INTRODUCCION:

la necesidad de ir aprendiendo cada vez ms en lo que la electrnica nos ofrece hace que
cada vez mas estemos impulsados a experimentar cosas nuevas y as enriquecernos con
conocimientos que son de gran utilidad para las practicas ya sean en un proyecto sencillo
para satisfaccin de nosotros o asta para pensar en un proyecto de grado. Los
transistores son considerados como el mayor invento del siglo XX ya que son estos los
que dieron origen a los dems integrados existentes hoy en da es por ello que al igual
que los diodos estos tambin se les consideran como lo esencial y bsico de la
electrnica. Por esta razn y por su necesidad de aprendizaje es que se llevan a cabo
este tipo de experimentos donde lo nico que se pretende demostrar es su versatilidad de
usos y aplicaciones y adems de su comportamiento interno.

MARCO TERICO:
TRANSISTOR BIPOLAR:
Es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales.
La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en
electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital,
como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

Estructura del transistor

El transistor est formado por la unin de tres capas de material semiconductor, de tipo P
y tipo N, dispuestas de forma alternada (en forma de sndwich). Segn la disposicin de
estas capas, podemos tener dos tipos de transistores:

Transistor PNP.

Transistor NPN.

Los ms utilizados son los transistores NPN, por lo que vamos a centrarnos en el estudio
de este tipo de dispositivos.
Cada una de las tres partes que constituyen el transistor se conecta a un terminal
metlico que permitir conectarlo a un circuito. Todo el conjunto se recubre con un
encapsulado protector, que puede adoptar diversas formas y estar fabricado de materiales
diversos. Por tanto, el transistor es un dispositivo de tres terminales, que reciben los
nombres de emisor, base y colector.
Podemos considerar el transistor constituido por dos diodos:

Uno formado por la unin emisor-base

Otro por la unin base-colector.

Esta peculiar estructura constituye la base del funcionamiento del transistor, pues el
terminal de base controla el paso de corriente elctrica entre el colector y el emisor.

TRANSISTOR

En el dibujo "Esquema de dos transistores..."

la flecha indica la direccin de la corriente
que circula a travs del emisor: en un
transistor NPN es saliente, mientras que en
un transistor PNP va en sentido contrario, es
decir, hacia dentro del dispositivo y, por
consiguiente, la flecha se dibuja al revs.
Por el transistor circulan un conjunto de
corrientes elctricas cuyas direcciones y
sentidos, para un transistor NPN, son:
IB: intensidad de corriente de base.
IC: intensidad de corriente de colector.
IE: intensidad de corriente de emisor.

Se observa que las corrientes de base y de colector entran en el transistor, mientras que
la corriente de emisor sale del dispositivo; en consecuencia, podemos establecer la
siguiente relacin:
IE = IB + IC
Si conocemos dos de las corrientes del transistor, la expresin anterior nos permitir
calcular la tercera.
Asimismo, entre los terminales del transistor se generan las siguientes cadas de tensin:
VCE: tensin colector-emisor.
VBE: tensin base-emisor.

Funcionamiento
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin basecolector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico
que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la
unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada
se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la
regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la
base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.

Control de tensin, carga y corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente
exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente
veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la
tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es
veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con
precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como
el modelo Ebers-Moll.

El Alfa y Beta del transistor

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones
capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y
el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La
ganancia de corriente emisor comn est representada por o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la
base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante
es la ganancia de corriente base comn, . La ganancia de corriente base comn es
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa
directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y
0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones
(para un transistor NPN):
NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares,

en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor. La mayora de los
transistores bipolares usados hoy en da son NPN,
debido a que la movilidad del electrn es mayor que la
movilidad de los "huecos" en los semiconductores,
permitiendo mayores corrientes y velocidades de
operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la
base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el
PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes
regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en da son PNP, debido a que el
NPN brinda mucho mejor desempeo en la
mayora de las circunstancias. Los transistores
PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopado P. Los transistores PNP son
comnmente operados con el colector a masa
y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor
hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

REGION OPERATIVA DEL TRANSISTOR

Regin activa:
Corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de
colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de

corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas

en

el

colector

emisor.

Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un

amplificador de seal.

Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor
bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector
y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para
maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es
drsticamente menor al presente en modo activo.
Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver
Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito
abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
Corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (Ic Ie = Imax).

SIMULACIN EN PROTEUS