1.

Un
a)
b)
c)
d)

transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) consta de:

Un DIAC y un TRIAC.
Un diodo y un GTO.
Un BJT y un MOSFET.
Un SCR y un TRIAC.

Respuesta: c)

Un BJT y un MOSFET.

Justificacin: Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los

transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del
transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es
como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.
2. Un IGBT se divide en:
a) 2 materiales tipo n y 3 materiales tipo p.
b) 1 material tipo n y 2 materiales tipo p.
c) 3 materiales tipo n y 3 materiales tipo p.
d) 2 materiales tipo n y 1 material tipo p.
Respuesta: c)

3 materiales tipo n y 3 materiales tipo p.

Justificacin: Debido a que es la combinacin de un transistor BJT (1 material tipo p y 2

materiales tipo n) y un MOSFET (1 material tipo n y 2 materiales tipo p).
3. Un GTO es:
a) Es un dispositivo encendido por un solo pulso al igual que el tiristor normal; pero
es apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el terminal.
b) Es un dispositivo encendido y apagado por un pulso negativo de corriente en la
compuerta.
c) Es un dispositivo que purifica la seal para un circuito de disparo.
d) Es un dispositivo que se activa con un pulso positivo en el terminal,, pero se
desactiva cuando deja de recibir energa.
Respuesta: a) Es un dispositivo encendido por un solo pulso al igual que el tiristor normal;
pero es apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el terminal.
Justificacin: Es un dispositivo de electrnica de potencia que puede ser encendido por un solo
pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero
en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal.
Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por
la corriente en la puerta (G).
4. Qu capa tiene
a) Capa tipo p.
b) Capa tipo n+
c) Capa tipo pd) Capa tipo n-

adicional

el

tiristor

GTO

diferencia

del

SCR?:

Respuesta: b) Capa tipo n+

Justificacin: A diferencia del SCR, el GTO tiene una capa adicional n+ cerca del nodo, que
forma un circuito de apagado entre la compuerta y el ctodo, en paralelo con la compuerta de
encendido.
5. Qu capacidad de potencia y frecuencia de conmutacin alcanza el GTO?
a) Potencia media y frecuencia de conmutacin media.
b) Potencia alta y frecuencia de conmutacin lenta.
c) Potencia baja y frecuencia de conmutacin rpida.
d) Potencia alta y frecuencia de conmutacin media.
Respuesta: b) Potencia alta y frecuencia de conmutacin lenta.
Justificacin: Debido a su capacidad de manejar voltajes grandes (hasta 4.5 kV) y corrientes
grandes (hasta unos cuantos kiloamperios), el GTO se usa cuando se necesita un interruptor
para altos voltajes y altas corrientes en un rango de frecuencia de conmutacin de unos
cuantos cientos de hertzios a 10 kHz.