B) Respuesta en frecuencia

el fotodiodo casi siempre detectara potencias opticas variables en el tiempo que reproducen
seales analogicas y digitales
Ahora se estudiara el comportamiento en
frecuencia
rehaciendo el calculo de la fotocorriente
podemos expresar usando

Tomando la trasformada de [7.61

empleando el simbolo
trasformada de

para denotar la magnitud

la solucion de [7.62] con la condicion de contorno

vemos que si w=0, se obtiene

la corriente no sera

teniendo en cuenta la corriente de

desplazamiento
teniendo la cuarta ecuacion de
mawell con su expresion
al obtener esto suponemos que la constante dielectrica es real de forma que la ecuacion de
maxwell se pueda escribir de esa forma
es la corriente libre o de conduccion la producida por el movimiento de
portadores libres en la zona y,
la corriente de desplazamiento , inexistente en el caso
sin variacion temporarl, es el termino
dado la divergencia de un rotacional es siempre cero
se obtiene

densidad total de corriente

es constante con x
sin embargo

para obtener la expresion de

E(x,t) para ello se utiliza la
ecuacion de poisson

la unica densidad de carga en la zona i es la

de los electrones y huecos ya que al ser zona
intrinsica no hay impurezas ionizadas

te
ni
en
do
teniendo en cuenta
en
cu
en
usando [7.67] [7.69] ta

Suponiendo que la caida d tension en la zonas p y n

es despreciable
considerando la generacion solo en la zona i por tanto
Id=0

tomando la trasformada de fourier

despenjando

siendo

la fotocorriente

se reconoce
capacidad parasita del
detector

capacidad del condensador plano formado por las

caras p y n del fotodiodo de area S , separadas por la
anchura W de la zona i

dejando esta expresion despues de usar las

ecuaciones de continuidad [7.44] y [7.45] y sustituido
en [7.73]

haciendo uso de las densidades de corriente [7.63]

y[7.64] e integrando

se han introducido los denominados tiempos de

transito de huecos y de electrones

tiempo que tardara cada tipo de portador en

recorrer toda la anchura W de la zona i
hemos separado de

el factor
el factor que es es la respuesta de un filtro
electrico RC paso bajo del resto

que hemos denomidado F(w) Podemos poner

asi

se ha represento en la figure 7.15 la forma

cuando domina el efecto capacitivo esto es
cuando caso por demas frecuente

c.) ruido
Aplicando los resultados generales al caso del
fotodiodo pin
ruido shot de la corriente de oscuridad

la corriente de ruido total del fotodiodo

no perder de cuenta que ambas corrientes son

diferentes

es parte de ruido electronico

de origen fundamental que radica en la propia

naturaleza de la luz

el ancho de banda
en las expresiones
[7.80] y [7.81] es interpretado como ancho de
banda eficaz

Fotodiodos APD

con el fin de disponer de una gran respuesta se desarollo

fotodiodo de avalancha (Avalanche Photodiode)
la estructura de un apd es similar ala del pin con exepcion de que en lugar de la zona i
aparecen dos subzonas con dopajes distintos

la tension inversa de polarizacion aplicada al

APD es bastante elevada (50-400v) .
los portadores acelerados en esta zona, adquieren una
enorme cantidad de energia cinetica y son capaces de
liberar e y h incorporandolos a la fotocorriente

asi un portador (e o h) primario genera multiples

portadores secundarios mediante la multiplicacion de
avalancha

inconvenientes principales
de los APD
Mayor complejidad y
precio
necesidad de utilizar
tensiones de polarizacin
relativamente altas y la
necesidad de estabilizar la
temperatura de
funcionamiento.
el ancho de banda menor a
los pin

por ejemplo
un electron primario generado por un foton y acelerado por el campo podr
chocar contra otro electrn de la banda de valencia, cedindole parte de su
energa y empujndole a la banda de conduccin crendose asi un nuevo
par e-h que llamaremos secundario y asi el electrn secundario ser
acelerado y podran arrancar otro par de e y h mas.

con el resultado de que cada foton genera

en promedio M pares e-h y la respuesta del dispositivo es M
veces mayor que la del pin

la fotocorriente de seal sera

el problema esencial de los fotodectectores ADP radica que el proceso de

avalancha es aleatorio
esto confiere un caracter intrinsecamente ruidoso al proceso de multiplicacion

corrientes de ruido de
shot de seal

y de oscuridad

siendo

factor de ruido del APD siempre

cumple

asi

en el caso mas general, tomando

en consideracin las dos
contribuciones de ruido,
electrnico y de seal se puede
determinar un valor optimo de ,,
que maximiza la relacin sealruido

a menudo se puede aproximar la expresin de

es mayor que un pin

un fotodiodo APD no podra alcanzar el
limite fotonico de sensibilidad ya que el
genera ruido adicional.
conclusion el ADP deteriora la
sensibilidad del pin lo que sucede que el
ruido dominante es el electronico
en [7.61] que el ruido de
shot de la corriente de
oscuridad tambin es
incrementado por
por

donde x varia entre 0.3 y 0.5 en los APD de

silicio
0.7 y 1.0 en los de germanio
una mejor aproximacin es

proceso de avalancha es iniciado por huecos

coeficientes de ionizacion por
impacto de huecos y electrones
proceso de avalancha es
iniciado por electrones

relacion de coeficientes de ionizacion

fotoconductores

los fotoconductores son los fotodetectores mas simples en concepto

su estructura es la de una capa homognea de semiconductor ya sea intrnseco o dopado,
con sendos electrodos sobre sus dos caras

la conductividad elctrica de un semiconductor es :

si mediante la generacin luminosa , se varian las
concentraciones de portadores n y p, o variara en la
resistencia elctrica total de la muestra

2 tipos de fotoconduccion: 1 intrinsica

2 extrinsica
fotoconduccion intrinseca se elige el semiconductor
para que la energia de su banda prohibidad Sea
igual a la de los fotones esto puede ser tipo p y n
fotoconductividad extrinseca de tipo n se utiliza un
semiconductor de tipo n aprovechando transiciones
de electrones de electrones lo contrario con la de
tipo p que solo dan a la generacion de huecos

Figura 7.17. Esquema de un detector

fotoconductivo

en la igualdad normamelte hacemos uso de hasta 20 veces o mas

Para una potencia P , la tasa de generacion

luminosa sera uniforme,

tiempo de transito de los electrones

eficiencia cuantica

presenta ganancia interna porque es >|

el ancho de banda de los fotoconductores viene limitado especialmente por
el tiempo de transito de los portadores.
se ha alcanzado anchos de banda de 10 Ghz en InGaAs-Inp con L=3um

la varianza de la corriente de ruido shot de los

fotoconductores duplica a la de los fotodioses
la potencia de ruido de Johnson aumenta con la temperatura ello hace que
funcionen refrigerados
el uso radica en excitacion extrinseca para cubrir longitudes de onda largas
(infrarrojo medio)
su utlizacion es muy limitada frente a los fotodiodos

fototransistor
dispositivo con estructura de un transistor
bipolar es equivalente a un detector
+amplificador integrado
es limitado en ancho de banda (