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Captulo

Introduo

1.1 ELETRNICA DE POTNCIA


Circuitos eletrnicos de potncia convertem a potncia eltrica de uma forma para
outra usando dispositivos eletrnicos. Circuitos eletrnicos de potncia funcionam
usando dispositivos semicondutores como chave, controlando ou modificando desta
forma o valor da tenso ou da corrente de um circuito. Aplicaes de circuitos eletrnicos de potncia incluem desde equipamentos de converso de alta potncia, tais
como linhas de transmisso de potncia CC, at aplicaes de circuito do nosso cotidiano como ferramentas eltricas portteis, fontes de alimentao para computadores,
carregadores de bateria de celulares e bateria de automveis hbridos. Eletrnica de
potncia inclui aplicaes em circuitos que processam potncia desde a faixa de miliwatts at megawatts. Aplicaes tpicas de circuitos eletrnicos de potncia incluem
converso CA em CC, converso de CC em CA, converso de uma tenso CC no
regulada em uma tenso CC regulada e converso de uma fonte de alimentao CA
com determinadas amplitude e frequncia em uma outra com amplitude e frequncias
diferentes.
O projeto de equipamentos de converso de potncia inclui vrias disciplinas da
rea de engenharia eltrica. A eletrnica de potncia inclui aplicaes de teoria de circuito e de controle, eletrnica, eletromagnetismo, microprocessadores (para controle)
e transferncia de calor. O avano na capacidade dos dispositivos semicondutores de
chaveamento combinado com a vontade de aumentar a eficincia e o funcionamento
dos dispositivos eltricos fez da eletrnica de potncia uma rea importante e de rpido crescimento na engenharia eltrica.

1.2 CLASSIFICAO DOS CONVERSORES


A finalidade de um circuito eletrnico de potncia a de corresponder s condies
da tenso e da corrente da carga em funo da fonte de alimentao. Circuitos de
eletrnica de potncia convertem um tipo ou nvel de uma forma de onda de tenso ou
corrente em outra e por esta razo so chamados de conversores, os quais funcionam
como uma interface entre a fonte e a carga (Fig. 1-1).

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Eletrnica de Potncia

Entrada
Fonte

Sada
Conversor

Carga

Figura 1-1 Uma fonte e uma carga com um conversor eletrnico de potncia como interface.

Os conversores so classificados conforme a relao entre a entrada e a sada.


entrada CA/sada CC
Os conversores CA/CC produzem uma tenso CC na sada a partir de uma
tenso CA na entrada. A potncia mdia transferida da fonte CA para a carga CC. O conversor CA/CA especificamente classificado como retificador.
Por exemplo, um conversor CA/CC permite que circuitos integrados operem
numa rede CA de 60 Hz convertendo o sinal CA em sinal CC com uma tenso
apropriada.
entrada CC/sada CA
O conversor CC/CA , de forma especfica, classificado como um inversor.
Nele, a potncia mdia transferida do lado CC para o lado CA. Exemplos de
aplicaes de inversores incluem a produo de uma tenso CA de 120 V rms
60 Hz a partir de uma bateria de 12 V, tendo como interface uma fonte de energia e uma matriz de clulas solares para alimentar um aparelho eltrico.
entrada CC/sada CC
O conversor CC/CC til quando a carga requer uma tenso ou corrente CC
especificada (quase sempre regulada), mas a fonte de um valor CC diferente
ou no regulado. Por exemplo, 5 V podem ser obtidos a partir de uma fonte de
12 V via um conversor CC.
entrada CA/sada CA
O conversor CA/CA pode ser usado para mudar o nvel ou a frequncia de um
sinal CA. Podemos citar como exemplos circuitos de controle de luminosidade
de luz (dimmer) e de controle de rotao de um motor de induo.
Alguns circuitos conversores podem funcionar em diferentes modos, dependendo dos parmetros do circuito e do controle. Por exemplo, alguns circuitos retificadores podem atuar como inversores pela modificao do controle dos dispositivos
semicondutores. Nestes casos, o sentido da transferncia de potncia mdia que
determina a classificao do conversor. Na Fig. 1-2, se a bateria for carregada a partir
da fonte, o conversor classificado como retificador. Se os parmetros de funcionamento do conversor forem mudados e a bateria funcionar como fonte de alimentao
para o sistema CA, o conversor classificado como inversor.
A converso de potncia pode ser processada em etapas envolvendo mais de um
tipo de conversor. Por exemplo, uma converso AC-CC-AC pode ser usada para modificar uma fonte CA convertendo primeiro em corrente direta e depois convertendo
o sinal CC em sinal CA com amplitude e frequncia diferentes da fonte CA original,
conforme ilustrado na Fig. 1-3.

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Captulo 1 Introduo

Retificador

Conversor

Inversor

Figura 1-2 Um conversor pode funcionar como um retificador ou inversor, dependendo do


sentido de transferncia da potncia mdia.

Entrada

Sada

Fonte

Conversor 1

Conversor 2

Carga

Figura 1-3 Dois conversores usados para um processo de multietapas.

1.3 CONCEITOS DE ELETRNICA DE POTNCIA


Para ilustrar alguns conceitos da eletrnica de potncia, considere o problema de um
projeto para fornecer um nvel de tenso de 3 V CC a partir de uma bateria de 9 V.
O objetivo alimentar com 3 V uma carga com resistncia. Uma soluo simples
usar um divisor de tenso como mostrado na Fig. 1-4. Para um resistor de carga RL,
a instalao de uma resistncia de 2RL em srie resulta numa tenso de 3 V na carga.
Um problema com esta soluo que a potncia absorvida pelo resistor de 2RL o
dobro da entregue para a carga, que perdida em calor, fazendo com que a eficincia
do circuito seja de apenas 33,3%. Outro problema que se o valor da resistncia de
carga mudar, a tenso na sada tambm muda, a no ser que a resistncia 2RL mude
proporcionalmente. A soluo para este problema poderia estar no uso de um transistor no lugar da resistncia de 2RL. Ele poderia ser controlado de tal modo que a tenso
fosse mantida em 6 V, regulando ento a sada em 3 V. Contudo, teramos o mesmo
problema da baixa eficincia com esta soluo.
Para chegar a um projeto com uma soluo mais prxima do desejvel, considere o circuito mostrado na Fig. 1-5a. Neste circuito, uma chave aberta e fechada
periodicamente. A chave um curto-circuito quando fechada e um circuito aberto
quando aberta, fazendo com que a tenso em RL seja igual a 9 V quando a chave
fechada e 0 V quando a chave aberta. A tenso resultante em RL ser exemplificada

2RL
RL

9V

3V

Figura 1-4 Um divisor de tenso simples para fornecer 3 V a partir de 9 V da fonte.

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Eletrnica de Potncia

vx(t)

9V

(a)

vx(t)

9V

3V

Mdia
T
3

T
(b)

Figura 1-5 (a) Um circuito chaveado; (b) uma forma de onda da tenso chaveada.

na Fig. 1-5b. Esta tenso no , obviamente, uma tenso CC constante, mas se a chave
for fechada um tero do perodo, o valor mdio de vx (denotado como Vx) ser um
tero da tenso da fonte. O valor mdio calculado pela equao

med

(1-1)

Considerando a eficincia do circuito, a potncia instantnea (veja Captulo 2)


absorvida pela chave o produto da tenso e da corrente. Quando a chave est aberta,
a potncia absorvida zero por que a corrente zero. Quando a chave est fechada, a
potncia absorvida zero por que a tenso nela zero. Como a potncia absorvida pela
chave zero para ambas as condies da chave, aberta ou fechada, toda a potncia da
fonte de 9 V entregue para RL, fazendo com que a eficincia do circuito seja de 100%.
At agora, o circuito no realizou o objetivo do projeto de fornecer uma tenso
de 3 Vcc. Contudo, a forma de onda da tenso vx pode ser expressa como uma srie
de Fourier contendo um termo CC (o valor mdio) mais os termos da senoide nas
frequncias que so mltiplas da frequncia do pulso. Para fornecer uma tenso de
3 Vcc, vx aplicada a um filtro passa-baixas. Um filtro passa-baixas ideal permite que
a componente CC da tenso passe para a sada enquanto remove os termos CA, criando, assim, a sada desejada. Se o filtro for sem perda, o conversor ser 100% eficiente.
Na prtica, o filtro apresenta alguma perda e absorver uma certa potncia. Alm
disto, o dispositivo eletrnico utilizado como chave no ser perfeito e apresentar perdas. No entanto, a eficincia do conversor pode ainda ser bem alta (mais de 90%). Os
valores necessrios dos componentes do filtro podem se tornar menores com frequn-

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Captulo 1 Introduo

9V

vx(t) Filtro passa-baixas

RL

3V

Figura 1-6 Um filtro passa-baixas permite que somente o valor mdio de vx passe para a carga.

Chave de
controle

+
vx(t) Filtro passa-baixas

Vs

+
Vo

Figura 1-7 A realimentao usada para controlar a chave e manter a tenso na sada em um

valor desejado.

cias de chaveamento mais altas e maiores, tornando-as desejveis. Os Captulos 6 e 7


descrevem os processos de converso CC-CC com detalhes. A chave, neste exemplo,
ser algum dispositivo eletrnico como um transistor de efeito de campo de xido de
metal (MOSFET), ou pode ser composta por mais de um dispositivo eletrnico.
O processo de converso de potncia geralmente envolve um sistema de controle. As grandezas de sada, tais como tenso e corrente, so medidas e os parmetros
de funcionamento ajustados para manter a sada com os valores desejveis. Por exemplo, se a bateria de 9 V da Fig. 1-6 diminusse para 6 V, a chave teria de ser fechada
50% do tempo para manter um valor mdio de 3 V para vx. Um sistema de controle
com realimentao poderia detectar se a tenso na sada no estava em 3 V e ajustar o
fechamento ou a abertura da chave de forma adequada, como mostra a Fig. 1-7.

1.4 CHAVES ELETRNICAS


Uma chave eletrnica caracterizada por ter dois estados ligado e desligado, idealmente sendo ambos um curto-circuito ou circuito aberto. Aplicaes usando dispositivos de chaveamento so desejveis por causa de uma perda relativamente menor
de potncia no dispositivo. Se a chave ideal, ou a tenso ou a corrente zero, ento
a potncia absorvida por ela zero. Os dispositivos reais absorvem alguma potncia
quando esto no estado ligado e quando fazem transio entre os estados ligado e
desligado, mas a eficincia do circuito ainda pode ser bastante alta. Alguns dispositivos eletrnicos, como os transistores, podem funcionar tambm na faixa da regio
ativa na qual os valores da tenso e da corrente no so zero, mas desejvel usar este
dispositivo como chave no processamento da potncia.

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Eletrnica de Potncia

A nfase deste livro est mais no funcionamento bsico de circuitos do que no


desempenho do dispositivo. O uso de um determinado dispositivo de chaveamento
em circuitos de eletrnica de potncia depende do estado atual da tecnologia do dispositivo. O comportamento dos circuitos eletrnicos de potncia, muitas vezes, no
afetado de forma significativa pelo dispositivo que est sendo usado para o chaveamento, em especial se a queda de tenso numa chave em conduo for menor comparada com outros valores de tenso do circuito. Portanto, dispositivos semicondutores
em geral so modelados como chaves ideais para que o comportamento do circuito
possa ser enfatizado. As chaves so modeladas como curtos-circuitos quando no estado ligado e circuitos abertos quando no estado desligado. As transies entre os
estados so geralmente consideradas como sendo instantneas, mas os efeitos de chaveamentos no ideais so discutidos no momento apropriado. Um breve estudo das
chaves com semicondutores ser apresentado nesta seo e informaes adicionais
relativas aos circuitos de acionamento e snubber sero encontradas no Captulo 10. A
tecnologia de chaves eletrnicas est em contnua mudana e um tratamento completo do estado dos dispositivos mais atuais podem ser encontrados na literatura.

Diodo
O diodo a chave eletrnica mais simples. Ele no pode ser controlado e as condies de seus estados ligado e desligado so determinadas pelas tenses e correntes
do circuito. O diodo est polarizado de forma direta (em conduo ou ligado) quando
a corrente id (Fig. 1-8a) positiva e reversamente polarizada (em corte ou desligada) e quando vd negativa. No caso ideal, o diodo um curto-circuito no momento
em que polarizado diretamente e um circuito aberto na polarizao reversa. As
caractersticas, corrente-tenso, real e idealizada so mostradas na Figs. 1-8b e c. A
caracterstica idealizada usada na maioria das anlises neste livro.
Anodo
id
+
vd

id

Ligado

Desligado
vd

Catodo
(a)

(b)

(c)

Ligado
Desligado
t
trr
(d)

(e)

Figura 1-8 (a) Diodo retificador; (b) caracterstica i-v; (c) caracterstica i-v idealizada; (d) tempo

de recuperao reversa trr; (e) diodo Schottky.

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Captulo 1 Introduo

Uma caracterstica dinmica importante de um diodo no ideal a corrente de


recuperao reversa. Quando um diodo desligado, a corrente nele diminui e momentaneamente torna-se negativa antes de estabilizar em zero, como mostra a Fig. 1-8d.
O tempo trr diz respeito ao momento de recuperao reversa, que geralmente menor
que 1 s. Este fenmeno pode se tornar importante em aplicaes de alta frequncia. Os diodos de recuperao rpida so projetados para ter um trr menor que o dos
diodos projetados para as aplicaes na frequncia da rede. Os diodos de carboneto
de silcio (SiC) tm um tempo de recuperao muito menor, resultando em circuitos
mais eficientes, em especial nas aplicaes em alta frequncia.
Os diodos Schottky (Fig. 1-8e) tm uma barreira de metal-silcio em vez de
uma juno P-N. Os diodos Schottky tm uma queda de tenso direta tpica de 0,3
V. Eles so frequentemente utilizados em aplicaes de baixa tenso em que as quedas nos diodos so significantes em relao s outras tenses do circuito. A tenso
reversa para um diodo Schottky limitada em 100 V aproximadamente. A barreira
metal-silcio num diodo Schottky no est sujeita aos transientes de recuperao e
entram em conduo (ligam) e em corte (desligam) mais rpido que os diodos com
juno P-N.

Tiristores
Os tiristores so chaves eletrnicas utilizadas em alguns circuitos nos quais se necessita controlar o estado ligado. O termo tiristor se refere quase sempre a uma famlia
de dispositivos de trs terminais entre os quais podemos citar o diodo controlado
de silcio (SCR), o triac, o tiristor desligado pela porta (GTO, na sigla em ingls), o
tiristor controlado por MOS (MCT) e outros. Tiristor e SCR so termos utilizados algumas vezes como sinnimos. O SCR usado neste livro para ilustrar os dispositivos
controlados da famlia de tiristores. Os tiristores so capazes de conduzir correntes
de valores elevados e de bloquear valores altos de tenso para aplicaes com valores
altos de potncia, mas as frequncias de chaveamento no podem ser to altas quanto
as usadas com outros dispositivos como os MOSFETs.
Os trs terminais do SCR: so anodo, catodo e gatilho (Fig. 1-9a). Para o SCR
comear a conduzir preciso que se aplique uma corrente no gatilho quando a tenso
anodo-catodo for positiva. Uma vez estabelecida a conduo, o sinal no gatilho no
mais necessrio para manter a corrente no anodo. O SCR continuar a conduzir
enquanto a corrente no anodo permanecer positiva e acima de um valor mnimo chamado de nvel de manuteno. As Figs. 1-9a e b mostram o smbolo do SCR para os
circuitos e a caracterstica corrente-tenso idealizada.
O tiristor com desligamento pelo gatilho (GTO) da Fig. 1-9c, como o SCR,
entra em conduo com uma corrente no gatilho de curta durao se a tenso anodo-catodo for positiva. Porm, diferente do SCR, o GTO pode ser desligado com uma
corrente negativa no gatilho; sendo, portanto, adequado para algumas aplicaes em
que ambos os controles de ligamento e de desligamento de uma chave so necessrios. A corrente negativa de desligamento no gatilho pode ser de curta durao (alguns microssegundos), mas seu valor deve ser muito alto comparado com a corrente
de conduo. Tipicamente, a corrente de desligamento de um tero da corrente
de conduo no anodo no estado ligado. A caracterstica i-v como mostrada na
Fig. 1-9b para o SCR.

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Eletrnica de Potncia

Anodo
A
iA

Anodo

+
vAK

Gatilho

iA

G
K
Catodo
(a)

Ligado
Desligado
Gatilho
vAK
Catodo
(c)

(b)
Anodo
A

MT2

A
G

Gatilho

or

Gatilho
MT1
(d)

K
Catodo
(e)

Dispositivos da famlia de tiristores: (a) retificador controlado de silcio SCR;


(b) caracterstica i-v idealizada do SCR; (c) tiristor com desligamento pelo gatilho (GTO); (d)
triac; (e) tiristor controlado por MOS (MCT).

Figura 1-9

O triac (Fig. 1-9d) um tiristor capaz de conduzir em ambos os sentidos. O triac


funcionalmente equivalente a dois SCRs (em paralelo, mas com sentidos opostos)*. Circuitos comuns de controle de luminosidade de lmpadas incandescentes (dimmer), usam
um triac para modificar os semiciclos positivo e negativo da onda senoidal de entrada.
O tiristor controlado por MOS (MCT) na Fig. 1-9e um dispositivo funcional
equivalente a um GTO, mas sem a necessidade de uma corrente de alto valor no gatilho para o desligamento. O MCT tem um SCR com dois MOSFETs integrados num
dispositivo. Um dos MOSFETs liga o SCR e o outro MOSFET desliga o SCR. O
MCT ligado e desligado pelo estabelecimento de uma tenso apropriada do gatilho
para o catodo, que o oposto do estabelecido para a corrente no gatilho do GTO.
Tiristores foram historicamente escolhidos como chaves eletrnicas de potncia
por causa das faixas de valores altos de corrente e de tenso disponveis. Os tiristores
ainda so utilizados, especialmente em aplicaes de alta potncia; entretanto, as faixas de potncia dos transistores tm aumentado enormemente, tornando os transistores mais desejveis em muitas aplicaes.

Transistor
Transistores funcionam como chaves em circuitos eletrnicos de potncia. Circuitos
de acionamento com transistores so projetados para que funcionem em ambos os
estados, totalmente ligado ou desligado. Isto difere de outras aplicaes do transistor,
como nas aplicaes de um circuito amplificador linear em que o transistor funciona
na regio tendo valores altos de tenso e de corrente simultaneamente.
*N. de T.: Dizemos tambm que os dois SCRs esto em antiparalelo.

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Captulo 1 Introduo

Dreno
D iD

iD

vGS2

vDS

G +

Ligado

vGS3

+
Porta

iD

vGS1

vGS = 0

vGS

Desligado
vDS

vDS

S
Fonte

Figura 1-10 (a) MOSFET (canal N) com diodo de corpo; (b) caractersticas do MOSFET; (c)
caractersticas idealizadas do MOSFET.

Diferente do diodo, os estados ligado e desligado de um transistor so controlados. Os tipos de transistores utilizados em circuitos eletrnicos de potncia so os
MOSFETs, transistores de juno bipolar (BJTs) e os dispositivos hbridos como os
transistores de juno bipolar com porta isolada (IGBTs). As Figs. 1-10 at 1-12 mostram os smbolos para circuitos e as caractersticas corrente-tenso.
O MOSFET da (Fig. 1-10a) um dispositivo controlado por tenso com as
caractersticas mostradas na Fig. 1-10b. A fabricao do MOSFET produz um diodo
parasita (corpo), como mostrado, que algumas vezes pode ser usado como uma vantagem nos circuitos eletrnicos de potncia. Os MOSFETs de potncia so do tipo crescimento em vez do tipo depleo. Uma tenso porta-fonte com valor suficientemente
alto faz com que o dispositivo seja ligado, resultando numa baixa tenso dreno-fonte.
No estado ligado, a variao em vDS linearmente proporcional a uma variao em iD.

Coletor
C
iC

iC

+
vCE

B
Base
iB

iB3
iB2
iB1

iB = 0

E
Emissor
(a)

vCE(SAT)

vCE
(b)

iC
Ligado

Desligado
vCE
(c)

(d)

Figura 1-11 (a) BJT (NPN); (b) caractersticas do BJT; (c) caractersticas idealizadas do BJT;

(d) configurao Darlington.

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10

Eletrnica de Potncia

E
(a)
Coletor

Porta

Emissor
(b)

Figura 1-12 IGBT: (a) Circuito equivalente; (b) smbolos para circuito.

Portanto, o estado ligado do MOSFET pode ser modelado como uma resistncia de
estado ligado chamada de RDS(lig.). Os MOSFETs tm uma resistncia de estado ligado
da ordem de poucos miliohms. Para uma primeira aproximao, o MOSFET pode
ser modelado como uma chave ideal com a caracterstica mostrada na Fig. 1-10c.
As faixas de valores vo de 1500 V a 600 A (embora de forma no simultnea). As
velocidades de chaveamentos do MOSFET so maiores que as dos BJTs e eles so
utilizados em conversores que funcionam na faixa de mega Hertz.
As caractersticas tpicas do BJT so mostradas na Fig. 1-11b. O estado ligado
do transistor obtido fornecendo uma corrente na base suficiente para levar o BJT
saturao. A tenso de saturao coletor-emissor tipicamente da ordem de 1 a 2 V
para um BJT de potncia. Uma corrente zero na base resulta no desligamento do
transistor. A caracterstica idealizada i-v do BJT mostrada na Fig. 1-11c. O BJT
um dispositivo controlado por corrente e BJTs de potncia tm tipicamente baixos
valores de hFE, algumas vezes menores que 20. Se um BJT de potncia com hFE 20
conduzir uma corrente de coletor de 60 A, por exemplo, a corrente na base precisaria
ser maior que 3 A para levar o transistor saturao. Para o circuito de acionamento
fornecer uma corrente alta na base, preciso que ele seja um circuito de significante potncia em si mesmo. As configuraes Darlington tm dois transistores BJTs
conectados como mostra a Fig. 1-11d. O ganho de corrente eficaz da combinao
aproximadamente o produto dos ganhos individuais e pode, desta forma, reduzir (continua) a corrente exigida para o circuito de acionamento. A configurao Darlington
pode ser construda a partir de dois transistores discretos ou pode ser obtida como um

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Captulo 1 Introduo

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dispositivo integrado nico. Os BJTs de potncia so raramente utilizados em novas


aplicaes, tendo sido superado pelos MOSFETs e IGBTs.
O IGBT da Fig. 1-12 uma conexo integrada de um MOSFET e um BJT. O
circuito de acionamento para o IGBT semelhante ao do MOSFET, enquanto que as
caractersticas do estado ligado so equivalentes s do BJT. Os IGBTs tm substitudo os BJTs em vrias aplicaes.

1.5 ESCOLHA DA CHAVE


A escolha de um dispositivo de potncia para uma dada aplicao depende no apenas dos nveis de tenso e corrente exigidos, mas tambm das caractersticas de chaveamento. Os transistores e GTOs possibilitam o controle de ligamento e desligamento, os SCRs possibilitam o controle de ligamento, mas no do desligamento e os
diodos de nenhum.
As velocidades de chaveamento e as perdas de potncia associadas so muito importantes nos circuitos eletrnicos de potncia. O BJT um dispositivo com
portadores minoritrios, enquanto que o MOSFET um dispositivo com portadores
majoritrios que no tem portadores minoritrios armazenados em atraso, dando ao
MOSFET uma vantagem nas velocidades de chaveamento. Os tempos de chaveamento de um BJT podem ser maiores que os do MOSFET. Portanto, o MOSFET tem em
geral perdas menores e preferido em relao ao BJT.
Ao escolher um dispositivo de chaveamento adequado, a primeira considerao
o ponto de operao exigido e as caractersticas de ligamento e desligamento. O
Exemplo 1-1 resume o procedimento para a escolha.

Exemplo 1-1
Escolha da chave
O circuito da Fig. 1-13a tem duas chaves. A chave S1 est ligada e conecta a fonte de tenso
(Vs 24 V) fonte de corrente (Io 2 A). desejado abrir a chave S1 para desconectar Vs da
fonte de corrente. Isto requer que a segunda chave S2 feche para fornecer um caminho para a corrente Io, como na Fig. 1-13b. Decorrido um tempo, S1 religada e S2 deve abrir para restaurar o
circuito sua condio inicial. O ciclo repetido numa frequncia de 200 kHz. Determine o tipo
de dispositivo requerido para cada chave e a tenso e corrente mximas necessrias para cada.

Soluo
O tipo de dispositivo escolhido a partir da necessidade de ligar e desligar, das exigncias de
tenso e corrente da chave para os estados ligado e desligado e da velocidade de chaveamento
exigida.
Os pontos de operao do estado estvel para S1 so em (v1, i1) (0, Io) para S1 fechada
e (Vs, 0) para a chave aberta (Fig. 1-13c). Os pontos de operao esto sobre os eixos positivos
de i e v e S1 precisam desligar quando i1 Io > 0 e deve ligar quando V1 Vs > 0. O dispositivo
utilizado para S1 deve, portanto, proporcionar um controle do ligamento e do desligamento.
A caracterstica do MOSFET da Fig. 1-10d ou a caracterstica do BJT da Fig. 1-11c atende
s exigncias. Um MOSFET seria uma boa escolha por causa da frequncia de chaveamento

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12

Eletrnica de Potncia

i1
+

Vs

v1

v2

S1

i1

S1

+
Io

S2

Vs

v1

v2

i2

i2

(a)

(b)

i1
(0, Io)

Io

S2

i2
Fechada

S1

Aberta
(Vs, 0)

S2

(0, Io)

Fechada

Aberta

v1

v2

(Vs, 0)

(c)

(d)

S1
S1
+
Vs

S2

Io

Io

(e)

S2
(f)

Figura 1-13 Circuito para o Exemplo 1-1. (a) S1 fechada, S2 aberta; (b) S1 aberta, S2 fechada;

(c) pontos de operao para S1; (d) pontos de operao para S2; (e) implementao da chave
usando um MOSFET e um diodo; (f) implementao da chave usando dois MOSFETs (retificao sncrona).

exigida, a necessidade de acionamento simples pela porta e a necessidade de tenso e corrente


relativamente baixas (24 V e 2 A).
Os pontos de funcionamento do estado estvel para S2 esto em (v2, i2) (Vs, 0) na Fig.
1-13a e (0, Io) na Fig. 1-13b, como mostrado na Fig. 1-13d. Os pontos de operao esto sobre
o eixo positivo da corrente e o eixo negativo da tenso. Portanto, uma corrente positiva em S2
a exigncia para ligar S2 e uma tenso negativa existe quando S2 deve ser desligada. Desde
que os pontos de operao combinam com o diodo da (Fig. 1-8c) e nenhum outro controle
necessrio para o dispositivo, um diodo uma escolha apropriada para S2. A Fig. 1-13e implementa o circuito de chaveamento. A corrente mxima de 2 A e a tenso mxima no estado de
bloqueio de 24 V.
Embora um diodo seja um dispositivo suficiente e adequado para a chave S2, um
MOSFET tambm funcionaria nesta posio, como mostra a Fig. 1-13f. Quando S2 est fe-

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Captulo 1 Introduo

13

chada e S1 aberta, a corrente circula para cima, saindo do dreno de S2. A vantagem de usar um
MOSFET que, quando em conduo, ele tem uma queda de tenso muito mais baixa nos seus
terminais comparada com um diodo, resultando em uma perda de potncia menor e maior eficincia do circuito. A desvantagem que necessrio um circuito de controle mais complexo
para ligar S2 quando S1 for desligada. Contudo, existem vrios circuitos de controle para isto. O
esquema de controle conhecido como retificao sncrona ou chaveamento sncrono.
Em uma aplicao de eletrnica de potncia, a fonte de corrente neste circuito representaria um indutor que tem uma corrente aproximadamente constante.

1.6 SPICE, PSPICE E CAPTURE


A simulao por computador uma anlise valiosa e uma ferramenta de projeto
enfatizada no decorrer deste livro. O SPICE um programa de simulao de circuito
desenvolvido no Departamento de Engenharia Eltrica e Cincia da Computao
da Universidade de Berkeley, na Califrnia. O PSpice uma adaptao do SPICE
disponvel no mercado que foi desenvolvido para o computador pessoal. O Capture
um programa de interface grfica que permite fazer uma simulao a partir da
representao grfica do diagrama de um circuito. A Cadense fornece um produto chamado de OrCAD Capture e uma verso de demonstrao sem custo1. Quase
todas as simulaes descritas neste livro podem ser realizadas usando a verso de
demonstrao.
Uma simulao pode assumir vrios nveis de dispositivos e modelos de componentes, dependendo de seu objetivo. A maioria dos exemplos de simulao e exerccios usa modelos de componentes idealizados ou padres, obtendo resultados com
aproximaes de primeira ordem, da mesma forma que o trabalho analtico feito no
primeiro debate de um assunto em qualquer livro texto. Aps o entendimento fundamental do funcionamento de um circuito eletrnico de potncia, o engenheiro pode
incluir modelos detalhados do dispositivo para prever mais precisamente o comportamento de um circuito real.
O Probe, um programa de ps-processamento (postprocessor) grfico que
acompanha o PSpice, sendo bastante til. O Probe capaz de mostrar graficamente
a forma de onda da corrente ou da tenso em qualquer circuito. Isto d ao estudante
uma viso do comportamento do circuito que no possvel em uma anlise com
papel e lpis. Alm do mais, o Probe capaz de executar clculos matemticos relacionados com corrente e/ou tenso, incluindo determinao numrica de valores rms
e mdio. Exemplos de anlises com o PSpice e projetos de circuitos eletrnicos de
potncia so partes integrantes deste livro.
Os arquivos de circuitos do PSpice listados neste livro foram desenvolvidos
usando a verso 16.0. Revises contnuas do programa necessitam de atualizaes na
tcnica de simulao.

http://www.cadence.com/products/orcad/pages/downloads.aspx#demo

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14

Eletrnica de Potncia

R = 106 Desligado (Aberta)


R = 103 Ligado (Fechada)

Figura 1-14 Implementando uma chave com uma resistncia no PSpice.

1.7 CHAVES NO PSPICE


A chave controlada por tenso
A chave controlada por tenso de curta durao (Sbreak) no PSpice pode ser usada
como um modelo idealizado para a maioria dos dispositivos eletrnicos. A chave controlada por tenso uma resistncia que tem um valor estabelecido por uma tenso de
controle. A Fig. 1-14 demonstra o conceito usando uma resistncia controlada como
chave para a simulao de um circuito eletrnico de potncia no PSpice. Um MOSFET
ou outro dispositivo de chaveamento idealmente uma chave aberta ou fechada. Uma
resistncia de alto valor aproxima-se de uma chave aberta e uma resistncia de baixo
valor aproxima-se de uma chave fechada. Os parmetros do modelo da chave so:
Parmetro

Descrio

Valores padres

RON

resistncia ligada

1 (que se reduz para 0,001 ou 0,01 )

ROFF

resistncia desligada

106

VON

tenso de controle p/ estado ligado

1,0 V

VOFF

tenso de controle p/ o estado desligado

0V

A resistncia muda de um valor alto para um valor baixo pela tenso controle.
A resistncia do estado desligado de 1 M, que uma boa aproximao para um
circuito aberto em aplicaes de eletrnica de potncia. A resistncia padro para
o estado ligado de 1 em geral muito alta. Se a chave for ideal, a resistncia do
estado ligado no modelo da chave deveria ser mudada para valor muito mais baixo,
como 0,001 ou 0,01 .

Exemplo 1-2
Uma chave controlada por tenso no PSpice
O diagrama de um circuito de chaveamento no Capture mostrado na Fig. 1-15a. A chave
implementada com uma chave controlada por tenso Sbreak, encontrada em Breakout na biblioteca dos dispositivos. A tenso de controle VPULSE e usa as caractersticas ilustradas. Os
tempos de subida e de descida, TR e TF, so de curtas duraes se comparadas com a largura
do pulso e do perodo PW e PER. V1 e V2 devem alcanar os nveis de tenso dos estados
ligado e desligado para a chave, 0 e 1 pelo padro. O perodo de chaveamento de 25 ms, correspondente a uma frequncia de 40 kHz.

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Captulo 1 Introduo

VPULSE
V1 = 0
V2 = 5
+ Vcontrol
TD = 0
TR = 1n
0
TF = 1n
PW = 10us
PER = 25us

15

S1
+ +

Sbreak
Rload

Vs

24V

2
0

(a)

(b)

(c)
Figura 1-15 (a) Circuito para o Exemplo 1-2; (b) editando o modelo da chave Sbreak do
PSpice para fazer Ron 0,001 ; (c) preparao para anlise de transiente; (d) a sada do
Probe.

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16

Eletrnica de Potncia

10.0 V
Switch Control Voltage

7.5 V
5.0 V
2.5 V
0V

V(Vcontrol:+)

40 V
Load Resistor Voltage

20 V
SEL>>
0V
0s

20 s
V(Rload:2)

40 s
Time

60 s

80 s

(d)
Figura 1-15 (continuao)

O modelo para Sbreak do PSpice acessado clicando em edit, depois PSpice model. A
janela para edio do modelo mostrada na Fig. 1-15b. A resistncia ligada Ron foi modificada
para 0,001 para aproximar de uma chave ideal. O menu de anlise de transiente acessado
em Simulation Settings (ajustes de simulao). Esta simulao funciona por 80 s, como ilustra a Fig. 1-15c.
A sada do Probe mostrando a tenso de controle da chave e a forma de onda da tenso
no resistor de carga vista na Fig. 1-15d.

Transistores
Transistores utilizados como chaves, em circuitos de eletrnica de potncia, podem
ser idealizados para simulao, pelo uso de uma chave controlada por tenso. Como
no Exemplo 1-2, um transistor ideal pode ser modelado como uma resistncia no
estado ligado de valor muito baixo. Uma resistncia no estado ligado, correspondendo s caractersticas do MOSFET, pode ser usada para simular a resistncia de
conduo rDS(lig.) de um MOSFET para determinar o comportamento do circuito com
componentes no ideais. Se for necessria uma representao precisa de um transistor, pode haver um modelo disponvel na biblioteca de dispositivos do PSpice ou
na website do fabricante. Os modelos IRF150 e IRF140 para MOSFETs de potncia esto na biblioteca da verso de demonstrao. O modelo padro de MOSFET
MbreakN ou MbreakN3 deve ter parmetros de tenso de limiar VTO e constante
KP adicionados ao modelo de dispositivo do PSpice para uma simulao significa-

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Captulo 1 Introduo

VPULSE
RG
V1 = 0
Vcontrol
V2 = 12 +
10
TD = 0

TR = 1n
TF = 1n
PW = 10us
PER = 25us

M1
IRF150

+ Vs
24V

Rload

17

2
0

Figura 1-16 Um circuito de acionamento com MOSFET idealizado no PSpice.

tiva. Os sites dos fabricantes, como, por exemplo, o www.irf.com da International


Rectifier, tm modelos disponveis do PSpice para seus produtos. O BJT QbreakN
padro pode ser usado no lugar de um modelo detalhado de transistor para uma
simulao sem muita preciso.
Os transistores no PSpice devem ter circuitos de acionamento, que podem ser
idealizados se no for exigido funcionamento de um circuito de acionamento especifico. Simulaes com MOSFETs podem ter circuitos de acionamento como o mostrado na Fig. 1-16. A fonte de tenso VPULSE estabelece a tenso porta-fonte para ligar
e desligar o MOSFET. O resistor conectado na porta pode no ser necessrio, mas
algumas vezes ele elimina problemas de convergncia numrica.

Diodos
razovel considerar um diodo como ideal quando, no desenvolvimento de equaes
que descrevem um circuito eletrnico de potncia, as tenses do circuito forem muito
maiores que a queda de tenso direta no diodo em conduo. A corrente no diodo est
relacionada tenso no diodo por
(1-2)
onde n o coeficiente de emisso cujo valor padro 1 no PSpice. Um diodo ideal
pode ser aproximado no PSpice se for estabelecido um valor baixo para n como 0,001
ou 0,01. O diodo mais prximo do ideal modelado no item Dbreak com o modelo
do PSpice
modelo Dbreak D n 0,001
Com o modelo de diodo ideal, o resultado da simulao combina com os resultados
analticos das equaes descritas. Um modelo de diodo do PSpice que prev mais
precisamente o funcionamento do diodo pode ser obtido de um dispositivo da biblioteca. Simulaes com um modelo detalhado de diodo produziro resultados mais
realsticos do que com o diodo idealizado. Contudo, se os valores de tenso do circuito forem maiores, a diferena entre o uso de um modelo de diodo ideal e um modelo
preciso no afetar os resultados significativamente. O modelo padro de diodo para
o Dbreak pode ser usado como um compromisso entre os casos ideal e real, sempre
com uma pequena diferena no resultado.

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18

Eletrnica de Potncia

Figura 1-17 Modelo simplificado do tiristor (SCR) para o PSpice.

Tiristores (SCRs)
Um modelo de SCR encontra-se disponvel na biblioteca da verso de demonstrao
do PSpice e pode ser usado na simulao de circuitos com SCR. Contudo, o modelo
contm uma quantidade relativamente grande de componentes que impe um limite
de tamanha na verso de demonstrao do PSpice. Um modelo simples de SCR que
usado em vrios circuitos neste livro uma chave em srie com um diodo, como mostrado na Fig. 1-17. Fechar a chave controlada por tenso equivalente aplicao de
uma corrente no gatilho do SCR e o diodo evita que circule uma corrente reversa pelo
modelo. Este modelo simples de SCR tem a desvantagem significativa de exigir que
a chave controlada por tenso permanea fechada durante o tempo total de conduo
do SCR, necessitando, portanto, de algum conhecimento anterior do funcionamento
de um circuito que usa o dispositivo. Mais explicaes esto includas com os exemplos do PSpice nos captulos posteriores.

Problemas de convergncia no PSpice


Algumas simulaes do PSpice neste livro esto sujeitas ao problema de convergncia numrica devido ao chaveamento que ocorre nos circuitos com indutores
e capacitores. Todos os arquivos do PSpice apresentados neste livro foram projetados para evitar os problemas de convergncia. Contudo, uma modificao no
parmetro do circuito causar uma falha de convergncia na anlise de transiente.
Caso haja algum problema de convergncia no PSpice, as seguintes sugestes podem ser teis:
Aumente o limite de iterao ITL de 10 para 100 ou mais. Esta uma das
opes que podem ser acessadas no perfil de simulao (Simulation Profile
Options), como ilustrada na Fig. 1-19.
Mude o valor da tolerncia relativa RELTOL para outro diferente de 0,001.
Mude o modelo de dispositivo para outro que seja menos ideal. Por exemplo, mude o valor da resistncia do estado ligado de uma chave controlada
por tenso para um valor maior, ou use a fonte de tenso de controle para uma
que no mude de valor to rapidamente. Um diodo poderia ser menos ideal se
o valor de n no modelo fosse aumentado. Em geral, modelos de dispositivos
idealizados introduzem mais problemas de convergncia do que os modelos de
dispositivos reais.

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Captulo 1 Introduo

19

Figura 1-18 O menu de opes para o ajuste que pode solucionar o problema de convergncia. Os valores de RELTOL e ITL4 foram aqui modificados.

Figura 1-19 Um circuito RC para auxiliar na convergncia no PSpice.

Adicione um circuito RC snubber. Uma resistncia em srie com uma capacitncia com um valor baixo da constante de tempo pode ser ligada em paralelo com a chave para evitar as tenses que mudam muito rapidamente. Por
exemplo, ligando uma combinao de um resistor de 1 k em srie com um
capacitor de 1-nF em paralelo com um diodo (Fig. 1-19) pode melhorar a convergncia sem afetar os resultados da simulao.

1.8 BIBLIOGRAFIA
M. E. Balci and M. H. Hocaoglu, Comparison of Power Definitions for Reactive Power Compensation in Nonsinusoidal Circuits, International Conference on Harmonics and Quality
of Power, Lake Placid, N.Y. 2004.
L. S. Czarnecki, Considerations on the Reactive Power in Nonsinusoidal Situations, International Conference on Harmonics in Power Systems, Worcester Polytechnic Institute, Worcester, Mass., 1984, pp. 231237.

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20

Eletrnica de Potncia

A. E. Emanuel, Powers in Nonsinusoidal Situations, A Review of Definitions and Physical


Meaning, IEEE Transactions on Power Delivery, vol. 5, no. 3, July 1990.
G. T. Heydt, Electric Power Quality, Stars in a Circle Publications, West Lafayette, Ind., 1991.

W. Sheperd and P. Zand, Energy Flow and Power Factor in Nonsinusoidal Circuits, Cambridge University Press, 1979.

Problemas
1-1 A fonte de corrente no Exemplo 1-1 est invertida de modo que a corrente circula para
cima. A fonte de corrente deve ser conectada fonte de tenso pelo fechamento alternado de S1 e S2. Desenhe um circuito com um MOSFET e um diodo para realizar este
chaveamento.
1-2 Simule o circuito do Exemplo 1-1 usando o PSpice. Use uma chave controlada por
tenso Sbreak para S1 e um diodo Dbreak para S2. (a) Edite os modelos do PSpice para
idealizar o circuito usando RON 0,001 para a chave e n 0,001 para o diodo. Mostre a tenso na fonte de corrente no Probe. (b) Use RON 0,1 em Sbreak e n 1 (o
valor padro) para o diodo. Qual a diferena entre os resultados obtidos em a e b?
1-3 O modelo de MOSFET de potncia IRF150 est na biblioteca EVAL que acompanha a
verso de demonstrao do PSpice. Simule o circuito do Exemplo 1-1, usando IRF150
para o MOSFET e o modelo padro de diodo Dbreak para S2. Use um circuito de acionamento da porta idealizado similar ao da Fig. 1-16. Mostre a tenso na fonte de corrente
usando o Probe. Como diferem os resultados comparados com aqueles obtidos quando
foi usada a chave ideal?
1-4 Use o PSpice para simular o circuito do Exemplo1-1. Use o BJT padro do PSpice
QbreakN para a chave S1. Use um circuito de acionamento da base idealizado similar
ao circuito de acionamento do gatilho para o MOSFET na Fig. 1-9. Escolha uma resistncia de base apropriada para garantir que o transistor ligue para um hFE de 100. Use o
diodo padro Dbreak do PSpice para a chave S2. Mostre a tenso na fonte de corrente.
Como diferem os resultados comparados com aqueles obtidos usando uma chave ideal?

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