Clulas fotovoltaicas

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El sistema de suministro de potencia de un vehculo solar

El sistema de suministro de potencia de un vehculo solar consistente en un conjunto
de clulas fotovoltaicas (panel solar), un grupo de bateras y, opcionalmente, algn tipo
de convertidor para igualar la tensin del panel solar con la de las bateras (Figura 1). El
radio de conversin del convertidor puede ser variado por un controlador para igualar en
todo momento la tensin de operacin del panel solar a la de su punto de mxima
potencia (Vmp), esto se consigue mediante el uso de un Buscador del Punto de Mxima
Potencia (Mximun Power Point Tracker (MPPT)).

PanelSolar Convertidor de tensin baterascarga

(Buscador del Punto de Mxima Potencia)

Figura 1: Esquema del sistema de potencia de un vehculo solar fotovoltaico

CLULAS FOTOVOLTAICAS Y PANELES SOLARES

Estructura

fsica de una clula fotovoltaica

Introduccin
Una clula solar es un sistema semiconductor que absorbe luz (energa solar) y la
convierte en energa elctrica. Para convertir la energa del Sol en energa elctrica y
poder utilizarla de la forma ms eficiente y racional posible se disean los sistemas
fotovoltaicos. La clula solar es el elemento que convierte los fotones que proceden del
Sol en una corriente elctrica que circula por un elemento que denominamos carga. Hoy
en da la clula solar ms comn es un dispositivo de estado slido fabricado con
materiales semiconductores.
El efecto fotovoltaico fue identificado por primera vez en 1839 por Becquerel,
quien observ que la tensin que apareca entre dos electrodos inmersos en electrolito
dependa de la intensidad de luz que incidiese sobre ellos. El mismo efecto fue observado
por Adams y Day, en 1879, pero esta vez utilizando un elemento slido: el Selenio. Sin
embargo la primera clula solar moderna tuvo que esperar a Chapin en 1954. Fue una
clula de Silicio y no se dieron muchos detalles de su estructura debido, probablemente,

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al temor a que fuese copiada. La motivacin para el estudio y desarrollo de las

clulas solares durante los primeros aos de investigacin fue su aplicacin como fuente
suministradora de energa a los satlites espaciales. Hoy se espera que las clulas solares
y la energa solar fotovoltaica contribuyan de forma importante al suministro de energa
limpia a la sociedad.

Teora bsica de semiconductores

Las clulas solares modernas estn fabricadas de unos materiales con propiedades
electrnicas especficas que denominaremos semiconductores. Las clulas solares
funcionan gracias a algunas de esas propiedades que es necesario conocer para adquirir
una buena comprensin del funcionamiento de una clula solar.
Aunque la teora atmica es complicada, sabemos que los electrones que se
encuentran orbitando alrededor del ncleo atmico no pueden tener cualquier energa
sino solamente unos valores determinados que denominaremos niveles energticos a los
que se le pone nombre: 1s, 2s, 2p, 3s, etc... En el caso del Silicio la ltima capa, la
nmero 3, posee cuatro electrones y faltan tambin cuatro electrones para completarla.
Cuando los tomos de Silicio se unen unos a otros comparten los electrones de las ltimas
capas con los tomos vecinos formando lo que se denomina enlaces covalentes, muy
estables y fuertes. Estas agrupaciones se llevan a cabo de forma ordenada dando lugar a
un slido de estructura cristalina. De la misma forma que los electrones en un tomo no
pueden tener cualquier energa, los electrones en un cristal tampoco pueden tomar
cualquier energa. Sin embargo lo que antes, en el tomo, era un nico nivel, ahora, son
agrupaciones de niveles llamadas bandas de energa. Y de la misma forma que los
ltimos niveles energticos en un tomo definen las propiedades qumicas del tomo, las
ltimas bandas de energa definen las propiedades electrnicas de un cristal. Las dos
ltimas bandas ocupadas (total o parcialmente por electrones) reciben el nombre de
banda de conduccin (para la ms energtica) y banda de valencia.

Figura 2. El tomo de Silicio y sus niveles de energa. Los electrones en un tomo slo pueden tomar
energas concretas. Se dice que sus niveles estn cuantizados. Cada nivel recibe un nombre: 1s, 2s, etc...
En la figura se representan las nubes de mxima probabilidad de encontrar al electrn para los orbitales s y
p, as como la distribucin de los 14 electrones del tomo de Silicio en su estado de mnima energa.

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Figura 4.3. Representacin esquemtica de la estructura cristalina del Silicio y de la agrupacin de

los niveles energticos en bandas.

Estas bandas estn separadas por una energa Eg denominada energa del gap, que
desempea un papel principal en la teora de los semiconductores. En general, a una
temperatura dada, algunos electrones tendrn energa suficiente para desligarse de los
tomos. A esos electrones libres se les denomina electrones propiamente. A los enlaces
que han dejado vacos se les denomina huecos. Reciben un nombre especial debido a que
se comportan como si se tratase de partculas con cargas positivas. A los electrones que
todava permanecen ligados a los tomos se les asocia con los niveles energticos
correspondientes a la banda de valencia. En un semiconductor como el que estamos
explicando, el nmero de electrones es igual al de huecos.
No todos los cristales dan lugar a unas bandas de energa con la disposicin
adecuada para que el material exhiba propiedades semiconductoras. Puede suceder que
Eg=0, entonces tenemos un cristal conductor o, puede suceder que Eg sea tan levado que

el nmero de electrones (electrones con energa suficiente como para liberarse de los
tomos) sea nulo en la prctica: entonces tenemos un cristal aislante.

Propiedades de los semiconductores

Con la descripcin anterior, parece que la nica diferencia entre un semiconductor

y un conductor o un aislante radica en que su conductividad se sita en un trmino
medio. Desde luego esa es una de sus propiedades, pero hay ms que resumimos aqu:
-Para explicar los mecanismos de conduccin de la corriente elctrica en un
semiconductor hay que recurrir a las partculas positivas (huecos) y negativas (electrones)
que hemos definido en el apartado anterior. En un conductor, la conduccin de la
corriente se puede explicar nicamente en base a electrones (partculas negativas).
-En un conductor, su resistencia aumenta con la temperatura, en un semiconductor
disminuye. La conductividad est relacionada con el nmero de partculas capaces de
conducir la corriente. Cuanta ms haya, ms conductor. Como en un semiconductor este
nmero aumenta exponencialmente con la temperatura, la conductividad aumenta.
-Cuando un semiconductor se ilumina con fotones con una energa mayor que la
energa del gap, su conductividad aumenta. Esto es debido a que la luz, junto al
mecanismo de generacin radiactivo que se explicar luego, aumenta el nmero de
partculas capaces de conducir la corriente.

Semiconductores tipo p y tipo n

Mediante tecnologa algunos tomos de los que constituyen la red cristalina del
semiconductor se pueden cambiar por otros, llamados impurezas, que pueden ser de dos
tipos:
-donadoras, si en su ltima capa tienen un electrn ms que los tomos que
constituyen la red.
-aceptoras, si tienen un electrn menos.
Cuando en un semiconductor introducimos impurezas donadoras stas pueden
perder el electrn fcilmente. Si introducimos un nmero de impurezas adecuado es
posible conseguir que el nmero de electrones en el semiconductor (tipo n) venga
determinado por el nmero de impurezas.
De forma anloga, cuando en el semiconductor introducimos impurezas aceptoras,

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stas capturan un electrn fcilmente lo que origina la aparicin de un hueco en la

red. De nuevo, introduciendo el nmero de impurezas adecuado puede conseguirse que el
nmero de huecos en el semiconductor (tipo p) venga determinado por el nmero de
impurezas. En ambos casos se dice que el semiconductor tiene carcter extrnseco,
debido a que ahora la conductividad del semiconductor no est determinada por una
propiedad caracterstica del mismo ( intrnseca) sino por algo ajeno ( extrnseco) que
se ha introducido (impurezas).

Mecanismos de generacin y recombinacin.

Al describir el concepto de electrn y hueco en los apartados anteriores ligamos su
existencia al hecho por el cual un electrn gana energa suficiente para liberarse del
tomo al que estaba ligado. Precisando un poco ms se dice que un electrn gana energa
suficiente para promocionarse de la banda de valencia a la banda de conduccin, y de
forma ms breve an, se ha generado un par electrn-hueco (par eh). El proceso inverso
tambin existe y un electrn libre puede ser capturado por un hueco (enlace vaco) de la
red. Se dice entonces que se ha producido una recombinacin de un par eh. Estos
procesos ocurren continuamente de forma dinmica en un semiconductor. Pero si un
semiconductor se encuentra en equilibrio (aislado del exterior) el nmero de procesos de
generacin por unidad de tiempo tiene que ser igual al nmero de procesos de
recombinacin. O sea, que la poblacin de de electrones y huecos permanece constante.
Existen varios procesos de recombinacin/generacin (procesos en los que un
electrn puede ganar o perder energa para intercambiarse entre la banda de valencia y
conduccin). Nosotros vamos a analizar el proceso de generacin llamado radiactivo en el
cual, el electrn gana su energa gracias a un fotn. En una clula solar es necesario
absorber fotones, por lo cual ahora entendemos por qu la conductividad de un
semiconductor aumenta cuando se ilumina con fotones de energa mayor que la energa
del gap, ya que slo fotones con esa energa son capaces de aumentar la poblacin de de
partculas capaces de conducir. Otros aspectos sobre los procesos de recombinacin
radiactiva son:
-Si admitimos que un semiconductor puede generar pares eh a partir de un fotn
debemos admitir tambin que puede perder (recombinar) pares eh mediante la emisin
de un fotn. En consecuencia, si admitimos que la clula genera pares eh, tambin
debemos admitir que recombina pares eh, es decir, que tiene un mnimo volumen de
prdidas. Esta dualidad es la teora que est detrs de los clculos de los lmites de la
eficiencia de conversin fotovoltaica.
-A nivel de clula solar existen varios fenmenos (de emisin estimulada y de
reciclaje de fotones) que son los responsables de que la tensin mxima terica que
podemos obtener de una clula solar fotovoltaica coincida con el valor del gap del
semiconductor expresado en eV.

Estructura bsica de una clula solar

Con la teora ya descrita en los prrafos anteriores sabemos que un fotn puede ser
absorbido para crear un par eh. Como ilustra la figura 4.4 no basta con poner dos cables a
un semiconductor y ponerlo al Sol para que circule una corriente elctrica. Si lo
hicisemos lo nico que conseguiramos es que el semiconductor se calentase, ya que los
pares eh que generase la luz desapareceran en un punto dentro del semiconductor.
Para conseguir la extraccin de corriente es necesario fabricar una unin pn que
consiste en fabricar un semiconductor en el que una zona sea de semiconductor tipo n y
la otra zona de tipo p. Esta fabricacin no consiste en pegar un semiconductor p a uno n
sino que debe hacerse de manera que la red cristalina del semiconductor no se
interrumpa al pasar de una regin a otra. Es necesario pues, el empleo de
tecnologasespeciales.

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Figura 4. Un semiconductor sin estructura pn (izquierda) aunque se ilumine no provoca la circulacin

de corriente elctrica. La unin pn hace posible la circulacin de la corriente elctrica gracias a la
presencia de un campo elctrico.

La existencia de la unin pn hace posible la aparicin de un campo elctrico en la

clula (con la direccin del lado n al lado p) que separa los pares eh: los huecos, cargas
positivas, los dirige hacia el contacto del lado p lo que provoca la extraccin de un
electrn desde el metal que constituye el contacto; los electrones, cargas negativas, los
dirige hacia el contacto del lado n inyectndolos en el metal. Esto hace posible el
mantenimiento de una corriente elctrica por el circuito exterior y en definitiva el
funcionamiento de la clula como generador fotovoltaico.
Otro concepto importante en la estructura de una clula solar es el concepto que
hace referencia a lo que llamamos malla de metalizacin frontal. Los contactos metlicos
superficiales son necesarios para extraer la corriente elctrica de la clula. El metal es
un material opaco a la luz, en consecuencia, al menos el contacto frontal (el del lado de
la clula expuesta directamente al Sol) no puede recubrir completamente la superficie de
la clula. Puede pensarse entonces que el contacto frontal debe ser lo ms pequeo (en
superficie) posible, pero si se hace excesivamente pequeo uno de los parmetros de los
que hablaremos posteriormente, la resistencia serie, aumenta y esto significa una
prdida de eficiencia de la clula. As pues ha de llegarse a una solucin de compromiso
para que la superficie del contacto frontal sea lo suficientemente baja para permitir el
paso de la luz del Sol y lo suficientemente alta para que la resistencia serie de la clula
sea tolerable. (Ver Figura 5)

Funcionamiento de una clula solar

Cuando una clula solar se expone al Sol la luz genera (g) pares eh. Cada uno de
estos pares constituye un potencial electrn circulando por el circuito exterior. Asociado
a este proceso tenemos los procesos de recombinacin (r). Cada proceso de
recombinacin aniquilar uno de los pares eh generados y, por lo tanto, tendremos un
electrn menos disponible para circular por el circuito exterior. De ah que se hable del
mecanismo de recombinacin como un mecanismo de prdidas para la clula.

Figura 5. Esquema de funcionamiento de una clula solar.

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Para simplificar hemos representado en la Figura 5 el circuito exterior por una

resistencia R que representa la carga de la clula. Si admitimos que hemos hecho circular
una corriente I por el circuito exterior, esta corriente provocar una cada de tensin en
la resistencia, que se traslada a los bornes de la resistencia, lo que significa que la clula
debe operar a una tensin V=RI. Esta tensin afecta a la recombinacin, debido a que
sta depende de V de manera exponencial. Entonces si la carga es muy elevada, tambin
lo ser la tensin y en consecuencia la recombinacin aniquilar todos los procesos de
generacin impedir la circulacin de la corriente.

principio

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BIBLIOGRAFA
CIEMAT. Fundamentos, dimensionado y aplicaciones de la energa solar
fotovoltaica. (1999).
KNOPF, Hannes. Analysis, Simulation, and Evaluation of Maximum Power Point
Tracking (MPPT) Methods for a solar Powered Vehicle. Portland State University.
(1999).
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