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Imprim le 24/02/08

LES TRANSISTORS
BIPOLAIRES

TRANSIST.DOC

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DESTIN PL

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GENERALITES
Certains transistors peuvent fonctionner jusqu des
frquences de 5GHz ou des puissances de 300W.
Des milliers de fonctions lmentaires base de transistors
peuvent tre intgrs sur une mme pastille. Ces pastilles
sont appeles cicuits-intgrs.
Exemple :
- Pour traiter le signal lectrique trs faiblement reu par
une antenne, la radio est constitue de plusieurs tages
amplificateurs transistor.
- Afin de pouvoir contrler la vitesse dun petit moteur
lectrique, un variateur lectronique utilise un transistor
comme interface de puissance.

HISTORIQUE
Le transistor a t officiellement invent en 1948, dans les
laboratoires de Bell Telephone, par les trois physiciens
amricains suivants :
- Brattain Walter Houser (1902-87), n Amoy en Chine,
- Bardeen John (1908-91), n Madison, Wisconsin,
- Shockley William Bradford (1910-89), n Londres.
Shockley fut linitiateur et le directeur du programme de
recherche sur les semi-conducteurs, qui amena la
dcouverte du transistor.
Les premiers transistors ont t commercialiss en 1952.
Pour leurs travaux, les trois physiciens amricains ont reu
le prix Nobel de physique en 1956.

CONSTITUTION INTERNE
Transistor NPN

SYMBOLES
NPN

Transistor PNP

B E
C

PNP

N
B

B E
C

PN

NP

Collecteur
E

Collecteur

PRINCIPE DE BASE

Base

Le transistor fonctionne en amplificateur du courant


lectrique. Les variations dun courant de base, sont
reproduites par un courant plus grand.

N
P
N

Base

Emetteur

P
N
P
Emetteur

Le transistor est constitu par un cristal semi-conducteur


dans lequel trois zones sont respectivement dopes en
porteurs N,P,N ou P,N,P.
Ces trois zones successives sont nommes :
- Le collecteur,
- La base,
- Lmetteur.
Deux jonctions NP et PN, apparaissent dans ce cristal,.

Collecteur
Base

Emetteur

NPN

PNP

En lectronique, le transistor permet damplifier le signal


lectrique qui vhicule une information.
B

APPLICATIONS
De nos jours le transistor est le composant de base en
lectronique. Il permet la ralisation structurelle de toutes les
fonctions lmentaires concernant les signaux lectriques.
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Ces jonctions sont rendues passantes suivant la polarit des
tensions qui leur sont appliques.

vbe = h11 ib+ h12 vce


ic = h21 ib + h22 vce

ou :

MISE EN UVRE ELECTRIQUE

ib = Y11 vbe+ Y12 vce


ic = Y21 vbe + Y22 vce

PRINCIPE DE LA POLARISATION
Le transistor doit tre aliment en nergie lectrique.
Linformation est reprsente par de petites variations
lectriques, autour du point de polarisation moyenne.
Le point de polarisation moyenne du transistor, est calcul
pour satisfaire la rgle suivante :
La jonction Base/Emetteur est polarise en directe (PN) et la
jonction Collecteur/Base est polarise en inverse (NP).
La polarit de lalimentation dun transistor PNP est donc
oppose par rapport celle dun transistor NPN.
Dans le cadre dune polarisation correcte du transistor, le
rapport entre le courant collecteur et base (Ic/Ib) est constant
et compris entre 20 et 500. Ce rapport reprsente le gain en
courant du transistor, il est not b ou H21.

LES CLASSES DE POLARISATION STATIQUE


Un tage amplificateur transistor peut utiliser diffrents
principes de polarisation. Suivant la position du point de
repos sur la caractristique Ic = f(Vbe) du montage, on
distingue quatre classes principales de polarisation : Classe
A, Classe B, Classe AB, Classe C.
POINTS DE REPOS
1A

Ic = f(Vbe)

NOTATION DES GRANDEURS ELECTRIQUES

Classe A
GRANDEURS STATIQUES.

0,5A

Classe B
Classe C

Classe AB

0,5V

Les quations de fonctionnement statique du transistor


scrivent :

Ic = b Ib ou
Ic = H21 Ib
Ie = Ic + Ib = (H21 + 1) Ib
Vce = Vcb + Vbe
Avec :

Vbe 0,7V pour les transistors au silicium.


Vbe 0,2V pour les transistors au germanium.
GRANDEURS DYNAMIQUES.

1V

CLASSE A
La polarisation est calcule pour que le courant Ic ne
sannule jamais. Le point de repos est choisi assez haut sur
la caractristique Ic =

f(Vbe).

CLASSE B
Cette classe utilise une paire complmentaire de transistors
NPN et PNP.
La polarisation de chaque transistor NPN ou PNP, est
calcule pour que le courant Ic sannule pendant une
alternance respectivement ngative ou positive du signal. Le
point de repos est choisi lorigine de la caractristique Ic =

f(Vbe).
CLASSE AB
En rgime de petits signaux (dynamique), seules les
variations des grandeurs lectriques sont prises en compte.
Les quations de fonctionnement linaire du transistor
scrivent :

ie = ic + ib
vce = vcb + vbe
TRANSIST.DOC

Comme la classe B, cette classe utilise une paire de


transistors complmentaires, NPN et PNP.
La polarisation de chaque transistor NPN ou PNP, est
calcule pour que le courant Ic sannule pendant une
alternance respectivement ngative ou positive du signal. Le
point de repos est ici choisi la limite de la conduction sur
la caractristique Ic =

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f(Vbe).
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SYMBOLE

CLASSE C

La polarisation du transistor est calcule de faon ce que le


courant Ic sannule pendant une alternance du signal. Le

DESIGNATION

h11

Rsistance dentre
base/metteur

h21
1/h22

Gain en courant
Rsistance
collecteur/metteur
Capacit de jonction
collecteur/base
Capacit de jonction
base/metteur

point de repos est choisi lorigine de la caractristique Ic =

f(Vbe). Cette classe peut tre utilise pour redresser un


signal modul en alternatif.

Ccb

MODELES DYNAMIQUES

Cbe

MODELISATION EN BASSE FREQUENCE

ic

qq1 pF
qq 10 pF

Ccb

C
h11

1/h22

h12 vce

h21 ib

Ib rbb B

rbe

rcb
Cbe rce

ie
SYMBOLE

Ut/Ib W
Ut=26m
V
20 500
10 100 kW

SCHEMA NATUREL DE GIACOLLETTO

ib

VALEUR

DESIGNATION

h11

Rsistance dentre
base/metteur

h12
h21
1/h22

Raction en tension
Gain en courant
Rsistance
collecteur/metteur

VALEUR

Ic
C
gmVbe
Ie

SYMBOLE

DESIGNATION

rbe

Rsistance de
jonction
base/metteur
Capacit de jonction
base/metteur
Rsistance de
connexion de base
Rsistance de
jonction
collecteur/base
Capacit de jonction
collecteur/base
transconductance
Rsistance
collecteur/metteur

Ut/Ib W
Ut=26m
V
0,1 1
20 500
10 100 kW

cbe
rbb
rcb

Pour de faibles variations (rgime de petits signaux) autour


dune polarisation moyenne (point de repos), les quations
de fonctionnement du transistor scrivent :

ccb

vbe = h11 ib+ h12 vce


ic = h21 ib + h22 vce
ie = ic + ib

gm
rce

VALEUR

Ut/Ib W
Ut=26mV
qq10 pF
qq 10 W
qq1 MW

qq1 pF
qq100 mA/V
10 100 kW

H12 a une influence gnralement ngligeable et, il nen


sera pas tenu compte par la suite.
MODELISATION EN HAUTE FREQUENCE
SCHEMA EQUIVALENT SIMPLIFIE

Ccb

Ib

1/h22

Cbe
h11

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Ic
h21Ib
Ie

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PRINCIPAUX ETAGES A TRANSISTOR EN


CLASSE A
fuite de la jonction CB double tous les 7C pour les
transistors silicium et tous les 10C pour les transistors au
germanium. On pose la relation :

EMETTEUR COMMUN

dIc = S dIcb + S 'dVbe

Le schma quivalent suivant permet de calculer la valeur de


S et S.

S : Coefficient de stabilit en courant de


fuite
S = dIc / dIcb

Dans le montage ci-dessus, metteur commun, le transistor


est polaris en classe A. Le courant collecteur ne sannule
jamais dans des conditions normales dutilisation. La
polarisation du transistor est calcule pour que la tension
Vce au repos, soit proche de Vcc/2.

en ngligeant H22,

dIcb

1
1
1
+
+

[(H 21 + 1)R3 + H 11] R1 R 2


dIcb
dIb =

1
1

1 + [(H 21 + 1)R3 + H 11] +


R1 R 2

dIb[(H 21 + 1)R3 + H 11] =

CALCUL THEORIQUE DU POINT DE REPOS.


En labsence de signal dentre, les grandeurs physiques sont
statiques. Les condensateurs sont quivalents des
interrupteurs ouverts et isolent les tensions continues.
La tension Vbase/masse est fixe par le pont diviseur R1/R2.
En ngligeant le courant dans la base du transistor :

dIc = H 21.

+ dIcb

1
1
[
(
)
]
H
R
H
1
+
21
+
1
3
+
11
+

R1 R 2

H 21
+1
S=
1

1 + [(H 21 + 1)R3 + H 11] +


R1 R 2

R2
Vbm = Vcc
R1 + R2
La tension continue Vbase/metteur est considre constante
gale 0,7V.

Vem = Vbm - Vbe

R3 permet de fixer le courant dans lmetteur.

Ie = Ic + Ib = (H21 + 1) Ib =

dIc = H 21.dIb + dIcb


dIcb

Vem
R3

Vbm-Vbe
R3
Vce Vcc- (R4 + R3) Ic

H 21

1
1
+

1 + H 21. R3
R1 R 2

S : Coficient de stabilit en tension de


jonction
S = dIc / dVbe

Ic Ie =

en ngligeant H22,

ETUDE THEORIQUE DE LA STABILITE DU POINT DE REPOS EN


FONCTION DE LA TEMPERATURE.
La rsistance R3 assure galement une raction contre les
effets thermiques sur la polarisation moyenne du transistor.
Quand la temprature augmente la tension Vbe diminue de
2mV/C quelque soit le transistor. De plus, le courant de
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dIb =

- dVbe

1
[(H 21 + 1)R3 + H 11] + 1

R1 R2
dIc = H 21.dIb

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- dVbe

dIc = H 21.

Av =

1
[(H 21 + 1)R3 + H 11] + 1
1

R1 R 2
- H 21
S' =

1
[(H 21 + 1)R3 + H 11] + 1
1

R1 R2
- H 21
S'
R1. R2
H 21R3 +
R1 + R2

Grandeur
R1
R2
R3
R4
H21
Vbe
Vcc
Vbm
Vem
Ic
Vce

S
S

1
h11 h22 +
R4

- h21 R4
Av
h11

Re : impdance vue de lentre


Re = vbm / ientre
Re =

Formule

Valeur
33kW
10kW
1kW
2,2kW
100
0,7V
12V
2,7V

R2
R1 + R2
Vbm - Vbe

Vcc

vbm
ientre

1
1
1
1
+ +
h11 R1 R2

Re h11

Rs : impdance vue de la sortie


Rs = vcm / isortie
isortie = vcm/R4 + vcm h22
Rs =

vcm
=
isortie

1
h22 +

Rs R 4

2V
2mA

Vbm-Vbe
R3
Vcc- (R4 + R3) Ic

H 21
1

1 + H 21. R3 +
R1 R2

- H 21
R1. R2
H 21R3 +
R1 + R2

- h21

vcm
=
vbm

1
R4

Ai : amplification en courant

5,6V
7,1

Vcm
I utile
R4
Ai =
=
I entre Vbm
Re
V
R
R
Ai = cm e = Av e
Vbm R4
R4

-0,9mA/V

CALCUL THEORIQUE EN REGIME DYNAMIQUE

Ai

En rgime de petits signaux, les condensateurs doivent se


comporter comme des courts-circuits la frquence du
signal utilis. On en dduit le schma quivalent suivant :

- h21 R4 h11

h11
R4

Ai -h21
COLLECTEUR COMMUN

Av : amplification en tension
vbm = vbe = h11 ib
vcm =

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- h21 ib
1
h22 +
R4
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CALCUL THEORIQUE EN REGIME DYNAMIQUE
En rgime de petits signaux, les condensateurs doivent se
comporter comme des courts-circuits la frquence du
signal utilis. On en dduit le schma quivalent suivant :

Dans le montage ci-dessus, collecteur commun, le


transistor est polaris en classe A. Le courant collecteur ne
sannule jamais dans des conditions normales dutilisation.
CALCUL THEORIQUE DU POINT DE REPOS.

Av : amplification en tension

En labsence de signal dentre, les grandeurs physiques sont


statiques. Les condensateurs sont quivalents des
interrupteurs ouverts et isolent les tensions continues.
La tension Vbase/masse est fixe par le pont diviseur R1/R2.
En ngligeant le courant dans la base.

Vbm = Vcc

vbm - vem = vbe = h11 ib


vem =

R2
R1 + R2

Av =

Vem = Vbm - Vbe


La tension continue Vbase/metteur est considre constante
gale 0,7V.
R3 permet de fixer le courant dans lmetteur.

Ie = Ic + Ib = (H21 + 1) Ib =

Vem
R3

Vem
Ic
Vce

R2
R1 + R2
Vbm - Vbe

Vcc

Vbm-Vbe
R3
Vcc- R3 Ic

Valeur
33kW
10kW
1kW
100
0,7V
12V
2,7V
2V
2mA
7,6V

1
R3

vem
vem
1
=
=
vbm vbe + vem vbe
+1
vem
1
h11 ib
1+
(h21 + 1) ib

1
h22 +
R

3
1
Av =

h11 h22 +
R3

1+

h21 + 1

Vbm-Vbe
R3
Vce Vcc- (R3 Ic )
Formule

h22 +

Av =

Ic Ie =

Grandeur
R1
R2
R3
H21
Vbe
Vcc
Vbm

(h21 + 1) ib

Av

Re : impdance vue de lentre


Re = vbm / ientre
ientre = vbm/R1 + vbm/R2 + ib
ib = (vbm - vem) / h11
ib = vbm (1 - vem /vbm) / h11
ib = vbm (1 - Av) / h11
ientre = vbm/R1 + vbm/R2 + vbm(1 - Av) / h11
Re = 1 / [1/R1 + 1/R2 + (1 - Av) / h11]
Re 1 / [1/R1 + 1/R2]
Rs : impdance vue de la sortie

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Rs = vem / isortie
isortie = vem/R3 + vem h22 - (h21 + 1) ib
ib = - vem / h11
isortie = vem/R3 + vem h22 + vem (h21 + 1) /
h11
Rs = 1 / [1/R3 + h22 + (h21 + 1)/h11]
Rs h11 / h21
Ai : amplification en courant
Ai = iutile / ientre = (vcm /R3 ) / (vbm/
R e)
Ai = (vcm / vbm) / (R3 / Re) = Av
(Re / R3)
Ai = {1 / R3[1/R1 + 1/R2 + (1 - Av) / h11]}
/
{1 + [h11(h22+1/R3) / (h21+1)]}
Ai [1 / (1/R1 + 1/R2)] / [R3 + h11/h21]
BASE COMMUNE

Av : amplification en tension
vem = -vbe = -h11 ib
vcm = -ic R4
ic = h21 ib + h22(vcm - vem)
vcm = -R4 [h21 ib + h22(vcm - vem)]
vcm = -R4 [-h21 vem/h11 + h22(vcm vem)]
vcm (1 + R4 h22) = vem R4 (h21 / h11 + h22)
Av = vcm / vem = R4 (h21/h11 + h22) / (1 +
R4h22)
Av h21 R4 / h11
Re : impdance vue de lentre
Re = vem / ientre
ientre = vem/R3 + vem(h21+1)/h11+
h22(vem - vcm)
ientre = vem/R3 + vem(h21+1)/h11+
vem h22(1 - Av)
Re = 1/[ 1/R3 + (h21+1)/h11+ h22(1 - Av)]
Re h11 / (h21+1)
Rs : impdance vue de la sortie
Rs = vcm / isortie
isortie = vcm/R4 + vcm h22
Rs = 1/(h22+1/R4)
Rs R 4

Dans le montage ci-dessus, base commune, le transistor est


polaris en classe A. Le courant collecteur ne sannule
jamais dans des conditions normales dutilisation. La
polarisation du transistor est calcule pour que la tension
Vce au repos soit proche de Vcc/2.
CALCUL THEORIQUE EN REGIME DYNAMIQUE
En rgime de petits signaux, les condensateurs doivent se
comporter comme des courts-circuits la frquence du
signal utilis. On en dduit le schma quivalent suivant :

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Ai : amplification en courant
Ai = iutile / ientre = (vcm /R4 ) / (vem/
R e)
Ai = (vcm / vem) (Re / R4) = Av
(Re / R4)
Ai = [(h21/h11 - h22) / (1 + R4h22)] /
[ 1/R3 + (h21+1)/h11+ h22(1 - Av)]
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Ai 1
RECAPITULATIF DES TROIS
MONTAGES EN CLASSE A
Av
Emetteur
Commun
Collecteur
Commun
Base
Commune

Re

Ai

Rs

-h21R4/h11

h11

R4

-h21

h21R3

h11/h21

h21

h21R4/h11

h11/h21

R4

Ce tableau permet de prciser la fonction principale assure


pour chacun des tages prcdents.
Lmetteur Commun est un amplificateur en puissance.
Le collecteur commun fonctionne uniquement en
amplificateur de courant.
La base commune fonctionne uniquement en amplificateur
de tension haute frquence de coupure.

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AUTRES MONTAGES
ic = h21 ib
ic = h21 [(h21+1) R1/(R1 + h11)] ib
Ai = h21 + h21 [(h21+1) R1/(R1 + h11)]
Ai h21h21 R1/(R1 + h11)

MONTAGE EN DARLINGTON

MONTAGE EN SUPERCOLLECTEUR
COMMUN

Q est un transistor de puissance. Q est command par


lintermdiaire du transistor driver Q.
La rsistance R1 assure lvacuation des courants de fuite,
en dehors de la jonction base/metteur du transistor de Q.
CALCUL THEORIQUE EN REGIME DYNAMIQUE
En rgime de petits signaux, on dduit le schma quivalent
suivant:

Q est un transistor de puissance. Q est command par


lintermdiaire du transistor driver Q.
La rsistance R1 assure lvacuation des courants de fuite,
en-dehors de la jonction base/metteur du transistor de Q.

CALCUL THEORIQUE EN REGIME DYNAMIQUE


En rgime de petits signaux, on dduit le schma quivalent
suivant :

Ce montage avec ses deux transistors, est quivalent un


super composant qui aurait les caratristiques principales
suivantes en ngligeant linflence de h22 et h22 :

Re : impdance vue de lentre


Re = vbm / ib
vbm = vbe + vbe
vbm = [h11 + (h21+1)/( 1/R1 + 1/h11)] ib
Re = h11 + (h21+1)/( 1/R1 + 1/h11)
Re h21 / ( 1/R1 + 1/h11)

Ce montage avec ses deux transistors, est quivalent un


super composant qui aurait les caractristiques principales
suivantes en ngligeant linfluence de h22 et h22 :

Re : impdance vue de lentre


Re = vbm / ib
Re = h11

Ai : amplification en courant
Ai = (ic + ic) / ib
ic = h21 ib
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Ai : amplification en courant
Ai = -ie / ib
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ie = [(h21+1) + (h11/R1)] ib
ib = -[h21 /(1 + h11/R1)] ib
ie = [(h21+1) + (h11/R1)]
-[h21 /(1 + h11/R1)] ib
Ai = h21[h21+1 + h11/R1] / (1 + h11/R1)
Ai h21h21 R1/(R1 + h11)

PUSH-PULL EN CLASSE B

Dans ce montage, deux transistors complmentaires sont


monts en collecteur commun. Chaque alternance est
amplifie respectivement, par un transistor pendant que
lautre est bloqu. Pendant la commutation entre les
transistors, au voisinage du point de repos, aucun des
transistors ne conduit. Ceci provoque une distorsion dite de
Cross-Over .

Dans ce montage, deux transistors complmentaires sont


monts en collecteur commun. Chaque alternance est
amplifie respectivement, par un transistor pendant que
lautre est bloqu. Au point de repos, les transistors sont
polariss par les diodes D1 et D2, la limite de la
conduction. La commutation entre les transistors se fait plus
rapidement. On n'observe pratiquement pas de distorsion de
Cross-Over . Les rsistances R3 et R4 limitent le courant
de conduction des transistors au repos.

GENERATEUR DE COURANT

PUSH-PULL EN CLASSE AB

Les grandeurs physiques sont statiques. Les condensateurs


sont quivalents des interrupteurs ouverts et isolent les
tensions continues.
La tension Vbase/masse est fixe par la tension aux bornes
des diodes D1 et D2.
En ngligeant le courant dans la base.

Vbm = 2 Vd
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La tension continue Vd est considre constante gale
0,7V.

Vem = Vbm - Vbe


La tension continue Vbase/metteur est considre constante
gale 0,7V.
R1 permet de fixer le courant dans lmetteur.

Ie = Ic + Ib = (H21 + 1) Ib = Vem / R1
Ic Ie = (Vbm - Vbe) / R1
Is -(2 Vd - Vbe) / R1
GNRATEUR DE TENSION
CALCUL THEORIQUE EN REGIME DYNAMIQUE
Soit le schma quivalent suivant en ngligeant linfluence
de h22 et h22 :

Les grandeurs physiques sont statiques.


La tension Vbase/metteur est fixe par le pont diviseur
R1/R2.
En ngligeant le courant dans la base.

Vbe = Vce R2/(R1+R2)


La tension continue Vbase/metteur est considre constante
gale 0,7V.

Vce Vbe (R1+R2)/R2


R3 permet de limiter le courant dans le collecteur.

Ic = (Vcc - Vce) / R3
MIROIR DE COURANT

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Ai : amplification en courant
Ai = is / i
vbm = [h11 + (h21+1)R1] ib
vbm = [h11 + (h21+1)R2] ib
i = ib + ib + h21 ib h21 ib
ib = vbm / [h11 + (h21+1)R2]
ib = ib [h11 + (h21+1)R1] /
[h11 + (h21+1)R2]
ib = i [h11 + (h21+1)R1] /
{h21[h11 + (h21+1)R2]}
is = -h21 ib
is = i {-h21[h11 + (h21+1)R1]} /
{h21[h11 + (h21+1)R2]}
Ai = {-h21[h11 + (h21+1)R1]} /
{h21[h11 + (h21+1)R2]}
Ai - R1 / R2

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EMETTEUR COMMUN EN CLASSE C

Av : amplification en tension
vbm = vbe = h11 ib
vcm = -h21ib / (h22+ YC3 + 1/R3)
Av = vcm / vbm = -h21 / h11(h22+ YC3 +
1/R3)
Re : impdance vue de lentre
Re = 1/(1/h11 + 1/R2 )

Dans le montage ci-dessus, metteur commun, le transistor


est polaris en classe C. La polarisation du transistor est
calcule de faon ce que le courant Ic sannule pendant
une alternance du signal. Le point de repos est choisi
lorigine de la caractristique Ic =

Rs : impdance vue de la sortie


Rs = 1/(h22+ YC3 + 1/R3)

f(Vbe).

CALCUL THEORIQUE DU POINT DE REPOS.


En labsence de signal dentre, les grandeurs physiques sont
statiques. Les condensateurs sont quivalents des
interrupteurs ouverts et isolent les tensions continues.
La tension Vbase/masse est fixe par R2.

Vbm = 0V
Vem = 0v

Pour les alternances ngatives de Vbm Le transistor est


bloqu.

EMETTEUR COMMUN EN LOGIQUE


BINAIRE SATURE/BLOQUE

La tension continue Vbase/metteur est nulle, le transistor ne


conduit pas pendant le point de repos.

Ie = Ic + Ib = 0
Vce = Vcc
Grandeur
Ic
Vce

Formule
Vcc

Valeur
0mA
12V

CALCUL THEORIQUE EN REGIME DYNAMIQUE


En rgime de petits signaux, les condensateurs C1, C2 et C4
doivent se comporter comme des courts-circuits la
frquence du signal utilis.
Le condensateur C3 est calcul pour filtrer les composantes
de frquence suprieure la bande utile.
Pour les alternances positives de Vbm, on dduit le schma
quivalent suivant:

Dans le montage ci-dessus, metteur commun, le transistor


est polaris en classe C. La tension dentre volue entre
deux niveaux statiques reprsentatifs des tats logiques 0
et 1 .

Ventre 0,5v Etat Logique = 0


Ventre 2,5v Etat Logique = 1
CALCUL DU POINT DE POLARISATION POUR VENTREE 0,5V
La tension Vbase/masse est fixe par Ventre, travers le pont
diviseur R1/R2. En ngligeant le courant dans la base.

Vbe = Vbm = Ventre R2/(R1+R2)


Vbe < 0,5v
Le transistor est bloqu.
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Ie = Ic + Ib = 0
Vsortie = Vce = Vcc
Vsortie 2,5v <=> Etat Logique = 1
Rs : impdance vue de la sortie
Rs = R3
CALCUL DU POINT DE POLARISATION POUR VENTREE 2,5V
La tension continue Vbase/metteur est considre constante
gale 0,7V.
Le courant dans la base est fix par Ventre, travers R2.

Ib = (Ventre - Vbe)/R1 -Vbe/R2


Ib > Vcc / (H21 R3 )
Le transistor est satur.
R3 permet de fixer le courant dans le collecteur.

Vce = VceSAT 0,5v


Ic = (Vcc - VceSAT) / R3
Vsortie = VceSAT
Vsortie 0,5v <=> Etat Logique = 0
Afin dassurer la saturation du transistor, la polarisation est
calcule dans le respect de la rgle suivante :

Ib = k Ic / H21
k : Coefficient de sursaturation
3k5

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