UNIVERSIDAD DE ORIENTE

NCLEO MONAGAS
INGENIERIA DE SISTEMAS
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y ELECTRNICA

Diseo de un circuito Amplificador con BJT

Informe 6

Profesor:

Seccin 02
Maturn, Abril 2014

MARCO TERICO

Transistor BJT:

El transistor BJT es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para

producir una seal de salida en respuesta a otra seal de entrada, se fabrica bsicamente
sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de
semiconductores,
estado
intermedio
entre conductores como
los
metales y
los aislantes como el diamante. Se construye como un sndwich en tres capas. Existe una
capa interior de silicio dopado P o N u otro material semiconductor y dos capas exteriores
de silicio dopado P o N.
Su smbolo y forma en funcin al usado en esta prctica se presentan:

Tipos de transistores:

Los dos tipos principales de transistores de unin bipolar son el NPN y el PNP. Esto
se refiere al arreglo del material dentro del transistor sndwich. En un NPN la corriente
fluye desde el emisor a travs del colector. En un transistor PNP la corriente fluye desde
el colector a travs del emisor. Se representan:

Terminales del transistor:

-Emisor: Se encarga de proporcionar portadores de carga, es la ms fuertemente dopada de

las 3, su nombre se debe a que funciona como emisor de los portadores de carga. Cuanto
ms dopaje tenga el emisor, mas cantidad de portadores podr aportar a la corriente.
-Base: Controla el paso de corriente a travs del transistor. Es el cristal de en medio. Es la
regin central, estrecha y poco dopada, que se encarga de controlar el paso de los
portadores, Con estas caractersticas conseguimos que en esta zona exista poca
recombinacin y prcticamente todos los portadores que proceden del emisor pasen al
colector.
-Colector: Se encarga de recoger portadores de carga. Como su propio nombre indica es la
encargada de recoger o colectar los portadores que inyectados por el emisor han sido
capaces de atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.
El conjunto se protege con una funda de plstico o metal.

Funcin de transistor

Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones:

- Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una pequea seal de mando.
- Funciona como un elemento amplificador de seales
Diseo de un amplificador BJT con una ganancia de 4v.
*Componentes a usar:

1 Transistor BJT BC547B

2 Condensadores de
1 Resistencia de
1 Resistencia de
1 Resistencia de

*Diseo: Para realizar el diseo de un amplificador usando un BJT, primeramente se deben

conocer de antemano el valor de la corriente y el voltaje mximo que soporta el transistor a

usar segn sus caractersticas. El transistor BJT BC547B posee las siguientes
caractersticas:
Datasheet del Transistor BJT BC547B

De lo anterior, se extrae que:

Icmax= 200mA que est representado como Icm
Vcemax= 45V que est representado como Vceo
= 110 que est representado como
Anlisis DC: En el anlisis DC, se calcula el punto Q (regin de trabajo) y sus voltajes de
colector-emisor (VCEQ) y corriente del colector (ICQ), ya que sern datos que se necesitaran
ms adelante. Hay que tener claro que el punto Q, es un valor intermedio, por lo que se
dividen entre 2 los valores mximos.
* ICQ= ICMAX/2

ICQ=200mA/2

ICQ=100mA

*VceQ= Vcemax/2

VceQ=45v/2

VceQ=22,5v

Con el uso de frmulas predeterminadas, se puede determinar lo siguiente:

IBQ= ICQ/
IBQ=100mA/110
IBQ=0,90mA
IE= IBQ*(+1)
IE=0,90mA*(110+1)
99,9mA
-Usando el circuito estndar siguiente, se realiza una malla para usarlas posteriormente para
hallar las resistencias:

Malla1: -Vcc + Rb*Ib+0,7=0

Malla 2: -Vcc+ RcIc+ Vce=0
Anlisis Ac: Aqu el circuito se modifica y se sustituye el transistor por la configuracin
que se presenta a continuacin:

En Ac la fuente Vcc se apaga. En este apartado, se har uso de ciertas formulas

fundamentales, las cuales son:
*re=26mV/IEQ
re=26mV/99,9mA
re=0,26
*Av=Vo/Vi
4v= Vo/Vi
-Para calcular Vi, realizo una malla:
-Vi + re*Ib=0
Vi=110*0,26 *0,90mA
Se despeja Ib para clculos de AC:
Ib= -Vi/ re

Vi=0,02574v

-Para calcular Vo se usa otra malla:

Vo+Ic*RC=0
Donde Ic= *Ib y al sustituir resulta:
Vo=-*Ib*Rc
Se sustituye Ib y resulta:
Vo=-*(-Vi/ re)*RC
- Al despejar Vo/Vi resulta:
Vo/Vi= *Rc/re
Vo/Vi=RC/re
*Clculo de RC:
Vo= -IcRc
Vo/Vi= -IcRc/(-re*Ib)
De aqu se despeja RC:
Como Av= Vo/Vi=4v
RC= (4v*re*Ib)/Ic
Luego se sustituyen valores:
RC= (4v*110*0,26*0,90mA)/ 100mA
RC=1,0296
*Sustituyendo en mallas de DC para hallar RB: Aqu los nicos valores que usare de
AC ser el de RC, todos los dems valores sern de DC.
De la malla 2 se despeja Vcc:
-Vcc+ RCIc+ Vce=0
Vcc= 22,60296v

Vcc= RCIc+ Vce

Vcc=1,0296 *100mA + 22,5v

Sustituyo Vcc para hallar RB de la malla 1:

-Vcc + Rb*Ib+0,7=0 De aqu se despeja RB
Rb=0,72034

Rb= 22,60*0,90mA+0,7v

Para calcular Zi y Zo, por el tipo de circuito, estos se pueden identificar directamente del
mismo:
Zi (impedancia de entrada) se encuentra en las terminales donde est ubicada Vi por lo que
se deduce que:
Zi= RB//Bre
Zi= (RB* Bre)/ (RB+ Bre)
Zi=0, 70
Zo (impedancia de salida) se encuentra entre los terminales donde est ubicada Vo, por lo
que se deduce que:
Zo= RC
Zo=1,0296
Luego de hallar RC, puedo obtener Vo:
Vo=-110*(-0,02574v/ 28,6)* 1,0296
Vo=0,1019304v
Al sustituir: Vo/Vi=0,1019304v/0,02574v=3,96v 4v
Asumiendo condensador igual a 10F
Fi=
F0=

=
15457.93

Simulacion del Circuito:

Con los valores obtenidos en los clculos realizados anteriormente, procedimos a simular el
circuito en el programa Circuit Maker, a continuacin los resultados arrojados.
Circuito:
R1
0.7k

R2
1.02k
A

C1
1uF
V1
-20/20V

67.3kHz

C2
10uF

Q1
2N2222

R3
0.2k

Realizando la simulacin del circuito obtuvimos los siguientes resultados.

Circuito corrido por el simulador Circuit Maker:

+
-

Vs1
45V