Fotodiodos

Andres Arturo Yan

ez Guzman
26 de septiembre de 2014

1.

Fotodiodos

El funcionamiento de un fotodetector se basa en recibir una se

nal luminosa y convertirla a una se
nal electrica, de esta
manera se puede detectar luz. Un fotodiodo, como su nombre lo dice es un diodo que puede detectar luz.

1.1.

Uni
on PN

Como sabemos, al tener un material semiconductor y agregando las impurezas creamos una region, dentro del material,
llamada uni
on PN. Sabemos tambien que existen los ((portadores de carga)) para la zona N y los ((huecos)) para la zona P.
La uni
on PN puede ser considerada como la frontera entre una capa de material P y otra de material tipo N ((juntas)),
despues de un tiempo habr
a material tipo P en la region N y viceversa como se muestra en la figura (1). Los signos ((-)) en la
regi
on P representan los iones negativos ligados de la impureza, los signos ((+)) representan los huecos libres desplazandose en
la regi
on P. An
alogamente los signos ((+)) en la regi
on N representan iones positivos ligados de la impureza y los signos ((-)) los
electrones libres. Tanto la regi
on N como la P son electricamente neutras ya que hay el mismo n
umero de huecos libres que de
iones negativos en la regi
on N y tantos electrones libres como iones positivos en la region N.

Figura 1: Union PN
Al establecerse la uni
on sucede la recombinaci
on, esto quiere decir que los huecos de la region P pasan a la regi
on N y se
combinan con los electrones libres en el lado N y los electrones libres de la region N fluyen hacia la region P y se combinan
con los huecos restantes de la regi
on P. Adem
as por cada hueco que atraviesa la union queda un ion negativo sin neutralizar
en la regi
on P mientras que en la region N, al moverse un electron, es un ion positivo el que queda sin neutralizar.
En consecuencia a cada lado de la frontera se crea una zona denominada zona de empobreciento o regi
on de agotamiento
como tambien se muestra en la figura (1), la cual consiste en una delgada capa donde hay cargas de signos iguales pero de
signos contrarios. Todo el proceso origina un campo electrico dirigido de los iones positivos de la region N a la regi
on P debido
a la diferencia de potencial, este es el potencial a vencer para que exista una corriente.
Si se conecta una fuente de potencial V a las terminales exteriores de la union PN la diferencia de potencial aplicada
vencer
a o disminuir
a el campo electrico en las proximidades de la union seg
un sea la polaridad del potencial aplicado. La
regi
on de agotamiento se dilata o contrae para ajustarse al nuevo campo y cambiara la densidad de electrones libres dentro de
la uni
on PN en consecuencia se origina una diferencia de potencial y en consecuencia aparece una corriente I. Si V es positiva
1

I es positiva y esta condici

on es la de polarizaci
on en sentido directo. Es decir la fuente tiene conectado su polo positivo a la
regi
on P y su polo negativo a la regi
on N. Una V negativa que dara I negativa constituye la condicion de polarizaci
on inversa
La corriente a traves de la uni
on PN esta dada por la relacion:
qV

I = Is (e kT 1)

(1)

A partir de la ecuaci
on (1) para valores de V muy negativos I se aproxima a Is , valor que se denomina corriente de saturaci
on.
La uni
on conduce a partir de V0 , el cual es el valor del potencial creado por el campo electrico en la union.
La uni
on PN conduce m
as f
acilmente en el sentido directo (I positiva) o favorable que en el sentido inverso (I negativa).
Una uni
on que tenga dos conductores exteriores puede utilizarse como valvula que solo deje circular la corriente apreciable en
un sentido, este dispositivo se llama diodo.

1.2.

Diodos

Como se menciono anteriormente un diodo es un dispositivo semiconductor que solo permite el paso de corriente en un
sentido, la corriente est
a dirigida del
anodo al c
atodo como se muestra en la figura (3). Ademas la corriente cumple la ecuaci
on
(1), la curva caracteristica del diodo se representa por:

Figura 2: Curva caracterstica de un diodo.

Las aplicaciones de los diodos son variadas: se utilizan como rectificadores de corriente alterna principalmente, aunque
tambien son usados como base de los transistores (dispositivos con dos uniones PN) que son la base de los amplificadores de
corriente o voltaje.
Una caracterstica electrica de los semiconductores es el hecho de que al aumentar la temperatura la conductividad aumenta,
esta propiedad los diferenca de los conductores.

1.3.

LED

Los diodos emisores de luz o light-emitting diodes son semiconductores tipo p-n que pueden emitir radiaci
on electromagnetica al energizarse. Si se aplica un voltaje de polarizacion a un diodo los electrones libres son ((inyectados)) en la regi
on
de agotamiento. Ahora es importante recordar que: los electrones son inyectados en la region P y se recombinan con los huecos,
pero sobran! Asi que los electrones pierden energa y ((bajan)) de la banda de conduccion a la banda de valencia (El nivel m
as
alto ocupado por los electrones)Los electrones libres (B.C.) tienen mayor energa ya que al estar mas alejados del n
ucleo se
necesita imprimirles menos energa para sacarlos!.
Como pierden energa entonces se tiene que liberar!, seg
un las caractersticas del diodo la emision de energa puede ser en
forma de calor o bien en forma de luz, en el caso del silicio o del germanio la energa liberada es en su mayoria termica y
en menor cantidad en forma de luz, en otros materiales como el fosfuro arseniuro de galio o el fosfuro de galio el n
umero de
fotones de energa luminosa es suficiente para crear una fuente de luz altamente visible, donde cada foton tiene una energa
Eg = h, que es el valor de la banda prohibida, el proceso se muestra en la figura 3.

Figura 3: Descripcion del proceso de emision.

Normalmente la estructura de un LED consiste en una celda donde se encuentra el sustrato que puede ser alguno de los
mostrados en la tabla (1). Se puede utilizar GaN o bien otro sustrato, posteriormente se utiliza una capa de zafiro y una capa
de confinamiento que se une a la regi
on activa la cual consiste en la region N y la region P que pueden estar separadas por
varias soldaduras. Las composiciones de la aleaci
on y las capas son elegidas seg
un la longitud de onda que se desea emitir. Las
capas de confinamiento se utilizan para introducir una barrera de energa y evitar que los electrones libres y huecos se escapen
sin combinarse.

Figura 4: Estructura de un LED

Compuesto
Arseniuro de Galio
Arseniuro de Galio y Aluminio
Arseniuro F
osforo de Galio
Fosfuro de Galio
Nitruro de Galio
Nitruro de Galio e Indio
Carbono de Silicio

Longitud de onda (nm)

940
840
630
555
525
450
480

Rango
Infrarrojo
Rojo e ifrarrojo
Anaranjado y amarillo
Verde
Verde
Azul
Azul

Tabla 1: Compuestos usados en la fabricacion de un LED.

Color de emisi
on
Azul
Verde
Rojo
Infrarrojo
Infrarrojo

Longitud de onda (nm)

470
550
650
870
1550

Energa de los fotones (eV)

2.6
2.2
1.9
1.4
0.8

Diferencia de potencial (V)

2.6
2.2
1.9
1.4
0.8

Tabla 2: Potencial aplicado para emision en un LED.

De esta manera un LED emite determinada longitud de onda para un cierto voltaje aplicado i.e. una intensidad de corriente
y se enciende seg
un el voltaje aplicado.

Figura 5: Curva de un diodo donde se muestra el rango de LED encencido.

2.

Fotodiodos (Ahora si)

La luz al ser radiaci

on electromagnetica lleva energa, como vimos en la explicacion de un led, si incide sobre un diodo
entonces sucede el proceso inverso: el electr
on ((sube)) a la banda de conduccion con una energa en la que supera el bandgap(banda prohibida) Eg = h y se mueve, dejando un hueco libre. El comportamiento de los portadores libres es diferente
seg
un la zona donde se crea, si se crea en zonas neutras entonces se genera una fotocorriente de difusion Idif f y se crea en la
zona de agotamiento los portadores son retirados de la union por el campo de la zona de agotamiento y se crea una corriente.
Un fotodiodo se muestra en la figura (4).

Figura 6: Fotodiodo
La corriente generada es ahora inversa ya que los electrones circulan en sentido contrario a como seria en un diodo,
igualmente que para la fabricaci
on de un led se ocupan diversos materiales dependiendo de la longitud de onda que se desea
emitir, los fotodiodos son fabricados de un material para detectar cierta longitud de onda (recordemos que E = h y c = ).
Asi pues sera facil enga
narlos pues si ponemos luz que contiene todo el espectro visible y yo tengo un fotodiodo fabricado de
Germanio, el fotodiodo detectar
a s
olo en su ((espectro de absorcion)), el cual es el rango que detecta cada fotodiodo, y no todo
el espectro visible.

3.

Fotodiodos de Avalancha

Consideremos un fotodiodo de tipo pin (una regi

on P, region I y region N) por lo tanto hay una mayor generaci
on de pares
electr
on-hueco por cada fot
on y asi una mejor detecci
on, trabajando en una zona cercana a la zona de ruptura, asi se logr
a que
exista una multiplicaci
on de los pares electr
on-hueco ya que hay un impacto de los electrones sobre los demas que hace que se
muevan y se formen nuevos pares electr
on-hueco, asi como hay una amplificacion de pares entonces aumenta la respuesta del
detector, sin embargo tiene sus desventajas por generar ruido.

Referencias
[1] Ponce, F.A., et. al. Nitride-based semiconductors for blue and gree LED in nature Mar 1997, Vol 386
[2] Asif Khan, et. al. Ultraviolet light-emitting diodes based on group three nitrides in Nature Photonics Feb 2008, Vol 2.
[3] Mohammad A. Electro-optical devices and systems, PWS-KENT Publishing Company, Boston, USA 1990.
[4] Cutler, P. Analisis de circuitos con semiconductores, Mc Graw Hill Mexico 1980.
[5] Boylestad, F. Circuitos electr
onicos Prentice Hall Mexico 1983
[6] Young, H. University Physics, USA 2003
[7] Clases del profesor Mathieu
[8] Mis apuntes y los apuntes de Daniela me ayudaron mucho