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EC5E01
CONDUCCIN EN SEMICONDUCTORES............................................................................................ 1
MOVILIDAD Y CONDUCTIVIDAD. .................................................................................................... 1
DENSIDAD DE CORRIENTE. ............................................................................................................. 2
CONDUCTIVIDAD: LA LEY DE OMH................................................................................................. 2
LOS HUECOS Y LOS ELECTRONES EN UN SEMICONDUCTOR INTRNSECO........................................ 3
El Hueco. .................................................................................................................................... 3
IMPUREZAS DONADORAS Y ACEPTADORAS.................................................................................... 4
Aceptadoras ................................................................................................................................ 5
LEY DE ACCIN DE MASAS.............................................................................................................. 5
LEY DE NEUTRALIDAD DE CARGA.................................................................................................. 6
PROPIEDADES ELCTRICAS DEL GE Y DEL SI. ................................................................................ 6
CONDUCTIVIDAD: ........................................................................................................................... 6
Conduccin en Semiconductores.
En los semiconductores, la corriente se debe a dos procesos diferentes: corriente por
arrastre o deriva debida a la influencia de un campo elctrico, y corriente por difusin como
resultado de un gradiente de concentracin no uniforme. En cuanto a los materiales que se
analizan, estos se limitan al Germanio y al Silicio que son los ms utilizados en la
construccin de semiconductores.
Movilidad y Conductividad.
En un metal, los electrones de conduccin son libres, por lo tanto su atraccin hacia un
tomo en particular es prcticamente nula. As la cantidad de electrones libres tiene un
comportamiento que se ha explicado bajo la teora de gas-electrnico de un metal. De
acuerdo a esta teora, los electrones estn en continuo movimiento: su direccin y trayectoria
cambian con cada colisin con los iones. La distancia media entre colisiones se denomina
recorrido libre medio.
Electrones
de Valencia
libres.
Zona de
iones.
Figura 2.1. Colocacin esquemtica de los tomos en un plano del metal (tomos monovalentes). Los
puntos negros representan el gas electrnico, y cada tomo ha contribuido con un electrn a este gas.
Clase 2
Como el movimiento es al azar, es posible que muchos electrones pasen por unidad de
rea en una determinada direccin y a la vez en direccin opuesta. Por lo tanto la corriente
media es cero.
Cmo cambia la situacin si se aplica al metal un campo elctrico constante ? (volts
por metro). Como resultado de las fuerzas electrostticas, los electrones se aceleran y la
velocidad crecera indefinidamente si no fuera por la colisin con los iones. En cada colisin
inelstica con un ion, el electrn pierde energa y la condicin de equilibrio se alcanza para
un valor finito de la velocidad de desplazamiento v.
v =
(1)
en donde (metros cuadrados por volt-segundo) se denomina movilidad de los
electrones.
Densidad de Corriente.
La densidad de Corriente se define como la corriente media por unidad de rea en un
conductor:
I
J
(2)
A
N electrones
A
L
Figura 2.2. Corresponde al clculo de la densidad de corriente.
El nmero total de electrones que pasan a travs de cualquier seccin del conductor por
unidad de tiempo, ser N/T. Por definicin la corriente en Ampers ser:
Nq Nqv
(3)
=
T
L
ya que L/T es la velocidad media o de desplazamiento v [m/s] de los electrones. La densidad
de corriente J se puede expresar como:
I=
Nqv
(4)
LA
LA es el volumen que contiene N electrones. Por lo tanto se puede expresar la concentracin
de electrones n como:
N
n=
(5)
LA
J = nqv = v
(6)
donde nq es la densidad de carga en Coulomb por metro cbico, y v est en metros por
segundo.
J=
(7)
Clase 2
donde:
= nq
I = JA = A =
L
A
Vx
I=
R
AVx
L
(8)
V
= x
R
(9)
R=
(10)
Ley de Ohm.
(11)
Electrones de Valencia
Ge
+4
Ge
+4
Ge
+4
+4
Ge
+4
Ge
+4
Ge
Ge
Enlace
Covalente
+4
Ge
+4
Ge
+4
Figura 2.3. Estructura cristalina del germanio, representada simblicamente en dos dimensiones.
El Hueco.
Un enlace covalente incompleto se denomina hueco.
El mecanismo por el cual los huecos contribuyen a la conductividad puede explicarse de
la siguiente manera: Cuando un enlace queda incompleto aparece un hueco, y le resulta
relativamente fcil al electrn de valencia del tomo vecino dejar su enlace covalente y
llenar este hueco. Un electrn que deja su enlace para llenar un hueco deja a su vez otro
hueco en su posicin inicial. Por lo tanto, el hueco se mueve efectivamente en direccin
contraria al electrn.
Clase 2
Electrn Libre.
Ge
Ge
+4
Ge
+4
+4
Hueco
Ge
Ge
+4
Ge
+4
Ge
+4
Ge
+4
Ge
+4
+4
(12)
+4
Ge
+4
Ge
+4
+4
Sb
+5
Ge
+4
Ge
Ge
+4
Ge
+4
Clase 2
Ge
+4
Banda de Conduccin
Energa
0,01 eV
Ec
ED
Nivel de energa
de los donadores
Ev
Banda de Valencia
Figura 2.5. Red de cristal de germanio, con un tomo desplazado por un tomo impurificador
pentavalente. Diagrama de bandas de energa de un semiconductor de tipo n.
Aceptadoras
Si se aade una impureza trivalente (boro, galio indio) a un semiconductor intrnseco,
slo se pueden completar tres de los enlaces covalentes, y la ausencia correspondiente al
cuarto enlace constituye un hueco. Esta situacin queda reflejada en la figura 2.6. Tales
impurezas posibilitan portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar
electrones.
Ge
+4
Ge
+4
Ge
+4
+4
In
+3
Ge
+4
Ge
Hueco
Ge
+4
Ge
+4
Ge
+4
Banda de Conduccin
Energa
EG
Ec
Nivel de energa
de los aceptadores
Banda de Valencia
EA
0,01 eV
Ev
Figura 2.6. Red de cristal de Germanio con un tomo desplazado por un tomo impurificador
trivalente. Diagrama de bandas de energa de un semiconductor tipo p.
Clase 2
np = ni2
(13)
Clase 2
J = n n + p p q =
(19)
(20)
Un resumen de todas las propiedades elctricas del Silicio y del Germanio se encuentran
en la Tabla 1.
TABLA 1. Propiedades fsicas del Germanio y del Silicio *
Propiedades
Nmero Atmico.
Peso Atmico.
Densidad en g / cm3
Constante dielctrica (relativa)
Atomos / cm3
EGO , eV, a 0 K
EG , eV, a 300 K
Ge
Si
32
72,6
5,32
16
4,4 x 1022
0,785
14
28,1
2,33
12
5,0 x 1022
1,21
0,72
1,1
13
-3
2,5 x 10
ni a 300 K, cm
1,5 x 1010
45
3.800
230.000
1.300
1.800
500
99
34
47
13
* G. L. Pearson y W. H Brattain, History of Semiconductor Research, Proc. IRE, vol. 43, pp. 1794
1806, diciembre de 1965. E. M. Conwell, Properties of Silicon and Germanium, 2 Parte, Proc.
IRE, vol. 46, n 6, pp. 1281 1299, junio de 1958.
tomos 1mol
gr.
5,32 3
.
1mol 72,6 gr.
cm
tomos
4 , 41x1022
cm3
6,02x10 23
Clase 2
)(
= 44 , 64. cm
(c) Si se aade una impureza de tipo donador en proporcin de una parte en 108 tomos de
Germanio, hallar la resistividad
1--------------- 108 tomos.
x--------------- 4,41x1022
tomos/cm3.
4 , 41x1022
= 4, 41x1014 electrones / cm3
8
10
ND + p = N A + n
ND + p = n
N D nn
x=
nn pn = ni2
pn =
ni2
nn
pn =
ni2
ND
(2,5x10 )
=
13 2
pn
4,41x1014
= q n n + p p
)([
= 1,4172x1012 huecos/cm3
= 3, 72 .cm
= qn
= 1,60x10-19 4,41x10 22 (3800)
= 26, 8128x106
)(
Relacin de conductividad:
Clase 2
26, 8128x106
108
0, 2685
Por lo tanto la conductividad del metal es mayor que la del semiconductor del tipo n
por 108 veces.
rel =
Clase 2