El transistor bipolar de potencia NPN.

1.Para poner en conduccin al transistor, se debe suministrar una corriente de base IB sin
sobrepasar su valor lmite.
2.En este caso, la tensin base-emisor resulta de un valor cercano a 0.7 V para un transistor
de silicio (juntura BE diodo).
3.Si el colector est polarizado normalmente (VCE > 0) y si el circuito
exterior no limita la corriente (caso de un transistor no saturado) la corriente
IC
de colector IC es igual a IB multiplicada por la ganancia esttica S:
IB
IC = SIB
; el valor de S depende del nivel de corriente.
4.La corriente del emisor IE es la suma IC+IB
VCE 5.- Si S es muy grande, IE es muy cercano a IC

VBE

Orden de valores: Transistor de seal:S 100

Transistor de potencia: S 10

Esto no resulta cierto si el transistor est saturado.

Si el colector est al aire, IE = IB
6.La corriente de colector depende muy poco de la tensin en los bornes del transistor
(transistor no saturado)
7.La tensin VCE en bornes de un transistor depende del circuito exterior.
8.Dado que la estructura es simtrica, un transistor puede funcionar invertido (E y C
permutados). Sin embargo, la realizacin tecnolgica es diferente para el emisor y el colector; la
potencia admisible se ver seriamente disminuida, la ganancia tambin. Este funcionamiento no es
aconsejable salvo para potencias muy pequeas (reduccin de la tensin de offset, circuitos
lgicos)

Utilizacin como interruptor.

1.Para bloquear rapidamente un transistor, se debe extraer una corriente de base inversa. Si el
transistor estaba saturado, hay un tiempo de retardo entre el momento en el que se comienza a
extraer IBinv y en el cual IC se anula, ts: tiempo de almacenamiento.
2.Para mantener un transistor correctamente bloqueado, se debe aplicar a su base una tensin
inversa (negativa para un NPN) o, por auscencia, muy cercana de cero (resistencia de bajo valor
entre B y E).
3.Para saturar un transistor, se debe suministrar a su base una corriente IB superior a la
corriente IC dividida entre el valor correspondiente de la ganancia de saturacin sat.
4.Una vez que el transistor est saturado, se puede considerar que el colector y el emisor
estn en cortocircuito (VCE = VCEsat muy bajo) y que la base est conectada a dos electrodos por
una resistencia pequea.
Transistor de seal
Transistor de potencia
Darlington de potencia

VBEsat = 0.7 V
VBEsat = 1 V
VBEsat = 2 V

VCEsat = 0.5 V
VCEsat = 1.5 V
VCEsat 4 V

5.Para disparar rapidamente un transistor bloqueado, se debe suministrar a su base un pico de

corriente de base sensiblemente superior al justo necesario para saturarlo (alrededor del doble).
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Empleo del diodo antisaturacin.

Con objeto de evitar una hipersaturacin o saturacin dura del transistor de potencia y
lograr tiempos de bloqueo ms cortos, al transistor de potencia se le sita en cuasisaturacin mediante un arreglo con diodos de la siguiente forma:
DAS

Al suministrar corriente a la base para poner a conducir al transistor de

potencia, las cadas de tensin del diodo conectado a la base y del
transistor entre su base y su emisor son aproximadamente de 0.7 V cada
una dando un total de 1.4 V. Por lo tanto, si el transistor entrase en
saturacin, la cada de tensin entre sus bornes colector-emisor fuese de
0.4 V aproximadamente que sumada a la cada de tensin del diodo
DAS (0.7 V) dara un total de 1.1 V, lo cual no puede sostenerse. En
consecuencia, parte de la corriente de base se deriva por el diodo DAS hasta lograr la
igualdad de tensiones, situando al transistor en un punto de cuasi-saturacin.
En transistores de potencia de alta tensin, se puede emplear la configuracin del
siguiente circuito.
DAS

La juntura base-emisor del transistor auxiliar conectado a la base del

transistor de potencia de alta tensin, acta en conjunto con el diodo
DAS para evitar la saturacin del transistor de potencia. Al transistor
auxiliar se le suele denominar transistor balastro.
Un circuito completo de encendido y apagado que incluye al transistor
balastro y permite extraer corriente de la base del transistor de potencia
durante el proceso de bloqueo se muestra a continuacin.

El transistor de potencia se pone a conducir cuando el

pulso de control est en cero y se bloquea cuando
dicho pulso es positivo. El inductor permite limitar el
gradiente de la corriente de base negativa durante el
proceso de bloqueo. El resistor R1 se calcula para
proporcionar la corriente de base mxima de saturacin
del transistor de potencia.

R3

R4

R1
R2
DAS

0
R5

R4

L1

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Circuitos de ayuda a la conmutacin.

Para analizar el proceso de conmutacin en un transistor de potencia, considerar el
siguiente circuito troceador con carga inductiva. En este circuito, la carga RL se conecta y
desconecta a una frecuencia constante. El diodo D1
cumple la funcin de rueda libre evitando sobretensiones
en bornes del transistor de potencia.
R1

Durante el encendido, las evoluciones de la corriente de

colector y de la tensin colector-emisor en el transistor de
V1
potencia son de la
VCE I C
siguiente manera:
V1
En esta grfica, se
R2
observa claramente
Q1
V2
la
aparicin
de
1k
tensin y corriente
VCEsat
simultneamente en
bornes del transistor de potencia durante la
t
conmutacin.
Esto
implica
una
potencia
instantnea de gran magnitud que ocasiona prdidas en forma de calor que el dispositivo
debe evacuar.
D1

L1

Similarmente, durante el proceso de apagado del transistor, las evoluciones de corriente

de colector y tensin colector-emisor en el transistor de
VCE I C
potencia son de la siguiente manera:
En esta grfica, tambin se observa claramente la aparicin
simultnea de tensin y corriente en bornes del transistor de
potencia generando una potencia instantnea de gran
magnitud constituyendo las prdidas en forma de calor
durante la conmutacin al bloqueo.

V1

t
Graficando estas evoluciones en el plano tensin-corriente,
se obtiene lo siguiente:
Esta grfica muestra la posibilidad de que el transistor
IC
funcione fuera del rea de operacin segura y que en
consecuencia se destruya.

VCEsat

V1

VCE

Con objeto de evitar la seleccin de un transistor de

potencia sobredimensionado y adems reducir las
prdidas de conmutacin, se disean circuitos de ayuda
a la conmutacin que permitan; al encendido, reducir el
gradiente de la corriente de colector y, al apagado,
reducir el gradiente de tensin colector-emisor.

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Circuito de ayuda a la conmutacin al encendido.

La reduccin del gradiente de corriente al encendido se logra con la simple inserccin de
un inductor en el circuito del colector del transistor de potencia en cuestin. El circuito de
ayuda a la conmutacin incluye un diodo y un resistor de
manera que la energa almacenada por el inductor insertado
I
pueda disiparse adecuadamente.
D1

E
Lc

Rl

D1
R2

El orden de valor de la inductancia resulta de las siguientes

consideraciones: Durante el encendido, la corriente del
I
.
colector se incrementa segn la expresin, E Lc
t c ,on
Aproximando el tiempo de conmutacin a

t c ,on 1s

E
H .
I
1k
En la prctica, tanto el valor de inductancia como el tiempo
de conmutacin se determinan para lograr un gradiente de
corriente adecuado sin sacrificar demasiado la duracin de la conmutacin.
despejando la inductancia se obtiene: Lc

Q1

V2

Circuito de ayuda a la conmutacin al apagado.

La reduccin del gradiente de corriente al encendido se logra con la simple inserccin de
un condensador en paralelo al transistor de potencia en cuestin. El circuito de ayuda a la
conmutacin incluye un diodo y un resistor de manera que
la energa almacenada por el condensador insertado
pueda disiparse adecuadamente.
I
E

D1

R2

Rc
Q1

Dc

V2
1k

Cc

El orden de valor de la capacitancia resulta de las

siguientes consideraciones: Durante el apagado, la tensin
entre colector y emisor se incrementa segn la expresin,
E
I Cc
.
tc ,off
Aproximando el tiempo de conmutacin a t c ,off 1s y

I
F .
E
En la prctica, tanto el valor de capacitancia como el tiempo de conmutacin se
determinan para lograr un gradiente de tensin adecuado sin sacrificar demasiado la
duracin de la conmutacin.
despejando la capacitancia se obtiene: Cc

Ejemplo numrico.
Sea un transistor de potencia operando como interruptor a una frecuencia de 10 kHz en un
circuito troceador alimentado por una fuente de tensin de 500 V y proporcionando una
corriente de carga promedio de 50 A. Determinar los valores de los dispositivos a emplear
para el circuito de ayuda a la conmutacin.
Datos: E = 500V , I = 50A , t c ,on t c ,off 1s .
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De las expresiones anteriores se calculan los valores de la inductancia y de la

capacitancia del circuito de ayuda a la conmutacin:
500
50
Lc
= 10 H y Cc
= 100nF .
50
500
I

Para el clculo de los resistores, se procede de la siguiente

manera:
Especificacin de potencia del resistor Rl:
E
1
Rl
PRl = LcI 2 f = 0.5 10 10 6 50 2 10 103 = 125 W
Lc
2
Especificacin de potencia del resistor Rc:
Dl
1
PRc = CcE 2 f = 0.5 100 10 9 500 2 10 103 = 125 W
R2
Rc
2
Q1
Dc
V2
Para determinar los valores de resistencia, se deben
1k
Cc
considerar los tiempos necesarios para permitir, por un
lado, la descarga completa de la energa almacenada en
el inductor como, por otro lado, en el condensador, esto
se logra en aproximadamente tres veces la constante de tiempo. Esto es, para descargar
al condensador se requiere de un tiempo mnimo de descarga de t desc 3RcCc , que
D1

corresponde al valor mnimo del tiempo que el transistor de potencia debe mantenerse
Lc
encendido. Para descargar al inductor se requiere de un tiempo mnimo de t desc 3 , que
Rl
corresponde al tiempo mnimo que el transistor debe mantenerse apagado.
Para lograr un ciclo de trabajo que pueda variar entre el 10% y el 90% los tiempos mnimos
de encendido y apagado del transistor operando a 10 kHz debern ser:
T (t off )min
(t on ) min
(t ) max
0.1
1 0.9
= 0.9 =
= 0.1 (t on ) min =
= 10s y on
(t off )min =
= 10s
T
f
T
T
f
En consecuencia, los valores de las resistencias se determinan como sigue,
(t ) min
10 10 6
3Lc
3 10 10 6
33
Rl
=
=

=
=
Rc = on
,
3Cc
(t off )min 10 10 6 = 3
3 100 10 9
Estos resistores provocan sobre el transistor de potencia una sobretensin mxima por el
inductor al descargar su energa durante el bloqueo V = IRl y una sobreintensidad
mxima de corriente por el condensador al descargar su energa durante el encendido
E
I =
. Estos valores pico estn limitados por los resistores de manera que no daen al
Rc
transistor de potencia. Suponiendo que se desea limitarlos al 10% de los valores nominales
de tensin y corriente, entonces se obtiene:
V
IRl
0.1E 0.1 500
I
E
E
500
= 0.1 =
Rl =
=
= 1 ,
= 0.1 =
Rc =
=
= 100
E
E
I
50
I
RcI
0.1I 0.1 50
Como se observa, con este criterio se obtienen otros valores de las resistencia. Por lo tanto,
su seleccin debe contemplar un compromiso entre el campo de variacin del ciclo de
trabajo y los valores mximos permisibles de sobretensin y de sobreintensidad en el
transistor de potencia.
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