Cincia dos Materiais

EMC028

Prof. Roberto B Figueiredo

sala: 3318
email: figueiredo-rb@ufmg.br

Bibliografia:

Cincia e Engenharia de Materiais: Uma

Introduo. William D. Callister, Jr.

Semana 1:
Definio de materiais
Caracterizao dos nveis estruturais
Relao processamento estrutura propriedades
Tipos de materiais
Evoluo tecnolgica dos materiais
Distino entre cincia e engenharia de materiais

Definio de material

Matria: substncia slida, lquida ou gasosa

da qual so formados todos os corpos que
ocupam lugar no espao.
Material: feito de ou prprio de matria;
aquilo do que feito algo.

Houaiss
Dicionrio da lngua portuguesa

Objetivo

A capacidade de manipulao de materiais para

atender nossas necessidades est diretamente
ligado ao nosso desenvolvimento.

Existem, atualmente, uma infinidade de materiais

com caractersticas especficas.

Este curso visa estudar os princpios que regem a

formao da estrutura e as propriedades dos
materiais.

Processamento
Mtodo de dar forma, unio ou acabamento a materiais.

Modificao da
forma inicial
Forma inicial

Soldagem;

Usinagem;
Fundio;

Unio

Conformao

Colagem;
Cimentao

Conformao;
Sinterizao;

Acabamento
superficial
Polimento;
Metalizao;

Tratamento trmico

Injeo em molde

Texturizao;
Pintura

Tmpera;
Recozimento;
Envelhecimento

Processamento

http://www.perfecta.art.br/GerdauB.jpg

Propriedades
Tipo e intensidade da resposta de um material
a um estmulo externo.
Fsicas

Mecnicas
Eltrica

Trmica

Magntica

Fluncia;

Condutividade;

Condutividade;

Resistividade;

Fratura

Const. dieltrica

Capacidade

Remanncia

Elasticidade;
Plasticidade;

tica

Deteriorativa

Refletividade;

Reatividade

ndice de refrao

qumica

Estrutura
A estrutura dos materiais no uma caixa-preta!
A estrutura possui diferentes nveis dimensionais:

Aspecto estrutural

Dimenso (m)

Ligao atmica

<10-10

tomo

10-10

Estrutura cristalina
(gros)

10-8 10-1

Poros

10-8 10-3

Partculas de segunda
fase

10-8 10-4

Caracterizao dos nveis estruturais

Aspecto estrutural

Dimenso (m)

Ligao atmica

<10-10

tomo

10-10

Estrutura cristalina (gros)

10-8 10-1

Poros

10-8 10-3

Partculas de segunda fase

10-8 10-4

Ligao

Tabela peridica;
eltrons de valncia.

Caracterizao dos nveis estruturais

Aspecto estrutural

Dimenso (m)

Ligao atmica

<10-10
10-10

tomo
Estrutura cristalina (gros)

10-8

10-1

Poros

10-8

10-3

Partculas de segunda fase

10-8 10-4

Tomografia por sonda de tomos;

Microscopia de fora atmica;
Microscopia eletrnica de alta resoluo

Caracterizao dos nveis estruturais

Aspecto estrutural

Dimenso (m)

Ligao atmica

<10-10

tomo

10-10

Estrutura cristalina (gros)

10-8 10-1

Poros

10-8 10-3

Partculas de segunda fase

10-8 10-4

Microscopia tica;
Raios-x;
Microscopia eletrnica

Caracterizao dos nveis estruturais

Aspecto estrutural

Dimenso (m)

Ligao atmica

<10-10

tomo

10-10

Estrutura cristalina (gros)

10-8

10-1

Poros

10-8

10-3

Partculas de segunda fase

10-8 10-4

Microscopia tica;
Raios-x;
Microscopia eletrnica

Caracterizao dos nveis estruturais

Aspecto estrutural

Dimenso (m)

Ligao atmica

<10-10

tomo

10-10

Estrutura cristalina (gros)

10-8 10-1

Poros

10-8 10-3

Partculas de segunda fase

10-8 10-4

Microscopia tica;
Raios-x;
Microscopia eletrnica

Estrutura Propriedades - Processamento

Processamento

Propriedades

Estrutura

Estrutura Propriedades - Processamento

XIDO DE ALUMNIO
Monocristal
(transparente)
Policristal
poroso
(opaco)

Policristal denso
(translcido)

Estrutura Propriedades - Processamento

(d)

Dureza (BHN)

600
500
400

(b)

(a)

4m

300
200
100

30 m

(c)

30 m

30 m

0.01 0.1
1
10 100 1000
Cooling
Rate (C/s)
Taxa de resfriamento
(oC/s)

Estrutura depende do processamento.

Propriedades dependem da estrutura.

Cincia ou Engenharia de Materiais

Processamento
Propriedades

Estrutura

Processamento
Propriedades
Estrutura

Tipos de materiais

Grandes grupos

Grupos adicionais

(composio qumica e
estrutura atmica):

(combinaes de materiais e
caractersticas peculiares):

Metais

Compsitos

Cermicos

Semicondutores

Vidros

Biomateriais

Polmeros
Elastmeros

Tipos de materiais
Metais:
Composio qumica: combinaes de
elementos metlicos
Tipo de ligao atmica: metlica
Caractersticas: bons condutores de calor e
eletricidade, superfcie espelhada
(quando polido), alta resistncia
mecnica, deformveis.

Tipos de materiais
Cermicos e Vidros:
Composio qumica: combinaes entre
elementos metlicos e nometlicos.
Tipo de ligao atmica:
predominantemente inica.
Caractersticas: tipicamente isolantes
trmicos e eltricos, resistentes a
altas temperaturas e ambientes
abrasivos, duros e quebradios.

Tipos de materiais
Polmeros e elastmeros:
Composio qumica: baseada no carbono,
hidrognio e outros elementos nometlicos.
Tipo de ligao atmica: ligaes covalentes
formam molculas e ligaes de
hidrognio e de van der Waals ligam
as molculas.
Caractersticas: baixa densidade, alta
flexibilidade, baixo ponto de fuso.

Tipos de materiais
Compsitos:
So combinaes de mais de um
tipo de material.
Caractersticas: Combinaes das
caractersticas de cada
material.

Tipos de materiais
Semicondutores:
Possui condutividade eltrica
intermediria entre os
condutores e os isolantes.
A condutividade destes materiais pode
variar significativamente com a
presena de pequenas
quantidades de impurezas.
O silcio um importante material
neste grupo.

Tipos de materiais
Biomateriais:
Materiais utilizados em implantes no
interior do corpo humano.
Todos os materiais (metais,
cermicos, polmeros,
compsitos e semicondutores)
podem ser usados como
biomateriais.
Caracterstica: no devem produzir
substncias txicas e devem
ser compatveis com os
tecidos do corpo.

Evoluo tecnolgica dos materiais

Modelo de tomo de Bohr

Eltrons
em rbita
orbital
electrons:
camada orbital
n n==principal
quantum number
n=3

2 1

Ncleo
Z = nmero de prtons
N = nmero de neutrons
Massa atmica = Z + N

Eltrons:
possuem estados energticos discretos

Increasing energy

tendem a ocupar os estados energticos disponveis mais baixos.

4p

n=4

4s

n=3

3s

n=2
n=1

2s
1s

3p
2p

3d

Eltrons:
Elemento

Smbolo

Nmero
Atmico

Configurao
Eletrnica

Hidrognio

1s1

Hlio

He

1s2

Carbono

1s22s22p2

Oxignio

1s22s22p4

Sdio

Na

11

1s22s22p63s1

Cloro

Cl

17

1s22s22p63s23p5

Argnio

Ar

18

1s22s22p63s23p6

Ferro

Fe

26

1s22s22p63s23p63d64s2

Tabela Peridica

Elementos eletropositivos:

Elementos eletronegativos:

Liberam eltrons facilmente

Adquirem eltrons facilmente

Adquirem 2 eltrons
Liberam 2 eltrons

Tabela Peridica

Adquirem
1 eltron
Elementos
estveis
Liberam 1 eltron

Ligao Inica

Ligao Covalente

Eltron do
Hidrognio

Eltron do
Carbono

Elementos que precisam de adquirir eltrons

para completar a camada de valncia podem
compartilhar seus eltrons.

Ligao Metlica
Ncleo do on

Nuvem de eltrons

Elementos que precisam ceder eltrons de

valncia podem formar estruturas com ncleos
positivos imersos em uma nuvem de eltrons.

Ligaes secundrias ou de Van der Waals

Ncleo atmico
Ncleo atmico

Nuvem de
eltrons
Nuvem de
eltrons

Dipolo atmico ou molecular

Ligaes

Tipo

Energia de ligao

Material

Inica

Alta

Cermicos

Covalente

Varivel
Alta-Diamante
Baixa-Bismuto

Cermicos,
semicondutores,
cadeias de polmeros

Metlica

Varivel
Alta-Tungstnio
Baixa-Mercrio

Metais

Secundria

Baixa

Entre cadeias de
polmeros

Estruturas cristalinas e amorfas

Materiais Slidos
Classificao: regularidade do arranjo dos tomos/ons/molculas
no espao.
Slidos cristalinos: os tomos/ons/molculas esto posicionados
em um arranjo tridimensional ordenado e repetitivo.
Slidos amorfos: no possuem arranjo atmico regular.

Slidos cristalinos
Metais

Todos

Cermicos

Muitos

Polmeros

Poucos

Clulas unitrias
Menor agrupamento de
tomos que se repete no
espao tridimensional.

As estruturas cristalinas so classificadas

de acordo com os parmetros de rede
da clula unitria:
Arestas: a, b, c
ngulos: , ,

Sistemas cristalinos

Cbico

Hexagonal

Tetragonal

Sistemas cristalinos
Rombodrico
(Trigonal)

Ortorrmbico

Monoclnico

Triclnico

Estrutura cbica de corpo centrado

4R

a 2

Nmero de Coordenao

Parmetro de rede

Fator de Empacotamento

a=4R/3

0,68

4R

Estrutura cbica de face centrada

Nmero de Coordenao

Parmetro de rede

Fator de Empacotamento

12

a=2R2

0,74

Estrutura hexagonal compacta

Nmero de Coordenao

Parmetro de rede

Fator de Empacotamento

12

a=2R
c/a = 0,633
(terica)

0,74

Direes Cristalogrficas:
Direo cristalogrfica definida por um vetor. Os ndices
de cada direo so determinados da seguinte forma:
-Um vetor paralelo posicionado a partir da origem do
sistema de coordenadas
-Determina-se as projees do vetor em cada eixo
-Esses nmeros so multiplicados ou divididos por um
fator para torn-los o menor inteiro possvel
-Os ndices so separados por vrgulas e colocados entre
colchetes.

Algumas direes, no paralelas, so equivalentes em

algumas clulas unitrias.

Estas direes so agrupadas como uma famlia

entre colchetes angulados: <100>

Cristais hexagonais possuem direes equivalentes que no

possuem os mesmos ndices.
Para resolver este problema utiliza-se um sistema de
coordenadas com quatro eixos, chamado de Miller-Bravais.

Planos cristalogrficos:
-So especificados por trs ndices entre parnteses.
-Planos paralelos so equivalentes e possuem ndices idnticos.
-Para determinar os ndices devemos traar um plano paralelo
que no passe pela origem do sistema de coordenadas.
-Determinamos os pontos de interseo entre o plano e os trs
eixos.
-Caso o plano no intercepte um eixo (seja paralelo a este
eixo) o ponto de interseo considerado infinito.
-Os ndices do plano sero o inverso dos pontos de interseo
(zero, no caso de interseo no infinito), aps reduo dos
ndices para o menor conjunto de valores inteiros.

Estruturas cristalinas em cermicos

Para materiais cermicos com ligao predominantemente inica
duas condies influenciam na estrutura cristalina obtida:
1. Cristal deve ser eletricamente neutro
2. Tamanho relativo entre ctions e nions

Estvel

Estvel

Instvel

Estruturas cristalinas em cermicos

AX

AX

AmXp

AmBnXp

NaCl, MgO, FeO

CFC

CsCl
Cbica Simples

CaF2, UO2, ThO2

Cbica Simples

BaTiO3, SrZrO3, SrSnO3

CFC

Estruturas cristalinas em cermicos

Nmero de
coordenao

Rcation/Ranion

<0.155

0.155
0.225

0.225
0.414

0.414
0.732

0.732 1.0

Defeitos pontuais

ZnS
(Blenda de zinco)

NaCl
(cloreto de sdio)

CsCl
(cloreto de csio)

Defeitos pontuais

Defeitos lineares

Defeitos lineares

Defeitos lineares

Tipos de superfcies

Tipos de superfcies

C.F.C.: ABCABCABCABC
H.C.: ABABABABAB

1. Inicial

2.Tenso

3. Final

tomos se
bonds
stretch
distanciam
return to
Retorno ao
initial

Deformao
elstica

estado inicial

bonds
tomos se
stretch
distanciam e h
&cisalhamento
planes
de
shear
planos
elastic
Elstico
e plstico
+ plastic

p lanes
Os planos
still
continuam
sheared
cisalhados
plastic
Plstico

Deformao
plstica

O cisalhamento dos planos atmicos ocorre por movimento de

defeitos da estrutura cristalina: as discordncias.
O movimento das discordncias ocorre por quebras localizadas
das ligaes e formao de novas ligaes sucessivamente.

Discordncias cisalham os planos em pequenos passos.

Durante o movimento no plano a discordncia separa a
parte cisalhada da parte no cisalhada.
Aps cruzar todo o plano a discordncia deixa uma
deformao plstica do tamanho de um plano atmico.

Deformao por
cisalhamento

Deformao por
trao

Discordncias e tipos de ligaes atmicas

Metalica:
Movimento fcil
Ligaes no direcionais e
elevado empacotamento
(pequena distncia entre tomos)

+
+

+
+

+
+

+
+

+
+

+
+

Covalente:
Movimento difcil
Ligaes direcionais
Inica:
Movimento difcil
Tem que evitar vizinhos ++ e --

repulso

Compresso
Trao
Atrao

Discordncias se anulam
(cristal perfeito)

A interao entre os campos de tenses das discordncias e

da rede cristalina determina a tenso necessria para a
deformao plstica.

N lacunas = N sitios exp lacuna

kT

Constante de
Boltzman

Temperatura (K)

Todo metal tem um nmero de lacunas em equilbrio.

A quantidade de lacunas aumenta com a temperatura.

Exerccio:
Qual a quantidade de lacunas
em equilbrio no Cobre a 600 K?
Qlacuna=0,52 eV/tomo
k = 8,62 x 10-5 eV/tomo/K
Densidade, = 11,49 g/cm3
massa atmica, A = 207,19 g/mol

N sitios

N A 6,023 10 23 atomos / mol 11,49 g / cm 3

=
=
A
207 g / mol

N sitios = 3,3 10 28 atomos / m 3

Q
N lacunas = N sitios exp lacuna
kT

0,52eV / atomo

N lacunas = 3,3 10 28 atomos / m 3 exp

5
8,62 10 eV / atomo / K 600 K
N lacunas = 14,26 10 23 / m 3

Incio

100%

Cu

Aps algum tempo

Ni

Perfil de concentrao

100%

0
Perfil de concentrao

tomos tendem a migrar de regies de maior

concentrao para regies de menor concentrao.

Auto-difuso: os tomos de um slido elementar tambm migram.

Incio

Aps algum tempo

C
A
D
B

C
D

A
B

Difuso substitucional:
Ocorre em impurezas substitucionais
Os tomos trocam de lugar com lacunas
A taxa de difuso depende:
quantidade de lacunas
Energia de ativao para a troca

Tempo

Simulao de difuso substitucional

A taxa de difuso depende da quantidade de lacunas

e frequncia de trocas entre tomos e lacunas.

Difuso intersticial:
Ocorre em impurezas intersticiais
No depende de lacunas
mais rpida do que difuso
substitucional.

A difuso utilizada em alguns processos de forma a alterar as

propriedades de materiais.
Metais:

Semi-condutores:

Difuso de tomos de carbono numa matriz de ferro.

Travam os planos de
cisalhamento

1. Depsito de camadas
ricas em P na superfcie.

Si
2. Aquecimento

Geram tenses de
compresso.

3. Resultado: regies
semi-condutoras.

Si

possvel quantificar e prever a ocorrncia de difuso.

Concentrao
Depende da quantidade de
elementos numa regio.

Substitucional
ou intersticial

Depende da mobilidade dos

elementos.

Temperatura
Depende da distncia percorrida
pelo elemento

Tempo

Difuso em estado estacionrio

Placa de metal
Gas com
presso PB
Gas com
presso PA

Direo
de
difuso

Concentrao de espcie em difuso, C

PA>PB

Posio, x

No estado estacionrio a quantidade de espcie em difuso que entra

de um lado da placa igual a quantidade que sai do outro lado.

Primeira lei
de Fick:

Fluxo de
difuso

J=

dC
dx

Gradiente de
concentrao

Coeficiente
de difuso

Qual o fluxo de carbono

atravs da placa de ao?

3
/m
g
k
3
.2
m
=1
kg /
8
C1
.
=0
Estado estacionrio
C2
= linha reta

Gas pobre
em carbono

0 x1 x2
m
m
10
m
5m

kg
atoms
1 dM

or

2
A dt
m s
m2 s

Gas rico em carbono

J x = D

Placa de ao a 700 oC

J = D

D=3x10 -11 m 2 /s

kg
C2 C 1 =
2 .4 10 9
x2 x 1
m 2s

Concentrao de espcie em difuso

Difuso em estado no-estacionrio

Concentrao superficial, Cs

Equao geral:

dC
d 2C
=D 2
dt
dx
Concentrao inicial, C0

Concentrao, C

Distncia, x

Distncia, x

Endurecimento superficial de
peas de ao feito por
difuso de carbono.

x
C(x, t) Co =

1 erf
2 Dt
C s Co

Concentrao na profundidade x
aps o tempo t

Funo erro de Gauss

Exemplo (carbonetao):
Liga de ao com 0,25%p de Carbono

C x C0
x
= 1 erf

C s C0
2 Dt

C0 =0,25%p C
Cs =1,2%p C

Temperatura de tratamento: 950 oC

(nesta temperatura a difuso de
carbono no ferro 1,6x10-11 m2/s)
Atmosfera com 1,2%p de carbono
durante tratamento.
Quanto tempo ser necessrio para
atingir uma concentrao de 0,8%p a
uma profundidade de 0,5 mm?

Cx =0,8%p C
x=0,5mm=5x10-4 m
D= 1,6x10-11 m2/s

C x C0 0,8 0,25
5 10 4 m
=
= 1 erf

11 2
C s C0 1,2 0,25
2 1,6 10 m / s (t )

62,5s1/ 2

0,421 = erf
t

62,5s1/ 2
= 0,392
t
2

62,5s1/ 2
= 25400s = 7,1horas
t =
t

z = 0,392

Temperatura (oC)

Coeficiente de difuso (m2/s)

Difuso intersticial

O coeficiente de difuso
aumenta com o aumento
da temperatura.

Difuso intesticial mais

rpida do que
substitucional.

Difuso substitucional

Reciproco da temperatura (1000/K)

Exerccio (carbonetao):
Liga de ao com 0,10%p de Carbono
Temperatura de tratamento: 800 oC
Atmosfera com 1,2%p de carbono durante tratamento.
(a) Quanto tempo ser necessrio para atingir uma concentrao de 1,0%p a
uma profundidade de 0,5 mm?

(b) Qual a concentrao de Carbono a uma profundidade de 0,3 mm aps 1

hora de carbonetao?