FUNDAMENTOS

DE DISPOSITIVOS
ELECTR
ELECTRNICOS

Antonio Hernndez

INTRODUCCIN
1.1. Conceptos de dispositivo electrnico y modelo
1.2. Modelos en pequea y gran seal
1.3. El electrn libre
1.4. La ecuacin de De Broglie

1
2
3
4
6

LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

2.1. Estructura cristalina
2.2. Estructura y propiedades de los semiconductores
3.1. Estructura energtica de un tomo aislado. Niveles de energa
3.2. Estructura energtica de los slidos cristalinos. Bandas de energa
3.3. Influencia de los campos elctricos sobre las bandas de energa
3.4. Conductores, semiconductores y aislantes segn el modelo de bandas
3.5. Dependencia de la anchura de la banda prohibida con la temperatura
3.6. Masa efectiva
3.7. El hueco como portador de carga

7
7
13
15
17
21
22
23
26
27

SEMICONDUCTORES EN EQUILIBRIO
4.1. Estadstica de partculas en los semiconductores
4.2. Expresiones generales para la concentracin de portadores
4.3. Concentracin intrnseca en semiconductores no degenerados
4.4. Impurezas
4.5. Algunas dependencias con la temperatura

31
31
34
35
38
42

SEMICONDUCTORES EN DESEQUILIBRIO
5.1. Inyeccin de portadores
5.2. Procesos de generacin y recombinacin

45
45
47

LA ECUACIN DE CONTINUIDAD
6.1. Arrastre de portadores
6.2. Difusin de portadores
6.3.Efectos de los campos elevados
6.4. La ecuacin de continuidad
6.5.-Inyeccin lateral en estado estacionario
6.6.-Portadores minoritarios en la superficie
6.7.-El experimento de Haynes-Schokley

55
55
59
62
63
65
67
68

1 INTRODUCCIN

Desde la invencin del transistor bipolar en los aos cuarenta la industria electrnica ha
venido exigiendo dispositivos semiconductores cada vez ms pequeos, ms rpidos y con
niveles de consumo menores.
Esta exigencia ha favorecido el desarrollo de tecnologas de fabricacin y modelos cada
vez ms sofisticados. De hecho, si en los aos sesenta las dimensiones mnimas de los
dispositivos eran de decenas de micras, a finales del siglo stas se han reducido hasta las
centsimas de micra, llegando incluso a la fabricacin de nanoestructuras en los albores del
siglo XXI. Tal es as que fenmenos cunticos que, al principio, resultaban despreciables no
lo son ya y los modelos deben incorporarlos.
En este texto no se tratar con detalle los fenmenos cunticos. Los modelos de los
dispositivos que se desarrollarn son modelos "clsicos" que no han perdido validez por
cuanto describen con suficiente aproximacin su funcionamiento. Es ms, es frecuente
incorporar los fenmenos cunticos a estos modelos mediante correcciones de segundo orden.
La presentacin de los conceptos fundamentales de la teora de los dispositivos
electrnicos se realizar en varios captulos. En primer lugar se definen los slidos cristalinos
indicando algunas de sus caractersticas. Hecho esto, se expondr la manera en que se
distribuye la energa en los materiales semiconductores para, posteriormente, iniciar la
exposicin de resultados cuantitativos en situaciones de equilibrio, mediante conceptos y
resultados derivados de la mecnica estadstica. Despus se analizarn las situaciones de no
equilibrio y finalmente, tras indicar cules son los mecanismos por los que las partculas
cargadas en los semiconductores se ponen en movimiento, se deduce una ecuacin clsica
fundamental en la fsica de semiconductores: la ecuacin de continuidad, que sintetiza los
resultados obtenidos en los temas anteriores.

Este primer captulo, sin embargo, se dedica a definir o recordar algunos conceptos
bsicos para el estudio de las propiedades de los dispositivos electrnicos basados en
semiconductores.
1.1. Conceptos de dispositivo electrnico y modelo.
Si bien los conceptos de dispositivo electrnico y modelo de funcionamiento son conocidos,
resulta conveniente dedicar unas lneas a precisar el significado de los mismos.
As, un dispositivo electrnico es una entidad fsica que soporta campos elctricos y
magnticos en la que tiene lugar la conduccin por partculas cargadas.
Por su parte, un dispositivo semiconductor es aquel dispositivo electrnico en el que la
conduccin se realiza a travs de un medio semiconductor, en las entrefases de medios
semiconductores, o en las entrefases de medios semiconductores y otros medios.
Modelo es la descripcin elctrica de una entidad fsica mediante un elemento idealizado
o mediante la interconexin de elementos idealizados. Es decir los modelos son circuitos
electrnicos que reproducen el funcionamiento de un dispositivo.
Estas definiciones se aclaran con ayuda de las figuras 1.1 y 1.2. La primera muestra la
estructura de capas de un dispositivo electrnico, un transistor MOS. La segunda muestra el
smbolo de circuito correspondiente as como la curva caracterstica del dispositivo
ID=F(V1,V2). Claramente el nivel conceptual asociado al modelo es ms abstracto que el
corriente al dispositivo electrnico que se halla ms prximo a la estructura fsica que lo
sustenta.

Fig. 1.1. Entidad fsica.

Fig. 1.2. Modelo en gran seal.

1.2. Modelos en pequea y gran seal.

El modelo anterior es un modelo en gran seal, esto quiere decir que representa el
funcionamiento del dispositivo en un amplio margen de variacin de las seales presentes en
sus terminales (corrientes y tensiones). Si es suficiente describir el dispositivo para pequeas
variaciones de estas magnitudes se recurre a los modelos lineales en pequea seal.
Los modelos en pequea seal no son ms que modelos locales del funcionamiento de
los dispositivos electrnicos. Por locales se debe entender que slo son vlidos si operan en
torno a un punto llamado punto de operacin o de reposo. Se obtienen a partir del modelo
en gran seal mediante el desarrollo en serie de Taylor de la funcin que expresa el modelo
en gran seal, despreciando los trminos de orden superior al primero. As, por ejemplo, en
la figura 1.2 se indica un punto Q de la funcin ID=F(V1,V2). En ella, las variables
independientes toman los valores V1Q y V2Q y la variable dependiente es IDQ.
La expresin del desarrollo en serie de Taylor la funcin F(V1,V2) en un entorno del punto
de operacin Q(V1Q,V2Q), es

F
Q
Q
F(V1,V2) F(V1 ,V2 )
V1
V
1

F V ...
2
V
2
Q

donde F(V1Q,V2Q)=IDQ. Se suele introducir los siguientes cambios de notacin

F
Q
Q
id F(V1,V2) F(V1 ,V2 ) ; g1
;
V
1

F
g2
; v1 V1 ; v2 V2
V2 Q
donde g1 y g2 dependen del punto de operacin Q pues es en este punto en el evalan las
derivadas. Por otro lado, si ID representa una corriente y las V1 y V2 son tensiones g1 y g2 se
miden en -1. Si en la ecuacin {1.1} se desprecian todos los trminos de orden superior al
primero y se incorporan los cambios indicados en {1.2} su expresin queda de la forma
id g1 v1 g2 v2
que representa un modelo lineal llamado modelo en pequea seal porque su validez no es
universal como en los modelos en gran seal, es slo vlido en un entorno del punto de
operacin. Este modelo en pequea seal se asocia al esquemtico de la figura 1.3.
Concluimos que a partir de un modelo en gran seal es posible obtener el correspondiente
en pequea seal si se fija el punto de operacin.

Fig. 1.3 Modelo simplificado en pequea seal del MOSFET

1.3. El electrn libre.

Un electrn es una partcula elemental cargada. Su carga es por definicin negativa y de valor
q=1,6 10-19 C, y su masa mn=9,11 10-31 Kg.
Un electrn libre es aquel sobre el que no acta resultante alguna de fuerzas, por lo tanto
se puede escribir,
dp
p cte.
dt

F 0 F

En estas condiciones la energa total de la partcula es,

ET K

p2
2mn

1
m v2
2 n

px py pz

{1.1}

2mn

esta ecuacin es la relacin que liga a las componentes del momento con la energa del
electrn que, alternativamente, puede expresarse mediante la siguiente
2

px py pz

2mnET

siendo sta la ecuacin de una esfera de radio 2 me ET centrada en el origen en un sistema de

referencia de un espacio descrito por los ejes (px, py, pz), este espacio se denomina espacio
de momentos. En este espacio se define el operador diferencial "gradiente" de una manera
completamente equivalente al caso del espacio directo,
p

u
px 1

u
py 2

u
pz 3

donde los vectores u1, u2, u3 son los unitarios en las direcciones y sentidos positivos de los
ejes Opx, Opy, Opz, respectivamente.
Volviendo a la ecuacin {1.1} y aplicando el operador definido a la energa total,
es decir, a partir de la expresin de la energa en trminos del momento lineal es posible

p E T

1
pu pu pu
mn x 1 y 2 z 3

v x u1 v y u2 v z u3

calcular la velocidad del electrn sin ms que calcular el gradiente de dicha energa en el
espacio de momentos.
Para analizar los efectos de la aplicacin del gradiente dos veces se simplifica el estudio
al caso unidimensional,
ET

d 2E
1
T
mn

2
mn
dp

d 2ET
p2

2mn
dp 2

esto es, la masa del electrn se obtiene como la inversa de la segunda derivada de su energa
total. En tres dimensiones aplicar del gradiente dos veces conduce a
2
ET

2
px

2E
T

p p E T
py px

2ET

pz px

que podemos escribir en notacin ms

2ET

px py px pz

2ET
2ET
2
py pz
py

2ET
2ET

2
pz py
pz
compacta como

mij

2ET

2ET
pi pj

mn 1 0
0

1
0
0 mn

1
0
0
m
n

y que se puede denominar tensor de masas. Para interpretar el significado de una masa inerte
expresada como una magnitud tensorial se partir del concepto de masa derivado de la
segunda ley de Newton. La masa es un invariante (si las velocidades son moderadas) que
aparece como la resistencia que oponen los cuerpos a cambiar su estado de movimiento
cuando sobre ellos acta una fuerza. Siendo una magnitud escalar se concluye que el cuerpo
sufre aceleracin en la misma direccin y sentido en que se aplica la fuerza causante. Esto
es as si existe isotropa. Puede ocurrir, sin embargo, que un objeto material responda de
distinta manera al actuar sobre l fuerzas de distinta direccin, acelerndose mas en unas
direcciones que en otras para fuerzas aplicadas de igual mdulo. En esas situaciones no es
suficiente un escalar para representar la inercia del cuerpo, se necesita una magnitud capaz
de dar cuenta de las distintas direcciones del espacio y sus combinaciones. Es en estos casos
de anisotropa del material cuando se recurre a magnitudes tensoriales. La situacin se puede
asemejar al siguiente ejemplo, se desea lijar un trozo de madera veteada, es claro que si la
lija se pasa segn la direccin de las vetas ser ms fcil el lijado que si se desplaza
perpendicularmente. Este caso es fcilmente explicable sabiendo que las fuerzas de
rozamiento son menores en la direccin longitudinal a las vetas que en la transversal. Pero
5

si no se pudiesen percibir las vetas de la madera (se lija en un cuarto oscuro y se utiliza unos
guantes de modo que con el tacto tampoco es posible notarlas) se experimenta que en unas
direcciones la inercia del papel de lija es menor que en otras. La conclusin que obtiene el
observador (la persona que lija) es que la masa del papel de lija depende de la direccin en
que se aplique la fuerza. Esto es, se precisara una magnitud tensorial para describir el
fenmeno.
En el caso del electrn libre, dado que el espacio es istropo resultar que el tensor de
masas se reduce a un escalar de valor mn.
Por lo tanto el conocimiento de la energa de un electrn libre en trminos del momento
permite especificar el problema dinmico del mismo: se conocen la velocidad y la masa de
la partcula. Estos resultados, que en este ejemplo parecen complicar el problema, mostrarn
su potencia cuando se analicen electrones sometidos a la perturbacin de otras muchas
partculas situadas en su entorno.
1.4. La ecuacin de De Broglie.
Esta ecuacin, fundamental en la fsica moderna, relaciona el carcter ondulatorio y el
corpuscular de una partcula. Su expresin es
{1.9}
p
k
donde p representa el momento lineal de la partcula, es la constante de Planck reducida
=h/2=1,055 10-34 Js y k es el nmero de ondas asociado a la partcula en consideracin.
Con {1.9} podemos expresar los resultados del apartado anterior de la siguiente manera
2

ET

2mn

(kx ky kz ) ; v

k ET ; mij

2ET
ki kj

2 LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los materiales semiconductores son slidos cristalinos, hecho que es analizado en el presente
tema por presentar interesantes implicaciones en el tratamiento fsico ulterior del mismo.
En particular los cristales son sustancias que poseen una estructura microscpica
peridica, por ello sus propiedades microscpicas tambin son peridicas. Tras la exposicin
de los conceptos bsicos de la fsica de slidos cristalinos, describiendo especialmente la
estructura atmica del diamante, que es la estructura bsica de los cristales de materiales
semiconductores, el tema finaliza con la enumeracin de algunas propiedades que exhiben
los materiales semiconductores. Estas propiedades caracterizan estos slidos pues son rasgos
que nos permiten clasificar un material, desconocido a priori, como un semiconductor.
2.1. Estructura cristalina.
Los tomos de un slido no ocupan posiciones fijas. Cada tomo vibra con una pequea
amplitud en torno a una posicin de equilibrio que s es estacionaria. El que las posiciones
de equilibrio permanezcan inmviles da al slido una estructura rgida y lo distingue de un
lquido o un gas, pues aunque en los fluidos los tomos tambin se muevan, la diferencia con
los slidos es que recorren grandes distancias, y por esto su estructura no es permanente.
La distribucin de las posiciones de equilibrio de los tomos define la estructura de un
slido. Los slidos se pueden agrupar en tres categoras: cristalinos, amorfos y policristalinos.
En los cristalinos, la posiciones de equilibrio de los tomos presentan un patrn geomtrico
que se repite sin que vare la composicin, dimensin u orientacin. En los slidos amorfos,
las posiciones de equilibrio no forman un patrn que se repita. Por su parte, un slido
policristalino est formado por un gran nmero de pequeos cristales, denominados
monocristales, que no estn ordenados entre s.

Los materiales semiconductores son slidos cristalinos. stos pueden definirse mediante
la asociacin de una base de tomos y una red cristalina. La red que es una idealizacin
geomtrica y como tal, no tiene entidad fsica. Una red cristalina es un conjunto de lugares
geomtricos (denominados puntos de red) dados por el vector,
{2.1}
m ,n ,p Z
mnp m a n b p c;
como se especifica, m, n, p son nmeros enteros arbitrarios y a, b, c son los llamados
vectores fundamentales de traslacin. Las longitudes de a, b, c se denominan constantes de
red.
La palabra "arbitrarios", utilizada en la definicin, implica que la red cristalina posee una
extensin infinita pues infinitos son el nmero de enteros que pueden elegirse. Por lo tanto
no contiene superficies que la limiten. Obviamente esto es una aproximacin al mundo real.
La base de tomos es un grupo de tomos o de especies qumicas ligados a cada punto
de la red o situados en cada paraleleppedo elemental que, al repetirse en el espacio, forma
el cristal.
Por ejemplo, considrese el caso en dos dimensiones mostrado en la figura 2.1. En ella
los vectores fundamentales de traslacin de la red son a=ax, b=ay, c=0; siendo ax y ay los
vectores unitarios en las direcciones OX y OY, respectivamente. Haciendo variar los valores
de los enteros m y n en la ecuacin {2.1} se rellena el plano con puntos de red. En particular
se destaca el punto de red para los valores m=2 y n=-3. Con todos los posibles valores de m
y n se rellena el espacio de puntos de red.
Si a esta red cristalina se asocia una base de tomos se habr definido un cristal. As si
A y B son dos tomos y se decide que en cada cuadrcula (celda) de la figura 2.1 se sita A
en la posicin (a/4, 3b/4) y B en la (a/2,0) se tiene que, en cada celda,la distribucin de
tomos es como la mostrada en la figura 2.2 y el cristal entero, obtenido por repeticin de
la anterior, ser como el representado en la figura 2.3.

Fig. 2.1.

Fig. 2.2.

Fig. 2.3.

Fig. 2.4.

Ntese como los puntos de red no necesariamente coinciden con la posicin de los tomos
A y B. La definicin del cristal que se ha realizado no es nica: se puede elegir otro par de
vectores fundamentales de traslacin y disposicin de la base de tomos que represente al

mismo cristal. Si se redefinen los vectores fundamentales de traslacin de la red haciendo

a=ax, y b ( ax ay ) / 2 , y la nueva posicin de los tomos es A:(0,3b/4), B:(0,0) se puede
comprobar en la figura 2.4 que el cristal es el mismo que el definido antes.
En la figura 2.5 se muestran algunas celdas importantes. La mayor parte de los
semiconductores cristalizan segn la red del diamante o de la blenda (sulfuro de zinc). Ambos
cristales pertenecen a la llamada fase tetradrica que es aquella en la que cristalizan los
materiales en los que cada tomo est rodeado por cuatro vecinos ms prximos equidistantes
situados en las esquinas de un tetraedro (figura 2.7). El enlace entre dos vecinos prximos
se realiza mediante dos electrones de espines opuestos.
Se llama ejes de un cristal a los ejes definidos por los vectores fundamentales de
traslacin a, b y c.

Fig. 2.5. Celdas del sistema cbico.

Se llama celda primitiva (o celda unidad) a aquella celda en cuyo interior slo se halla
un tomo. Lo son, por ejemplo, aquellas celdas que slo tengan tomos en sus vrtices (en
la red cbica simple cada vrtice aporta la octava parte de un tomo a la celda, con lo que
las fracciones correspondientes a los ocho vrtices del cubo corresponden a un tomo en el
interior), en sus caras (la mitad del tomo por cara) o en su interior. Con esta definicin se
garantiza la no existencia de una celda de menor volumen que sirva como bloque para
construir la estructura.
Un procedimiento general para obtener celdas primitivas lo constituye la llamada
construccin de Wigner-Seitz. sta permite construir la llamada celda primitiva de
Wigner-Seitz, que se define como aquella obtenida al aplicar la siguiente secuencia (figura
2.6),
1.- unir un punto de la red con todos los que lo rodean,
2.- dibujar las lneas o planos perpendiculares a aquellas uniones y que pasan por su
punto medio,
3.- el volumen mnimo que queda encerrado en esta figura es la celda primitiva de
Wigner-Seitz.

Fig. 2.6. Construccin de la celda de Wigner-Seitz.

2.1.2. Red del diamante.

Las redes del diamante y la blenda (sulfuro de zinc), cuya estructura se muestra en la figura
2.7, se pueden considerar como dos redes fcc interpenetradas segn la diagonal del cubo en
la tercera parte de su longitud.

Fig. 2.7. Redes del diamante y la blenda.

El silicio y el germanio cristalizan segn la red del diamante pues como en ella todos sus
tomos son iguales (en el diamante todos los tomos son de carbono). El arseniuro de galio
(GaAs) cristaliza segn la red de la blenda, una de las subredes fcc est constituida por
tomos de arsnico y la otra por tomos de galio. El parmetro de red del diamante es 3.56
, el del silicio 5.43 , el del germanio 5.66 , y el del arseniuro de galio 5.65 .

10

2.1.3. ndices de Miller.

Los planos de un cristal se determinan por un conjunto de tres nmeros enteros denominados
ndices de Miller. stos nmeros se obtienen segn el siguiente procedimiento:
1.- encontrar los puntos de interseccin del plano con los ejes definidos por los
vectores fundamentales de traslacin. Por ejemplo el plano indicado en la figura
2.8.b corta a los ejes en el punto (-1/2,,).
2.- hallar los valores recprocos a los anteriormente obtenidos y reducirlos a los tres
enteros menores en la misma relacin. Se forma as la terna (hkl) que constituye
los ndices de Miller. Los cortes con la parte negativa del eje se notan con un
guin sobre el entero resultante. Siguiendo con la figura 2.8.b, el punto
(-1/2,,) pasa a (-2,0,0) y despus a (2,0,0).
En la figura 2.8 se muestran algunos planos relevantes de la red cbica. Los ndices
indicados estn referidos a los sistemas de referencia de cada uno de los cristales cbicos
mostrados.
Dadas las propiedades de simetra del cristal algunos planos son equivalentes. As por
ejemplo, las caras del cristal cbico: (100), (010), (001), (100), (010), (001), son planos
equivalentes. Un conjunto de planos equivalentes se denota utilizando llaves en lugar de
parntesis, {100}.
Los ndices de una direccin en un cristal se expresan, igualmente utilizando los ndices
de Miller, por la serie de los enteros ms pequeos que dan la relacin de los componentes
de un vector en la direccin deseada referidas a los ejes.
Los enteros se escriben dentro de un corchete [hkl]. En un cristal el eje x es la direccin
[100]; el eje y es la direccin [010]; etc.. En los cristales cbicos la direccin [hkl] es
siempre perpendicular al plano (hkl) que tiene los mismos ndices. Esto no es cierto para
otros sistemas.

Fig. 2.8. ndices de Miller de algunos planos de un cristal cbico

11

2.1.4. Red recproca.

Todos los puntos de red de una red cristalina se pueden generar a partir de uno de ellos
(tomado como origen) sin ms que seleccionar distintas ternas (m,n,p) del vector de traslacin
que define la llamada red directa {2.1}. Existe adems una red equivalente a la red directa
que se denomina red recproca. Los vectores fundamentales que definen la red recproca estn
dados por las ecuaciones,
A 2

bc
ca
ab
; B 2
; C 2
vc
vc
vc

siendo vc el volumen de una celda unidad de la red directa de valor,

vc a bc
tal y como han sido definidos, los vectores fundamentales de la red recproca son
perpendiculares a algn par de vectores fundamentales de la red directa y verificndose,
a A 2, a B 0,
b A 0,

a C 0,
{2.2}

b B 2, b C 0,

c A 0, c B 0, c C 2.
La dimensin de los vectores de la red recproca es (longitud)-1 (de ah su nombre), y los
vectores de traslacin de esta nueva red estn dados por,
{2.3}
h, k,l Z
Ghkl h A k B l C;
El volumen de la celda unidad en la red recproca es,
VC A BC

a bc
Ntese cmo de las ecuaciones {2.2} se obtiene,

2
vc

Ghkl mnp 2 z ; z
es decir, cada vector de la red recproca es normal a un conjunto de planos en la red directa.
2.2. Estructura y propiedades de los semiconductores.
Algunos parmetros que permiten "detectar" si un material es o no un semiconductor son,
entre otros, el valor de la resistividad del material, su composicin y la variacin de la
conductividad con la temperatura.
En relacin con el valor de la resistividad del material medida a la temperatura ambiente,
puede establecerse aproximadamente que el material es un metal si su resistividad a
temperatura ambiente (Ta) se encuentra en el inetervalo [10-6,10-4] cm, el material es un
semiconductor si 10-4 < (Ta) 1010 cm y es un aislante si (Ta) > 1010 cm.
Atendiendo a su composicin, los materiales semiconductores pueden ser simples o
compuestos. Son semiconductores simples los formados por un solo tipo de elemento qumico
perteneciente al grupo IVA de la tabla peridica, entre ellos destaca el silicio (Si). Los
12

semiconductores compuestos estn formados por ms de un elemento. Suelen ser

combinaciones de elementos de los grupos IIIA-VA, como el arseniuro de galio (GaAs) o
combinaciones de elementos de los grupos IIA-VIA, como el sulfuro de cadmio (CdS). El ms
utilizado en las aplicaciones electrnicas de entre los semiconductores compuestos es el
GaAs. Tambin son semiconductores compuestos algunas soluciones slidas de elementos de
los grupos IIIA-VA, por ejemplo la solucin ternaria AlxGa1-xAs o la cuaternaria
InxGa1-xAsyP1-y, en ambos casos x e y son nmeros con valores en el intervalo [0,1] llamados
fracciones molares de los elementos. Indican el nmero relativo de tomos de cada elemento
en la solucin slida.
Es posible una gran variedad de seleccin de materiales semiconductores cuyas
propiedades pueden seleccionarse para satisfacer determinadas especificaciones. Esto ha dado
lugar a una nueva rama de esta ciencia: la Ingeniera de bandas.
Finalmente, existe una evidente diferencia entre un metal y un semiconductor al observar
la variacin de la conductividad con la temperatura (figuras 2.9). En los semiconductores la
variacin relativa es de varios rdenes de magnitud cosa que no ocurre en los metales.
Adems, el coeficiente de temperatura es negativo en los metales para todo valor de la
temperatura en el intervalo de medida mientras que en los semiconductores se producen
cambios de signo.

Fig. 2.9. Variacin de la conductividad con la temperatura

13

3 BANDAS DE ENERGA

El anlisis de los materiales semiconductores se basa en la distribucin de la energa de las

partculas en su seno. Por ello dedicamos este tema a su presentacin. Partiendo de la
distribucin en niveles discretos de las energas de los electrones en los tomos aislados,
justificaremos que dichas capas se transformen en bandas si los tomos estn sometidos a
fuertes interaccines como en un slido cristalino. Estas bandas se representan en un espacio
"recproco", donde los ejes son los momentos cristalinos en tres dimensiones. La
representacin de este diagrama de bandas de energa en el espacio real ser el fundamento
del clculo de la concentracin de portadores en los semiconductores.
El modelo de bandas permite la clasificacin de los materiales en funcin de la
conductividad que presentan, explicando as la respuesta "peculiar" del semiconductor al
variar la tempertura.
Se discutir tambin, en este tema, la manera en que un campo electrosttico altera la
forma de las bandas de energa. Para finalizar definiendo dos conceptos esenciales: la masa
efectiva y el hueco como portador de carga.
3.1. Estructura energtica de un tomo aislado. Niveles de energa.
Un tomo aislado tiene distribuidas su carga y su masa en dos regiones llamadas ncleo y
corteza. El ncleo atmico es la regin ms masiva y ocupa la parte central del tomo;
contiene, entre otras partculas, a los protones y a los neutrones. La corteza rodea al ncleo
atmico y en ella orbitan los electrones en varias capas llamadas orbitales.
La energa de los electrones en las distintas capas se calcula resolviendo la ecuacin de
Schrdinger independiente del tiempo
15

 2 2

2m

U(r)n(r)

En n(r)

{3.1}

en esta ecuacin los electrones se describen mediante su "funcin de onda" n(r), en esta
notacin el subndice indica el nivel energtico en el tomo aislado, U(r) representa a la
energa potencial del electrn y En su energa total. Para el tomo de hidrgeno la energa
potencial es de tipo coulombiano
q2
40 r

U(r)

{3.2}

Las soluciones de la ecuacin {3.1} con la energa potencial {3.2} existen si la energa
es de la forma
En

EB
n2

; n 1, 2, 3, ...

{3.3}

siendo EB la llamada energa de Bohr cuyo valor es

q2
80aB

EB

{3.4}

donde aB es el radio de Bohr

aB

40

m q2

0.529

con este valor la energa de Bohr es -13.6 eV.

El smbolo n en la ecuacin {3.4} es el llamado nmero cuntico principal.
Es decir, la energa se distribuye en niveles discretos y depende del nmero cuntico n.
Los primeros valores permitidos son -13.6 eV, -3.4 eV, -1.51 eV y -0.85 eV, siendo el
nmero cuntico n=1, 2, 3 y 4, respectivamente. Ntese que segn la ecuacin {3.3} el valor
de la energa del electrn se anula para n tendiendo a infinito, lo que se corresponde con un
electrn que no pertenece al tomo de hidrgeno. Evidentemente los electrones tendern a
ocupar los niveles ms bajos pues son los de menor energa.
Si bien la energa depende slo del nmero n, las funciones de onda del electrn
dependen de otros tres nmeros cunticos: el orbital, l, el magntico, m y el espn, s. Cada
uno de ellos puede tomar slo ciertos valores:
l 0, 1, 2,..., n 1
m
l, l 1,...,0,...,l 1, l
1
1
,
s
2
2
Un estado de electrn se define por un conjunto permitido de nmeros cunticos (n,l,m,s);
por ejemplo, el nivel fundamental (n=1) tiene asociados dos estados correspondientes a los
valores de los cuatro nmeros cunticos (1,0,0,1/2) y (1,0,0,-1/2); y el segundo nivel tiene
los ocho estados siguientes: (2,0,0,1/2), (2,0,0,-1/2), (2,1,-1,1/2),
16

(2,1,-1,-1/2),(2,1,0,1/2),(2,1,0,-1/2),(2,1,1,1/2) y (2,1,1,-1/2). Una notacin alternativa para

indicar el nmero cuntico orbital es la utilizada en espectroscopa, consiste en llamar los
orbitales mediante las letras s, p, d, f,... en correspondencia con los valores 0, 1, 2, 3,... De
modo que es comn hablar de orbitales s, p o d en lugar de indicar los valores de l.
Al analizar la ocupacin de estos estados se ha de considerar el llamado principio de
exclusin de Pauli por el que no es posible que dos o ms electrones ocupen un estado con
exactamente los mismos nmeros cunticos. Adems es preciso considerar que en ausencia
de una perturbacin externa que pueda forzar a los electrones a aumentar su energa, stos
ocuparn las posiciones de menor energa; los orbitales se "llenarn" desde el nivel
fundamental hasta que se alojen todos los electrones del tomo, cuyo nmero debe coincidir
con el de protones en el ncleo pues los tomos son elctricamente neutros. De acuerdo con
esto, los materiales semiconductores simples poseen cuatro electrones en su ltima capa. Por
ello los cristales semiconductores pertenecen a la fase tetradrica.
3.2. Estructura energtica de los slidos cristalinos. Bandas de energa.
La estructura de bandas de un slido cristalino es la relacin que liga la energa y el nmero
de ondas o momento1 en su seno. Esto es, la estructura de bandas es la funcin
E

E(k)

Puede obtenerse aproximadamente a partir de la ecuacin de Schrdinger independiente

del tiempo aplicada a un problema monoelectrnico adecuado,
2 2

2m

U(r)k(r)

Ek k(r)

{3.4}

Las soluciones de esta ecuacin, como en el caso anterior del tomo de hidrgeno,
permiten no slo conocer la distribucin de la energa de los electrones, tambin la forma de
las funciones de onda de stas partculas en el seno del slido cristalino. Las funciones de
onda, en todo caso, satisfarn el teorema de Bloch que es uno de los teoremas bsicos de la
teora de bandas y que da la solucin de la ecuacin {3.4} para un slido cristalino. Establece
que si la energa potencial U(r) es peridica con la periodicidad de la red, las soluciones de
la ecuacin de Schrdinger son de la forma,
k(r)

e j k r un(k, r)

donde la solucin k(r) se denomina funcin de Bloch, un(k, r) es una funcin peridica con
la periodicidad de la red directa y n es el llamado ndice de banda.
Por otro lado, a partir del teorema de Bloch puede demostrarse que la energa Ek es
peridica en la red recproca, esto es,
donde Ghkl es un vector de traslacin de la red recproca (ecuacin {2.3}). Dada la
1

Aqu momento cristalino y nmero de ondas se manejan como sinnimos aunque estrictamente no lo sean. La
razn es que son proporcionales por la relacin de De Broglie.

17

Ek

Ek

Ghkl

periodicidad de la energa y dado un ndice de banda, n, para especificar de manera unvoca

la energa es suficiente utilizar los valores de k de una celda primitiva de la red recproca que
equivale a un perodo de la funcin de Bloch. Se suele usar la celda de Wigner-Seitz. Esta
celda primitiva del espacio recproco se denomina "primera zona de Brillouin". De modo que
es posible reducir cualquier valor del momento (k) en el espacio recproco a un punto en la
primera zona de Brillouin.
La primera zona de Brillouin de las estructuras del diamante y la blenda es la
correspondiente a la red cbica centrada en las caras mostrada en la figura 3.1.

Fig. 3.1 Primera zona de Brillouin

del diamante y la blenda

Los puntos y direcciones de simetra ms importantes son:

centro de zona, punto = (0,0,0)
diagonales, direcciones <111>, (se suele denominar direccin )
intersecciones de las diagonales con el lmite de zona, puntos L=(2/a)(1/2,1/2,1/2)
aristas, ejes <100>, ()
intersecciones de las direcciones con el lmite de zona, puntos X=(2/a)(0,0,1)
ejes <110>, ()
intersecciones de las direcciones con el lmite de zona, puntos K=(2/a)(3/4,3/4,0)

18

Los diagramas de bandas E=E(k) del silicio y arseniuro de galio se representan en las
figuras 3.2. En ellas los ejes de abcisas son direcciones en el espacio recproco. Las cuatro
direcciones posibles del tipo [111] son equivalentes entre s como lo son las tres direcciones
del tipo [100]. Por eso, para representar la mxima informacin posible en el plano se toma
el semieje positivo segn la direccin [100] y el negativo segn la [111].

Fig. 3.2. Diagrama de bandas de energa del silicio y arseniuro de galio

La energa de los electrones se representa convencionalmente como positiva al recorrer

el eje de ordenadas hacia arriba.
Es destacable que para cualquier semiconductor existe una regin prohibida de energas
en la que no pueden existir estados permitidos de electrones. Las bandas superiores (EG>0)
se denominan bandas de conduccin (BC) y las inferiores son las bandas de valencia (BV).
La anchura de la banda prohibida (EG) se define como la diferencia de energa entre el
mnimo absoluto de las bandas de conduccin y el mximo absoluto de las de valencia. El
mnimo absoluto de las bandas de conduccin se denomina nivel de conduccin y se denota
por EC y anlogamente, el mximo absoluto de las bandas de valencia se denomina nivel de
valencia, EV. La anchura de la banda prohibida (tambin llamado "gap" de energas), EG, es
el parmetro ms importante de la fsica de semiconductores.
Los estados de energa no forman un continuo, estn discretizados. Sin embargo, la
separacin entre estados es tan pequea (del orden de 10-23 eV) que las bandas se pueden
considerar cuasi-continuas (esto equivale a que en el tratamiento matemtico es posible
19

expresar relaciones diferenciales).

Cuando aparecen varias ramas en la banda de conduccin, la ms importante desde el
punto de vista de la conduccin elctrica es la rama inferior que se denomina rama de
conduccin (esta rama es en primera instancia la receptora de los electrones que vayan a
ocuparla parcialmente).
Anlogamente las ramas de mayor inters en la BV son las que poseen un mximo ms
elevado, pues sern los niveles prximos a dicho mximo los primeros que podrn quedar
vacantes.
Las dos subbandas de valencia que tienen el mismo mximo contienen los cuatro
electrones de valencia aportados por cada tomo de la red.
El mnimo absoluto (EC) de la banda de conduccin se encuentra en un punto prximo
al X para el Si y en el centro de la zona de Brillouin (punto ) para el GaAs. En todos los
casos el mximo absoluto de las BV (EV) se halla en el centro de zona. En el GaAs el
mximo de las bandas de conduccin y el mnimo de las de valencia coinciden en el punto
, por eso este material presenta una probabilidad apreciable de interacciones electrn-fotn.
Se denomina material de banda directa.
Los materiales de banda indirecta (que se definen como los que no son de banda directa)
presentan una mayor probabilidad de ocurrencia de interacciones electrn-fonn.
Una expresin aproximada de las bandas de energa de los electrones es,
E

E0 Axcos(kx a) Aycos(kyb) Azcos(kzc)

que desarrollada en serie de Taylor para el caso de las bandas de valencia, en un entorno del
centro de zona es aproximadamente,
E

Emin Ax kxa 2 Ay kyb 2 Az kzc 2

que depende del momento en forma parablica.

Fig. 3.3. Representacin simplificada del diagrama de bandas de energa

20

La representacin habitual de los diagramas de bandas de energa se llama representacin

simplificada y se muestra en la figura 3.3. En ella slo se indica la posicin de los distintos
niveles energticos.
Es importante destacar que en esta figura 3.3 el eje de abcisas es ahora la distancia
medida en el espacio directo (en los anteriores el eje de abcisas representa al momento (k)).
3.3. Influencia de los campos elctricos sobre las bandas de energa.
En el apartado 1.3 se ha mostrado cmo la relacin E=E(p)=E(k) caracteriza la velocidad y
la masa de los electrones libres, en los slidos cristalinos la funcin E=E(k) (bandas de
energa) tambin representa la dinmica de los electrones en el seno del cristal, en el que
estn sometidos a un potencial peridico. Esto es, E(k) incluye todos los efectos asociados
al potencial peridico de la red cristalina.
Sea una muestra cristalina de material semiconductor en el seno de un campo elctrico
de magnitud lo suficientemente pequea como para no modificar la estructura peridica del
material. La energa total de un electrn en la red se puede expresar como,
ET E0 EC(k) EP(r)
el ltimo sumando es la energa potencial asociada al campo, que se expresa,
r

EP(r) q () d

luego la energa total ser,

r

ET E0

EC(k) q () d

esta relacin admite la interpretacin siguiente por analoga con la expresin correspondiente
para los electrones libres: el primer sumando representa cierto valor de referencia, el segundo,
por analoga al caso del electrn libre representa cierta energa cintica del electrn en la
banda de energa correspondiente; ntese que este segundo trmino depende exclusivamente
del vector de onda k, por ltimo, el tercer sumando representa la influencia de la excitacin
exterior sobre la red, depende exclusivamente de la posicin en el espacio directo. Por lo
tanto, la excitacin externa modifica slo las bandas en el espacio directo. Es decir, las
bandas se curvarn paralelamente.
Es posible formular un principio de conservacin de la energa como sigue: "si ET es
constante, la variacin en la energa cintica es compensada por una variacin de signo
opuesto de la energa potencial".
Las conclusiones que de este principio se derivan son distintas segn se trate de bandas
llenas o parcialmente llenas. En el caso de bandas llenas la variacin de la energa cintica
de un electrn ha de ser compensada con una variacin, de signo opuesto, en la energa
cintica de otro electrn de la banda. De esta forma, en una banda llena no puede producirse
variacin global de la energa cintica y por tanto no cabe variacin alguna de la energa
21

potencial. En las bandas parcialmente llenas la situacin es radicalmente distinta. Pueden

producirse variaciones de la energa potencial de uno o varios electrones a costa de otra
variacin, de igual magnitud y signo opuesto, de la energa cintica ya que en este caso son
posibles las transiciones de electrones a niveles que estuviesen vacantes.
3.4. Conductores, semiconductores y aislantes segn el modelo de bandas.
En el apartado anterior se ha visto cmo puede obtenerse el diagrama de bandas de energa
de los electrones en un slido cristalino as como el aspecto que presentan los del silicio y
el arseniuro de galio. Atendiendo a la posicin relativa de los niveles de conduccin y de
valencia se pueden distinguir, en general, dos tipos de materiales distintos, aquellos en los
que se solapen las bandas de valencia y conduccin y aquellos cuyas bandas se encuentren
separadas por la banda de energas prohibidas (figura 3.4). Ya se ha indicado que en el
segundo caso se incluyen los materiales semiconductores.

Fig. 3.4. Diagramas de bandas de materiales distintos.

A la temperatura del cero absoluto, un material cuyo diagrama de bandas sea el de la

figura 3.4.b presentar la banda de valencia totalmente llena y la de conduccin podr estar
totalmente vaca o parcialmente llena. Estar totalmente vaca si todos los electrones de cada
tomo "caben" en los estados permitidos en la banda de valencia, y estar parcialmente llena
si no hay estados permitidos suficientes en la banda de valencia para alojar todos los
electrones.
En el apartado anterior se ha indicado que los electrones experimentarn una aceleracin
por la accin de un campo elctrico dbil si tienen la posibilidad de transitar hacia nuevos
estados energticos. Por lo tanto para que se produzca movimiento de electrones por el campo
es necesario que en la banda existan estados vacantes a los que puedan trasladarse.
De las consideraciones anteriores se deriva que un material cuyo diagrama de bandas en
el cero absoluto sea como el de la figura 3.4.b con la banda de conduccin totalmente vaca
no puede conducir, mostrando carcter aislante. As, estos materiales sern aislantes o
semiconductores ya que mediante experimentacin se sabe que son stos los que no conducen
para temperaturas muy bajas. La diferencia entre aislantes y semiconductores a temperaturas
mayores (pues en el cero absoluto son idnticos desde el punto de vista de la conduccin)
reside en el valor de la anchura de la banda prohibida, EG. Por ejemplo, el diamante presenta
22

una EG=5,4 eV, y en el silicio EG=1,12 eV. De modo que, al incrementar la temperatura, el
silicio contiene muchos ms electrones excitados trmicamente que el diamante ya que la
energa que han de salvar en la excitacin es casi cinco veces inferior en uno que en otro.
Los materiales cuya banda de energa es de la forma mostrada en la figura 3.4.a, o los que
la tienen como en la 3.4.b con la banda de conduccin parcialmente llena en el cero absoluto,
pueden conducir al someterlos a un campo elctrico. La razn es que ahora los electrones
pueden transitar con facilidad a estados vacantes de energas superiores que pueden alojar los
electrones que se encuentran bajo la influencia del campo elctrico. Es ms, a menores
temperaturas la conduccin es mayor porque, al disminuir las vibraciones trmicas, las
colisiones con otras partculas de la red tambin disminuyen y los electrones se pueden mover
ms libremente.
En la lnea de la discusin anterior y como resumen la figura 3.5 presenta
esquemticamente la manera en que se ocupan las bandas de energa a temperaturas
superiores a 0 K en los distintos materiales atendiendo a su conductividad.

Fig. 3.5. Ocupacin electrnica de las bandas de energa permitida en materiales

aislantes, conductores y semiconductores a temperatura superior al cero absoluto.

3.5. Dependencia de la anchura de la banda prohibida con la temperatura.

Cuando un tomo de los elementos del grupo IVA est aislado, sus cuatro electrones de la
ltima capa se distribuyen por pares en los orbitales s y p. Si varios tomos forman un slido
cristalino los niveles de energa permitidos se encuentran degenerados y se distribuyen,
cualitativamente, segn se indica en la figura 3.6.
En ella se representan los niveles de energa ms externos en trminos del parmetro de
red, a, a la temperatura del cero absoluto.
Si el parmetro de red toma valores grandes (zona de la derecha de la regin 1 en la
figura) los niveles son anlogos a los del tomo aislado, cada orbital puede alojar un par de
electrones por cada tomo, si son N los tomos presentes, los estados permitidos son 2N en
los orbitales s y 6N en los tres orbitales p. Cada uno de estos estados est asociado a un nivel
de energa perfectamente definido. Al aproximar los tomos los niveles de energa se
degeneran (zona de la izquierda en la regin 1) debido a la influencia de cada tomo sobre

23

sus vecinos2. La degeneracin es la aparicin de un cuasi continuo de niveles de energa

permitidos en los orbitales s y p. Los orbitales s degenerados alojan dos electrones por tomo,
es decir 2N electrones y los p pueden alojar hasta 6N electrones, por tanto se sitan en ellos
los dos electrones remanentes quedando 4N estados vacantes (los orbitales p no son

distinguibles).
Fig. 3.6. Niveles de energa de los electrones en funcin del parmetro de red a 0K

Si a disminuye an ms se alcanza cierto valor en el que se confunden todos los orbitales

s y p; aparece una sola banda (regin 2). En ella se encuentran los 8N estados permitidos que
alojan a los 4N electrones de la ltima capa de estos elementos del grupo IVA y quedan
vacantes otros 4N estados. El cristal de plomo es estable para un parmetro de red correspondiente a esta regin, por tanto este elemento es un metal.
Al seguir disminuyendo a se vuelven a separar las bandas (regin 3) apareciendo una
regin intermedia en la que no puede existir ningn estado permitido, es la banda prohibida.
La banda superior tendr 4N estados permitidos y la inferior los restantes 4N estados. Dado
que los electrones se sitan con preferencia en los niveles energticos inferiores, estarn
ocupados todos los estados de la banda inferior (banda de valencia), es decir en la banda de
valencia se alojan los 4N electrones del cristal, y en la banda de conduccin no habr ningn
electrn, estando vacantes los 4N estados disponibles. Los valores del parmetro a en esta
regin son los de equilibrio en los cristales del estao, germanio, silicio y carbono. Cuanto
mayor es la anchura de la banda prohibida, EG, mayor es tambin el carcter aislante del
elemento cristalino considerado. Por ello se dice que el estao es un semimetal, el germanio
y silicio semiconductores (con EG prxima a 1 eV), y el carbono (con EG prxima a 5 eV)
es un aislante.

Principio de exclusin de Pauli.

24

Al aumentar la temperatura el radio medio de los tomos aumenta por efecto de las
vibraciones trmicas de la red. Esto equivale a un aumento del valor del parmetro de red (la
red cristalina se dilata). Por tanto, las predicciones cualitativas se realizan desplazando la
constante de red ligeramente hacia la derecha en la figura 3.6. La anchura de la banda
prohibida disminuye con lo que la conductividad aumenta y los materiales son mejores
conductores al aumentar la temperatura.
Tabla 3.1.

Material

EG(0)
(eV)

( 10-4)
(eV/K)

(K)

Ge

0,7437

4,774

235

Si

1,170

4,73

636

GaAs

1,519

5,405

204

Esta disminucin del valor de la anchura de la banda prohibida, EG, se muestra

cuantitativamente en la figura 3.7.

Fig. 3.7. Variacin de EG con la temperatura de Ge, Si y GaAs

Las curvas experimentales se pueden aproximar por rectas (indicadas en la figura) que se
ajustan muy bien a temperaturas prximas a la ambiente, la ecuacin de ajuste es,

25

T 2
T

EG(T) EG(0)

los valores de los parmetros EG(0), y para cada material se recogen en la tabla 3.1.
3.6. Masa efectiva.
La aceleracin que experimenta un electrn en un cristal entre dos interacciones es
dE(k)
d 1
1
k E(k)
k

dt
dt
{3.13}

dk
dk
2
1
1
k k E(k)
k E(k)
dt
dt

Por otro lado, con objeto de establecer la analoga con la segunda ley de Newton se iguala
la fuerza que experimenta una electrn en el slido cristalino con el producto de cierta masa
por su aceleracin,
a

dv
dt

dp
dt

dk
m a
dt

con la expresin de a indicada en la ecuacin {3.13} queda,

dk
m
dt

dk
dt

k2E(k)

y el valor de m* resultante es,

2

k2E(k)

este parmetro, que es funcin del diagrama de bandas, Ek, se llama masa efectiva del
electrn en la banda correspondiente. Es una magnitud tensorial cuyos ndices varan con las
componentes del vector de onda. En un sistema de referencia arbitrario la cantidad,
mij

2E(k)

k k
i
j

se denomina tensor de masa efectiva que por definicin es simtrico.

Entre las propiedades del tensor de masa efectiva se pueden enumerar las siguientes:
1. dado que Ek es caracterstico de cada material, la masa efectiva tambin lo ser,
2. el tensor de masa efectiva , mij*, es funcin del momento, k, por tanto es distinta
para electrones que ocupen posiciones distintas,
3. la masa efectiva es positiva en las proximidades de un mnimo y negativa en las de
un mximo.
Gracias a la manera en que ha sido definida se puede operar con la masa efectiva
utilizando el concepto newtoniano de fuerza (magnitud clsica) sustituyendo la masa por el
tensor de masa efectiva. Esto ltimo constituye una gran simplificacin en el anlisis, ya que
26

se incorporan en dicho parmetro todos los efectos de la red cristalina.

3.7. El hueco como portador de carga.
La existencia de huecos es uno de los resultados ms importantes de la teora de bandas. A
los estados vacantes en una banda es a lo que se denomina estado de hueco.

Fig. 3.8. Movimiento de un estado de hueco en el espacio de momentos.

Las curvas a, b, c y d representan la evolucin temporal

Considerar el movimiento de un estado de hueco en el seno de un campo elctrico

aplicado, figuras 3.8. Inicialmente la banda est llena salvo para un solo estado vacante (E)
en el vrtice de la banda. Se aplica un campo elctrico en la direccin kx. El movimiento
de los electrones en la banda est regido por,
dkx
dt

cada electrn cambia en el mismo tiempo el mdulo de su vector de onda, kx.

Se observa en las figuras que la variacin de kx es negativa. El estado vacante (estado de
hueco) inicialmente en E se desplaza hasta D y despus hasta C. Es decir, el estado de hueco
se mueve a lo largo del espacio K junto a los electrones en la direccin decreciente de kx.
Por otro lado, el vector de onda total de los electrones en una banda llena es cero,
ki

este resultado expresa que si la banda est llena, todos los pares de estados k y -k estn
necesariamente llenos y el vector de onda total es cero. Adems, en una banda llena, cada
electrn cambia el valor de su vector de onda, k, con una velocidad dada por,

27

dk
dt

Los electrones no estn bloqueados cuando alcanzan el lmite de zona sino que son enviados
al lmite opuesto y comienzan de nuevo su movimiento.
Si la banda est llena salvo un electrn que falta, en el estado D por ejemplo, se puede
decir que hay un hueco en ese estado D. Las propiedades fsicas del hueco son aquellas de
la totalidad de los electrones en la banda. Esta frase es fundamental en la comprensin del
concepto de hueco.
La primera aplicacin es al vector de onda del hueco: si falta un electrn en el estado de
hueco de vector de onda kn, el vector de onda total del sistema es -kn ya que ocurre,
ki

kn

as, el vector de onda que hay que atribuir al hueco es,

kp

{3.14}

kn

esto es, el electrn que falta en D de la figura 3.8.B y la posicin del hueco se indica como
situado en kD, pero el verdadero vector de onda total del hueco es -kD, que es a su vez el
vector de onda del punto F si el hueco est en D.
La ecuacin del movimiento de un electrn en un cristal es,
dk n
dt

Fn

q vnB

donde Fn es la fuerza que acta sobre el electrn. Por {3.14}, se tiene,

dk p

dk n

dt

dt

Fn

q vnB

{3.16}

Es decir, el movimiento del hueco est descrito por la ecuacin del movimiento de una
carga positiva en un campo elctrico. Tambin es la de una carga positiva en un campo
magntico a condicin de que vp=vn.
La razn por la que el signo de dkp/dt es opuesto al de dkn/dt se aclara con ayuda de la
figura 3.8, el estado vacante se desplaza por DCB..., tal y como lo hacen los electrones
adyacentes, pero el electrn asociado al hueco se desplaza en sentido inverso, esto es,
FGH... en el espacio K. Aqu vn representa la velocidad que tendra el electrn que falta.
La velocidad vp del hueco se determina por el siguiente argumento: si un electrn falta
en el estado D la corriente elctrica transportada por la banda es la del electrn no apareado
en el estado F,
j

qv(f )

q v(f )

esta corriente puede ser considerada como de una carga positiva de velocidad -v(F). Dado que
-v(F) es igual a la velocidad v(D) del estado D, del que se extrajo el electrn, la corriente
28

puede escribirse como j=qv(D). Se tiene v(D)=-v(F) ya que la derivada de la energa

(dE(kx)/dkx, que es proporcional a la velocidad) tiene valores opuestos en los puntos D y F.
La corriente es consistente con la carga positiva del hueco si su velocidad es igual a la del
electrn que falta.
El electrn falta del estado kn. Si vn es la velocidad que tendra un electrn en el estado
kn, entonces,
vp

vn

kE(k n)

donde E(k) representa la energa de un electrn en el estado kn.

Por conveniencia se toma el origen de energas en el vrtice de la banda llena o casi llena,
ocurre entonces que E(kn) ser negativa en esta banda. El hueco que se crea al suprimir un
electrn tendr la energa positiva Ep (de acuerdo con el hecho de que la carga del hueco es
opuesta a la del electrn),
Ep

E(k n)

Por ser las bandas simtricas (funciones pares en k), ocurre que E(k)=E(-k), se puede
interpretar la energa del hueco Ep como E(kp) ya que kp=-kn, con esto,
E(k n)

Ep(k p) Ep(k p)

E( k p)

E(k n)

luego la energa del hueco es de signo opuesto a la del electrn ausente, siendo necesaria ms
energa para separar un electrn de un estado de energa baja que de uno de energa elevada
en la banda. La expresin de la velocidad queda,
vp

k E(k n)

k E(k n)

Ep(k p)

k Ep(k p)

donde el gradiente est tomado respecto a kp.

La ecuacin del movimiento de un hueco se obtiene de {3.16} junto con la igualdad de
las velocidades,
dk p

q vpB

dt

Fp

{3.22}

ecuacin que describe el movimiento de una carga positiva en el seno de un campo

electromagntico.
La masa efectiva de un hueco es de signo contrario a la del electrn ausente: la masa
efectiva de un electrn en el estado kn, en el que tiene una velocidad vn, se define de forma
que la ecuacin del movimiento toma la forma de la segunda ley de Newton, {3.23}.
mn

dv n
dt

q v nB

{3.23}

La masa efectiva del hueco se define a partir de una ecuacin de la misma forma pero
para una carga positiva,

29

mp

dv p
dt

q v pB

{3.24}

Dado que vp=vn y comparando las ecuaciones del movimiento {3.23} y {3.24},
dv
dt
v
dv
mp
dt
mn

vn

vp

mp

q v B
q v B

mn
mp

mn

luego la masa efectiva del hueco es la que correspondera al electrn ausente cambiada de
signo.

30

4 SEMICONDUCTORES EN EQUILIBRIO

El gran nmero de partculas cargadas en el seno de un material semiconductor hace inviable

el tratamiento una a una de las mismas con objeto de realizar predicciones sobre la fsica
implicada. Desde un punto de vista microscpico se aplican conceptos estadsticos (mecnica
estadstica) en la resolucin del problema.
En este tema se presenta en primer lugar, adoptando un criterio axiomtico, las
herramientas matemticas y los conceptos fsicos con los que obtener las relaciones que
permiten cuantificar diversos fenmenos asociados a la concentracin de partculas.
4.1. Estadstica de partculas en los semiconductores.
Para calcular las concentraciones de partculas, necesarias para evaluar su influencia en los
fenmenos de conduccin en los dispositivos semiconductores, es necesario dar algunas
expresiones fundamentales. Aqu, se expresa un postulado y se dan varias definiciones.
Postulado fundamental:
el nmero infinitesimal de partculas por unidad de volumen (dc) cuya energa est
comprendida en el intervalo [E,E+dE] se calcula por,
dc

f(E) dG

donde f(E) es la probabilidad de ocupacin de los estados cuya energa es del intervalo
[E,E+dE] y dG representa al nmero de estados por unidad de volumen con energa en el
intervalo referido.
Se llama funcin densidad de estados, g(E), al nmero de estados por unidad de volumen
y de intervalo energtico. As,
g(E)

dG
dE

En trminos de la funcin densidad de estados la concentracin de portadores queda

{4.1}
dc f(E)g(E)dE
Si A es una magnitud cualquiera funcin de la energa, su valor total para un sistema de
partculas definido por f(E) y g(E) es,
Ef

AT

A(E) f(E) g(E) dE

E0

4.1.1. Funciones densidad de estado.

La funcin densidad de estados prximos al mnimo de las bandas de conduccin es,
2 mdc

{4.2}
)3 / 2 E EC 1 / 2
h2
donde mdc* es la llamada masa efectiva para la densidad de estados en la banda de
conduccin, cuyos valores para el Si y el GaAs son 1.08 me y 0.072 me, respectivamente;
h es la constante de Planck y EC es el nivel de conduccin.
La funcin densidad de estados prximos al mximo de las bandas de valencia es,
g(E)

4(

g(E)

4(

2 mdv
2

)3 / 2 EV E

1/ 2

{4.3}

h
donde mdv es la llamada masa efectiva para la densidad de estados en la banda de valencia,
cuyos valores para el Si y el GaAs son 0.55 me y 0.43 me, respectivamente; h es la
constante de Planck y EV es el nivel de valencia.
*

Fig. 4.1. Densidad de estados. a) Si. b) GaAs.

En las figuras 4.1 se puede observar la dependencia con la energa de cada una de estas
funciones de densidad de estados para los semiconductores ms utilizados.

32

4.1.2. Funciones densidad de probabilidad de ocupacin.

Los electrones son (desde el punto de vista de la mecnica estadstica) un grupo de partculas
de un conjunto ms general llamado fermiones.
Los fermiones se rigen por la funcin de distribucin de Fermi-Dirac,
f(E)

1
{4.4}

E EF

1 e

kT

donde EF es un "potencial qumico" (un determinado valor privilegiado de energa) llamado

nivel de Fermi, que es funcin a su vez de la concentracin de partculas; k es la constante
de Boltzmann y T la temperatura absoluta.
La distribucin de Fermi-Dirac representa la probabilidad de que un cierto estado de
energa E est ocupado por un electrn. Al ser un valor de probabilidad su recorrido es el
intervalo [0,1]. El nivel de Fermi es la energa para la que la probabilidad de ocupacin por
un electrn es 1/2.
La forma de f(E) se muestra en la figura 4.2. Ntese que f(E) es simtrica con respecto
al punto E=EF. Adems, si T=0 K,
f (E )

1, si E <EF; f (E )

0, si E >EF

es decir, todos los estados permitidos de energas E<EF estn ocupados y los de energas
E>EF se hallan vacos. As, en un metal, a T=0 K el nivel de Fermi se encontrar dentro de
la banda de conduccin (ya que conduce) mientras que en un semiconductor ocurre que
EV<EF<EC, esto es, el nivel de Fermi se ubica dentro de la banda prohibida.

Fig. 4.2. Distribucin de Fermi-Dirac para electrones en Si

De la figura 4.2 se deduce que si la energa toma el valor El=EF-3kT, el trmino

exponencial toma un valor superior a 200 y f(E)0; por su parte, si la energa toma el valor
Eh=EF+3kT, la exponencial toma un valor inferior a 0.05 y f(E)1. En esos casos la
distribucin de Fermi-Dirac se aproxima por,
33

E EF

f (E ) 1 e

kT

, si E <EF 3kT

{4.5}

E EF

f (E ) e

kT

, si E >EF 3kT

La probabilidad de ocupacin por huecos es la probabilidad de que un estado de energa

E no est ocupado, esto es:
fp(E)

1 f(E)

{4.6}

EF E

1 e

kT

donde E representa a la energa de electrn.

4.2. Expresiones generales para la concentracin de portadores.
Las concentraciones de electrones en la banda de conduccin y de huecos en la de valencia
se calculan integrando {4.1} en un intervalo adecuado de energas.
Utilizando las ecuaciones que expresan la funcin densidad de estados prximos al
mnimo de la banda de conduccin (ecuacin {4.2}), la funcin densidad de estados prximos
al mximo de la banda de valencia (ecuacin {4.3}), la funcin de distribucin de
Fermi-Dirac (ecuaciones {4.4} para los electrones y {4.6} para los huecos) se tienen las
ecuaciones,
EC

2m
4( n )

h2
E
C

3
2

E EC

1
2

E EF

1 e

kT

EV

dE ;

2m
4( p )

h2
E
Vm

3
2

EV E

1
2

EF E

1 e

dE

{4.7}

kT

donde se ha realizado un cambio de notacin para las masas efectivas de los electrones y los
huecos (mn=m*dc, mp=m*dv), y los valores de energa EC y EV representan los valores mximo
y mnimo posibles de la energa de las bandas de conduccin y de valencia respectivamente.
Estos valores pueden reemplazarse en la prctica por y - dado el valor despreciable de
la funcin densidad de probabilidad de electrones y huecos (distribucin de Fermi-Dirac,
ecuacin {4.4}) en la regin que se incluye en el intervalo de integracin.
M

34

Fig. 4.3. Distribucin de Fermi-Dirac para electrones en Si

El valor de las integrales de las ecuaciones {4.7} coincide con las reas bajo las curvas
en la figura 4.3 donde se representa el producto f(E)g(E) frente a la energa de los electrones.
El clculo se ha realizado para un "semiconductor intrnseco" (en l: n=p=ni) a temperatura
ambiente.
Con los siguientes cambios de variable,
E EC
n

kT

EV E
p

kT

EF EC
nF

kT

EV EF
pF

{4.8}

kT

las integrales {4.7} se transforman en,

1

2m kT 32
2
n
4 n
2

h 01 e

nF

2m kT 32
2
p
4 p
2

h 01 e

{4.9}
p

pF

Utilizando la integral de Fermi de orden m definida como,

2 x m dx
Fm(xo)
x x

01 e
y siendo NC y NV como las densidades equivalentes de estados para las bandas de conduccin
y de valencia, respectivamente, dadas por las ecuaciones
o

NC

2m kT 32
; N
n
2
V

2
h

2m kT 32

p
2

2
h

{4.10}

donde a temperatura ambiente los valores de NC y NV son tres rdenes de magnitud inferiores
a las densidades tpicas de tomos en slidos cristalinos. Las {4.9} se transforman en funcin
de la integral de Fermi de orden 1/2 y de las densidades equivalentes de estado en las,
la integral de Fermi no es una funcin que pueda expresarse de forma analtica. Los clculos
35

NC F 1 (
2

nF

NC F 1 (

EF EC
kT

) ;

NV F 1 (
2

pF

NV F 1 (
2

EV EF
kT

con ella requieren procedimientos numricos. Sin embargo, para ciertos semiconductores
(denominados no degenerados) se pueden aproximar por la funcin gamma de Euler ()
multiplicada por un factor exponencial en la posicin de los niveles de energa.
4.3. Concentracin intrnseca en semiconductores no degenerados.
A temperaturas distintas al cero absoluto, la agitacin trmica de los electrones provoca saltos
de los mismos desde la banda de valencia a la de conduccin dejando cierto nmero de
huecos en la banda de valencia igual al de electrones en la de conduccin. Un semiconductor
se dice intrnseco si contiene una muy pequea cantidad de tomos de impurezas comparada
con los electrones y huecos generados por la agitacin trmica.
En la banda de conduccin hay un gran nmero de estados permitidos. Sin embargo, para
semiconductores intrnsecos habr slo unos pocos electrones en la banda de conduccin y
por tanto, la probabilidad de que un electrn ocupe uno de estos estados es pequea. Hay
tambin un gran nmero de estados permitidos en la banda de valencia. Por contra, la mayor
parte estn ocupados por electrones. De modo que la probabilidad de que un electrn ocupe
uno de esos estados es prcticamente la unidad. Habr slo unos pocos estados vacantes, esto
es, huecos en la banda de valencia. Puede verse que el nivel de Fermi (EF) est situado en
las proximidades de la mitad de la banda prohibida. Aproximando la distribucin de
Fermi-Dirac por el valor propuesto en {4.5} (los semiconductores en los que es posible
realizar esta aproximacin se llaman semiconductores no degenerados) e introduciendo {4.2}
y {4.5} en {4.1} queda,
2mn

3
2

E E 2e
C

E EF

kT
)
dE
h2
E
y haciendo el cambio de variable propuesto en {4.8} se obtiene la integral expresada por,

4(

E EC n

2mnkT

4(

h2
La integral gamma de Euler se define por,

EF EC

) 2e

kT

x 2 e xdE

{4.11}

(a 1)

ae d

{4.12}

verificndose que,
3
( )
2

1 1
( )
2 2

Introduciendo {4.12} en {4.11} se obtiene,

EC

n
36

NC e

kT

EF

{4.13}

donde se ha hecho uso de {4.10}. La densidad efectiva de estados en la banda de conduccin

(NC), toma a temperatura ambiente los valores 2.8 1019 cm-3 para el Si y 4.7 1017 cm-3 para
el GaAs.
Procediendo de manera anloga,
EF

NV e

EV

{4.14}

kT

NV es 1.04 1019 cm-3 en Si y 7.0 1018 cm-3 en GaAs a temperatura ambiente.

Para un semiconductor intrnseco el nmero de electrones por unidad de volumen en la
banda de conduccin es igual al nmero de huecos por unidad de volumen en la banda de
valencia, esta concentracin se denomina densidad intrnseca de portadores (ni). El nivel de
Fermi en un semiconductor intrnseco se llama nivel intrnseco (denotado Ei) y se obtiene al
igualar n y p en las expresiones anteriores,


kT NV EC EV 3kT mn
{4.15}
log
log
2
4
2
2
NC
mp
a temperatura ambiente el segundo sumando es mucho menor que el primero. Por tanto, el
nivel de Fermi intrnseco Ei est muy prximo al punto medio de la banda prohibida.
La densidad intrnseca de portadores se obtiene de las ecuaciones {4.13}, {4.14} y {4.15}
n

p Ei

EC EV

EG

n p ni ni
2

{4.16}

NCNV e 2kT

donde EG=EC-EV.
La ecuacin n p=ni2 se denomina ley de accin de masas (l.a.m.). Esta ley es vlida para
semiconductores intrnsecos y los dopados (semiconductores extrnsecos) en equilibrio trmico
(el concepto de equilibrio trmico se entiende, en este contexto, como aquella situacin que
se alcanza cuando, en ausencia de excitacin exterior, una muestra de material semiconductor
se mantiene a temperatura constante durante "mucho" tiempo). En un semiconductor
extrnsico el incremento en la concentracin de un tipo de portador tiende a reducir la
concentracin del otro por un proceso llamado recombinacin; as, el producto de las
concentraciones de ambos tipos de portadores permanecer constante a cierta temperatura. aL
concentracin intrnseca se calcula imponiendo EF=Ei en una de las {4.13} o {4.14},
EC

ni

NC e

Ei

kT

Ei EV

NV e

kT

con este resultado en {4.13} o {4.14} de nuevo se puede escribir,

n

NC e

EC Ei Ei EF

EC Ei

EF Ei

EF Ei

kT

kT

kT

kT

NC e

ni e

Ei EF

; p ni e

kT

que son tiles expresiones de las concentraciones de portadores en trminos de la

concentracin y el nivel intrnsecos.
Con objeto de hacer explcita la dependencia de la concentracin intrnseca con la
37

temperatura se introducen las ecuaciones {4.13}, {4.14} y la expresin que da la dependencia

de la anchura de la banda prohibida con la temperatura (en la aproximacin al entorno de la
temperatura ambiente EG(T)=EG0-mT) en la ecuacin {4.16} para dar,
E
E

3/2 m
2k
{4.18}

1 / 2
2kT
3/2
2kT
2k 3 / 2
(mnmp) e T e
H T e
ni 2
2
h

donde el factor H es independiente de la temperatura. Las curvas para el Si y el GaAs pueden

verse en la figura 4.4 donde a temperatura ambiente ni(Si)=1.45 1010cm-3 y
ni(GaAs)=1.79 106cm-3, estos valores reflejan el hecho de que el material de mayor ancho
de banda prohibida tiene menor concentracin intrnseca.
G0

G0

Fig. 4.4. Concentraciones intrnsecas en Si y GaAs en funcin de la

inversa de la temperatura

4.4. Impurezas.
En los cristales semiconductores reales existen defectos en las redes cristalinas que son
imposibles de evitar totalmente. De hecho, algunos de estos defectos, las impurezas donadoras
y las aceptoras, se introducen en el cristal de manera intencionada y controlada pues la
operacin de casi todos los dispositivos semiconductores se basa en la presencia de estas
impurezas.
Todos los defectos modifican el diagrama de bandas del semiconductor puro
introduciendo estados de energa permitidos adicionales. Estos estados de energa pueden
estar en el seno de la banda prohibida con lo que se hace posible la presencia de algunos
portadores con niveles de energa prohibidos en el semiconductor ideal.
Un semiconductor con impurezas introducidas de forma controlada se dice que est
dopado o que es extrnseco. Si no est dopado se llama intrnseco.

38

Fig. 4.5. Efectos de la introduccin de una impureza a) donadora, b)

aceptora

Considrese silicio al que se ha introducido impurezas del grupo VA de la tabla peridica.

Suponer que en el proceso de introduccin uno de estos tomos de impureza ha sustituido
en el cristal a otro de silicio3 (figura 4.5.a). El modelo de enlaces ofrece una explicacin
plausible en este caso: dado que los tomos de este grupo poseen cinco electrones de valencia
cuatro de ellos satisfarn los enlaces con sus vecinos, si la temperatura es baja el electrn
restante, que no est ligado por ningn enlace, queda "suelto" en las proximidades de la
impureza que ejerce cierta atraccin de tipo coulombiana sobre l, pues al "perder" un
electrn queda como in positivo. Este electrn abandonar la zona de influencia del in si
se le aporta una pequea cantidad de energa, pasando a formar parte de los electrones de
conduccin del material. Desde el punto de vista del modelo de bandas lo que ocurre es que
la impureza modifica el diagrama de bandas introduciendo un nivel de energa permitido en
la banda prohibida. Este nivel no puede encontrarse en el seno de la banda de conduccin
porque el electrn no es, inicialmente, uno de los electrones de conduccin pues est
"atrapado" por el in que lo introdujo. Como con un pequeo aporte energtico el electrn
pasa a ser de conduccin, necesariamente el nivel permitido ha de encontrarse muy prximo
al nivel de conduccin. Por su parte, la impureza ionizada es una carga fija en la red
cristalina que no aporta su carga a la conduccin. Esto se esquematiza en la parte inferior de
la figura 4.5.a. En todo caso, el efecto de introducir un tomo del grupo VA de la tabla
peridica es el de donar electrones de conduccin. Por eso a estas impurezas se las denomina
donadoras. Asimismo, el nivel de energa introducido se llama nivel donador, ED.
La situacin complementaria se alcanza al dopar con una impureza del grupo IIIA de la
tabla peridica (figura 4.5.b). En este caso el tomo de impureza slo tiene tres electrones

Si la impureza sustituye un tomo de los del cristal se dice que ocupa posicin substitucional. Otra
posibilidad es la posicin intersticial en la que la impureza se aloja entre los tomos sin sustituir a ninguno.

39

en su ltima capa, los cuales formarn enlaces con tres de los tomos de silicio que lo
rodean. El enlace insatisfecho arrancar uno de los electrones de un enlace cercano entre dos
tomos de silicio generando una ausencia de electrn que, a bajas temperaturas, se mantendr
en las proximidades de la impureza ionizada, pero si gana suficiente energa abandonar dicha
regin aportando su carga a la corriente de huecos. El modelo de bandas permite decir que
la introduccin de la impureza del grupo IIIA supone la aparicin de un nivel de energa
permitido en las proximidades del nivel de valencia (parte inferior de la figura 4.5.b). Si uno
de los electrones de valencia gana suficiente energa se producir la transicin de ste hacia
ese nivel y se crear un hueco en la banda de valencia. Es claro que el efecto de este tipo de
impurezas es la captura de un electrn, por eso se denominan impurezas aceptoras y al nivel
de energa introducido nivel aceptor, EA.
Los niveles de energa donadores introducidos por algunas impurezas en silicio se
muestran en la tabla 4.1. Estn dados desde el nivel de conduccin, es decir, X=EC-ED, donde
X es el dato indicado en la tabla en electrn-Volts.
Tabla 4.1. Niveles donadores introducidos por algunos elementos en el silicio.

Silicio
X (eV)

Sb

As

Ti

Pt

Au

0,039

0,045

0,054

0,21

0,25
0,77

0,82

0,83

0,16
0,51

Se observa que algunas impurezas introducen ms de un nivel donador. Esto ocurre si el

tomo de impureza tiene ms de un electrn de valencia, al introducirlo en la red puede ceder
con cierta facilidad el primer electrn, si se suministra suficiente energa ceder ms
electrones, por eso los niveles donadores sucesivos estn ms alejados del nivel de
conduccin.
En la tabla 4.2 se muestran los niveles aceptores introducidos por algunas impurezas en
silicio. En este caso las energas indicadas estn referidas al nivel de valencia, X=EA-EV.
En el GaAs los niveles donadores XD=EC-ED son los de la tabla 4.3 y los aceptores
XA=EA-EV los de la tabla 4.4, algunas impurezas, como el silicio o el carbono, pueden actuar
como donadoras o aceptoras, esto se debe a que en la red del arseniuro de galio pueden ser
sustituidos tomos de arsnico o de galio, en el primer caso se origina un nivel aceptor y en
el segundo uno donador.
Tabla 4.2. Niveles aceptores introducidos por algunos elementos en el silicio.

Silicio
X (eV)

Al

Ga

In

Pd

Pt

Au

0,045

0,067

0,072

0,16

0,34

0,87
0,36

0,58

0,74
0,41

Los semiconductores dopados con impurezas donadoras son tipo n. Los dopados con
impurezas aceptoras son tipo p. Se llama semiconductores compensados a aquellos que
40

Tabla 4.3. Niveles donadores introducidos por algunos elementos en el arseniuro de galio.

GaAs
XD (eV)

Se

Sn

Te

Si

0,006

0,006

0,006

0,03

0,0058

0,00
6

0,4
0,75

Tabla 4.4. Niveles aceptores introducidos por algunos elementos en el arseniuro de galio.

GaAs
XA (eV)

Be

Mg

Zn

Cd

Si

Cu

Cr

0,028

0,028

0,031

0,035

0,035

0,026

0,44
0,24

0,79

contienen ambos tipos de impurezas en igual proporcin, presentan un carcter similar al

intrnseco. Si domina uno de los tipos de impureza el semiconductor est parcialmente
compensado. La concentracin de impurezas donadoras se denota por ND. ND+ ser la
concentracin de impurezas donadoras ionizadas. Anlogamente se usan NA y NA-.
Los portadores cuya concentracin domina se llaman mayoritarios y los del tipo contrario
son los minoritarios.
En los semiconductores extrnsecos las concentraciones de electrones y huecos no son
iguales. Esta relacin se sustituye por la ecuacin de neutralidad de la carga segn la cual la
densidad de carga global es nula en el volumen del semiconductor, si la distribucin de
impurezas es uniforme,
q (p ND n NA ) 0 p ND n NA
con la ecuacin nnpn=ni2 en un semiconductor tipo n,
nn

1
[ND NA
2

(ND NA )2 4 ni

donde el subndice n indica el tipo de semiconductor.

Para los tipo p,
pp
Normalmente

1
[NA ND
2

(NA ND)2 4 ni

{4.21}

ND+-NA- >>ni2 y las ecuaciones anteriores se reducen a

nn ND NA si ND>NA ; pp NA ND si NA>ND

Se ha indicado que si un electrn recibe suficiente energa puede transitar desde el nivel
donador hasta el de conduccin, o bien desde el nivel de valencia hasta el aceptor para
generar portadores libres. Surge la pregunta de la concentracin de impurezas que, bajo
determinadas condiciones, se hallan ionizadas, es decir: cuntas impurezas estn ionizadas
a cierta temperatura?. Para dar respuesta a esta pregunta se recurre a la estadstica.

41

El estado introducido por la impureza en la banda prohibida puede ser ocupado por un
solo electrn, pero ste puede tener cualquiera de los valores de espn posibles. Luego estos
estados presentan un nivel de degeneracin 2. La funcin de distribucin no es exactamente
la de Fermi-Dirac, sino,

f(E ) 1

E EF
1
exp(
)
2
kT

{4.23}

Una impureza donadora cuyo nivel donador sea ED estar ionizada si el estado que
introduce est vacante de electrn. Por lo tanto la concentracin de impurezas donadoras
ionizadas es,
ND

ND ND[1 f(ED)]

EF ED

)
kT
La concentracin de impurezas aceptoras ionizadas se evala teniendo presente que la
impureza estar ocupada por un electrn con energa EA,
1 2 exp(

NA

NA NA f(EA)

E E
1
exp( A F )
2
kT
Se suele despreciar la degeneracin del estado introducido por la impureza y utilizar la
estadstica de Fermi-Dirac en lugar de {4.23}. As,
1

ND

ND

1 exp(

EF ED
kT

NA

; NA
)

1 exp(

EA EF
kT

{4.26}
)

Por ejemplo, considrese una muestra de silicio dopada con 1016 tomos de fsforo por
centmetro cbico a la temperatura ambiente. Calcular el porcentaje de impurezas ionizadas.
En la tabla 4.1 se lee: ED-Ei=EC-0,045 eV. Al ser EC=0,56 eV, queda que la posicin del nivel
donador es ED-Ei=0,515 eV.
Para el clculo pedido se necesita, adems, conocer la posicin del nivel de Fermi. sta
se evaluar por un procedimiento iterativo. Se supone inicialmente que todas las impurezas
estn ionizadas, es decir n1016cm-3, luego,
EF Ei kTln(
ND

n
1016
) 0,0259ln(
) 0,354 eV
ni
1,45 1010

ND
1 exp(

1016

EF ED
kT

1 exp( 0,354

0,515

0,0259

9,98 1015cm

Haciendo ahora n9,98 1015cm-3, y repitiendo clculos,

Se concluye, por lo tanto, que la concentracin de impurezas ionizadas es
42

EF Ei 0,0259 ln(
+

15

9,98 1015
) 0,348 eV ND
1,45 1010

1016
1 exp(

0,348 0,515
0,0259

9,98 1015cm

-3

ND =9,98 10 cm (observar que se obtuvo ya en la primera iteracin), por lo tanto

ND

9,98 1015
100 99,8 %
ND
1016
la conclusin que se obtiene es que a temperatura ambiente prcticamente todas las impurezas
estn ionizadas y la hiptesis de partida es vlida. Este resultado es de aplicacin bastante
general en otras situaciones en las que los semiconductores se hallen operando a temperatura
cercana a la ambiente.
100

4.5. Algunas dependencias con la temperatura.

En el apartado 3.5 del tema anterior se discuti cualitativamente la relacin que liga a la
anchura de la banda prohibida con la temperatura. En este mismo tema (ver figura 4.4) se ha
presentado una relacin cuantitativa que permite observar la influencia de la temperatura
sobre la concentracin intrnseca. Con las expresiones {4.13}, {4.14}, {4.20} y {4.21} se
puede evaluar la dependencia con la temperatura de la anchura de la banda prohibida y del
nivel de Fermi y, por ende, de la concentracin de portadores.
La posicin del nivel de Fermi en funcin de la temperatura para silicio, dada la
concentracin uniforme de impurezas donadoras o aceptoras, se muestra en la figura 4.6. En
la propia figura se indica la concentracin correspondiente a cada nivel de Fermi. Por encima
del nivel intrnseco se dan las concentraciones de impurezas donadoras y por debajo los de
las aceptoras. Ntese que en semiconductores tipo n el nivel de Fermi se encuentra por
encima del intrnseco y por debajo en los tipo p. En la misma figura 4.6 puede observarse
la variacin que experimenta la anchura de la banda prohibida.

Fig. 4.6. Dependencia del nivel de Fermi con la temperatura y la

concentracin de impurezas en el silicio. La concentracin de
impurezas se expresa en cm-3

43

La figura 4.7 muestra la variacin de la concentracin de electrones en silicio con dopaje

uniforme de valor ND=1015cm-3. En la regin de temperaturas bajas la energa trmica en el
cristal no es suficiente para que se ionicen las impurezas. El semiconductor tiene los niveles
donadores ocupados por electrones que no pueden transitar hacia la banda de conduccin. El
aumento de la concentracin de portadores que se observa coincide con el correspondiente
a la concentracin intrnseca. Al aumentar la temperatura la concentracin de electrones
alcanza el valor de la concentracin de impurezas. En este tramo los electrones atrapados en
los niveles donadores adquieren suficiente energa trmica como para efectuar el salto hacia
la banda de conduccin, es decir, las impurezas donadoras se van ionizando.

Fig. 4.7. Dependencia de la concentracin de electrones

con la temperatura en el silicio tipo n con ND=1015cm-3

Una vez alcanzado el valor de la concentracin de impurezas se observa una amplia

regin (que contiene a la temperatura ambiente) en la que n no vara. Esta es la regin
extrnseca que se extiende por unos 350 K. A partir de un cierto valor de temperatura la
concentracin intrnseca se hace comparable a la concentracin de impurezas. El aumento de
la concentracin intrnseca est asociado a las transiciones desde la banda de valencia a la
de conduccin por efectos trmicos. En este punto comienza la regin intrnseca en el que
el aumento con la temperatura de la concentracin de electrones es, de nuevo, el
correspondiente a la intrnseca.

44

5 SEMICONDUCTORES EN DESEQUILIBRIO

Con la teora desarrollada hasta el momento en los temas anteriores no es posible hacer
predicciones acerca de la respuesta de los semiconductores en situaciones fuera del equilibrio
trmico; slo se puede evaluar el funcionamiento del material en equilibrio. Sin embargo,
todos los dispositivos electrnicos se encuentran excitados durante su operacin normal en
los circuitos, habitualmente por campos elctricos o por radiaciones luminosas. As es preciso
dar cuenta de este funcionamiento fuera del equilibrio.
El procedimiento a seguir consistir en establecer las hiptesis necesarias para reducir el
problema a una situacin lo suficientemente prxima al equilibrio. En este contexto juega un
papel esencial la llamada hiptesis de operacin en bajo nivel de inyeccin. Este concepto
se aborda en el apartado siguiente.
Ms adelante en el tema se estudia la aplicacin del principio general de tendencia al
estado de equilibrio en los semiconductores que inicialmente se hallan en desequilibrio y son
abandonados a s mismos. Estos procesos son la generacin y la recombinacin de portadores.
El tema finaliza analizando los efectos de los campos elevados sobre los semiconductores.
5.1. Inyeccin de portadores.
El equilibrio trmico se caracteriza porque en l se satisface la ley de accin de masas, que
se expresa por la relacin pn=ni2. Si en un semiconductor se introducen portadores de manera
que pnni2, ste se halla fuera del equilibrio. Si el proceso de introduccin de portadores hace
que pn>ni2 se est ante una inyeccin de portadores, y si es pn<ni2 el proceso se llama
extraccin de portadores. Existen varios mtodos de inyeccin de portadores como son la
excitacin ptica o la polarizacin directa de una unin pn.
La concentracin de portadores inyectados se denomina exceso de portadores, y se denota
por n o p, segn sean electrones o huecos. El cociente entre el mayor valor del exceso de
portadores y la concentracin de portadores mayoritarios correspondiente a la situacin de

equilibrio se denomina nivel de inyeccin. As, para un semiconductor tipo n, el nivel de

inyeccin ser

n p
mx ,

nn0 nn0
donde el significado de la notacin utilizada es la siguiente: la cantidad XY representa el valor
de la magnitud X en un semiconductor tipo Y. El subndice 0 representa un valor de
equilibrio. As, nn0 es la concentracin de electrones en equilibrio de un semiconductor tipo
n, pn0 sera la concentracin de huecos en equilibrio de un semiconductor tipo n, nn y pp
representarn las concentraciones de mayoritarios, y np, pn las de minoritarios.
En un semiconductor tipo p la definicin de nivel de inyeccin es,

n p
mx ,

pp0 pp0
Hasta aqu se ha admitido que el exceso de electrones y de huecos pueden ser cantidades
distintas. En lo sucesivo se considerar que los procesos de inyeccin se producen por pares,
es decir, la inyeccin de un electrn conlleva la de un hueco, con esto n=p, y los niveles
de inyeccin en los semiconductores tipo n y tipo p sern, respectivamente,
n n
,
nn0 pp0
Suponiendo conocido el valor del exceso de portadores, la concentracin de los mismos
se puede evaluar aadiendo a las concentraciones de equilibrio el exceso. Por ejemplo en un
semiconductor tipo n las concentraciones de ambos tipos de portadores ser,
{5.1}
nn nn0 n; pn pn0 n
y para uno tipo p,
pp pp0 n; np np0 n
Si el nivel de inyeccin es despreciable frente a la unidad se dice que el semiconductor
en desequilibrio se encuentra sometido a un bajo nivel de inyeccin. Por contra, si el nivel
de inyeccin es apreciable se dice que el semiconductor se encuentra en alto nivel de
inyeccin.
As, si la inyeccin es en bajo nivel, de la primera de las ecuaciones {5.1} dividiendo por
la concentracin de mayoritarios en equilibrio,
nn
nn0

n
1 nn nn0
nn0

es decir, la concentracin de mayoritarios en desequilibrio coincide aproximadamente con la

correspondiente al equilibrio.
Considerar por ejemplo una muestra de silicio tipo n en la que ND=1015cm-3. Con la
hiptesis de ionizacin total y en la notacin anterior
46

nn0 ND 1015 cm 3; pn0

ni

nn0

1,45 105 cm

por tanto si n=p=1012cm-3,

n
nn0

1012
10
1015

y el nivel de inyeccin ser bajo. Ntese que,

nn nn0 n 1015 1012 1015 cm 3 nn0
pn pn0 n 1,45 105 1012 1012 cm 3 n
como se ha dicho, la concentracin de portadores mayoritarios coincide aproximadamente con
la de mayoritarios en equilibrio. Por tanto los clculos en los que estn involucrados los
mayoritarios se pueden realizar como si el semiconductor se encontrase en equilibrio. Para
los minoritarios no puede realizarse aproximacin alguna a priori.
Si n=p=1017cm-3,
n
nn0

1017
102
15
10

que no es despreciable frente a la unidad y el nivel de inyeccin ser alto. En este caso
nn nn0 n 1015 1017 1017 cm 3 n
pn pn0 n 1,45 105 1017 1017 cm 3 n
las concentraciones de portadores mayoritarios y la de los minoritarios coinciden en la
prctica con el exceso de portadores y el semiconductor responder como si fuese intrnseco.
5.2. Procesos de generacin y recombinacin.
Si no se satisface la condicin de equilibrio trmico (pn=ni2) puede ocurrir que sea pn>ni2,
inyeccin de portadores, o alternativamente pn<ni2, extraccin de portadores. En cualquiera
de los dos casos, si un sistema se abandona a s mismo partiendo del no equilibrio se ponen
marcha procesos de retorno al equilibrio.
Si una excitacin externa produce una inyeccin de portadores, al desaparecer se inicia
el mecanismo llamado recombinacin y promover la desaparicin del exceso de minoritarios
mediante el aniquilamiento con portadores mayoritarios. La energa liberada por este
mecanismo puede ser emitida en forma de luz (emisin de fotones) o disipada en forma de
calor dependiendo de la naturaleza del proceso. En el primer caso, esto es si se emiten
fotones la recombinacin se dice que es radiativa. Si, por contra, la liberacin de energa se
produce en forma de calor la recombinacin se denomina no radiativa. Por otro lado, los
procesos de recombinacin pueden clasificarse atendiendo al tipo de banda, directa o indirecta
del semiconductor en que se producen, surge la recombinacin directa en el primer caso y
la recombinacin indirecta en el segundo.

47

Fig. 5.1 Procesos de generacin y recombinacin

Si la situacin de partida es la extraccin de portadores se pone en marcha el mecanismo

de generacin que incrementa las concentraciones de ambos tipos de portadores hasta
situarlos en sus correspondientes niveles de equilibrio. Este mecanismo absorbe energa que
puede provenir de la energa trmica o de alguna otra fuente energtica externa al material.
5.2.1. Recombinacin directa.
Para el desarrollo de este punto se parte de las situaciones en las que el semiconductor se
halla en equilibrio para, posteriormente, aplicar las definiciones y conclusiones deducidas al
caso del no equilibrio.
En un semiconductor de banda directa en equilibrio trmico, las vibraciones trmicas de
los tomos de la red produce la ruptura de algunos enlaces entre tomos vecinos. Cuando se
rompe un enlace se genera un par electrn-hueco. En trminos del modelo de enlaces, la
energa trmica que es absorbida por el electrn de valencia permite ste abandone el tomo
al que pertenece creando una vacante de electrn en el enlace roto. Este mismo hecho se
expresa en trminos del modelo de bandas diciendo que por la absorcin de cierta cantidad
energa trmica se produce el trnsito de un electrn desde la banda de valencia hacia la
banda de conduccin, salvando la barrera de energa prohibida, y apareciendo un hueco en
la banda de valencia, esto es, se genera un par electrn-hueco.
Los procesos de generacin de portadores se caracterizan por la velocidad de
recombinacin trmica, Gth, definida como el nmero de pares electrn-hueco generados por
unidad de volumen y de tiempo.
El proceso contrario, cuando un electrn es atrapado por un enlace insatisfecho, o en el
modelo de bandas, cuando un electrn transita desde la banda de conduccin a la de valencia
con la consiguiente aniquilacin de un par electrn-hueco se caracteriza por la velocidad de
recombinacin trmica, Rth, definida como el nmero de pares electrn-hueco que se
recombinan por unidad de volumen y de tiempo. En general la velocidad de recombinacin
ser proporcional al nmero de electrones disponibles en la banda de conduccin y al de
huecos en la de valencia, por tanto se puede escribir,
{5.2}
R pn
donde es una constante de proporcionalidad independiente del estado de equilibrio en que
48

se produce la recombinacin. En equilibrio, para un semiconductor tipo n, Rth=pn0nn0. Es

claro que en equilibrio los portadores estn transitando continuamente entre las bandas, pero
debe ocurrir que las concentraciones de portadores permanezcan constantes adems de
verificarse la ley de accin de masas, luego,
{5.3}

Gth Rth pn0 nn0 ni

Cuando existe inicialmente un exceso de portadores (tanto positivo: inyeccin, como

negativo: extraccin) la situacin es de desequilibrio. En un semiconductor de banda directa
la probabilidad de que electrones y huecos se recombinen es grande. Esto es debido a que,
como en el diagrama de bandas en el espacio de momentos coinciden, sobre el mismo valor
del momento k, el mnimo de las bandas de conduccin y el mximo de las de valencia, las
transiciones se producen sin intercambio de momento. El valor de la velocidad de
recombinacin directa ser el expresado en la ecuacin {5.2} con las concentraciones de
electrones y huecos dadas por sus valores de no equilibrio (ecuaciones {5.1}).
Si se excita el semiconductor tipo n (mediante iluminacin, por ejemplo) produciendo la
generacin de pares electrn-hueco con velocidad GL, la concentracin de portadores ser
superior a la de equilibrio. La velocidad de recombinacin y la velocidad total de generacin
sern
R pn nn (nn0 n) (pn0 n);
G GL Gth

{5.4}

donde R incluye tanto la componente de recombinacin trmica como la que pueda

presentarse como consecuencia de la tendencia al retorno al equilibrio por causas no trmicas.
La variacin con el tiempo de los portadores ser el balance entre la generacin y la
recombinacin. En particular para los minoritarios se puede escribir
d pn
dt

G R GL Gth R

En estado estacionario la derivada se anula y

{5.5}

GL R Gth U

es decir, el mecanismo de generacin forzada por la iluminacin exterior es igual, en estado

estacionario, a la "recombinacin neta, U" que se define como la diferencia entre la velocidad
de recombinacin y la velocidad de generacin trmica. Con las ecuaciones {5.3} y {5.4} se
puede escribir la velocidad de recombinacin neta como sigue
U R Gth (nn0 n) (pn0 n) nn0 pn0
suponiendo inyeccin en bajo nivel nn0>>n y,
U nn0 (pn0 n) nn0 pn0 nn0 n

n
1/ nn0

Se define la magnitud tiempo de vida media de los minoritarios en exceso como

49

1
nn0

con lo que la velocidad de recombinacin neta se escribe finalmente

U

n
p

p
p

pn pn0
p

{5.6}

resultando proporcional a la concentracin de portadores en exceso. Obviamente el caso U=0

se corresponde con la situacin de equilibrio.
5.2.2. Recombinacin indirecta.
En un semiconductor de banda indirecta las transiciones se producen con intercambio del
valor del momento. Para realizar este intercambio las transiciones se realizan con la
intervencin de ciertos estados de energa intermedios llamados estados trampa que son
niveles localizados en el seno de la banda prohibida de energa. La mayor eficiencia de los
estados trampa se produce si su posicin es prxima al centro de la banda prohibida. Por
"mayor eficiencia" se quiere expresar que es mxima la probabilidad de que un electrn
transite con su intervencin. En el contexto de este tema los estados trampa se denominan
centros de generacin-recombinacin (o ms brevemente centros de recombinacin).
En la transicin de un electrn con la intervencin de un centro de recombinacin
localizado en el nivel Et pueden darse cuatro posibilidades reflejadas en la figura 5.2. En ella
se presenta a la derecha la situacin anterior a la transicin y a la izquierda el resultado final.
La figura se puede interpretar como una relacin causa-efecto en el sentido siguiente: por
actuacin del mecanismo Ra (causa) se produce la captura de un electrn por el centro de
recombinacin (efecto). Los procesos a, b, c y d se denominan captura de electrn, emisin
de electrn, captura de hueco y emisin de hueco, respectivamente.

Fig. 5.2 Procesos significativos de la recombinacin indirecta

Si Nt es la concentracin de centros de recombinacin y

f Et

50

1
E E
1 exp ( t F )
kT

representa la probabilidad de que el nivel de energa correspondiente al centro de

recombinacin est ocupado por un electrn; la concentracin de centros de recombinacin
vacantes es Nt(1-f(Et)) y la de centros de recombinacin ocupados es Ntf(Et). Con esto la
velocidad de recombinacin por captura de electrones ser proporcional a la concentracin
de electrones disponibles en la banda de conduccin (n), y a la concentracin de centros de
recombinacin vacantes
{5.7}
Ra vth n n Nt 1 f(Et )
donde vth es la velocidad trmica y n es la seccin eficaz de captura de un electrn. Este
ltimo parmetro representa la efectividad de la captura de un electrn por el centro de
recombinacin. El producto vthn opera como la constante de proporcionalidad en la
expresin {5.2}, y es el volumen barrido por un electrn de seccin eficaz de captura n; si
el centro de recombinacin se encuentra en el interior de ese volumen en un instante dado
se producir la captura, en otro caso no se producir.
Para el resto de las velocidades de emisin y captura
Rb en Nt f(Et ); Rc vth p p Nt f(Et ); Rd ep Nt 1 f(Et ) .
donde los factores de proporcionalidad en y ep se denominan probabilidad de emisin de un
electrn y probabilidad de emisin de un hueco, respectivamente; p es la seccin eficaz de
captura de un hueco.
En equilibrio trmico ocurrir que Ra=Rb y con esta condicin en las ecuaciones anteriores
Et Ei

en vth n ni e

kT

donde se observa que si el centro de recombinacin est prximo al fondo de la banda de

conduccin (Et-Ei grande) la emisin de un electrn se hace ms probable. Considerando
ahora que en equilibrio tambin ocurre Rc=Rd
Ei Et

ep vth p ni e

kT

{5.8}

la probabilidad de emisin del hueco aumenta exponencialmente a medida que el nivel

intermedio de aproxima al nivel de valencia (EV).
En las expresiones de la {5.7} a la {5.8} los parmetros n, p, Nt y Et son datos
experimentales.
A partir de las anteriores expresiones se pueden desarrollar otras que den cuenta de la
velocidad de recombinacin neta en los procesos de recombinacin indirecta. La expresin
simplificada de esta velocidad es formalmente idntica a la que corresponde a la
recombinacin directa (ecuacin {5.6}). En ella el tiempo de vida medio de los minoritarios
adopta una expresin de mayor complejidad. Considerar, por ejemplo, una situacin de no
equilibrio en la que un semiconductor extrnseco tipo n se ilumina uniformemente de manera
que esta iluminacin produce una velocidad de generacin GL. El llamado principio del
51

balance detallado establece que la variacin neta de electrones por unidad de volumen y de
tiempo en la banda de conduccin ser la diferencia entre los que llegan y los que la
abandonan por unidad de volumen y de tiempo
d nn
dt

GL (Ra Rb)

para la banda de valencia se puede escribir

d pn
dt

GL (Rc Rd)

y en estado estacionario cuando son nulas las variaciones temporales

GL Ra Rb Rc Rd
ntese que si este estado estacionario correspondiese al equilibrio, por ser Ra=Rb y Rc=Rd, GL
tendra que ser necesariamente nulo.La velocidad de recombinacin neta ser, como en el
caso de recombinacin directa, U=GL (ecuacin {5.5}), es decir U=Ra-Rb. Operando con las
anteriores
vth n p Nt ( pn nn ni )
2

{5.9}

Ei Et
Et Ei

p pn ni exp
n n exp

kT n n i
kT

Para hacer ms simple esta expresin se supondr que las secciones eficaces son iguales,
n=p=0, y que la inyeccin es en bajo nivel; con esto

pn pn0
r

1
; r

E E
cosh t i
pn0
kT
vth 0 Nt

2 ni
nn0

{5.10}

donde se ha definido el parmetro tiempo de vida medio de recombinacin indirecta, r.

Si inicialmente la muestra no estuviese iluminada, sino que existe extraccin de portadores
(pn<ni2) en lugar de inyeccin de portadores (pn>ni2), el retorno al equilibrio har que acte
el mecanismo de generacin de portadores con cierta velocidad de generacin, G; esta
velocidad se puede evaluar a partir de que G=-U, asumiendo n=p=0 en {5.9}
vth 0 Nt (ni

pn nn)

Et Ei
pn nn 2 ni cosh

kT
si adems es pnnn<<ni2, entonces, al ser las concentraciones de portadores tpicamente
mayores que la unidad (pn+nn)/ni2<<2nicosh[(Et-Ei)/kT], la expresin anterior se reduce a
donde se ha definido el parmetro tiempo de vida medio de generacin, g:
Las expresiones para las velocidades de recombinacin y de generacin son formalmente
52

vth 0 Nt ni

ni

g
Et Ei
2 cosh

kT

Et Ei
2 cosh

kT
g
vth 0 Nt

{5.11}

anlogas a la obtenida en el caso de la recombinacin directa. As, la velocidad de

recombinacin indirecta es directamente proporcional al exceso de portadores e inversamente
proporcional a cierto parmetro con dimensiones de tiempos, r, (ecuacin {5.10}), y la
velocidad de generacin indirecta es directamente proporcional a la concentracin intrnseca
de portadores e inversamente proporcional a cierto parmetro con dimensiones de tiempos,
g, (ecuacin {5.11}).
5.2.3. Recombinacin superficial.
En las superficies se producen discontinuidades abruptas de la estructura cristalina. Debido
a ello se introducen un gran nmero de niveles localizados de energa en el seno de la banda
prohibida que operan como centros de recombinacin.
El nmero total de portadores que se recombinan en una superficie por unidad de rea y
de tiempo tiene una expresin anloga al caso de la recombinacin en volumen (ecuacin
{5.9})
vth n p NSt ( pS nS ni )
2

US

{5.12}

Ei Et
Et Ei

p pS ni exp
n n exp

kT n S i
kT

nS y pS denotan las concentraciones volumtricas de electrones y huecos en la superficie

considerada y NSt es la densidad de centros de recombinacin por unidad de rea en la regin
superficial. Para condiciones de inyeccin en bajo nivel y asumiendo nSn>>pS junto con
EtEi, la expresin de la ecuacin {5.12} queda,
US vth p NSt (pS pn0 ) Slr (pS pn0 )
habiendo definido en la ecuacin el parmetro Slr llamado velocidad de recombinacin
superficial en baja inyeccin.
Si, tal y como se propuso en el apartado anterior, se supone que las secciones eficaces
de captura de un electrn y de un hueco son iguales, las velocidades de recombinacin y
generacin superficiales obtenidas de la expresin {5.12} quedan,
cuyas unidades, se puede comprobar, son las de una velocidad. Las anteriores expresiones
juegan un papel anlogo al de la inversa de los tiempos de vida medios, siendo vlidas para
altos niveles de inyeccin.
53

vth S NSt

Sr
1
Sg

54

Et Ei
cosh

pS
kT
vth S NSt

2 ni
nn0

Et Ei
2 cosh

kT

6 LA ECUACIN DE CONTINUIDAD

Los portadores de carga en los materiales semiconductores son electrones y huecos libres.
Rigurosamente hablando no estn libres ya que se hallan bajo la influencia del potencial
peridico de la red cristalina y sujetos a posibles colisiones con otros agentes (tomos de la
red cristalina, impurezas, otros electrones y huecos). Sin embargo, por un lado se tiene que
los efectos de este potencial en el movimiento de las partculas se ha introducido en la masa
efectiva, por otro lado, los efectos de las colisiones se pueden aislar del movimiento en los
intervalos de no colisin (desde este punto de vista consideraremos que las colisiones operan
como si fuesen fuerzas impulsivas), resultando que las partculas se mueven con gran libertad
en los intervalos de no colisin. Por ello se dir en lo sucesivo que tanto electrones como
huecos son partculas libres.
En este tema se dar una descripcin de las causas que ponen en movimiento a estas
partculas libres. Ambas, electrones y huecos, son partculas cargadas, por tanto sufren las
acciones de los campos electromagnticos y stos son capaces de incrementar su energa.
Adems, asociado al movimiento errtico de multitud de stas partculas aparece otro agente
causante del movimiento: la difusin.
6.1. Arrastre de portadores.
El arrastre de portadores est asociado a la presencia de campos elctricos, se puede
caracterizar mediante un parmetro llamado movilidad.
6.1.1 Movilidad
Sea un semiconductor tipo n con dopaje uniforme (ND=constante) y en equilibrio trmico.
Los electrones de conduccin en la banda de conduccin son como partculas libres (la

influencia de la red cristalina se incorpora en la masa efectiva).

Su energa cintica se puede calcular por,
1
2
mnvn o
2

3
kT;
2

(vn o 107cm s 1)

donde vno es la velocidad en equilibrio trmico.

La trayectoria del electrn puede imaginarse como una sucesin de segmentos rectilneos
quebrados por choques con tomos de la red, tomos de impureza y otros agentes (figura
6.1.a). El movimiento resultante es aleatorio y en promedio nulo.

Fig. 6.1. Movimiento de un electrn a) en ausencia de excitacin

externa y b) bajo la accin de un campo elctrico

Se define camino libre medio como la distancia promedio recorrida por el electrn entre
colisiones (valores del orden de 10-5 cm), y tiempo libre medio (c) como el tiempo promedio
transcurrido entre colisiones (1 ps).
Si se somete la muestra a un campo elctrico poco intenso los electrones sern acelerados
en la direccin del campo. En este caso se superponen el movimiento trmico y el debido al
campo, el movimiento resultante es un desplazamiento neto en la direccin del campo
elctrico (figura 6.1.b). La velocidad asociada al campo (velocidad de arrastre) se considera
en promedio uniforme por la accin de las colisiones. Se calcula mediante las siguientes
relaciones,

v n v n
F mna mn
c
F

qc

{6.2}

mn

el valor absoluto del factor de proporcionalidad entre el campo y la velocidad de los

electrones se denomina movilidad de electrones,
n

qc
mn

vn

Anlogamente para los portadores en la banda de valencia (huecos), se define la movilidad

de huecos como,
v p p
las movilidades se miden en cm2V-1s-1 y son parmetros que indican la manera en que los
56

campos elctricos externos afectan al movimiento de los portadores.

La movilidad es directamente proporcional al tiempo libre medio (c) que a su vez
depende de los mecanismos que gobiernan las colisiones (interacciones) de los portadores,
estos mecanismos se denominan mecanismos de "scattering" (dispersin).
Los mecanismos fundamentales en el proceso de dispersin son:
1. dispersin por la red, y
2. dispersin asociada a las impurezas ionizadas.
La dispersin por la red consiste en el intercambio de energa que se produce debido a
la desviacin que sufre la periodicidad del potencial de la red por causa de los movimientos
trmicos al aumentar la temperatura. Este mecanismo, obviamente aumenta con la temperatura
y es el dominante a temperaturas altas.
La dispersin asociada a las impurezas ionizadas se debe a interacciones de tipo
coulombiano entre los iones y los portadores de carga. Es mayor cuanto mayor sea la
concentracin de impurezas, por tanto, la movilidad disminuye, en general, con la
concentracin de impurezas.
Finalmente, la movilidad combinada de ambos mecanismos de evala por
1
c

c,red

c,imp

1
L

1
I

6.1.2. Resistividad
La fuerza a la que estn sometidos los electrones del diagrama de la figura 6.2 en
presencia de un campo elctrico se calcula por,
F

r Epot

r EC(r)

r Ei(r)

1
E
q r i

{6.1}

donde se muestra la relacin entre el campo y la curvatura de las bandas.

Fig. 6.2 Influencia de un campo elctrico sobre las bandas

Se define cierto potencial electrosttico () como aquella funcin cuyo gradiente

cambiado de signo da el campo elctrico externo,
con las dos ltimas ecuaciones,
57

r
Ei

esta ecuacin relaciona la energa potencial del electrn con el potencial electrosttico
asociado al campo externo.
Los electrones en la banda de conduccin se movern hacia la derecha. La separacin del
fondo de la banda de conduccin indica una ganancia de energa cintica (que se pierde toda
o en parte tras una colisin). El transporte de portadores bajo la accin de un campo externo
aplicado implica la aparicin de una corriente llamada de arrastre.

Fig. 6.3 Corriente de arrastre en un semiconductor

Sea una muestra de material semiconductor tipo n con una concentracin de electrones
de valor n cm-3 (figura 6.3). Al aplicar un campo elctrico externo se producir conduccin
por arrastre de portadores. La densidad de corriente asociada ser la suma de los productos
de las cargas de los electrones por su velocidad,
Jn

In

qv i

qnv n qnn

{6.2}

i 0

In es la corriente de electrones. Anlogamente,

J p qpv p qpp
La densidad de corriente total debida al campo externo (corriente de arrastre) es,
J J n J p q nn pp
de donde se define la conductividad de la muestra como,
q nn pp
y su resistividad por,

1
q nn pp

Particularizando para los semiconductores extrnsecos

n

58

1
; p
qnn

1
qpp

{6.3}

6.1.3. El efecto Hall

Considrese la muestra semiconductor tipo p y un campo magntico aplicado segn el eje OZ
(Bz) que se muestra en la figura 6.4.

Fig. 6.4 Dispositivo para la medida del efecto Hall

La fuerza de Lorentz que experimenta un hueco asociada a Bz ser,

F qvxBz( j)
esta fuerza resulta en una acumulacin de huecos en la parte superior de la muestra lo que
implica la aparicin del campo vertical y.
Por la condicin de corriente nula en la direccin OY,
F qvxBz( j) q y( j) 0

v xB z

la aparicin de este campo elctrico en la direccin OY se denomina efecto Hall, y al campo

yW) es la llamada tensin de Hall.
y campo de Hall, la tensin asociada al mismo (VH =
Utilizando la expresin que da la velocidad en funcin de la densidad de corriente de huecos
(Jp = qpvp),

donde RH

Jp
Bz RH JpBz
qp

1
se denomina coeficiente de Hall.
qp

Para un semiconductor tipo n el coeficiente Hall resulta negativo y de valor,

RH

1
qn

El efecto Hall evidencia la existencia de huecos como una partcula de carga positiva que
se halla en el seno de un material semiconductor. La medida de la tensin de Hall permite
el clculo de la concentracin de portadores en un semiconductor que en general es distinta
a la de impurezas as como del tipo de portador,
p

1
qRH

JpBz
q

I/A Bz

IBzW

q VH/W

qVHA

6.2. Difusin de portadores

La difusin es la tendencia de las partculas materiales a moverse desde las regiones de
mayor concentracin hacia las de menor concentracin. En el caso de los semiconductores

59

se da si existe una variacin espacial de la concentracin de portadores, este desplazamiento

neto de cargas es el responsable de la llamada corriente de difusin.
6.2.1. Procesos de difusin
Considerar un material semiconductor a temperatura uniforme y no homogneo, esto es, la
densidad de portadores es variable en el espacio.

Fig. 6.5 Mecanismo de difusin de portadores

La velocidad de los electrones es la velocidad trmica, vth, y su movimiento es aleatorio.

Sea l el camino libre medio (l = vthc). La probabilidad de que un electrn se mueva hacia
la izquierda en x=-l es la misma que lo haga hacia la derecha. De la misma manera, en un
tiempo c la mitad de ellos habr atravesado el plano x=0. As, el flujo promedio de
electrones que atraviesen el plano x=0 desde la izquierda ser,
fid

1 n( l)l
2 c

1
n( l)vth
2

anlogamente, que lo hagan desde la derecha

fdi

1
n(l)vth
2

y el flujo neto queda,

f fid fdi

1
v n( l) n(l)
2 th

Desarrollando las densidades en serie de Taylor en un entorno de los puntos l y -l queda,

f

1
dn
vthn(0) l
2
dx

dn
n(0) l
dx

vthl

donde Dn es la llamada constante de difusin.

La densidad de corriente de difusin est dada por,
Jn
en tres dimensiones,
60

dn
qf ( q) Dn
dx

dn
dn
Dn
dx
dx

J n qDnrn(r)

{6.4}

En el caso de los huecos se obtiene,

qDpr p(r)

Jp

{6.5}

6.2.2. La relacin de Einstein

La relacin de Einstein es una consecuencia del equilibrio que implica una interdependencia
entre los mecanismos de arrastre y difusin. Ambos mecanismos deben ser considerados
como aspectos complementarios de un mismo fenmeno cuya resultante es el flujo neto de
partculas cargadas que origina una corriente elctrica.
Se obtiene de la condicin de flujo neto nulo en condiciones de equilibrio,
J n qnn
con la conocida ecuacin n ni exp

qDnn 0
EF Ei(r)
kT

n
n

Dn n

n n
Ei(r)
kT

, queda,

Dn 1
E
n kT i

{6.8}

procediendo de forma anloga con los huecos,

Dp 1
E
p kT i

{6.9}

y recordando la ecuacin {6.1} e igualando,

Dn

Dp

kT
q

que representa la relacin de Einstein.

6.2.3. Ecuaciones para la densidad de corriente
Cuando un semiconductor no homogneo est sometido a la accin de un campo elctrico,
ambos mecanismos de conduccin se presentan. La densidad de corriente total de electrones,
Jn, y la densidad de corriente total de huecos, Jp, es la suma de las componentes de arrastre
(ecuaciones {6.2} y {6.3}) y las de difusin (ecuaciones {6.4} y {6.5}), respectivamente
J n qn n

q Dn n ; J p qp p

q Dp p

Esta densidad de corriente total es la suma de las correspondiente a electrones y huecos,

JT Jn Jp
Estas ltimas relaciones permiten el clculo de la corriente en el seno del material
semiconductor si son conocidas las concentraciones de portadores y el campo elctrico.

61

6.3.Efectos de los campos elevados.

Se ha visto que si los campos elctricos son poco intensos se verifica la relacin {6.2}, es
decir, la velocidad de arrastre vara linealmente con el campo. Con esto, en todo el desarrollo
anterior se ha supuesto que el tiempo entre colisiones es independiente de la excitacin
externa. Esta hiptesis es vlida si la velocidad de arrastre es despreciable frente a la trmica,
va<<vth. A medida que la velocidad de arrastre se hace comparable con la trmica la relacin
que liga al campo elctrico pierde la linealidad referida. La figura 6.6 muestra las curvas
velocidad-campo de los electrones para el silicio y el arseniuro de galio. Se observa que, en
ambos materiales, si el campo crece lo suficiente la velocidad de arrastre alcanza un valor de
saturacin. El arseniuro de galio presenta un mximo absoluto para valores relativamente
pequeos del campo. En ambos materiales las curvas correspondientes a los huecos tienen
una forma anloga a la de los electrones en silicio.

Fig. 6.6. Velocidad de arrastre de electrones frente al campo

elctrico para el Si y el GaAs

As, todas las deducciones realizadas hasta el momento no son vlidas si los campos
superan cierto valor crtico que deber fijarse experimentalmente. Por esto se ha venido
asumiendo que los campos son bajos en los anlisis hasta ahora presentados.
Otro aspecto a considerar cuando los campos son elevados es el proceso de avalancha,
consistente en la generacin de pares electrn-hueco provocada por colisiones de electrones
energticos excitados por un campo elctrico. El proceso se refleja en la figura 6.7. En ella,
el electrn a se acelera por causa del campo (mostrado en la figura) y gana energa cintica
alejndose del nivel de conduccin. Si la ganancia es suficiente, colisiona con la red
rompiendo un enlace con la consiguiente generacin de un par electrn hueco (b)y
disminucin de la energa cintica del electrn causante del impacto. Tras el proceso b en el
material estn presentes dos electrones de conduccin (c y d), y un hueco (e). Los electrones
c y d podrn iniciar de nuevo la avalancha, as como el hueco que tambin ganar energa
cintica del campo provocando el proceso f que genera un nuevo hueco y un electrn (g). El

62

proceso se repite en cadena y el nmero de portadores generados puede ser muy importante.
Al romper enlaces en los tomos de la red este proceso de avalancha causa la ionizacin de
los tomos, por ello tambin se la llama ionizacin por impacto.
Para caracterizar la ionizacin por impacto se define el parmetro llamado razn de
ionizacin del electrn, n (para los huecos p), como el nmero de pares electrn-hueco
generados por un electrn en la unidad de distancia recorrida y la unidad de tiempo. Esta
cantidad puede ser medida experimentalmente. Con todo, la velocidad de generacin de pares
electrn-hueco por avalancha, GA, est dada por,
GA

1
J
q n n

p J p

donde Jn y Jp son las densidades de corriente de electrones y huecos.

Fig. 6.7. Proceso de avalancha

6.4. La ecuacin de continuidad.

Hasta ahora se ha puesto de manifiesto efectos tales como el arrastre de portadores por la
accin de un campo elctrico, la difusin asociada a un gradiente en la concentracin de
portadores y la generacin-recombinacin.
Se considera ahora el efecto conjunto de todos los anteriores, el cual est gobernado por
la llamada ecuacin de continuidad que expresa la conservacin de la carga elctrica. En su
deduccin se hace un balance de carga (o de partculas) en un volumen infinitesimal. En los
dos puntos que siguen se desarrolla el caso unidimensional y se extienden los resultados al

63

caso general de tres dimensiones.

6.4.1. Caso unidimensional.
Considerar una seccin de semiconductor y cierto volumen infinitesimal Adx (figura 6.8). El
nmero de electrones por unidad de volumen en el elemento de volumen considerado variar
a lo largo del tiempo por causa de varios mecanismos: el aumento slo puede deberse, en
primer lugar, a cierto flujo de corriente de electrones entrante y, en segundo lugar, a
generacin neta en el volumen; la disminucin, por contra, puede asociarse a cierto flujo de
corriente de electrones saliente y/o a recombinacin neta en el volumen.

Fig. 6.8 Volumen infinitesimal de semiconductor

Con todo puede escribirse,

J (x)
n
A dx n A
t
q

Jn(x dx)
q

A G A dx R A dx

Desarrollando en serie de Taylor la densidad de corriente en un entorno de x+dx,

Jn(x dx) Jn(x)

Jn
x

dx

con este resultado en la ecuacin anterior y teniendo en cuenta que G=Ge+Gth, donde Ge
representa la velocidad de generacin asociada a una causa exterior
n
t

1 Jn(x)
Ge U
q x

{6.6}

que es la ecuacin de continuidad para los electrones.

Procediendo anlogamente con los huecos se llega a la ecuacin de continuidad para los
huecos,
p
t

1 Jp(x)
Ge U
q x

{6.7}

En bajo nivel de inyeccin se dispone de la relacin que liga a la velocidad de

recombinacin neta U con la concentracin de portadores minoritarios. Por lo tanto, dadas
las expresiones de las corrientes, es posible escribir la ecuacin de continuidad particularizada
para un semiconductor tipo n en bajo nivel de inyeccin
y resuelta esta ecuacin en los minoritarios, con las condiciones de contorno apropiadas, se

64

pn

p n p

p
2pn

p n D p
Ge
x
x
x 2

pn pn0
p

puede calcular la concentracin y corriente de mayoritarios. Para un semiconductor tipo p la

ecuacin de continuidad en baja inyeccin es la de electrones,
np
t

n p n

n
2pn

n p D n
Ge
x
x
x 2

np np0
n

Junto a las ecuaciones de continuidad deber satisfacerse la de Poisson,

d
dx

{6.8}

en la que s es la permitividad del semiconductor y s representa la densidad de carga cuya

expresin puede tomarse como
s q (p n ND NA )
6.4.2. Caso tridimensional.
Expresadas en tres dimensiones, las ecuaciones {6.6}, {6.7} y {6.8} adoptan la forma,
n
t
p
t

1
J Ge U
q n
1
J Ge U
q p
s

con las que se resuelven los problemas en tres dimensiones si se dispone de las condiciones
de contorno apropiadas.
6.5.-Inyeccin lateral en estado estacionario.
Como primera aplicacin de las ecuaciones de continuidad se considera el caso de un
semiconductor en el que se fuerza una inyeccin de portadores desde una de sus caras.

Fig. 6.9 Inyeccin lateral en estado estacionario

Sea un semiconductor tipo n en el que en rgimen estacionario se mantiene un exceso de

portadores en una de sus caras (mediante iluminacin, por ejemplo). Se producir un
gradiente en la concentracin de portadores minoritarios en las proximidades de la superficie.
La ecuacin de continuidad correspondiente ser,

65

pn

1 Jp
Ge U 0
q x

por su parte, la densidad de corriente de estos huecos ser slo de difusin,

JP

q Dp

dpn
dx

adems la velocidad de generacin en el volumen del semiconductor es nula ya que slo se

ilumina una de sus caras (la luz no penetra): Ge=GL=0. Por otro lado en rgimen de baja
inyeccin U=(pn-pn0)/p. La ecuacin a resolver es,
2pn

pn pn0

Dp p

Las condiciones de contorno son,

pn(x 0) pn(0) constante; pn(x ) pn0
y con stas, la solucin de la ecuacin diferencial es,
pn(x) pn0 [pn(0) pn0]e

x / Lp

; Lp

Dp p

donde se ha definido el parmetro Lp, llamado longitud de difusin, que representa la distancia a la que el exceso de huecos se reduce en un factor e-1 respecto a su valor en el plano de
inyeccin. Lp es la distancia promedio que recorre el electrn antes de recombinarse.

Fig. 6.10 Distribucin de minoritarios

Si la muestra de material semiconductor no se extiende hasta el infinito, sino que su

longitud es finita de valor W, asumiendo que todos los portadores en exceso se extraen en
la cara opuesta, es decir en x=W, las condiciones de contorno quedan,
pn(x 0) pn(0) constante; pn(x W ) pn0
la nueva solucin de la ecuacin diferencial resulta ser,
senh

W x
Lp

{6.9}
W
senh
Lp
si resulta que Lp>>W la recombinacin es despreciable pues los portadores no disponen de
pn(x) pn0 [pn(0) pn0]

66

espacio suficiente como para recombinarse (ntese el significado de la longitud de difusin),

en ese caso la solucin puede simplificarse mediante un desarrollo en serie de Taylor
truncado en las potencias de orden superior al primero: la distribucin de portadores
minoritarios resulta lineal.

Fig. 6.11 Distribucin de huecos

Finalmente, la densidad de corriente de huecos en el extremo de la muestra se calcula,

en el caso general, a partir de la concentracin de minoritarios dada en la ecuacin {6.9}
Jp(W)

q Dp

pn
x

q[pn(0) pn0 ]

Dp

Lp

senh

W
Lp

6.6.-Portadores minoritarios en la superficie.

Si en un extremo de una muestra de material semiconductor tipo n bajo iluminacin uniforme
se crea cierta recombinacin superficial, la densidad de corriente de huecos hacia la superficie
desde el volumen est dada por qUS, donde la recombinacin superficial se expresa,
aproximadamente, USvthpNSt(pS-pn0). Esta recombinacin hace disminuir la concentracin
de portadores en la superficie, y por tanto, aparece un gradiente de huecos con lo que existe
corriente de difusin que es igual a la corriente por recombinacin superficial.

Fig. 6.12 Recombinacin superficial

Para resolver esta situacin se ha de hallar una solucin a la ecuacin de continuidad en

estado estacionario correspondiente,
Dp

2pn
x

GL

pn pn0
p

donde la componente de la densidad de corriente de arrastre es nula. Se asume inyeccin en

bajo nivel y que la radiacin luminosa introduce una velocidad de generacin conocida GL.
67

La condicin de contorno en x=0 se deduce de,

JT JpD JS 0 qDp

d pn
dx

x 0

q US qvth p NSt (pS pn0 )

y la correspondiente al extremo opuesto, como el estado es estacionario,

pn pn0

GL U

pn(x ) pn0 p GL

La solucin de la ecuacin {6.10} con las condiciones de contorno mencionadas es,

S e x/ L
pn(x) pn0 pGL 1 p lr
Lp p Slr

si la velocidad de recombinacin superficial en

concentracin de minoritarios se aproxima a

; S v N
lr
th p St

baja inyeccin es muy grande la

pn(x) pn0 pGL 1 e

x / Lp

que se muestra en la figura 6.13.

Fig. 6.13.

6.7.-El experimento de Haynes-Schokley.

Con este experimento se constata de manera experimental el arrastre y la difusin de
portadores minoritarios. El experimento permite la medida de la movilidad y el coeficiente
de difusin de los portadores minoritarios de manera independiente.
Consiste en someter un semiconductor (tipo n en la figura 6.14) a un campo elctrico
uniforme. En cierto punto, x=0, se dispara un haz luminoso que produce un exceso de
portadores. Suponiendo que la inyeccin de portadores es en bajo nivel, este exceso ser
despreciable al considerar los portadores mayoritarios. El exceso de huecos, sin embargo,
sufrir cierto arrastre en la direccin del campo alcanzando, tras cierto intervalo de tiempo,
td, posterior al pulso de luz, el punto x=L que es el plano de observacin de la muestra.
Por lo tanto,
vd

L
p
td

vd

la movilidad de los huecos puede calcularse a partir de la medida experimental del tiempo
de arrastre td. El exceso de portadores se difunde adems por la existencia de un gradiente
68

en la concentracin de huecos.
La ecuacin de continuidad en instantes posteriores al pulso de luz se expresa por
pn
t

pn

Dp

2pn

pn pn0

x 2

cuya solucin es
pn(x,t) pn0

( x p t ) 2

4 Dpt

t
p

4Dpt
siendo N el nmero de huecos generados por unidad de rea en t=0.
Estas relaciones junto con las medidas experimentales permiten determinar los parmetros
referidos al inicio del punto.

Fig. 6.14 Experimento de Haynes-Shokley

69