Cap 5

Departamento de Ingeniera Elctrica
543241 Dispositivos Semiconductores - Prof. Andrs Lagos
Contenido del curso

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Principios fsicos
Juntura p-n / Dodo a juntura
Transistor bipolar
Tiristor
Transistor a efecto de campo MOS
Transistor a efecto de campo a juntura
LEDS y lasers a semiconductor
Fotodetectores
Clulas solares fotovoltaicas
Prof. Andrs Lagos - 2 semestre 2011
Captulo 5 - Transistor a efecto de campo MOS

5.1
5.2
5.3
5.4
Introduccin
Contactos metal-semiconductor
Dodo MIS (metal-insulator-semiconductor)
Caractersticas principales del MOSFET
5.1
Introduccin
(Cap. 5: Transistor MOS)
El transistor MOS (metal-oxide-semiconductor), tambin llamado MOSFET

(metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor) es de lejos el dispositivo
electrnico ms importante en microelectrnica, principalmente en integracin a gran escala, encontrndose por millones en memorias y microprocesadores. Su principio de operacin fue propuesto en los aos 1930 por
Lilienfeld y Heil, pero el desarrollo de la tecnologa de fabricacin y la fsica
del dispositivo fueron propuestos en los aos 1960 por Wallmark y otros.
El transistor MOS pertenece a la familia de los dispositivos a efecto de campo,
junto al JFET y al MESFET, que sern estudiados ms adelante.
Dentro de los materiales empleados en su fabricacin, el ms conocido y utilizado por dcadas es el silicio, y su derivado directo, el xido SiO2, ste ltimo
pudindose obtener fcilmente.
La evolucin permanente de las tecnologas de fabricacin permite comercializar circuitos MOS cada vez ms densos.
5.1
Introduccin
Densidad de integracin
La evolucin de las tecnologas de fabricacin han
dado como resultado una
densidad de integracin
creciente a travs de los
aos. De hecho, la prediccin de Moore, hecha
en 1965, se ha ido cumpliendo inexorablemente:
el nmero de transistores
en un chip se duplicar
aproximadamente cada
dos aos.
(Gordon Moore, co-fundador
de Intel Corp.)
5.2
La comprensin fsica del contacto metal-semiconductor es de importancia vital

en el estudio del transistor a efecto de campo, ya que este contacto se emplea
como electrodo de puerta en MESFETs, como contacto de drain y source en MOSFETs, como electrodos para alta potencia en osciladores IMPATT.
Definiciones
Funcin trabajo es la diferencia de energa entre el nivel del vaco y el de Fermi.
Corresponde a qm para el metal, y a qm q( - Vn) para el semiconductor.
Afinidad del electrn, q, se mide entre la banda de conduccin y el vaco.
Potencial de contacto es la diferencia de potencial dada por qm q( - Vn) .
Vaco
Gap
q
qm
EC
E
qVn F
EV
CASO 1-A
qm
q
qBn
CASO 1-B
EC
EF
qm
EV
qBn = q(m-)
qVbi
q
EC
EF
qBn
EV
CASO 1-C
EC
EF
EV
CASO 1-D
5
5.2
Bandas de energa Condicin ideal y estados de superficie

Cuando un metal entra en contacto con un semiconductor, se formar una barrera
a la interface metal-semiconductor. Considrese la formacin de un contacto entre
una capa metlica y un semiconductor tipo n, en el caso extremo 1 de la figura.
Caso 1-A: Metal y semiconductor no estn en contacto, no hay equilibrio trmico.
Caso 1-B: Metal y semiconductor entran en contacto, la carga fluye del semiconductor hacia el metal, el equilibrio trmico se ha establecido, los niveles de
Fermi en ambos lados toman la misma lnea; ntese que en el lado semiconductor
el nivel de Fermi ha bajado (respecto del metal) en una cantidad que corresponde
a la diferencia entre las dos funciones de trabajo.
Vaco
Gap
q
qm
EC
E
qVn F
EV
CASO 1-A
qm
qBn
CASO 1-B
EC
EF
qm
EV
qBn = q(m-)
qVbi
q
EC
EF
qBn
EV
CASO 1-C
EC
EF
EV
CASO 1-D
5.2
Caso 1-C: A medida que disminuye, carga negativa se acumula a la superficie

del metal, y la correspondiente carga positiva en el semiconductor.
Caso 1-D: La distancia es ahora pequesima, de modo que el gap se hace transparente a los electrones, obtenindose el caso lmite en el que la altura de la barrera qBn est dada por qBn = q(m - ), que es la diferencia entre la funcin
trabajo del metal y la afinidad del semiconductor. Tratndose de un semiconductor tipo p, la altura de la barrera qBp est dada por qBp = Eg q(m ). Por extensin, en un semiconductor p-n y metalizacin dada, la suma de las alturas de
las barreras lado n y lado p ser igual a la banda prohibida :
Eg = q(Bn + Bp)
Vaco
Gap
q
qm
EC
E
qVn F
EV
CASO 1-A
qm
qBn
CASO 1-B
EC
EF
qm
EV
qBn = q(m-)
qVbi
q
EC
EF
qBn
EV
CASO 1-C
EC
EF
EV
CASO 1-D
5.2
El caso extremo 2 se trata a continuacin. Aqu existe una alta densidad de

estados de superficie a la superficie del semiconductor.
Caso 2-A: hay equilibrio entre estados de superficie y substrato, pero no lo hay
entre metal y semiconductor; los estados de superficie ocupan EF.
Caso 2-B: hay equilibrio metal-semiconductor; el nivel de Fermi cae en valor
equivalente al potencial de contacto; un campo elctrico se crea en el gap.
Casos 2-C y D: la altura de la barrera depende de la propiedad de la superficie
del semiconductor e independiente de la funcin trabajo del metal.
Vaco q
Gap
qm
qBn
EC
EF
qm
qBn
EV
CASO 2-A
CASO 2-B
qBn
qBn
q
EC
EF
qm
EC
EF
qVbi
EV
EV
EV
CASO 2-C
EC
EF
CASO 2-D
8
5.2
Capa de deplecin
Los diagramas de bandas de
energa del sistema metal-semiconductor (tipo n y tipo p) para
tres condiciones de polarizacin
se muestran en la figura.
Asumiendo condicin abrupta
(para x < W, qND, y para x > W,
0 y dV/dx 0), el ancho de deplecin es similar al de la juntura
p+-n unilateral (escaln):
Equilibrio
Polarizacin directa
W = ((2s/qND)(Vbi V kT/q)
|(x)| = (qND/s)(Wx) = m qxND/s
Polarizacin inversa
9
5.2
Capa de deplecin
V(x) = (qND/s)(Wx x2) Bn
El campo elctrico mximo m, la carga espacial Qsc y la capacidad de deplecin C:
m = (x=0) = 2(Vbi V kT/q)/W

Qsc = qNDW = 2qsND(Vbi V kT/q)
C (|Qsc|/V) = (qsND)/2(Vbi V kT/q) = s/W
C/cm2
F/cm2
Esta ltima expresin puede escribirse como 1/C2 = 2(Vbi V kT/q)/qsND o bien,
-d(1/C2)/dV = 2/qsND de donde,
ND = (2/qs){-1/d(1/C2)/dV}
10
5.2
Efecto Schottky
Cuando un electrn se encuentra a la distancia x de un metal, una carga positiva ser inducida en la superficie del metal. La fuerza de atraccin entre el
electrn y la carga inducida positiva es equivalente a la fuerza que debiera existir entre el electrn y una carga igualmente positiva ubicada a la distancia x.
Dicha carga positiva se denomina carga imagen. La fuerza de atraccin, o fuerza
imagen, est dada por:
F = -q2/{4(2x)2o} = -q2/{16ox2}
con o la permitividad del vaco
Funcin trabajo (bis)

Considrese un sistema metal-vaco. La energa mnima necesaria que requiere
un electrn, situado en la banda del nivel de Fermi, para pasar al vaco, se denomina funcin trabajo qm. Algunos valores de qm en eV son, 4.4 para el Al,
4.7 para el Mo, 4.5 para el Cr.
11
5.2
Efecto Schottky
El trabajo efectuado por el electrn para ir del infinito hasta x es la integral de
Fdx, lo que da E(x) = q2/(16ox), energa potencial del electrn a la distancia
x de la superficie del metal, segn se
puede apreciar en la figura. Aplicando
un campo externo , la energa potl:
PE(x) = q2/(16ox) + qx
La reduccin de la barrera (efecto Schottky) est caracterizada por d[PE(x)]/dx = 0
y tiene como coordenadas y xm :
= q/4o = 2xm (V)
con xm = q/(16o)
(cm)
12
5.2
Efecto Schottky
Con un campo elctrico de 105 V/cm, xm = 60 y = 0.12V
Con un campo elctrico de 107 V/cm, xm = 10 y = 1.2V
As pues, con campo elctrico intenso, la barrera disminuye considerablemente,
y la funcin trabajo efectiva de emisin termoinica qB tambin se reduce.
Estos resultados pueden aplicarse directamente a un sistema metal-semiconductor, reemplazando o por s:
= [q/(4s)]1/2
El efecto Schottky en un semiconductor tipo n recubierto de una capa metlica para varias condiciones de polarizacin se muestra en el diagrama.
Ntese que el valor de qBn depender del valor de la tensin de polarizacin V.
13
5.2
Mecanismos de transporte de corriente

En contactos metal-semiconductor el mecanismo de transporte es debido al
movimiento de mayoritarios, en contraposicin de lo que ocurre en una juntura
p-n en la que los minoritarios juegan el rol principal.
Al polarizar el contacto en sentido directo, pueden existir cuatro procesos
de transporte, segn la figura:
a) Transporte de electrones desde el
semiconductor a travs de la barrera hasta alcanzar la capa metlica
b) Tuneling de electrones a travs de
la barrera
c) Recombinacin en la zona de deplecin
d) Inyeccin de huecos desde el metal hasta el semiconductor
14
5.2
Mecanismos de transporte de corriente Transporte de electrones

Basados en estudios sobre la emisin termoinica, por una parte, y la teora
de la difusin, por otra, se ha logrado establecer un modelo que describe la
caracterstica J-V en un sistema metal-semiconductor:
J = Js (exp qV/kT - 1)
con Js = A**T2 exp(-qBn/kT)
donde A** = fpfQ A*/(1 + fpfQvR/vD) conocida como la constante de Richardson

fp es la probabilidad de emisin electrnica para un potencial dado
fQ es el cociente entre el flujo total de corriente y la corriente neta cuando se
dejan de lado el tuneling y la reflexin
vR es la velocidad efectiva de recombinacin
vD es la velocidad efectiva de difusin
Se ha establecido que a 300K y con 104-105 V/cm, el mecanismo de transporte

de corriente en barreras Schottky (Si, Ge, GaAs) es debida a termoemisin de portadores mayoritarios. Prof. Andrs Lagos - 2 semestre 2011
15
5.2
Mecanismos de transporte de corriente Corriente de tneling
Jt exp(-Bn/Eoo) donde
Eoo (q/2) ND/sm*

De modo que la corriente de tneling crece
exponencialmente con ND .
El grfico muestra el cociente entre la corriente de tneling y la corriente termoinica
en una barrera Au-Si, en funcin de T.
J tunel / J thermoionic
En semiconductores fuertemente dopados,

o cuando stos funcionan a bajas temperaturas, el efecto tnel predomina, y la corriente de tneling es:
T (K)
16
543241 Dispositivos Semiconductores - Prof. Andrs Lagos -
5.2
Para ND 1017 cm-3 y 300K, la componente

de tneling es insignificante, pero con dopajes elevados y baja T, el cociente es >> 1, lo
que indica que es la corriente de tuneling
la que domina.
Inyeccin de minoritarios
Siendo el dodo Schottky un dispositivo a
portadores mayoritarios bajo condiciones de
baja inyeccin, la inyeccin de minoritarios
puede ocurrir con tensin de polarizacin directa elevada; en tal circunstancia, la componente de desplazamiento llega a ser ms importante que la de corriente de difusin.
J tunel / J thermoionic
Mecanismos de transporte de corriente
T (K)
17
5.2
Mecanismos de transporte de corriente Inyeccin de minoritarios

Por ejemplo, en un dodo Au-Si tipo n con
ND = 1015 cm-3 y Js = 5 x 10-7 A/cm2, se estima que el factor de inyeccin es el 5%
de la densidad de corriente de 350 A/cm2.
El grfico muestra la relacin entre el coeficiente de inyeccin de minoritarios y la
densidad de corriente en el dispositivo,
en donde,
Jo qDnLD/L
y qDpni2/NDLJs
As que para reducir la inyeccin de minoritarios se debe emplear un sistema metalsemiconductor con ND elevada, gran Js
(altura de barrera pequea) y pequeo ni
(bandgap elevado)
18
5.2
Altura de la barrera
Las alturas de barrera en un sistema
metal-semiconductor estn determinadas por la funcin trabajo del metal y por los estados de superficie en
el semiconductor (los que son independientes del metal). El diagrama
de bandas detallado se muestra en la
figura.
El nivel de energa qo en la superficie
coincidi con el de Fermi antes de que
el contacto metal-semiconductor se
formara; era el nivel bajo el cual todos
los estados de energa haban sido llenados para asegurar neutralidad de
carga elctrica en la superficie.
19
5.2
La altura de barrera qBn es la que
debe ser remontada por los electroque fluyen del metal al semiconductor. El espesor de la capa de interface
es de slo unos pocos , por lo que
transparente a los electrones.
Sea un semiconductor con estados de
superficie aceptores cuya densidad es
Ds estados/cm2/eV, con Ds constante
entre qo y EF. Se trata de determinar
una expresin de Bn en funcin de m.
La densidad de la carga de los estados
de superficie Qss es:
20
5.2
Qss = -qDs(Eg qo qF q)
(C/cm2)
en donde q es la disminucin de la barrera Schottky. Por otro lado, la carga

espacial en la zona de deplecin en equilibrio trmico es:
Qsc = [2qsND(Bn Vn + kT/q)]1/2
(C/cm2)
La densidad de carga total en la superficie del semiconductor es la suma de las

dos expresiones precedentes. Pues bien, ocurre que una carga idntica y de
signo opuesto, QM, se desarrolla en la superficie del metal, y vale:
QM = -(Qss + Qsc)
El potencial elctrico a travs de la interface se obtiene aplicando la ley de

Gauss a la carga de superficie en el metal y en el semiconductor:
21
5.2
= - QM/i
con i la permitividad de la interface y su espesor. Del diagrama de bandas,

= m ( + Bn + )
Igualando estas dos relaciones se puede despejar QM y luego reemplazarla en
la ecuacin de la pgina precedente, lo que da:
(m ) (Bn ) = [(2qsND2/2i)(Bn + Vn kT/q)]1/2
- (qDs/i)(Eg qo qBn q)
La resolucin de esta ltima ecuacin es laboriosa, hacindose necesaria la
introduccin de variables intermedias y luego considerar casos extremos.
Es por ello que en estos apuntes slo se indica el resultado que se ha
22
5.2
obtenido para la altura de
la barrera Bn en funcin
de m, lo que ha sido confirmado por mediciones
experimentales para el
caso de un sistema metalsilicio tipo n:
Bn = 0.27m 0.55
El grfico representa resultados de las mediciones efectuadas en las
que se han caracterizado
diversos metales.
23
5.3
Dodo MIS
Antes de analizar el transistor MOS, se estudiarn ciertas propiedades de la

estructura MIS (o dodo MIS) ya que de su conocimiento se podrn aplicar
resultados en el estudio del primero. La comprensin de este dispositivo
tambin ser til para comprender el CCD (charge-coupled-device).
La figura muestra la estructura MIS de
V
base en la que d es el espesor del xido
Metal
Aislante
d
aislante y V es la tensin aplicada a la
placa metlica.
Semiconductor
El diagrama de bandas de energa para
el dodo MIS ideal se muestra en la pgiContacto hmico
na siguiente, para semiconductor n y p
respectivamente. Un dodo MIS es ideal si
para V=0, la diferencia entre la funcin trabajo del metal m y la del semiconductor vale 0:
ms = m ( + Eg/2q B) = 0
ms = m ( + Eg/2q + B) = 0
semiconductor tipo n
semiconductor tipo p
24
5.3 Dodo MIS
en donde m es la funcin trabajo del metal, la afinidad electrnica del semiconductor, i la afinidad electrnica del aislante, Eg la energa de la banda prohibida, B la barrera de potencial entre metal y aislante, y B la diferencia de
potencial entre EF y Ei.
qi
Nivel del vaco
qm
qB
Eg/2
EF
qB
Metal
EC
EF
Ei
Semiconductor
SEMICONDUCTOR TIPO n
EC
Eg/2
qB
EF
EV
d
Aislante
Nivel del vaco
qm
qB
qi
Ei
EF
EV
d
Metal
Aislante
Semiconductor
SEMICONDUCTOR TIPO P
25
5.3 Dodo MIS
Del resultado anterior se deduce que cuando V = 0 las bandas son planas. Por
lo dems, las slas cargas que pueden existir en la estructura bajo cualquier
condicin de polarizacin son las contenidas en el semiconductor, y sus
equivalentes, con signo opuesto, en la superficie de la placa metlica.
Agrguese a lo anterior que no hay flujo de portadores en el semiconductor al
polarizarlo.
El estudio del dodo MIS ideal es muy til para comprender el funcionamiento
de estructuras MIS reales.
Funcin trabajo es la energa necesaria para mover un electrn del nivel de

Fermi hasta el infinito.
Afinidad electrnica de una molcula o tomo es la energa necesaria para
agregar un electrn y as formar una carga negativa.
26
5.3
Dodo MIS
Al polarizar el dodo MIS con V 0, se

pueden presentar tres casos: acumulacin, deplecin e inversin, cuyas
representaciones grficas se muestran
en la figura, y que sern descritos a
continuacin (semiconductor tipo p).
a) V < 0: la parte superior de la banda
de valencia se pliega hacia el nivel
de Fermi, el que se mantiene
constante; el pliegue de bandas
causa acumulacin de huecos
cerca de la superficie.
b) V > 0 (valores moderados): la
banda se pliega ligeramente hacia
abajo y hay deplecin de huecos en
la superficie.
Tipo p
Tipo n
27
5.3
Dodo MIS
c) V > 0: el pliegue de bandas hacia abajo es an ms importante, y el nivel

intrnseco Ei cruza EF. La cantidad de electrones en la superficie (minoritarios) es mayor que la de huecos, causando inversin. Un anlisis similar se
puede efectuar para el caso del semiconductor tipo n.
Relaciones entre potencial en superficie, carga espacial y campo elctrico
En el diagrama de la figura, el potencial
= 0 en el substrato del semiconductor,
medido c/r a Ei. En la superficie, = s,
potencial en superficie. Las concentraciones de electrones y de huecos en
funcin de son:
np = npo exp (q/kT) = npo exp ()
pp = ppo exp (-q/kT) = ppo exp (-)
es positivo cuando el pliegue es hacia
abajo. Se define q/kT
28
5.3
Dodo MIS
Las densidades de electrones y de huecos en la superficie valen:

ns = npo exp (s)
ps = ppo exp (-s)
Lo ya visto se puede resumir as:
s < 0
acumulacin de huecos
B > s > 0 deplecin de huecos
s > B
inversin
s = 0 banda plana (flat band)

s = B midgap (ns = ps = ni)
Aplicando Poisson en una dimensin se obtiene en funcin de la distancia:

d2/dx2 = -(x)/s
con s la permitividad del semiconductor y (x) la densidad total de carga:
(x) = q(N+D N-A + pp np)
29
5.3 Dodo MIS
Las densidades de donadores y aceptores ionizados estn representadas

por N+D y N-A. En el substrato, lejos de la superficie, hay neutralidad de la
carga, entonces (x)= 0 y = 0, por lo que N+D N-A = npo ppo. En general,
para cualquier valor de se tiene que pp np = ppo exp(-) npo exp(), y
la ecuacin de Poisson correspondiente es:
2/x2 = -(q/s) [ppo {exp(-) 1} npo {exp() 1}]
Esta ecuacin es integrada desde el substrato hacia la superficie (lmites de
integracin entre 0 y ) dando como resultado una relacin entre el campo
elctrico ( -d/dx) y el potencial :
2 = (2kT/q)2 (q ppo/2s) [(exp(-) + 1) + (npo(ppo) (exp() 1)]

Al trmino LD kTs/ppoq2 s/q ppo se le llama longitud extrnseca de
Debye (para huecos)
30
5.3
Dodo MIS
Tambin se introduce por facilidad de anlisis la abreviacin siguiente:

F(, npo/ppo) *{exp(-) + 1} + (npo/ppo) {exp() - 1}]1/2 0
Ello permite simplificar la determinacin del campo elctrico, obtenindose:
= - /x = (2 kT/qLD) F(, npo/ppo)
si + > 0, si - < 0
El campo elctrico en la superficie, con = s ser:
s = (2 kT/qLD) F(s, npo/ppo)

En forma similar, la ley de Gauss se aplica para determinar la carga por unidad
de superficie que engendra el campo elctrico:
Qs = -ss = (2 skT/qLD) F(s, npo/ppo)
31
5.3
Dodo MIS
La cuantificacin del cambio en la densidad de huecos p y de electrones n,

requiere el clculo de las siguientes expresiones, en cm-2:
0
p = ppo {exp(-) 1} dx = (qppoLD/2 kT) {exp(-) 1}/F(, npo/ppo) d

0
n = npo {exp() 1} dx = (qnpoLD/2 kT) {exp() 1}/F(, npo/ppo) d

0
La capacidad diferencial de la capa de deplecin del semiconductor es, en F/cm-2:

CD Qs/s = (s/2 LD) [1 exp(-s) + (npo/ppo)(exp(s) 1)]/ F(s, npo/ppo)
El valor de la capacidad de difusin cuando las bandas son planas (s = 0) se
obtiene de la expansin en serie de la expresin precedente:
CD (flat-band) = s/LD (F/cm-2)

32
5.3
Dodo MIS
La figura muestra la evolucin

de la densidad de carga Qs en
funcin del potencial de superficie s en el caso de semiconductor tipo p con NA = 4 x 1015
cm-3 a 300K. Ntese que con
s negativo, Qs es positiva y corresponde al estado de acumulacin. Con s = 0 se tiene el
estado de bandas planas y
Qs = 0. Con B > s > 0, Qs es
negativa, correspondiendo a la
deplecin (la funcin F est dominada por el 2 trmino), y
Qs s1/2. Con s >> B, se tiene
inversin y Qs -exp(qs/2kT). La
fuerte inversin comienza cuando s inv 2B = 2kT/q ln(NA/ni)
33
5.3
Dodo MIS
La figura muestra el mismo diagrama

de bandas de pg. 10, y tambin incluye la distribucin de la carga elctrica,
del campo elctrico y del potencial. La
neutralidad de carga exige que:
QM = Qn + qNAW = Qs
con QM, carga por unidad de rea en el
metal; Qn, la de electrones en la regin
de inversin; qNAW son los aceptores
ionizados por unidad de rea en la regin de carga espacial cuyo ancho es W;
Qs, la carga total en el semiconductor.
Campo elctrico y potencial se calculan
integrando 2 veces la ecuacin de
Poisson.
34
5.3 Dodo MIS

La tensin aplicada V aparece
en parte en el aislante y en
parte en el silicio, V = Vi + s
La tensin Vi en el aislante
est dada por Vi = id =
|Qs|d/i lo que es |Qs|/Ci.
La capacidad total del sistema
es la combinacin en serie de
la capacidad del aislante, Ci =
i/d, y la de la capa de deplecin del semiconductor,
C = CiCD/(Ci + CD)
C/Ci
(F/cm2)
El valor de Ci es constante y representa la mxima capacidad del sistema.

CD depende de la tensin (pg. 33). La capacidad de bandas planas ser:
CFB(s=0) = i / {d + (i/s)LD}
35
5.3
Dodo MIS
Ancho de deplecin
En deplecin, el volumen de aceptores ionizados est dado por (-qNAW), con W,
ancho de deplecin. Integrando Poisson se obtiene la distribucin del potencial
en la regin de deplecin, = s (1 x/W)2 donde el potencial de superficie
s est dado por s = qNAW2/2s
Si V aumenta, s y W aumentarn tb
hasta aparicin de la fuerte inversin,
la que comienza cuando s = 2B; la
capa de inversin alcanza ah su mximo valor. Ms all de 2B no hay
ms penetracin de campo elctrico,
pues semiconductor protegido por la
capa de inversin. El valor de Wmax
se obtiene de sinv y de :
Wm {2ss(inv)}/qNA
= 4skTln(NA/ni)/(q2NA)
36
5.3 Dodo MIS
Tensin de umbral (Threshold voltage)

La tensin a la cual ocurre la fuerte inversin est dada por VT fi = Qs/Ci + 2B,
y puesto que cuando ocurre la fuerte inversin, Qs = qNAW, la tensin de umbral
(o threshold) es:
VT 2sqNA(2B) /Ci + 2B
La capacidad total correspondiente
vale:
Cmin i / {d + (i/s)Wm}
La figura muestra la curva de la capacidad en alta frecuencia.
37
5.4
La estructura de base de un MOSFET

se muestra en la figura. Se trata de un
dispositivo a cuatro terminales, fabricado a partir de un substrato semiconductor de tipo p en el que se han formado (por implantacin inica) dos
regiones n+, llamadas drain y source.
Un fino xido de silicio recubre el rea
que separa drain y source, y sobre dicho
xido se dispone un material conductor,
la puerta, o gate, fabricada en polisilicio fuertemente dopado. Parmetros
importantes son la longitud del canal L (distancia entre las dos junturas n+-p),
el ancho del canal Z, el espesor del xido de gate d, la profundidad de las junturas rj, y el dopaje del substrato NA. En lo que sigue, la source estar conectada a tierra. Con VG = 0, desde los electrodos source-drain se ven dos junturas
p-n conectadas espalda-espalda, siendo la corriente de fuga inversa la sla
corriente que pueda circular.
38
5.4
Al aplicar una tensin VG suficientemente positiva, una capa de inversin se

crea (en superficie) entre las dos regiones n+, dando lugar a un canal de conduccin por el cual una corriente puede
circular entre drain y source. La conductancia de este canal se modula haciendo
variar la tensin de puerta. El contacto
de substrato se conecta a tierra, o bien
se polariza (-), lo que a su vez afectar
la conductancia del canal.
Condicin de no-equilibrio
El no-equilibrio ocurre cuando se aplica una tensin entre drain y source, lo que
corresponde a descender el cuasi-nivel de Fermi de los minoritarios (electrones).
Las varias situaciones de polarizacin se muestran en las figuras b), c) y d) de la
pgina siguiente; la figura a) es la misma que la mostrada ms arriba, pero inclinada de 90.
39
5.4 Caractersticas principales del MOSFET

La figura b) corresponde a la situacin
de bandas planas (VG = VD = VBS = 0).
La figura c) corresponde a la situacin
de equilibrio en la que hay inversin
en la superficie causada por una ligera
polarizacin de la puerta. En la figura
d) se han polarizado la puerta y el drain,
creando el no-equilibrio; los quasi-niveles
de Fermi para huecos y electrones difieren entre ellos: el cuasi-nivel de Fermi de
huecos EFp se mantiene al nivel de Fermi
del substrato, pero el de electrones EFn
(minoritarios) ha descendido hacia el
contacto de drain. La tensin de puerta
necesaria para la inversin en el drain
es > que en el caso de equilibrio en el
40
que s (inv) = 2B, ello porque la tensin aplicada al drain disminuye el quasinivel de Fermi, y una capa de inversin puede formarse slo cuando el potencial en la superficie cruza el cuasi-nivel de Fermi de los minoritarios.
En la figura se comparan la distribuciones de la carga y la variacin de la
energa de bandas en una regin invertida para el caso de equilibrio (a)
y de no-equilibrio (b) en el drain.
En equilibrio, el ancho mximo de
la regin de deplecin Wm ocurre a
la inversin, pero fuera de equilibrio,
W vara con VD, y el potencial de superficie al iniciarse la fuerte inversin
se aproxima a:
s (inv) VD + 2B
41
5.4
Se trata ahora de derivar la expresin de la carga espacial en superficie bajo
condicin de no equilibrio; dicho procedimiento es similar al ya visto para
el dodo MIS, con la diferencia que n = npo exp( VD) y que ppo NA,
obtenindose los siguientes resultados para el campo elctrico y la carga:
= - /x = (2 kT/qLD) F(, VD, npo/ppo)

Qs = - ss = (2 skT/qLD) F(s, VD, npo/ppo)
F(, VD, npo/ppo) *e- + 1 + npo/ppo e-VD (e eVD 1)]1/2

La carga en superficie una vez ocurrida la fuerte inversin es Qs = Qn + QB con
QB = -qNAWm = - 2qNAs(VD + 2B)
Qn es la carga de los minoritarios en la capa de inversin dada por:

42
5.4
xi
|Qn| q n(x)dx = q n()d/(d/dx) o bien,

s
|Qn| = q npo exp( VD) d / {(2 kT/qLD)F(, VD, npo/ppo}

s
xi corresponde al punto de interseccin entre el nivel de Fermi intrnseco y el

cuasi-nivel de Fermi de electrones. En silicio, xi vara entre 30 y 300. Esta ltima
expresin constituye la base analtica del transistor MOSFET de canal largo.
Cuando existe fuerte inversin, la expresin de |Qn| se simplifica a:
|Qn| = {(2 qNALD) [{s + (npo/ppo) exp(s VD)}1/2 (s)1/2]
vlida si VBS = 0, pero si VBS 0, el trmino VD debe reemplazarse por (VD + VBS)
43
5.4
Regiones lineales y de saturacin

Sea la configuracin de la figura a):
puerta polarizada producindose inversin en la superficie del semiconductor.
Una pequea tensin aplicada al drain
hace fluir la corriente por el canal desde
la source hacia el drain, como en una
resistencia; ID es proporcional a VD, y se
habla de regin lineal.
Configuracin figura b): se aumenta VD
hasta que la profundidad del canal xi se
reduzca a cero (en el punto y = L, o punto de pinch-off); VD ha alcanzado el valor
de saturacin VDsat y la corriente ID no
44

crecer ms, mantenindose constante; es el inicio de la regin de
saturacin. Los portadores provenientes de la source tambin se
mantienen a flujo constante.
Aumentar VD ms all de VDsat no
producir otro efecto que el de reducir el largo efectivo del canal, L,
como se muestra en figura c).
45
5.4

Para derivar las caractersticas esenciales del MOSFET (*) se evala la carga
total inducida en el semiconductor por unidad de rea, Qs, a la distancia y
desde la source:
Qs(y) = {- VG + s(y)}Ci
con Ci id, es la capacidad a travs del aislante
La carga en la capa de inversin es:

Qn(y) = Qs(y) QB(y) = - {VG s(y)}Ci QB(y)
El potencial s(y) en inversin vale aprox. 2B + V(y) con V(y) la tensin inversa
(*) Se asume que: a) estructura de puerta como en el MIS ideal, b) se consideran slo
corrientes de desplazamiento, c) mobilidad constante de portadores en zona de
inversin, d) dopaje uniforme en el canal, e) corrientes de fuga inversas despreciables,
f) campo elctrico transverso en el canal (x ) >> campo longitudinal (y)
46
5.4

entre el punto y y el electrodo de source. El valor de QB(y) pg. 43 se substituye dando:
Qn(y) = - {VG V(y) - 2B}Ci + 2sqNA{V(y) + 2B}
La conductividad y la conductancia en el canal estn dadas respectivamente por:
xi
(x) = qn(x)n(x)
g = (Z/L) (x)dx
0
lo que da, si mobilidad constante:
xi
g = (qZn/L) n(x)dx) = qZn|Qn|/L

0
La resistencia del canal en una seccin dy vale dR = dy/gL = dy / {Zn|Qn(y)|

de donde la cada de tensin en dicha seccin de canal elemental ser:
dV = IDdR = IDdy/{Zn|Qn(y)|}
47
5.4

ID es la corriente de drain, es constante e independiente de y. Substituyendo
el valor de Qn (ver pgina precedente) e integrando de la source (y=0, V=0) al
drain (y=L, V=VD) se obtiene:
ID = (Z/L) nCi[(VG - 2B VD/2)VD (2/3 2sqNA)/Ci){(VD + B)3/2 -2B)3/2}]
Esta ecuacin muestra que para una VG dada, ID crece primero linealmente con
VD para luego curvarse hasta alcanzar el nivel de saturacin (ver grfico en pgina
siguiente, lado izquierdo). Para valores moderados de VD, ID se reduce a:
ID (Z/L)nCi [(VG VT)VD (1/2 + sqNAB /4Ci) V2D]
o bien,
ID (Z/L)nCi (VG VT)VD
y donde
para VD << (VG VT)
VT = 2B + { 2sqNA(2B)}/Ci
es la tensin de umbral (threshold voltage)
48
Threshold voltage shift VT (V)
VBS
(V)
49
5.4

Si se representa ID vs VG, para valores pequeos de VD, la tensin de umbral se
obtiene en la interseccin de la extrapolacin de ID = f(VG) con el eje de VG.
La conductancia del canal gD, y la transconductancia gm, se obtienen de la expresin de ID recin descrita:
gD ID/VD| VG const. = (Z/L)nCi (VG VT)
gm ID/VG| VD const. = (Z/L)nCiVD

Existe un valor de VD para el cual la carga en la capa de inversin Q(y) en y=L
se hace 0, y los electrones libres en el drain disminuyen bruscamente: es el punto de pinch-off; dicho punto (referido como Vdsat e ID sat) indica el inicio de la
saturacin. El valor de Vdsat se obtiene de Qn(y) tal que Qn(L) = 0:
VD sat = VG - 2B + K2(1 - 1 + 2VG/K2)
donde K sqNA /Ci
50
5.4

La corriente IDsat se obtiene al reemplazar VDsat en la ecuacin de corriente ID
vista en pg. 29:
ID sat (mZ/L)nCi(VG VT)2
con m ~ si el dopaje del substrato es bajo
La tensin de umbral VT en saturacin es la misma que en rgimen lineal, slo

que si el dopaje es elevado, VT podr variar con VG.
La transconductancia en saturacin vale:
gm = ID/VG|VD= const = (2mZ/L)nCi(VG VT)
Ahora bien, si las dos primeras condiciones impuestas al evaluar Qn (pg. 27) se
levantan, se tendr por un lado la influencia de cargas fijas en el xido de
puerta, y diferencias en funcin trabajo, por el otro, lo que repercutir en la
tensin de bandas planas VFB, y a su vez en la tensin de umbral del dispositivo:
51
5.4

VT = VFB + 2B + {2sqNA(2B)}/Ci = (ms Qf/Ci) + 2B + {sqNAB}/Ci
Y cuando el substrato se polariza con respecto a la source (con tensin VBS),
VT = VFB + 2B + {2sqNA(2B + VBS)}/Ci VT = VT(VBS) VT(VBS = 0)
El grfico de pgina 50, lado derecho, muestra la evolucin de VT con varios
valores de VBS.
52
Regin sub-umbral
Cuando la tensin de puerta VG es inferior a la tensin de umbral VT , el canal
se encuentra apenas en inversin (weak inversion); la corriente ID que fluye en
tales condiciones se llama corriente de inversin dbil (weak inversion). Esta
propiedad es ampliamente aplicada en circuitos de bajo consumo, tambin en
circuitos lgicos y en memorias. La corriente fluye a causa de la difusin y se
calcula como la corriente de colector de un transistor bipolar con dopaje uniforme en su base. Asimilando el MOSFET a un transistor n-p-n lateral. se tiene:
ID = -qADndn/dy = qADn{n(0) n(L)}/L

con A, seccin transversal del flujo de corriente, n(0) y n(L) las densidades de electrones en el canal (0 para source y L para drain) , las que estn determinadas por:
n(0) = npo exp(s)
n(L) = npo exp(s VD)
con s el potencial de superficie cerca de la source.

53
5.4
Regin sub-umbral
La seccin por donde la corriente fluye est dada por Z (ancho del canal) y el
espesor del canal; este ltimo corresponde a la distancia en la que disminuye de kT/q. As que el espesor est dado por kT/qs, con s siendo el campo
elctrico en superficie bajo el umbral,
s = -QB/s = 2qNAs/s, y substituyendo estas expresiones en la de la corriente,

ID = n (Z/L) {(aCi)/(22)} (ni/NA)2 (1-exp(-VD)) (s) -1/2 exp(s)
con a 2 (s/LD)Ci
La relacin entre el potencial en la superficie s y la tensin de puerta es:
s = (VG VFB) a2/(2) [{1 + (4/a2)(VG VFB 1)}1/2 - 1]
54
5.4
Regin sub-umbral
De modo que la corriente de drain
en rgimen sub-umbral vara con VG
de manera exponencial, y a partir de
VD > 3kT/q, la corriente es independiente de VD.
55
5.4
Efectos de la temperatura
Cambios en temperatura afectan a
varios parmetros como mobilidad,
tensin de umbral y corriente subumbral. Derivando la expresin de
VT dada en pg. 33 con respecto a
la T se obtiene (ms y Qf son independientes de T):
dVT/dT = (dB/dT)[2 + (1/Ci) sqNA/B]

donde
dB/dT = (1/T)[Eg(T=0)/2q - |B(T)|]
Los grficos de la derecha ilustran estas
dependencias.
56
5.4
Circuito equivalente Frecuencia mxima

La figura muestra el circuito
Gate
Drain
Cfb
equivalente del MOSFET en
conexin source comn. Gin
representa prdidas en el aisVG Gin Cin
gmVG
Gout Cout
VD
lante de la puerta (xido de
silicio). Cin es igual a QM/VG
Source
con QM la carga total en la
puerta. Cfb es la capacidad de
la extensin lateral de la difusin del drain bajo la puerta. Gout es la conductancia del drain. Cout es la capacidad de dos junturas p-n en serie conectadas por
el substrato. En regin lineal, puesto que Cin ZLCi, la frecuencia mxima vale:
fm = m/2 = gm/2Cin nVD/2L2
En saturacin, fm vs/2L con vs velocidad de saturacin, = L/vs donde
tiempo de trnsito.
57
5.4
Tipos de MOSFET
Segn sea la capa de inversin, hay
cuatro tipos de MOSFET: a) transistor a enriquecimiento, normalmente OFF con VG = 0, necesitando
VG >0 para formar el canal n,
b) con VG = 0 el canal n ya existe
(porque implantado), necesitndose
de VG < 0 para empobrecer el canal
de portadores y as reducir su conductancia; se le llama transistor en
deplecin. Mismo anlisis vale para
el MOSFET a canal p, dando lugar a
los otros dos tipos, c) y d).
n+
n+
p+
p+
ENRIQUECIMIENTO
(Normalmente OFF)
ENRIQUECIMIENTO
(Normalmente OFF)
n+
n+
p+
p+
Canal n
p
DEPLECION
(Normalmente ON)
Canal p
n
DEPLECION
(Normalmente ON)
58
5.4
Tipos de MOSFET
El cuadro sinptico indica
para cada tipo de MOSFET
su smbolo elctrico, la
caracterstica de salida
ID = f(VD), y la caracterstica de transferencia
ID = f(VG).
Ntese que mientras que
en el transistor a enriquecimiento VG > VT para
que la corriente de drain
fluya, en el transistor en
deplecin la corriente
de drain fluir con VG = 0
y su magnitud podr aumentarse o disminuirse variando VG.
59
5.4
Efectos de canal corto

Los anlisis efectuados hasta aqu han considerado entre otras hiptesis que el
MOSFET posee un canal suficientemente largo. No obstante, la industria microelectrnica se ha desarrollado poniendo gran nfasis en la miniaturizacin ya
que con dispositivos ms pequeos se aumenta la densidad de integracin
(ms transistores por mm2). En 1980, la industria produca transistores cuyo
largo L de canal era de 2m, en 1990 era de 0.8m, en 2000 era de 0.1m y en
2010, de 45nm (22nm en desarrollo).
Para una concentracin de portadores en el substrato dada, si L disminuye, el
ancho W de las zonas de deplecin de drain y de source se hacen comparables
a L, y de ese modo la distribucin del potencial depende del campo elctrico
en sus dos componentes, x e y, transformando el anlisis en un problema bidimensional, y por lo tanto la aproximacin de canal gradual (x >> y) no es
ms vlida. Los impactos principales del canal corto son:
- degradacin del comportamiento del transistor bajo la tensin de umbral
- la tensin de umbral se hace dependiente de L y de VD
- perturbaciones en IDsat causadas por el punch-through
60
5.4
Efectos de canal corto

- El campo elctrico intenso, ms all de inducir la velocidad de saturacin,
produce la multiplicacin de portadores cerca del drain, provocando corriente por el substrato, y puesta en accin de los transistores bipolares parsitos.
- El campo elctrico intenso tambin impulsa la inyeccin de portadores
calientes (hot carrier injection) en el xido de puerta, ste se carga elctricamente, lo que redundar en deriva de la tensin de umbral, y degradacin
en la transconductancia.
En lo que sigue se presentan varios de estos fenmenos pero sin entrar en el

detalle analtico, privilegiando ms bien el resultado de las observaciones y
estudios efectuados.
61
5.4
Efectos de canal corto Corriente bajo la tensin de umbral

Los grficos muestran resultados
experimentales de ID = fVG) para
varios valores de L y de NB, adonde
se pone en evidencia el efecto de
canal corto. Se ha llegado a establecer que existe un largo mnimo
de canal antes de que el efecto de
canal corto aparezca:
Lmin = 0.4[rjd(WS + WD)2]1/3

con rj la profundidad de la juntura,
d el espesor del xido de puerta,
WS, WD los anchos de deplecin de
drain y de source respectivamente.
62
5.4
Efectos de canal corto Corriente bajo la tensin de umbral

Se ha podido cuantificar el efecto del canal corto en la corriente de drain:
ID = n {Z/(L -yS yD)}{(aCi)/(22)} (ni/NA)2 (1-exp(-VD)) (s) -1/2 exp(s)
En la que:
yS (2s/qNA)(Vbi s)
yD (2s/qNA)(Vbi s + VD)
Esta ecuacin de ID es la misma
que la de pgina 35, slo que
L ha sido reemplazada por la
longitud efectiva del canal:
Leff = L yS - yD
63
5.4
Efectos de canal corto Tensin de umbral

El cambio en la tensin de umbral causado por efecto de canal corto ha sido
establecido ser:
VT = -(qNAWmrj)/(2CiL) [( 1 + 2yS/rj - 1) + ( 1 + 2yD/rj - 1)]
Los trminos yS y yD ya fueron
explicitados, y Wm:
Wm = 2s(2B + VBS)/qNA
64
5.4
Canal estrecho y Tensin de umbral

Este efecto es debido a la extensin lateral de la regin de deplecin hacia
el substrato a lo largo del ancho del canal. El resultado analtico da:
VT = VFB + 2B + [{2sqNA(2B + VBS)}/Ci](1 + /2 x W/Z)
Este efecto se muestra grficamente
en la figura la que indica un incremento imporatnte de VT al disminuir
el ancho del canal Z.
65
5.4
Efectos de canal corto Corriente ID en modo lineal y en saturacin

Las corrientes de drain correspondientes a dos transistores MOSFET,
en el primero L = 0.73m y en el
segundo L = 0.23m, se muestran
en los grficos de esta pgina y de
la siguiente, en los que se indican
ciertos parmetros de fabricacin
importantes. Resulta evidente que
en el caso L = 0.23m el efecto de
canal corto se manifiesta ampliamente. Con VD = 0V, la suma
yS + yD = 0.26m, valor mayor que
L, por lo tanto la regin de deplecin del drain ha alcanzado la de la
source.
66
5.4
Efectos de canal corto Corriente ID en modo lineal y en saturacin

La tensin de punch-through y la
corriente de drain correspondiente
valen:
Vpt {qNA(L yS)2}/2s - Vbi
ID 9snAV2D/8L2
donde A es al rea de las regiones
n+. La corriente limitada por la
carga espacial aumenta con V2D
67

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Contenido del curso

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Captulo 5 - Transistor a efecto de campo MOS

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(Cap. 5: Transistor MOS)

La comprensin fsica del contacto metal-semiconductor es de importancia vital

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(Cap. 5: Transistor MOS)

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con o la permitividad del vaco

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Mecanismos de transporte de corriente Transporte de electrones

con Js = A**T2 exp(-qBn/kT)

donde A** = fpfQ A*/(1 + fpfQvR/vD) conocida como la constante de Richardson