El diodo

Una resistencia ordinaria es un dispositivo lineal porque la grfica de su corriente

en funcin de su tensin no es una lnea recta. La razn es la barrera de potencial:
cuando la tensin del diodo es menor que la barrera de potencial, la corriente del
diodo es pequea; si la tensin del diodo supera esta barrera de potencial, la
corriente del diodo se incrementa rpidamente.
El smbolo elctrico
La figura 3-1 representa el smbolo elctrico de un diodo. El lado p se llama
nodo y el lado p es el ctodo. El smbolo del diodo es una flecha que apunta del
lado p al lado n, es decir del nodo al ctodo.

En la figura 3-1b se muestra un circuito con un diodo. En este circuito el diodo esta
polarizado en directa. Cmo lo sabemos? Porque el terminal positivo de la
batera est conectado al lado p del diodo a travs de una resistencia, y el terminal
negativo est conectado al lado n. con esta conexin, el circuito est tratando de
empujar huecos y electrones libres hacia la unin.
En circuitos ms complicados puede ser ms difcil decir si el diodo est o no
polarizado en directa. Para hacerlo nos podemos servir de la siguiente regla;
preguntmonos lo siguiente: est el circuito externo tratando de empujar los
electrones libres en la direccin de circulacin sencilla? En caso afirmativo, el
diodo esta polarizado en directa.
Cul es la direccin de circulacin sencilla? Si se est usando corriente
convencional, la direccin sencilla es la misma que indica la flecha del diodo. Si se
prefiere el flujo de electrones, la direccin sencilla es en el otro sentido.
Cuando el diodo forma parte de un circuito complicado podemos usar tambin el
teorema de Thevening para determinar si esta polarizado en directa. Por ejemplo,
se supone que se ha reducido un circuito complicado con el teorema de Thevening

para obtener la figura 3-1b. En este caso se sabe que el diodo esta polarizado en
directa.
Principios de electrnica
Sexta edicin
Albert Paul Malvino

Rectificador controlado de silicio

El rectificador controlado de silicio (en ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier)
es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con
estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin
de tiratron (tyratron) y transistor.

Un SCR posee tres conexiones: anodo, catodo y gate. La puerta es la encargada

de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente
como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo
sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia
la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza
a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada
alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito
de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.
El pulso de conmutacin ha de ser de una duracin considerable, o bien, repetitivo
si se est trabajando en corriente alterna. En este ltimo caso, segn se atrase o
adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente
pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el
tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por
debajo de la corriente de mantenimiento (en la prctica, cuando la onda senoidal
cruza por cero)

Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un

tiristor, ste puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta.
Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que
permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al
condensador parsito existente entre la puerta y el nodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia, en el campo del
control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como
interruptor de tipo electrnico.
http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_controlado_de_silicio
BJT
En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la
unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del
nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada
en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin baseemisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo
elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos
electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin
cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para
que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo
que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el
porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin basecolector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los
electrones.
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar

MOSFET
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el
drenador y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la
compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma
una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el
sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento
de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de
carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un
incremento en la concentracin de electrones (en un n MOSFET o NMOS),
o huecos (en un p MOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se
construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un
transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de
reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin
elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de
portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad.

http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET#Funcionamiento

GTO
La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional.
Existen 4 capas de silicio (PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales:
nodo (A), ctodo (C o K) y puerta (G). La diferencia en la operacin radica en que
una seal negativa en la puerta (G) puede apagar el GTO. Mientras el GTO se
encuentre apagado y no exista seal en la puerta, el dispositivo se bloquea para
cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con
un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura
VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de
encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el
GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea
corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser
alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje de ruptura inverso depende
del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para
facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al
nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada a la puerta G (gate), el GTO se
enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de
apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos

hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa

interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en
el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor
control. Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede
ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper
(conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de
potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A
bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son
preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las
estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la
potencia, como el factor de potencia.
http://es.wikipedia.org/wiki/Tiristor_GTO
IGBT
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 100 kHz y ha
sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y
media energa como fuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina
de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos
colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos
de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la
capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de
base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de
conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de
electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms
potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los
primero
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin
de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas
de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT
Transistor de Induccin Esttica (SIT)
El Dispositivo ms importante bajo desarrollo es el transistor de induccin
esttica (SIT) mostrado esquemticamente en la figura 1. El SIT es un dispositivo
portador mayoritario (unipolar) en el que el flujo de electrones de la fuente al
drenaje es controlado por un potencial de barrera en el semiconductor de dos
dimensiones con forma de silla de montar entre las compuertas metlicas. Si el
dopado y las dimensiones laterales son escogidas adecuadamente, la altura del

potencial de barrera ser modulada por la compuerta y el drenaje. Debido a que la

corriente se incrementa exponencialmente conforme la barrera es disminuida, las
caractersticas de la salida del SIT son usualmente no saturadas o de manera de
trodo, por ejemplo parecindose a un trodo de tubo al vaco. El SIT es
importante como un dispositivo de microondas a bahas frecuencias en GHz
porque esta entrega potencia extremadamente alta por unidad de rea.

Figura 1. Seccin
transversal de un
transistor de unin esttica
(SIT). Los electrones
fluyen de la fuente al
drenaje a travs de un
punto ensillado de
potencial
electrosttico entre los
electrodos de compuerta.
La fabricacin del
SIT requiere un grabado
anistrpico de pared recta
de zanjas de 2 3 m de
profundidad usando una grabado reactivo de ion (RIE, por sus siglas en ingls)
seguida por una deposicin de Metalizacion de Shottky en la zanja del fondo sin
cubrir la zanja lateral. Las dimensiones laterales entre las zanjas de compuerta
oscilan en el orden de 0.5 1.5 m . Los contactos de baja resistencia ohmica son
establecidos a las regiones de la fuente en el techo de las uniones. La figura 2
(debajo) muestra una foto SEM de un SIT completo teniendo un ancho de unin
de 1m y una longitud total de union de 1 cm (100 dedos). Para ms claridad, esta
foto ha sido tomada antes de la deposicin de las conexiones del puente de aire
de la fuente. Caractersticas experimentales estticas VI son ms pequeas en el
SIT mostrado en la figura 3.
El mximo voltaje de drenaje es de 250 volts, la corriente de encendido en la
rodilla es casi
80 mA/mm y la ganancia de bloqueo es aproximadamente 10. Estos valores son
comparables a la mejor literatura reportada para un SIT.
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Tiristores-Especiales.php
TRIAC
Al igual que el tiristor tiene dos estados de funcionamiento: bloqueo y conduccin.
Conduce la corriente entre sus terminales principales en un sentido o en el
inverso, por ello, al igual que el diac, es un dispositivo bidireccional.
Conduce entre los dos nodos (A1 y A2) cuando se aplica una seal a la puerta
(G).

Se puede considerar como dos tiristores en antiparalelo. Al igual que el tiristor, el

paso de bloqueo al de conduccin se realiza por la aplicacin de un impulso de
corriente en la puerta, y el paso del estado de conduccin al de bloqueo por la
disminucin de la corriente por debajo de la intensidad de mantenimiento (I H).
Est formado por 6 capas de material semiconductor como indica la figura.

Smbolo del triac

Tiristores en anti paralelo

Estructura interna de un triac

La aplicacin de los triacs, a diferencia de los tiristores, se encuentra bsicamente

en corriente alterna. Su curva caracterstica refleja un funcionamiento muy
parecido al del tiristor apareciendo en el primer y tercer cuadrante del sistema de
ejes.
Esto es debido a su bidireccionalidad. La principal utilidad de los triacs es como
regulador de potencia entregada a una carga, en corriente alterna.
El encapsulado del triac es idntico al de los tiristores.
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-triac.php
Tiristores de induccin esttica (SITH)
Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta,
como los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su
compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como
consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo as como una
baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y
corriente ms altas.

Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de

dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6m s. La especificacin
de voltaje puede alcanzar hasta 2500v y la de corriente est limitada a 500 A. Este
dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricacin, por lo que
pequeas variaciones en el proceso de manufactura pueden producir cambios de
importancia en sus caractersticas.
http://jimmy-calderon.blogspot.com/2011/11/tiristores-de-induccion-estaticasith.html