GERADOR

COMPONENTES DO SISTEMA DE ISOLAO

ISOLAO ENTRE CONDUTORES

ISOLAO ENTRE ESPIRAS
ISOLAO PARA A TERRA
CAMADA SEMICONDUTIVA (GRAFITE)
CAMADA CARBETO DE SILICIO

Construo tipo Tijolo

Cobre
Isolao entre espiras

Isolao para a terra

Condutores de
igual tamanho

Isolao entre
condutores

DEGRADAO TRMICA
Perda de Rigidez mecnica por aquecimento
prolongado

Afrouxamento da isolao entre camadas, vibrao de condutores, falhas

por descargas parciais que levam facilmente a falhas na isolao para a
massa.

90

Cobre

Isolao para
a massa

Sensor de
temperatura

100

(C)

Sobreaquecimento devido a sobrecarga, falha na refrigerao, correntes

de inrush, desbalanceamento de tenses, problemas de
dimensionamento.

Cunha

Semicondutor
Calo lateral

Ncleo do
Estator
Aterrado
Espaamento
Ncleo Bobina

Cin Car
dar

Cin

Quando

Car
Rsemi

Var

Ear = Var > 3 kV/mm

dar

==> Ocorrem Decargas Parciais

CONTROLE DO ESTRESSE DE TENSO

NCLEO

CAMADA SEMICONDUTIVA
(GRAFITE)
CAMADA SEMICONDUTIVA
(CARBETO DE SILCIO)

NCLEO
REGIO DE
SOBREPOSIO

OBJETIVO: EVITAR DESCARGAS PARCIAIS NA SUPERFICIE (CORONA)

PARA MQUINAS A PARTIR DE 6 kV
CAMADAS SEMICONDUTORAS PODEM SER APLICADAS NA FORMA DE TINTAS
OU FITAS, TANTO NA RANHURA QUANTO NA SADA DA BARRA.

FLUXO DISPERSO

CO
ND
UT
OR

CAMPO
MAGNTICO

FLUXO
PRINCIPAL

ROTOR

CAMPO
MAGNTICO

FLUXO DISPERSO

CAMPO MAGNTICO

FLUXO
PRINCIPAL

ESTATOR

CONDUTOR

Isolao
entre espiras

CONDUTOR (EM CORTE)

FLUXO DISPERSO

X
X

X
X

X
X

X
X

X
X

X
X
X
X

X
X

X
X
X
X

X
X

X
X
X
X

X
X

X
X
X
X

X
X

X
X
X

X
X

X
X

X
X

Isolao
para a terra
CORRENTES
PARASITAS
(FOUCAULT)

PERDAS PARASITAS Pp
Pp = V 2 / R
V Tenso Induzida no condutor (valor eficaz), proporcional
rea cortada pelo fluxo longitudinal ao condutor
R Resistncia equivalente do condutor
Exemplo simplificado. Dividindo o condutor em 9 partes iguais
e considerando a corrente concentrada no permetro
destas.
Em cada segmento, V torna-se V / 9 e R torna-se R / 3 (usando
simplificadamente o permetro como caminho da corrente)

Pp = 9 x [(V/9)2 / (R/3)] = 27 / 81 [V2/R]

Pp = V2 / R
3

EFEITO DA LOCALIZAO DAS DPs NA POLARIDADE

Cobre

DP positivas > DP negativas

DP positivas DP negativas
DP positivas < DP negativas

Isolao para
a massa

Ncleo do
Estator

EFEITO DA TEMPERATURA

VARIAES SUTIS PARA FAIXAS DE 5 C

VARIAES DRSTICAS PARA FAIXAS DE 20 C

ENSAIOS FEITOS PARA A MESMA CARGA E DIFERENTES TEMPERATURAS,

PELO MENOS 20 C PODEM SERVIR PARA IDENTIFICAR O MECANISMO DA
FALHA

EFEITO INVERSO () DAS DPs COM A t

(QUANDO AS DPs DIMINUEM COM O AUMENTO DA TEMPERATURA)

O TAMANHO DOS ESPAOS VARIA INVERSAMENTE COM A TEMPERATURA.

COBRE E ISOLAO AUMENTAM DE TAMANHO, DIMINUNDO OS ESPAOS
ENTRE A ISOLAO E O NCLEO, E, PORTANTO, AS DPs
ESTE EFEITO MAIS SIGNIFICATIVO PARA ISOLAES DE POLIESTER E
ASFLTICAS, MAS TAMBM PODE SER OBSERVADO EM ENROLAMENTOS
ISOLADOS EM EPOXI
NOTAR QUE A TEMPERATURA DO COBRE OU DAS CAMADAS INTERNAS DA
ISOLAO NO SO REFLETIDAS COM RAPIDEZ PELOS RTDs.

EFEITO PROPORCIONAL (+) DAS DPs COM A t

(QUANDO AS DPs AUMENTAM COM O AUMENTO DA TEMPERATURA)

INDICATIVO DA DETERIORAO DA TINTA SEMICONDUTIVA

COM O AUMENTO DA TEMPERATURA, A RESISTNCIA DESTE MATERIAL
CRESCE AUMENTANDO O NVEL DE DP POSITIVAS
ESTE UM MECANISMO DE FALHAS MUITO LENTO, PORM PODE LEVAR
AO APARECIMENTO DE ZONAS DE ELEVADA PRODUO DE OZNIO

Fonte
AC

Capacitor
P/deteco
de DP

Ao Osc.

Tenso de 60 Hz

180

360

Amplitude
dos Pulsos

DP (+)

DP ()

Pulsos individuais
de Descargas Parciais
10

MECANISMOS DE FALHA E TESTES DE DETECO

TESTE

TIPOS DE
ISOLAO

DP,
DESCOLORAO
DA ISOLAO
DP, GIRTH
CICLOS DE CARGA
CRACKING
DP, DESCARGAS
NA RANHURA,
PERDAS NO
OZNIO,
ENROLAMENTO
AFROUXAMENTO
DE CUNHAS
DP, DESCARGAS
DESCARGAS ELTRICAS
NA RANHURA,
NA RANHURA
OZNIO,

DP, INSPEO
VISUAL, tan , FP

MICA-ASFLTICA

DP, INSPAO
VISUAL, tan , FP

MICA-ASFLTICA

DP, INSPAO
VISUAL, CUNHAS
BATENDO,
OZNIO

SISTEMAS
DUROS
EPXI E
POLIESTER

IMPREGNAO
IMPRPRIA

DP

DP, tan , FP

DP, P BRANCO,
LEO E GRAXA

DP, INSPEO
VISUAL, RI, IP, HI- ESTRESSE DE
ALTA TENSO
POT, FP, tan

DP, P BRANCO,
OZNIO

DP, INSPEO
VISUAL

INTERFACE
SEMICONDUTIVA

DP, P BRANCO,
OZNIO

DP, INSPEO
VISUAL, FP, tan

VIBRAO EM FIM DE
ENROLAMENTO

PERDA DE
APERTO, P
BRANCO

MECANISMO DA FALHA

SINTOMAS

DEGRADAO TRMICA

CONTAMINAO NA
SADA DO
ENROLAMENTO
ESPAAMENTO
INADEQUADO ENTRE
BOBINAS

DP, INSPEO
VISUAL

MQUINAS
REFRIGERADAS
A AR
VACUUM
PRESSURE
IMPREGNATION
(VPI) GLOBAL,
BOBINAS COM
CARGA DE
RESINA

REFRIGERADA A
AR

REFRIGERADA A
AR COM TINTAS
DE CONTROLE
DE ESTRESSE
MQUINAS DE AT,
ACELERMETRO, COM
INSPEO
PROLONGAMENVISUAL
TOS E BRAOS?
(LONG E ARMS)

11

CARACTERSTICAS DAS DPs E MECANISMOS DE FALHA

MECANISMO DA PREDOMINNCIA
FALHA
DE POLARIDADE
DETERIORAO
SEM
TRMICA
CICLOS DE
NEGATIVA
CARGA
PERDAS NOS
POSITIVA
ENROLAMENTOS
DESCARGA
POSITIVA
BARRA/NCLEO
IMPREGNAO
SEM
INADEQUADA
CONTAMINAO
EM SADA DO
SEM
ENROLAMENTO
ESPAAMENTO
INADEQUADO
SEM
ENTRE BOBINAS
DETERIORAO
DE INTERFACE
POSITIVA
SEMICONDUTORA

EFEITO DA
CARGA

EFEITO DA
TEMPERATURA

NGULO DE
LOCALIZAO

SEM

INVERSO

45 e 225

INVERSO

INVERSO

45

DIRETO

INVERSO

225

SEM

INVERSO

225

SEM

INVERSO

45 e 225

SEM

IMPREVISVEL

15, 75, 195 e

255

SEM

IMPREVISVEL

15, 75, 195 e

255

SEM

DIRETO

225

12

LOCALIZAO DE CURTOS-CIRCUITOS ENTRE ESPIRAS DE

BOBINAS POLARES DE ROTORES, MOTORES, TFs...
Em regime, o calor e a fora centrfuga promovem curtos-circuitos entre as
espiras dos plos do rotor, provocando desbalanceamento e vibrao mecnica
no gerador. Quando o gerador pra para inspeo, o defeito dificilmente
localizvel com os mtodos usuais CC e CA.

ENSAIO DE RESPOSTA A IMPULSO

Princpio: Comparao das impedncias de surto de bobinas de mesmas
caractersticas (duas a duas), usando uma onda impulsiva.
Impedncias iguais ==> freqncias de ressonncia e oscilaes iguais.
Descrio do Instrumento. Comparador de Resposta a Impulsos, da Baker
Instrument Co. At 12 kVp e mdulo de expanso para 24 kV
Fo = 1 / ( 2

Freqncia de Ressonncia

LC

L
C

R
Fo

Circuito ressonante paralelo

Fo

Circuito ressonante srie

13

Circuito equivalente da isolao para resposta a impulso (alta freqncia)

Ondas coincidentes

Ondas no coincidentes

C Aplica-se tenso compatvel com o NBI do enrolamento. Em bobinas

rotricas, na Copel, o valor empregado 250 volts de pico.
U
I
D No caso de comparar polos desmontados, a simetria fundamental
(tomar cuidado com objetos ferrosos prximos aos polos ensaiados,
A
como por exemplo cubculos).
D
O Transformadores: a indutncia da bobina da perna central maior que a
S
das laterais.
14

TENSO APLICADA CC HY-POT EM GERADORES

Tenso de prova Up (mxima) = (2 x Unom) + 1
Acima de 26 kV o efeito corona influi fortemente: faixa inadequada
Primeiros 10 minutos: degrau inicial 0,3 x Up (mximo de 10 kV). Nos degraus
seguintes: acrscimos de 20 %
Ajuste para 90 ~ 95 % do valor (a tenso sobe, por efeito capacitivo)
Tempo de durao de cada degrau: Mtodo de Schleif. Consiste em
ajustar os tempos de aplicao dos degraus para conseguir uma reta
Leitura da corrente de fuga para 1, 3 e 10 minutos
Clculos:

C = [(I1 x I10) I32] / (I1 + I10 2 I3)

Relao de Absoro (N) = (I1 C) / (I10- C)
N ==> Tabela de tempos de aplicao
Aterramento: usar basto de aterramento com resistor entre 1 e 6 k / kV
Norma: aterrar durante 1 hora antes de testar a fase seguinte.

Discusso:
Segurana: Tempo para descarga total suficiente?
Controle da umidade e condio da superfcie?
Influncia da temperatura, correes, etc?
15

LEVANTAMENTO DE CARACTERSTICAS EM GERADORES

SHUNT

Iexc
DISJ.DE
CAMPO

Freq

TP

TP

TP

V1

V2

V3

SATURAO EM VAZIO CIRCUITO DE MEDIO

TC
SHUNT
TC

Iexc

VCC

TC

DISJ.DE
CAMPO

I1
Freq
I2
I3

RETA DE CURTO-CIRCUITO - CIRCUITO DE MEDIO

16

Curva de Saturao em Vazio

U
Reta de Curto-circuito

Linha de entreferro
A

Un

F
B

In

C
0

I (In)

D
I (Un)

I de Excitao

RELAO DE CURTO-CIRCUITO = I (Un) / I (In)

Comparao com dados do fabricante

ALGUNS PARMETROS TIRADOS DESTES ENSAIOS

REATNCIA SNCRONA DE EIXO DIRETO
NO SATURADA = AC / BC
SATURADA = ED / FD

17

18