Nombre

Nombre de la
materia
Nombre del prof:
Actividad:

Alicia Lizett Hernndez Ibarra

Electrnica
Pablo G. Ramrez
Tarea 1 - Materiales
Semiconductores

Matrcu
la

A00644309

Grupo
Fecha

1
20/01/15

1. En funcin de sus caractersticas elctricas los materiales se clasifican en:

Conductores, Aislantes, Semiconductores, Utilizando el concepto de bandas
de energa explica la diferencia entre stos materiales.
El concepto de bandas de energa o de valencia es el conjunto de niveles tan
cercanos en energa que explican las caractersticas que conforman y diferencian a
un conductor de un aislante y un semiconductor.
En un conductor, los orbitales moleculares des-localizados vacos se encuentran en
un conjunto de niveles vacos y cercanos energticamente formando la banda de
conduccin. La gran fuerza de cohesin que resulta de sta deslocalizacin, es por
lo que el material se vuelve conductor y debido a la libertad de movimiento de los
electrones. Esta es una caracterstica de algunos metales.
Contrario a un conductor, en un aislante, el espacio entre las bandas de valencia y
de conduccin es mayor, requirindose mucho ms energa para lograr excitar un
electrn y hacerlo moverse libremente hacia la banda de conduccin.
A diferencia de los dos anteriores, un semiconductor presenta conductividad a
temperatura ambiente o conductividad intrnseca y mejora con la temperatura. Un
ejemplo es el Germanio que cerca del cero absoluto, los electrones poseen una baja
energa en la banda de valencia, contrario a que ste mismo se puede llegar a
comportar como un semiconductor estando a temperatura ambiente.
2. Como se formal los materiales semiconductor tipo N y tipo P?
Semiconductor tipo N:
Se contaminan o impurifica el semiconductor agregando tomos de otros elementos,
(un tomo por cada 108 tomos de la red). Un ejemplo es el (As) Arsnico que tiene
5 electrones en la ltima capa y que ocupa 3 ms para lograr la configuracin
estable de 8 electrones en su ltima capa, a expensas de liberar el quinto a la red.
Los electrones de desplazan conformando covalencias y compartiendo electrones
entre si. De esta manera, el electrn libre aumenta la conductividad debido a un
crecimiento en el nmero de portadores de corriente.
Semiconductor tipo P:
En una red cristalina de silicio por ejemplo, se sustituye uno de los tomos por un
tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior siendo que
haba 4 electrones anteriormente. Los 3 electrones van a llenar los huecos que se
dejaron al remover los 4 que haba de silicio. Va a quedar un hueco libre. Esta
sustitucin de tomos provoca la aparicin de huecos en el cristal de silicio. De esta
manera, los portadores mayoritarios seran los huecos y los electrones los
portadores minoritarios.
3. Qu es un ION? y esplique al diferencia ente iones aceptores y donadores?

Segn la RAE, un in es un tomo o agrupacin de tomos que por prdida o

ganancia de uno o ms electrones adquiere carga elctrica.
La diferencia entre un in donador y un aceptor es que por ejemplo, un in aceptor
negativo es el que ha perdido su hueco asociado y un in donador positivo es aqul
que ha perdido sus electrones asociados. Como se ve en la imagen:

4. Qu es un diodo semiconductor?
Un diodo semiconductor esta compuesto, por lo general, de silicio y germanio.
Cuando un diodo semiconductor es atravesado por una corriente elctrica, emite
radiaciones electromagnticas en una banda de longitudes de onda segn el tipo de
material con el que est construido. Se constituye por la unin P-N
5. Cmo se forma la Regin de Agotamiento en un Diodo Semiconductor?
La regin de agotamiento de un diodo semiconductor es una regin de aislamiento
dentro de un conductor o material semiconductor dopado. Se forma a partir de la
eliminacin de todos los portadores de carga libres. Los nicos elementos que
quedan en la regin de agotamiento son los iones donantes o impurezas aceptoras.
Esto forma parte de la unin P-N de un semiconductor.
6. Cual es el valor de la barrera de potencial del Silicio y cual es la del
Germanio?
El campo elctrico entre los iones es igual a una diferencia de potencial. A esto se le
llama Barrera de Potencial, que a 25 C vale:
0.3 V para diodos de Ge.
0.7 V para diodos de Si.
7. A que se refiere el trmino polarizacin, polarizacin directa, polarizacin
inversa en el Diodo Semiconductor.
Polarizacin: Es la alineacin de los dipolos aplicando un campo elctrico.

Polarizacin inversa: es decir si el diodo se polariza inversamente no conduce

corriente.
Polarizacin directa: Si invertimos la polarizacin de los portadores mayoritarios,
toman la energa necesaria para atravesar la unin PN venciendo la barrera de
potencial.
8. Dibuje un circuito que polarice una junta PN directamente e inversamente.
Dibuje una grfica (ID vs. VD) que muestre el comportamiento de la
polarizacin directa o inversa del Diodo Semiconductor.

Referencias:
"Teora De Bandas: Conductores, Aisladores Y Semiconductores." Teora De Bandas:
Conductores, Aisladores Y Semiconductores. Web. 19 Jan. 2015.
<http://www.ing.unlp.edu.ar/quimica/Q1.htm>.
"TEORA DEL SEMICONDUCTOR.- SEMICONDUCTOR TIPO P." TEORA DEL SEMICONDUCTOR.SEMICONDUCTOR TIPO P. Web. 19 Jan. 2015.
<http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/tipo-P.asp>.
"RAE - Real Academia Espaola." Rae.es. Web. 19 Jan. 2015.
<http://buscon.rae.es/drae/srv/search?val=ion>.
"DIODO SEMICONDUCTOR POLARIZACIN DIRECTA." DIODO SEMICONDUCTOR
POLARIZACIN DIRECTA. Web. 19 Jan. 2015.
<http://www.ifent.org/lecciones/diodo/inversa.asp>.
"Regin De Agotamiento Regin De Agotamiento, Formacin De La Regin De Agotamiento En
Una Unin P-n, Formacin De La Regin De Agotamiento En Un Condensador MOS, Ancho De
Agotamiento. Web. 19 Jan. 2015. <http://campodocs.com/articuloseducativos/article_9835.html>.

"ELECTRNICA BSICA." Default. Web. 19 Jan. 2015.

<http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/default.htm>.