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FACULTAD DE INGENIERA
DIVISIN DE INGENIERA ELCTRICA
AMPLIFICADORES ELECTRONICOS
TAREA # 3
Resumen del captulo 4 del libro de Schilling & Belove
04
Semestre:
2015-1
fija
Esta es la relacin deseada entre la corriente de colector y las dos variables dependientes de la temperatura
y
La tensin base-emisor
con la temperatura.
El anlisis del factor de estabilidad es un mtodo que se utiliza en la prctica de la ingeniera. El problema es el
siguiente. Dada una variable fsica (en nuestro caso
depende (en nuestro caso,
Este mtodo se basa en la suposicin de que, para variaciones pequeas, la variable considerada es una funcin
lineal de las otras variables y puede expresarse en forma diferencial total.
La variacin total de la corriente de reposo, es proporcional a las variaciones de cada una de las variables
independientes y a sus factores de estabilidad.
Las caractersticas vi del FET cambian con la temperatura, lo mismo que las del TBJ. Adems las caractersticas
de los FET del mismo tipo no varan, contrariamente a la gran variacin de en los BJT del mismo tipo.
El diseo prctico de los circuitos a transistor casi siempre implica consideraciones trmicas y tambin elctricas
a causa de la temperatura que pueda soportar la unin colector-base. sta temperatura est comprendida en el
margen de 150 a 200 C a temperaturas ms altas se deteriorar el transistor.
La variacin de la disipacin mxima de de colector con la temperatura de la cpsula es una caracterstica
importante que suministra el fabricante del transistor.
Especificaciones para un transistor de potencia npn de unin difusa.
Tipo de transistor: 2N2015, silicio npn.
A. Mxima resistencia trmica 0,7 [C/W].
B. Mxima disipacin de colector con radiador de calor infinito a 25 C: 150 [W].
C. Mxima temperatura de unin: 140C.
D. Mximos valores nominales absolutos a 25C.
1.
2.
3. Tensin de ruptura
a. Colector-base=100[V].
b. Emisor-base = 10[V].
c. Colector-emisor = 50 [V].
E. Mxima
con mxima
a 25C = 50 [uA].
= 4[V] e
= 5[A]: 15<50.