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Objetivos:

Estudio y comprensin de una memoria RAM 2114A.


Proceso de trabajo
1.-Comprensin de la memoria RAM 2114 (patillas de control...).
2.-Tener interruptores a cada bit de direcciones (los de la placa) al menos
4.Si no tengo interruptores suficientes, los de ms peso los pongo a
masa (direcciones de entrada).Dejar libre otros interruptores para
introducir datos (al menos 3 ).
3.-Escribir datos que vayan asociados de dos en dos.
4.-Presentar el esquema de la correspondiente memoria.
5.-Realizar una memoria de los resultados obtenidos de la prctica.
Constitucin de una memoria RAM 2114A de INTEL.

Memorias: La memoria RAM

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Valoracin del Usuario:

Malo

/ 42

Bueno

Valoracin

Las memorias de las microcomputadoras, son un ejemplo de la aplicacin de los dispositivos de


almacenamientos
de
datos
llamados
memorias.
El sistema de los MC esta compuesto por dispositivos de entradas como son los teclados,
escneres, etc. ; y dispositivos de salida como son el monitor y la impresora. La unidad central de
procesamiento CPU controla la operacin de la MC y procesa los datos. La memoria interna de una
MC esta constituida por tres tipos de memoria semiconductoras. La memoria no voltil es llamada
ROM ( memoria de solo lectura ) y la memoria voltil es llamada RAM ( memoria de acceso

aleatorio

Los dispositivos de almacenamiento RAM y ROM vienen en forma de CI y estn moteados en


tarjetas
de
circuitos
impresos.
La mayora de los datos son almacenados normalmente en dispositivos magnticos de
almacenamiento masivos, denominado disco flexible o disco duro .

RANDOM ACCESS MEMORY ( RAM )


La memoria RAM es una memoria voltil muy utilizadas en los MC para almacenar los datos
temporalmente, y tiene caractersticas de voltil debido a que pierde los datos almacenados en ella
cuando se desconecta de la alimentacin. La RAM se denomina memoria de lectoescritura. La
operacin de ubicar un dato y visualizarlo se denomina lectura. Almacenar los datos se denomina
escritura.

Figura 2: Memorias RAM


La siguiente tabla es una representacin grfica del interior de una memoria de 32 bits. Las 32
casilla estn organizadas en ocho grupos de cuatro bits y cada grupo de cuatro bits es una
palabra.

Direccin Bit D Bit


C
Palabra 0
Palabra 1
Palabra 2
Palabra 3

Bit
B

Bit
A

Direccin Bit
D
Palabra 4
Palabra 5 1
Palabra 6
Palabra 7

Bit
C

Bit
B

Bit
A

Tabla 1: Representacin de una memoria RAM de 8X4

Consideremos la memoria de figura como una RAM si la RAM estuviese en el modo de escribir, el
dato ( por ejemplo, 11 E 1 ) puede grabarse en la memoria en posicin 5 si la RAM estuviese en el
modo de leer , el dato puede ser ledo en la posicin indicada, la RAM tambin es llamada
SCRATCH - PAD , esta memoria es llamada de acceso aleatorio debido a que puedes saltar de
una
palabra
a
otra
en
un
solo
paso.
La siguiente figura muestra el diagrama lgico de un sencillo CI RAM 74F189 TTL de 64 bits, este
CI RAM esta construido con tecnologa Schottky TTL ms moderna, FAST, una subfamilia que
muestra una combinacin de rendimiento y eficiencia no alcanzada por otras familias TTL.

Figura 3: Diagrama lgico del CI 74F189

Uno de los modos de operacin del 74F189 es el modo de escritura. Durante esta operacin los 4
bits ubicados en la entrada de datos ( D3 , D2 , D1 , D0 ) se escriben en la posicin de la memoria
especificada por las entradas de direccin. Por ejemplo, para escribir 11 E 1 en la posicin de la
palabra 5 las entradas de datos deben ser D3 = 1, D = E y D0 = 1 y las entradas de direccin
deben ser A3 = E , A2 = 1 , A1 = AE = 1. Igualmente la entrada de habilitacin de escritura WE
debe estar en un nivel bajo y la entrada de seleccin de pastilla CS debe estar en BAJO.
Otro modo de operacin es el modo de lectura para la RAM 74F189. Las entradas de control C5
deben
estar
en
un
nivel
BAJO
y
WE
en
ALTO.

A continuacin el contenido de la posicin direccionada aparecer en la salida de datos ( O3, O2,


O ,Oo ) . debe entenderse que la operacin de lectura uno destruye el dato almacenado , sino que
saca
una
copia
invertida
de
ese
dato.
Tambin

encontramos

el

modo

de

almacenamiento

store

de

inhibicin.

Existiendo tipos de RAM bsicos , el esttico y el dinmico. Un ejemplo de RAM esttico es la CI


74F189 esta RAM esttica pueden fabricarse utilizando tecnologa bipolar o MOS. La RAM esttica
utiliza un flip-flop, celda de memoria, y conserva la informacin siempre que la alimentacin este
conectada
al
integrado.
La RAM dinmica o DRAM son utilizados como unidades de gran capacidad de memoria, una
celda de RAM dinmica esta basada en un dispositivo MOS que al almacenar un carga como lo
hara un capacitor. Un inconveniente es que todas las celdas deben ser recargadas cada pocos
milisegundos
para
que
no
pierda
los
datos.
Los sistemas basados en microprocesador como las microcomputadoras, convenientemente
adecuadas almacena y transfiere los datos en grupos de ocho bits llamadas bits.
Una SRAM muy popular es la 2114 fabricada con tecnologa MOS almacena 4.096 bits
organizados
en
1.024
palabras
de
24
bits
cada
una.
Con la conexin de dos RAM 2114 pueden conformar una memoria de 1.024 palabras de ocho bits
por
palabra,
a
esto
se
le
domina
1
KB
de
memoria.
Comnmente las RAM son valoradas mencionando algunas caractersticas distintivas como son:
* Tamao ( en bits ) y organizacin ( palabra x bits por palabra ; por ejemplo ; la RAM 2114 seria de
4096
bits,
o
1024
x
4
* Tecnologa utilizadas para la fabricacin del clip por ejemplo; NMOS para la RAAM 2114
* Tipo de salida ; esta ser ambas RAM para 2114, o como en otras que tienen salida de 3 estados
* Velocidad ( tiempo de acceso de la memoria ) para la RAM 2114 es de unos 50 a 450ns
* Tipo de memoria ( SRAM DRAM )

2114A - poco 1024x4 RAM esttica


Pinout de 2114A
Descripcin

El 2114A es una memoria de acceso aleatorio esttica 4096 bits organizada como 1.024 palabras
de 4 bits. Utiliza totalmente estable DC (esttica) de circuitos a lo largo, en tanto la matriz y la
decodificacin, por lo tanto, no requiere relojes o refrescante para operar. Acceso a los datos es

particularmente simple, ya que no se requieren tiempos de configuracin de direcciones. Los


datos se leen a cabo de forma no destructiva y tiene la misma polaridad que los datos de entrada.
Entrada comn / se proporcionan pines de salida.

Tiempo de acceso

2114AL-1 - 100ns Max (Max 40mA)

2114AL-2 - 120ns Max (Max 40mA)

2114AL-3 - 150ns Max (Max 40mA)

2114AL-4 - 200ns Max (Max 40mA)

2114A-4 - 200ns Max (Max 70mA)

2114A-5 - 250ns Max (Max 70mA)

Totalmente compatible con TTL

Introduccin de datos comn y de salida utilizando salidas de tres estados

Alimentacin nica (Vcc = + 5V + -10%)

Energa de la disipacin = 1.0W

Pin Nombres

A 0 - A 9 Entradas de direccin

I / O 1 - I / O 4 Entrada / salida de datos

NOSOTROS * Escribir Entrada de habilitacin (BAJO activo)

CS * Seleccin de Chip de entrada (BAJO activo)

Vcc Energa (+ 5Vdc)

GND Planta (0 Vdc)

Caractersticas de funcionamiento

Vcc = 5V + - 5%

GND = 0 V

Corriente de alimentacin = 70mA max

Leer Timing (2114AL-1)

Leer Ciclo Tiempo = 100ns min

Tiempo de acceso = 100ns max

Seleccin de Chip de salida vlida = 70ns mximo

Seleccin de Chip de salida Activo = 10ns min

Salida 3-estado de desactivacin = 30ns mximo

Retencin de salida de Direccin Cambio = 15ns min

Write Timing

Escribe tiempo de ciclo = 100ns min

Escribe Tiempo = 75ns min

Escribe Tiempo de liberacin = 0NS min

Salida 3-estado de Escribir = 30ns mximo

Datos a escribir a tiempo Overlap = 70ns min

Retencin de datos de tiempo de escritura = 0NS min

Usado En

Bally / Midway - TRON, Dos tigres, Kickman, de Satans Hollow, Madera, Wacko, etc.

Atari - Asteroids, Battlezone, Espacio Duel, Tempest, Dig Dug, etc.

Las referencias cruzadas a


Seiko / Epson SRM2114C

United Microelectronics Corporation UM6104

Intel 2114A (fuera de produccin)

AMD AM9114 (fuera de produccin)

Hitachi HM472114P (fuera de produccin)

Puede sustituirse por:

2148 o 2149 dispositivos. (El 2148 es pin compatible, pero mucho ms rpido. El 2149 es ms
rpido y no es compatible con un modo de quitar la alimentacin, que muy probablemente no se
necesita en un juego de video. Compruebe que no hay un sistema de batera de respaldo para
cualquier de 2114 o de 2148 antes de la sustitucin de 2.149 o podra correr por sus bateras ...)

Fuente de la informacin

Componentes Intel Memoria Handbook, 1983

United Microelectronics Corporation memoria ICs Data Book, 1990-1991