UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP

ING. SISTEMAS

TRABAJO FINAL
TEMA:
LOS TRANSISTORES
INTEGRANTES:
Flores Congona Carlos Francisco
PROFESOR:
Raul Reategui
2013

DEDICATORIA

Dedico este proyecto mis padres, quienes a lo largo de mi vida han velado por
mi bienestar y educacin, siendo mi apoyo en todo momento.

AGRADECIMIENTO
Esta monografa fue un proceso de aprendizaje y experimentacin personal por
lo cual agradezco a la Universidad, por la oportunidad que me brinda para salir
adelante.
A mis padres por todo el apoyo que me dan, y a Dios por darme la fuerza,
paciencia e inteligencia, porque sin el nada es posible.

INDICE

1.- INTRODUCCION.........2
2.-LOS TRANSITORES........3
3.-TIPOS DE TRANSITORES......5
3.1.- TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL..5
3.2.- TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR O BJT....5
3.3.- TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR O DE EFECTO DE
CAMPO........6
3.4.- TRANSISTORES DE ALEACION......6
3.5.-TRANSISTORES POR DIFUSION.....7
3.6.-TRANSISTORES PLANARES.....8
4.-USOS Y APLICACIONES DE LOS TRANSITORES EN CIRCUITOS
ELECTRICOS....10
4.1.- TRANSISTOR EN CONMUTACION...10
4.2.- TRANSITORES EN CIRCUITOS CON POLARIZACION DE
EMISOR........13
5.- LUGARES DE VENTA DE TRANSISTORES.....16
6.-

VENTAS

DE

TRANSISTORES

POR

INTERNET..

..18
7.- FICHAS TECNICAS O DE INFORMACION DE TRANSISTORES
(WORKSHEET)

PROPORCIONADAS

POR

DIFERENTES

MARCAS......19
8.- CONCLUSIONES.........21
9.- FUENTES DE INFORMACION-.........22

1.

INTRODUCCIN:

En este apartado trataremos el tema sobre un dispositivo, el cual ha revolucionado la

vida de todos nosotros= el transistor, que es sin duda uno de los mejores inventos
del hombre diseado para operar en circuitos electrnicos como amplificador,
oscilador

conmutador.

El

trmino Transistores

un

acrnimo

de transfer y resistor (resistencia de transferencia) y se compone de tres terminales:

colector, base y emisor.En estos temas estudiaremos las principales caractersticas
bsicas del transistor bipolary FET, as como sus aspectos fsicos, sus estructuras
bsicas y las simbologas utilizadas para cada uno de ellos.

Se abarcar igual el tema de la polarizacin, el encapsulado y la prueba de los

transistores con multmetros tanto digital como anloga que son indispensables en
estos dispositivos mencionados anteriormente.

En la actualidad, existe una gran variedad de aparatos electrnicos, tales como

televisores, vdeos, equipos musicales, relojes digitales y, cmo no, computadoras.
Aunque, aparentemente sean muy distintos, todos ellos tienen algo en comn: los
dispositivos electrnicos de los que estn constituidos. Los transistores son unos de
los dispositivos ms importantes. Estn construidos con materiales semiconductores
pero con estructuras ms complejas que los diodos. Son la base de la electrnica y
uno de los objetivos actuales es ir reduciendo su tamao continuamente.
Como ya sabemos, si tenemos un material semiconductor tipo P y uno de tipo N, y
los juntamos, esta unin da lugar al diodo; pieza bsica de cualquier circuito
electrnico. Este tipo de unin P-N no es la nica que se puede hacer con materiales
semiconductores. La ampliacin ms sencilla que se puede hacer a una unin P-N
es simplemente aadirle de nuevo otra capa de semiconductor tipo P o tipo N. Es as
como se obtiene lo que se conoce con el nombre de transistor de unin bipolar.

2.

LOS TRANSISTORES:

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la
contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de
uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos
de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes
de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes,
equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles.

El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en

diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford
Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956.
Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o trodo .
El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor ,pero no
se encontr una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa necesaria para
fabricarlos

masivamente

Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los

denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente
entre el surtidor o fuent (source) y el drenaje(drain) se controla mediante el campo
elctrico establecido en el canal. Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET
de tipo Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo
extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados
(CI).
Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La
tecnologa CMOS (Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo
con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan
3

mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga.

El transistor consta de un sustrato (silicio) y tres partes dopadas artificialmente

que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que
los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras,
modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son
elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica
cuntica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin

amplificada de la que se inyecta en el "emisor",pero el transistor slo grada la
corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el
tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre
corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros
parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde
se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin
Colector

Emisor,

tensin

Base

Emisor,

corriente

de

Emisor,

etc.

3.

TIPOS DE TRANSISTORES:

3.1.- TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL:

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de
"transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es
difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda
desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin
(W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.

3.2 .- TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR O BJT :

Por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de
Germanio,

Silicio

Arseniuro

de

galio,

que

tienen

cualidades

de

semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los

aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma
muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de
electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas
positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In),
Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).La
configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN,
donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y
las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el
emisor est mucho ms contaminado que el colector).El mecanismo que
5

representa

el

comportamiento

semiconductor

depender

de

dichas

contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de

contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial) y del comportamiento cuntico de la
unin.

3.3 .- TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR O DE EFECTO DE

CAMPO:
El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin
(JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma
una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales
de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de
efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P
en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir
una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta
al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de
drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que
llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.El
transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la
corriente

en

funcin

de

una

tensin;

tienen

alta

impedancia

de

entrada.Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante

una unin PN.Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en
el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.Transistor de
efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del
canal semiconductor por una capa de xido.

3.4 .- TRANSISTORES DE ALEACION:

Por este procedimiento se puede realizar transistores PNP de Ge de pequea y

mediana potencia (hasta 150 W). Normalmente se parte de discos de Ge
monocristalino tipo N. Se coloca en un molde de grafito, a la vez que se introducen
dos bolitas del componente de la aleacin que se quiere formar (para este caso In).
La de mayor tamao se coloca en la cara destinada al colector y la ms pequea
para el emisor. El conjunto se introduce en un horno con una atmsfera neutra o
ligeramente reductora y se realiza el proceso de vuelco. A una temperatura de 600
C se forma una aleacin eutctica de In-Ge que contiene el 24% de Ge, una vez
girado el molde 90C. A continuacin se gira dicho molde 180 C para la formacin
del emisor. Los tiempos de permanencia en cada fase determinan la profundidad de
las uniones base-emisor y base-colector.Las aplicaciones ms importantes de estos
transistores son para baja frecuencia y conmutacin media de baja potencia, as
como para usos generales que no exijan rendimientos elevados.Existe una variante
para seales dbiles que son las de aleacin difusa. Estos son bsicamente iguales
a los de aleacin, pero haciendo que el emisor forme en una aleacin de In como Ge
tipo N fuertemente dopado como muestra la figura de la izquierda. Esto es debido a
que entre las dos capas de conductividades diferentes, existe un campo acelerado,
disminuyendo el tiempo de trnsito.

3.5 .-TRANSISTORES POR DIFUSION:

Tcnica MesaSobre una oblea de Ge tipo P o Si tipo N, que constituye el colector, se
difunde arsnico o boro segn se trate de Ge o Si respectivamente. El emisor se
obtiene por difusin (a veces aleacin) de Indio para el Ge o de Fsforo para el Si.
Se metalizan las conexiones y se fijan los terminales por termocompresin. Como se
ha podido observar, se obtienen transistores PNP de Ge y NPN de Si.La tcnica
mesa reduce las superficies de unin colector-base, eliminando en gran parte la
capacidad parsita asociada a esta unin (ya que normalmente est polarizado en
inversa). Tambin permite obtener un reducido espesor de base, con lo que se llega
a frecuencias de corte de 500 Mhz. Adems de estas caractersticas, podemos
resear la elevada superficie de colector, con lo que sus aplicaciones se pueden
enfocar hacia transistores de Radiofrecuencia (RF) de potencia. Algunos variantes
ms perfeccionados con mtodos epitaxiales se usan para VHF y en general para
conmutacin rpida.
7

3.6 .- TRANSISTORES PLANARES:

El nombre de planar se debe a que la superficie de la pastilla permanece
plana, es decir, no presenta irregularidades geomtricas como los transistores
de aleacin, mesa, etc.El proceso comienza por la obtencin de mscaras de
una escala 500:1 aproximadamente, para luego reducirse a tamao natural
mediante fotolitografa. Estas mscaras van a determinar las zonas donde se
han de hacer las difusiones correspondientes a cada parte del transistor,
incluidas las metalizaciones. Hay que decir que las mscaras definitivas que
se aplicarn a las obleas de Si, estn constituidas por una multiplicidad de
mscaras elementales correspondientes a un solo transistor. Es decir, que se
fabrican unos 4000 transistores a la vez en la misma oblea y a continuacin se
separan para su encapsulacin.El proceso de fabricacin se va a explicar
respecto a un transistor aislado, aunque como ya se ha dicho no sea fiel reflejo
de la realidad. Se parte de un disco de Si tipo N, poco dopado (alta
resistividad). Se procede a una oxidacin global en un horno a 1200 C. A
continuacin se recubre la cara superior con una resina fotosensible, para
despus colocarle la mscara correspondiente e iluminarla, generalmente con
luz actnica. Se ataca el disco mediante fluoruro amnico y fluorhdrico para
eliminar la resina polimerizada y el xido, donde se ha de hacer la difusin a
una temperatura de 1200 C y se realiza una difusin de B en forma de vapor,
obtenindose la base tipo P. Se introduce vapor de agua en el horno y se
forma nuevamente SiO2 para proteger la zona difundida. Para la formacin del
emisor se procede de la misma forma que para la base, con su mscara
correspondiente y con una difusin tipo N con Fsforo o Arsnico. La pureza
de la oblea inicial es muy importante, pues las dos difusiones posteriores (la
de base tipo P y la de emisor tipo N) tienen que contrarrestar las impurezas
que hubiera, disminuyendo por consiguiente la resistividad del material, y no
se puede admitir un emisor con una resistividad demasiado baja. Para
terminar, se procede a la metalizacin mediante la apertura de ventanas de
forma anloga a la formacin de la base y el emisor. Por ltimo, se sueldan los
terminales dummets de la base y el emisor por termocompresin, mientras que
el colector suele ir conectada a la cpsula para obtener una mejor disipacin
8

trmica. Existe una variante de esta tcnica denominada planar-epitaxial. Esta

se diferencia de aquella en que se parte de una oblea de Si fuertemente
dopado (menos puro) llamado sustrato, sobre la cual se hace crecer una capa
epitaxial tipo N de elevada resistividad. A partir de aqu, el proceso es idntico
al planar. Con esta tcnica se obtiene la ventaja de que la tensin inversa
mxima que puede soportar la unin base-colector, es elevada gracias a la
gran resistividad de la capa epitaxial, pero permite, a diferencia de la tcnica
planar, que la tensin de saturacin sea pequea gracias a la baja resistividad
del sustrato, mejorando los tiempos de conmutacin y la potencia til respecto
a los planares. Las aplicaciones de los transistores planares, son
innumerables, como principales podemos citar transistores de seales fuerte o
depotencia y VHF para los planares-epitaxiales, as como para conmutaciones
rpidas. Cuando se requieren transistores de potencia para alta frecuencia, se
suele aumentarla longitud de difusin del emisor adoptando estructuras
interdigitadas en forma de cruz o peines como puede observarse en la figura
de la derecha. Esto es debido a la elevada concentracin de portadores sobre
los bordes del emisor, por las elevadas densidades de corriente que ha de
soportar. Los transistores de efecto campo, tambin se fabrican mediante la
tcnicaplanar- epitaxial , slo que mediante un proceso distinto.

4 .-USOS Y APLICACIONES DE LOS TRANSITORES EN CIRCUITOS

ELECTRICOS :

4.1.- TRANSISTOR EN CONMUTACION:

9

Tenemos un interruptor en posicin 1, abierto

IB = 0
IC = 0 corte (el transistor no conduce)
Recta de carga

Lo exacto seria:

10

Pero para la electrnica digital no tiene mucha importancia ese pequeo

margen, por lo tanto se desprecia interruptor en posicin 2:

Finalmente tenemos una grafica de la siguiente forma:

APLICACIN:

Si tenemos en la entrada una onda cuadrada.

11

Invierte la onda de entrada en la salida. Ese circuito se utiliza en

electrnica digital.

A ese circuito le llambamos "Circuito de polarizacin de base", que era

bueno para corte y saturacin, para conmutacin. Pero este que hemos
hecho no es exacto, lo exacto es:

Entonces se cogen los mrgenes, pero como estn muy separados se desprecia y
no se le da importancia a ese pequeo error

4.2.- TRANSITORES EN CIRCUITOS CON POLARIZACION DE EMISOR:

12

Si se quiere amplificar, se necesitan circuitos cuyos puntos Q sean inmunes a los

cambios en la ganancia de corriente, esto es, interesa que el punto Q sea lo ms
estable posible.
Para este propsito ahora se analizar el "Circuito de polarizacin de Emisor", que
es el siguiente:

El propsito es amplificar, por esa razn el transistor tiene que trabajar en la zona
ACTIVA.

Como estamos en activa VBE = 0.7 V. Por lo tanto y viendo la malla de

entrada la tensin VC ser de 4.3 V. Entonces la intensidad IE por la
resistencia RE ser de:

Grficamente :
13

Si bcc = 150 solo vara IB.

Vara la IB pero lo dems se mantiene y Q no vara, el transistor se

autorregula y hace que vare IB sin que nada ms vare, por lo tanto:
"El punto Q es muy estable".

Pero esto no es del todo exacto, porque algo vara, esto se ver si no se
usa la aproximacin de IC = IE. Sin esta aproximacin tenemos:

Y ahora si influye el bcc:

Y tendramos: VCE = 8,77 V

Con bcc = 150
14

Con bcc = 50

Vara algo, pero es bastante estable, es bueno para trabajar en activa.

15

5 .- LUGARES DE VENTA DE TRANSISTORES:

16

17

6.- VENTAS DE TRANSISTORES POR INTERNET:

MERCADO LIBRE:
http://www.mercadolibre.com.pe/

18

ONLINE ELECTRONICA
http://www.online-electronica.com

TWENGA
http://bricolaje.twenga.es

7.- FICHAS TECNICAS O DE INFORMACION DE TRANSISTORES

(WORKSHEET) PROPORCIONADAS POR DIFERENTES MARCAS:

Ficha tcnica del Transistor de silicio de uso general de mediana potencia

NPN: BD135, BD137, BD139, BD136, BD138, BD140.

19

RECEPTORES DE TRANSISTORES PHILIPS: 90 LR 071 y 90 LR 072 (aos

70)

20

8.- CONCLUSIONES:
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo
de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control.
Con el desarrollo de este trabajo adems de consolidar el trabajo en equipo, y
consolidar

nuestras

capacidades

investigativas

nos

aporto

importantes

conocimientos en algunos casos en forma de cultura general, y otras ocasiones

conocimientos especficos acerca de los diodos y cada uno de los tipos mas
conocidos. Podemos decir que el surgimiento de los Diodos ha proporcionado un
gran avance a la ciencia no solo a la electrnica sino a la ciencia de forma general
porque casi todos equipos que tenemos en la actualidad funcionan con
componentes elctricos y con presencia de transistores.

21

9.- FUENTES DE INFORMACION:

Electrnica disponible en:

http://www.electronica2000.com

Area eletronica disponible en:

http: //areaelectronica.com/Transistores/

Transistores: bipolares,jfet y mosfet disponible en:

http://www.geocities.ws/pnavar2/transis1/aplicaci.html

Circuitos electrnicos disponible en:

http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/9%20Circuitos
%20Amplificadores.pdf

22