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1 - TRA

TRANSISTORS BIPOLAIRES
I.TRA - POLARISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE
1- Etude graphique de la polarisation du BFX29 (NPN)
On donne le circuit transistor reprsent sur la Figure I-1. Le transistor est un
RC
BFX29 dont les rseaux de caractristiques sont donns en annexes A1, A2, A3.
IC
VCC = 50 V ; VBB = 5 V ; RC = 47 ; RB = 1.5 k
C
RB B
1) Sur le rseau IB(VBE), tracer la droite d'attaque et dterminer IB0 et VBE0.
+
2) Tracer sur le rseau de sortie la caractristique IC(VCE) pour IB = IB0. Tracer
VCC
+
la droite de charge et dterminer le point de repos en sortie. (Pourquoi ne
BFX29
peut-on pas a priori utiliser la caractristique de transfert donne ?)
VBB
E
3) Dterminer le gain en courant statique STAT du transistor au point Q.Tracer
la caractristique de transfert IC(IB) pour VCE0.
4) En prenant VCE entre 10 et 20 V sur la caractristique IB = 8 mA, calculer
Figure I-1
l'ordre de grandeur de la tension d'Early VA du transistor.
2- Modle linaris statique
1) En linarisant la caractristique d'entre du transistor, donner les valeurs des
paramtres du modle quivalent statique de la Figure I-2.
RBEon
2) Ct sortie, on se contentera de linariser la caractristique IC(VCE) entre 0 et 40 V,
B
+
pour IB IB0. En dduire les paramtres du schma quivalent statique de la Figure I-3.
VBEon
(0 : gain en courant extrapol pour VCE = 0)
E
3) Calculer les expressions de IC0 et VCE0 avec les modles linariss. Conclusions.
4) Que deviennent IC0 et VCE0 si le gain en courant 0 double ? Conclusions.
Figure I-2
5) D'aprs les expressions de IC et VCE, calculer les sensibilits relatives SX/% de ces
C
grandeurs par rapport 0. Calculer IC/IC et VCE/VCE avec / = 10%.
On rappelle : X/X = SX/% x /
RCE0
0 IB0
3- Paramtres dynamiques aux petites variations : tude graphique
1) Dterminer graphiquement les paramtres dynamiques rbe = VBE/IB, rce = VCE/IC
et DYN = IC/IB au point Q.

E
Figure I-3

II.TRA - POLARISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE


(Inspir de l'examen de Juin 1993)
VCC
1- Polarisation par pont de base et rsistance d'metteur
RC
Pour le circuit de la Figure II-1, on donne : VCC = 20 V ; R1 = 15 k ; R2 = 6.8 k
R1
Quand le transistor conduit en zone linaire, la tension VBE est de 0.6 V, et, entre collecteur et
IC
metteur se trouve un gnrateur de courant parfait IC = IB ; quand il sature, la tension VCE est
C
de 0.2 V. On a >> 1.
B
T
1) Dterminer le courant IC en remplaant le circuit de polarisation de base par un gnrateur de
IB
E
Thvenin.
2) Quelle condition doit-on satisfaire pour pouvoir ngliger le courant de base ?
R2
RE
3) Dans ce cas, simplifier les expressions prcdentes.
4) Dans lapproximation prcdente, calculer les sensibilits relatives SX/Y% par rapport au et
au VBE, des grandeurs IC et VCE.
Figure II-1
2- Choix du point de repos
1) Dterminer RE et RC pour obtenir IC 2 mA et VCE 5 V. On prendra les valeurs normalises E12 les plus proches.
2) Quelle est la puissance dissipe au repos dans ce transistor ?
Quelle est l'excursion de sortie symtrique maximale au point C ?
3) Avec le mme RE, dterminer la valeur maximale de RCmax pour que T ne sature pas, ainsi que la valeur de RCopt (VNE12) qui
permet une excursion maximale VCmax en sortie, que l'on calculera. Quelle est alors la puissance dissipe par T au repos ?
4) Avec mme RE et RC = RCopt, on rajoute entre le collecteur et la masse une rsistance de 15 k. Que devient la tension VCE ?

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3- Caract ristiques du point de repos
1) Avec les valeurs de la question II.2-, faire les applications num riques pour les sensibilit s exprim  s la question 0.
Conclusions ?
2) On suppose que la tension de collecteur est variable de la forme VC(t) = VC0+VCsint, Quelle est la puissance moyenne
dissi   
 

 s les r sistances RC et RE, dans le transistor ?


3) Quelle est l excursion de sortie sym trique maximale au point C ?
4) En supposant que notre charge utile soit RC, calculer le rendement du montage = PC/Ptot, o Ptot est la puissance totale
moyenne dissi    ? Calculer num riquement max pour VCmax.
IC

TJ= 25 C

(mA)
600

15

IB (mA)

10

400

1
200

10

20

30

40

50

VCE (V)

Figure A1 : Caract ristiques de sortie fort V CE (typ.)


IC
(mA)
600

VCE= 10 V
TJ= 25 C

400

200

IB (mA)
0
10
20
Figure A2 : Caract ristique de transfert (typ.)

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IB
(mA)
15

10

VBE (V)
0.5
1
Figure A3 : Caract ristique dentr (typ.)

60

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III.TRA - AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR BIPOLAIRE (EMETTEUR PARTIELLEMENT DECOUPLE)


On consi re l amplificateur transistor bipolaire de la Figure III-1
VCC
utilis


  metteur commun.
RC
RB1
Cs
VCC = 10 V ;
RB2 = 2.2 k ;
RB1 = 10 k ;
RE1 = 180 ;
RE2 = 820 ; RC = 3.6 k ; Ru = 51 k ; VBE0 = 0.7 V ; stat = 150
1- Point de repos
IC
1) Calculer le point de repos du transistor en faisant les
V
approximations j     s valables ( 10 %).
R
BE
Ce
u
+
RE1
2) Rappeler le sc   m  
  ivalent li    ris

 un transistor bipolaire
eg
en r ime petits signaux et retrouver l expression de la r sistance
d entr t de la transconductance partir de la loi de Schokley.
RB2
Cde
RE2
2- Etude dynamique
1) Dessiner le sc   m  
  ivalent aux petits signaux du montage
dans le cas o tous les condensateurs se comportent comme des
courts-circuits.
Figure III-1
2) Calculer le gain en charge vs/ve et le simplifier dans le cadre d une approximation 15 %.
3) Calculer la r sistance d entr , avec les m mes approximations.
4) Calculer la r sistance de sortie, vue par la charge
5) Recalculer Av et Re dans le cas o, tout en gardant la m me polarisation,
 couple totalement l  metteur. (On pourra faire
tendre RE1 vers 0 dans les expressions compl tes de Av et Re)
3- Bande passante
1) Etudier l influence du condensateur d entr Ce dans le cas 
    couplage partiel d  metteur (les autres condensateurs restant
consi r s comme des courts-circuits). Calculer Vs/Eg(j).
2) Calculer la valeur donner C e pour avoir une fr
ce de coupure basse de 1 kHz et tracer le diagramme de Bode
correspondant.
IV.TRA - AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR BIPOLAIRE (DOUBLE ALIMENTATION)
(Extrait de l'examen du 8 Juin 1994)
Un amplificateur est polaris suivant le sc   ma de la Figure IV-1.
+
1- Etude statique
VCC
RC
1) Donner l  tion de la maille d entr .
2) Donner l  tion de la maille de sortie.
RB
3) Sachant que RC = 8 k, RE = 2 k, RB = 100 k, que VCC = 12 V,
VEE = 2 V, et que la gain statique du transistor vaut 300, 
 ire le point
de polarisation dans le r seau d entr (IB, VBE) ainsi que dans le r seau de
sortie (IC, VCE). On fera pour cela les approximations j     s   cessaires.
RE
VEE
2- Etude dynamique
+
1) On rajout
 
 rateur basse fr
ce ve d amplitude 10 mV dans la
maille d entr comme il est  crit Figure IV-2ainsi qu une r sistance de
Figure IV-1
charge RL via un condensateur de liaison en sortie CL. Expliquer l utilit 
 
condensateur de liaison en sortie. Pourquoi n y a-t-il pas de condensateur de
liaison d entr
tre l 
 rateur ve et la r sistance RB ?
+
2) Donner le sc   m  
  ivalent pour l  tude du r ime dynamique petits
VCC
RC
RL
signaux (on prendra pour m  le du transistor celui avec la r sistance rbe et
ve
la source de courant gmvbe, et pour gain dynamique en courant = gmrbe).
+ RB
3) Donner l expression de la r sistance d entr Re du montage vue par le
vs
CL

 rateur basse fr
ce.
4) Donner l expression du gain en tension Av du montage lorsque la sortie est
prise sur le collecteur du transistor (
 ligera l im 
ce du
RE
VEE
condensateur la fr
ce d utilisation : vs vC).
5) Donner l expression de la r sistance de sortie vue par RL.
+
6) E  ire le gain en courant et le gain en puissance de ce montage.
7) Sachant que RL = 8 k, donner les valeurs num riques de Re, Av, Rs, vs,
Figure IV-2
Ai, G.

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4 - TRA
3- Bande passante
1) Donner la fonction de transfert du mont 

   lige pas le condensateur de liaison de sortie CL. (Donner AvC(j) pour
lequel la sortie est prise sur le collecteur, et AvL(j) pour lequel la sortie est prise sur la charge).
2) Donner l allure des gains en dB en fonction de la fr
ce d utilisation.
V.TRA - ETUDE D'UN AMPLIFICATEUR EN BASE COMMUNE
(Extrait du contrle du 5 septembre 1994)
VCC
1- Polarisation
RL
Cls
RB2
RC
CdB
1) Donner le sc   ma du montage de la Figure V-1 pour l  tude de
la polarisation.
S
RB1 = 20 k ;
RB2 = 10 k ;
RE = 100 ;
RC = 150 ;
Rg = 100 ;
RL = 150 ;
VCC = 3.3 V ;
VBE0 = 0.65 V ;
stat = dyn = 150
E Rg
+
2) Donner les  
   tions de mailles d entr  t de sortie. E  ire
Cle
RE
R
vg
le point de polarisation (IB, IC, VBE, VCE). On fera toutes les
B1
approximations j     s   cessaires.
3) E  ire la valeur de la r sistance rbe dans le m  le
Figure V-1
dynamique petits signaux du transistor bipolaire.
2- Sch m quivalent en petits signaux
1) Donner le sc   m
  
  ivalent du montage pour l  tude du r ime dynamique petits signaux.
2) Donner les expressions litt rales de : la r sistance d entr Re (vue entre le point E et la masse), la r sistance de sortie Rs (vue
entre le point S et la masse), le gain en tension Av entre l entr E et la sortie S, le gain en courant Ai entre le courant d entr  t le
courant dans la charge, le gain en puissance G
3) Faire les applications num riques.
VI.TRA - AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR ET DIODE DE LIAISON
(Extrait du contrle de fvrier 1995)
VCC
On se propose d  tudier l amplificateur un transistor NPN dont le
RC
RB
sc   m
  lectrique est 
  sur la Figure VI-1.
VCC = 10 V ; = 100 ; RB = 15 k ; RC = 10 k ; RE = 1.5 k
C
RD = 100 ; R0 = 10 k
1- Etude de la polarisation
T
Ce A
1) On suppose que dans nos conditions d utilisation, VBE VD 0.7 V.
B
R0
Montrer que IB et ID sont proportionnels.
vs
E
2) Calculer IB, ID et IC. Faire l application num rique.
+
D
RD
3) Calculer les tensions aux nuds du circuit. V rifier par l application
eg
RE
num rique que le transistor fonctionne correctement.
4) En statique, quoi sert la diode D ?
5) De quel type de polarisation se rapproche-t-on ? Quel est son principal
inconv
ient ? On pourra par exemple prendre = 120 et calculer
Figure VI-1
IB et VCE.
2- Etude en fonctionnement dynamique aux petits signaux
Le circuit pr c
t est mont 
 mplificateur att sur la base par  
 rateur de tension variable i l, grce une liaison
capacitive. La sortie est prise sur le collecteur de T. On supposera que le condensateur CE se comporte comme un court-circuit aux
fr
ces de travail choisies.
les  
   tions des potentiels aux nuds A et E en fonction
2a) Sch ma aux petites variations
de
e
, vA, vE et vbe
g
1) Calculer les param tres dynamiques du transistor T (rbe et
la relation simple liant eg, vE et vbe
gm) ainsi que de la diode D (rd). On prendra UT = 26 mV. (rbe :
la relation entre vs et vbe
r sistance dynamique entre base et  metteur de T ; gm :
2) Avant de r soudre le syst me, on s efforce de le simplifier en
transconductance de T ; rd : r sistance dynamique de la diode)
ordonnant les inconnues et 
 ligeant toute valeur
2) Dessiner le sc   m  
  ivalent du montage aux petits
num rique inf rieure 2 % d une autre. Par exemple :
signaux et fr
ces moyennes.
1/RB (= 8.33x10-5S) << 1/r (= 6.8x10-3S)
2b) Gain en tension
3) Calculer Av et faire l application num rique.
Pour le calcul du gain en tension Av = vs/eg, la repr sentation


2c) Calcul de la r istance d'entr RIN = eg/ig
ic = gm vbe est pr conis . O  crira r = RD + rd.
1) A partir du syst me simplifi 
  VI.2b), exprimer vE en
1) O  crit pour la r solution du circuit le syst me des quatre
fonction
de
eg
uniquement,
sous
la
forme
 tions suivantes :
vE eg(gmRE-RE/R0)/(1+gmRE),.puis montrer que vA vE.
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2) Ecrire le courant d entr ig en fonction de eg, et vE.
3) Calculer RIN et faire l application num rique. Commenter.
2d) Autres
1) Donner la r sistance de sortie de l amplificateur.

2) On veut avoir une fr


ce de coupure basse inf rieure
f0 = 10 Hz. Calculer la valeur minimale de Ce. Donner une
valeur normalis  E6 qui convienne.

VII.TRA
EN FREQUENCE D UN AMPLIFICATEUR A 1 TRANSISTOR
 - ETUDE

Probl me r pitulatif sur le transistor bipolaire
Soit le circuit de la Figure VII-1, avec :
= 150, VBE = 0.6 V, VCC = 20 V
VCC
R1 = 100 k, R2 = 39 k, RC = 2.2 k
RC
RE1 = 130 , RE2 = 1 k, Ru = 2.2 k,
R1
Rg = 500 ; eg = Eg sint.
C0
C1 = 100 F, C2 = 25 F, CE = 10 F
C0 permet de m  liser le fonctionnement du montage en
C2
hautes fr 
 

 ces, en s affranchissant du comportement


du transistor. On prendra donc le sc   m  
  ivalent du
transistor repr sent sur la Figure VII-2 quel que soit le
domaine de fr
c tudi .
C1
vs
Rg
RE1
Ru
B
C
ib
ve
+
R2
ib
eg
rbe
CE
RE2
gmvbe
vbe

Figure VII-1
1- Etude de la polarisation
1) D terminer le point de polarisation IC0, VCE0 de ce montage.
2) Ecrire l  tion de la droite de charge statique et la tracer en
faisant figurer le point de polarisation.
3) En l absence de signal, quelle est la puissance Pa totale
fournie au circuit par l alimentation ? Quelles proportions sontelles dissi    s dans le pont (Pp), et dans le transistor (Pt) ?
2- Etude dynamique aux fr quences moyennes
C1, C2, CE sont consi r s comme des courts-circuits, C0 est
assimil
   circuit ouvert.
1) Donner le sc   m
  
  ivalent en petits signaux du montage.
2) Ecrire les relations entre vce et ic d une part, entre vce et vs
d autre part, et enfin entre iu, courant dans Ru, et ic. E  ire
l expression de la droite de charge dynamique et la repr senter
sur le m me graphe que la droite de charge statique.
3) D terminer analytiquement et num riquement l im 
ce
d entr Re du montage, l im 
ce de sortie Rs, le gain en
tension Av = vs/ve, le gain en tension composite Avg = vs/eg.
4) Quelle est l amplitude maximale EgM du signal d entr  i est
transmise sans  cr tage ? A quel  

  m
 l cr tage est-il
d ?
5) Pour un signal d entr 
amplitude EgM, quelle est la
puissance moyenne alternative Pmc disponible au niveau du
collecteur ?
6) Quelle est la puissance moyenne alternative Pmu
effectivement transmise la charge R u ? E  ire le
rendement de l  tage : = Pmu/Pa.
7) La puissance nominale du transistor est de 30 mW ; tracer
sur le m me diagramme que les droites de charge, l hyperbole

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E
Figure VII-2
de dissipation correspondante. E  ire si cette puissance
nominale est acceptable ou non.
3- Fonction de transfert
3a) Etude dynamique en basses fr quences
C0 est toujours consi r comme un circuit ouvert, C1 est
suppos  valeur suffisante pour se comporter comme un
court-circuit.
1) Donner le sc   m  
  ivalent en faisant apparatre CE et C2.
Exprimer le gain en tension Av = vs/ve dans ces conditions.
Montrer qu on peut le mettre sous la forme :
1+ j
j
E
2
Av = A
. Donner les expressions et les

1+ j
1+ j
E
2
valeurs de E, E, 2, 2 et des fr 
 

 ces correspondantes.
2) Dessiner le diagramme de Bode en amplitude. Quelle est la
fr
ce de coupure basse fB -3 dB ? Par quelle capacit
est-elle fix ?
3b) Etude dynamique en hautes fr quences
C1, C2, CE sont consi r s comme des courts-circuits. On
s int resse la contribution de C 0. Le sc   m  
  ivalent du
transistor interne est celui de la Figure VII-2.
1) Donner le sc   ma  ivalent du montage en HF.
2) En utilisant le t  r me de Miller et en faisant les
approximations   cessaires que l on explicitera, transformer la
capacit
capacit s  
CM
plac s


  ivalentes
convenablement. E  ire l expression du gain en tension
composite Avg = vs/eg.
3) Donner l allure du diagramme de Bode correspondant. Quelle
est la fr
ce de coupure haute fH ?

6 - TRA

VIII.TRA - AMPLIFICATEUR CLASSE A


Extrait de lexamen de septembre 1997
VCC
RB2
Ce

RC
I1

B
IB

RB1

Cu
C
IC
E
RE

I2
Figure VIII-1

Ru

vu

On appelle amplificateur de classe A un amplificateur qui


consomme sensiblement la m me puissance dalimentation
en pr sence ou en labsence de signal utile. Un montage
transistor qui fonctionne dans sa zone li    ire est un
amplificateur de classe A. Nous prendrons pour exemple le
montage en  metteur comm  
 coupl  la
Figure VIII-1.
VCC = 10 V ; RB1 = 100 ; RB2 = 470 ;
RE = 10 ; RC = 47 . Transistor : = 80 ; VBE0 = 0.7 V
1- Etude du point de repos
1) Lapproximation RB >> RE  tant trop grossi re,
transformer le circuit de polarisation de la base en 
 rateur
de T  veni  ivalent.
2) Calculer les potentiels en tous les noeuds et les courants
de toutes les branches du circuit au repos.
3) Calculer la puissance dissi      r c   l ment du
montage. Calculer P0, la puissance fournie par l 
 rateur
VCC.

2- Etude en petits signaux variables


On supposera que tous les condensateurs se comportent comme des courts-circuits.
1) Calculer les valeurs num riques des param tres  
  ivalents dynamiques gm et rbe. (On prendra UT 26 mV) et dessiner le
sc   m
  
  ivalent du montage aux petits signaux.
2) Calculer analytiquement et num riquement Re, la r sistance dentr vue par l 
 rateur dattaque et Rs, la r sistance de sortie
vue par la charge.
3) Calculer le gain en tension en charge Av = vu/ve, puis le gain en puissance Pu/Pe, Pe  tant la puissance dissi     lentr , fournie
par l 
 rateur ve.
4) Pour quelle valeur de Ru a-t-on un gain en puissance maximal ? (la r

se intuitiv  ventuelle sera confirm  r l  rivation
de Pu en fonction de Ru). En prenant cette valeur, calculer les applications num riques de Av et Pu.
3- Dynamique et rendement
1) D terminer les courants extr mes ICmin et ICmax qui peuvent traverser le transistor. E  ire VCmax et VCmin. Calculer partir de l
VC, dynamique de variation maximale sym trique de la tension de collecteur, par rapport au potentiel de repos.
2) Dans le cas dun signal sinusodal damplitude VC en sortie, quelle est la puissance dissi  
s la charge Ru ? Calculer dans
ce cas lamplitude du signal dentr t la puissance Pe.
3) Sans   montrer que la puissance dalimentation continue garde la valeur P0, on calculera le rendement  fini comme le rapport
de la puissance dissi   
 

 s la charge la somme des puissances fournies au montage.


Note : nous venons de calculer le rendement dun amplificateur de classe A dans le meilleur des cas (en thorie le rendement
maximum est de 25 %) ; il est la plupart du temps bien infrieur pour ce type de montage, et la puissance perdue est dissipe sous
forme de chaleur. Les amplificateurs de classe A sont en fait peu aptes dlivrer de fortes puissances (par exemple, un
amplificateur audiofrquence de 2x100 W consommerait au minimum 800 W, soit lquivalent dune plaque de cuisson)
IX.TRA - PORTE LOGIQUE A TRANSISTORS BIPOLAIRES
Extrait de lexamen de septembre 1998
O  cide de construire un circuit logique , pour une application particuli re, laide de transistors bipolaires dont les
caract ristiques dentr t de sortie sont fournies en annexe (Figure IX-5).
1- Etude pr liminaire
Pour commencer,
 tudiera le fonctionnement dun seul transistor, sur le circuit de la Figure IX-1.
VCC = 5 V ; RB = 100 k ; RC = 10 k
 
 rateur dentr livre une tension VX qui ne peut prendre a priori que les valeurs 0 ou VCC.
1) Ecrire les expressions des droites de charge en entr t en sortie du transistor.
2) Tracer la droite de charge en sortie.
3) Tracer les droites de charge en entr   r les deux valeurs possibles de VX, et 
 ire les 2 points de repos
Q1(VBE1, IB1, VCE1, IC1) pour VX = 0 et Q2(VBE2, IB2, VCE2, IC2) pour VX = VCC.
4) Dans quel r  ime le transistor fonctionne-t-il pour chaque valeur de VX ? Justifier les deux sc   mas  
  ivalents statiques du
transistor, 
  s sur les Figure IX-3 et Figure IX-4 et proposer une valeur pour VCESAT et VBE0.
5) D terminer graphiquement la valeur minimale de RC qui permette de saturer le transistor lorsque VX = VCC. (On garde
RB = 100 k).


Sujets TD Electronique

7 - TRA
VCC

VCC

RC
IC

RB

T
VX

T1

VY

+
VX1

Figure IX-1

Figure IX-3 : T bl 


C

B
VBE0

RE1

RE2

VCESAT

Figure IX-4 : T satur

VX2

Figure IX-2



T2

VBE

RB2

VY

RB1

IB

RC

2- Porte deux entr


On r lise le circuit de la Figure IX-2.
VCC = 5 V ; RB1 = RB2 = 100 k ; RC = 10 k ; RE1 = RE2 = 10 k.
VX1 et VX2 peuvent uniquement prendre les valeurs 0 V ou VCC, i 

 mment. La sortie VY
est pr lev sur les collecteurs.
1) En supposant que, comm  termi   I.1, les transistors sont soit bl  s, soit satur s,
donner les valeurs des potentiels sur les  metteurs et les bases de T1 et T2 pour les cas :
(VX1 = VX2 = 0 V), (VX1 = 0 V ; VX2 = 5 V) et (VX1 = VX2 = 5 V) en pr cisant l tat des transistors.
2) On attribuera un niveau logique 0 aux tensions inf rieures V CC/2 et un niveau logique
1 aux tensions s    rieures V CC/2. Etablir la table de v rit la porte. Quelle est la fonction
logique r lis  ?
4) VX1(t) est maintenant une tension carr , valant 0 V de 0 T/2, et 5 V de T/2 T. Tracer le
chronogramme des VX et de VY les trois cas suivant : VX2(t) = VX1(t) ; VX2(t) = VX1(t-T/4) ;
VX2(t) = VX1(t-T/2)
Que remarque-t-on sur la fr
ce de VY par rapport celle des V X dans le cas 2 ?
5) Calculer la valeur moyenne de VY dans les trois cas.
IB = 50 A

IC (mA)
4

IB = 40 A
3
IB = 30 A
2
IB = 20 A
1
IB = 10 A

IB (mA)
0

0.5
VBE (V)
Figure IX-5

Sujets TD Electronique

VCE (V)