor tipo n.

Si la cantidad de impurezas es grande, el nmero de electrones libres por este

motivo, a temperatura ambiente, ser superior al de pares electrn-hueco
producidos por generacin trmica.

A las impurezas pentavalentes como el Sb se las denomina donadoras o

de tipo n, porque proporcionan electrones y quedan cargadas
positivamente debido a esta prdida.

El electrn libre podr extraerse con relativa facilidad de la accin de su ncleo,

ya que se encuentra muy cerca de la banda de conduccin del semiconductor
(figura 2.13 (a)).
A temperatura ambiente, el electrn se encuentra en la banda de conduccin,
y, por tanto, podr actuar como portador de carga negativa (figura 2.13 (b)).
En resumen, en los semiconductores tipo n, la generacin puede ser trmica
(pares electrn-hueco) o por impurezas (electrones). Asimismo, los portadores
mayoritarios sern los electrones y, los minoritarios, los huecos.

Figura 2.13: Principio de funcionamiento de un semiconductor extrnseco tipo n.

En los semiconductores tipo p, los tomos de impureza tienen tres electrones

de valencia (por ejemplo, In, Al, Be o Ga). A diferencia del caso anterior, los
cuatro tomos de semiconductor no podrn compartir todos sus electrones con
el tomo de impureza, ya que nicamente se podrn formar tres enlaces
covalentes, quedando el tomo semiconductor del cuarto enlace con un hueco
en ste, que podr ser llenado con los electrones de los tomos prximos
(figura 2.14).

Figura 2.14: Estructura cristalina de un semiconductor tipo p.

Si el nmero de impurezas es grande, existirn, a temperatura ambiente, ms

portadores huecos que pares electrn-hueco producidos por generacin
trmica.

A las impurezas trivalentes como el Al se las denomina aceptoras o de

tipo p, porque reciben electrones de los tomos del semiconductor y
quedan cargadas negativamente.

A temperatura ambiente, el hueco ya no se encontrar localizado en el tomo

de impureza, sino que ser libre en el cristal y se utilizar como portador de
carga en la conduccin.
En resumen, en los semiconductores tipo p, la generacin puede ser trmica
(pares electrn-hueco) o por impurezas (huecos). Asimismo, los portadores
mayoritarios sern los huecos y, los minoritarios, los electrones.

Figura 2.15: Principio de funcionamiento de un semiconductor extrnseco tipo p.

Ley de accin de masas

Se ha observado que al aadir impurezas tipo n disminuye el nmero de
huecos. Asimismo, al aadir impurezas tipo p, la concentracin de electrones
libres cae a un valor inferior a la del semiconductor intrnseco. Un anlisis
terico revelar que en condiciones de equilibrio trmico, el producto de la
concentracin de cargas positivas y negativas libres es una constante
independiente de la cantidad de donador o aceptador.
Esta ecuacin se conoce como ley de accin de masas:

donde:
n: concentracin de cargas negativas libres, e-/cm3.
p: concentracin de cargas positivas libres, huecos/cm3.
ni: concentracin intrnseca, funcin de la temperatura, cm -3.
Adems de la ley de accin de masas, en todo semiconductor dopado se
deber cumplir la ley de neutralidad elctrica:

donde:
ND= concentracin de iones positivos (tomos donadores), tomos/cm 3.
NA= concentracin de iones negativos (tomos aceptores), tomos/cm3.

La diferencia fundamental entre un metal y un semiconductor consiste

en que el primero es unipolar, es decir, conduce la corriente mediante
cargas de un solo signo (electrones); mientras que el semiconductor es
bipolar, pues contiene dos "partculas" portadoras de carga de signos
opuestos (electrones y huecos).

Es importante destacar que el transporte de cargas en un semiconductor

(electrones o huecos) puede darse gracias a un gradiente de concentracin
(difusin), o bien por desplazamiento de los portadores en un campo elctrico
(conduccin). sta ltima es la nica forma en que puede darse la corriente en
los metales.

Se entiende la presencia de otros tomos de naturaleza diferente.

2.2.2.4. La unin p-n

Una unin p-n es la unin de dos semiconductores, uno de tipo p y otro de tipo
n. Esta combinacin posee las propiedades de un rectificador, ya que slo deja
pasar la intensidad en un sentido.

Una clula fotovoltaica est constituida por una unin p-n, a la que se le
han aadido unos electrodos que permiten el paso de la corriente,
provocada por los fotones de luz incidentes sobre el material.

En el cristal tipo n se tendrn electrones libres e igual nmero de tomos

donadores. De la misma forma, en el cristal tipo p, habr huecos y aniones
(aceptores). Ambos cristales tienen carga neutra (figura 2.16).

Figura 2.16: Estructura de un cristal tipo p y de uno tipo n.

Si se efecta la unin en circuito abierto, los electrones del cristal n pasarn al

del tipo p con el fin de llenar los huecos existentes. Asimismo, se producir una
corriente de difusin de huecos en sentido contrario debido al gradiente de
concentracin. En la zona intermedia se crear una regin en la cual no
existirn portadores de carga (ni huecos ni electrones). Este espacio se
denomina zona de difusin (figura 2.17).

Figura 2.17: Zona de difusin creada tras la recombinacin.

Una vez alcanzado el equilibrio, en el semiconductor tipo p existe una mayor

concentracin de cargas elctricas negativas, debidas al predominio de iones
de este signo existentes en la unin; dichas cargas no estn compensadas
ahora por los huecos, ya que stos se han recombinado con los electrones que
se difundieron desde la regin n.
Por razones semejantes, el semiconductor tipo n habr adquirido una mayor
concentracin de cargas positivas, ya que en l predominan los iones positivos
en la zona de unin, lo que equivale a que la unin se pueda suponer como
una pila de unos 0,2 V o 0,6 V, segn sea un diodo 1 de germanio o de silicio,
respectivamente.
Esta tensin constituye la denominada tensin umbral, y es aquel valor por
debajo del cual la corriente es muy pequea (inferior al 1% del valor nominal
mximo), subiendo con rapidez a medida que la tensin se aleja de dicho valor
umbral (figura 2.18).

El campo elctrico creado por esta diferencia de potencial impide, en el

equilibrio, el paso de electrones de la zona n a la p, y de huecos de la regin p
a la n. Sin embargo, los portadores minoritarios de cada zona s podrn pasar
fcilmente al otro lado, donde son mayoritarios. Este hecho afectar a todos los
portadores generados a corta distancia de la unin p-n, ya que dicho trnsito se
pierde a medida que nos alejamos de esta zona.

Figura 2.18: Caracterstica directa tensin-corriente de un diodo de germanio (1 N 3666) y otro

de silicio (1 N 4153) a 25 C.

Si se hace incidir luz sobre el semiconductor, parte de los fotones que penetran
en el material son capaces de comunicar una energa suficiente como para
romper los enlaces, creando pares electrn-hueco, y provocando un flujo de
electrones en el interior del material. Al cerrar el circuito entre las dos regiones
de la unin, aparecer una corriente elctrica que atravesar la barrera de
potencial de una forma directa e inmediata (efecto fotovoltaico).

Figura 2.19: Circulacin de la corriente a travs de una carga resistiva externa.

Un diodo es una unin p-n en la que se han aadido unos electrodos metlicos, con el fin de
hacer accesibles las zonas p y n. En un diodo en circuito abierto, el nodo (conectado a la zona
p) y el ctodo (conectado a la zona n) deben estar al mismo potencial, pues de lo contrario, al

conectarlos en cortocircuito, circulara una intensidad y se disipara calor: es del todo imposible
que al cortocircuitar un dispositivo pasivo se genere energa trmica.