ALBERT WILLIAN FARIA

MODELAGEM POR ELEMENTOS FINITOS DE

PLACAS COMPOSTAS DOTADAS DE SENSORES E
ATUADORES PIEZOELTRICOS: IMPLEMENTAO
COMPUTACIONAL E AVALIAO NUMRICA

UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLNDIA

FACULDADE DE ENGENHARIA MECNICA
2006

ALBERT WILLIAN FARIA

MODELAGEM POR ELEMENTOS FINITOS DE PLACAS

COMPOSTAS DOTADAS DE SENSORES E ATUADORES
PIEZOELTRICOS: IMPLEMENTAO COMPUTACIONAL E
AVALIAO NUMRICA

Dissertao apresentada ao Programa de Psgraduao

em

Engenharia

Mecnica

da

Universidade Federal de Uberlndia, como parte

dos requisitos para a obteno do ttulo de
MESTRE EM ENGENHARIA MECNICA.

rea de Concentrao: Mecnica dos Slidos e

Vibraes.

Orientador: Prof. Domingos Alves Rade

UBERLNDIA - MG
2006

FICHA CATALOGRFICA
Elaborada pelo Sistema de Bibliotecas da UFU / Setor de Catalogao e Classificao

F224m

Faria, Albert Willian, 1980Modelagem por elementos finitos de placas compostas dotadas de
sensores e atuadores piezoeltricos : implementao computacional e
avaliao numrica / Albert Willian Faria. - Uberlndia, 2006.
152f. : il.
Orientador: Domingos Alves Rade.
Dissertao (mestrado) Universidade Federal de Uberlndia, Programa de Ps-Graduao em Engenharia Mecnica.
Inclui bibliografia.
1. Vibrao - Teses. 2. Mtodo dos elementos finitos - Teses. I. Rade,
Domingos Alves. II. Universidade Federal de Uberlndia. Programa de
Ps-Graduao em Engenharia Mecnica. III. Ttulo.

621:534

Dedico esta dissertao aos meus amigos. Graas

aos seus ensinamentos, apoio emocional e espiritual
este trabalho tornou-se uma realidade. Amigos do
Laboratrio de Mecnica de Estruturas (LMEst),
amigo orientador, amigos familiares, em especial
para minha querida amiga e me Cleusa, a
Fernanda minha grande amiga e companheira
nestes perodos difceis, amiga Minas Gerais, terra
grandiosa e que me acolheu e ao maior dos amigos
que propiciou o nosso encontro: DEUS.

vi

AGRADECIMENTOS

A Coordenao de Aperfeioamento de Pessoal de

Nvel Superior (CAPES) pelo apoio financeiro. Ao
programa

de

Ps-graduao

em

Engenharia

Mecnica da Universidade Federal de Uberlndia

pela confiana depositada neste trabalho. Aos
membros

da

banca

examinadora,

pelas

contribuies dadas ao trabalho. E em especial ao

professor Dr. Domingos Alves Rade pela orientao,
incentivo, dedicao e amizade durante a realizao
desta dissertao.

vii

FARIA, A. W. Modelagem por elementos finitos de placas compostas dotadas de

sensores e atuadores piezoeltricos: implementao computacional e avaliao
numrica. 2006. 152f. Dissertao de Mestrado, Universidade Federal de Uberlndia,
Uberlndia, MG.

RESUMO

Esta dissertao apresenta uma metodologia baseada no Mtodo dos Elementos Finitos
(MEF) para a modelagem de estruturas compostas laminadas do tipo viga e placa dotadas
de sensores e atuadores piezoeltricos. Os conceitos fundamentais e o desenvolvimento
terico so apresentados, seguidos de simulaes numricas realizadas em ambiente
MATLAB para a modelagem dessas estruturas. O elemento finito implementado do tipo
Serendipity, tem forma retangular, oito pontos nodais, onze graus de liberdade mecnicos
por n e oito graus de liberdade eltricos por interface de camada piezoeltrica. Os efeitos
da temperatura so desprezados. empregada uma Teoria Mista baseada no uso de
camada equivalente nica para representao do campo de deslocamentos mecnicos e em
mltiplas camadas para o campo eltrico. A aproximao do campo de deslocamentos
mecnicos utiliza duas teorias distintas: a Teoria da Deformao de Terceira Ordem (HSDT)
e a Teoria da Deformao Cisalhante de Primeira Ordem (FSDT). As teorias em estudo so
implementadas computacionalmente e confrontadas atravs da realizao de simulaes
numricas e os resultados so comparados com os disponveis na literatura. Nestas
simulaes, alguns aspectos relevantes do comportamento esttico e dinmico sob vibrao
livre de vigas e placas retangulares dotadas de sensores e atuadores piezoeltricos so
avaliados, tais como deflexo, freqncias naturais e potenciais eltricos. So discutidas as
vantagens e desvantagens da utilizao de cada uma dessas teorias na modelagem de
estruturas inteligentes.

Palavras Chave: Elementos finitos. Estruturas inteligentes. Estruturas compostas. Teoria

Mista. Teoria da Deformao Cisalhante de Primeira/Terceira Ordem. Piezoeletricidade.

viii

FARIA, A. W. Finite element modeling of composite plates incorporating piezoelectric

sensors and actuators: implementation and numerical assessment. 2006. 152f. Master
Dissertation, Federal University of Uberlndia, Uberlndia, MG.

ABSTRACT

This Dissertation presents a methodology based on the Finite Element method for the
modeling of laminated composite beams and plates containing piezoelectric sensors and
actuators. The fundamental concepts and the theoretical developments are presented,
followed by a number of numerical simulations performed in MATLAB environment. The
finite element used is a Serendipity-type element with rectangular shape, eight nodes, eleven
mechanical degrees-of-freedom per node and eight electrical degrees-of-freedom per
interface of piezoelectric layer. Temperature effects are neglected. A Mixed Theory is
adopted, which uses a single equivalent layer for discretization of the mechanical
displacement field and a layerwise representation of the electrical field. For the
approximation of the mechanical displacements, two different theories are used, namely: the
Higher-order Shear Deformation Theory (HSDT) and the First-order Shear Deformation
Theory (FSDT). Both theories are numerically implemented and used in a number numerical
simulations whose results are available in the literature. In these simulations, some relevant
aspects of the static and dynamic behavior of beams and rectangular plates containing
piezoelectric sensors and actuators are appraised. The main advantages and drawbacks of
the theories, as applied to the modeling of intelligent composite structures are pointed-out.

Keywords: Finite element method. Intelligent structures. Composite materials. Mixed Theory.
First-order/ High-order shear deformation theory. Piezoelectricity.

ix

LISTA DE SMBOLOS

SMBOLOS LATINOS
c

resistncia mecnica

constante piezoeltrica de deformao

{D}

vetor dos deslocamentos eltricos

constante piezoeltrica de tenso

{E}

campo eltrico

{F}, {Q}

vetores de carregamento eltrico e mecnico

espessura total do composto

Jacobiano

Ke, Kg

energia cintica elementar e global

K44, K45, K54, K55

fatores de correo do cisalhamento transversal

[Kuu], [Ku], [Ku], [K]

matrizes de rigidez eletromecnica que incorporam efeitos piezoeltricos

Lagrangeano

[Le]

matriz de conectividade

Lid, Liu

funes layerwise

[Me], [Mg]

matrizes de massa elementar e global

N8

funes de forma do elemento Serendipity de 8 ns.

Pe, Pg

energia potencial elementar e global

[Q], [T]

matrizes de transformao 2D e 3D - rotao sobre o eixo z

[R]

matriz inversa da matriz T

temperatura

{U}

vetor deslocamento mecnico total elementar

voltagem

We, Wg

trabalho elementar e global

(u, v, w)

componentes do deslocamento total

(x, y)

sistema de coordenadas planas globais

SMBOLOS GREGOS

[ ]

matriz das freqncias naturais elevadas ao quadrado

(, )

sistema local de coordenadas planas do elemento

[ ]

matriz permissividade eltrica

[ ]

matriz dos modos de vibrar

(x, y)

funes de interface

e, g

potncia eltrico elementar e global

{}

vetor deformao mecnica

{ }

vetor tenso mecnica

LISTA DE ABREVIAES
CLT

Teoria Clssica dos Laminados

g.d.l

graus de liberdade

FSDT

Teoria da Deformao Cisalhante de Primeira Ordem

HSDT

Teoria da Deformao Cisalhante de Terceira Ordem

MEF

Mtodo dos Elementos Finitos

PVDF

fluorido de polivinilideno

PZT

zirconato titanato de chumbo

PVH

Princpio Variacional de Hamilton

xi

SUMRIO

CAPTULO I

INTRODUO

CAPTULO II

REVISO DA LITERATURA

2.1 Controle ativo e passivo de forma e vibraes de estruturas

inteligentes

CAPTULO III

CAPTULO IV

2.2 Modelos analticos e numricos de estruturas inteligentes

REVISO DAS TEORIAS DE PLACAS E CASCAS

17

3.1 Introduo

17

3.2 Teoria da Camada Equivalente nica

19

3.2.1 Teoria Clssica dos Laminados (CLT)

19

3.2.2 Teoria da Deformao Cisalhante de Primeira Ordem (FSDT)

21

3.2.3 Teoria da Deformao Cisalhante de Ordem Superior (HSDT)

22

3.3 Teoria das Camadas Equivalentes Discretas

25

3.4 Teoria Mista

30

3.5 Definio das relaes deslocamento-deformao das placas

32

3.6 Definio dos campos de deslocamentos eltricos das placas

34

FUNDAMENTOS DA PIEZOELETRICIDADE LINEAR

35

4.1 Histrico da piezoeletricidade

35

4.2 Equaes constitutivas da piezoeletricidade linear

38

4.3 Estrutura cristalina dos materiais piezoeltricos

45

4.4 Rotao do sistema de coordenadas

47

xii

CAPTULO V

MATERIAIS COMPOSTOS

51

5.1 Introduo

51

5.2 Constituio dos materiais compostos

53

5.3 Arquitetura dos compostos

54

CAPTULO VI

5.3.1 Compostos com fibras

55

5.3.2 Compostos particulados

56

5.3.3 Compostos estruturais

57

FORMULAO DO MODELO DE ELEMENTOS FINITOS

61

6.1 Discretizao do potencial eltrico linear distribudo por camadas

63

6.2 Deslocamentos mecnicos da HSDT representados em uma camada

72

equivalente nica
6.3 Formulao de elementos finitos
6.3.1 Formulao elementar e global com base no Princpio

78
78

Variacional de Hamilton

CAPTULO VII

6.3.2 Condies de contorno mecnicas

87

6.3.3 Equaes dos sensores e atuadores piezoeltricos

90

6.3.4 Freqncias naturais e modos de vibrao

93

APLICAES NUMRICAS

95

7.1 Placa em balano

95

7.2 Placa composta laminada, quadrada, sujeita a um carregamento

97

senoidal
7.3 Placa composta laminada, quadrada, sujeita a um carregamento

100

senoidal e modelada pela formulao FSDT

7.4 Placa composta em balano contendo atuadores piezoeltricos

101

7.5 Anlise modal de uma placa quadrada, simplesmente apoiada, com

105

atuadores contnuos colados em sua superfcie superior e inferior

7.6 Viga em balano com atuadores de PVDF

117

7.7 Viga em balano com sensores de PVDF

120

xiii

CAPTULO VIII

CONCLUSES

125

8.1 Consideraes finais

125

8.2 Sugestes para trabalhos futuros

126

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

129

ANEXO I

141

COMPARAO ENTRE AS PRINCIPAIS TEORIAS DE CLCULO

DE ESTRATIFICADOS

ANEXO II

PROPRIEDADES DOS MATERIAIS EM TERMOS DAS

143

COORDENADAS PRINCIPAIS E GLOBAIS

Matriz de rigidez mecnica

143

Matriz das constantes piezoeltricas de tenso

146

Matriz das constantes piezoeltricas de deformao

147

Matriz da permissividade eltrica

147

ANEXO III

FLUXOGRAMA DO PROGRAMA DE ELEMENTOS FINITOS

149

ANEXO IV

PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

151

Constantes de rigidez elstica

151

Constantes piezoeltricas de deformao e permissividade eltrica

152

Constantes piezoeltricas de tenso e permissividade eltrica

152

CAPTULO l

INTRODUO

A Engenharia Estrutural est entrando em uma nova era em virtude do

desenvolvimento de estruturas integradas a materiais adaptativos e controladores,
configurando-se as chamadas estruturas inteligentes ou estruturas adaptativas. Imitando o
comportamento observado nos seres vivos, estas estruturas so capazes de "perceber"
alteraes nas condies ambientais e operacionais e se adaptar com o objetivo de
assegurar desempenho satisfatrio. Concebe-se, inclusive, a possibilidade de que estas
estruturas possam detectar a ocorrncia de danos e promover uma reparao automtica.
O conceito de estrutura inteligente perfeitamente integrado Engenharia
Mecatrnica e tem uma vasta gama de aplicaes em setores em que h uma exigncia
natural de maximizao da segurana, confiabilidade e desempenho, tais como em
estruturas espaciais, satlites, avies e helicpteros, automveis, construo civil,
equipamentos esportivos de alto desempenho, dentre outros.
Freqentemente, as estruturas esto sujeitas a perturbaes estticas ou dinmicas.
Caso as respostas a estas perturbaes sejam consideras insatisfatrias, requerendo aes
de controle, ficam configurados os problemas de controle de vibraes, no primeiro caso, e
de controle de forma no segundo caso, os quais podem ser tratados empregando
estratgias de controle ativo ou passivo. Nestas situaes, as estruturas inteligentes podem
ser concebidas para efetuar, de forma autnoma, as tarefas de sensoriamento, atuao e
controle.
Os quatro elementos fundamentais de uma estrutura inteligente so: os sensores,
destinados a captar as alteraes ambientais e/ou de funcionamento, os atuadores,
responsveis pela ao de adaptao do sistema, os procedimentos de controle, geralmente
implementados em microprocessadores digitais e que determinam as aes de controle a
serem executadas pelos atuadores a partir das informaes adquiridas pelos sensores e,
claro, a prpria estrutura.

Um dos fatores que tm impulsionado a tecnologia de estruturas inteligentes a

viabilizao crescente do uso dos chamados materiais inteligentes ou adaptativos na
concepo de sensores e atuadores.
Existem diferentes tipos de materiais adaptativos, classificados de acordo com o tipo
de transformaes energticas envolvidas (ROGERS, 1992; PIEFORT, 2001). Por exemplo,
materiais piezoeltricos, eletrostrictivos e fludos eletroreolgicos transformam energia
eltrica em mecnica e vice-versa; materiais magnetostrictivos e fludos magnticoreolgicos sofrem transformaes do tipo magntica-mecnica; fibras pticas transformam
energia luminosa em mecnica e vice-versa; ligas com memria de forma (Shape Memory
Alloys - SMA) sofrem transformaes termo-mecnicas.
Dentre os materiais inteligentes, os materiais piezoeltricos so, indubitavelmente, os
mais utilizados em diversos tipos de aplicaes. Isso se deve ao fato de poderem ser
usados efetivamente tanto como sensores como atuadores. Outras vantagens que explicam
a grande popularidade desses materiais referem-se sua facilidade de obteno comercial
e de adaptao a diferentes tipos estruturais (placas, cascas, vigas e estruturas curvas).
Alm disso, podem ser confeccionados em formas variadas, so leves, pouco intrusivos e
fceis de manusear.
Alm dos materiais classicamente empregados na construo de sistemas estruturais
(materiais metlicos, concreto e madeira), os chamados materiais compostos vm tendo
utilizao crescente em numerosos tipos de sistemas estruturais, notadamente na
concepo de estruturas inteligentes.
Materiais compostos podem ser considerados aqueles formados por dois ou mais
materiais ou fases de diferente constituio e com propriedades mecnicas e fsicas
diferentes entre si (SOUZA, 2003). Essas combinaes so feitas de modo que o material
resultante apresente comportamento diferenciado dos convencionais. Existem ligas
metlicas que so resultantes da combinao de dois materiais metlicos diferentes, mais
estes apresentam propriedades aproximadamente iguais. Alguns plsticos que so
misturados com aditivos por questo de custo, s so considerados materiais compostos
somente se suas propriedades fsicas forem substancialmente afetadas.
Vrios tipos de classificao para os materiais compostos so disponveis na
literatura. Os definidos em termos da morfologia de seus agentes de reforo so
classificados em: compostos particulados, com fibras e compostos estruturais (SOUZA,
2003; PEREIRA Jr., 2004). Esses ltimos por sua vez so subdivididos em compostos
estruturais do tipo sanduche e compostos laminados.

So de interesse desta dissertao somente os materiais compostos laminados que

consistem de diferentes lminas fibrosas onde a orientao e o material de cada uma
dependem do projeto estrutural.
Segundo Chalaye (2002), os materiais mais tradicionais, como o ao e o alumnio,
aparecem freqentemente como uma soluo mais segura do que os compostos, pois suas
performances tcnicas so mais bem conhecidas e seu comportamento bem previsvel.
No entanto, os materiais compostos dispem de vrias vantagens em relao aos materiais
tradicionais de uso corrente. A mais relevante delas, do ponto de vista mecnico, a relao
resistncia/peso muito superior s de outros tipos de materiais. Alm disso, os materiais
compostos permitem o aumento de vida de certos equipamentos graas a suas
propriedades mecnicas (rigidez, resistncia fadiga) e qumicas (resistncia corroso).
Reforam a segurana, graas a um melhor comportamento ao choque e ao fogo. Alguns
materiais compostos oferecem um melhor isolamento trmico, sonoro e eltrico, alm de
enriquecerem as possibilidades de concepes estruturais, permitindo a realizao de
formas estruturais complexas com otimizao da relao custo/desempenho.
Como bem conhecido, o custo de fabricao dos materiais compostos superior ao
dos materiais tradicionais como o ao, a madeira ou o alumnio. No entanto, as vantagens
dos materiais compostos podem valorizar-se em termos dos ganhos ao longo da vida til.
Com base no exposto acima, percebe-se que a combinao de materiais compostos
com materiais adaptativos, notadamente materiais piezoeltricos, uma estratgia
extremamente interessante na tecnologia das estruturas inteligentes, e vem recebendo
muita ateno de pesquisadores nos ltimos anos (DONADON, 2000; ROCHA, 2004).
Modernamente, todas as etapas de projeto de estruturas complexas requerem o uso
de modelos numricos confiveis capazes de proporcionar previses realistas qualitativas e
quantitativas do comportamento estrutural. Tais modelos so indispensveis para a
otimizao estrutural e para avaliao de confiabilidade. Neste sentido, grande esforo de
pesquisa vem sendo empreendido nos ltimos anos visando o desenvolvimento de tcnicas
de modelagem adaptadas a estruturas inteligentes (DONADON, 2000). No caso particular
de estruturas dotadas de sensores e atuadores piezoeltricos, estes modelos devem ser
capazes de representar, de forma adequada, o acoplamento eletromecnico existente, e
devem ser aplicveis a diversos tipos de elementos estruturais (barras, vigas, placas e
cascas).
Dentre as diferentes tcnicas de modelagem existentes, o Mtodo dos Elementos
Finitos (MEF) tem se mostrado o mais adequado para a modelagem de estruturas
inteligentes, principalmente em virtude de suas caractersticas vantajosas de flexibilidade de

modelagem e relativa facilidade de implementao numrica. Alm disso, o MEF hoje uma
ferramenta de Engenharia bastante amadurecida, cujas potencialidades e limitaes so
amplamente conhecidas. Conforme ser evidenciado no Captulo II, diversas variantes de
modelagem por elementos finitos de estruturas compostas com sensores e atuadores
piezoeltricos existem. A principal distino entre elas a ordem das funes polinomiais
escolhidas para aproximar as variveis de campo mecnicas e eltricas. Segundo este
critrio, as classes mais importantes so as teorias de primeira ordem (First-order Shear
Deformation Theory - FSDT) e as teorias de ordem superior (Higher-order Shear
Deformation Theory - HSDT), Correia et al. (2000).
O estudo reportado neste trabalho insere-se no contexto delineado acima.
Especificamente, enfocam-se os procedimentos de modelagem por elementos finitos de
estruturas inteligentes constitudas de placas compostas dotadas de sensores e atuadores
piezoeltricos.
Observa-se, na literatura, uma grande diversidade de teorias utilizadas na formulao
de elementos finitos de estruturas compostas inteligentes, cada uma delas apresentando
caractersticas favorveis e desfavorveis prprias, notadamente no que diz respeito
preciso, domnio de aplicao e esforo computacional envolvido na sua implementao.
Foram, portanto, estabelecidos os seguintes objetivos especficos para este trabalho:
1. realizar um estudo bibliogrfico referente s diversas formulaes apresentadas na
literatura, visando apreender o estado atual da arte e avaliar as caractersticas destas
formulaes;
2. com base no estudo bibliogrfico, efetuar a implementao computacional de
algumas das formulaes mais difundidas, FSDT e HSDT, e avaliar e comparar seu
desempenho quando aplicadas a placas compostas laminadas. O modelo implementado
deve ser capaz de acomodar diferentes tipos de anlises estticas e dinmicas, oferecendo
flexibilidade quanto discretizao espacial, estratificao do laminado e posicionamento de
sensores e atuadores piezoeltricos.
Deve-se tambm observar que, no mbito do grupo de pesquisa em Vibraes e
Dinmica da Faculdade de Engenharia Mecnica da UFU, as estruturas inteligentes vm
sendo estudadas h alguns anos, sob os aspectos de modelagem e controle, com
aplicaes a estruturas constitudas de materiais metlicos (ALBUQUERQUE, 2004;
ABREU, 2003; TEIXEIRA, 2001; VIANA, 2005; SANTANA, 2002; SANTANA et al. 2004;
RADE e STEFFEN Jr, 2006). O presente trabalho objetiva a extenso do trabalho de
pesquisa a estruturas constitudas de materiais compostos, que ocupam uma importante
posio na tecnologia de estruturas inteligentes.

Alm deste captulo introdutrio esta dissertao est estruturada em seis captulos
cujo contedo o seguinte:
O segundo captulo traz uma reviso bibliogrfica de algumas das principais
contribuies dadas ao estudo de temas ligados s estruturas compostas inteligentes.
O terceiro captulo estabelece uma discusso sobre a fundamentao terica
pertinente modelagem de placas compostas laminadas, com nfase nas teorias de
primeira ordem e de alta ordem.
O quarto captulo dedica-se ao estudo dos materiais piezoeltricos utilizados em
estruturas inteligentes, apresentando um breve histrico da piezoeletricidade, com nfase
nas relaes constitutivas eletromecnicas acopladas empregadas na modelagem
numrica.
No quinto captulo apresenta-se uma breve reviso das terminologias sobre os
materiais compostos adotadas nesta dissertao.
O sexto captulo apresenta passo a passo a formulao do elemento finito Serendipity
escolhido

para

implementao

computacional.

Nele,

as

relaes

deformaes/deslocamentos e campos eltricos/voltagens so expressos em termos de

variveis nodais e funes de forma e associados posteriormente ao princpio variacional
eletromecnico em nvel elementar e global para a obteno da Equao do Geral do
Sistema Eletromecnico Acoplado. Para a soluo numrica dessas equaes, so
formuladas as teorias HSDT e FSDT utilizadas para a aproximao do campo de
deslocamentos mecnicos da Teoria Mista. Essas equaes descrevem o comportamento
global da estrutura sob condies estticas e sob vibrao livre e suas condies de
contorno so apresentadas.
No stimo captulo, para efeito de validao dos programas computacionais
implementados, so modeladas estruturas compostas laminadas comuns e estruturas
compostas laminadas inteligentes dotadas de sensores e atuadores piezoeltricos.
Por fim, o oitavo captulo traz comentrios e concluses sobre o trabalho, alm de
sugestes para trabalhos futuros.

CAPTULO II

REVISO DA LITERATURA

Neste captulo apresentado um levantamento das principais contribuies

encontradas na literatura cientfica voltadas aos dois principais aspectos das estruturas
compostas abordados neste trabalho: o controle de forma e de vibraes empregando
sensores e atuadores piezoeltricos e as tcnicas de modelagem por elementos finitos.

2.1 Controle ativo e passivo de forma e vibraes de estruturas inteligentes

Conforme anunciado anteriormente no Captulo I, em uma aplicao tpica de controle

ativo, elementos piezoeltricos so usados como sensores de deformao ou de vibrao e
como atuadores colados estrutura-base ou inseridos em seu interior. A voltagem gerada
pelo sensor devidamente processada por um controlador (um conjunto de instrues
implementadas em computador digital), que determina uma voltagem a ser aplicada ao
atuador piezoeltrico com o intuito de minimizar as perturbaes indesejveis da estrutura.
Segundo Lima Jr. (1999) e Rocha (2004), na rea do controle ativo usando materiais
piezoeltricos esto disponveis na literatura vrios trabalhos empregando diferentes
estratgias de controle, como por exemplo: controle por realimentao positiva (FANSON e
CAUGHEY, 1990), intensidade estrutural (GIBBS e FULLER, 1992; ARRUDA, M. et a.,
1997), controle adaptativo (ABREU, 2003; CHANDRASHEKHARA et al., 1996), controle por
Redes Neurais Artificiais e Lgica Fuzzy (VIPPERMAN e CLARK, 1996; ASSUNO e
TEIXEIRA, 2001; ABREU e RIBEIRO, 2002), controle robusto de bandas limitadas
(MOREIRA, 1998) e tcnicas empregando a formulao das desigualdades matriciais
lineares - LMIs (GONALVES et al., 2002).
Tem sido explorada ainda uma interessante possibilidade de se obter o controle
passivo de vibraes e rudo (sem introduo de energia externa) empregando materiais

piezoeltricos, baseado no fato que elementos piezoeltricos podem converter parte da

deformao da estrutura em energia eltrica durante o ciclo de vibraes. Essa energia
pode ser dissipada e ou transformada atravs de um circuito eltrico passivo, tambm
conhecido como circuito shunt, constituindo uma forma usual de controle passivo de
estruturas obtendo-se assim atenuao dos nveis de vibraes (HAGOOD et al., 1991,
HOLLKAMP, 1994; VIANA, 2005). Comparada com outras tcnicas de controle passivo, que
tipicamente introduzem alto amortecimento, como o caso do amortecimento viscoelstico,
esta tcnica oferece a vantagem de que o nvel de amortecimento pode ser modificado
periodicamente atravs da variao das propriedades eltricas dos elementos passivos
(resistores e indutores) ou atravs da reconfigurao do circuito eltrico. Alm disso, no
caso dos materiais compostos, segundo Saravanos (1999b), esta tcnica no reduz a
rigidez das lminas como ocorre no caso de camadas amortecidas por cisalhamento de
materiais viscoelsticos.
So relativamente recentes os trabalhos feitos na rea de amortecimento
piezoeltrico passivo. Hagood et al (1991) foram os primeiros a estudar o uso de elementos
piezoeltricos em vigas amortecidas passivamente com circuito shunt. Revises sobre o
tema so apresentadas por Rao e Sunar (1994) e Crawley (1994). A maioria dos estudos se
limita a configuraes simples de laminados e elementos estruturais do tipo viga. Koshigoe e
Murdock (1993) fizeram simplificaes nas frmulas analticas de placas com elementos
piezoeltricos passivos. Davis et al. (1995) desenvolveram um mtodo para predizer o
amortecimento passivo em vigas com malhas piezoeltricas com circuito shunt, baseados
na dissipao da energia de deformao e tambm apresentaram resultados experimentais.
Koshigoe e Murdock (1993) e Saravanos (1999a) desenvolveram formulaes analticas,
enquanto Saravanos (1999b) desenvolveu uma formulao de elementos finitos para o
controle de vibraes de uma estrutura de casca laminada com piezoeltricos ligados a um
circuito shunt integrado utilizando a teoria dos campos mistos de laminados piezoeltricos.
Plagiankos e Saravanos (2003) desenvolveram um modelo para a predio do
amortecimento em vigas e placas compostas, proporcionado pela contribuio conjunta das
camadas viscoelsticas e piezoeltricas amortecidas passivamente com circuitos shunt.
Estudos similares tratando da modelagem de compostos laminados inteligentes combinados
com circuitos eltricos shunt foram apresentados por Bisegna e Caruso (2000) e Bisegna e
Caruso (2001).

2.2 Modelos analticos e numricos de estruturas inteligentes

Uma grande variedade de modelos analticos foi desenvolvida na tentativa de

predio do comportamento dos materiais piezoeltricos em estruturas inteligentes. Estes
modelos so classificados segundo Lee (2001) em duas distintas categorias: modelos de
deformao induzida (induced strain models) e modelos eletro-mecnico acoplados (coupled
electromechanical models).
Os modelos de deformao induzida usam aproximaes tericas para incorporar o
efeito piezoeltrico direto e inverso, e so geralmente limitados, predizendo somente a
resposta ativa do material piezoeltrico, visto que negligenciam o potencial eltrico como
uma varivel de estado na formulao. Modelos deste tipo, implementados em cdigos de
elementos finitos, foram propostos por Hwang et al. (1994) no estudo de placas compostas
laminadas. Estas placas so controladas ativamente, atravs do controle com realimentao
negativa de velocidade (negative velocity feedback control) com atuadores e sensores
piezoeltricos, e controladas passivamente atravs da mudana de rigidez obtida atravs da
mudana de orientao das lminas do composto.
Modelos eletromecnicos acoplados so modelos que promovem uma representao
mais consistente de ambos efeitos piezoeltricos (direto e inverso) por incorporarem em sua
formulao os deslocamentos e potenciais eltricos como variveis de estado. Algumas
anlises utilizando estes tipos de modelo so baseadas nas aproximaes analticas de
Bailey e Hubbard (1985), Crawley e de Luis (1987), Crawley e Anderson (1990), Lee (1990),
Mitchell e Reddy (1995), Heyliger e Saravanos (1995), Liang (1997) e Machado (2004).
Tipicamente, os modelos de deformao induzida e eletromecnico acoplado so
implementados em cdigos de elementos finitos em virtude das limitaes apresentadas
pelos modelos analticos, cuja aplicabilidade fica restrita a formas estruturais e condies de
contorno mais simples.
Na tcnica de elementos finitos, o campo de deslocamentos mecnicos dos modelos
eletromecnicos acoplados normalmente aproximado atravs de uma srie polinomial ao
longo da espessura. A ordem desta srie que d nome s teorias utilizadas na
modelagem. Assim, dentre as mais conhecidas esto a chamada Teoria da Deformao
Cisalhante de Primeira Ordem (FSDT) e a Teoria da Deformao Cisalhante de Terceira
Ordem (HSDT), ou simplesmente conhecida como Teoria Cisalhante de Ordem Superior por
ser a teoria mais importante dentre as teorias de alta ordem.
Existe alm dessas duas teorias, a Teoria Clssica dos Laminados (CLT) que uma
teoria mais antiga e largamente utilizada por vrios autores. A CLT negligencia os efeitos

10

devidos

deformaes

cisalhantes

transversais

requer

funes

campo

de

deslocamentos mecnicos pertencentes ao espao C .

Os nmeros de graus de liberdade mecnicos das teorias CLT, FSDT e HSDT no
dependem do nmero de camadas do composto laminado, e so conhecidas como Teorias
da Camada Equivalente nica, ou Teorias da Camada Equivalente Simples (Equivalente
Single Layer Theory).
Alm dessas, existe a chamada Teoria de Camadas Equivalentes Discretas
(Layerwise Theory) onde, o nmero de graus de liberdade (mecnicos ou eltricos) depende
do nmero de camadas ao longo da espessura da estrutura composta. A aplicao da
Teoria das Camadas Equivalentes Discretas na aproximao das variveis eltricas permite
a incluso de camadas piezoeltricas em diferentes posies, embutidas ou coladas nas
superfcies da estrutura composta.
De modo geral, deve-se buscar um compromisso entre a ordem da funo de
aproximao e o esforo computacional resultante na modelagem de estruturas inteligentes.
Com este objetivo, existe tambm na modelagem de estruturas inteligentes a Teoria Mista e
cuja grande vantagem est relacionada exatamente economia de custo computacional em
relao Teoria das Camadas Equivalentes Discretas.
A Teoria Mista combina o comportamento mecnico concebido em uma camada
simples com o comportamento eltrico da estrutura inteligente em multicamadas.
No captulo subseqente, as formulaes tericas da CLT, FSDT e da HSDT sero
detalhadas, e sero destacadas as vantagens, desvantagens e condies de aplicaes de
cada uma delas. Revises abrangentes sobre estas teorias so encontradas nas
publicaes de Reddy (1997) e Mendona (2005). Com propsito de apresentar e discutir os
avanos e tendncias na formulao e desenvolvimento dos modelos de elementos finitos
aplicados na modelagem de estruturas inteligentes, Benjeddou (2000) apresenta uma
extensa reviso de trabalhos.
Para os modelos eletromecnicos acoplados, existem nmeros trabalhos que utilizam
diferentes formulaes tericas. A reviso dos trabalhos a seguir no pretende incluir todos
esses trabalhos, mais apenas informar o leitor sobre o atual estgio do desenvolvimento da
pesquisa acerca do tema e nele contextualizar o presente trabalho.
Anlises dinmica e esttica de placas finas com atuadores e sensores piezoeltricos
acoplados usando o Mtodo dos Elementos Finitos (MEF) so realizadas por Tzou e Tseng
(1990) e Ha et al. (1992), sendo que a estrutura hospedeira dos materiais adaptativos e o
prprio conjunto sensor/atuador so modelados por elementos slidos isoparamtricos de 8
ns que utilizam a CLT na aproximao das variveis mecnicas. Estes elementos slidos
so formulados especificamente para placas ou cascas finas, com sensores e atuadores

11

piezoeltricos distribudos. Estudos numricos para avaliar a performance de placas em

balano com camadas piezoeltricas passivas e ativas de materiais polimricos em vibrao
foram realizadas por Tzou e Tseng (1990), enquanto Ha et al. (1992) realizaram anlises
estticas e dinmicas de placas compostas laminadas contendo cermicas piezoeltricas
distribudas e sujeitas a carregamentos mecnicos e eltricos.
Devido ao elevado nmero de graus de liberdade (g.d.l), o elemento slido
isoparamtrico conduz a problemas de grande dimenso, o que requer o emprego da
tcnica especial de reduo de Guyan, que reduz o nmero total de graus de liberdade do
modelo, conforme relatado no estudo de Suleman e Venkayya (1995). A ocorrncia de
excessivas energias de deformao cisalhante e a elevada rigidez na direo da espessura
da placa, que propicia o fenmeno conhecido por shear locking (literalmente, travamento por
cisalhamento), outro problema associado com os elementos slidos isoparamtricos na
anlise de placas finas. Para superar estes problemas, trs g.d.l internos foram adicionados
a este elemento de 8 ns, ocasionando aumento adicional na complexidade da formulao e
na dimenso dos modelos, segundo Detwiler et al. (1995). Estes autores afirmam ainda que
o uso de elementos bidimensionais de placa reduz consideravelmente o tamanho do
problema e o tempo computacional de certas aplicaes em elementos finitos.
O elemento bidimensional de placa desenvolvido por Hwang e Park (1993) mais
eficiente que elementos slidos, porm aparenta ter capacidades restritas de modelagem.
Este elemento, segundo Detwiler et al. (1995) pode ser usado somente para modelar vigas e
placas dotadas de pares de sensores e atuadores piezoeltricos colados simetricamente ao
longo de sua espessura. Possui somente trs g.d.l estruturais por n, no sendo capaz de
modelar o acoplamento membrana-flexo.
Saravanos e Heyliger (1995) desenvolveram uma formulao de elementos finitos
utilizando a Teoria das Camadas Equivalentes Discretas para a anlise da performance
esttica e sob vibrao livre de placas compostas piezoeltricas simplesmente apoiadas e
de

placas

compostas

engastadas

dotadas

de

piezocermicas

discretizadas.

Em

comparao com as predies das solues exatas, os autores mostraram a grande

capacidade desta teoria para modelar placas compostas piezoeltricas finas e espessas sob
vibrao livre na condio de circuito aberto e fechado. Foi demonstrada tambm a
habilidade da formulao na obteno das respostas esttica de placas compostas
engastadas dotadas de piezocermicas distribudas de maneira discreta. Alm de analises
globais, as aplicaes desenvolvidas demonstraram a grande capacidade da formulao na
obteno das respostas locais. Os resultados das tenses interlaminares e planas, dos
deslocamentos planos e transversais e dos potenciais eltricos ao longo da espessura da
estrutura inteligente apresentam grande preciso com os obtidos atravs da soluo exata.

12

Com o propsito de desenvolver modelos mais simples, reduzidos e eficientes

comparados aos modelos tridimensionais utilizando elementos slidos e os da Teoria das
Camadas Equivalentes Discretas, Suleman e Venkayya (1995) tambm desenvolveram um
elemento bidimensional de placa piezoeltrica, e no lugar da CLT utilizaram o modelo de
placa de Mindlin (FSDT) no estudo de placas compostas laminadas com sensores e
atuadores piezoeltricos. Os g.d.l eltricos so assumidos sobre o plano de cada lmina
piezoeltrica e variam linearmente atravs de sua espessura. Um elemento bidimensional
dotado de 4 ns foi desenvolvido. Na validao da formulao, os resultados obtidos foram
confrontados com resultados analticos e experimentais para vigas piezoeltricas em
balano e placas compostas em balano dotadas de atuadores piezoeltricos. Suleman e
Venkayya (1995) validam tal teoria restritos a x = y = 0, para placas finas com base em
resultados experimentais e modelos tericos 3D.
Detwiler et al. (1995) formularam um elemento bidimensional de placa capaz de
modelar placas compostas laminadas contendo uma ou mais camadas piezoeltricas ativas
e passivas sujeitas a carregamentos mecnicos e eltricos sob condies estticas e
dinmicas. Cada camada piezoeltrica, diferentemente do elemento de Hwang e Park
(1993), pode ser colada em uma distncia arbitrria do plano mdio de referncia da placa e
estar sujeita a diferentes voltagens eltricas. O elemento piezoeltrico desenvolvido
apresenta 4 ns e baseado na hiptese que o potencial eltrico permanece constante no
plano e varia linearmente atravs da espessura da placa. A deformao estrutural por sua
vez modelada usando a FSDT. Conclui que o modelo baseado em seu elemento
bidimensional mais eficiente computacionalmente do que os modelos slidos simulados
numericamente por possurem um maior nmero de g.d.l totais.
Segundo Cen et al. (2002), o modelo de Detwiler et al. (1995) apresenta travamento
por cisalhamento. Assim, os autores promovem em seu modelo hbrido a correo do
cisalhamento transversal, desenvolvendo um elemento livre de travamento, o qual pode ser
utilizado na anlise de placas compostas laminadas piezoeltricas finas e moderadamente
espessas.
Saravanos (1997) apresentou um elemento bidimensional de casca para compostos
laminados piezoeltricos curvilneos que combina a FSDT para os deslocamentos
mecnicos conjuntamente com Teoria das Camadas Equivalentes Discretas para os
potenciais eltricos. Este modelo chamado por Saravanos (1997) de modelo misto,
semelhante aos modelos hbridos dos autores citados anteriormente. Um elemento
quadrtico de oito ns foi formulado para anlises esttica e dinmica de cascas compostas
laminadas contendo camadas piezoeltricas. Resultados numricos para painis compostos
cilndricos com atuadores piezocermicos contnuos e cascas em balano com atuadores e

13

sensores piezoeltricos contnuos ou discretos ilustram as vantagens do elemento e

quantificam os efeitos da curvatura na resposta eletromecnica de cascas piezoeltricas.
Alguns termos que envolvem a curvatura so desprezados visando tornar a teoria mais
apropriada para a modelagem de cascas achatadas (MACHADO, 2004).
O modelo de Lee (2001) utiliza a Teoria das Camadas Equivalentes Discretas na
discretizao da estrutura inteligente. Diferente dos modelos citados anteriormente, este
modelo incluiu os efeitos da temperatura nas respostas de estruturas compostas laminadas
inteligentes. Resultados de publicaes anteriores em diversos estudos analticos de vigas
piezoeltricas em balano, placas compostas simplesmente apoiadas dotadas de malhas
piezoeltricas discretas foram confrontados com aqueles produzidos pelo modelo. Vrios
outros estudos numricos foram desenvolvidos para demonstrar as capacidades adicionais
apresentadas pelo modelo, no clculo das tenses trmicas, no controle de forma de flexes
e tores induzidas termicamente, na incorporao do efeito piroeltrico e da dependncia
das propriedades dos materiais com a temperatura e na determinao da influncia da
curvatura sobre as respostas eletromecnicas.
Correia et al. (2000) desenvolveram recentemente um elemento bidimensional de
placa de 9 ns que utiliza o modelo misto utilizado por Saravanos (1997) para a
aproximao dos campos eltricos e mecnicos acoplados. Mas, diferentemente de
Saravanos, os autores utilizam a HSDT na aproximao do campo de deslocamentos
mecnicos. Esta escolha permite a modelagem de estruturas compostas laminadas finas e
espessas e elimina alguns inconvenientes apresentados pela teoria FSDT. Anlises
estticas, de vibrao livre e otimizao do projeto de multicamadas laminadas tambm
foram realizadas, alm de ter sido feita a reduo do modelo da HSDT para a FSDT na
aproximao das variveis mecnicas.
Diferentemente de Correia et al. (2000), Chee (2000) utiliza um elemento
bidimensional de placa do tipo Serendipity de 8 ns. Ele utiliza a formulao mista, realiza o
controle de forma de placas compostas laminadas inteligentes em condies estticas, e
estuda o projeto timo de estruturas inteligentes quanto posio dos atuadores e sensores
piezoeltricos. A escolha do nmero de ns do elemento de Chee deve-se a estudos prvios
feitos pelo autor. Ao propor elementos retangulares de 4 ns, Chee observara o
aparecimento de problemas de travamento na modelagem de estruturas compostas
laminadas finas. Alm dos estudos em placas compostas laminadas, este autor tambm
desenvolve um elemento de viga para o estudo de vigas compostas laminadas inteligentes.
Para isso utiliza o campo de deslocamentos mecnicos da HSDT proposta por Reddy
(1985).

14

A principal diferena terica existente entre os modelos de Correia e colaboradores e

o de Chee que os primeiros pesquisadores impem uma descontinuidade do potencial
eltrico nas interfaces comuns dos dois elementos adjacentes, enquanto que, no modelo do
segundo autor existe conectividade nodal do potencial eltrico dos elementos adjacentes, e,
portanto continuidade do potencial eltrico. De fato, segundo Detwiler et al. (1995), quando
dois ou mais elementos piezoeltricos so adjacentes entre si, suas voltagens so os
valores mdios, em virtude da condutividade. Nos modelos de Correia et al. (2000), bem
como nos de Saravanos (1997), Hwang e Park (1993) e Detwiler et al. (1995), existe a
descontinuidade nos limites do elemento porque atribudo somente um g.d.l para o
potencial eltrico em cada superfcie da camada piezoeltrica. Assim, numa primeira
anlise, a utilizao desta metodologia em relao de Chee torna o modelo mais
econmico computacionalmente. Por outro lado, o modelo de Chee permite a obteno das
voltagens eltricas em diferentes posies da estrutura, permitindo modelar o caso em que
estas voltagens so obtidas por eletrodos colados pontualmente sob a superfcie dos
sensores piezoeltricos, tal como ocorre no trabalho de Tzou e Tseng (1990). Desta forma,
o modelo de Chee permite uma discretizao menos refinada da estrutura para a obteno
da distribuio do potencial eltrico ao longo do plano da placa ou viga, enquanto que as
teorias que impem descontinuidades do potencial eltrico exigem um maior grau de
refinamento da estrutura para a obteno dessa distribuio.
Cen et al. (2002) desenvolvem um elemento bidimensional de placa com 4 ns para a
anlise de placas compostas laminadas contendo camadas piezoeltricas coladas
superficialmente ou embutidas na estrutura. Seu modelo utiliza Teoria Mista semelhante
de Saravanos (1997), que por ele chamada hbrida parcial (partial hybrid). Este autor
promove a correo do fator de cisalhamento, o que torna, segundo ele, os modelos com
excelente performance na anlise das placas compostas laminadas piezoeltricas finas e
moderadamente espessas.
Na literatura nacional existem poucos trabalhos relacionados modelagem numrica
de estruturas compostas inteligentes que utilizam materiais piezoeltricos como sensores e
atuadores. Dentre eles destacam-se os trabalhos de Lima Jr. (1999), Carvalho Neto (2000),
Donadon (2000), Machado (2004) e Rocha (2004).
Lima Jr. (1999) apresenta uma metodologia para a modelagem de estruturas com
elementos piezoeltricos incorporados via MEF e desenvolve um ambiente de simulaes
de estruturas inteligentes utilizando um elemento slido tridimensional. Realiza simulaes
numricas e experimentais no controle ativo de vibraes usando estruturas de viga de
Euler-Bernoulli e Timoshenko e tambm de placas de Kirchhoff e Reissner-Mindlin, ou seja,
usa em seus modelos de viga e placa a CLT e a FSDT.

15

Carvalho Neto (2000) apresenta uma formulao de elementos finitos para placas
compostas laminadas contendo camadas piezoeltricas distribudas e coladas sob a
superfcie ou inseridas no interior da estrutura. O elemento finito proposto por este autor tem
uma forma retangular, sendo dotado de 4 pontos nodais, seis g.d.l mecnicos por ponto
nodal e um g.d.l eltrico por camada piezoeltrica. Este elemento apresenta uma
continuidade C0 nos deslocamentos de membrana e C1 no deslocamento transversal, ou
seja, utiliza a CLT, e os potenciais eltricos so assumidos constantes no plano da camada
piezoeltrica e variam linearmente na direo da espessura.
O trabalho de Donadon (2000) descreve uma formulao em elementos finitos para
placas laminadas dotadas de atuadores piezoeltricos incluindo o efeito de enrijecimento por
tenso. Para as anlises numricas, o autor apresenta um elemento quadrilaterial
lagrangiano bicbico baseado na FSDT, formado por 16 ns e 5 g.d.l por n. Os resultados
experimentais e numricos realizados mostraram que para o caso de placas engastadas os
efeitos de tenses induzidas no plano afetam significativamente o comportamento mecnico
da placa. O efeito de enrijecimento depende da magnitude das voltagens impostas sobre os
atuadores piezoeltricos, da disposio dos mesmos na placa, condies de contorno,
geometria das placas e propriedades do material.
O trabalho de Donadon (2000) est inserido dentro das linhas de pesquisa do grupo
de Estruturas Inteligentes e Compsitos do Instituto Tecnolgico de Aeronutica (ITA), cujo
trabalho voltado ao desenvolvimento de tecnologias de interesse do setor aeroespacial
brasileiro nas reas de compostos estruturais e estruturas inteligentes. Na rea de
compostos destacam-se os trabalhos de anlise e otimizao de estruturas compostas e
que resultaram em um conceito inovador que permite projetar a estrutura de forma a se
introduzir tenses residuais trmicas de cura favorveis ao comportamento estrutural.
Outros trabalhos so voltados para a caracterizao experimental de estruturas compostas
visando estabelecer procedimentos de projeto e de inspeo de estruturas aeroespaciais
incluindo os efeitos de fatores ambientais. O grupo vem desenvolvendo ainda metodologias
para o projeto timo de estruturas aeronuticas incluindo efeitos de flambagem e psflambagem. Na rea de estruturas inteligentes, dedica-se a tcnicas de modelagem de
estruturas de vigas e placas laminadas contendo atuadores piezoeltricos pelo MEF.
Machado (2004) procura obter solues analticas para as equaes eletromecnicas
acopladas no estudo de placas compostas laminadas inteligentes sob diferentes
carregamentos e condies de contorno. Apresenta a teoria de placas compostas laminadas
piezoeltricas com um campo de deslocamentos idntico ao da teoria de placas de
Reissner-Mindlin, ou seja, usa a FSDT, e um potencial eltrico com variao linear ao longo
da espessura de cada camada piezoeltrica e constante no plano da placa. Outro trabalho

16

dedicado modelagem de estruturas isotrpicas inteligentes o de Rocha (2004) que

apresenta um programa implementado no ambiente Matlab@ usando o MEF para modelar
vigas e placas isotrpicas dotadas de materiais piezoeltricos colados sob a estrutura. Usa a
teoria de viga e placa de Kirchhoff (CLT) na modelagem do campo de deslocamentos
mecnicos. No entanto, diferentemente dos trabalhos de Lima Jr. (1999), Carvalho Neto
(2000)

Machado

(2004),

distribuio

de

potencial

eltrico

no

apresenta

descontinuidades nas interfaces interlaminares. Esta descontinuidade ocorre, segundo o

autor, devido conectividade nodal do potencial representado por dois momentos opostos
aplicados s extremidades do elemento. O autor implementa tambm tcnicas para o
posicionamento otimizado de sensores e atuadores e descreve aplicaes de controle de
forma.
A reviso da literatura efetuada e sumarizada acima leva a concluir que o estudo de
estruturas inteligentes formadas pela combinao de materiais compostos com sensores e
atuadores piezoeltrico um tema de grande interesse junto comunidade cientfica
internacional, fato comprovado pelo grande nmero de publicaes efetuadas nos ltimos
anos. De modo particular, o desenvolvimento de tcnicas de modelagem numrica eficientes
um aspecto que tem merecido grande ateno de pesquisadores, havendo, contudo, a
necessidade de um esforo continuado de pesquisa para a incorporao destas tcnicas em
anlises avanadas de estruturas inteligentes, tais como otimizao, anlise de
confiabilidade e monitoramento de integridade estrutural.

CAPTULO lIl

REVISO DAS TEORIAS DE PLACAS E CASCAS

Neste captulo encontra-se uma discusso sucinta sobre a fundamentao terica dos
campos de deslocamento mecnico e eltrico em placas e cascas compostas laminadas,
empregada na modelagem de estruturas inteligentes. Especificadamente, a segunda sesso
deste captulo analisa a Teoria da Deformao Cisalhante de Primeira Ordem (FSDT), a
Teoria da Deformao Cisalhante de Ordem Superior (HSDT), tambm conhecida como
Teoria da Deformao de Terceira Ordem, e a Teoria Clssica dos Laminados (CLT), que
so empregadas na modelagem de materiais compostos. Na terceira sesso apresentada
a Teoria da Deformao Cisalhante Mista, ou simplesmente Teoria Mista, segundo a qual o
comportamento mecnico modelado com base em uma camada equivalente nica e a
distribuio do campo eltrico modelada em camadas discretas. A quarta sesso fornece
as relaes deformao-deslocamento para placas compostas laminadas. Finalizando, na
quinta sesso so definidos os campos de deslocamentos eltricos das placas compostas.
No final deste captulo, o leitor estar apto a escolher, dentre as teorias apresentadas,
aquela que melhor atende a seus propsitos na modelagem de placas compostas laminadas
inteligentes,

levando

em

considerao

as

vantagens,

desvantagens

custos

computacionais apresentados por cada uma dessas teorias.

3.1 Introduo
Inicialmente, fundamental estabelecer os conceitos de placa e casca que sero muito
utilizados nas partes subseqentes deste trabalho.
Segundo Alhazza e Alhazza (2004), cascas podem ser definidas como estruturas finas
e curvadas feitas de uma simples camada ou vrias camadas de materiais isotrpicos ou
anisotrpicos. As cascas podem ser classificadas conforme sua curvatura em: placas,
cascas cilndricas, cascas cnicas e cascas duplamente curvadas. As placas so cascas

18

planas com duas curvaturas nulas, cascas cilndricas possuem uma nica curvatura nula,
cascas cnicas possuem uma das curvaturas nula e outra que varia na direo axial da
casca e finalmente, cascas duplamente curvadas apresentam as duas curvaturas no nulas
(como as cascas esfricas, por exemplo). Portanto, as placas, que so o foco principal desta
dissertao, podem ser consideradas como um tipo especial de casca.
Diferentes teorias, classificadas de acordo com as hipteses cinemticas adotadas na
aproximao

das

quantidades

mecnicas

(deslocamentos

deformao),

foram

originalmente desenvolvidas para a modelagem de placas e cascas homogneas e

isotrpicas e estendidas posteriormente para o estudo de placas e cascas compostas
laminadas, ortotrpicas ou anisotrpicas, com materiais piezoeltricos colados ou embutidos
nelas. Essas teorias podem ser divididas basicamente em duas categorias distintas:

Teorias baseadas em Camada Equivalente nica (Equivalent Single Layer Theory).

Teorias baseadas em Camadas Equivalentes Discretas (Layerwise Theory or

Discrete Layer Theory).

No caso particular de estruturas laminadas inteligentes, contendo sensores e

atuadores piezoeltricos, as duas teorias acima podem ser combinadas nas teorias
denominadas Mistas, nas quais o conceito de Camada Equivalente nica usado para
aproximao dos campos de deslocamentos mecnicos e o conceito de Camadas
Equivalentes Discretas usado para aproximar os potenciais eltricos.
A primeira categoria engloba a Teoria Clssica dos Laminados (CLT), a Teoria da
Deformao Cisalhante de Primeira Ordem (FSDT) e a Teoria da Deformao Cisalhante de
Ordem Superior (HSDT). J na segunda categoria esto inseridas a Teoria das Camadas
Independentes, tambm conhecida como Teoria Zig-zag, e a Teoria das Camadas
Dependentes.
Na primeira categoria, a estrutura composta laminada modelada como uma nica
camada equivalente e na segunda cada lmina do composto tratada individualmente.
Essas duas categorias so ilustradas na representao esquemtica apresentada na Fig.
3.1.

19

Laminado Real

Camadas Equivalentes
Discretizadas

Camada Simples
Equivalente

(a)

(b)

Figura 3.1 - (a) Teoria das Camadas Equivalentes Discretas. (b) Teoria da Camada
Equivalente nica, para uma casca composta formado por sete lminas.

Na prxima seo estas categorias, aplicadas ao estudo de placas e cascas

compostas laminadas inteligentes, so detalhadas.

3.2 Teoria da Camada Equivalente nica

3.2.1 Teoria Clssica dos Laminados (CLT)

A CLT baseia-se nas conhecidas hipteses cinemticas de Kirchhoff empregadas no
estudo de placas e de Kirchhoff-Love utilizadas no estudo de cascas, segundo as quais uma
linha reta e perpendicular superfcie mdia indeformada, tambm conhecida como
superfcie de referncia, permanece reta e perpendicular a esse plano e no se alonga na
direo da espessura, ou seja, permanece inextensvel nesta direo, conforme ilustrao
apresentada na Fig. 3.2. De acordo com essas hipteses, a CLT negligencia o efeito das
deformaes cisalhantes transversais (xz, yz) e da deformao normal transversal (zz)
(REDDY, 1997; MENDONA, 2005).
Na formulao dessa teoria outras hipteses assumidas so:
(1) As lminas so perfeitamente coladas umas nas outras, isto , no ocorre
deslizamento ou descolamentos entre elas.
(2) Os deslocamentos so contnuos atravs das lminas.

20

(3) O material de cada camada exibe comportamento linearmente elstico.

(4) O laminado considerado delgado, ou seja, as camadas da placa ou casca
composta so relativamente finas em relao s suas dimenses superficiais.
(5) O material de cada lmina tem trs planos de simetria (material ortotrpico).
(6) As deformaes, os deslocamentos e as rotaes so pequenos.
w0,X
CLT
(u,w)
(B)

(u0,w0)

z,w

w0,X

Posio
indeformada
z

y,v

FSDT
x,u

(u,w)
(u0,w0)

(C)
w0,X

x
(A)

HSDT
(u,w)
(u0,w0)

(D)
w0,X

Figura 3.2 - (A) Representao esquemtica de uma placa composta e ilustrao da

cinemtica da deformao representada como uma camada equivalente nica, na CLT (B),
na FSDT (C) e na HSDT (D).

De acordo com a CLT o campo de deslocamentos dado por:

u( x , y , z , t ) = uo ( x , y , t ) zwo ,x
v ( x , y , z , t ) = v o ( x , y , t ) zw o ,y

(3.1)

w ( x , y , z, t ) = w o ( x , y , t )

onde: (x, y, z) um conjunto de coordenadas cartesianas escolhido de forma que (x, y, 0)

plano mdio no deformado, t o tempo, u = u(x,y,z,t) e v = v(x,y,z,t) so os deslocamentos
nas direes x e y, respectivamente, e w = (x,y,t) o deslocamento transversal constante ao
longo da espessura do laminado; u0, v0 e w0 so os deslocamentos nas direes

21

coordenadas de um ponto material da superfcie de referncia e w o, x =

w o
w o
so
, w o,y =
y
x

as rotaes em torno dos eixos y e x, respectivamente. Estas grandezas so ilustradas na

Fig. 3.2 (B).
Uma vez conhecidos os deslocamentos do plano mdio da superfcie de referncia u0,
v0 e w0, os deslocamentos de qualquer ponto arbitrrio do contnuo tri-dimensional so
determinados por meio das Eq.(3.1).
Esta teoria, no entanto, requer uma continuidade no campo dos deslocamentos, com
funes pertencentes ao espao C1, ou seja, funes com primeiras derivadas contnuas.
No mbito das solues analticas este fato no restritivo, mas formulaes de elementos
finitos que exigem formulaes baseadas em aproximaes no espao C1 so geralmente
mais complexas do que as pertencentes ao espao C0, que requerem apenas funes
contnuas.
A teoria clssica tem sido usada na anlise de tenses de placas compostas, porm,
devido hiptese de deslocamento linear e a no considerao das deformaes
cisalhantes, a sua preciso somente satisfatria no estudo de compostos laminados finos.
Assim, o erro apresentado por esta teoria aumenta com o aumento da relao
espessura/largura da placa composta laminada (CEN et al., 2002; MENDONA, 2005).

3.2.2 Teoria da Deformao Cisalhante de Primeira Ordem (FSDT)

Modelos analticos, desenvolvidos de acordo com a Teoria da Deformao Cisalhante
de Primeira Ordem (FSDT), baseiam-se nas hipteses assumidas pela Teoria das Placas de
Mindlin-Reissner segundo a qual uma linha reta e normal ao plano mdio antes da
deformao, permanece reta, mais no necessariamente normal a esse plano aps a
deformao (Fig. 3.2 (C)).
Os campos de deslocamentos da FSDT so dados por:

u( x , y , z, t ) = u0 ( x , y , t ) + z x ( x , y , t )
v ( x , y , z, t ) = v 0 ( x , y , t ) + z y ( x , y , t )

(3.2)

w ( x , y , z, t ) = w 0 ( x , y , t )
onde: x, y indicam as rotaes em torno dos eixos y e x dos segmentos normais
superfcie de referncia, como ilustrado pelas Fig. 3.2 (C).
A FSDT assume que a deformao cisalhante transversal varie linearmente ao longo
da espessura do laminado. Portanto, para que haja concordncia com a situao real, em
que a deformao cisalhante transversal assume uma distribuio parablica ao longo da

22

espessura do laminado, necessria a introduo de uma constante de correo das

deformaes de cisalhamento transversais xz e yz (CEN et al., 2002; CHUGAL e SHIMPI,
2002; REDDY, 1997).
Esta teoria requer funes pertencentes ao espao C0, ou seja, funes contnuas, e
pode ser usada para a modelagem de placas e cascas finas e moderadamente espessas
(CEN et al., 2002). Alm disso, a FSDT considerada a teoria que apresenta a melhor
relao entre capacidade de predio e custo computacional para uma larga classe de
aplicaes. tambm bastante precisa na estimao das caractersticas mecnicas globais
como deflexes, freqncias naturais fundamentais e cargas de flambagem. Porm, mostrase inadequada na predio de freqncias e modos de vibrao de ordem elevada e de
distribuies de tenses. Apresenta problemas de travamento (shear locking) na modelagem
de placas finas, isto conduz a rigidez excessiva e, como j mencionado, tem a
desvantagem de requerer um fator de correo para as deformaes de cisalhamento
(CHUGAL e SHIMPI, 2002; MENDONA, 2005).

3.2.3 Teoria da Deformao Cisalhante de Ordem Superior (HSDT)

Como as teorias CLT e FSDT no so adequadas para uma predio adequada do
comportamento esttico e dinmico de estruturas compostas laminadas em determinadas
circunstncias, foram desenvolvidas teorias mais elaboradas, dentre as quais a Teoria
Cisalhante de Ordem Superior (HSDT), ou Teoria da Deformao Cisalhante de Terceira
Ordem, que adota uma variao cbica para os deslocamentos coplanares. Na HSDT no
usual introduzir um fator de correo uma vez que assume para as deformaes cisalhantes
transversais uma distribuio parablica ao longo da espessura do laminado. Segundo
Chugal e Shimpi (2002), Cen et al. (2002), Kulkarni e Bajoria (2003) e Mendona (2005),
esta teoria conduz a distribuies de tenses e deformaes cisalhantes transversais (zx,
zy) e normal (zz), ao longo da espessura bem prximas das obtidas pela Teoria da
Elasticidade Tridimensional .
Os campos de deslocamentos da HSDT, com expanso at os termos de terceira
ordem para u e v e de segunda ordem para w, expresso segundo Lo et al. (1977) pelas
seguintes equaes:

u( x , y , z, t ) = u 0 ( x , y , t ) + z x ( x , y , t ) + z 2 x ( x , y , t ) + z 3 x ( x , y , t )
v ( x , y , z, t ) = v 0 ( x , y , t ) + z y ( x , y , t ) + z 2 y ( x , y , t ) + z 3 y ( x , y , t )
w ( x , y , z , t ) = w 0 ( x , y , t ) + z z ( x , y , t ) + z 2 z ( x , y , t )

(3.3)

23

onde: x e y so as rotaes dos segmentos normais superfcie de referncia em torno

dos eixos y e x respectivamente, como ilustrado na Fig. 3.2 (D). As funes x, y, z, x e y
so funes dependentes apenas das coordenadas (x, y); no apresentam significado fsico
evidente, mais podem ser vistas como rotaes de ordem superior que descrevem a
deformao de uma linha normal ao plano de referncia (MENDONA, 2005). Nestas
condies, esta linha no permanece reta depois da deformao, conforme indicado na Fig.
3.2 (D).
Naturalmente, a introduo de seis variveis na HSDT aumenta o custo
computacional associado implementao de modelos baseados nesta teoria. Assim,
surgiram vrios outros trabalhos, como os de Reddy (1987), que simplifica o campo de
deslocamento w, conforme as equaes abaixo:

u( x , y , z , t ) = u 0 ( x , y , t ) + z x ( x , y , t ) + z 2 x ( x , y , t ) + z 3 x ( x , y , t )
v ( x , y , z, t ) = v 0 ( x , y , t ) + z y ( x , y , t ) + z 2 y ( x , y , t ) + z 3 y ( x , y , t )

(3.4)

w ( x , y , z, t ) = w 0 ( x , y , t )
Segundo este autor, as funes x, y, x e y no so arbitrrias, devendo garantir
que as tenses cisalhantes transversais se anulem nas superfcies inferior e superior da
estrutura composta laminada, ou seja:
h

xz = yz = x, y , = 0
2

(3.5)

Assim, o campo de deslocamentos pode ser simplificado de acordo com as

expresses abaixo:

w 0

u( x , y , z, t ) = u 0 ( x , y , t ) + z x ( x , y , t ) c1 z 3 x +
x

w 0

v ( x , y , z , t ) = v 0 ( x , y , t ) + z y ( x , y , t ) c1 z 3 y +
y

w ( x , y , z, t ) = w 0 ( x , y , t )

(3.6)

Observando as Eqs.(3.6) e (3.2), nota-se que o campo de deslocamentos da FSDT

obtido adotando c1 = 0. Segundo Reddy (1987), c1 = 4/(3h2) na HSDT.
Observe-se ainda que, na teoria HSDT simplificada de Reddy existem no total apenas
cinco funes incgnitas: u0, v0, w0, x e y , ou seja, a mesma quantidade de incgnitas

24

da FSDT, o que a torna uma teoria bastante atrativa em termos de reduo do custo
computacional. Porm, existe uma srie de restries do ponto de vista de sua
aplicabilidade em modelos de elementos finitos, uma vez que como o termo z3 envolve
derivadas de w0, as deformaes envolvem tambm derivadas de w0, exigindo o uso de
funes com primeiras derivadas contnuas, pertencentes ao espao C1.
A teoria de Reddy serviu como ponto de partida para a elaborao de diversas outras
teorias de alta ordem em que o campo de deslocamentos no contm derivadas, podendo
fazer uso de aproximaes no espao C0 que so mais adequadas para a modelagem por
elementos finitos de estruturas compostas laminadas.
A Figura 3.3 mostra graficamente os resultados numricos obtidos por Reddy (1987)
para a deflexo esttica de uma placa composta ortotrpica quadrada formada por lminas
idnticas e simtricas, submetida a um carregamento senoidal. Reddy compara os
resultados obtidos pela Teoria da Elasticidade Tridimensional com os obtidos pelas teorias
de primeira e de terceira ordem para a distribuio da deformao cisalhante transversal

yz

ao longo da espessura do laminado.

0,20

Teoria da
Elasticidade 3D

0,16

HSDT

0,12

z/h

FSDT
0,08
0,04

0,1

0,2

0,3

yz

0,4

0,5

Figura 3.3 - Distribuio tpica de tenses cisalhantes yz ao longo da espessura, para uma
placa laminada quadrada [0/90/90/0] sob carga senoidal com relao largura/altura igual
a 10 (Adaptado de Mendona, 2005).
Nota-se, pela Figura 3.3, que mesmo na HSDT de Reddy as tenses cisalhantes
transversais so erroneamente descontnuas, embora sejam parablicas ao longo da

25

espessura de cada lmina, segundo Mendona, 2005. A ausncia da deformao normal zz

e da tenso normal zz na HSDT de Reddy, afeta o balano de foras e impede a correta
satisfao das equaes de equilbrio, gerando as descontinuidades das tenses yz e xz,
alm de afetar os deslocamentos transversais (MENDONA, 2005).
Embora a HSDT de Reddy seja a que mais se aproxima dos resultados obtidos pela

Teoria da Elasticidade Tridimensional, ela no completamente satisfatria, o que sugere o

uso do campo de deslocamentos HSDT de Lo et al. apresentado na Eq.(3.3).
Segundo Reddy (2004), quando a nfase principal do estudo a determinao da
resposta global dos componentes laminados, por exemplo, deflexes, carregamentos
crticos de flambagem, freqncias fundamentais de vibrao, e os modos de forma
associados, ento, o comportamento global poder ser determinado de forma bastante
precisa usando as teorias de Camada Equivalente nica. Por outro lado, quando o objetivo
da anlise identificar a localizao das regies mais crticas do material composto, como
por exemplo as regies provveis da ocorrncia de dano, recomenda-se o uso das teorias

baseadas em Camadas Equivalentes, detalhadas na prxima seo.

3.3 Teoria das Camadas Equivalentes Discretas

Do equilbrio das foras interlaminares ilustrado na Fig. 3.5, seguem as seguintes

condies de continuidade dos campos de tenses nas interfaces de duas camadas
adjacentes, dadas pela Eq.(3.7).
z
y
x

(+1)
zx
zy
zz

zz
zy

()

zx
Figura 3.5 - Equilbrio das tenses interlaminares das camadas k e k+1, adaptado de Reddy
(1997).

26

xx

yy

xy

(k )

xx

yy

xy

( k +1)

(3.7)

xz

yz

zz

(k )

xz

= yz

zz

( k +1)

Alm das condies expressas na Eq.(3.7), os campos de deformaes e

de

deslocamentos das camadas adjacentes k e k+1 devem satisfazer as seguintes condies:

xx

yy

xy

(k )

xx

= yy

xy

( k +1)

(3.8-a)

xz

yz

zz

u

v
w

(k )

(k )

xz

yz

zz

u

= v
w

( k +1)

( k +1)

(3.8-b)

Segundo Reddy (1997), em todas as teorias laminadas de camada equivalente nica,

os deslocamentos devem ser funes contnuas ao longo da coordenada da espessura do
laminado. Logo, as deformaes transversais tambm so contnuas e as deformaes no
plano da placa, por sua vez, so descontnuas, contrariando o que realmente ocorre s
condies impostas pela mecnica do contnuo e que expresso na Eq. (3.8-a). Resulta
que, nestas teorias, as tenses transversais atuantes nas interfaces entre duas camadas
adjacentes so descontnuas, ou seja:

xz

yz

zz

(k )

xz

yz

zz

( k +1)

(3.9)

Segundo Reddy, para laminados finos o erro devido descontinuidade das tenses
interlaminares pode ser negligenciado. Porm, para laminados espessos, a Teoria da

27

Camada Equivalente nica gera previses errneas em todas as tenses e requer o uso da
Teoria das Camadas Equivalentes Discretas.
As Teorias da Camadas Equivalentens Discretas so desenvolvidas de forma que os
campos de deslocamentos exibam apenas funes C0, ou seja, para que os deslocamentos
sejam contnuos atravs da espessura z do laminado. Porm, as derivadas dos
deslocamentos em relao coordenada na direo da espessura podem ser descontnuas
para vrios pontos atravs da espessura da placa, pemitindo assim a continuidade das
tenses transversais das interfaces entre camadas adjacentes.
A Teoria das Camadas Equivalentes Discretas pode ser subdividida em duas classes:
(1) Teoria das Camadas Equivalentes Parcial (partial layerwise theory), que usa a
expanso em camadas equivalentes apenas para as componentes u e v dos deslocamentos
planos;
(2) Teoria das Camadas Equivalentes Total (full layerwise theory), que usa a
expanso em camadas para todas as trs componentes de deslocamento u, v e w.
Comparada com a Teoria da Camada Equivalente nica, a Teoria das Camadas

Equivalentes Parcial promove uma descrio mais realista da cinemtica do composto

laminado pela introduo das deformaes de cisalhamento transversais (xz, yz) nas
camadas discretas. A Teoria das Camadas Equivalentes Total acrescenta as deformaes
de cisalhamento tranversais (xz, yz) e a deformao normal transversal (zz) nas camadas
discretas (LEE, 2001).
Segundo Reddy (1997), o uso das teorias das camadas equivalentes para a anlise
de placas compostas finas e espessas amplamente aceito. Ambas teorias representam o
comportamento zig-zag dos deslocamentos planos (u, v) atravs da espessura da casca ou
placa, conforme ilustrado na Fig. 3.6. Este comportamento zig-zag pode ser visto nas
solues exatas 3-D da Teoria da Elasticidade, sendo muito mais evidente em laminados
espessos, onde as deformaes de cisalhamento transversais mudam abruptamente
atravs da espessura.
A Teoria das Camadas Equivalentes Parcial, conforme o nmero de incgnitas do
modelo cinemtico, pode ser subclassificada em duas categorias distintas:
(a) Teoria das Camadas Equivalentes Parciais Dependentes.
(b)Teoria das Camadas Equivalentes Parciais Independentes.
Na Teoria das Camadas Equivalentes Parciais Dependentes, o nmero de incgnitas
do modelo dependente do nmero de camadas da placa ou casca, e devido a esta
dependncia, so teorias computacionalmente ineficientes. J na Teoria das Camadas

Equivalentes Parciais Independentes, o nmero de incgnitas do modelo no depende do

nmero de camadas.

28

2
1

(a)

(b)

(c)

Figura 3.6 - Funes Zig-zag atravs da espessura de uma placa composta laminada de
trs camadas (adaptado de Di e Rothert, 1995).

A Figura 3.6 ilustra as trs diferentes concepes possveis para variao da funo
linear zig-zag atravs da espessura do laminado. Em (a) cada camada da placa possui
rotaes independentes, em (b) porm, o parmetro definido de modo que a seo
transversal de cada camada possui a mesma projeo no plano x-y; j em (c) o parmetro

definido como a rotao da camada perpendicular ao eixo transversal z em relao a

esse prprio eixo. A concepo apresentada em (a) no recomendada, visto que o nmero
de rotaes aumenta com o aumento do nmero de camadas; j as concepes (b) e (c)
so equivalentes, mas no caso em que as espessuras das camadas so muito diferentes a
concepo (c) mais apropriada porque o parmetro reflete a influncia das espessuras
das vrias camadas (Di e Rothert, 1995).
A Teoria das Camadas Equivalentes Parciais Independentes, conforme a ordem da
teoria da deformao cisalhante utilizada em sua formulao, pode ser subdividida em duas
subclasses.
A primeira subclasse, conhecida como Teoria das Camadas Equivalentes Parciais

Zig-zag de Primeira Ordem usa uma funo linear por partes (piecewise linear function), que
superposta ao campo de deslocamentos linear considerado (Fig. 3.6). Esta teoria
subdivide o laminado em (N -1) camadas discretas e pode ser reduzida Teoria da Camada

Equivalente nica quando a casca ou placa modelada por apenas duas camadas.
Os campos de deslocamentos da Teoria das Camadas Equivalentes Parciais Zig-zag

de Primeira Ordem desenvolvida por Di e Bending (1986) expresso sob a forma:

29

u i ( x j , x 3 , t ) = u i0 ( x j , t ) x 3 u 30,i ( x j , t ) + f i ( x 3 ) ( x j , t )
u 3 ( x j , x 3 , t ) = u 30 ( x j , t )

(3.10)

onde: i e j assumem os valores de 1 e 2, e x1 = x, x2 = y e x3 = z. As funes fi e so

determinadas de maneira que os deslocamentos e as tenses transversais so contnuas
nas interfaces das camadas. As funes fi so dependentes apenas de x3 e das espessuras
das camadas. Como conseqncia, esta teoria em camadas equivalentes parcial contm
somente cinco variveis desconhecidas, como na FSDT ou HSDT de Reddy.
Devido baixa ordem assumida para o campo de deslocamentos na teoria zig-zag de
primeira ordem as tenses cisalhantes transversais so constantes ao longo da espessura
do laminado. Segundo Reedy (1997), melhorias do modelo foram proposto pelo prprio Di
Sciuva em 1992, por Bhaskar e Varadan (1989), Lee e Liu (1991) e Cho e Parmerter (1993).
Estes

autores

consideraram

que

as

deformaes

cisalhantes

(xz, yz)

variam

parabolicamente atravs da espessura das camadas do laminado e que so, como na

condio real, descontnuas atravs das interfaces dessas camadas. Portanto, essa teoria
que superpe uma variao cbica ao campo linear de deslocamentos, constitui a segunda
subclasse da Teoria das Camadas Equivalentes Parciais Independentes, e conhecida
como Teoria das Camadas Equivalentes de Terceira Ordem Zig-zag.
Porm, como no modelo FSDT citado por Reddy (1997), em ambas as subclasses
das Teorias das Camadas Equivalentes Discretas, as tenses cisalhantes so nulas nas
superfcies superiores e inferiores do laminado, o que exige a utilizao de funes do tipo
C1.
Segundo Reddy (1997), como a Teoria das Camadas Equivalentes Parciais
negligencia a deformao normal

transversal (zz), ela no capaz de representar

precisamente as tenses interlaminares nas aproximidades de furos ou entalhes, a trao

das bordas livres ou delaminaes. Na modelagem destes efeitos localizados, a contribuio
da tenso normal transversal nessas regies significativa. Portanto, nesse tipo de estudo,
uma excelente alternativa o uso da Teoria das Camadas Equivalentes Totais que inclui os
efeitos da tenso normal e das tenses cisalhantes transversais.
Segundo Reddy (1997), o campo de deslocamentos mecnicos da Teoria das

Camadas Equivalentes Totais, para a k-sima camada expresso como:

30

u k ( x, y , z, t ) =

m 1

k
k
j ( x, y , t ) j ( z )

j =1

v k ( x, y , z, t ) =

m 1

k
k
j ( x, y , t ) j ( z )

(3.11)

j =1

w k ( x, y , z, t ) =

m 1

k
k
j ( x, y , t ) j ( z )

j =1

onde: uk, vk e wk representam as componentes de deslocamentos nas direes x, y e z,

respectivamente, de um ponto material

do laminado, e kj (z ) e jk (z ) so funes

contnuas de z. Em geral kj ( z ) jk ( z ) e so detalhadas por Reddy (1997).

A seguir, na prxima seo, a Teoria Mista, muito utilizada para a modelagem de
estruturas compostas laminadas inteligentes, ser estudada.

3.4 Teoria Mista

A Teoria Mista considera o campo de deslocamentos mecnicos concebido de forma
condensada em uma nica camada equivalente e o potencial eltrico distribudo por
camadas.
A Figura 3.7 apresenta a seo tpica de uma casca composta, formada por sete
camadas, sendo trs delas constitudas de materiais piezoeltricos. Nesta modelagem,
como ilustrado em (C), o campo de deslocamento eltrico discretizado de acordo com a
estratificao. Tanto em (A) e quanto em (B), o campo de deslocamentos mecnicos da
casca discretizado em uma camada nica equivalente, sendo que (A) usa a FSDT e (B) a

HSDT para este fim.

A Teoria Mista aplicada a cascas e placas compostas inteligentes finas e espessas
pode adotar as aproximaes de baixa ordem da FSDT ou de alta ordem da HSDT para o
campo de deslocamentos mecnicos, conforme ilustrado na Fig. 3.7(A) e Fig.3.7(B)
respectivamente.

31

deslocamentos
Potencial
Eltrico

HSDT

FSDT

(A)

+1

+1

1
1
2
2

Superfcie
mdia

3
2
1

(B)

2
1

(C)

piezoeltricos

Figura 3.7 - Seo de uma casca composta modelada pela Teoria Mista, com representao
do campo de deslocamento eltrico (C) e mecnico (A, B) em camadas equivalentes
discretas e simples, respectivamente.
Uma das principais vantagens da Teoria Mista que ela supera a desvantagem do
elevado custo computacional apresentado pelas teorias das camadas equivalentes discretas
na modelagem dos deslocamentos mecnicos. Alm disso, por representar as variveis
eltricas definidas segundo a estratificao, permite a acomodao de diversos atuadores e
sensores e a captura da heterogeneidade eltrica que induzida pelas camadas
piezoeltricas embutidas no composto ao longo da espessura.
A discretizao das variveis eltricas por camadas feita atravs da subdiviso do
laminado em lminas (ou camadas discretas) controladas de acordo com a configurao das
camadas piezoeltricas. O potencial eltrico assumido contnuo em cada camada discreta,
o que resulta em uma variao do tipo C0 atravs da espessura .
Na Teoria Mista, o campo de deslocamentos mecnicos pode ser dos tipos FSDT ou

HSDT, sendo acrescentada a seguinte aproximao para o potencial eltrico:

( x, y , z, t ) =

ncamadas +1

L (z)
j

( x, y , t )

(3.12)

j =1

onde: j designa o potencial eltrico de cada interface das camadas ao longo da espessura
do composto, o subscrito j diz respeito s interfaces (incluindo as faces superior e inferior do
estratificado) e Lj so funes de interpolao Lagrangeanas detalhadas no sexto captulo.

32

3.5 Definio das relaes deslocamento-deformao das placas

Considerando que as relaes entre deslocamentos e deformaes das placas esto
dentro do campo da elasticidade linear, e que as deformaes e deslocamentos so
pequenos, ento as deformaes mecnicas so definidas em termos das formas
diferenciais dos deslocamentos mecnicos expressas na Eq.(3.13) e definidas por Reddy
(1997).

1 = xx =

u
x

2 = yy =

v
y

3 = zz =

w
z

(3.13)

2 4 = yz =

v w
+
z y

2 5 = zx =

w u
+
x z

2 6 = xy =

u v
+
y x

Substituindo a Eq.(3.3) na equao anterior e organizando as equaes resultantes,

as relaes entre as deformaes e os deslocamentos mecnicos usando o campo de
deslocamento da HSDT no sistema de coordenadas cartesianas so expressas como:
u
1 = 0
x

+ z 1 + z 2 1 + z 3
x
x
x

v
2 = 0
y

+ z 2

+ z 2 2

+ z 3
y

3 = 3 + 2.z. 3

(3.14)

v
u
12 = 0 + 0
x
y

+ z 1 +
x

+ z 2 1 + 2
x

w 0

13 = 1 +
x

+ z 2. 1 +
x

+ z 2 3. 1 + 3
x

w 0

23 = 2 +
y

+ z 2. 2 +
y

+ z 2 3. 2 + 3
y

1 2
+ z 3
+
x

33

A expresso da relao deformao-deslocamento usando o campo de deslocamento

da FSDT expressa pela Eq.(3.15) e obtida anulando os termos de segundo e terceiro
grau (z2, z3) e a deformao transversal na direo de z (zz) da Eq.(3.14).
u

1 = 0 + z 1

x
v
2 = 0
y

+ z 2

3 = 0

(3.15)

v
u
12 = 0 + 0
x
y

+ z 1 +
x

w 0

13 = 1 +

w 0

23 = 2 +
y

A relao deformao-deslocamento usando o campo de deslocamentos da CLT

expressa pela Eq.(3.16), sendo obtida anulando os termos de primeiro, segundo e terceiro
grau (z, z2, z3) e a deformao transversal na direo de z (zz) da Eq.(3.14).
u
1 = 0
x

zw 0,xx

v
2 = 0
y

zw 0,yy

3 = 0
v
u
12 = 0 + 0 2zw 0,xy
x
y

13 = 0
23 = 0

(3.16)

34

3.6 Definio dos campos de deslocamentos eltricos das placas

Para as placas, segundo Hwang e Park (1993) os campos eltricos so simplesmente
o gradiente negativo do potencial eltrico, como mostrado a seguir, sendo i = 1, 2 e 3.
E i = ,i

(3.17)

Expandindo a Eq.(3.17) tem-se a expresso dos campos eltricos das placas em

coordenadas cartesianas:

E1 =

E2 =

E3 =

(3.18)

O ANEXO I apresenta um breve resumo comparativo entre as principais teorias

empregadas na modelagem de estruturas estratificadas.

CAPTULO lV

FUNDAMENTOS DA PIEZOELETRICIDADE LINEAR

Este captulo dedicado aos materiais piezoeltricos utilizados em estruturas

inteligentes. Apresenta-se inicialmente um breve histrico da piezoeletricidade, tipos e
caractersticas de alguns dos principais materiais piezoeltricos. Seguem as equaes
constitutivas acopladas que relacionam os comportamentos eltrico e mecnico. A
penltima seo aborda a influncia da estrutura cristalina dos materiais piezoeltricos
sobre o seu comportamento e a ltima seo descreve o procedimento para considerao
de rotaes geomtricas dos materiais piezoeltricos nas equaes constitutivas acopladas.

4.1 Histrico da piezoeletricidade

De acordo com Piefort (2001), sculos atrs os nativos de Ceilo vislumbravam uma
propriedade peculiar dos cristais de turmalina: quando atirados ao fogo estes cristais se
atraiam e se repeliam. Atravs dos comerciantes alemes, este experimento pde ser
repedido na Europa no sculo XVIII e a turmalina ento recebeu o nome de im do Ceilo.
Em 1756, o fsico germnico Aepinus, inventor do capacitor eltrico, observou nos
cristais de turmalina a presena de uma polarizao eltrica (distribuio de cargas
eltricas) quando eram submetidos a variaes de temperatura. Este comportamento foi
chamado de piroeletricidade pelo fsico escocs D. Brewster em 1824. O efeito piroeltrico
definido como a polarizao eltrica induzida pela absoro de energia trmica, sendo esta
polarizao proporcional variao da temperatura. De menor amplitude, a propriedade
inversa chamada de efeito eletrocalrico.
O efeito piezoeltrico direto consiste da habilidade que certos materiais possuem para
gerar uma carga eltrica proporcionalmente fora externa aplicada. Este efeito foi
inicialmente mencionado pelo mineralogista francs Ren Just Hay por volta de 1817,

36

observando a presena de cargas eltricas na superfcie de um cristal de turmalina

tensionado. Mas somente em 1880 os irmos Curie publicaram o primeiro trabalho
descrevendo o efeito piezoeltrico direto, ou seja, a converso da energia mecnica em
energia eltrica em cristais. No ano seguinte, confirmaram experimentalmente as previses
de Lippmann, que utilizou consideraes termodinmicas para a previso do efeito
piezoeltrico inverso, no qual um campo eltrico externo induz uma deformao no material
piezoeltrico, havendo a converso da energia eltrica em energia mecnica.
Uma das primeiras aplicaes da piezoeletricidade foi tambm realizada pelos irmos
Curie que construram aparelhos de medio de pequenas correntes eltricas que
auxiliaram Pierre e sua esposa, Marie Sklodowska Curie, na descoberta dos elementos
qumicos Rdio e Polnio.
A primeira aplicao fora dos laboratrios apareceu somente durante a Primeira
Guerra Mundial em 1917 e foi realizada por Langevin, um ex-aluno de Pierre Curie.
Langevin utilizou o quartzo para a produo de ondas ultra-snicas e foi o precursor do
primeiro sonar (Sound Navigation Ranging).
Na dcada de 1920, o fsico norte americano Cady props o uso do quartzo para
controlar a freqncia de ressonncia de osciladores (PIEFORT, 2001).
No perodo posterior Segunda Guerra Mundial ocorreu o desenvolvimento da
maioria das aplicaes piezoeltricas com as quais estamos familiarizados (microfones,
transdutores ultrasnicos, acelermetros, sonares, etc.). Porm, os materiais disponveis
naquele tempo apresentavam desempenho limitado. O desenvolvimento da eletrnica,
especialmente durante a Segunda Guerra Mundial, possibilitou a descoberta das cermicas
ferroeltricas, difundindo o uso dos materiais piezoeltricos.
Os materiais piezoeltricos podem ser divididos em duas classes: monocristais
(cristais e filmes finos) e policristais (cermicas e polmeros).
Cristais piezoeltricos so os mais utilizados para aplicaes como osciladores e
componentes que funcionam com ondas acsticas de superfcie. Como principais vantagens
destacam-se suas altas temperaturas de operao, relativamente alta estabilidade trmica
(pequenas alteraes de suas propriedades piezoeltricas em funo da temperatura) e alto
fator de qualidade mecnico.
Arthur Von Hiffel produziu na dcada de 40 o primeiro material piezoeltrico sinttico
aps polarizar o titanato de brio (BaTiO3) pela aplicao de um campo eltrico. O
desenvolvimento deste material piezoeltrico cermico levou ao desenvolvimento na dcada
de 50 da melhor piezocermica conhecida, o zirconato titanato de chumbo (PZT), que
desenvolvem deformaes recuperveis da ordem de 0,1%, trabalham em uma larga faixa
de freqncias quando usados como atuadores e/ou sensores, incluindo faixas ultra-

37

snicas, e apresentam coeficientes piezoeltricos relativamente altos, o que resulta em uma

elevada capacidade de converso de energia mecnica em energia eltrica e vice-versa
(VAUGHAN, 2001). Trata-se do material cermico piezoeltrico mais facilmente encontrado
no mercado.
Os materiais cermicos policristalinos apresentam as seguintes vantagens: processo
de obteno mais barato, possibilidade de serem fabricados em uma grande variedade de
composies permitindo o controle e alterao de suas propriedades fsicas, e a
possibilidade de serem produzidos numa maior variedade de geometrias. Como
desvantagens destacam-se a maior dependncia de suas propriedades eletromecnicas
com a temperatura, a formao de fases no desejadas durante sua produo (o que pode
alterar suas propriedades), e a variao de suas propriedades com o tempo
(envelhecimento).
Os piezocermicos, quando em seu estado inicial de produo, so isotrpicos e no
apresentam uma orientao espontnea da polarizao em nvel macroscpico. Para serem
utilizadas como elementos piezoeltricos elas devem ser polarizadas sob a aplicao de
altos campos eltricos, na ordem de alguns KV/mm, em uma direo de polarizao
escolhida. Tornam-se assim anisotrpicas.
Uma das limitaes de operao mais importantes das cermicas piezoeltricas o
fato que para temperaturas superiores a um certo valor limite, denominado, temperatura de
Curie, o material perde a polarizao e, em conseqncia, suas propriedades piezoeltricas.
Da mesma forma, quando o material submetido a um campo eltrico de intensidade
superior a um certo valor limite, chamado campo coercitivo, de sentido oposto ao campo
eltrico aplicado durante a fabricao do material, ocorre a despolarizao. Os valores da
temperatura de Curie e do campo coercivo depende do tipo especfico de cermica
piezoeltrica e so fornecidos pelo fabricante.
Alm dos materiais piezoeltricos cermicos, polmeros piezoeltricos como o fluoreto
de polivinilideno (PVDF) so amplamente utilizados nos dias atuais. Sua descoberta
remonta ao final dos anos 1960 e foi feita pelo fsico Kawai, sendo somente comercializado
a partir da dcada de 1980. Piezopolmeros so usados principalmente como sensores e o
melhor piezopolmero conhecido o PVDF.
Piezopolmeros, como o PVDF, possuem baixa densidade e flexibilidade. Por outro
lado, apresentam desvantagens, como a dificuldade de serem polarizados e a baixa
constante dieltrica que, combinada com a pequena espessura, dificulta a construo de
circuitos de deteco (devido baixa capacitncia).
Embora as primeiras aplicaes dos materiais piezoeltricos tenham sido realizadas
utilizando cristais, particularmente o quartzo, o maior crescimento do nmero de aplicaes

38

ocorreu a partir do descobrimento dos piezoeltricos cermicos baseados nos PZTs. Desde
ento as piezocermicas so utilizadas em numerosas aplicaes, dentre as quais podem
ser citadas:

transdutores ultrassnicos utilizados para exames mdicos baseados em

imagens, ensaios de inspeo no-destrutivos, usinagem de preciso e limpeza
de superfcies;

ignitores domsticos e industriais;

acelermetros, sensores de contato, transdutores de fora, medidores de presso;

motores e micro-bombas.

Novas aplicaes continuam a ser desenvolvidas. A ttulo de exemplo, um

transportador vibratrio com acionamento piezoeltrico foi recentemente proposto por
Albuquerque (2004).
Uma das utilizaes mais freqentes dos materiais piezoeltricos na concepo de
sensores e atuadores em sistemas mecnicos adaptativos, tambm conhecidos como
estruturas inteligentes. Estas estruturas so capazes de captar alteraes ambientais ou
operacionais e se adaptar automaticamente visando assegurar condies satisfatrias de
operao.
No contexto das estruturas inteligentes, sistemas de controle de vibraes, de rudo e
de forma baseados em sensores e atuadores piezoeltricos tm sido amplamente
estudados (BEVAN, 1998; SANTANA, 2003; MOITA et al., 2004), devido possibilidade que
os materiais piezoeltricos oferecem de combinar grande capacidade de sensoriamento,
controle e pouca intrusividade. Uma parte significativa das aplicaes reportadas dizem
respeito a estruturas aeroespaciais, nas quais so utilizados materiais de alto desempenho
e, em particular, materiais compostos.
Na prxima seo, os efeitos mecnicos, eltricos e piezoeltricos so descritos
individualmente, e em seguida, so combinados para se obter as equaes constitutivas
acopladas. A estrutura cristalina brevemente mencionada, bem como a equao
constitutiva geral que inclui a rotao material.

4.2 Equaes constitutivas da piezoeletricidade linear

A tenso mecnica ij e a deformao mecnica kl so relacionadas com o tensor de
rigidez C ijkl atravs da lei de Hooke da elasticidade linear, expressa em notao indicial sob
a forma:

39

ij = c ijkl kl

(4.1)

onde: i, j, k, l assumem os valores 1, 2 e 3.

Pela simetria do tensor de tenses, suas nove componentes so reduzidas para seis
componentes independentes e a notao tensorial contrada da seguinte maneira:

ndices do tensor:

(11) (22) (33) (23, 32) (13, 31) (12, 21)

ndice contrado:

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

De forma anloga, a notao do tensor de tenses em funo de coordenadas x, y e

z, que mais familiar, torna-se:

xx

yy

zz

yz

zx

xy } = {1 2
T

6 }

(4.2)

onde: o sobrescrito ( )T indica a operao de transposio.

O tensor deformao da Eq.(4.1) o chamado tensor de deformao infinitesimal de
Cauchy sendo definido segundo:

ij =

1
2

u j u i
+

x j
x i

(4.3)

De forma similar representao (4.2), a notao contrada do tensor deformao a

seguinte:

1 xx xx

2 yy yy
3 zz zz
=
=
4 2 yz yz
5 2 zx zx


6 2 xy xy

(4.4)

A lei de Hooke reescrita utilizando a forma contrada dos tensores de tenso e de

deformao e o tensor c ijkl de quarta ordem da Eq.(4.1) reduzido a um tensor de segunda
ordem c ij :

40

i = c ij j

(4.5)

onde: i, j = 1, 2, ... , 6.
Um material que pode ser polarizado sob um campo eltrico chamado material
dieltrico e tambm conhecido como isolante eltrico. Dentre as formas possveis de se
obter a polarizao, a que se aplica aos materiais piezoeltricos industriais o mecanismo
de reorientao dos dipolos, quando um campo eltrico aplicado causa uma reorientao
das molculas do dieltrico, induzindo uma polarizao global. Um material macroscpico
pode ser composto por vrias molculas polarizadas, distribudas aleatoriamente e no
conjunto este material neutro. Em uma estrutura molecular polar, o fenmeno de
polarizao consiste no alinhamento dos dipolos de suas molculas, e numa estrutura
apolar consiste na criao e no subseqente alinhamento dos dipolos.
A distribuio aleatria dos dipolos de um dieltrico eletricamente neutro desfeita
com a polarizao, ocorrendo uma separao do centro das cargas eltricas positivas do
centro das cargas negativas. Assim, no dieltrico ocorre a induo de momentos dipolos,
tambm conhecidos como simplesmente dipolo eltrico.
O vetor polarizao Pi definido como a densidade volumtrica dos momentos dipolos
eltricos induzidos p conforme expresso segundo:

Pi = Lim v 0

k =1

p ki

(4.6)

onde: N o nmero de dipolos eltricos encerrados no volume v do material dieltrico, i = 1,

2, 3.
Segundo Chee (2000), quando o material dieletrico polarizado, os dipolos eltricos
alinhados produzem uma densidade de carga volumtrica equivalente p que afeta o campo
eltrico. A densidade de carga volumtrica pode ser relacionada com a polarizao
conforme a expresso:
p = Pi ,i

(4.7)

onde, de acordo com a conveno de soma de Einstein, em que presena dos ndices
repetidos i,i indica a existncia de um somatrio de i = 1 a 3. A virgula ( , ) indica a
derivao de Pi com relao a coordenada xi.

41

A relao anterior leva seguinte definio do chamado deslocamento eltrico Di,

(NYE, 1969):
Di = 0E j + Pi

(4.8)

onde: Ej definido como o vetor campo eltrico, sendo que j = 1, 2, 3.

A relao entre o campo eltrico Ej e o vetor polarizao Pi admitida linear e
estabelecida por meio do tensor constante Kij conforme a expresso:
Pi = 0K ij E j

(4.9)

onde: i, j = 1, 2, 3.
Substituindo a Eq.(4.9) na Eq.(4.8) resulta:
Di = 0 (1 + K ij )E j = ij E j

(4.10)

onde: i, j = 1, 2, 3, 0 a constante de permissividade eltrica no vcuo, igual 8.854x10-12

F/m, e o tensor ij conhecido como tensor de permissividade eltrica.
O tensor ij um tensor simtrico, e para os materiais anisotrpicos apresenta 6
variveis independentes.
Por definio, o efeito piezoeltrico direto um fenmeno decorrente do
desenvolvimento de uma polarizao causada pela deformao mecnica do material
dieltrico. O efeito direto pode ser formulado como uma relao linear na qual cada um dos
componentes da polarizao Pi dado por uma combinao linear das 9 componentes do
tensor tenso jk (NYE, 1969). Estes dois tensores so relacionados pelo tensor de
coeficientes piezoeltricos dijk, que um tensor de terceira ordem, de acordo com a relao:

Pi = d ijk jk

(4.11-a)

onde: i, j, k = 1, 2, 3.
Devido simetria do material, existem apenas dezoito componentes independentes
no tensor dijk. Assim, utilizando a notao simplificada pode-se reescrever a Eq.(4.11-a) na
seguinte forma:

42

Pi = d il l

(4.11-b)

com i = 1, 2, 3 ; l = 1, 2, ... 6.
O tensor de coeficientes piezoeltricos dil pode ser exposto sob a forma:

d11 d12 d13 d14 d15 d16

d il = d 21 d22 d23 d 24 d 25 d26
d31 d32 d33 d34 d35 d36

(4.11-c)

Quando a polarizao devida somente s tenses mecnicas, ento o

deslocamento eltrico pode ser escrito para o efeito piezoeltrico direto como:
Di = d ijk jk

(4.12-a)

com: i, j, k = 1, 2, 3.
Ou, da forma contrada:
Di = d il l

(4.12-b)

com: i = 1, 2, 3 e l = 1, 2, ... 6.
Quando um campo eltrico aplicado ao material dieltrico, causando mudanas de
dimenses e/ou de formas geomtricas, este fenmeno conhecido como efeito
piezoeltrico inverso. Sua existncia uma conseqncia termodinmica do efeito

piezoeltrico direto. Este efeito formulado por uma relao linear entre o vetor campo
eltrico Ei e o tensor deformao mecnica jk usando as constantes piezoeltricas (dijk):
jk = d ijk E i

(4.13-a)

com: i, j, k = 1, 2,3.
Ou na forma contrada:
l = d il Ei

onde: i = 1, 2, 3 e l = 1, 2, ... 6.

(4.13-b)

43

Note-se que a ordem dos ndices apresentados na Eq.(4.13-b) indicam que nesta
expresso o tensor coeficientes piezoeltricos o transposto do tensor de coeficientes
piezoeltricos que aparece na Eq.(4.12-b). Assim, em (4.12-b), o coeficiente piezoeltrico dil
representa o deslocamento eltrico na direo i criado pela tenso unitria aplicada na
direo l, ao passo que, na Eq.(4.13-b), o coeficiente dil representa a deformao gerada na
direo l devido a um campo eltrico unitrio aplicado na direo i.
A forma esquemtica apresentada pela Fig. 4.1 sumariza as equaes piezoeltricas
na notao matricial. Horizontalmente, a figura fornece o efeito piezoeltrico direto e
verticalmente o efeito inverso.

E1
E2
E3

P1
P2
P3

1
1
d 11
d 21
d 31

2
2
d 12
d 22
d 32

3
3
d 13
d 23
d 33

4
4
d 14
d 24
d 34

5
5
d 15
d 25
d 35

6
6
d 16
d 26
d 36

Figura 4.1 - Resumo esquemtico das equaes piezoeltricas na notao matricial,

segundo Nye (1969).

A Tabela 4.1 resume as equaes dos efeitos piezoeltricos diretos e inversos na

forma tensorial e na notao matricial.

Tabela 4.1 - Equaes do efeito piezoeltrico direto e inverso definidas nas notaes
tensorial e matricial, adaptadas de Nye (1969).
Notao indicial tensorial

Notao indicial contrada

(i, j, k = 1, 2, 3)

(i = 1, 2, 3; j =1, 2, ... 6 )

Efeito Direto

Pi = d ijk jk

Pi = d ij j

Efeito Inverso

jk = d ijk E i

j = d ij E i

Quando os carregamentos mecnicos e eltricos so simultaneamente aplicados no

material piezoeltrico, a resposta eletromecnica acoplada estabelecida pelas seguintes
equaes constitutivas acopladas para a piezoeletricidade linear (NYE, 1969), empregando
a notao contrada para os tensores envolvidos:

44

i ( , E ) = cij j eki Ek
E

(4.14)

Di (, E ) = eij j + ik Ek

onde: o sobrescrito ( )E significa que os valores so medidos para um campo eltrico

constante (superfcies curto-circuitadas), o sobrescrito ( ) significa que os valores so
medidos para deformao constante (superfcies livres de carregamento) e tensor de
deformao mecnica [m/m], o tensor de tenso mecnica [N/m2], D o tensor de
deslocamento eltrico [C/m2], E o tensor campo eltrico [V/m ou N/m2], cE o tensor de
elasticidade linear para campo eltrico constante [N/m2], a matriz de permissividade
dieltrica [N/V.m] e eij o tensor de constantes dieltricas para deformao mecnica
constante [N/V2].
As constantes de deformao piezoeltricas dij so mais freqentemente fornecidas
pelos fabricantes do que as constantes de tenso eij. Essas duas constantes, piezoeltricas
de tenso e de deformao, so relacionadas entre si atravs das equaes Nye (1969):

eik = d ij c jk E

(4.15)

d ik = eij s jk E

(4.16)

ou,

A Equao (4.14), em sua forma matricial, expressa como:

E
1 c11
E
2 c21
E
3 c31
E
4 c41
E
5 = c51
c E
6 61
D1 e11

D2 e21
D3 e31

E
c12
E
c22

E
c13
E
c23

E
c14
E
c24

E
c15
E
c25

E
c16
E
c26

e11 e21
e12 e22

E
c32

E
c33

E
c34

E
c35

E
c36

e13

e23

E
c42
E
c52
E
c62

E
c43
E
c53
E
c63

E
c44
E
c54
E
c64

E
c45
E
c55
E
c65

E
c46
E
c56
E
c66

e14

e24

e15

e25

e12 e13
e22 e23

e14
e24

e15
e25

e16
e26

e16 e26

11
12

21
22

e32

e34

e35

e36

31
32

e33

e31 1

e32 2
e33 3

e34 4

e35 5

e36 6

13
E1

23 E2

33
E3

A forma inversa das Eq.(4.14) segundo Nye (1969) assume a forma:

(4.17)

45

i (, E ) = sij j + d ki Ek
E

(4.18)

Di (, E ) = d ij j + ik Ek

onde: s a matriz da flexibilidade para um campo eltrico constante [m2/N], sendo a inversa
da matriz de elasticidade para campo eltrico constante, a matriz de constantes

dieltricas para tenso mecnica constante [N/V2] e d a matriz de constantes

piezoeltricas [m/V].
A Equao (4.18) em sua forma matricial expressa como:
E
1 s11

E
2 s21
E
3 s31

E
4 s41
E
5 = s51
s E
6 61
D1 d11

D2 d 21
D3 d31

E
s12
E
s22

E
s13
E
s23

E
s14
E
s24

E
s15
E
s25

E
s16
E
s26

E
s32

E
s33

E
s34

E
s35

E
s36

E
s42

E
s43

E
s44

E
s45

E
s46

E
s52

E
s53

E
s54

E
s55

E
s56

E
s62

E
s63

E
s64

E
s65

E
s66

d12 d13
d 22 d 23

d14
d 24

d15
d 25

d16
d 26

d32

d34

d35

d36

d 33

d11 d 21 d31 1

d12 d 22 d32 2
d13 d 23 d33 3

d14 d 24 d34 4

d15 d 25 d35 5

d16 d 26 d36 6

11
12
13
E1

21 22 23 E2

31
32
33
E3

(4.19)

4.3 Estrutura cristalina dos materiais piezoeltricos.

O efeito piezoeltrico pode ser visto como uma transformao energtica. Nos
materiais dieltricos, a repetio regular de tomos, ons e molculas no reticulado, forma a
chamada estrutura cristalina. A presena do fenmeno piezoeltrico depende da estrutura
interna do material dieltrico. Em particular, o efeito piezoeltrico ocorre somente em cristais
que no possuem um centro de simetria. Sob o ponto de vista do efeito piezoeltrico direto,
quando o material elasticamente deformado o centro de atrao das cargas positivas e
negativas deslocado e a assimetria impede o cancelamento eltrico do material. A soma
desses dipolos eltricos cria um campo de polarizao macroscpico.
No estudo da cristalografia existe um total de 32 diferentes classes de cristais e
dessas somente 20 so assimtricas e apresentam capacidade piezoeltrica. As 32 classes
so divididas sem sete grupos de materiais: triclnico, monoclnico, ortorrmbico, tetragonal,
trigonal, hexagonal e cbico (NYE, 1969). Esses grupos esto associados com a natureza

46

elstica do material, onde, por exemplo, o grupo triclnico formado por materiais
anisotrpicos, o ortorrmbico representa os materiais ortotrpicos e grupo cbico formado
usualmente por materiais isotrpicos.
O tipo de estrutura cristalina do piezoeltrico utilizada nesta dissertao ser a
ortotrpica, classe mm2. A escolha dessa estrutura cristalina feita para acomodar a maior
variedade possvel de direes de atuao do material piezoeltrico, evitar o nmero
excessivo de coeficientes materiais e tirar proveito da maior disponibilidade de informaes
sobre esses materiais na literatura.
Os materiais piezoeltricos e os no piezoeltricos considerados nesta dissertao
so maioria do tipo ortotrpicos.
Conforme mencionado na Seo (4.1), existem dois tipos de materiais piezoeltricos
largamente usados em estruturas inteligentes: as piezocermicas, que so estruturas
policristalinas como o PZT, e os piezopolmeros como o PVDF. Devido aos mtodos de
polarizao, para gerar as propriedades piezoeltricas, as piezocermicas possuem
freqentemente estruturas cristalinas mm2, e os piezopolmeros possuem estrutura
cristalina mm6. As estruturas mm6 so consideradas um subgrupo degenerado das
estruturas cristalinas mm2, (CHEE, 2000). Assim, as estruturas da classe mm2 cobrem os
materiais piezoeltricos mais freqentemente associados as estruturas inteligentes. A matriz
elasto-piezo-dieltrica acoplada do material que corresponde classe mm2 expressa na
forma matricial:
E
1 c11
E
2 c21
E
3 c13

4 0

5 = 0
0
6
D1 0

D2 0
D3 e31

E
c12
E
c22

E
c13
E
c23

0
0

0
0

0
0

0
0

0
0

E
c23

E
c33

E
c44

e24

E
c55

e15

0
0
0
22
0

0
0

E
c66

0
0

0
0

0
e24

e15
0

0
0

0
11
0

e32

e33

e31 1

e32 2
e33 3

0 4

0 5

0 6

0 E1

0 E2

33 E3

(4.20)

Devido as simetrias cristalinas, o nmero de elementos nulos nas matrizes de

acoplamento piezoeltrico d e e reduzido. As matrizes elasto-piezo-termo-dieltricapiroeltrica acoplada do material de todas as 32 classes de cristais so apresentadas na
publicao de NYE (1969).

47

4.4 Rotao do sistema de coordenadas

Devido a sua natureza ortotrpica, os materiais compostos e piezoeltricos

incorporados na estrutura inteligente possuem individualmente propriedades mecnicas e
eltricas que dependem de suas orientaes no estratificado. Assim, torna-se til adotar um
sistema de coordenadas comum a toda estrutura, denominado sistema de coordenadas
globais, que ser utilizado na formulao das equaes constitutivas e na modelagem
numrica. Assim, as matrizes das propriedades dos materiais podem ser transformadas por
rotao de um ngulo

em torno do eixo z usando uma apropriada matriz de

transformao, T ou Q mostradas respectivamente nas Eq.(4.21) e Eq.(4.22), as quais

promovem a transformao do sistema de coordenadas locais do material para o sistema de
coordenadas globais e principais da estrutura (x, y, z).
cos 2 ()
sen 2 ()

2
cos 2 ()
sen ()

0
0
[T ] =
0
0

0
0

sen() cos() sen() cos()

0
0
0
0
0
0
1
0
0
0 cos() sen()
0 sen() cos()
0
0
0

cos() sen() 0
[Q] = sen() cos() 0
0
0
1

sen(2)

sen(2)

cos 2 () sen 2 ()

(4.21)

(4.22)

Diferentemente dos tensores tenso e deformao que so rotacionados com o

auxlio de um tensor T de segunda ordem, os vetores deslocamento eltrico D e campo
eltrico E so rotacionados com auxlio do tensor Q. Estes tensores transformam as
quantidades fornecidas pelas equaes constitutivas eletromecnicas representadas em
coordenadas locais (L, L, DL, EL), para coordenadas globais (g, g, D g, E g), de acordo
com as seguintes expresses (REDDY, 1997; CHEE, 2000):

{ g } = [T ]{ L }

(4.23-a)

{ g } = [R ]T { L }

(4.23-b)

48

{Dg } = [Q ]{DL }

(4.23-c)

{E g } = [Q ]{E L }

(4.23-d)

onde: R a matriz inversa da matriz T de transformao definida na Eq.(4.22), ou seja: R =

T-1, o L subscrito indica coordenadas locais do sistema e o subscrito g indica coordenadas

globais do sistema.
A rotao sofrida por um material ortorrmbico muda a matriz das propriedades do
material apresentada na Eq.(4.20) e os coeficientes que eram nulos antes da rotao (c16,
c26, c36, c45, e14, e36, 12) depois da rotao, no mais o sero.

Uma vez, transformadas as quantidades locais para o novo sistema de coordenadas

globais, as equaes eletromecnicas acopladas resultantes so expressas sob a forma:

[ ] [e ] {}
[ ] [ ] {E}

{} [R ][c L ][T ]T
=
T
{D} [Q ][eL ][T ]

T
1
[R ][eL ] [Q ] {} c g
=

[Q][ L ][Q]1 {E} e1g

2g

(4.24)

As propriedades materiais globais so funes agora dos ngulos de rotao em

torno do eixo z. Note-se ainda que a magnitude das constantes piezoeltricas de tenso e1g
e e2g so idnticas. As constantes apresentadas na Eq.(4.24) so expressas no ANEXO II.
As equaes acopladas, apresentadas anteriormente, so convenientemente
reagrupadas nas formas compactas mostradas nas Eqs.(4.25-a), (4.26-a), (4.27-a) e (4.28a) para que as constantes materiais que so sempre nulas nos materiais ortotrpicos sejam
omitidas da formulao. Essas equaes so separadas nas componentes b de flexo,
expressadas nas Eqs.(4.25-a) e (4.27-a), e nas componentes s de cisalhamento expressas
pelas Eqs.(4.26-a) e (4.28-a).

{ b } = [c b ].{ b } {eb }

E0

(4.25-a)

ou, de forma expandida:

1
2

=
3
6

c11

c12
c13

c16

c12

c13

c 22

c 23

c 23

c 33

c 26

c 36

c16 1 e31

c 26 2 e32
E 3
c 36 3 e33

c 66 6 e36

(4.25-b)

49

{ s } = [c s ].{ s } {e s }T E i

(4.26-a)

ou de forma expandida:
4
=
5

c 44

c 45

c 45 4 e14

c 55 5 e15

e 24 E 1

e14 E 2

D0 = [e b ]{ b } + 0 E 0

(4.26-b)

(4.27-a)

ou de forma expandida:

D3 = [e31 e32

e33

1


e36 ]. 2 + 33 E 3
3
6

{Di } = [es ]{ s } + [ i ]{E i }

(4.27b)

(4.28-a)

ou de forma expandida:
D1
=
D2

e14

e 24

e15 4 11
+
e14 5 12

12 E 1

22 E 2

(4.28-b)

CAPTULO V

MATERIAIS COMPOSTOS

A abordagem deste captulo se desdobra sobre os principais aspectos relevantes

explorados neste trabalho, tais como as composies micro-mecnicas do material
composto, tipos e caractersticas dos compostos existentes, exposio de algumas das
aplicaes desses materiais e da terminologia adotada nesta dissertao para a designao
dos estratificados laminados. Aspectos referentes a caractersticas individuais dos diferentes
tipos de matrizes e fibras, processos de fabricao dos compostos, critrios de resistncia e
falha, dentre outros, no sero abordados por se tratar de assuntos especficos e
demasiadamente amplos, podendo ser encontrados facilmente em variadas fontes de
pesquisa, como nos trabalhos Berthelot (1992), Chou (1992), Schwartz (1996), Pereira Jr.
(2004) e Mendona (2005).

5.1 Introduo

Materiais compostos so entendidos como materiais resultantes da associao de

dois ou mais tipos de materiais diferentes, visando o aproveitamento simultneo de suas
caractersticas vantajosas. Em virtude desta composio, os materiais compostos so
heterogneos e, na maioria das vezes, apresentam comportamento mecnico anisotrpico.
A utilizao dos materiais compostos data do segundo milnio antes de Cristo,
quando os egpcios empiricamente confeccionavam tijolos de argila para serem aplicados as
construes urbanas (GARCIA, 2003; MENDONA, 2005). Esses tijolos de argila eram
reforados por palha vegetal picotada, sendo a argila responsvel pela resistncia mecnica
compresso e as fibras vegetais pela diminuio do peso e aumento da resistncia
trao da pea.

52

A partir da abordagem emprica inicial, a abordagem cientfica iniciada no incio do

sculo XX possibilitou a expanso das formas de utilizao desses materiais, que pode ser
constatada na fabricao de diversos produtos, de quadros de bicicletas a fuselagens de
aeronaves e hlices de helicpteros.
Esta expanso deve-se, sobretudo ao desenvolvimento dos novos materiais
polimricos impulsionado pelo crescimento da indstria do petrleo. Desde 1930, o petrleo
a principal fonte de matria-prima para a fabricao de produtos qumicos orgnicos, a
partir dos quais so fabricados plsticos, borrachas, fibras e adesivos (FITESA, 2002).
Os principais tipos de materiais compostos utilizados na construo de sistemas
estruturais so bifsicos e apresentam uma fase descontnua chamada de reforo,
embebida em uma fase contnua conhecida como matriz. A distribuio e interao destas
duas fases determinam as propriedades finais do material composto e so estudadas pela
micro-mecnica. Geralmente, os compostos estruturais se apresentam sob a forma de um
empilhamento de vrias camadas com diferentes orientaes das fibras, conforme ilustrado
na Figura 5.1. A macro-mecnica estuda o comportamento da lmina como um todo.

lmina
(fibras+matriz)
matriz
estratificado
z

fibras
orientadas

h
a

0
Figura 5.1 - Componentes principais de um estratificado laminado de dimenses a x b e
espessura h.

Um dos procedimentos clssicos utilizados na micro-mecnica para a obteno das

propriedades mdias de cada lmina a regra da mistura (GARCIA, 2003). Neste
procedimento, algumas propriedades elsticas mdias de uma lmina, tais como mdulo de
elasticidade e densidade, so obtidas atravs das fraes volumtricas de fibras e da matriz.
Outros modelos so utilizados conforme o tipo de propriedade a ser determinado. O modelo
que consiste na concentrao de massa das fibras (reforo) numa regio do volume
elementar apresenta resultados satisfatrios quando se trata de ensaios de trao

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longitudinal na direo das fibras. Para ensaios de trao transversal, os modelos de

Hopkins e Chamis que levam em considerao o efeito da descontinuidade dos materiais
constituintes apresentam resultados satisfatrios com relao aos experimentais (GARCIA,
2003; MENDONA, 2005). Outro tipo de abordagem utilizada trata os modelos baseados na
teoria da elasticidade. Neste caso, esses modelos representam solues fechadas das
equaes diferenciais da elasticidade ou solues obtidas por mtodos numricos quando
se trata de geometrias complexas. Detalhes sobre estes modelos micro-mecnicos so
encontrados nas publicaes de Berthelot (1992), Chou (1992) e Mendona (2005).
A macro-mecnica estuda o comportamento da lmina a partir das propriedades
mecnicas mdias fornecidas pelo estudo micro-mecnico da lmina. Dentro da abordagem
macro-mecnica do laminado so introduzidas as teorias de ordem superior FSDT e HSDT,
capazes de modelar de forma mais realista que a teoria clssica (CLT) a distribuio de
tenses transversais e os fenmenos de acoplamento entre os mecanismos de deformao
caractersticos dos materiais anisotrpicos (GARCIA, 2003).
As propriedades macroscpicas do laminado, como resistncia e comportamento
elstico, dependem das propriedades das lminas individuais que o compem e da ordem
de orientao das lminas. As propriedades mecnicas das lminas so determinadas
previamente, seja pelas formulaes da micro-mecnica, seja por via experimental
(MENDONA, 2005). Detalhes suplementares sobre a macro-mecnica so encontrados
nas publicaes de Berthelot (1992), Reddy (1997) e Mendona (2005).

5.2 Constituio dos materiais compostos.

Em geral, o material composto constitudo de uma matriz que pode ser de natureza
orgnica (resinas), mineral (carbono) ou metlica (alumnio) e por elementos reforantes sob
forma de fibras (vidro, carbono, etc.). Aditivos tambm podem ser incorporados aos
compostos para melhorar caractersticas particulares (reforo, condutividade, peso, custo,
etc.).
As matrizes so a fase contnua dos materiais compostos e suas funes principais
so:

interligar as fibras de forma a aglutin-las,

transmitir as cargas mecnicas s fibras,

proteger as fibras contra ataques qumicos ou danos provenientes durante a

manipulao ou desgaste pelo uso.

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As fibras so os elementos constituintes que conferem ao material composto suas

caractersticas mecnicas de rigidez e resistncia ruptura. Portanto, so esses os
elementos que tm uma influncia fundamental sobre as propriedades mecnicas do
material composto.
As fibras podem ser curtas, de alguns centmetros e injetadas no momento da
moldagem da pea, ou podem ser longas, sendo, neste caso, cortadas aps a fabricao da
pea.
Os tipos mais comuns de fibras utilizadas so as fibras de vidro, de aramida (Kevlar),
de carbono e de boro.
Existem outras fibras utilizadas em aplicaes especficas, tais como:

Fibras de origem vegetal: madeiras, utilizadas sob a forma de fibras orientadas,

feltro, papis impregnados, sisal, juta, linho.

Fibras de origem mineral: amianto, silcio.

Fibras sintticas: fibras de polister, poliamidas.

Fibras metlicas: ao, cobre e alumnio. So geralmente associadas a matrizes

metlicas para a obteno de boas condutibilidades trmicas e eltricas, e de
boas caractersticas termomecnicas (Berthelot, 1992).

Com exceo das fibras metlicas, as fibras especiais possuem geralmente baixos
mdulos de elasticidade e resistncia a elevadas temperaturas.
Dentro da lmina, as fibras podem ser orientadas numa nica direo, segundo duas
direes cruzadas ortogonalmente (tecidos), orientadas aleatoriamente (esteiras) ou ainda
numa configurao tridimensional quando as fibras so orientadas no espao tridimensional.

5.3 Arquitetura dos compostos.

De acordo com classificao em funo da forma dos agentes de reforo, os

compostos podem ser do tipo: particulados, com fibras e compostos estruturais. A Figura 5.2
apresenta a gama de materiais compostos que podem ser obtidos segundo Tita, 1999.

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Compostos
Partculas
Reforantes
Partculas
Grandes

Partculas
Pequenas

Fibras
Reforantes
Contnua
(alinhada)

Estruturais

Descontnua
(picada)

Orientada

Laminados

Sanduches

Aleatria

Figura 5.2 - Esquema de classificao dos materiais compostos, adaptado de Tita (1999).

Nas subsees a seguir so detalhadas as particularidades de cada um dos tipos de

materiais compostos existentes.

5.3.1 Compostos com fibras

Compostos com fibras so materiais compostos resultantes da introduo de
componentes que apresentam uma razo entre sua maior e menor dimenso (relao de
forma ou aspect ratio) maior que 3 (SALIBA Jr., 2003), e que podem ser divididos em
compostos com fibras descontnuas (fibras cortadas, fibras curtas ,etc) e contnuas.
Nos compostos com fibras contnuas, as tenses aplicadas so preferencialmente
suportadas pelas fibras. Neste caso, a matriz atua como agente de unio das fibras e
transferidor de tenses (SALIBA Jr., 2003).
Embora no sejam capazes de produzir nveis de reforo similares aos de fibras
contnuas, compostos com fibras descontnuas apresentam uma grande versatilidade de
processamento (podem ser processados via injeo e extruso) e permitem moldar
compostos obtendo materiais indo de fortemente anisotrpicos a materiais isotrpicos em
um plano.
As fibras so usadas como agente de reforo por possurem resistncias mecnicas
elevadas, e como agente sustentador de tenses que dissipam energia frente das trincas,
conferindo elevadas propriedades mecnicas aos compostos. As fibras usualmente
utilizadas em compostos apresentam dimetros entre 10 e 100m (SALIBA Jr., 2003). As
fibras picotadas normalmente possuem de 5 mm a 25mm de comprimento, enquanto as
fibras contnuas so longas (MENDONA, 2005).
A Figura 5.3 exibe uma fotomicrografia (Microscopia Eletrnica de Varredura - MEV)
da superfcie fraturada de uma matriz de poliuretano reforada por Microfibras de Slica
Amorfa (MFSA) obtida por Saliba Jr. (2003) para ilustrar um composto fibroso. Nota-se,
atravs desta figura, o aspecto desorientado assumido por essas fibras no interior da matriz
e o seu formato tubular com extremidades afinadas.

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Figura 5.3 - Fotomicrografia da superfcie fraturada de um poliuretano reforado por MFSA

ampliado em 100x (SALIBA Jr., 2003).

Uma das grandes reas de aplicao de compostos fibrosos na construo civil

onde so usados diversos tipos de fibras, desde as naturais, como a de celulose, amianto,
sisal e juta, como as artificiais: plstico (polipropileno, nylon, polister), vidro e ao.
Por exemplo, fibras de polipropileno so empregadas no micro-reforo de concreto e
argamassa para a obteno de caractersticas especficas desses materiais, notadamente
no estado fresco e nas primeiras idades (FITESA, 2002). So usadas para diminuir a
incidncia de fissuras de retrao plstica ou diminuir a exsudao e a segregao do
concreto no estado plstico, ou ainda para aumentar a resistncia ao impacto no seu estado
endurecido.

5.3.2 Compostos particulados

So materiais resultantes da introduo de componentes que apresentam uma
relao de forma pouco pronunciada, normalmente menor que 3 (SALIBA Jr., 2003). Uma
partcula, em oposio s fibras, no possui dimenses privilegiadas.
Numa matriz polimrica, estes agentes (partculas) so chamados de agentes de
preenchimento ou fillers e so adicionados para melhorar certas propriedades do material ou
da matriz, como por exemplo: rigidez do material (mdulo elstico), resistncia abrasiva,
diminuio da contrao, amortecimento de vibraes, resistncia corroso, para reduzir
custos e modificar propriedades trmicas e eltricas, dentre outras.
Para citar um exemplo em estudo desses materiais, no Laboratrio de Metrologia da
Universidade Federal de Braslia (UnB), vm se desenvolvendo tcnicas de processamento
de materiais compostos particulados para bases de mquinas de preciso. Um dos
materiais em estudo o granito sinttico, um composto de matriz polimrica epxi com
adio de cargas de partculas de material cermico de granito.

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Segundo Piratelli Filho e Levy Neto (2003), a utilizao desses materiais bastante
ampla: substituio do ferro fundido e do alumnio em bases de mquinas ferramentas,
como tornos e retificadoras, aplicao em mquinas e equipamentos mdicos de preciso,
como microscpios, equipamentos de corte e laser, utilizao em padres e bases de
medio de instrumentos de metrologia, como mquinas de medio por coordenadas e em
bases para medio na indstria.
As vantagens apresentadas por esses materiais so variadas: mdulo de elasticidade
elevado de 40GPa, resistncia compresso de 140GPa, capacidade de amortecimento de
vibraes, reduzido coeficiente de expanso trmica (1,2x10-5 C-1), densidade reduzida,
elevada resistncia corroso e facilidade de conformao. Como desvantagens, estes
materiais apresentam absoro de umidade, dilatao trmica lenta e mdulo de
elasticidade menor do que o ferro fundido.
Segundo Piratelli Filho e Levy Neto (2003), alguns fabricantes de mquinas e
ferramentas j utilizam materiais compostos particulados em seus projetos.

5.3.3 Compostos estruturais

So subdivididos em compostos estruturais do tipo laminado e do tipo sanduche.
Na grande maioria das peas estruturais (vigas, placas e cascas) a estrutura
composta laminada, conhecida simplesmente como laminado, constituda de sucessivas
lminas (camadas) ao longo da espessura da estrutura, conforme ilustrado pela Fig. 5.4.

-30
90

0
-30

Figura 5.4 - Composto laminado formado por vrias lminas orientadas a [-30 / 0/ 90 /30].

As fibras pertencentes a cada uma das lminas orientadas localmente por um sistema
designado por 1-2-3, podem ser orientadas em relao ao sistema global de referncia x-y-z
adotado para o laminado como um todo, conforme ilustrado na Fig. 5.5, de forma a
maximizar a rigidez e a resistncia mecnica e minimizar o peso final da estrutura. A

58

designao dos laminados efetuada segundo a disposio das camadas e a orientao da

camada com relao ao eixo referencial adotado.

y
1

Figura 5.5 - Vista superior de uma lmina com orientao arbitrria segundo o eixo de
referncia plano x-y, adaptado de Da Rocha, 1999.

A designao destes estratificados efetuada segundo a conveno:

Para estratificados simtricos em relao ao plano mdio de referncia, so

designados pelo ndice subscrito S, sendo necessria a designao apenas da metade

das camadas sucessivas.

Cada camada designada por um nmero indicando o valor em graus do ngulo

que a direo das fibras faz com o eixo de referncia x. Exemplo: [ 45 / 30 / 90 90/ 30 /

45]s.

As camadas sucessivas so separadas por uma barra (/) se os ngulos forem

diferentes; se forem iguais, so separadas por espao.

As camadas sucessivas de mesma orientao so designadas por um ndice

numrico. Exemplo: [ 45 / 30 / 902 / 30 / 45]s.

As camadas so nomeadas sucessivamente indo de uma face outra. Colchetes

ou parnteses indicam o incio e o fim da notao.

Camadas orientadas com ngulos iguais em valor absoluto mas opostas em sinal

so indicadas atravs do acrscimo dos sinais + e -.

A repetio de seqncia pode ser indicada por um ndice subscrito que se refere

ao nmero de vezes que uma seqncia sucessivamente repetida. Exemplo: [( 45 / 30

/ 90)2]s. Neste exemplo a seqncia de camadas 45 / 30 / 90 repetida duas vezes.

Em estratificados hbridos, ou seja, constitudos de camadas sucessivas

comportando fibras de diferentes naturezas necessrio mencion-las dentro da

designao. Por exemplo, para um estratificado qualquer formado por resinas de vidro (v)
e carbono(c) tem-se: [0v / 45c / 30c]s.

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No estudo de compostos laminados inteligentes, a camada piezoeltrica ser

designada simplesmente como P conforme notao adotada em publicaes de Saravanos
e Heyliger (1995), Correia (2000), Chee (2000) e outras. Ser suprimido o nmero indicando
valor nulo do ngulo que a direo da camada piezoeltrica faz com o eixo de referncia
global x. Por exemplo: [P / 30 / 45 / P] designa um composto laminado inteligente formado
por duas camadas piezoeltricas coladas em sua face superior e inferior e orientadas em
relao ao eixo de referncia global x.
Os compostos estruturais do tipo laminado, dotados de materiais piezoeltricos
colados a sua superfcie, constituem o objeto de estudo no mbito desta Dissertao.
Compostos estruturais do tipo sanduche constituem um tipo especial de composto,
formado por um ncleo de baixa rigidez feito de material leve com boas propriedades a
compresso chamado alma ou simplesmente ncleo e por lminas altamente resistentes
trao e anisotrpicas, chamadas de faces ou simplesmente de placas rgidas
(BERTHELOT, 1992; MENDONA, 2005).
Segundo Berthelot existem basicamente dois tipos de almas: cheias e vazadas,
conforme exemplos ilustrados pela Fig. 5.6.
Placas rgidas

alma vazia

alma cheia
Placas rgidas
(A)

(B)

Figura 5.6 - Estrutura sanduche de alma plena (A) e de alma vazada do tipo ondulada (B).
Adaptado de Berthelot (1992).

Os materiais mais utilizados para almas cheias so madeiras celulares, diversas

espumas celulares, resinas carregadas de micro-esferas vazias de vidro denominadas
espumas sintticas, plsticos, etc. Os principais materiais utilizados nas almas vazias,
essencialmente na forma de colmia de abelhas (alvolos hexagonais) e perfis so: ligas
metlicas leves, papel Kraft (com ou sem resina), papel poliamida, etc.
Segundo Mendona, 2005, a partir da dcada de 1950 as estruturas sanduche foram
largamente aplicadas nas indstrias aeroespacial e militar. Em aeronaves so aplicadas em
ps de hlices de helicpteros, painis de asas, pisos de compartimento de carga, cones de

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aeronaves, dutos de ar, porta e estrutura de portal. Em msseis e veculos espaciais so

usados em aletas e superfcies de controle, tanques, antenas e contineres de carga.
A partir da dcada de 1990, a aplicao dos sanduches tem se difundido e se
expandido em direo indstria da construo civil (MENDONA, 2005), notadamente
aplicados em abrigos pr-fabricados, divisrias de escritrios, portas, forros, etc.
Finalmente, dentre outros setores industriais que largamente usam os materiais
compostos destacam-se a indstria automobilstica, na fabricao de capotas, crters de
leo, colunas de direo, rvores de transmisso, molas laminadas, painis, etc; na indstria
de material esportivo, na construo de barcos a vela, esquis, bicicletas, tacos de golfe,
raquetes de tnis, pranchas de surfe; na rea aeroespacial, em painis solares de satlites,
em veculos lanadores de satlite , etc.

CAPTULO VI

FORMULAO DO MODELO DE ELEMENTOS FINITOS

A modelagem dos sistemas fsicos freqentemente resulta em equaes diferenciais

parciais que no podem ser resolvidas analiticamente ou so desprovidas de uma soluo
exata devido complexidade das condies de contorno ou do domnio do problema.
Nestes casos, um mtodo numrico deve ser usado para resolver o problema. O Mtodo
dos Elementos Finitos (MEF) freqentemente julgado o mtodo numrico mais adequado.
O desenvolvimento dos modernos computadores tornou o MEF uma das ferramentas
de anlise mais importantes na engenharia, o qual tem sido utilizado com sucesso em
muitas

aplicaes,

tais

como

transferncia

de

calor,

mecnica

dos

fluidos,

eletromagnetismo, acstica e mecnica da fratura. Vrios programas de elementos finitos,

tais como o Ansys, Nastran, Abaqus, Comsol Multiphysics, entre outros, so largamente
comercializados.
Os princpios fundamentais do MEF so:

O contnuo dividido em um nmero finito de elementos, de formas geomtricas

relativamente simples.

Estes elementos so conectados por um nmero finito de ns.

So escolhidas funes de interpolao polinomiais que descrevem o campo do

deslocamento desconhecido, sob a forma de uma combinao linear dos valores dos
deslocamentos nos ns. Desta forma, as incgnitas do problema passam a ser os
valores dos deslocamentos (e, eventualmente, de suas derivadas) nos ns. Estas
incgnitas so conhecidas como graus de liberdade elementares.

No caso de

estruturas contendo materiais piezoeltricos, os graus de liberdade incluem tambm

grandezas de natureza eltrica (potenciais eltricos).

As foras aplicadas na estrutura so substitudas por um sistema equivalente de

foras aplicadas nos ns.

62

As equaes do movimento ou de equilbrio so formuladas no domnio de cada

elemento utilizando as leis fsicas que regem o problema. Nestas equaes, as

incgnitas so as variveis nodais.

Impondo condies de compatibilidade e equilbrio nos ns compartilhados por

elementos vizinhos, as equaes do movimento ou de equilbrio elementares so

combinadas em um conjunto de equaes globais que tm como incgnitas as
variveis nodais de todos os ns do modelo.

So impostas as condies de contorno estabelecendo valores prescritos para um

subconjunto de variveis nodais em nvel global.

Uma das recentes aplicaes do MEF a simulao de materiais piezoeltrico
incorporados a estruturas isotrpicas ou compostas laminadas, atuando como sensores e/ou
atuadores em variadas condies de contorno.
A formulao em elementos finitos desenvolvida neste captulo ser aplicada na
modelagem de estruturas isotrpicas ou compostas laminadas planas inteligentes.
Na presente formulao, os graus de liberdade nodais incluem as variveis eltricas
(potenciais eltricos) e mecnicas (deslocamentos) acopladas e usa elementos retangulares
planos de oito ns para a discretizao do campo de deslocamentos, em uma nica camada
equivalente, e dos potenciais eltricos em camadas discretas, consistindo assim em uma
formulao mista, de acordo com a definio apresentada na Seo 3.3.
A escolha de um elemento com oito ns deve-se s investigaes prvias feitas por
Chee (2000) que verificou sua excelente performance na modelagem de estruturas
inteligentes formadas por placas planas compostas laminadas finas ou espessas. Este tipo
de elemento, como verificado por aquele autor, livre do travamento por cisalhamento
(shear locking) quando utiliza a teoria HSDT na aproximao do campo de deslocamentos
mecnicos. Alm destas vantagens, estruturas de geometrias diversas e sujeitas a
condies de contorno complicadas podem ser convenientemente modeladas por elementos
retangulares.
O objetivo deste captulo expressar as relaes deformaes-deslocamentos e
campos eltricos-voltagens em termos das variveis nodais e funes de forma
correspondentes, as quais so posteriormente associadas a uma formulao variacional
para obteno da Equao Geral do Sistema Eletromecnico Acoplado.

63

6.1 Discretizao do potencial eltrico linear distribudo por camadas

A Teoria das Camadas Equivalentes Discretas baseada na tcnica de separao de
variveis do clculo superior, em que a coordenada z, na direo da espessura da casca ou
placa, desacoplada das coordenadas na superfcie de referncia x-y.
Segundo Chee (2000), a formulao geral escrita na Eq.(6.1) onde, Lj (z) chamada
de funo em camadas equivalentes (layerwise function) e j (x, y, t) so funes de
interface (interface functions) da j-sima interface do composto laminado.

(x, y , z, t ) =

ncamadas +1

L (z ) (x, y, t )
j

(6.1)

j =1

Na Teoria das Camadas Equivalentes Discretas, diferentes funes, ou campos,

podem ser usados em cada camada do composto laminado. Portanto, esta teoria apresenta
uma maior flexibilidade comparada Teoria da Camada Equivalente nica (ver Captulo III,
Seo 3.2). No entanto, ela requer um nmero maior de graus de liberdade, o que eleva o
custo computacional do modelo. Por isso, para efeito de reduo de custo computacional, a
Teoria da Camada Equivalente nica ser usada na representao dos graus de liberdade
mecnicos enquanto a Teoria das Camadas Equivalentes Discretas ser utilizada na
representao dos graus de liberdade eltricos.
A Teoria das Camadas Equivalentes Discretas adequada modelagem do potencial
eltrico uma vez que a voltagem eltrica usualmente aplicada ao longo da espessura dos
materiais ativos e a sua distribuio geralmente linear, assumindo que o material seja
homogneo.
Considerando que a estrutura laminada dividida em vrias camadas, o campo
eltrico atravs de camada pode ser aproximado por uma funo linear por partes na
direo da espessura z.
O campo potencial eltrico linear (x,y,z,t) para uma estrutura laminada com n
camadas composto por um grupo de equaes expressas sob a forma:

64
n +1 (x , y , t )

zn +1
camada (n )
zn

-------------------

(x, y , z, t ) = n (x, y , t )

camada (n )

(z z n )
(z z n +1 )
+ n +1(x, y , t )
(z n +1 z n )
(z n z n +1 )

n (x , y , t )

camada (n 1)

(x, y , z, t ) = n 1(x, y , t )

camada (n 1)

(z z n )

(z n 1 z n )

+ n ( x, y , t )

(z z n 1 )
(z n z n 1 )

zn 1 ------------------- n 1 (x, y , t )

M
z3

(6.2)

-------------------

3 (x, y , t )

camada (2)
z2

-------------------

-------------------

(x, y , z, t ) = 2 (x, y , t )

(x, y , z, t ) = 1(x, y , t )

camada (2 )

(z z 3 )
(z z 2 )
+ 3 (x, y , t )
(z 2 z 3 )
(z 3 z 2 )

2 (x, y , t )

camada (1)
z1

camada (1)

(z z 2 )
(z z1 )
+ 2 (x, y , t )
(z1 z 2 )
(z 2 z1 )

1 (x , y , t )

Cada uma das n camadas tem uma funo potencial eltrico camada(n) composta por
duas funes de interface n e (n+1) nas interfaces inferior e superior desta camada. Assim,
o potencial eltrico na i-sima camada obtido como expresso na Eq.(6.3-a). Note-se que i
(x, y, t) e i+1 (x, y, t) so funes de interface para as interfaces i e (i+1) da i-sima camada,
respectivamente.
camada (i ) (x, y , z, t ) = L id (z ) i (x, y , t ) + L iu (z ) i +1 (x, y , t )

(6.3-a)

onde Lid e Liu so funes de interpolao Lagrangeana linear da interface inferior e superior
da i-sima camada do composto laminado, respectivamente, sendo dadas por:

Lid (z ) =

z z i +1
z i z i +1
(6.3-b)

Liu (z ) =

z zi
z i +1 z i

65

Usando a definio do campo eltrico como o gradiente negativo do potencial eltrico

apresentada na Seo (3.6), a expanso em camadas do campo eltrico para a i-sima
camada de uma placa composta laminada expressa da seguinte forma:

(x, y , z, t )

E x (x, y , z, t )
(x, yx, z, t )

E y (x, y , z, t ) =

y
E (x, y , z, t )

(x, y , z, t )

(6.4-a)

Simplificando:
r

{E (x, y , z, t )} = (x, y , z, t )

(6.4-b)

ou,
r

{E } =

(6.4-c)

Combinando as equaes (6.3-a) e (6.4-a), para a i-sima camada tem-se:

E x (x, y , z, t )

E y (x, y , z, t )
E (x, y , z, t )
z
camada( i )

i (x, y , t )
(x, y , t )
+ Liu (z ) i +1

Lid (z )
x
x

i (x, y , t )
i +1 (x, y , t )

= Lid (z )
+ Liu (z )

y
y

1
1

z z i (x, y , t ) + z z i +1 (x, y , t )
i +1
i +1
i

(6.5)

A Figura 6.1 representa os potenciais eltricos nodais ij de um elemento composto

por quatro camadas e cinco interfaces. O primeiro subscrito, i, indica o nmero da interface
da camada, que na ilustrao varia de 1 a 5, e o segundo subscrito, j, indica o nmero local
do n, que varia de 1 a 8.

66

57

56

58
51
41
31
21
11

53
43
33
23
13

52
42
32
22
12

54
44
34
24
14

55
45
35
25
15

z
y
x

Figura 6.1 - Potenciais eltricos nodais, de um elemento plano, multicamadas e composto

por oito ns para cada uma das cinco interfaces planas.
As (n+1) funes de interface n+1(x, y, t) so escritas em termos de aproximao em
elementos finitos conforme expresso a seguir. Em um elemento retangular de oito ns, cada
uma das (n+1) funes de interfaces so expressas na formulao em termos das funes
de forma e dos correspondentes potenciais eltricos nodais ij da interface da camada,
como indicado a seguir:

0
N1 0

1 0 N 1 0

0 N1
2 0

=
M M O O
(n +1) 0
0
0

0
0
0

N2

N2

L 0
O O

0
O

0
O

0
O

L N1

L N2

N1

N2 L 0
O O O
0

0 L
O O
0

N2 L

11

21
31

M
0 71

0 81
0 12

M 22
0 32

N 8 M

17
27
M

(n +1)8
(6.6)

onde N i = N i (x, y ) , i=1 a 8 so funes de interpolao (funes de forma) que sero

definidas mais adiante e ij = ij (t ) so os potenciais eltricos nodais em nvel elementar.

67

A famlia Serendipity dos elementos Lagrangeanos lineares constituda de

elementos que no tm ns interiores (REDDY, 1997). O elemento retangular Serendipity
em coordenadas globais utilizado neste trabalho mostrado na Fig. 6.2. As relaes entre
as coordenadas espaciais globais e locais so dadas pelas Eq.(6.7-a) e Eq.(6.7-b), sendo os
ns intermedirios (2, 4, 6, 8) posicionados nos pontos mdios dos lados, entre os ns (1, 3,
5, 7) do vrtice do elemento.

7(-1,1)

6(0,1)

8(-1,0)

y
5(1,1)

7(x7,y7)

4(1,0)

1(-1,-1)

3(1,-1)

6(x6,y6)

8(x8,y8)

5(x5,y5)

4(x4,y4)

1(x1,y1)

3(x3,y3)
2(x2,y2)

2(0,-1)

(B)

(A)

Figura 6.2 - Elemento retangular de oito ns em coordenadas locais (A) e globais (B).

(2 x x 8 x 4 )
x8 x4

(6.7-a)
x=

1
[( x 8 x 4 ) + x 8 + x 4 ]
2

( 2y y 6 y 2 )
y6 y2

(6.7-b)
y =

1
[( y 6 y 2 ) + y 6 + y 2 ]
2

A matriz Jacobiana da transformao linear entre as coordenadas globais e locais

expressa segundo Reddy (1997) sob a forma:
x

[J ] = x

y
1 (x 8 x 4 )
=
y 2
0

(y 6 y 2 )
0

(6.8)

68

O Jacobiano, definido como o determinante da matriz Jacobiana, dado por:

J=

x y x y (y 6 y 2 )(x 8 x 4 )

=

4

(6.9)

As funes Ni (, , t), com i = 1 ... 8, apresentados na Eq.(6.6) so funes de forma

do tipo Serendipity que podem ser escritas em coordenadas locais e conforme expresso
pelas equaes:

1
N1 ( , ) = (1 )(1 )(1 + + )
4
N 2 ( , ) =

1
(1 )(1 + )(1 )
2

1
N 3 ( , ) = (1 + )(1 )(1 + )
4
N 4 ( , ) =

1
(1 + )(1 + )(1 )
2

(6.10)

1
N 5 ( , ) = (1 + )(1 + )(1 )
4
N 6 ( , ) =

1
(1 )(1 + )(1 + )
2

1
N 7 ( , ) = (1 )(1 + )(1 + )
4
N8 ( , ) =

1
(1 )(1 + )(1 )
2

Simplificando a Eq.(6.6) e escrevendo-a em funo das coordenadas intrnsecas

apresentadas anteriormente escreve-se:

{(, , t )}(n +1)1 = [N (, )] (n +1)8(n +1) {e (t )}8(n +1)1

(6.11)

ou ainda,

{} = [N ] { e }

(6.12)

69

Deve-se observar que se o potencial eltrico expresso na Eq.(6.1) em termos das

funes de interface e funes em camadas equivalentes for escrito simultaneamente para
todas as camadas do laminado, a expresso resultar numa matriz esparsa com muitos
termos nulos (CHEE, 2000). Porm, devido natureza discreta da formulao em camadas
equivalentes discretas, as equaes do potencial eltrico dependem de funes
discretizadas na camada particular. Assim, mais conveniente escrever o potencial eltrico
separadamente para cada uma das camadas como expressado pela Eq.(6.3-a). Como
exemplo, o potencial eltrico para a primeira e terceira camadas de uma estrutura composta
por quatro camadas escrito respectivamente como:

1 ( x, y , t )

2 ( x, y , t )
( x, y , z, t )1 = [L1d ( z ) L1u ( z ) 0 0 0] 3 ( x, y , t )
( x, y , t )
4

5 ( x, y , t )

(6.13-a)

1 ( x, y , t )

2 ( x, y , t )
( x, y , z, t ) 3 = [0 0 L3d ( z ) L3u ( z ) 0] 3 ( x, y , t )
( x, y , t )
4

5 ( x, y , t )

(6.13-b)

Assim, o potencial eltrico para a k-sima camada elementar do e-simo elemento

expresso sob a forma:

(, , z, t )e = [K Lkd (z ) Lku (z )
k

(t )11

L]1(n +1) N (, ) (n +1)(8 (n +1)) (t )(n +1)1

(t )(n +1)8 8 (n +1)1

(6.14)

Simplificando a notao matricial apresentada na Eq.(6.14), escreve-se:

(, , z, t ) ek = N (, , z ) 1x 8(n +1) { e (t )}8(n +1)1

ou ainda:

(6.15-a)

70

[ ]

ek = N { e }

(6.15-b)

Na equao acima, [N(, ,z)] a matriz de funes de forma eltrica que relaciona
os potenciais eltricos no volume do elemento com os valores nodais do potencial eltrico.
Assim, a formulao em camadas equivalentes discretas e as funes de forma Serendipity
so incorporadas na matriz de funes de forma eltrica.
Acrescentando a matriz funo de forma eltrica [N] no vetor campo eltrico definido
pela Eq.(6.4-a), e realizando o desenvolvimento de coordenadas globais para locais
elementares:

{E ( x, y, z, t ) }
k
e

x


= =
y

z

x


(x, y , z, t ) =
y

z

N (, , z )k { e (t )}


z

(6.16-a)

ou, de forma simplificada:

{E (, , z, t ) }

k
e 3 x1

([

r
= N (, , z ) 18(n +1) { e (t )}8(n +1)1

(6.16-b)

ou ainda,

{E (, , z, t ) }

k
e 31

= B (, , z )k

38 (n +1)

{ e (t )}8(n +1)1

(6.16-c)

onde,

[B

( , , z ) k

L Lkd N1,
L L N
kd 1,

L L'kd N1

Lku N1, L Lkd N 2,

Lku N1, L Lkd N 2,
L'ku N1 L L'kd N 2

sendo Lkd, Lku, Ni, e Ni, dados por:

Lku N 2, L Lkd N 8,
Lku N 2, L Lkd N 8,
L'ku N 2 L L'kd N 8

Lku N 8, L
Lku N 8, L
L'ku N 8 L

(6.17)

71

L'kd (z ) =

1
zk zk +1
(6.18)

L'ku (z ) =

1
zk +1 zk

e,

N i , (, ) =

dN i
dN i dx
=
d
dx d
(6.19)

N i , (, ) =

dN i
dN i dy
=
d
dy d

As derivadas das funes de forma, indicadas na Eq.(6.19), em relao s

coordenadas locais e so detalhadas a seguir:

N1, (, n ) =

1
( 1 + )(2 + ) ,
4

N 2, (, n ) = ( 1 + ) ,

N 3, (, n ) =

1
( 1 + )( 2 ) ,
4

N 4, (, n ) =

N 5, (, n ) =

1
(1 + )( 1 + ) ,
2

1
(1 + )(2 + ) ,
4

N1, (, n ) =

1
( 1 + )( + 2) ,
4

N 2, (, n ) =

1
(1 + )( 1 + ) ,
2

N 3, (, n ) =

1
(1 + )(2 ) ,
4

N 4, (, n ) = (1 + ) ,

N 5, (, n ) =

1
(1 + )( + 2) ,
4

N 6, (, n ) = (1 + ) ,

N 6, (, n ) =

1
(1 + )( 1 + ) ,
2

N 7, (, n ) =

N 7, (, n ) =

1
( 1 + )(2 ) ,
4

N 8, (, n ) =

1
(1 + )( 2 ) ,
4

1
(1 + )( 1 + ) ,
2

(6.20)

N 8, (, n ) = ( 1 + )

Assim, utilizando a equao definida em (6.16-c), o vetor campo eltrico [E]

particionado em uma componente [Ei], e outra [E0] tal que E = [Ei E0], o que resulta:

72

{E i } =
x

T
r
r

= i = i ( N { e })
y

[ ]

(6.21-a)

{E 0 } = = 0 = 0 ([N ]{ e })

(6.21-b)

ou, de forma simplificada:

{E i } = [ B i ] { e }

(6.21-c)

{E 0 } = [B 0 ] { e }

(6.21-d)

sendo:

[Bi (, , z)k ]
L Lkd N1,

L Lkd N1,

=
Lku N1,

L Lkd N 2,

Lku N1, L Lkd N 2,

Lku N 2,

L Lkd N 8,

Lku N 8,

Lku N 2, L Lkd N 8,

Lku N 8,

(6.22-a)

e,

[B0 (, , z)k ]
[L

L'kd N1 L'ku N1 L L'kd N 2

L'ku N 2 L L'kd N 8

L'ku N 8

(6.22-b)

6.2 Deslocamentos mecnicos da HSDT representados em uma camada equivalente

nica

Na discusso iniciada no terceiro captulo definiu-se que nesta dissertao ser

implementada uma teoria baseada em uma aproximao para o campo de deslocamentos
de ordem elevada do tipo HSDT formulado em uma nica camada equivalente.
Especificamente, a aproximao para o campo de deslocamentos escolhido o proposto
por Lo et al. (1977) para a qual, diferentemente da formulao HSDT de Reddy (1997),

73

complicaes associadas com a imposio das tenses cisalhantes transversais nas

condies de contorno so eliminadas.
O campo de deslocamentos HSDT de Lo et al. formulado em uma nica camada
equivalente, sendo expresso por:

u (x, y , z, t ) = u 0 (x, y , t ) + z x (x, y , t ) + z 2 x (x, y , t ) + z 3 x (x, y , t )

v (x, y , z, t ) = v 0 (x, y , t ) + z y (x, y , t ) + z 2 y (x, y , t ) + z 3 y (x, y , t )

(6.23)

w (x, y , z, t ) = w 0 (x, y , t ) + z z (x, y , t ) + z 2 z (x, y , t )

Por convenincia, a Eq.(6.23) reescrita na seguinte forma matricial:

u (x, y , z, t ) 1

v (x, y , z, t ) = 0
w (x, y , z, t ) 0

0
1

z
0

0
0

0
z

z2
0

0
0
z

0
z2

0
0

z3
0

z 3 {u (x, y , t )}
0

(6.24-a)

ou, de forma simplificada:

{U (x, y , z, t )}31 = [Au (z )]311 {u (x, y , t )}111

(6.24-b)

ou simplesmente:

{U } = [Au ] {u}

(6.24-c)

As onze funes planas fornecidas por (x, y, t) que definem os 11 graus de liberdade
mecnicos nodais so expressas sob a forma:
u (x, y , t ) = {u 0

v0

w0

y }

(6.25)

As deformaes mecnicas so definidas em termos dos deslocamentos como:

[ 1
u

v
y

w
z

6 ] = xx
T

yy

v w w u

+
+

z y x z

zz

yz

zx

u v

+
y x

xy

(6.26)

74

Aplicando as relaes deformaes-deslocamentos expressadas pela equao

anterior combinadas com as equaes (6.24-a) e (6.25), obtm-se as seguintes expresses,
em que as deformaes so agrupadas em deformaes de flexo b e em deformaes
cisalhantes transversais s.

1

2
2
3
= { b (x, y , z, t )}41 = D0 + zD1 + z D 2 + z D3

3
6

411

{u (x, y , t )}111

= [Db (z)]411{u(x, y, t )}111

(6.27-a)

4
2
= { s ( x, y , z, t )}21 = D 4 + zD5 + z D 6
5

211

{u( x, y , t )}111

= [D s (z )]211 {u (x, y , t )}111

(6.27-b)

[D0 ] = 0
0

(6.28-a)

onde:

[D1 ] = 0
0

y
0

0 0 0 0 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0 0

0 0 0 1 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0 0

0 0

0 0

0 0

0 0

y
0

0 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0

0 0 0 2 0 0

0 0 0 0 0 0

(6.28-b)

75

[D2 ] = 0
0

[D3 ] = 0
0

0 0 0 0 0

0 0 0 0 0

0 0 0 0 0

0 0 0 0 0

y
0

0 0 0

0 0 0

0 0 0

0 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0

0 0
[D 4 ] =
0 0

y
0

0 1 0 0 0 0 0 0

1 0 0 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0
[D5 ] =
0 0 0 0 0

0 2 0 0 0

2 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0
[D6 ] =
0 0 0 0 0 0 0 0

0 3

3 0

(6.28-c)

(6.28-d)

(6.28-e)

(6.28-f)

(6.28-g)

A parte mecnica da formulao adota um elemento retangular bidimensional, como

mostra a Fig. 6.3, onde as onze variveis mecnicas {(x, y, t)} = {u0(x, y, t), v0(x, y, t), w0(x,
y, t), x (x, y, t), y (x, y, t), z(x, y, t), z(x, y, t), y(x, y, t), z(x, y, t), X(x, y,t), Y(x, y, t)}T, so
expressas em termos das suas 88 correspondentes variveis mecnicas nodais: {ue} = {ui,
vi, wi, xi, yi, zi, zi, yi, zi, xi, yi}T, com i =1 a 8, conforme indicado nas Eq.(6.29-a) e
Eq.(4.26b).

76

u5
v5
w5

u1
v1
w1

x1
y1
z1
x1
y1
z1
x1
y1

(7)

(6)

(5)

(8)
(4)
(1)

(2)

(3)

x5
y5
z5
x5
y5
z5
x5
y5

z
y
x

Figura 6.3 - Variveis mecnicas nodais para os ns 1 e 5 de um elemento plano de 8 ns.

u0
v
0
w 0

x
y

z =

x
y

x
x

y

0
N1 0
0
N1 0

0
0 N1

M O O
0
0
0

0
0
0

L
L
L
O
L
L

0
0 N2
0
0
0
0
0
0
O O O
0
N1 0
0 N1 0

0
N2
0
O
0
0

0
0
N2
O
0
0

L
L
L
O
L
L

0
0
0
O
N2
0

0
0
0
O
0
N2

K
L
L
O
L
L

u1
v
1
w1

M
0 u2

0 v 2
0 w 2

M x 2
0 y 2

N 8 M

x2
y 2
M

y 8
(6.29-a)

ou, de forma condensada:

{u (, , t )}(111) = [N u (, )]1188 {u e (t )}881

(6.29-b)

As funes de forma Ni (, ), com i = 1 a 8, da Equao (6.10) so includas na

matriz de funes de forma mecnicas Nu (, ) de dimenses 11x88.

77

Utilizando a equao posterior, o campo de deslocamentos HSDT de Lo da Eq. (6.24a) reescrito em coordenadas locais elementares como:

u (, , z, t )

v (, , z, t ) = [Au (z )]311 [N u (, )]1188 {u e (t )}881

w (, , z, t )

31

(6.30-a)

ou, de forma simplificada:

{U (, , z, t )} = [Au (z )] [N u (, )] {u e (t )}

(6.30-b)

ou ainda,

{U } = [Au ][N u ]{u e }

(6.30-c)

Assim, conforme foi mostrado na equao anterior, o vetor de deslocamentos

mecnicos elementar U expresso na formulao em termos das funes de forma e das
variveis nodais dos deslocamentos mecnicos.
Reescrevendo as deformaes mecnicas apresentadas nas Eqs.(6.27-a) e (6.27-b)
em termos das funes de forma e dos deslocamentos mecnicos nodais utilizando a
Eq.(6.30-b), resulta:
b (, , z, t )
D b (z )
[N u (, )]1188 {u e (t )}881

s (, , z, t ) 61 Ds (z ) 611
B (, , z )
{u e (t )}881
= bu

B su (, , z ) 688

(6.31-a)

ou, de forma condensada:

{(, , z, t )} = [D(z )][N u (, )]{u e (t )}

(6.31-b)

ou ainda:

{ b } = [Bbu ]{u e }

(6.31-c)

78

{ s } = [Bsu ]{u e }

(6.31-d)

As matrizes B so expressas como uma funo polinomial de z da seguinte forma:

{ b (, , z, t )}41 = [Db (z )]411 [N u (, )]1188 {u e (t )}881 = [B bu (, , z )]488 {u e (t )}881

= [B0 (, , z )]488 {u e (t )}881 + z[B1 (, , z )]488 {u e (t )}881 + z 2 [B 2 (, , z )]488 {u e (t )}881

+ z 3 [B3 (, , z )]488 {u e (t )}881

(6.32-a)

{ s (, , z, t )}21 = [Db (z )]211 [N u (, )]1188 {u e (t )}881 = [Bsu (, , z )]288 {u e (t )}881

= [B 4 (, , z )]288 {u e (t )}881 + z[B5 (, , z )]488 {u e (t )}881 + z 2 [B6 (, , z )]488 {u e (t )}881
(6.32-b)

6.3 Formulao de elementos finitos

Como uma estrutura inteligente composta de materiais ativos e passivos, o

acoplamento entre atuadores ativos, substrato passivo (isotrpico ou anisotrpico) e
sensores passivos, deve ser includo no modelo. Este acoplamento estabelecido pelo
Princpio Variacional de Hamilton (PVH), considerando as energias mecnica e eltrica do
sistema.
A formulao de elementos finitos baseados no PVH muito conveniente porque
todas as formas de energia so tratadas conjuntamente e no so necessrias equaes
baseadas em foras e momentos. A incluso das energias do substrato, dos atuadores e
sensores piezoeltrico unifica os componentes ativos e passivos da estrutura. Assim, o PVH
permite que toda estrutura seja modelada de uma maneira muito natural atravs da
incorporao de todas as contribuies energticas presentes.
O PVH ser utilizado nesta Seo para a obteno das equaes de equilbrio e de
movimento em nvel elementar dos modelos de elementos de placas compostas inteligentes,
com base nas aproximaes para potenciais eltricos e campos de deslocamentos
desenvolvidos na Seo anterior, utilizando a Teoria Mista.

6.3.1 Formulao elementar e global com base no Princpio Variacional de Hamilton

O PVH pode ser expresso matematicamente da seguinte forma (MEIROVITCH,

2000):

79

t1

(k P + W )dt =0

(6.33)

t0

onde P a energia potencial total do sistema, K a energia cintica total, W o trabalho

total das foras externas e t0 e t1 so instantes de tempo arbitrrios.
As integrais das variaes da energia cintica e da energia potencial so expressas
na formulao em elementos finitos pela transformao da integral no volume V da estrutura
em uma soma de integrais nos volumes dos elementos Ve e no emprego das funes de
forma e variveis nodais apropriadas no integrando.
A energia cintica em nvel elementar dada por:

Ke =

{ } {U& }dV

1
U&
2V

(6.34)

onde a densidade do material, Ve definido como o volume elementar e o vetor {U} = {u

(x, y, z, t) v(x, y, z, t) w(x, y, z, t)}T o vetor de deslocamentos dado pela Eq.(6.24-c).
Integrando por partes com respeito ao tempo e lembrando que UT(t0) e UT(t1) so
nulos (MEIROVITCH, 2000), a variao da energia cintica total do sistema apresentada
sob a seguinte forma elementar:
t1

t1

e dt

{ } { }
U&

U& dVe dt =

{U} {U&&}dV dt
T

(6.35)

t 0 Ve

t 0 Ve

t0

t1

A equao a seguir fornece a integral da variao da energia cintica em nvel

elementar, desenvolvida substituindo as funes de formas expressas na Eq.(6.30-c) na
equao anterior.
t1

t1

K dt = {u } [m ]{u&& }dt
T

(6.36)

t0

t0

onde [me] a matriz de massa elementar expressa segundo:

[me ] = [Nu ]T [Au ] T [Au ][Nu ]dVe

Ve

(6.37)

80

onde a matriz [Au ] apresentada na Eq.(6.24-c).

J a energia potencial elementar inclui a energia potencial mecnica elementar e a
energia potencial eltrica elementar. Como na formulao por elementos finitos as variveis
naturais preferidas so a deformao e o campo eltrico, a energia potencial mais
apropriada aquela definida em termos destas variveis. Portanto, segundo Chee (2000):
t1

t1

P dt = ({} {} {D } {E})dV dt
T

(6.38)

t0

t 0 Ve

A tenso e o deslocamento eltrico que figuram na equao anterior so expressos

em termos da deformao e do campo eltrico usando as equaes constitutivas
apresentadas no quarto captulo na Eq. (4.20). A substituio das equaes constitutivas
fornecidas pela Eq. (4.24) apresentada no referido captulo, fornece a possibilidade de
rotao em torno do eixo transversal z e esto reagrupadas em uma forma compacta, com
componentes de flexo e de cisalhamento.
A energia potencial elementar pode agora ser expressa em termos das propriedades
materiais e das variveis deformao e campo eltrico expressas atravs das Eqs. (4.25-a),
(4.26-a), (4.27-a) e (4.28-a), assim:
t1

t1

P dt = ({ } { } + { } { } {D } {E } {D } {E })dV dt
T

t0

t 0 Ve

t1

({ } ([c ]{ } [e ] {E }) + { } ([c ]{ } [e ] {E }))dV dt

T

t 0 Ve
t1

({E } ([e ]{ } + [ ]{E }) + {E } ([e ]{ } + {E }))dV dt

T

(6.39)

t 0 Ve

Se o sistema no possui materiais ativos em sua estrutura, as matrizes eb e es sero

identicamente nulas. Em caso contrrio, a equao anterior considera o efeito piezoeltrico
direto e inverso e permite ao material atuar respectivamente como sensor ou atuador. Esta
a caracterstica que permite aos materiais piezoeltrico serem modelados conjuntamente
com os materiais passivos da estrutura.
Substituindo as equaes das deformaes e dos campos eltricos fornecidos nas
equaes de (6.31-c), (6.31-d), (6.21-c) e (6.21-d) na integral da energia potencial expressa

81

na Eq.(6.39) e efetuando algumas manipulaes matemticas, resulta a seguinte somatria

das contribuies energticas potenciais:
t1

P dt =
e

t0

({u } ([B ] [c ][B ] + [B ] [c ][B ]){u })dV dt

t1

bu

bu

su

su

t 0 Ve

({u } ([B ] [e ] [B ] + [B ] [e ] [B ]){ })dV dt

t1

bu

su

t 0 Ve

({ } ([B ] [e ][B ] + [B ] [e ][B ]){u })dV dt

t1

bu

su

t 0 Ve

({ } ([B ] [B ] + [B ] [ ][B ]){ })dV dt

t1

(6.40)

t 0 Ve

Deve-se notar que a estrutura mecanicamente equivalente a uma simples camada,

pois os campos de deslocamento e deformao so aplicados a uma camada nica,
conforme ilustrado pela Fig. 6.3. Porm, conforme ilustrado na Fig. 6.2, a integrao ao
longo da espessura z incorpora os diferentes tipos de materiais das diferentes camadas do
elemento de placa. Assim, a Eq. (6.40) reescrita como:
t1

P dt =
e

t0

z
nc ( k + 1 )

{[A] + [B ] + [C ] [D]}dzdydx dt
=

t0

x y k =1 z = z k
t1

(6.41)

onde:

[A] = {ue }T ([Bbu ]T [cb ][Bbu ] + [Bsu ]T [cs ][Bsu ]){ue }

(6.42-a)

[B ] = {ue }T ([Bbu ]T [eb ]T [B0 ] + [Bsu ]T [es ]T [Bi ]){e }

(6.42-b)

[C ] = {e }T ([B0 ]T [eb ][Bbu ] + [Bi ]T [es ][Bsu ]){ue }

(6.42-c)

82

[D ] = {e }T ([B0 ]T 0 [B0 ] + [Bi ]T [ i ] [Bi ]){e }

(6.42-d)

Para efetuar a integrao nas coordenadas no plano da placa, transformam-se as

coordenadas planas (x, y) presentes na Eq.(6.41) em coordenadas locais (, ), introduzidas
anteriormente por meio das equaes (6.7-a), (6.7-b) e (6.8). Assim procedendo, a Eq.(6.41)
rescrita em funo das coordenadas locais elementares:
t1

P dt =
e

t0

+1

t0
= 1
t1

nc z( k +1)

{
[
A] + [B ] + [C ] [D ]}dz Jdddt

= 1 k =1 z = z k

+1

(6.43)

onde J o Jacobiano, que embute a rea plana elementar.

A forma integral apresentada na Eq.(6.43) inclui segundo Chee et al. (2001), as
seguintes expresses em nvel elementar:
+1 +1 z k + 1

[ ] = ([B
e
K uu

nc

bu

]T [cb ][Bbu ] + [Bsu ]T [cs ][Bsu ])Jdzdd

(6.44-a)

bu

]T [eb ]T [B0 ] + [Bsu ]T [es ]T [Bi ])Jdzdd

(6.44-b)

k =1 = 1 z = z k

+1 +1 z k + 1

[K ] = ([B
e
u

nc

k =1 = 1 z = z k

+1 +1 z k + 1

[K ] = ([B ] [e ][B
e
u

nc

bu

] + [Bi ]T [es ][Bsu ])Jdzdd

(6.44-c)

k =1 = 1 z = z k

+1 +1 z k + 1

[K ] = ([B ] [B ] + [B ] [ ][B ])Jdzdd

e

nc

(6.44-d)

k =1 = 1 z = z k

[ ]
[K ] e [K ] so as matrizes de rigidez ao acoplamento eletro-mecnico em nvel elementar
e [K ] conhecida como matriz dieltrica elementar.

e
onde, K uu
conhecida como matriz de rigidez elstica em nvel elementar, as matrizes
e
u

e
u

83

Observando as expresses fornecidas pela Eq.(6.44-b) e Eq.(6.44-c), nota-se que as

[ ] [ ]

matrizes K eu e K ue so transpostas uma da outra.

O ltimo componente da integral da energia o trabalho externo. O trabalho virtual
originado dos carregamentos aplicados externamente o produto entre as coordenadas
variacionais generalizadas e foras virtuais. No caso do sistema em estudo, os trabalhos
mecnico e eltrico podem ser compostos por foras de corpo (FV), foras de superfcie (FS),
foras pontuais (FP) e cargas eltricas de superfcie (QS). Ento, a integral do trabalho virtual
dado por:
t1

T
T
T
T
Wedt = {U } F V dVe + {U } F S dSe +{U } F P {} QS dSe dt

t 0 Ve
Se
Se
t0

t1

{ }

{ }

{ }

{ }

(6.45)

sendo {Fv }T = {Fxv Fyv Fzv}, { Fs}T = {Fxs Fys Fzs} e {Fp }T = {Fxp Fyp Fzp}. {U}T o vetor
deslocamento mecnico, o potencial eltrico e Se denota rea elementar.
A contribuio das cargas eltricas superficiais, das foras de corpo e de superfcie
expressa na equao em nvel elementar a seguir so obtidas escrevendo o trabalho virtual
em termos de suas funes de forma e quantidades nodais fornecidas pelas Eqs.(6.30-c) e
(6.15-b). Substituindo essas equaes na Eq.(6.45) e efetuando algumas manipulaes
matemticas, resulta, em nvel elementar, que:

({u } {F } { } {Q })dt

t1

t1

Wedt =

(6.46)

t0

t0

onde {Fe } e {Qe }, so respectivamente os vetores de foras e cargas nodais generalizadas

em nvel elementar, dados por:

{Fe } = [Nu ]T [Au ]T {F V }dVe + [Nu ]T [Au ]T {F S }dSe +[Nu ]T [Au ]T {F P }

Ve

{Qe } =

(6.47)

Se

[N ] {Q }dS

(6.48)

Se

As equaes governantes so desenvolvidas substituindo as integrais variacionais

energticas fornecidas nas equaes (6.36), (6.43) e (6.46) na equao (6.33) em nvel
elementar resultando assim na seguinte expresso:

84

t1

(K

Pe + We ) dt =

t0

t1

{u } [m ]{u&& }dt
T

t0

({u } [K ]{u } + {u } [K ]{ } + { } [K ]{u } + { } [K ]{ })dt

t1

e
uu

e
u

e
u

t0

( {u } {F } + { } {Q })dt = 0

t1

(6.49)

t0

As expresses das energias em nvel elementar, indicadas pelo subscrito e, podem

ser transformadas para o nvel global, indicadas por subscrito g, atravs da introduo da
matriz de conectividade [Le], (RADE, 2002; ASSAN, 2003).
Para ne elementos, a variao da energia cintica total do sistema dada por:
t1

K dt =

t0

t1

ne

{ug }T [Le ]T [me ][Le ]{u&&g } dt =

t 0 e =1

t1

{u } [M ]{u&& }dt
T

(6.50)

t0

sendo que:
ne

[M ] = [L ] [m ][L ]
g

(6.51)

e =1

a chamada matriz de massa global do sistema. O subscrito g indica quantidade global.

Da mesma maneira, a integral da energia potencial total do sistema ser a soma de
todas as contribuies energticas potenciais em nvel elementar de todos os ne elementos,
sem levar em considerao se eles so materiais ativos ou passivos, o que garante a
modelagem de toda estrutura. Portanto:

85

t1

P dt =

t0

ne

=
t0
e =1 x
t1

nc z( k +1)

{
A + B + C D}dz dydx dt

y k =1 z = zk

(6.52)

Na modelagem dos materiais puramente passivos esta formulao tambm se aplica,

requerendo somente que as propriedades piezoeltricas sejam anuladas.
A variao da energia potencial global do sistema dada por:
t1

P dt =

t0

({u } [K ]{u } + {u } [K ]{ } + { } [K ]{u } + { } [K ]{ })dt

t1

uu

(6.53)

t0

sendo que,

[K ] = [L ] [K ][L
ne

uu

e
uu

(6.54-a)

(6.54-b)

e =1

[K ] = [L ] [K ][L
ne

e
u

e =1

[K ] = [L ] [K ][L ]
ne

e
u

(6.54-c)

e =1

[K ] = [L ] [K ][L
ne

(6.54-d)

e =1

Para um dado elemento, o trabalho virtual elementar de todas as contribuies das

foras externas, mecnicas e eltricas, dado pela soma de todas as contribuies de
foras em nvel elementar, ou seja:
t1

T
T
T
Wedt = {ue } {F e } {e } N QS dSe dt

t0
S
t0

t1

[ ] { }

(6.55)

86

Portanto, para ne elementos, o trabalho virtual de todas as foras que agem sobre o
sistema dado por:
t1

W dt =

t0

t1

{u g }T

t0

[L ]{F } + { } [L ]{Q } dt =
ne

ne

e =1

e =1

( {u } {F } + { } {Q })dt

t1

(6.56)

t0

sendo que Fg e Qg so os vetores das foras e cargas nodais globais que agem sobre o
sistema respectivamente.
As equaes governantes da formulao so desenvolvidas substituindo as integrais
variacionais energticas em nvel global fornecidas nas equaes (6.50), (6.53) e (6.56) na
equao (6.33), resultando na seguinte expresso em nvel global:
t1

(K P + W ) dt =

t0

t1

{u } [M ]{u&& }dt
T

t0

({u } [K ]{u } + {u } [K ]{ } + { } [K ]{u } + { } [K ]{ })dt

t1

uu

t0

( {u } {F } + { } {Q })dt = 0

t1

(6.57)

t0

Usando o lema fundamental do clculo variacional, que estabelece que cada

expresso associada com cada tipo de variao deve ser nula para satisfazer a Equao
(6.57), o modelo matemtico do sistema expresso pela seguinte Equao Global do
Sistema Eletromecnico Acoplado:

[ ]

Mg

[ ] {u } = {F }
[ ] [ ] { } {Q }

0 {u&&g } [K uu ] K u
&& } + K
k
0 {
g
u

(6.58)

87

sendo g o subscrito que indica quantidades globais.

Observa-se que a matriz de rigidez do sistema matricial global construdo formado
por quatro submatrizes que representam as componentes de rigidez puramente mecnicas,
eltricas e piezoeltricas. As dimenses dessas matrizes dependente do nmero total de
ns do sistema (nn) e do nmero de g.d.l (11) e camadas n do elemento. Portanto segue
que a matriz [Kuu] uma matriz quadrada e de ordem (nnx11), a matriz [Ku] uma matriz de
ordem (nnx11) x nn(n+1) e a matriz [K] uma matriz quadrada de ordem nn(n+1). J a
matriz [Ku] a transposta da matriz [Ku].
A matriz de massa [Mg] global do sistema uma matriz quadrada de ordem (nnx11).
&& g , g e Qg dimenso
Os vetores Fg, g e ug possuem dimenso (nnx11)x1, e os vetores

nn(n+1)x1.
A formulao em elementos finitos, sumarizada pelo sistema apresentado na
Eq.(6.58) pode ser aplicada usando qualquer tipo de elemento. As especificidades de cada
tipo de elemento so representadas pelas matrizes B que incorporam as funes de forma.
No programa computacional desenvolvido para esta formulao, as matrizes K e M
definidas pelas Eqs.(6.51) e (6.54) so integradas simbolicamente usando as funes de
clculo simblico do ambiente Matlab.
Esta formulao bastante geral no sentido de propiciar a modelagem de estruturas
compostas laminadas com condies de contorno arbitrrias. Cada camada pode ser feita
de qualquer material, e se ela for piezoeltrica, poder agir como atuador ou sensor atravs
da imposio de condies de contorno apropriadas, a seguir discutidas.

6.3.2 Condies de contorno mecnicas

Um dos procedimentos de uso corrente para a aplicao das condies de contorno e

clculo das reaes consiste no particionamento dos graus de liberdade mecnicos em
graus de liberdade livres e graus de liberdade impostos (RADE, 2002).
O vetor de deslocamento mecnico global ug pode ser particionado em uma
componente livre ou passiva uL e outra componente imposta ou ativa ui, de tal que:

{u } = {u
g

L
i
g ;ug

(6.59)

[ ] [M ]
[M ]
[ ] [M ]
g

M LL
g
=
M iL
g

Li
g
ii
g

(6.60)

88

[ ] [k ]
[ ] [k ]

K LL
[K uu ] = uuiL
k
uu

[K ] = Kk
u

[K ] = [K
u

LL
u
ii
u

LL
u

Li
uu

(6.61)

ii
uu

(6.62)

K uii

(6.63)

ou ainda, de forma simplificada:

[M ]{u&& } + [K ]{u }= {F }

(6.64)

[K ] = [K ] [K ][K ] [K ]

(6.65)

LL
g

L
g

LL
g

L
g

onde:

LL
g

LL
uu

LL
u

LL
u

{F } = {F } [M ]{u&& }+ ([K ][K ] [K ] [K ]){u }

g

L
g

Li
g

i
g

LL
u

ii
u

Li
uu

i
g

(6.66)

O lado esquerdo da equao diferencial apresentada em (6.64) est expresso em

termos das coordenadas livres apenas, e o lado direito envolve as coordenadas impostas.
Essa equao diferencial fornece as expresses para clculo dos deslocamentos nodais

{u }correspondentes aos graus de liberdade livres. O uso da Eq.(6.66) permite a obteno

das foras de reao {F } correspondentes aos graus de liberdade impostos. Atravs da
L
g

Eq.(6.61-c) e dos graus de liberdade livres, so obtidos os potenciais eltricos induzidos nos
sensores piezoeltricos do sistema dinmico.
Os subscritos usados para referir a condio livre dos graus de liberdade e impostas
adotados nas matrizes anteriores tambm podem ser utilizados para indicar a ordem
apresentada por essas matrizes. Assim, L pode representar o nmero total de graus de
liberdade mecnicos (ou eltricos) livres e i o nmero total de g.d.l mecnicos/eltricos
iL
impostos. Por exemplo para a matriz de rigidez mecnica k uu
sua ordem pode ser expressa

simplesmente como i x L, sendo que o nmero total de graus de liberdade mecnicos igual
a nnx11 e igual a soma do nmero de g.d.l impostos i e dos g.d.l L livres. A matriz de

89

rigidez eltrica K uLL uma matriz quadrada de ordem L. O nmero total de g.d.l eltricos
nesse caso nn(n+1), sendo igual a soma dos nmeros de g.d.l eltricos livres e impostos.
Foi constatado na literatura um desacordo em relao aplicao das condies de
contorno aos graus de liberdade mecnicos relativos aos termos de ordem elevada das
teorias de ordem superior e que no possuem uma interpretao fsica imediata.
Alguns autores como Sadek (1998), Chee (2001) e Khare et al.(2003), consideram em
suas publicaes que os g.d.l mecnicos nodais xj, yj, zj, xj e
yj, com j = 1 a 8, so
efetivamente rotaes de ordem superior sendo eliminados conjuntamente com as rotaes
de ordem inferior xj, yj, zi e os deslocamentos mecnicos planos u0j e v0j nas condies de
placas simplesmente apoiadas na extremidade x ou y da placa. Esta maneira de abordar as
condies de contorno para uma placa ou viga simplesmente apoiadas diverge da condio
de contorno de Kirchhoff e de Reissner-Mindlin aplicadas a vigas e a placas, onde somente
so eliminados os g.d.l referentes aos deslocamentos mecnicos planos u0 ou v0.
Para Correia et al. (2000), no entanto, os g.d.l mecnicos de ordem superior xj, yj, zj,
so vistos como uma espcie de deslocamento de ordem superior enquanto xj e yj,so
vistos como rotaes de ordem superior. Portanto, diferentemente de demais autores
anteriores, os g.d.l: xj, yj e zj, conjuntamente com os g.d.l deslocamentos mecnicos
planos u0 e v0 e a rotao zi so eliminados quando do estudo de placas compostas
simplesmente apoiadas, no sendo eliminadas as rotaes de ordem elevada xj e yj e as
rotaes de baixa ordem xj, yj.
Sendo assim, Correia (2002) expressa a condio de apoio simples, como sendo:

Para as bordas da placa paralelos ao eixo x:

u0 = w 0 = x = z = z = 0

(6.67-a)

Para as bordas da placa em que y constante:

v0 = w0 = y = z = z = 0

(6.67-b)

Por outro lado, os demais autores como Sadek (1998), Chee (2000) e Khare et
al.(2003) consideram a condio de apoio simples como sendo:

Para um lado paralelo ao eixo global x tem-se u = w = 0. De acordo com a Eq.(2.3)

esta condio conduz a:

90

u0 = x = x = x = w 0 = z = z = 0

(6.68-a)

Para um lado paralelo ao eixo global y, tem-se v = w = 0. De acordo com a

Eq.(2.3) deve-se impor:

v0 = y = y = y = w0 = z = z = 0

(6.68-b)

Essas diferentes variantes de condies de contorno so utilizadas no decorrer desta

dissertao aplicadas aos modelos formulados no captulo posterior quando em placas
simplesmente apoiadas. No entanto, observada a importncia de um estudo mais
profundo sobre o assunto.
Para placas laminadas com lados engastados, os autores anteriores concordam em
que:
u0 = x = x = x = v 0 = y = y = y = w 0 = z = z = 0

(6.69)

6.3.3 Equaes dos sensores e atuadores piezoeltricos

Assumindo que as camadas piezoeltricas passivas (sensores piezoeltricos) e ativas

(atuadores piezoeltricos) so embutidas na estrutura, o vetor de potenciais eltricos g
pode ser particionando em uma componente livre gL, composta pelas voltagens captadas
pelos sensores e outra componente imposta gi, constituda pelas voltagens impostas aos
atuadores piezoeltricos, de forma que:

{ } = { ; }
g

L
g

i
g

(6.70)

Separando a expresso apresentada pela Eq.(6.58) nas componentes ativas e

passivas e utilizando a equao anterior, a equao global do sistema eletromecnico
acoplado assume a seguinte forma (SARAVANOS et al., 1995):

[ ]

Mg

[ ] {u } = {F } [K ]{ }
{ } [ ] [ ] { } {Q } [K ]{ }

LL
0 {u&&g } [Kuu ] Ku
&&L + LL
LL
k
0
g
K u

g
L
g

g
L
g

Li
u
Li

i
g
i
g

(6.71)

onde os sobrescritos L e i indicam as condies livre ou imposta do potencial . O lado

esquerdo da Eq.(6.71) inclui as respostas eletromecnicas desconhecidas da estrutura {u,

91

L} que so os deslocamentos mecnicos da estrutura e voltagens eltricas dos sensores

piezoeltricos. O lado direito inclui as excitaes da estrutura em termos de carregamentos
mecnicos, cargas eltricas nodais e voltagens eltricas aplicadas nos atuadores
piezoeltricos.
Segundo Saravanos et al. (1997) dentre as vantagens da modelagem representada
pelo sistema eletromecnico acoplado dado pela Eq.(6.71) est sua capacidade de modelar
a resposta da estrutura inteligente no modo ativo (active mode), que quando voltagens
especficas so aplicadas ao longo da espessura das camadas piezoeltricas para produzir
uma desejada deflexo/deformao, no modo passivo (sensory mode) onde, deslocamentos
ou carregamentos mecnicos so aplicados na estrutura e as voltagens ou cargas
resultantes so monitoradas, ou ainda no modo hbrido ativo e sensorial (activity/sensory
mode).
Manipulando a Eq.(6.71), resulta nas seguintes equaes dinmicas desacopladas
nos deslocamentos estruturais impostos pelos atuadores e as voltagens medidas pelos
sensores, respectivamente expressas a seguir.

[M ]{u&& }+ [k ] [k ][k ] [k ]{u } = {F } [k ][k ] [k ] + [k ] { }

g

LL
u

uu

LL 1

LL
u

LL 1

LL
u

Li 1

Li 1
u

i
g

[ ][ ] {Q }

LL
+ kuLL k

L
g

(6.72-a)

{ } = [k ] ([k ]{ } [k ]{u } Q )
LL 1

L
g

Li

i
g

LL
u

L
g

(6.72-b)

Li
Li
Li
e k
surgem devido o particionamento da matriz k
, tal como
sendo que as matrizes k

indicado na expresso:

[k ] = [[kk ]] [[kk ]]

LL

iL

Li

ii

(6.73)

Como a carga eltrica dos sensores QgL assumida igual a zero, as equaes (6.72a) e (6.72-b) podem ser reescritas da forma:

[M ]{u&& }+ [k ] [k ][k ] [k ]{u } = {F } [k ][k ] [k ]

g

uu

LL
u

LL 1

LL
u

LL
u

LL 1

Li 1

[ ] { }

+ k uLi

i
g

(6.74-a)

92

{ } = [k ] ([k ]{ } [k ]{u })
L
g

LL 1

Li

i
g

LL
u

(6.74-b)

As equaes diferenciais acima podem ser integradas numericamente para obteno

da resposta temporal do sistema a uma excitao mecnica e/ou eltrica. Para isso, vrios
algoritmos

de

integrao

numrica

passo-a-passo

podem

ser

empregadas

(THOMSON,1978; MEIROVITCH, 2000).

Em uma anlise esttica, a Eq.(6.74-a) reduz-se ao seguinte conjunto de equaes
algbricas:

[ ][ ] [k ]{u } = {F } [k ][k ] [k ] + [k ] { }

[k ] k LL k LL

u
uu

LL
u

LL
u

LL 1

Li 1

Li 1
u

i
g

(6.75)

As equaes do sistema eletromecnico acoplado podem ser resolvidas para se obter

os modos de vibrao e freqncias naturais do sistema, conforme detalhado na seo
seguinte.
Dois grupos de condies de contorno eltricas so extensivamente adotados para
um sistema inteligente: circuito fechado e aberto. Na primeira condio, o potencial eltrico
forada a permanecer nulo (pastilhas piezoeltricas aterradas) e na segunda condio o
potencial eltrico permanece livre. Portanto, na condio de circuito fechado, o sistema de
equaes aplicadas para as condies de contorno eltricas so simplificados uma vez que
o vetor ig , que fornece os g.d.l eltricos impostos, considerado um vetor nulo. Na
condio de circuito aberto so adotadas as equaes apresentadas anteriormente em
(6.74-a), (6.74-b) e (6.75).
Portanto, a Eq.(6.74-a) na condio de circuito fechado simplificada para:

[M ] {u&& } + [k ] {u } = {F }
g

uu

(6.76)

Para anlises estticas em circuito fechado a Eq.(6.76) se reduz para:

[k uu ] {u g } = {Fg }
6.3.4 Freqncias naturais e modos de vibrao

Considerando o sistema dinmico representado pela Eq.(6.74-a), escreve-se:

(6.77)

93

[ ] {u

~
[M g ]{u&&g (t )} + K g

} = {F~g (t )}

g (t )

(6.78)

sendo:

[K~ ] = [k
g

uu

] [kuLL ][kLL ]1[kLLu ]

(6.79-a)

{F~ (t )}= {F (t )} [k ][k ] [k ] + [k ] { (t )}

g

LL
u

LL 1

Li 1

Li 1
u

i
g

(6.79-b)

~
No caso de vibrao livre do sistema no amortecido, Fg (t ) um vetor nulo. Neste

caso, tem-se:

[ ] {u

~
[M g ]{u&&g (t )} + K g

} = {0}

g (t )

(6.80)

Escrevendo a soluo da Eq.(6.39) sob a forma:

{u

(t )} = {u~g }e it

(6.81)

a equao (6.80) leva a:

[ ]

k~
g

[ ]

2 M g {u~g } = 0

(6.82)

A Equao (6.81) representa um problema de autovalor, cuja soluo expressa por

duas matrizes NxN da forma:
12

0
[ ] = M

0
2
2
M
0

L
O
O
O

(N 1)

0
0
M

2
N
0
0
M
0

(6.83)

94

11

21
[ ] = M

(N 1)1
(N )1

12
22
M

(N 1)2
(N )2

L
O
O.
O
L

1(N 1) .
2(N 1)
M
(N 1)(N 1)
(N )(N 1)

1(N )
2(N )
M
(N 1)(N )
(N )(N )

(6.84)

onde, [ ] a matriz diagonal das freqncias naturais elevadas ao quadrado, chamada

matriz espectral e [] a matriz dos modos de vibrar do sistema, ou matriz modal,

correspondentes respectivamente aos autovalores e autovetores do sistema.
O ANEXO III apresenta o fluxograma simplificado do programa desenvolvido em
ambiente MATLAB.