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Curso: Circuitos Elctricos y Electrnicos

Facultad de Ingeniera de Sistemas y Electrnica


Informe N 03
Tema:
Transistor BJT.
Integrantes:
Hinostroza Matos, Julio
Huamn Porras, Kimberly
Prez Valencia, Cinthya
Quiroz Z. , Frank

2014

Curso: Circuitos Elctricos y Electrnicos

Transistores
Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los tres
electrodos principales son emisor, colector y base. La conduccin entre estos
electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio
son los materiales ms frecuentemente utilizados para la fabricacin de los
elementos semiconductores
Elementos de un transistor o transistores:
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres
capas que consiste de dos capas de material tipo n y
una capa tipo p.

EMISOR, que emite los portadores de corriente,


(huecos o electrones).

BASE, que controla el flujo de los portadores de


corriente.

COLECTOR, que capta los portadores de corriente


emitidos por el emisor.

Tipos de Transistores

Transistores Bipolares de unin, BJT. ( PNP o NPN )


-

BJT, transistor bipolar de unin.


El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones
participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de
forma opuesta.

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Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )


-

JFET, llamado transistor unipolar, fue el primer transistor de efecto de


campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de
silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un
contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N
de la forma ms bsica.

MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.

MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido


semiconductor.
En estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio,
una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio,
actuando como una puerta, un electrodo de metal.

Transistores HBT y HEMT.


Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar
Transistor (Bipolar de Hetereo estructura) y Hight Electrn Mobility
Transistor (De Alta Movilidad).
Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinacin de diferentes
componentes, con distinto salto de banda prohibida.

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TRANSISTOR BJT
Es el ms comn de los transistores, y como los diodos,
puede

ser

de

germanio

silicio.

En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son:

el emisor, la base y el colector.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),


colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene
la flecha en el grfico de transistor.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP

El transistor bipolar (BJT) es un amplificador de corriente, esto quiere decir


que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base),
el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se
llama amplificacin.

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CURVAS
Estos dispositivos presentan curvas parame trizadas, debido al nmero de
corrientes y tensiones presentes.
Existe una zona llamada de saturacin, una de corte y una activa.
Un transistor:
Est en corte si la juntura BE no est polarizada.
Est en saturacin si la juntura CB queda polarizada en directa.
Caso contrario se encuentra trabajando Caso contrario se
encuentra trabajando en la zona activa.
BE est en directa y CB en inversa.

ZONAS DE TRABAJO
Si bien el transistor BJT pareciera ser Si bien el transistor BJT pareciera ser un
dispositivo simtrico (Colector Emisor), constructivamente el colector tiene una
superficie mucho mayor que el Emisor. Por este motivo, si bien es posible el
funcionamiento en inversa, las caractersticas son totalmente diferentes y la
performance en amplificacin.
ELECTROSTATICA
En condiciones de equilibrio, sin potenciales elctricos externos, se lo puede ver
simplemente como la unin de dos diodos.
Los anchos de las zonas de vaciamiento son diferentes debido a las
diferencias de los dopajes en cada sector Recordar que a mayor dopajes
en cada sector. Recordar que a mayor dopaje, menor es el ancho.
BJT PNP, si polarizamos la juntura BE en directa y la CB en inversa (modo de
trabajo en zona activa), los niveles de energa en el transistor sern

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La barrera de potencial de la juntura BE disminuye a causa de la


polarizacin directa, mientras que la de la juntura CB aumenta por la
polarizacin inversa.
Estructura fsica
El

transistor

bipolar

es

un

dispositivo

formado

por

tres

regiones

semiconductoras, entre las cuales se forman unas uniones (uniones PN).


Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las regiones sea alterno, es decir, si
el emisor es tipo P, entonces la base ser tipo N y el colector tipo P. Esta
estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N,
entonces la base ser P y el colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo
NPN.

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR


El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es
posible controlar un gran potencia a partir de una pequea. En la figura se
puede ver un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo. Entre los
terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el
terminal de base (B) se aplica la seal de control gracias a la que controlamos la
potencia.
Con pequeas variaciones de corriente a travs del terminal de base, se
consiguen grandes variaciones a travs de los terminales de colector y emisor. Si
se coloca una resistencia se puede convertir esta variacin de corriente en
variaciones de tensin segn sea necesario.

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Parte experimental
A. Equipos y materiales
.

Protoboard

BJT

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Resistencias

Osciloscopio

Generador de funciones

Condensador

B. Procedimiento:
Los pasos efectuados son:
1. Armar el circuito en el protoboard, como se ve en la siguiente imagen:

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2. Retirando los condensadores, realizamos las mediciones de cada resistencia,


y adems del VBE, VCE e IC. Anotamos los resultados.

3. Por ltimo se procede a colocar los condensadores y usando el generador


de funciones hallamos Vi,, para luego ver en el osciloscopio la seal
amplificada V0.

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C. Toma de datos Mediante Experiencia en el Laboratorio:


Componente

Resultado

Resistencia 1K

4.36 V

Resistencia 22K

10.46 V

Resistencia 3.3

1.08 V

Resistencia 100K

0.433 V

VBE

0.643 mV

VCE

6.84 V

IC
Entonces:

0.72 mA

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D. Circuito Armado

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E. Datos Hallados Tericamente (Simulador):

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OBSERVACIONES:
Para que exista el efecto de amplificado, entonces si su punto de
trabajo se ubica cerca del centro de la recta de carga de la zona
activa de rendimiento.

CONCLUSIONES:
El amplificador BJT posee un buen rendimiento tanto en bajas
frecuencias como en altas frecuencias.
Amplificador diseado posee una impedancia de salida muy
alta con corriente de base pequea, lo que hace que las
ganancias de voltaje que se pueden obtener con el
amplificador (Sin que se sature el transistor) son muy altas.

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