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THEORIE GENERALE SIMPLIFIEE DES SEMI-CONDUCTEURS


JONCTION PN AU SILICIUM
EFFET TRANSISTOR BIPOLAIRE

Transistor au germanium en 1950

Philippe ROUX 2008

THEORIE GENERALE SIMPLIFIEE DES SEMI-CONDUCTEURS

1) RAPPELS SUR LA STRUCTURE DE LA MATIERE


1.1 Structure de latome
Latome est constitu dun noyau autour duquel gravitent des lectrons de charge lectrique
q ngative (- 1.6 10-19 Coulomb). Le noyau contient deux types de particules :

Les neutrons qui ne sont pas chargs


Les protons qui portent une charge lectrique + q.

Latome tant lectriquement neutre, le nombre de protons est gal au nombre dlectrons.
Les lectrons dun atome gravitant autour du noyau sont assujettis occuper des niveaux
dnergie discrets E1, E2... En, dfinissant chacun une couche lectronique. Plus le niveau est lev,
plus la couche qui lui correspond est loigne du noyau. Si lon choisit comme origine nergtique
(E = 0 eV) celle dun lectron soustrait linfluence du noyau (cest--dire port une distance
infinie), toutes les valeurs des nivaux dnergies En sont ngatives (1 eV reprsente 1.6 10-19 Joule).
Cela se traduit par le fait quil faut produire un travail pour loigner un lectron.
Energie (eV)

lectron libre

En
K
L

E2
E1

Atome de silicium

niveau dnergie

On distingue :
Les lectrons internes qui occupent les premires couches. Ils sont alors trs fortement lis
au noyau
Les lectrons de valence (ou priphriques) qui occupent la couche la plus externe. Ces
lectrons de valence sont peu lis au noyau.
Considrons un atome de silicium qui possde 14 lectrons (Z = 14). Ces lectrons sont
rpartis sur trois couches lectroniques :

K (2 lectrons)
L (8 lectrons)
M (4 lectrons)

Contrairement aux deux premires, la dernire couche (M) est incomplte, elle peut
accueillir 4 lectrons supplmentaires. En effet, Il faut savoir que tous les atomes tendent avoir
huit lectrons sur leur couche priphrique.

1.2 Structure dun cristal


Un cristal est constitu dun ensemble datomes dont les noyaux sont rpartis dans lespace
de faon rgulire. La cohsion des atomes est assure par la mise en commun des lectrons de
valence pour former des liaisons dites de covalence
Energie
0
Bande
de conduction

lectron
libre dans le
solide

Bande interdite
Bande
de valence

lectron
li aux atomes

Cristal

Les tats nergtiques possibles des lectrons du cristal sont reprsents par un
diagramme analogue celui de latome. Mais du fait de linteraction des atomes entre eux, les
niveaux dnergie se transforment en bandes dnergie spares par des bandes interdites (o il ny
a pas dtats permis).
Comme dans le cas de latome, le nombre dlectrons susceptibles doccuper une bande
dnergie est limit et les lectrons du solide comblent en priorit les tats dnergie les plus faibles.
Un lectron dont lnergie est situe dans une bande en dessous de la bande de valence est
li un atome donn du solide. Par contre, un lectron de la bande de valence est commun
plusieurs atomes. La bande situe au-dessus de la bande interdite sappelle la bande de
conduction.
Llectron dont lnergie se situe dans bande de conduction circule librement dans le solide. Cest
un porteur de charge qui participe lcoulement du courant dans le solide lorsque ce dernier est
soumis une diffrence de potentiel (qui produit un champ lectrique).
Chaque type de matriau prsente une hauteur de bande interdite qui lui est propre, cette
diffrence dnergie, qui joue un rle fondamental, permet de distinguer les matriaux isolants,
semi-conducteurs et conducteurs.

2) SEMI-CONDUCTEUR PUR OU INTRINSEQUE


Lindustrie fabrique les semi-conducteurs avec un haut degr de puret (moins de 1 atome
tranger pour 1011 atomes de semi-conducteur) : on parle alors de semi-conducteur intrinsque. Par
exemple, latome de silicium possde 4 lectrons sur sa couche priphrique car il appartient la 4
colonne de la classification priodique des lments indique ci-dessous.

II

III

IV

Bore B (Z=5)

Carbone C (Z =6)

Azote N (Z = 7)

Aluminium Al (Z = 13)

Silicium Si ( Z = 14)

Phosphore P (Z = 15)

Zinc Zn (Z= 30)

Gallium Ga (Z = 31)

Germanium Ge (Z = 32)

Arsenic As (Z = 33)

Cadmium Ca (Z= 48)

Indium In (Z = 49)

tain Sn (Z = 50)

Antimoine Sb (Z = 51)

SILICIUM
14 lectrons
4 lectrons de valence
5 1022 atomes cm -3
densit : 2.33g cm-3

Lien Web : vue en 3D de la structure de semi-conducteurs :


http://jas.eng.buffalo.edu/education/solid/unitCell/home.html
2.1 Silicium non excit T = 0 K
Considrons un cristal de silicium pur, non excit, au zro absolu (0K) et dans lobscurit.
Afin de voir huit lectrons sur sa couche externe, chaque atome de silicium met ses 4 lectrons
priphriques en commun avec les atomes voisins. On obtient ainsi, pour le cristal de silicium la
reprsentation de la figure 1.

Atome de silicium
Electron de valence

Liaison de covalence

Figure 1 : Cristal de silicium 0K


La mise en commun des lectrons priphriques, appele liaison de covalence, assure la
cohsion du cristal de silicium. Les lectrons qui participent ces liaisons sont fortement lis aux
atomes de silicium. Il napparat donc aucune charge mobile susceptible dassurer la circulation
dun courant lectrique. Le silicium est alors un isolant, en effet sa bande de valence est sature
(toutes les places sont occupes). Sa bande de conduction (qui offre cependant des places libres) est
alors vide.
5

2.2) Ionisation thermique : gnration de paires lectrons trous


Lorsque la temprature augmente, lagitation thermique dsordonne la configuration fige
prcdente (0K). En effet, les lectrons qui possdent une nergie positive supplmentaire,
provoque la rupture de quelques liaisons de covalences.

lectron
libre

trou
libre

ion positif

Figure 2 : Cration dune paire lectron trou par rupture dune liaison de covalence
sous leffet de la temprature
Supposons quun des lectrons participant une liaison de covalence acquire une nergie
suffisante pour quitter latome auquel il tait li (figure 2). Il devient alors un porteur libre, capable
de se dplacer dans le cristal, autorisant ainsi la circulation dun courant lectrique sous une
diffrence de potentiel. Le cristal devient alors un mauvais isolant do son appellation de
semi-conducteur.
Consquences :

La place vacante laisse par llectron qui a quitt la bande de valence est devenue un trou.

Latome de silicium qui a perdu un lectron nest plus alors lectriquement neutre : il est
devenu un ion positif.

Remarque : ce phnomne dionisation thermique nintresse quun nombre trs faible datomes de
silicium (3 sur 1013 la temprature de 300 K).

2.3) Hauteur de bande interdite et gnration de paires lectrons trous


Le paramtre essentiel qui caractrise le semi-conducteur est la quantit dnergie minimale
ncessaire pour briser une liaison de covalence, ce qui revient dans le modle des bandes
dnergie faire grimper un lectron de lun des niveaux de la bande de valence sur lun des
niveaux de la bande de conduction (figure 3 situation 1).
lectron
Bande de conduction
nergie cintique de llectron
Energie potentielle
des lectrons

EC

EG

Bande interdite

EV
Bande de valence

lectron

trou

Situation 1

Situation 2

Figure 3 : Gnration dune paire lectron trou.


Ainsi lnergie minimale requise pour gnrer une paire lectron-trou correspond la hauteur de
bande interdite EG dont la valeur est indique dans le tableau suivant pour divers matriaux :

Semi-conducteur
C diamant
Ge
Si

EG (eV) 300 K
5,47
0,66
1,12

EG (eV )0K
5,51
0,75
1,16

A une temprature diffrente du zro absolu, un certain nombre dlectrons de valence


acquiert assez dnergie thermique pour rompre leurs liaisons et devenir des lectrons libres. Ce
gain dnergie, qui doit tre au moins gal EG, fait accder les lectrons des places libres de la
bande de conduction.
Corrlativement, ils laissent derrire eux des places disponibles vides (trous) dans la bande
de valence (figure 3 situation 2).
La hauteur considrable de bande interdite du diamant (5.47 eV) en fait un parfait isolant.
En effet mme aux tempratures leves, il est impossible de faire passer des lectrons de la bande
de valence la bande de conduction. Loxyde de silicium SiO2 matriau important pour la
fabrication des circuits intgrs, avec une bande interdite de 9 eV, est lui aussi un isolant.
Remarque : les conducteurs mtalliques ont une structure cristalline et ce titre on leur associe un
schma de bandes. Celui-ci prsente cependant une configuration particulire telle qu toutes les
tempratures, il existe des lectrons libres disponibles (environ 1023 cm-3). En effet, soit la bande de
conduction dispose toujours de places libres, soit il existe un chevauchement entre bandes de
valence et de conduction supprimant alors la bande interdite.

2.4) Phnomne de recombinaisons des lectrons libres


Lionisation thermique devrait conduirait lionisation de tous les atomes de silicium
savoir : 5.1022 atomes par cm3. En fait, elle est compense par un autre phnomne : les
recombinaisons dlectrons libres.

Bande de conduction

lectron libre
EC
EG

Bande interdite

EV
Bande de valence

Energie potentielle
des trous

trou

Figure 4 : Recombinaison dune paire lectron trou.


En effet, un lectron libre, arrivant, lors de son dplacement dans le cristal, proximit dun
ion positif peut tre captur par ce dernier afin de satisfaire sa liaison de covalence (trou libre). La
liaison de covalence est alors rtablie. Dans le modle des bandes (figure 4) un lectron de la bande
de conduction libre sa place et vient occuper une place libre dans la bande de valence, neutralisant
alors un trou.
Lorsque llectron descend de la bande de conduction vers la bande de valence, le semiconducteur restitue lnergie sous forme de chaleur ou met de la lumire (photon). Ce dernier effet
est utilis dans les diodes lectroluminescentes (L.E.D.) ou les lasers semi-conducteurs. Le photon
mis a une nergie gale EG selon :
.E G = h.c
 longueur donde
h constante de Planck
c vitesse de la lumire
soit : (m). EG (eV) = 1.24.
En sens inverse, un photon qui possde une nergie suprieure ou gale EG a le pouvoir de
gnrer une paire lectron trou.

2.5) Concentration intrinsque ni des lectrons et des trous dans le silicium pur
A temprature constante, un quilibre stablit entre les phnomnes dionisation thermique
et de recombinaison, les lectrons libres et les ions de silicium apparaissant en quantits gales.
Les concentrations par unit de volume (cm3), n en lectrons libres dans la bande de
conduction et p en trous libres dans la bande de valence sont gales ni : la concentration
intrinsque. La mcanique statistique montre que la population des porteurs libres (n lectrons.cm-3)
dans la bande de conduction et (p trous.cm-3) dans la bande de valence sexprime selon :
n = N c exp(

E n
)
kT

p = N v exp(

E p
kT

O Nc et Nv sont respectivement la densit effective dtats des lectrons dans la bande de


conduction (2.82.1019 cm-3 300K pour Si) et la densit effective dtats des trous dans la
bande de valence ( 1.83.1019 cm-3 300K pour Si). Ces deux coefficients voluent avec la
temprature selon une loi en T 3/2.

Ec et En reprsentent deux diffrences dnergies lies un niveau de Fermi EF qui
indique les carts de population entre les lectrons et les trous.
k : constante de Boltzmann 8, 6 .10-5 eV K-1
T : temprature absolue en K

Population des lectrons dans la b.c.

n = N c exp(

Bande de conduction

E n
)
kT

EC
En

Bande interdite
EG = 1,12 eV

Ep

EFi : niveau de Fermi

EV
Bande de valence

p = Nv exp(

E p
kT

Population des trous dans la b.v.

Figure 5 : Populations des lectrons et des trous du silicium intrinsque


position du niveau de Fermi EFi
Pour le silicium intrinsque 300 K, o les populations p et n sont gales ni , on montre
que le niveau de Fermi EFi est pratiquement situ au milieu de la bande interdite. En effet : la
diffrence En -Ep (11.2 meV) est ngligeable devant la hauteur de bande interdite Ep +En
gale 1.12eV.

La concentration intrinsque ni en lectrons libres et en trous libres dpend de la hauteur de


bande interdite EG et de la temprature T (figure ci-aprs ou A1 de lannexe) selon la relation :

n = p = n i = AT 3 / 2 exp(

EG
)
2kT

A est une constante du matriau

Pour le silicium T= 300K on obtient :

n i (300K) = 1,451010 cm3


Le silicium intrinsque a des applications pratiques limites : photos rsistance,
thermistance. Cependant, il est possible en introduisant certaines impurets, par la technique du
dopage en quantit contrle, de privilgier un type de conduction : par lectrons libres ou trous
libres.
4
3.5
T = 300 K
3

GaAs

Ge

Si

2.5
1000/T(K)
2
1.5
1
0.5
6

10

10

10

10

10

12

10

14

10

16

10

18

concentration intrinsque cm-3

La concentration intrinsque ni (cm-3) en fonction de 1000/T(K) pour trois matriaux semiconducteurs purs : arsniure de gallium, silicium et germanium
Documentation : Carrier concentration in Si (or in any Semiconductor) versus the Fermi Energy
Level and the Density of States.
http://jas.eng.buffalo.edu/education/semicon/fermi/levelAndDOS/index.html

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3) SILICIUM DOPE UNIQUEMENT N


On obtient un semi-conducteur de type N en dopant le cristal de silicium avec des atomes
possdant 5 lectrons sur leur couche de valence. On utilise ainsi le phosphore (ou larsenic)
appartenant la 5 colonne la classification priodique des lments.
Population majoritaire
des lectrons
dans la b.c.

n = Nd
lectron
libre

atome de
phosphore
ion +

Bande de conduction
EC

niveau de Fermi : EFn

EG EFi

E Fn  E Fi = kTln(

Nd
)
ni

EV
Bande de valence

ni2
p=
Nd
Population minoritaire des
trous dans la b.v.

Figure 6 : Libration dun lectron par latome de phosphore et schma des bandes
Quatre de ces cinq lectrons de valence du phosphore sont mis en commun avec les atomes
de silicium voisins pour raliser des liaisons de covalences (figure 6 gauche). Le 5 lectron,
inutilis, est trs faiblement li latome pentavalent. Une trs faible nergie suffit pour le librer et
il se retrouve libre dans la bande de conduction. Latome de phosphore qui a fourni un lectron
libre est appel atome donneur. Il a perdu sa neutralit pour devenir un ion positif fixe.
A la temprature ordinaire, la quasi-totalit des atomes donneurs sont ioniss. Si Nd est la
concentration des atomes donneurs, ceux-ci vont librer une population n dlectrons libres, telle
que : n = Nd.
Que devient alors la population de trous ? En fait, Les concentrations en lectrons libres (n) et en
trous libres (p) sont lies par la loi daction de masse :

pn = n i2
Par exemple : Avec Nd = n = 1018 cm-3 alors : p = 225 cm-3 T = 300 K.
Les lectrons sont les porteurs majoritaires et les trous les porteurs minoritaires.
Dans la modlisation du schma des bandes dnergie (figure 6 droite), la population des
lectrons libres de la bande de conduction est beaucoup plus importante que celle des trous libres
dans la bande de valence. En consquence, le niveau indicateur de Fermi EFn se dplace du milieu
de la bande interdite (EFi) vers la bande de conduction de telle manire que :
E Fn  E Fi = kT ln(

11

Nd
)
ni

4) SILICIUM DOPE UNIQUEMENT P


On obtient un semi-conducteur dop P en injectant dans le silicium des atomes de la 3
colonne comme le bore (ou lindium) qui possde trois lectrons priphriques.
Il manque un lectron latome trivalent de bore pour raliser les liaisons covalentes avec
les quatre atomes de silicium qui lentourent (figure 7 de gauche). En fait, les lectrons participant
aux liaisons sont indiscernables les uns des autres. Tout se passe alors comme si un des atomes de
silicium voisins avait cd un lectron latome trivalent de bore, crant ainsi un trou dans le cristal
de silicium.
Latome de bore qui capte un lectron dun atome de silicium voisin est appel atome
accepteur, il a perdu sa neutralit pour devenir un ion ngatif fixe.
Population minoritaire
des lectrons
dans la b.c.

Bande de conduction

trou
libre

EC

E Fi  E Fp = kTln(

EG EFi
atome de
bore
ion -

n 2i
n=
Na
Na
)
ni

niveau de Fermi : EFp

EV
Bande de valence

p = Na
Population majoritaire des
trous dans la b.v.

Figure 7 : Silicium dop au bore, libration dun trou et schma des bandes

A la temprature ordinaire, la quasi-totalit des atomes accepteurs sont ioniss. Si Na est la


concentration par cm3 des atomes accepteurs, ceux-ci vont librer une population p de trous libres
gale la concentration Na.
La population correspondante des lectrons libres (n) est gre nouveau par la loi daction de
masse : pn = n i2 .
Exemple : Na = p = 1016 cm-3 on obtient n = 2.104 cm-3 T = 300K. Les trous sont les porteurs
majoritaires et les lectrons les porteurs minoritaires.
Dans la modlisation du schma des bandes dnergie (figure 7), la population des lectrons
libres de la bande de conduction est beaucoup plus faible que celle des trous libres dans bande de
valence. Le niveau indicateur de Fermi EFp se dplace du niveau intrinsque EFi vers la bande de
valence de telle manire que :
E Fi  E Fp = kT ln(

Na
)
ni

Lien Web : http://jas.eng.buffalo.edu/education/semicon/fermi/levelAndDOS/index.html


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5) CAS GENERAL : DOPAGES SUCCESSIFS DU SILICIUM


Le silicium lors de la fabrication de composants lectroniques subi des dopages successifs.
Par exemple, un premier dopage au bore a t suivi par un deuxime dopage au phosphore. Aprs
ces deux oprations, la population en lectrons libres (n) et en trous libres (p) est encore donne par
la loi daction de masse : pn = n i2 . Cependant on doit aussi tenir compte de la neutralit lectrique
du cristal savoir : charges + (trous libres et ions +) = charges - (lectrons libres et ions -), qui
conduit satisfaire une deuxime relation :
q( p + N d ) = q(n + N a )

Dans ces conditions, on obtient les expressions des concentrations en porteurs libres :

(N d  N a ) + (N d  N a ) 2 + 4n i2
n=
2
(N d  N a ) + (N d  N a ) 2 + 4n i2
p=
2
Consquences :

Na > Nd le matriau est de type P


Nd > Na le matriau est de type N
Na = Nd le matriau est de type intrinsque par compensation

La situation la plus courante est celle o lune des concentrations domine trs largement lautre :

Na >> Nd le matriau est de type P affirm


Nd >> Na le matriau est de type N affirm

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6) PHENOMENE DE CONDUCTION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS


6.1) Mobilit des porteurs de charge : lectrons et trous
Considrons un semi-conducteur isol. Les porteurs de charges mobiles sy dplacent en
tous sens et comme aucune direction nest privilgie, on nobserve aucune circulation de charges
lchelle macroscopique.
Appliquons au
r semi-conducteur une diffrence de potentiel V. Si on se place sur un axe 0x
de vecteur unitaire i , compte tenu de la relation champ potentiel : E(x) = gradV (x) , il apparat
dans le semi-conducteur un champ lectrique E(x) qui favorise le dplacement des trous dans le
sens du champ lectrique et le dplacement des lectrons mobiles dans le sens oppos.
dV (x) r
On rappelle que : E(x) = gradV (x) = 
i
dx
A lchelle macroscopique, les trous et les lectrons prennent des vitesses densembles
proportionnelles au champ lectrique :

v p = p E

v n = n E

p reprsente la mobilit des trous


n est la mobilit des lectrons

Mobilit T = 300K
Ge
Si
GaAs

Electrons (cm2V-1 s-1)


3900
1500
8500

Trous (cm2V-1 s-1)


1900
475
400

Ces mobilits dpendent de la temprature, du champ lectrique et du dopage (voir les graphes A2
et A3 de lannexe).

La mobilit diminue lorsque la temprature augmente, en effet, lagitation thermique accrot


le nombre de chocs qui soppose au dplacement.

A temprature ordinaire, p, la mobilit des trous est infrieure n la mobilit des


lectrons. Cela se conoit dans la mesure o n provient du dplacement direct des lectrons
de la bande de conduction alors que p rsulte des actions successives dans la bande de
valence, illustres en figure 8.

lectron libre dans


la bande de conduction

E champ lectrique
trou

trou
1

Si+ 2

Situation 1

trou
Si+ 3

Situation 2

Figure 8 : Dplacements dune liaison de covalence (trou)


14

Situation 3

Si+

Situation 1 : ionisation thermique, cest--dire cration d'une paire lectron-trou au niveau


de l'atome de silicium 1 qui devient un ion positif. En effet, latome 1 a perdu un lectron
qui est emport par le champ lectrique.

Situation 2 : sous l'action du champ lectrique E , l'lectron de valence de l'atome 2 est venu
combler le trou de l'atome 1 voisin. Latome 2 est un ion positif avec une liaison de
covalence insatisfaite cest--dire un trou.

Situation 3 : sous l'action du champ lectrique l'lectron de valence de l'atome 3 est venu
combler le trou de l'atome 2. Latome 3 est un ion positif avec une liaison de covalence
insatisfaite cest--dire un trou.

Ainsi, le mouvement des trous dans la direction du champ lectrique correspond un mouvement
d'lectrons dans la bande de valence.
Voir le film ci-dessous en cliquant sur limage.

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6.2 ) Dtermination de la densit de courant de conduction


Considrons en figure 9 un barreau de silicium homogne de section S et de longueur L
temprature constante. Les porteurs libres sont constitus de p trous et n lectrons par cm3.
La diffrence de potentiel V applique au barreau cre un champ lectrique de norme
V
constante E = qui provoque le dplacement des lectrons et des trous libres :
L
Dans la direction du champ lectrique pour les trous
Dans le sens oppos pour les lectrons
+
V

vn
trou

lectron

vp

Section S

Masse
x

L
Diffrence de potentiel dans le barreau

V+dv
V

| E | = dV /dx

x x+dx

Figure 9 : Dplacements des porteurs dans le silicium homogne


sous laction dune diffrence de potentiel
Imaginons un observateur plac au point dabscisse x. Durant un temps infinitsimal dt cet
observateur voit passer :

N lectrons anims de la vitesse vn qui parcourent alors une distance dxn


P trous anims de la vitesse vp qui parcourent une distance dxp

La densit de courant correspondant ce mouvement de porteurs de charge sexprime donc :


N
P
J cond = q
+q
Sdt
Sdt
dx
dx
Sachant que : dt = n = p , il vient :
n E p E
J cond = q(nn + p p )E = E
La densit de courant de conduction totale Jcond est alors proportionnelle au champ lectrique et la
conductivit  (-1 cm-1) du cristal.

16

Remarque : la relation prcdente reprsente tout simplement la loi dOhm.


I
V
En effet : J cond = cond et E =
L
S
On en dduit alors la diffrence de potentiel aux bornes du barreau : V = RIcond
1L
avec R =
rsistance du matriau.
 S
Remarque : Inclinaison du schma de bandes et mouvement des porteurs.

Figure 10 : cliquer sur la figure


On montre que la prsence dun champ lectrique dans le barreau, consquence de la
diffrence de potentiel applique, va entraner une inclinaison du schma de bandes du semiconducteur dans le sens des potentiels croissants (figure 10). On dispose alors dune analogie
mcanique pour illustrer le sens du mouvement des porteurs :

Les lectrons de la bande de conduction se comportent comme des billes sur un plan inclin.
En se dplaant vers la droite leur nergie cintique augmente alors que leur nergie
potentielle diminue. La somme des nergies tant, bien entendu, constante.

Les trous de la bande de valence se comportent comme des ballons se dplaant le long dun
plafond inclin. Vers la gauche, ils voient leur nergie cintique augmenter alors que leur
nergie potentielle diminue.

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7) PHENOMENE DE DIFFUSION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS


Dans les semi-conducteurs non homognes o la rpartition de la densit de population est
non uniforme, les porteurs peuvent aussi se dplacer par diffusion.
zone de forte
concentration
( 14 particules)

zone de faible
concentration
( 6 particules)

x+dx

10 particules

10 particules

Figure 11a

x+dx

Figure 11b

Pour expliquer le processus de diffusion, imaginons (figure 11a) un milieu non homogne,
prsentant 14 particules en x et 6 particules en x+dx. Statistiquement, le nombre total de particules
qui se dplacent vers la gauche est aussi grand que celui qui se dplace vers la droite. Comme il y a
plus de particules sur la gauche que sur la droite, il se produit un flux net de la gauche vers la droite.
Aussi, la surface dpaisseur dx voit donc passer 7 particules de la gauche vers la droite et 3
de droite gauche. On assiste donc au passage de 4 particules de x vers x+dx, proportionnelle la
d(concentration)
diffrence de concentration cest--dire du coefficient directeur :
dx
Si la concentration de gauche et de droite sont gales (figure 11b), cela ne veut pas dire quil
ny aura plus de particules en mouvement. Il y a en revanche autant de particules qui se dplacent
vers la droite que vers la gauche, lcoulement net a donc nul : il y a donc quilibre dynamique.
7.1) Diffusion des lectrons dans le semi-conducteur non homogne
Considrons un barreau semi-conducteur de type P comportant une densit de population de
trous et dlectrons libres : p = 1016 cm-3 et n = 2.104 cm-3.
Le barreau est soumis une source lumineuse intense sur une de ses faces (figure 12). Cette
source lumineuse va produire, par apport dnergie, une gnration locale de paires lectrons trous,
par exemple : 106 cm-3 en x = 0. Au niveau de la surface claire, on cre donc localement une
surpopulation dlectrons telle que : n(0) = 106 cm-3 par rapport lquilibre o n(L) = 2.104 cm-3 .
Les lectrons en excs, vont diffuser de la gauche vers la droite du barreau comme les
molcules dun gaz qui, injectes dans un rcipient, tendent occuper tout le volume (autres
analogies : diffusion dun parfum dans une pice, diffusion du th dans de leau...).
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SiP
mvt lectrons

Source lumineuse

n(x) : population des lectrons

n2
n(0) = i
p(0)

dn(x)
dx

mvt lectrons

n(L) =
0

ni2
p(L)

J ndif

Surpopulation locale en
lectrons

Equilibre

Figure 12 : Diffusion dune surpopulation locale dlectrons dans SiP


Les lectrons en excs sont recombins par la forte population des trous majoritaires du
semi-conducteur de type P. La population des lectrons n (x) diminue selon la loi :
n(x) = n(0)exp(

x
)
Ln

O Ln reprsente la longueur de diffusion des lectrons.


On dfinit alors en x une densit de courant de diffusion des lectrons : Jndif proportionnelle
dn(x)
au gradient de concentration de la surpopulation :
:
dx

J ndif = qDn

dn(x)
dx

Dn = n

avec :

kT
q

Dn (cm2 s-1) reprsente la constante de diffusion des lectrons dans le silicium.


Remarque :

dn(x)
est ngatif donc Jndif est bien dirig dans le sens des x ngatif sur la figure 12.
dx

7.2) Diffusion des trous


De la mme manire, considrons un barreau de semi-conducteur de type N soumis une
source lumineuse intense sur une de ses faces (figure 13). Comme prcdemment on obtient un
phnomne de diffusion des trous excdentaires :

p(x) = p(0)exp(
O Lp reprsente la longueur de diffusion des trous.

19

x
)
Lp

SiN
mvt trous

Source lumineuse

p(x) : population des trous

n2
p(0) = i
n(0)

dn(x)
dx

mvt trous

ni2
p(L) =
n(L)
0

J pdif

Surpopulation locale en
trous

Equilibre

Figure 13 : Diffusion dune surpopulation locale de trous dans SiN


On dfinit en x une densit de courant de diffusion des trous : Jpdif proportionnelle au
gradient de concentration :

J pdif = qDp

kT
dp(x)
avec : Dn = n
q
dx

Dp (cm2 s-1) est la constante de diffusion des trous dans le silicium.

dn(x)
est ngatif, sachant que Jpdif est dirig dans le sens des x positif, il faut
dx
affecter lexpression Jpdif du signe ngatif !
Remarque : le terme

8) DENSITE DE COURANT DE CONDUCTION ET DE DIFFUSION


Lorsque le semi-conducteur est soumis aux deux phnomnes de conduction (prsence dun
champ lectrique) et de diffusion des porteurs (matriau non homogne), la densit de courant totale
est telle que :
Pour les trous :

J p = J pcond + J pdif = q.p(x). p .E  q.Dp .

dp(x)
dx

J n = J pcond + J pdif = q.n(x).n .E  q.Dn .

dn(x)
dx

Pour les lectrons :

20

JONCTION SEMI-CONDUCTRICE AU SILICIUM

21

1) FORMATION DUNE JONCTION PN


Considrons deux barreaux de silicium : lun dop P au bore, lautre dop N au phosphore.
Le bilan des porteurs libres pour une temprature T fixe est indiqu en figure 14 :
lectrons minoritaires

lectrons majoritaires

pp = N a

nn = N d

np =

Si P

ni
Na

pn =

ni2
Nd

Si N

trous minoritaires

trous majoritaires

Figure 14
Imaginons que lon rapproche les deux barreaux de manire raliser leur contact physique
au niveau dune jonction dite mtallurgique. On assisterait alors deux phnomnes se
manifestant de part et dautre de linterface :

E0

Diffusion des trous vers SiN

Si P

Si N

Si P

Diffusion des lectrons vers SiP

- ions bore - -

++
+
+ + ions phosphore
++
Si N
+

W0
Figure 15b

Figure 15a

Phnomne transitoire de dure trs brve (figure 15a) : des trous de la rgion P, proches de
linterface, diffusent vers la rgion N. En effet comme les trous sont plus nombreux dans P
que dans N, ils vont avoir tendance diffuser pour rtablir lquilibre (idem pour les
lectrons proches de linterface qui vont diffuser de N vers P).

Phnomne permanent (figure 15b) : les trous qui ont envahi la rgion N (o ils ont disparu
par recombinaison avec les lectrons majoritaires dans cette rgion) ont laiss derrire eux
des ions fixes de bore ioniss ngativement. De mme, les lectrons de la rgion N qui sont
passs du ct P ont laiss derrire eux des ions fixes de phosphore ioniss positivement.

Ces ions fixes de bore et de phosphore chargs respectivement - et + forment de part et


dautre de la jonction mtallurgique une zone de charge despace (Z.C.E.) dpaisseur faible W0.
Cette zone de charge despace est caractrise par une barrire de potentiel V qui provoque alors
lapparition dun champ lectrique interne E0.
Cette barrire de potentiel V quilibre en fait les phnomnes de diffusion et de conduction.
Documentation : http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/pnformation3/index.html

22

1.1 Schma de bandes de la jonction PN en court-circuit et barrire de potentiel V


On montre que dans un cristal semi-conducteur non soumis une diffrence de potentiel et
lquilibre thermique, quel que soit son dopage P ou N, les niveaux de Fermi associs, EFP et EFn
(voir paragraphes 3 et 4), restent aligns dans le schma de bandes. La figure 16, qui reprsente le
schma de bandes dune jonction PN en court-circuit, illustre ce principe.

V =

Silicium P

E
q

Silicium N

B.C.
EG
2

E Fn  E Fi = kTln(

Nd
)
ni

B.C.

EFi
EFp

EFn
E

EFi

B.V.
E Fi  E Fp = kTln(

EG
2

Na
)
ni

W0

B.V.

Figure 16 : Schma des bandes de la jonction PN en court-circuit


Sachant que les niveaux de Fermi EFp et EFn respectivement associs aux cts P et N sont
aligns, la bande de conduction du silicium P se situe une nergie plus leve que celle du
silicium N. Il en est de mme pour les bandes de conduction. Ceci entrane la prsence dune
diffrence dnergie E entre ces bandes :
N N
E = (EF i- EFp) + (EFn - EFi) soit : E = kT.ln( a 2 d )
ni
Sachant que la variation dnergie potentielle E dun lectron soumis une diffrence de
potentiel V est telle que : E = - q V. A la diffrence dnergie E entre les bandes, on fait donc
correspondre une diffrence de potentiel interne appele hauteur de barrire de potentiel V telle
que :
V =

kT
N N
.ln( a 2 d )
q
ni

La largeur W0 de la zone de charge despace (qui stend principalement du ct le moins dop) est
telle que :
20si 1
1
W0 =
(
+
)V
q Na Nd
(Le calcul de cette expression est donn en annexe)
Exemple : Na = 1018 cm-3, Nd = 1015 cm-3, W0 = 0.96 m, V = 0.75 V et E0max = 1.56 104 V.cm-1
avec : 0 = 8,85 10-14 F/cm et Si = 12
23

1.2 Etude de la jonction en court circuit.


Lanode et la cathode tant la masse, la jonction est en court-circuit. Dans ces conditions,
le courant dans le dispositif doit tre nul. En effet, la zone de charge despace (figure 17) est
traverse par deux courants opposs qui sannulent :
a) Le courant Is (not a sur la figure) qui correspond aux porteurs minoritaires des zones N
(les trous) et P (les lectrons) qui se prsentent en bordure de la Z.C.E. et qui sont alors
entrans par le champ lectrique local E0, respectivement dans les zones P et N. La
n2
n2
population de ces porteurs est proportionnelle n i2 , en effet : p = i et n = i .
Nd
Na
b) Le courant (not b sur la figure) ayant pour origine les porteurs libres majoritaires de N
et de P, trs voisins de la zone de charge despace et dont lnergie est suffisante pour
sauter la hauteur de barrire qV . Ce phnomne conduit un courant de la forme
V
I0 exp(  ) o I0 est le courant qui traverserait la jonction sil ny avait pas de barrire
UT
de potentiel cest--dire si la diffusion seffectuait librement.
IS = I0 exp(

Le courant total tant nul, il vient :

V
)
UT

Zone de charge despace


ions bore et phosphore
Si P
Anode

0 mA

Si N

Z.C.E.

Rgion neutre P

trous libres

- - - -- --

+ ++
+ +
+ ++
+ +
+ +

Rgion neutre N

Cathode
lectrons libres

W0

Population des lectrons dans SiP


en fonction de lnergie

Population des lectrons dans SiN


en fonction de lnergie

b
B.C.

Barrire nergtique qV


B.C.
EFn

EFp
B.V.

qV

B.I : 1.12eV

B.V.

b
Population des trous dans SiP
en fonction de lnergie

E0

Population des trous dans SiN


en fonction de lnergie

Figure 17 : Courants opposs circulant dans la jonction PN en court-circuit

24

2) JONCTION POLARISEE EN INVERSE


2.1) Tension Vinv faible : courant inverse de saturation Is
Pour polariser en inverse la jonction, une tension faible Vinv, ngative par rapport la masse
est applique sur le semi-conducteur P alors que le semi-conducteur N est la rfrence des
potentiels (figure 18). La tension Vinv extrieure applique entrane une augmentation :

De la hauteur de barrire nergtique entre les rgions P et N qui devient q (V + Vinv).

De ltendu W (Vinv) de la Z.C.E. : W (Vinv ) =

20si 1
1
(
+
)(V + Vinv ) > W 0
q Na Nd

Alors, les porteurs majoritaires des rgions N (lectrons) et P (trous) nont plus lnergie
ncessaire pour sauter la barrire de potentiel aussi, le courant de type b est nul (figure 17). La
jonction est de ce fait traverse par le trs faible courant de saturation Is (le courant de type a de la
figure 18). Ce courant, issu du phnomne dionisation thermique du silicium, dpend de la
temprature :
E
Is = AT 3 exp( G ) o A est une constante du matriau
kT
Zone de charge despace
ions bore et phosphore
Si P
Anode

Is V
inv

Z.C.E.

Rgion neutre P

trous libres

- - - -- -

+ ++
+ +
+ ++
+ +
+ +

Si N
Rgion neutre N

Cathode

lectrons libres

W inv

Population des lectrons dans SiP


en fonction de lnergie

Population des lectrons dans SiN


en fonction de lnergie
B.C.

Barrire nergtique :

q(V + Vinv )

EFp
B.V.

B.C.
EFn
B.I : 1.12eV

Population des trous dans SiP


en fonction de lnergie

B.V.

q(V + Vinv )

Einv

Population des trous dans SiN


en fonction de lnergie

Figure 18 : Jonction PN bloque : courant inverse de saturation Is


Documentation : http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/biasedPN/index.html
25

2.2) Capacit de transition CT de la jonction PN bloque


Nous avons montr que la jonction PN prsente autour de la jonction mtallurgique, de deux
charges opposes immobiles : ions Na- ct P et ions Nd+ du ct N. Elle se comporte donc comme
un condensateur CT nomm capacit de transition dont la zone de charge despace est le dilectrique
(0 si) et les rgions N et P les lectrodes :
CT = 0si

S
W (Vinv )

S reprsente la section de la jonction et W (Vinv) lpaisseur de la Z.C.E .


Cette capacit sexprime aussi :
CT 0
CT =
V
1 inv
V
o CT0 correspond Vinv = 0 V.
La capacit CT qui dpend de la temprature a des valeurs typiques comprises ente 1 et 200 pF.

Documentation :

http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/biasedPN2/BiasedPN2.html
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/cv/index.html

2.3) Tension inverse leve, avalanche de la jonction et effet Zener


L'avalanche par multiplication, et le claquage par effet Zener sont
les deux processus qui produisent une augmentation brutale du courant
de la jonction polarise en inverse par une tension suffisante VZ.

IA

VZ
Un porteur (figure 18) de la Z.C.E. d'origine thermique,
VAK
appartenant donc Is, descend la barrire de jonction et acquiert de
l'nergie cintique du potentiel Vinv appliqu. Ce porteur qui entre en
collision avec un ion silicium peut rompre une liaison de covalence.
Outre le porteur initial, il existe maintenant une nouvelle paire lectron
trou.
Ces porteurs peuvent tirer assez d'nergie du champ appliqu, entrer en collision avec un
autre ion et crer dautres paires lectrons trous. Cet effet cumulatif est appel avalanche par
multiplication. Il donne un grand courant inverse, on dit que la jonction est dans la rgion de
claquage par avalanche.
Un autre phnomne li un champ lectrique intense conduit la mme situation : effet Zener. Ici
26

le champ lectrique lev exerce une force suffisante pour extraire des lectrons de leurs liaisons de
covalence crant alors des paires lectrons trous qui augmentent aussi le courant inverse.

3) JONCTION PN POLARISEE EN DIRECT


3.1) Relation courant tension de la jonction PN polarise en direct
Pour polariser la jonction dans le sens passant, une tension Vdirect positive par rapport la
masse est applique sur le semi-conducteur P alors que le semi-conducteur N est la rfrence des
potentiels (figure 19). La tension extrieure Vdirect entrane une diminution :

De la hauteur de barrire nergtique entre les rgions P et N qui devient q (V Vdirect).
De lpaisseur de la zone de charge despace :

W (Vdirect ) =

20si 1
1
(
+
)(V  Vdirect ) < W 0
q Na Nd

De nombreux lectrons de la rgion N et de trous de la rgion P peuvent alors franchir cette


barrire de potentiel (courants de type b de la figure 19). Ces porteurs se prsentent alors dans un
milieu hostile savoir SiP pour lectrons et SiN pour les trous.

Une surpopulation dlectrons par rapport lquilibre stablit dans le silicium P lentre
de la zone neutre. Cette surpopulation provoque une diffusion des lectrons dont la
population diminue par recombinaison avec les trous. Pour rtablir lquilibre, les trous de
la rgion neutre P se mettent en mouvement vers la zone o se produit la recombinaison
(dficit en trous).

Une surpopulation de trous par rapport lquilibre stablit dans le silicium N lentre de
la zone neutre. Cette surpopulation provoque une diffusion des trous dont la population
diminue par recombinaison avec les lectrons. Pour rtablir lquilibre, les lectrons de la
rgion neutre N se mettent en mouvement vers la zone o se produit la recombinaison
(dficit en lectrons).

Cest le phnomne de recombinaison locale qui explique la circulation du courant direct IA


dans la jonction polarise en direct. Ce courant scrit :
V  Vdirect
V
) soit en dveloppant : Is exp( direct )
UT
UT
Sachant que le courant de saturation Is correspondant aux porteurs minoritaires des zones N
et P qui se prsentent en bordure de la Z.C.E. est encore prsent (courant b), on obtient le courant
total IA qui circule dans la jonction :
I0 exp(

IA = IS (exp(

Vdirect
) 1)
UT

Ce courant direct IA de la jonction dpend fortement de la temprature par lintermdiaire de IS et du


kT
(soit 26mV 25C)
terme : UT =
q

27

Remarque : Pour Vdirect > 250 mV on peut utiliser : IA  IS exp(

Vdirect
)
UT

Zone de charge despace


ions bore et phosphore
Si P
Rgion neutre P

Anode

Vdirect IA

trous libres

Surpopulation des lectrons dans SiP

Si N

Z.C.E.

- - - -- --

+ ++
+ +
+ ++
++
+ +

Rgion neutre N

Cathode
lectrons libres

W direct
b

Barrire nergtique

q(V  Vdirect )

B.C.

Courant de trous
compensant ceux
qui disparaissent
par recombinaison

Recombinaison des lectrons


EFp
B.V.

B.C.
EFn
Recombinaison des trous
B.V.

Courant dlectrons
compensant ceux
qui disparaissent
par recombinaison

b
Edirect Surpopulation des trous dans SiN
Figure 19 : Jonction polarise dans le sens direct

3.2) Capacit de diffusion Cd de la jonction PN en direct


Le phnomne de recombinaison locale de part et dautre de la Z.C.E. (figure 19) n'est pas
instantan. En effet, les lectrons injects dans SiP se recombinent avec les trous prsents aprs un
temps moyen n : dure de vie des lectrons (ordre de la nanoseconde).
Il y a donc toujours, de part et d'autre de la Z.C.E., une charge positive dans la cathode et
une charge ngative dans l'anode, compose de porteurs non recombins. Ceci est quivalent la
prsence d'une capacit dite capacit de diffusion Cd proportionnelle au courant direct IA de la
jonction :
Cd =

n
IA
UT

(A voir jonction PN et transistors en hautes frquences)

28

EFFET TRANSISTOR BIPOLAIRE

29

Considrons un transistor NPN (figure 20). La tension VBE positive, polarise la jonction base
metteur du transistor en direct, alors que la tension VCB polarise la jonction collecteur base en
inverse !
IC

VCB

C
B

VBE

IB

N ++

IE
E

Figure 20
La jonction base metteur fonctionnant en mode direct est donc le sige des phnomnes
jonction passante vus prcdemment. En effet, des lectrons sont injects de la rgion dmetteur
N++ trs dope dans la base P o ils subissent le phnomne habituel de recombinaison avec les
trous qui sont ici porteurs majoritaires.
La surpopulation n0 des lectrons injects dans le silicium P (figure 21) disparat selon la loi :
n(x) = n 0 exp(

x
)
Ln

n0

n(x)

0 WB Ln

SiP
Figure 21

n0 : surpopulation des lectrons se prsentant dans la base


n(x) : population des lectrons dans la base
Ln: longueur de diffusion des lectrons dans la base P
WB : paisseur de la base du transistor

Cependant, le transistor (figure 21) est caractris par une paisseur de base WB de 0.5 2
m trs infrieure la longueur de diffusion des lectrons Ln soit 10 20 m.
Dans ces conditions, tous les lectrons injects dans la base ne subissent pas le phnomne
de recombinaison avec les trous, aussi, les lectrons "chanceux" qui ont pu traverser la base sans se
faire recombiner, parviennent la frontire de la zone de charge despace de la jonction bloque
base collecteur. Ils sont alors pris en charge par le champ lectrique E qui y rgne et se retrouvent
dans le collecteur N o ils sont majoritaires et ne risquent plus la recombinaison. Ils forment alors le
courant de collecteur sensiblement gal au courant dmetteur (figure 22).
Ainsi un courant peut traverser la jonction bloque base collecteur : c'est l'effet transistor !
30

VBE
IE

VCB
IB

Jonction E B passante

Emetteur N++

IC

Jonction B C bloque

Collecteur N

Base P

Population des lectrons


ayant travers la base sans
recombinaisons

Population des lectrons issus de lmetteur


et injects dans la base

B.C.

Electrons venant de lmetteur qui


sajoutent la population du collecteur

Reb
Rte

B.V.

B.C.

B.V.

WB
Z.C.E. metteur-base

Z.C.E. base-colllecteur

Rte Recombinaison forte des trous injects dans metteur SiN


Reb Recombinaison faible des lectrons injects dans base SiP (WB<<Ln)

Figure 22
Les lectrons qui ont t recombins dans la base craient le courant faible de base ce qui
assure un courant de collecteur IC voisin du courant d'metteur IE. On peut exprimer le courant de
collecteur selon : IC = IE + IsBC
 < 1 : coefficient de transfert en courant
IsBC courant inverse de saturation de la jonction bloque base collecteur.
Sachant que le transistor est un noeud de courant, la relation I = IB + IC qui conduit :
E

IC =

I

IB + sBC = IB + ICE 0
1 
1 

Pour la plupart des transistors : le gain en courant  (ou Hfe) est compris entre 50 et 500,
alors que le courant de fuite de collecteur IC0 est en gnral ngligeable temprature ambiante.

Documentation : http://jas.eng.buffalo.edu/education/bjt/longshort/index.html

31

CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES MONOLITHIQUES

32

Lavnement des circuits intgrs monolithiques, circuits dont tous les lments sont
raliss simultanment sur la mme pastille de silicium, a profondment modifi les mthodes de
conception et de ralisation des ensembles lectroniques en ouvrant des perspectives nouvelles dans
le domaine de la performance, de la miniaturisation, de la fiabilit et du prix de revient.
Les concepteurs chargs de la cration des circuits sont amens raisonner directement en
circuits intgrs plutt quen circuits destins une ralisation en lments discrets. En effet, il
nest pas possible de tout intgrer et cette intgration conduit certaines limitations sur les
caractristiques des composants lmentaires. Dun autre ct, lintgration monolithique permet de
concevoir certains montages quil serait impossible de raliser en version discrte.
1) ELABORATION DUN SUBSTRAT DE SILICIUM
1.1) Prparation du silicium - obtention de la plaquette substrat
Le silicium est un lment ayant un aspect mtallique gris clair. Il se trouve en abondance
dans la nature sous forme de silice (sable) et de divers mlanges.
Les deux principaux problmes rsoudre pour la prparation du silicium en vue de la
fabrication de circuits intgrs (ou de composants discrets) sont :
Taux de puret trs lev
Obtention du silicium monocristal cest--dire se prsentant sous la forme dun cristal
homogne orientation molculaire parfaitement dfinie.
La purification du silicium se fait en plusieurs tapes. On rduit dabord la silice par
chauffage avec du carbone (coke) dans un four lectrique, le degr de puret atteint est de 98%. Le
silicium ainsi obtenu est ensuite transform en un corps compos, le ttrachlorure de silicium qui
sera purifi et rduit de manire obtenir du silicium poly cristallin trs pur ayant un taux
dimpurets d'environ 10-10.

Figure 1
Il reste mettre le silicium polycristallin sous forme de monocristal en utilisant la technique
du tirage (figure 1). Le silicium polycristallin est fondu dans un creuset de quartz chauff par
induction, la temprature tant maintenue constante juste au-dessus du point de fusion du silicium.
Un germe de silicium monocristallin une temprature infrieure est dispos la surface du
silicium poly cristallin fondu quil refroidit localement ce qui entrane la solidification de la zone
proximit immdiate du germe.
33

Ce processus est assez progressif pour que les atomes qui se solidifient prennent
lorientation des atomes du germe. Le silicium monocristallin qui se forme alors est tourn
lentement (1 tour/ seconde) et soulev avec une vitesse de 2.5 cm/heure afin daugmenter son
volume.
Aprs tirage, le cristal de silicium ou carotte a une forme cylindrique de 50 100 mm de
diamtre et une longueur de 30 cm. Le dopant qui dtermine si le silicium est de type N ou P est
ajout durant la procdure de tirage.
Pour la fabrication des circuits intgrs, on utilise des plaquettes fines de silicium en gnral
dop P ayant une paisseur de 0.6 mm. Aussi, la carotte est dcoupe en tranches par une fine roue
diamante tournant vitesse leve. Les plaquettes sont ensuite polies mcaniquement et
chimiquement. Un grand nombre de circuits identiques seront fabriqus sur ces plaquettes en
utilisant le procd de la diffusion solide dimpurets dans des zones amnages par lintermdiaire
de la technique de photolithographie.
1.2) Photolithographie de loxyde de silicium
Photorsist

SiO 2
plaquette de silicium
lumire utraviolette
Masque photographique

Photorsist

SiO 2
plaquette de silicium

Photorsist polymris

SiO 2
plaquette de silicium

Photorsist polymris

fentre

SiO 2

plaquette de silicium
SiO 2
plaquette de silicium

Figure 2
Il est important de remarquer que la formation dune couche doxyde de silicium (SiO2) la
surface de la plaquette de silicium empche la diffusion dans le volume des dopants habituels : le
bore, le phosphore ou larsenic. Cette couche de SiO2 peut sliminer localement par attaque
chimique lacide hydrofluorique qui est par ailleurs sans action sur le silicium.
Dans ces conditions, si on oxyde la plaquette de silicium ( T=1100C dans un courant
doxygne ou de vapeur deau), et si on enlve ensuite cet oxyde certains endroits, il est alors
possible de faire diffuser les impurets exclusivement dans ces zones nommes fentres.
Cette limination locale (figure 2) de loxyde de silicium se fait par lintermdiaire :
34

Dune couche de photoresist, une substance organique qui, polymrise sous laction dun
rayonnement ultraviolet, rsiste alors aux acides et solvants.

D'un masque photographique qui slectionne les zones o la couche de photoresist ne


subissant pas le rayonnement ultraviolet, peut tre limine.

La surface de la plaquette de silicium est pralablement oxyde et recouverte dune couche


de photoresist. On place ensuite un masque photographique dont les rgions opaques du masque
correspondent aux endroits o lon dsire attaquer ensuite loxyde de silicium. La plaquette est
ensuite illumine aux ultraviolets.
Aprs dveloppement du photoresist, les rgions opaques du masque, non polymrises, sont
limines. Lensemble est immerg dans un bain dacide hydrofluorique qui attaque localement le
SiO2 non protg et forme alors une fentre destine recevoir la diffusion dun dopant. La couche
restante de photoresist est ensuite limine.

35

2) REALISATION DES TRANSISTORS NPN INTEGRES

Contact Emetteur N ++
Contact Base

interconnexions en
aluminium

Contact Collecteur

P
4 10
m

oxyde de silicium
SiO2

mur disolement P +

N pitaxi

Couche enterre N ++

600 m
substrat P
N ++
N
P

60 m

P+

mur disolement P +

40 m

N pitaxi

Figure 3 : Transistor NPN intgr


La figure 3 reprsente la coupe et la vue de dessus dun transistor NPN intgr qui ncessite
lutilisation de 6 masques de ralisation.
Le processus de base de ralisation des circuits intgrs monolithiques fait appel aux
techniques de masquage par oxyde et de diffusions localises dimpurets dans un substrat de
silicium monocristallin.
Les diffrents composants construits la surface du substrat se trouvent dans des caissons,
construits dans la couche de silicium pitaxie et isols lectriquement par lintermdiaire de diodes
bloques.

36

2.1) Premier Masque : ralisation de la couche enterre


Couche enterre
N++
SiO2

Substrat P

600 m

Figure 4
Le substrat de silicium P est tout dabord oxyd et une fentre est amnage pour permettre
la diffusion de la couche enterre trs dope N++ (dopant antimoine). La rsistance associe
cette couche enterre a une valeur faible. En effet, le transistor intgr ne diffre notablement du
transistor discret que sur un point : le contact de collecteur seffectue sur la partie suprieure de
circuit (voir figure 3). Sans la prsence de la couche enterre, la rsistance srie de collecteur serait
trop importante.
2.2) Cration dune couche pitaxiale de silicium
N pitaxi

Couche enterre N++


substrat P

Figure 5
On doit amnager la surface de la plaquette de silicium (qui est en fait un support
mcanique) un film mince de silicium monocristallin, o seront construits les composants actifs
(diodes, transistors bipolaires, JFET ou MOS) et passifs (rsistances et condensateurs).
On utilise pour cela le procd de croissance pitaxiale qui permet de raliser une couche de
silicium monocristallin de quelques microns dpaisseur (4 10 m).
On ralise la croissance pitaxiale du silicium 1200C dans une atmosphre dhydrogne
et de silane (SiH4) qui se dcompose sous forme de silicium : SiH4 -> Si + 2H2.
Le silicium monocristallin se dpose alors sur la plaquette avec une vitesse de croissance de lordre
de 1 m par minute.
Durant le processus, on assure le dopage au phosphore du silicium (SiN), en ajoutant du
trichlorure de phosphore (PCl3) : 2PCl3 +3H2 -> 2P +6 HCl. On obtient finalement une couche
mince de silicium N dop au phosphore qui formera la zone de collecteur du transistor NPN.
Remarque : 1200C, la couche enterre continue diffuser dans le silicium P et N pitaxi comme
indiqu en figure 5.

37

2.3) 2 Masque : mur disolement P+

Mur disolement
N pitaxi

P+

Couche enterre N++

P+

Substrat P

Figure 6
Aprs croissance de la couche pitaxiale de type N, celle-ci est entirement oxyde.
Ensuite, la couche doxyde de silicium est enleve slectivement laide du masque n 2. On
effectue alors la diffusion locale en deux tapes du mur disolement P+ :

Prdpt du bore (1200C avec loxyde de bore B2O3 dopant P) la surface du dispositif.

Diffusion en profondeur de manire changer le dopage de la couche pitaxiale


originellement de type N. Cette diffusion est contrle en temps et temprature (1000C)
pour permettre au mur de rejoindre le substrat P.

2.4) 3 Masque : diffusion de la base P


base P
P+

P+
Couche enterre N++
Substrat P

N pitaxi

Figure 7
La plaquette est nouveau entirement oxyde et le bore est utilis pour construire la base
du transistor dans une fentre amnage au droit de la zone choisie (figure 7).
La diffusion du bore est nouveau contrle de manire assurer une paisseur de lordre
de 2 3 m et surtout en prenant soin de ne pas atteindre la couche enterres N++. En effet, on
dtruirait alors localement la zone N pitaxie constituant le collecteur du transistor.
La diffusion des atomes dimpurets se fait en profondeur mais aussi latralement (80%). Il
y aura donc lors de la conception des masques, des gardes respecter pour viter que des rgions de
mme nature se rejoignent.

38

2.5) 4 Masque : diffusion de lmetteur N++ et du contact de collecteur


metteur N+

P+

prise contact collecteur N +

Couche enterre N++

P+

Substrat P

Figure 8
La plaquette est ensuite prpare pour ltape de diffusion de lmetteur du transistor ainsi
que lamnagement de la prise de contact du collecteur.
En effet, on viendra prendre le contact de collecteur laide de laluminium qui est un
dopant P (il appartient la 3 colonne de la classification priodique). Pour viter deffectuer alors
une diode PN avec la couche pitaxie N, il faut diffuser une zone trs dope N++ afin dassurer un
bon contact ohmique. La profondeur de diffusion dmetteur est d'environ 1.5 m qui conduit une
paisseur efficace de base de 1 m.
2.6) 5 et 6 Masques : ouverture des contacts et interconnexions
Aluminium
P+

Emetteur

Base

Couche enterre N++

Collecteur
P+

Substrat P

Figure 9
Aprs oxydation de la plaquette, le 5 masque permet damnager des fentres sur les zones
qui doivent tres interconnects.
On vapore donc laluminium sur toute la plaquette et lon utilise nouveau la technique de
masquage mais dans une squence ngative puisque le but est denlever laluminium en tout point
lexception des zones de contact.
Enfin la plaquette est recouverte dune couche de passivation (SiO2 et ou Si3N4) qui la
protgera dune ventuelle pollution du milieu extrieur. Les plots de sorties o seront souds des
fils dor vers les pattes du circuit intgr, sont videmment masqus lors de cette dernire opration.

39

2.7) Rle des murs P+ : isolement lectrique des transistors


DC1S
E1

DC2S

C1

C2

E2
B2

B1
P+

P+

P+
Substrat P

Substrat P

-VEE
Figure 10

Considrons deux transistors T1 et T2 adjacents sur la puce (figure 10). Ils doivent tres
lectriquement isols lun de lautre.
Pour se faire, chaque caisson N pitaxi de collecteur (C1 et C2) est entour dun mur
disolement en silicium P+, de mme nature que le substrat P. Si le substrat est reli au potentiel le
plus ngatif du circuit (-VEE), les diodes DC1S et DC2S sont polarises en inverse (circuit ouvert). Les
collecteurs C1 et C2 de T1 et T2 ports des potentiels suprieurs VEE, sont donc isols
lectriquement.

3) REALISATION DE DIVERS COMPOSANTS

P+

Couche enterre N++

P+

N
Couche enterre N++

P+

P+

Substrat P

Figure 11
Lexpos prcdent prsentait en dtail le processus de fabrication dun transistor NPN.
Durant les mmes tapes du processus, en jouant avec la topographie des diffrents masques, il est
possible de raliser simultanment un certain nombre de composants prsents en figure 11 :

Une diode (transistor NPN muni dun court-circuit base collecteur)


Une rsistance qui exploite la rsistivit de la diffusion de la base dun transistor NPN
Une capacit dont les armatures sont constitues par laluminium et la diffusion de type
metteur et le dilectrique par la couche de SiO2.

Cette liste nest pas limitative et les dispositifs suivants sont intgrables :
Transistors PNP latral et vertical
JFET canal N
MOSFET
A voir en annexe : composants intgrs.

40

4) VERIFICATION DE LA PLAQUETTE-DECOUPAGE ET ASSEMBLAGE


Tous les circuits intgrs de la plaquette sont vrifis sur un banc de test automatique
laide de sondes places sur les plots de chaque circuit. Tout circuit hors caractristiques est
automatiquement marqu et se trouvera limin aprs dcoupage de la plaquette en puces
individuelles.
Pour extraire les puces de la plaquette, on utilise un appareil muni dune pointe de
diamant trs fine qui se dplace en x y selon un chemin de dcoupe. La plaquette est ensuite place
sur un support souple dont la dformation entrane une cassure le long des rayures du chemin de
dcoupe.
Ayant choisi un type de botier ( flat pack, dual in line, TO5...), on positionne la puce qui est
soude du cot substrat par frittage basse temprature. Il est alors possible de raliser, laide
dune machine souder automatique, les connexions lectriques avec un fil dor de 25 m de
diamtre entre les bornes de sortie et les plots amnags sur le pourtour de la puce.

Documentation : Fabrication dune diode


http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html

41

ANNEXES

42

Nombre atomique
Masse atomique
Densit
Nombre datomes

14
28,1 g par mole
2,33 g /cm3
5 1022 par cm3

Hauteur de bande interdite 300 K


Rsistivit 300 K

1,12 eV
2.3 103 .cm

Constante dilectrique si

11.9

Caractristiques du silicium pur

4
3.5
T = 300 K
3

GaAs

Ge

Si

2.5
1000/T(K)
2
1.5
1
0.5
6

10

10

10

10

10

12

10

14

10

16

10

18

concentration intrinsque cm-3

Figure A1 : Evolution de la concentration intrinsque ni (cm-3) en fonction de 1000/T(K) pour trois


matriaux semi-conducteurs

43

Mobilit cm 2 V -1s -1 300K


1000
lectrons

100
trous

10
1014

1015

1016

1017

1018

1019

Concentration impurets at /cm3

Figure A2 : Evolution de la mobilit des porteurs dans le silicium en fonction de la concentration en


atomes dimpurets 300 K

Figure A3 : Influence de la temprature sur la mobilit des porteurs dans le silicium en fonction de
la concentration du dopant

44

ETUDE DE LA JONCTION ABRUPTE EN COURT-CIRCUIT

1) CALCUL DE LETENDUE W0 DE LA ZONE DE CHARGE DESPACE


La figure suivante reprsente les charges ioniques (x) prsentes de part et dautre de la
jonction mtallurgique dune diode PN en court-circuit ainsi que le champ lectrique E (x) qui en
dcoule. Les ions ngatifs Na et les ions positifs Nd stendent sur les distances respectives -xp et xn
de part et dautre de la jonction mtallurgique.

a) Dans la zone de charge despace, le bilan des charges ioniques doit tre nul soit :

x p Na = xn Nd
En consquence, la zone de charge despace stend du ct le moins dop (le dopage Na est
bien infrieur Nd sur la figure).
b) Dtermination du champ lectrique E (x) laide de lquation de Poisson :

d 2V (x)
 (x)
=
2
dx
0si
45

Avec : 0 = 8.85 10-12 F.m-1 et si = 12


Sachant que : E(x) = 

dE(x)  (x)
dV (x)
=
, il vient :
dx
0si
dx

avec : E(x p ) = 0

Rpartition du champ lectrique ct SiP :


E(x) = 

qN a
(x + x p )
0si

Par analogie, du ct N, le champ lectrique est tel que :


qN d
(x  x n )
0si

E(x) =

On en dduit le champ lectrique maximal Emax en x = 0 :


E max (x = 0) = 

qN a
qN
x p =  d x n (1)
0si
0si

c) Calcul de ltendue de la zone de charge despace W0 = xp +xn


En utilisant les relations (1), on exprime ltendue W0 de la Z.C.E.
W0 = xn + x p =

1
1
0si
E max (
+
)
Na Nd
q

En introduisant le potentiel de diffusion V qui correspond laire du triangle form par la


xn

rpartition du champ lectrique E (x) soit : V =

 E(x)dx
x p

V =

1
1
E max (x n + x p ) = E max W 0
2
2

On en dduit :

W0 = 2

0si 1
1
(
+
)V
q Na Nd

2) CALCUL DU POTENTIEL DE DIFFUSION V


Pour calculer le potentiel de diffusion V, il faut exploiter lquilibre qui stablit entre le
courant de conduction dont est responsable le champ lectrique E (x) dans la Z.C.E. et le courant de
diffusion des porteurs entre les zones N et P. Cet quilibre se traduit pour les trous par la relation
densit de courant nulle soit :

J p = q p(x) p E(x)  q D p dp(x) = 0


dx

46

Dp

1 dp(x)
p p(x) dx
D
U dp(x)
Sachant que : p = UT il vient : E(x) = T
p(x) dx
p

Exprimons le champ lectrique E (x) : E(x) =

xn

Exprimons alors V =

 E(x)dx
x p

V = UT


P

Concentration trous dans P


dp
= UT ln(
)
Concentration trous dans N
p

V = UT ln(

47

Na Nd
)
n i2

soit :

V = UT ln(

Na
)
n i2
Nd