Electronica I

UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE TULANCINGO
REA ELECTROMECNICA INDUSTRIAL

CARRERA DE ELECTRICIDAD Y ELECTRNICA INDUSTRIAL
(Especialidad de Automatizacin y Control)
Apuntes de Electrnica I
Enero- Abril de 2003
Electrnica I. Universidad Tecnolgica de Tulancingo. 2003
ELECTRNICA I
Objetivo general de la asignatura: Utilizar dispositivos electrnicos bsicos
PROGRAMA
I.
Introduccin a la electrnica.
II.
Diodos semiconductores
III.
Transistores bipolares
IV.
Transistores de efecto de campo
V.
Fuentes de CD y osciladores
PONDERADOS
Examen
50%
Tareas
%
Prcticas
%
Participacin
%
Desarrollo de proyectos
DHP
10%
BIBLIOGRAFA
FUNDAMENTOS DE ELECTRICIDAD Y
ELECTRNICA
Slurzberg y Osterheld. Tercera edicin.
Mc Graw-Hill. 1970.
ELECTRNICA DE POTENCIA
M. Rashid
Prentice Hall Hispanoamricana, S.A.
SISTEMAS ELECTRNICOS DE
POTENCIA
Velasco/Oriol/Otero
Paraninfo
SIMULACION
ELECTRONICA
CON
PSPICE
Aguilar J.D. Domenech A y Snchez J.G.
Alafomega, Mxico, 1998
MOTOROLA LINEAR/INTERFACE ICs VOL.

I SECC. 3
Varios
Motorola, Inc.
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Robert L. Boylestad, L. Nashelsky. Cuarta
edicin.
Prentice-Hall.1997.
MOTOROLA BIPOLAR POWER

TRANSISTOR DATA
Varios
Motorola, Inc.
CIRCUITOS MICROELECTRNICOS
Sedra/Smith. Cuarta edicin.
Oxford Press. 1999.
ELECTRNICA TEORA DE CIRCUITOS
Boylestad/Nashelsky
Prentice Hall Hispanoamricana, S.A.
CIRCUIT DESIGN FOR ELECTRONIC

INSTRUMENTATION.
D. Wobshall
McGraw-Hill
DINMICA DE LA CLASE
Se entregarn apuntes de las unidades con anticipacin, completa o parcialmente a un
responsable para que saque copias, despus no se volvern a prestar los originales. Estos
apuntes se analizarn y discutirn en grupo y minutos antes de terminar la clase se deducirn
las conclusiones entre todos.
Se dejarn tareas y trabajos individuales que se evaluarn segn su calidad de 0 a 10. En caso
de no ser entregada, la calificacin ser de cero y el alumno no podr entrar a clase; deber
1
elaborar la tarea pendiente ms una tarea adicional en este tiempo que nicamente contarn
para la asistencia. Las tareas se reciben UNICAMENTE al iniciar la clase, por esta razn, no se
exigirn impresas, pueden ser elaboradas a mano con letra legible y presentables.
Ninguna evaluacin (ordinaria, de recuperacin y/o extraordinaria) se podr recuperar con
tareas, trabajos extra, etc.
En todo momento debe conservarse el orden, disciplina y respeto en el saln de clases. No se
permitirn alimentos y bebidas, gorras, radios, audfonos, palabras altisonantes, etc.
Slo tienen derecho a evaluacin ordinaria los alumnos que cuenten con el 90% de asistencia a
clase del periodo correspondiente. El profesor se reserva el derecho a validar los justificantes.
Se permitir la entrada al saln de clase mximo 5 min despus de la entrada del profesor.
En caso de que todo el grupo decida no entrar a una clase se dar tema por visto, el cual no
estar excento de ser evaluado y no se dar asesora sobre el mismo.
En los trabajos en equipo (incluyendo prcticas) se tomar en cuenta para la calificacin el
trabajo individual. El integrante del equipo que no participe activamente deber hacerlo
individualmente en un horario fuera del establecido para el caso de las prcticas. En el caso de
los trabajos encargados, tendr una calificacin de cero.
Estructura de reporte de prctica
Portada
Introduccin
Desarrollo con resultados (incluir diagramas, figuras, tablas, etc.)
Bilbiografa
Conclusiones
Los reportes de prcticas se elaborarn por equipo con las conclusiones por separado, stas se
considerarn la parte ms importante del reporte.
Asesoras
Las asesoras son exclusivamente sobre dudas relacionadas con la asignatura, NO son
repeticin de clase. El alumno deber haber estudiado previamente antes de acudir a la
asesora.
UNIDAD I. Introduccin a la electrnica

Objetivo: identificar la importancia y alcances de la electrnica definiendo su rea de
aplicacin.
Saber: Antecedentes. Definicin de electrnica. Campo de aplicacin e importancia. Materiales
semiconductores. Relacin con otras reas. Herramientas necesarias. Futuro de la electrnica.
Campo de aplicacin del rea de Automatizacin y Control
Saber hacer: Diferenciar entre electricidad y electrnica. Conocer las aplicaciones y
oportunidades de trabajo. Identificar herramientas de aptitud y actitud necesarias.
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ANTECEDENTES
Breve historia de la electrnica:

1745. Cuneus y Muschenbrock en Leyden (Holanda) inventan la botella del mismo nombre, el
cual fue el primer capacitor.
1764 1752. Benjamn Franklin vuela cometas haciendo saltar chispas a tierra o cargando una
botella de Leyden (nunca durante tormentas). Fue el primero en proponer los signos positivo (+)
y negativo (-) para la electricidad.
1800. El conde Alessandro Volta inventa la primera pila y luego la batera; en su honor se llam
Volt a la unidad de tensin elctrica.
1826. George Simon Ohm formula su Ley. Su teora no fue aceptada durante varios aos
1820 1845. Se trabaja con el electromagnetismo
1844. Samuel Finley Breese Morse
inventa el primer sistema telegrfico prctico
(anteriormente, Sir W. F. Cooke y Sir Charles Wheastone haban desarrollado e instalado un
telgrafo para trenes, pero tena varias fallas); al igual que el cdigo que lleva su nombre.
1845. Gustav Robert Kirchoff, fsico alemn, postula las leyes que llevan su nombre a los 21
aos de edad.
1878. Sir William Crookes investiga las descargas en tubos de vaco (tubos de Crookes,
precursores del cinescopio de televisin moderno)
1879 Joseph Wilson Swan desarrolla la primer lmpara incandescente
1879. Edison Perfeccion el dispositivo de Swan hacindolo comercial
1882. Edison Instala la primer planta generadora de CD en Nueva York
1887. Heinrich Rudolph Hertz fue el primero en demostrar la existencia de las ondas de radio y
que su velocidad era igual a la de la luz
1888. Nikola Tesla dise los primeros sistemas polifsicos de CA que an se emplean.
1897. Marconi crea su compaa telegrfica sin hilos basado en los trabajos de Hertz.
1897. Sir Joseph John Thomson identific y descubri la existencia del electrn, originando el
modelo atmico del budn con pasas o modelo de Thomson
3
1900. Se inicia el siglo XX, el cual es reconocido como el siglo elctrico, debido a que es en
este periodo cuando la sociedad mundial cambia radicalmente gracias a la electricidad y la
electrnica
1901. Marconi Recibe el primer mensaje inalmbrico en cruzar el atlntico a una distancia de
2,900 Km. El mensaje fueron 3 puntos (SSS).
1904. John Ambrose Fleming inventa el diodo de vaco formado por dos electrodos: un emisor
termoinico y un electrodo fro receptor de electrones
1904. Christian Hlsmeyer, un inventor alemn, propone un mtodo para detectar barcos en la
niebla basndose en ondas de radio. Nadie se interes por su invento. Sus ideas se retomaron
en 1930, para el desarrollo del radar.
1907. Lee de Forest inventa el triodo, que luego mejor, a ste nuevo invento le llam audin.
Esto di impulso a la era de la radio al tener un tercer electrodo mediante el cual se controlaba
el flujo de electrones.
1911. En Febrero, Charles Kettering, ingeniero elctrico presenta el autoarranque para autos
Cadillac; ste motor de arranque (marcha), inicialmente se instal en 12,000 unidades que se
vendieron como autos para mujeres, ya que el mtodo tradicional era utilizar el arranque
mediante crank.
1912. Edwin Howard Armstrong construye el primer oscilador retroalimentado basado en
triodos.
1918. Edwin Howard Armstrong pierde la patente del oscilador a triodo; sin embargo, desarrolla
el receptor superheterodino. Hasta hoy en da es el estandar de recepcin para radio y TV.
1920. Frank Conrad, Ingeniero de Westinghouse, comienza a transmitir msica una vez a la
semana por diversin, apareciendo as la primera estacin de radio (KDKA con 833 KHz Y 100
W de potencia de transmisin), cuyos primeros comerciales se dirigieron a convencer al pblico
de adquirir aparatos de radio. La primer venta de tiempo aire se registra el 28 de agosto de
1922.
1926. Western Electric desarrolla el Vitaphone, un sistema de sonido en disco para pelculas.
Este invento marc el fin del cine mudo.
1927. Harold S. Black, ingeniero de la Bell Telephone Labs desarrolla el concepto de la
retroalimentacin negativa.
1935. Primer uso del radar (Radio Detection and Ranging) por parte de la armada britnica el
12 de febrero. El radar tuvo un papel principal en la guerra, incluyendo deteccin de aviones,
barcos y submarinos, control de artillera, bombardeo y navegacin.
1936. La BBC inicia la transmisin experimental de seales de televisin. Ese ao se da
cobertura por este medio a las olimpiadas de Berln, principalmente en lugares especiales de
Alemania.
1938. En Octubre, el inventor Chester Carlson de Nueva York produce la primer imagen
electrofotogrfica. Este invento no pudo ser comercializado y fue adquirido por un pequeo
fabricante de papel fotogrfico, quien continu con el desarrollo llamndolo xerografa (del
griego Xeros, seco). En 1959 aparece la primer copiadora plana.
1943. el 3 de febrero, Paul Eisler, refugiado judo-Austriaco patenta el proceso del circuito
impreso hecho con cido y tinta resistente al mismo.
1945. John Von Neumann, refugiado de Budapest, presenta el primer diseo de programa
digital almacenado para computadora. Particip en la construccin de la ENIAC (Electronic
Numerical Integrator And Computer) y la bomba atmica.
1947. William Shockley, John Bardeen y Walter Houser Brattain inventaron el transistor
semiconductor de punta de contacto para los Bell Telephone Labs. Compartieron el Novel de
fsica en 1956. se inicia su comercializacin en 1951. Inicia la era de la electrnica de estado
slido y es el principio del fin de las vlvulas de vaco en aplicaciones masivas. Los
semiconductores presentaronn grandes ventajas: se pueden miniaturizar, no se desgastan, son
ms robustos, ocupan menor espacio, requieren menos energa, producen poco calor y son
ms econmicos.
1956. Se transmite por aire por primera vez un programa pregrabado en la CBS utilizando una
VCR (Video Casette Recorder) prototipo desarrollada por Ampex
1958. Jack St Clarir Kilby desarrolla el primer Circuito Integrado (CI) en Texas Instruments
mientras conduca una investigacin en miniaturizacin. Kilby fue rechazado del MIT por
reprobar matemticas. Logr el xito sin ser fsico (en ese tiempo solo los fsicos trabajaban
sobre semiconductores), lo atribuye precisamente a que como no saba nada comenz a
ingenirselas!
1959. Robert Norton Noyce mejora el proceso de fabricacin del CI en Fairchild Semiconductor,
fundada en 1957 (l fue uno de los cofundadores)
1960. Se utiliza el satlite Transit 1-B para localizar barcos en el mar mediante corrimiento
Doppler y los datos de rbita del satlite; este fue el precursor del GPS (Global Positioning
System)
5
1962. Aparece el MOS. Fue desarrollado por Steve Holstein y Frederick Heiman del RCA
Electronic Research Laboratory. Este es el inicio de la verdadera era de la microelectrnica. El
nmero de componentes integrados se dobla cada 18 meses, de acuerdo a la prediccin de
Gordon Moore, fundador de Intel, conocida ahora como la Ley de Moore.
1962. Se demuestra la utilidad de los satlites como medios de retransmisin de TV; esto da
lugar al primer satlite de comunicaciones, el Intelsat I (Pjaro madrugador) lanzado en 1965,
con capacidad para un canal de TV y 240 canales de voz.
1965. Aparece la primer computadora con CIs, la PDP-8 (Programmed Data Processor)
fabricada por DEC (Digital Equipment Corp) llamada minicomputadora. Aunque tena el tamao
de un refrigerador y costaba solamente 18,000 dlares, era ms pequea y ms econmica
que sus predecesoras.
1969. Neil Armstrong y Buzz Aldrin llegan a la luna. Esto fue posible gracias a que la electrnica
se utiliz para el diseo y construccin del cohete Apolo y el mdulo lunar en los sistemas de
control, comunicaciones y navegacin. Adems se utiliz para la transmisin en vivo del evento.
1969. Se crea Arpanet, precursora de internet, para instituciones acadmicas y militares
1971. Martian E. Hoff desarrolla el primer microprocesador de CI de 4 bits en Intel para una
compaa japonesa fabricante de calculadoras cientficas de escritorio!. Inicia la era de la
electrnica programable.
1973. Robert Metcalfe, de Xerox, disea una red de rea local (LAN) llamada Ethernet.
Abandona Xerox y en 1979 crea 3Com, que comenz a vender versiones de Ethernet para PC.
Para mediados de los 90s haba 5 millones de computadoras en red enalzadas por Ethernet.
1975. Sony y JVC lanzan las VCRs al mercado con formatos diferentes (Beta y VHS
respectivamente), basados en el trabajo de Ampex, principalmente para televisoras.
1976. Steve Wozniak y Steve Jobs crean Apple computer y comercializan la Apple II (PC), con
200 piezas ensambladas en su garage. Luego se adicion el monitor y lenguaje Basic.
1976. Seymour Cray, el padre de la supercomputadora junto con George Amdahl definieron la
industria de las supercomputadoras; esto no hubiera sido posible sin el desarrollo del
microprocesador.
1981. Aparece la PC de IBM, que contra la costumbre de la poca, es armada con sistema
operativo (MS-DOS de Microsoft) y microprocesador (8088 de Intel) que no eran propiedad de
la empresa. El xito fue tal, que otros fabricantes como Commodore, Compaq y Tandy
adoptaron el estandar IBM, excepto Apple. Hasta hoy, las PCs se presentan como IBM
compatible
1983. Phillips y Sony presentan los reproductores de CD tras una despiadada competencia de
desarrollo que concluy con la unin de ambas para desarrollar el producto. El CD es un
dispositivo digital complejo que incluye codificacin de audio y pistas de control para correccin
de errores, utiliza tcnicas de procesamiento de seales y una alta velocidad de muestreo, que
dan como resultado grabaciones de alta calidad.
1984. Ambas compaas introducen el CD-ROM para PC y el DVD
1984. se comercializa la primera Macintosh con interfase grfica (Mac OS)
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1990. Inicia la primera versin de la Worl Wide Web (WWW); la creacin del primer buscador de
red, MOSAIC, dio impulso a su utilizacin generalizada.
1990. Se lanza el Hubble, que se considera el inicio de la era dorada para la astronoma
1995. Se comercializa el DVD despus de aos de discusin sobre medidas de proteccin
contra piratera, una de las cuales fue regionalizar los reproductores.
1995. Inicia la era del gigachip (Giga-instrucciones por segundo, giga-bytes, o 109)
1996. Aparece la celda de combustible prctica conectada a la red de potencia de Santa Clara,
California.
1997. La computadora de IBM, big blue vence al campen de ajedrez Gary Kasparov
1998. IBM produce el primer servidor mainframe, con capacidad mayor a 1,000 MIPS (Millones
de Instrucciones Por Segundo). Tambin se desarrolla un proceso para utilizar aluminio en lugar
de cobre en los CIs, que tienen mucho menor resistencia, disminuyendo los problemas de
disipacin de potencia.
1998. Microsoft se convierte en la compaa mas rentable, sobrepasando a G.E. Al ao
siguiente, Cisco, proveedor lider de equipo para internet, sobrepasa a Microsoft.
Notas importantes: La electrnica es el producto del desarrollo, investigacin y sobre todo,
aplicacin, a lo largo de los siglos, del conocimiento en campos diversos como la fsica, la
ciencia de materiales, el procesamiento de seales, las matemticas, etc.
Aunque el quehacer actual descansa sobre el desarrollo de computadoras, stas estn
cimentadas en el hardware y la tecnologa electrnica, que define las caractersticas de
velocidad de procesamiento (MIPS), tamaos de memoria y disco duro, mejor resolucin en
monitores, desarrollo de hardware perifrico y comunicaciones, diseo de circuitos impresos
para motherboards, etc.
DEFINICIN DE ELECTRNICA.
Existen diferentes definiciones relativas a la electrnica. La que aqu se presenta est

relacionada con el rea de Ingeniera, que es la que interesa para esta asignatura y la carrera.
Es importante diferenciar este campo del de la Ingeniera elctrica.
Electricidad: Es el manejo de cargas elctricas mediante dispositivos electromecnicos como
resistores, capacitores, inductores, relevadores, transformadores, conductores, etc.
Electrnica: Es el manejo de cargas elctricas por medio de dispositivos semiconductores. En
la poca de los bulbos o vlvulas de vaco, la definicin fue: el manejo de cargas elctricas por
medio de dispositivos de vaco.
Clasificacin de la electrnica:
1. Analgica. Discreta e integrada, para baja y alta potencia. Es la que se trata en este curso.
2. Digital. Integrada (existen diferentes grados de integracin); fundamentalmente para baja
potencia.
3. Hbrida o Mezclada (mixed). Es Analgica y digital, discreta e integrada, para baja y
mediana potencia.
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La electrnica digital es una variante de la electrnica analgica, slo que funciona en las
regiones no lineales de los dispositivos, a diferencia de la electrnica analgica o lineal.
RAMAS DE LA ELECTRNICA
Debido a su amplio campo de aplicacin, es difcil delinear exactamente las reas de la

electrnica, ya que la mayora se traslapa en algn punto, una aproximacin puede ser:
Microelectrnica
Electrnica de potencia
Biomdica
Instrumentacin y control
Telecomunicaciones
Automatizacin y robtica
Arquitectura de computadoras
Electrnica de consumo
Sistemas digitales
Electrnica programable
Procesamiento de seales
CAMPO DE APLICACIN
Los avances modernos son producto en su mayor parte de los desarrollos en la electrnica, por
lo que el campo de aplicacin es extremadamente amplio, cubriendo los 3 sectores de la
actividad productiva a nivel mundial: el sector de materias primas, de transformacin y el de
servicios.
IMPORTANCIA DE LA ELECTRNICA
El crecimiento de la sociedad actual ha ido de la mano con sta y con el desarrollo de los
materiales semiconductores, a tal grado que es parte integral de nuestra vida diaria moderna,
todos los das hacemos uso de computadoras, Videocasseteras (VCRs), TVs, celulares,
entretenimiento, etc. en el hogar y escuela. En el lugar de trabajo se hace uso de controladores,
servcios de telefona como el ISDN (Integrated Services Digital Network) y FAX, Internet, GPS,
etc. tambin est presente en la industria, el transporte, equipo aeroespacial, comunicaciones,
etc
La tendencia actual es a fabricar bienes ms pequeos, eficientes y econmicos; esto ha sido
posible gracias a los avances en microelectrnica, donde es posible introducir en un Circuito
Integrado (CI) varios millones de componentes en un rea muy pequea (10 mm 2). La industria
de los semiconductores representa 45 billones de dlares al ao a nivel mundial.
RELACIN DE LA ELECTRNICA CON OTRAS DISCIPLINAS
Se puede describir esta relacin como recproca, ya que la electrnica ha permitido el desarrollo
y expansin de otras disciplinas, pero tambin el desarrollo en stas ha permitido el crecimiento
y desarrollo constantes de la tecnologa electrnica, estas disciplinas son, entre otras:
Fsica moderna
Medicina
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Ciencia de Materiales
Qumica
Computacin
Mecnica
Ingenieras en general
Biologa y biotecnologa
Economa
Sociologa
Artes y humanidades
HERRAMIENTAS, HABILIDADES Y ACTITUDES NECESARIAS
El que quiere hacer algo encontrar un medio; el que no, encontrar una excusa. Stephen Donelly
Por estar relacionada con tantas reas del conocimiento, la electrnica requiere de un
conocimiento general (y profundo en algunos casos) en varias reas, en especial en
matemticas, fsica, qumica y computacin. Debido al desarrollo de nuevos materiales y
tecnologas, este conocimiento bsico se expande da con da.
Adems de lo anterior, cada da los sistemas electrnicos son ms complejos y por lo tanto
requieren actualizacin constante y una gran capacidad de adaptacin. La situacin mundial es
muy diferente en la actualidad tambin a la de hace unas dcadas. Esto implica dos conceptos
fundamentales:
1. Actitud
2. Aptitud
La actitud es lo principal, pues debe existir una motivacin REAL para estudiar este campo. En
la UTEC Tulancingo, la carrera de Electricidad y Electrnica Industrial tiene la especializacin
en Automatizacin y Control, que, segn lo que se analiz en el prrafo realcionado, son ramas
de la electrnica. Es por ello que en la carrera se hace especial nfasis en ella.
Caractersticas deseables en la actitud:
1. Responsabilidad y compromiso. La solucin a nuestros problemas no va a caer del cielo ni
del gobierno o de terceras personas, en gran medida depender de nuestro esfuerzo. El
costo de la educacin en infraestructura, tiempo y recursos humanos es demasiado alto
para desperdiciarlos. Existe una responsabilidad con el estado, el pas y el medio ambiente.
2. Disciplina en el estudio. Se debe ser estudiantes, no alumnos. Es un campo difcil pero no
imposible
3. Capacidad de reconocimiento y autocrtica.
4. Curiosidad e iniciativa.
5. Mente abierta y adaptabilidad.
6. Capacidad autodidctica. La obsolescencia no es admisible. Un estudio indica que la mitad
de los conocimientos adquiridos en las instituciones de educacin superior es obsoleta en
un plazo de 2 aos.
7. Calidad. La calidad no es un conjunto de reglas, sino una actitud; debe prevalecer el espritu
de servicio y cooperacin.
8. Visin a futuro. La globalizacin de los pases hace necesario extender la preparacin hacia
actividades socioculturales para relacionarse con otras culturas. Tcnicamente hablando, la
competitividad tambin se ha incrementado y lo har an ms, por lo que una persona no
competitiva, cuya expectativa de vida econmicamente activa puede extenderse hasta los
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30 o 40 aos, est condenada al fracaso rotundo, si dentro de esos aos de vida activa no
se actualiza y se sigue preparando.
Importante: Actualmente, las empresas ponen nfasis especial en la actitud de una persona
cuando se trata de seleccionar personal; los conocimientos son fundamentales, pero se busca
que el empleado tenga el deseo de superacin y se interese en el desarrollo de la empresa.
Para los interesados en crear su propia empresa, esto es todava ms importante; el
empresario actual, en su mayora, carece de preparacin y visin.
Carctersticas deseables en la aptitud:
1. Pensamiento analtico y lgico
2. Habilidad Matemtica
3. Dominio de idioma Ingls (al menos)
4. Conocimientos suficientes de: Qumica, fsica y matemticas
5. Habilidad en informtica, programacin, Diseo asistido por computadora (CAD) y software
de ingeniera y aplicacin especfica.
6. Capacidad para la minera de datos
Para qu se necesitan estos conocimientos?
Qumica: Para comprender temas como: qu es un material semiconductor, por qu se utilizan
xidos en componentes electrnicos, qu pasa con componentes y equipos en atmsferas
reductoras u oxidantes, etc.
Matemticas: Para resolver y analizar los dispositivos y circuitos elctricos y electrnicos. Otros
temas importantes son conceptos como linealidad, orden de sistemas, etc.
Fsica: Se requiere para toda la carrera, en especial para instrumentacin y medicin.
Ingls: para interpretar correctamente la informacin tecnolgica y cientfica, que en su mayora
(ms del 90%) est escrita en idioma ingls.
Computacin: Para utilizar software para diseo y simulacin elctrica y electrnica,
automatizacin, control, navegar por internet, etc.
Minera de datos: Se trata de extraer informacin importante o clave de un escrito, documento,
imagen, etc, eliminando lo superfluo.
FUTURO DE LA ELECTRNICA
Menores consumos y tamaos, mayores densidades de integracin

Nanoelectrnica. Es el empleo de tomos y molculas para construir dispositivos digitales.
Empleo de materiales orgnicos unimoleculares en lugar de semiconductores
Electrnica evolutiva, capaz de ajustarse a condiciones cambiantes mediante FPGAs (Field
Programmable Gate Array), podrn reproducirse y autorepararse.
Conexin total en red.
OPORTUNIDADES DE TRABAJO
Las actividades que se pueden realizar en los diferente sectores son muy variadas, pero todas
estn relacionadas con equipo elctrico y electrnico industrial. Se pueden resumir como:
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Mantenimiento
Diseo
Evaluacin y seleccin
Implementacin y operacin
Prueba y medicin
Sector primario:
Este es el principal sector a atender en nuestro pas por su potencial; sin embargo, tambin es
el ms olvidado y en riesgo y el que menos remuneracin representa actualmente.
Agricultura, pesca, ganadera, silvicultura, etc (medicin y control de variables climatolgicas
y de medio ambiente, pesaje y almacenamiento. Inspeccin, envasado, etc).
Minera y extraccin de hidrocarburos y materias primas (medicin y control de tamao de
partcula, pesaje y empaquetado, control de maquinaria, etc)
Sector secundario o de transfomacin :
En este sector estn las principales aplicaciones de la carrera (automatizacin y control) y las
mejor remuneradas
Empresas industriales muy variadas: textil, qumica, plsticos, metal-mecnica, automotriz,
agroindustrial, alimentos, farmacetica, etc.
Generacin y distribucin de electricidad, agua y gas
Sector terciario:
En general, en este sector las actividades principales estn orientadas al mantenimiento,
aunque tambin existen oportunidades de diseo y desarrollo de soluciones.
Transporte diverso (terrestre, areo, nutico)
Servicios de comunicaciones (telefona, telefona celular, radiocomunicacin, etc)
Empresas comerciales (alarmas, sistemas de seguridad)
Empresas de hotelera, turismo y espectculos
Asesora y asistencia especializada y profesional
Hospitales y servicios sanitarios
Enseanza
Algunos ejemplos de proyectos de la carrera de EEI:
Modificacin a horno de curado de tinta (Cajaplax)
Optimizacin de la lnea de proceso de los accionamientos EMAT-50 (Alstom)
Automatizacin de cardas por medio de PLC (Textiles tcnicos)
Estudio del consumo de energa elctrica de mquina extrusora y tren de estiraje (Cables
Plsticos)
Inicio de ciclo de robot en forma manual (Plsticos Automotrices)
Balanceo de fases de la instalacin elctrica y reordenamiento en tomas de energa (Grupo
MCD)
Programacin de PLC D100 Cutler-Hammer (Embotelladora Mayol)
Registrador de llamadas telefnicas de salida (Copitel)
Automatizacin de vulcanizadora para el rea de ensamble Diesel (Mexicana de
Suministros)
Automatizacin de nacedoras e incubadoras mediante PC (Productores Avcolas)
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UNIDAD II. Diodos semiconductores

Objetivo: Utilizar los diodos de unin y especiales en circuitos de aplicacin especifica.
Saber: Construccin fsica del diodo de unin. Polarizacin. Curvas caractersticas.
Caractersticas del diodo. Hojas de datos. Manual de sustitucin. Diodos reales e ideales.
Aplicaciones (rectificacin, dobladores de voltaje, etc). Diodos Zener y especiales.
Saber hacer: (Para todos los diodos): Reconocer las terminales visualmente y con ohmetro.
Prueba de diodos con y sin alimentacin. Obtener e interpretar informacin de hojas de datos
de internet de diversos fabricantes. Construir y probar circuitos de aplicacin con diodos.
CONSTRUCCIN FSICA DEL DIODO DE UNIN
(Nota: para esta unidad se deben repasar los apuntes de Qumica, Fsica y Matemticas)
Conceptos bsicos.
Enlace inico. Es aquel que ocurre entre tomos de diferente electronegatividad
Enlace covalente. Es aquel donde se comparten electrones. Es ms fuerte que el inico y se
da entre tomos de la misma electronegatividad, siendo an ms fuerte entre tomos de la
misma clase.
Enlace Metlico. Se considera que los electrones de valencia son libres, compartidos por los
iones positivos de los ncleos, de manera que existe una nube de electrones que en un
momento pertenecen a un tomo, posteriormente lo abandonan y as sucesivamente. Una
evidencia de esto es que los metales puedan transferir el calor y electricidad fcilmente. Los
electrones no enlazados pueden moverse ms fcilmente, por esta razn los enlaces covalente
e inico producen sustancias que no son buenos conductores de calor ni de electricidad.
Slido. Es un cuerpo rgido que tiende a conservar su forma, es difcil de comprimir (las
partculas ocupan un volumen pequeo) y al calentarse se funde para formar un lquido.
Tipos de slidos. Existen 4 tipos fundamentales, que se distinguen por su tipo de enlace:
1)- Metales
2).-Cristales inicos
3).- Cristales de Van der Waals (enlace electrosttico, muy dbil)
4).- Cristales covalentes.
Las propiedades fsicas de las sustancias como solubilidad, conductividad, etc dependen del
tipo de enlace.
Cristal: Cuerpo slido limitado por superficies planas imaginarias a nivel atmico; estas se
forman por lneas tambin imaginarias que unen a los tomos formando una red tridimensional,
de una manera parecida a como se han establecido las constelaciones.
Red cristalina: Son las formas geomtricas imaginarias que toman los tomos de los cristales
en el espacio (cbica, hexagonal, romboidal, etc). En los cristales covalentes slo los tomos
que forman cuatro enlaces covalentes producen una estructura repetitiva tridimensional. Este es
el caso del silicio, Germanio y Carbono.
Estructura cristalina: redes cristalinas semejantes cuya disposicin de tomos o iones es
ligeramente diferente (cbica centrada en las caras, cbica centrada en el cuerpo, etc).
Monocristal: es un material formado por estructuras cristalinas repetitivas que crecen en una
sola direccin.
Policristal. Es un material formado por estructuras que pueden ser iguales pero que crecen en
diferentes direcciones
Conductores, semiconductores y aislantes
La conductividad de un material es la facilidad para mover sus electrones de valencia y es
inversamente proporcional a la resistividad rho () dada en cm. La siguiente tabla muestra los
valores de resistividad para algunos conductores, semiconductores y aislantes. Un aislante
tiene una alta resistividad y por lo tanto una baja conductividad. Lo opuesto ocurrir con el
conductor
Resistividad ()
a T. ambiente
Cobre
10-6 cm
conductor
Germanio
Silicio
50 - 60 cm
50 x 103 cm
semiconductor
Mica
1012 cm
aislante
Se indica que estos valores corresponden a la temperatura ambiente. La resistividad y

conductividad de un material dependen de la temperatura; por ejemplo, a 0K, un metal se
convierte en un superconductor (baja resistividad, alta conductividad).
Niveles de energa. Son bandas o regiones de energa medidas en eV (electrn-Volts) en los
que puede encontrarse el electrn de un tomo. Inicialmente el electrn se encuentra en la
banda de valencia; si logra salir de sta (cuando el electrn adquiere energa por algun medio),
pasa a la banda de conduccin y puede participar en una reaccin qumica o produce una
corriente.
Banda prohibida. Es una regin de energa entre las dos bandas anteriores que constituye una
barrera que el electrn debe saltar para pasar de la banda de valencia a la de conduccin.
Ningn electrn puede permanecer de manera estable en esta banda. La energa necesaria
para saltar esta banda, en eV, se denomina como Eg.
Energa (eV)
Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de Valencia
Conductor. La banda de valencia y de conduccin estn traslapadas (prcticamente no existe

banda prohibida, Eg < 0.01 eV a temperatura ambiente), por lo que es muy fcil que los
electrones pasen a la banda de conduccin.
Aislante o dielctrico. La banda prohibida es muy grande, hay que aplicar mucha energa en
eV (Eg > 5 eV a temperatura ambiente) para superar esta barrera (es como una zanja muy
ancha que hay que brincar), por lo mismo, es muy difcil arrancarle un electrn a un aislante.
Normalmente, si se logra esto, el aislante se destruye. En transformadores de potencia, por
ejemplo, esta condicin produce calentamiento y el deterioro del mismo (ruptura dielctrica)
Semiconductor (casi-conductor). La regin prohibida no es tan ancha como en el aislante ni

inexistente como en el conductor. Son materiales cuyos valores de Eg (< 2 eV a temperatura
ambiente) y resistividad (entre 10-5 y 107 .cm) tienen valores intermedios entre conductores y
aislantes. Pueden ser cristalinos o amorfos, formados por un solo elemento como el Silicio y
Germanio (semiconductores elementales) compuestos, que se forman por ms de un
elemento, por ejemplo, compuestos tipo III IV (GaAs, arseniuro de Galio; AlAs, arseniuro de
aluminio; GaP, fosfuro de Galio). Otros son el xido de cinc o de cobre, utilizados para fabricar
termistores.
Defectos cristalinos. Ninguna estructura es perfecta, siempre existen defectos de acomodo de
tomos, lo cual no significa que el material no sirva. Gracias a estos defectos es que un material
puede deformarse y se pueden producir, por ejemplo, placas metlicas, minas para lpices, etc.
Defectos electrnicos. Son las irregularidades en la distribucin de carga en los slidos. Estas
desviaciones son producto de los defectos geomtricos de los cristales.
Defecto Frenkel: un electrn salta hacia un hueco generando a su vez un nuevo hueco (par
electrn-hueco). Esto da lugar al movimiento de huecos, pues al irse creando y destruyendo
por agitacin trmica se ve como si los huecos se movieran.
Solucin slida. Una solucin slida es aquella en la que tomos de diferentes elementos
comparten varios lugares de una estructura cristalina comn. Existen las soluciones slidas
sustitucionales o intersticiales. A diferencia del compuesto, los elementos que la forman no
pierden sus propiedades.
Estructura cristalina del silicio y Germanio.
Estos elementos se unen entre s mediante 4 enlaces covalentes para cada tomo, por lo que
pueden formar slidos monocristalinos con una estructura repetitiva tridimensional. Los
monocristales tienen la propiedad de facilitar el flujo de electrones bajo ciertas condiciones que
se tratarn posteriormente. La siguiente figura muestra la estructura bidimensional del Silicio.
Si
--
Si
Si
- -
- -
Si
--
- -
- -
--
SS ii
- Si
--
Si
--
Si
Si
--
Si
- SS ii
Si
--
Si
--
Si
- -
--
SS ii
- --
Si
- -
- -
Si
Si
El comportamiento de estos materiales puede modificarse para que su resistividad se

incremente o disminuya, lo que significa que Eg se incrementar o disminuir de igual manera,
dificultando o facilitando respectivamente el flujo de electrones, de forma que se comporten
como semiconductores o conductores a voluntad, de manera muy semejante a la forma en la
que operaban los antiguos bulbos o vlvulas de vaco. Esta es la tecnologa electrnica que se
utiliza actualmente, llamada de estado slido para diferenciarla de los bulbos
Para lograr lo anterior, se introducen defectos en el material hacindolo una solucin slida
sustitucional, donde tomos de Si Ge son sustitudos por otros elementos. La estructura
tambin se ve afectada por defectos Frenkel. Podemos deducir que la idea principal es
introducir defectos electrnicos mediante modificaciones en la estructura del material y as
cambiar su comportamiento elctrico.
Por qu se utilizan el Silicio y Germanio en la electrnica? Porque a diferencia de otros
semiconductores, se pueden fabricar en purezas muy altas con relativa facilidad (hasta 1 parte
de impureza en 10 billones de tomos puros, esto es fundamental, segn veremos a
continuacin) y son econmicos y abundantes. Diversas propiedades nos permiten utilizarlos
tambin como sensores para medir temperatura, campo magntico, intensidad de luz, etc. Para
comprender mejor esto, es necesario diferenciar entre materiales intrnsecos y extrnsecos. La
siguiente figura muestra la estructura cristalina tridimensional del Silicio.
Semiconductores intrnsecos o puros

La red cristalina se comporta como un aislante a 0 K (0 absoluto), pues, como ya se haba
comentado, los enlaces covalentes son muy fuertes y producen sustancias aislantes. Sin
embargo, a medida que la temperatura se incrementa (agitacin o ionizacin trmica), algn
electrn puede adquirir suficiente energa para romper el enlace covalente y pasar de la banda
de valencia a la de conduccin. Este electrn que sale genera un hueco o vacancia. Como
siempre se generar un par electrn-hueco, aqu predomina el defecto Frenkel. Otra forma de
generar pares electrn-hueco es por aplicacin de luz sobre el semiconductor.
Recombinacin. Es el llenado de un hueco por un electrn; es el proceso inverso de la
generacin electrn-hueco.
El hueco tiene la misma carga que un electrn (-1.6 x 10-19 Coul) pero de signo positivo. Un
electrn generado en un punto se puede recombinar con un hueco en otro punto de la red;
debido a esto se les llama portadores libres. La generacin de portadores libres hace que a
temperatura ambiente (unos 27 C), el valor de Eg Para el Si, sea de 1.1 eV y de 0.67 eV para
el Germanio; por lo tanto, son semiconductores a temperatura ambiente, es decir que su
resistividad ha disminudo por efecto de la temperatura.
Movimiento de huecos. En realidad, solo los electrones, con carga negativa, pueden moverse
(mover cargas positivas significara mover protones del ncleo); sin embargo, cuando un
electrn salta hacia un hueco, el efecto producido es como si el hueco se moviera en la
direccin contraria al electrn segn puede verse en la siguiente figura, donde el electrn (en
color gris) se mueve hacia la izquierda y el hueco hacia la derecha. El concepto de flujo de
huecos es muy til para comprender el funcionamiento de dispositivos electrnicos bsicos.
Concentracin de portadores libres. Para el silicio, es de 1.5 x 1010 portadores/cm3. Para el

Germanio, es de 2.5 x 10 13/cm3 a temperatura ambiente. A pesar de estos nmeros,
aparentemente grandes, aproximadamente slo uno de cada mil billones de tomos puede
ionizarse y perder un electrn. Por ejemplo, en un cristal de Silicio existen aproximadamente 5 x
1022 tomos/cm3, por lo que la proporcin es de 1 por cada 1022-10 = 1012 tomos
Otras caractersticas. Los semiconductores presentan un coeficiente Negativo de Temperatura
(NTC, Negative Temperature Coefficient); es decir que su resistencia disminuye con la
temperatura a diferencia de los metales; esto se debe a que al calentar un semiconductor
aparecen ms portadores libres que se pueden mover, por lo que se decrementa la resistencia.
Los metales presentan un coeficiente positivo (PTC) debido a que sus electrones se
desordenan con la temperatura, dificultando su flujo. Esta es una de las razones por la que los
semiconductores extrnsecos (que se tratan ms adelante) que manejan corrientes medianas o
altas deben ser refrigerados para evitar su destruccin.
Material puro. La generacin de portadores libres es muy baja. En circunstancias normales, se
necesitara calentar el material a 1,000 C (1,273 K) o aplicar una energa muy alta para que
se produjera una gran cantidad de pares electrn hueco que disminuyeran la resistividad a un
valor til; a este material se le llama puro o intrnseco. Estadsticamente hablando, un material
puro o intrnseco tiene la misma cantidad de electrones y huecos generados por agitacin
trmica.
Corriente de difusin (Id). Se debe al movimiento de electrones y/o huecos sin aplicacin de
campo elctrico externo. Si se diera el caso de que por alguna razn se acumularan electrones
en un extremo de un material intrnseco (calentamiento, presin), la tendencia al equilibrio
producir un flujo que recombina electrones y huecos. Puede compararse esto con soltar una
gota de tinta en agua: sta se concentra primero y luego se difunde por todo el lquido. La
corriente de difusin, por lo tanto, depende de la recombinacin.
Corriente de desplazamiento (Is). Es la corriente de electrones y huecos producida por la
aplicacin de un campo elctrico (dado en V/cm). Las cargas se movern con una velocidad
proporcional a la magnitud del campo.
Voltaje trmico (VT). Es una constante que resulta del cociente de la difusividad (cm 2/s) de
portadores dividida entre la movilidad (cm2/Vs) de los mismos. Se considera que un electrn
tiene una difusividad 2.5 veces mayor que un hueco. A temperatura ambiente (25C), es de
aproximadamente 25 mV. Si la temperatura aumenta, hay mayor difusividad y VT se
incrementa. Si la temperatura es muy alta, existe mayor corriente de difusin y el semiconductor
puede empezar a conducir aunque no exista campo elctrico aplicado (en este caso la corriente
de desplazamiento sera de 0), esto debe evitarse por lo general.
Materiales extrnsecos, impuros o contaminados
Para incrementar la conductividad de un semiconductor, ya que es poco viable aplicar alta
energa, en la prctica se agregan impurezas de manera que se sustituyen tomos en la red
cristalina (se introduce un defecto sustitucional que produce defectos electrnicos); a este
proceso se le llama dopado contaminacin y al material se le llama impuro o extrnseco. Las
impurezas pueden ser elementos del grupo 3 o del grupo 5 de la tabla peridica. Es importante
resaltar que sin importar su naturaleza, de cualquier forma incrementan la conductividad y por lo
tanto disminuyen Eg
Impurezas del grupo 3: Puede ser Galio (Ga), Indio (In) Boro (B). Se les llama trivalentes,
aceptoras o material P debido a que falta un enlace, lo que produce un hueco en la estructura
(representado con un signo (+), indicado por la flecha en la figura), el cual puede aceptar un
electrn libre. Nota: se ha eliminado intencionalmente el tomo del centro para mayor claridad
--
Si
Si
- -
- --
Si
--
Si
Si
--
Si
Si
- -
- -
Si
Si
- -
- -
Ga -+
--
Si
Si
- -
- -
Si
Si
--
Si
--
Si
Impurezas del grupo 5. Pueden ser fsforo (P), Arsnico (As) antimonio (Sb). Se les llama
pentavalentes, donadoras o de material N porque ahora sobra un electrn (-) que no puede
ser parte de ningn enlace; por lo tanto, queda libre para utilizarse.
Si
--
Si
Si
- -
- -
Si
--
Si
--
Si
- -
- -
Si
Si
- Si
--
Si
--
Si
- -
--
--
Si
--
Si
- -
- -
Si
Si
Nota: un material P o N por s mismo es elctricamente neutro debido a que la cantidad de protones y
electrones es la misma siempre y cuando no ganen ni cedan electrones. El Si tiene 14 electrones y
protones, el Galio, 31 y el Fsforo 15.
El juego de damas chinas. Se puede hacer una analoga de lo anterior con un tablero de
damas chinas: si hay un hueco, se puede insertar una canica (electrn), esto sera un material
tipo P. En un material tipo N hay una canica extra fuera de un hueco, que est libre para
rodarla y moverla hacia cualquier hueco que se desee, por esta razn se incrementa la
conductividad: ahora se pueden mover tanto huecos como electrones (aunque ya se dijo que
los huecos en realidad no se mueven).
Contaminacin o dopado. En el silicio intrnseco prctico, puede existir una impureza por cada
1010 tomos (1 en diez billones), mientras que para el Germanio, la proporcin es de 1 a 10 9 (1
en 1 billn). Al introducir tan solo una impureza (aceptora o donadora) por cada diez millonesde
tomos puros, se reduce la Eg de 1.1 eV a solamente 0.05 eV en el caso del Silicio y de 0.67
eV a solamente 0.01 eV para el Germanio, lo que se traduce en una reduccin en la resistividad
de 50 o 60 cm a solamente 3.8 cm en el caso de este ltimo. Si se dopara en una proporcin
mayor, la resistividad se reducira tanto que no sera adecuada en la prctica.
Se requiere de un proceso de muy alta precisin para controlar estas proporciones en la
fabricacin de semiconductores adems de la temperatura, que debe controlarse en el rango de
0.25 C. Si se agregan cantidades iguales de dopantes P y N, el material se hace aislante
o intrnseco nuevamente, ya que los electrones llenarn los huecos existentes. Por lo tanto, la
fabricacin implica primero obtener monocristales de muy alta pureza y despus dopar en forma
controlada. Esto es muy complicado y costoso.
Silicio Vs. Germanio. Actualmente se prefiere el silicio porque en el Ge es ms difcil controlar
el dopado, debido a la alta concentracin de portadores libres que se traduce en una Eg menor;
por otro lado, el Silicio es ms abundante, menos costoso y en la aplicacin soporta corrientes y
voltajes ms elevados que el Germanio.
Portadores mayoritarios y minoritarios. En un material tipo P, los portadores de carga que
realmente pueden promover la corriente elctrica en forma significativa al decrementar Eg son
los huecos que provienen del dopado; por ello se les llama portadores mayoritarios. Los
portadores generados por agitacin trmica en el material base (intrnseco) son muy pocos
(esto se coment en la concentracin de portadores) debido a los enlaces covalentes. Si se
generan huecos, se sumarn a los portadores mayoritarios; en cambio, si se forman electrones
libres, sern en una proporcin tan pequea que prcticamente se desprecian y por ello se les
llama portadores minoritarios. Un fenmeno similar ocurrir en el material tipo N.
Iones. Si por agitacin trmica u otra causa un tomo de elemento de impureza N en la
estructura pierde un electrn, quedar desbalanceado elctricamente (falta una carga negativa
y sobra una positiva) y se convierte en un in positivo. Lo mismo pasa en el material tipo P,
solo que ahora los mayoritarios son los huecos; si se gana un electrn, el tomo se convierte en
un in negativo al tener 4 electrones y el equivalente a 3 protones (por ejemplo, el Galio tendr
31 protones y 32 electrones, sobra un electrn). Esto se muestra en la siguiente figura:
Portadores mayoritarios
+
+
+
+
Iones positivos
+
+ +
Material tipo N
Portadores
minoritarios
Por lo tanto, hay 3 tipos de cargas en un material extrnseco:

1. Portadores mayoritarios que provienen del dopado
2. Portadores minoritarios que se generan por agitacin trmica en el material intrnseco o base
y son difciles de producir debido a los enlaces covalentes
3. Iones, que son impurezas que han ganado o cedido un electrn (P o N respectivamente) por
agitacin trmica y estn desbalanceados elctricamente.
Las nicas cargas o portadores mviles son los portadores minoritarios y mayoritarios; los
iones no pueden moverse, pero afectan el funcionamiento del semiconductor enormemente.
Unin P-N sin campo elctrico aplicado
Cuando se une un material P con un N, se habla de una unin P-N. Esto provoca una
corriente de difusin (Id) que hace que los portadores mayoritarios a ambos lados se
recombinen con los del lado opuesto atravesando la unin, existiendo un flujo tanto de
electrones como de huecos. A medida que esto ocurre, se van descubriendo iones (se extraen
portadores mayoritarios de las impurezas), los cuales eventualmente detendrn esta corriente
de difusin rechazando a los mayoritarios del material contrario. Hay que recordar tambin que
los iones no son cargas mviles, son tomos desbalanceados elctricamente.
I
d (huecos)
Is (huecos)
- -
+
+
P
+
d (electrones)
Is (Electrones)
Cuando Id se detiene, hay iones en la unin y los portadores mayoritarios son rechazados hacia
los extremos de su material correspondiente. En la unin se crea una barrera o carga espacial
formada por los iones que genera un campo elctrico llamado regin de agotamiento
Una corriente de desplazamiento (Is) aparece debida a la regin de agotamiento. Este rechaza
o barre a los portadores minoritarios que se acercan a la unin envindolos hacia el lado
contrario, a travs de la unin. La barrera mantiene limpia de portadores minoritarios a la
unin, por lo que aunque se siguen generando por agitacin trmica, no se quedan en la unin,
manteniendo constante el valor del campo elctrico o voltaje de unin (aprox. 0.7 V para el Si,
0.3 para el Ge a temperatura ambiente)
Flujo neto de corriente. Los efectos combinados de Is (corriente de portadores minoritarios) e
Id (corriente de portadores mayoritarios) producen un flujo bidireccional cuyo efecto neto es de
cero corriente. Esto es verdad aun cuando existan variaciones de temperatura que produciran
mayor Id; cuando esto ocurre, se descubren menos iones, el voltaje se reduce y tambin Is,
manteniendo el equilibrio.
Voltaje de unin. El voltaje de unin depende de la concentracin de contaminantes y la
temperatura. Este voltaje no puede medirse; si esto fuera posible, se comportara como una
batera que se descargara enseguida.
POLARIZACIN
La unin P-N polarizada inversamente
Cuando se polariza de esta manera, los portadores mayoritarios de cada material se ven
atrados por los polos de la batera, mientras que los minoritarios se ven rechazados hacia la
unin, donde el campo elctrico los barre hacia el lado opuesto, por lo que van tambin hacia la
batera. Id e Is ya no son iguales, Is es llamada corriente de polarizacin inversa, formada
solo por portadores minoritarios, crece muy rpido y luego casi no cambia, por ello se le llama
tambin corriente de saturacin . Esto va descubriendo ms iones, incrementando el ancho
de la regin de agotamiento; esta tiene la misma polaridad que la batera externa, por ello Is se
deber a la batera y a la regin de agotamiento, predominando sobre Id (prcticamente cero);
sin embargo, su valor es muy pequeo, del orden de los nano Amperes (nA) microAmperes
(A), por lo que para fines prcticos se puede considerar que no hay flujo de corriente bajo
estas condiciones. Los portadores mayoritarios no podrn atravesar esta barrera.
Is
N
----
+
+
P
+ Is
- - +
- +
- - +
+
- - - +
Capacitancia de la unin. La regin de agotamiento crea un almacn de carga en los

extremos, por lo que se convierte en un capacitor de placas paralelas, donde:
A
C .
d
A medida que aumenta el voltaje inverso (VR) la distancia d se incrementa; la constante
dielctrica aparece debido al material intrnseco y el rea transversal se supone constante; por
lo tanto, a medida que se incrementa el voltaje inverso, la capacitancia de unin disminuye en
forma exponencial.
Regin de ruptura. Si VR (voltaje de polarizacin inversa) aumenta lo suficiente, se pueden
romper enlaces covalentes, generando pares electrn-hueco e incrementando a Is (el material
est dopado, por lo que su resistividad es baja comparada con la del material intrnseco).
Efecto Zener. En la regin de ruptura, Is aumenta muy rpidamente. Si la corriente se limita
externamente, el diodo puede conducir en esta regin sin peligro, pero si se sobrepasa, se
destruye la estructura irreversiblemente.
Efecto avalancha. Tambin se rompen los enlaces covalentes, pero la energa adquirida es tal,
que liberan otros enlaces por colisin (de aqu el nombre). Las regiones zener y de avalancha
estn muy cerca una de otra, por ello en ocasiones se les llama regin zener en general.
Polarizacin directa de la unin P-N.
En esta conexin, los portadores mayoritarios son rechazados por la batera, disminuyendo la
carga descubierta, por lo que hay menos oposicin al flujo y se produce la recombinacin de
mayoritarios; estadsticamente, esto se ve como un incremento en la cantidad de portadores
minoritarios (al pasar portadores de N a P y de P a N) en la regin de empobrecimiento, que
despus desaparecern por recombinacin. La corriente de difusin aumenta sobre la de
desplazamiento puesto que el campo elctrico de la unin disminuye; los portadores
mayoritarios pasarn entonces de un material a otro por difusin. La corriente que circula aqu
es miles o millones de veces ms alta que la corriente de saturacin y debe ser limitada
externamente, ya que puede ser desde unos 5 mA hasta 1 KA o ms en la prctica.
La corriente se puede modelar mediante la ecuacin:
VF
i fwd I S e nVT 1
donde:
VF es el voltaje directo aplicado
n es un parmetro que tiene un valor de 2
Is es la corriente de saturacin inversa (de 1 nA aproximadamente)

VT es el voltaje trmico (25 mV)
Ifwd = If = corriente de polarizacin directa (I forward)
N
+
+
P
+
+ +
+
Capacitancia de polarizacin directa. La carga q acumulada en la regin de empobrecimiento

(formada por minoritarios) vara en el tiempo a medida que Id se difunde. Por lo tanto, si se
aplica un voltaje variable, aparecer una capacitancia en la unin.
CURVA CARACTERSTICA
La curva caracterstica muestra el comportamiento de la corriente a travs de la unin P-N
Versus el voltaje aplicado a la unin, en polarizacin directa e inversa.
Voltaje de
Ruptura (Vzk)
Polarizacin
Directa
(Is)
Polarizacin
inversa
Regin
zener
Corriente de
Polarizacin
Inversa (Is)
V
Corriente de
polarizacin
directa (If)
Regin de polarizacin inversa. Corresponde al tercer cuadrante de la curva. Se puede ver

que la corriente de polarizacin inversa es muy pequea comparada con la de polarizacin
directa y se mantiene casi constante hasta valores de voltaje inverso (V R) altos (en la prctica,
en el rango de 50 V hasta 1 KV o ms) Cuando este voltaje alcanza la regin de ruptura (en el
voltaje de ruptura o Vzk), se presenta el efecto Zener, a partir de la rodilla de la curva y la
corriente se incrementa rpidamente en forma logartmica con variaciones mnimas de voltaje
inverso; como ya se mencion, si no se limita sta dentro de la potencia permisible, la unin PN se destruir por efecto avalancha.
Regin de polarizacin directa. Corresponde al primer cuadrante de la curva. Se ve que
mientras el voltaje aplicado al diodo no sea mayor que el voltaje de unin (de 0.6 a 0.8 V para el
Si), tambin llamado voltaje de conduccin, la corriente ser pequea, pero pasado este punto
se dispara hacia infinito en forma logartmica. Por lo general se considera un voltaje de 0.7 V.
En resumen, podemos hacer que la unin P-N conduzca corriente con ambos tipos de
polarizaciones, pero se requiere ms energa para lograrlo en la polarizacin inversa y se

puede daar la estructura; es ms sencillo en la polarizacin directa. (por ejemplo, se
necesitaran solo 0.7 V en polarizacin directa para que conduzca y 50 V o ms para lograr lo
mismo en polarizacin inversa).
Diodo: Dispositivo no lineal de dos terminales o electrodos (de aqu el nombre) que solo
permite el flujo de corriente en una sola direccin. Es no lineal porque la relacin corrientevoltaje no es una constante
Curva caracterstica de un diodo ideal
Corriente
Voltaje
en el
diodo
Es decir que si el voltaje aplicado es > 0, la cada de voltaje en el diodo debera ser cero y la
corriente mxima; en cambio, al aplicar voltaje en sentido contrario (negativo), el diodo no
conduce, por lo que el voltaje a travs de ste es mximo y la corriente es igual a cero . Esta es
la curva de respuesta de un interruptor ideal controlado por voltaje:
Primer cuadrante = interruptor cerrado. Fluye la corriente y el voltaje es cero en el interruptor y
mximo en la carga.
Tercer cuadrante = Interruptor abierto. Corriente de cero y el voltaje es mximo en el interruptor
y cero en la carga (no existe cada de tensin).
Diodo semiconductor. La unin P-N tiene una curva de respuesta similar a la del diodo ideal;
la diferencia es que la corriente en polarizacin directa no es mxima a 0 Volts, sino a los 0.7 V
(Si) 0.3 V (Ge). De igual manera, en un diodo ideal, sin importar cunto voltaje se aplicara, no
debera conducir al polarizarlo inversamente. La unin P-N si conducir, pero si el voltaje
inverso aplicado es menor que su voltaje de ruptura, se comportar como un diodo ideal en ese
rango. A esto se le conoce como diodo de unin.
Diodo de unin. Es un dispositivo semiconductor no lineal construdo en base a una unin P-N,
que permite el flujo de corriente en una sola direccin. El diodo de unin P-N es bsico para
comprender el funcionamiento de los BJTs (transistores bipolares), MOSFETS y todos los
dispositivos electrnicos existentes.
Smbolo del diodo
nodo (A), (+)
Ctodo (K), (-)
El nodo corresponde al material tipo P, el ctodo al material tipo N. La flecha apunta en la

direccin del flujo de huecos (de P a N) o del flujo convencional de la corriente (de + a - ). El
flujo real es de ctodo a nodo (- a +). La operacin se puede describir mediante la siguiente
figura:
CARACTERSTICAS FSICAS Y ELCTRICAS DEL DIODO

El diodo se utiliza en la prctica bsicamente como un interruptor que se activa o desactiva
dependiendo de la polaridad del voltaje aplicado. Sin embargo, la eleccin del tipo de diodo a
utilizar depender de algunas caractersticas fsicas y elctricas
Caractersticas fsicas. Fundamentalmente son mecnicas y de temperatura.
Caractersticas mecnicas.
Encapsulado. Comnmente el diodo se presenta en un encapsulado formado por un cuerpo
cilndrico de resina epxica opaca que protege a la unin P-N del medio externo (recordar que
incluso la incidencia de luz puede modificar la conductividad del diodo), con terminales de
conexin. En un extremo se marca una lnea de color que indica el ctodo. Para distinguir un
diodo de otro, se imprime una matrcula alfanumrica sobre el encapsulado.
Ctodo
Existe una gran cantidad de encapsulados para los diodos, dependiendo de la corriente y
voltaje que pueden soportar. Pueden ser para montaje y soldadura en circuito impreso (truhole), para montaje superficial (SMD, Surface Mount Device), atornillables, a presin (press
pack), etc.
Cada encapsulado tiene su propia forma y dimensiones; pueden cambiar la longitud de los
terminales, el dametro, el peso, etc. En la siguiente figura se muestran algunos encapsulados
de diodos
Caractersticas trmicas. En este punto, debe ser claro que el material semiconductor se ve
afectado por la temperatura. A mayor temperatura, en la unin P-N el voltaje de conduccin V F
disminuye, debido a que por agitacin trmica la Eg disminuye. Si If se mantiene constante, la

variacin est dada por:
dV F
2mV / C
dT
Es decir que el voltaje del diodo se decrementa en 2mV por cada grado centgrado de
incremento en al temperatura. Esta caracterstica se puede aprovechar para utilizar al diodo
como sensor temperatura.
En general, todos los semiconductores se afectan por temperatura; en casos extremos, el
dispositivo conducir sin llegar al voltaje de conduccin o an peor, antes de llegar al voltaje de
ruptura inversa. Esta caracterstica debe considerarse al momento de soldar un diodo y/o
seleccionar la corriente que fluir a travs de l, ya que un calentamiento excesivo puede daar
la estructura del dispositivo.
Temperatura de unin (Tj). Es la temperatura mxima a la cual puede funcionar una unin P-N
sin daarse irreversiblemente. Para el silicio es de alrededor de 100 a 180 C. Este parmetro
se utiliza para el diseo de disipadores de calor y protecciones trmicas.
Caractersticas elctricas
Corriente de polarizacin directa (IF). Es la corriente nominal que el diodo puede manejar sin
daarse, a un voltaje de conduccin (VF) y temperatura dados, en Amperes. En las tiendas de
electrnica, los diodos se comercializan principalmente por este parmetro (de 1 A, 3 A, etc).
los valores puede ir desde 200 mA hasta 5,000 Amperes o ms.
Voltaje de polarizacin directa (VF). Tambin llamado voltaje de adelanto, es el voltaje de
conduccin, a temperatura y corriente dados. Los valores pueden ir desde 0.6 hasta poco ms
de 1 Volt, dependiendo la construccin del diodo.
Disipacin mxima de potencia (PD). Es el producto, a una temperatura dada, del voltaje de
conduccin mximo permitido y la corriente mxima (VFIF) que puede circular a travs del diodo
sin que ste se dae. La potencia generada se disipa en forma de calor, que puede daar la
estructura del diodo. Este parmetro determina el tipo de encapsulado.
Voltaje de bloqueo inverso (PIV, PRV VBR). Es el voltaje de polarizacin inversa mximo que
el diodo puede soportar sin llegar a la regin de ruptura, donde ya no sera til.
Capacitancia de polarizacin inversa (Cj) y polarizacin directa (Cd). Estas capacitancias, ya
comentadas, modifican la respuesta en frecuencia del diodo, ntimamente relacionado con el
tiemp de recuperacin del mismo, como se ver a continuacin.
Tiempo de recuperacin inversa (trr). Cuando un diodo est conduciendo en polarizacin
directa y se aplica un voltaje inverso para que deje de conducir (apagado de diodo), el diodo
tardar un cierto tiempo en apagarse, segn se puede ver en la siguiente figura:
Id
Respuesta
Ideal
ta
tt
trr
Ta es el tiempo de almacenamiento. Durante este tiempo se recombinan los portadores

minoritarios de la unin, cuya concentracin es muy alta en polarizacin directa debido a la
difusin. La corriente inversa es muy alta en lugar de ser cero.
tt tiempo de transicin. Es el tiempo requerido para que se forme nuevamente la regin de
agotamiento. Durante este tiempo la corriente se hace cero (que es la respuesta ideal buscada
originalmente)
trr. Es el tiempo de recuperacin inversa, dado por la suma de ambos tiempos (ta + tt).
Tiempos de recuperacin tpicos. En un diodo de uso general, es de unos 25s. Algunas
aplicaciones requieren diodos de recuperacin rpida, que pueden tener tiempos de
recuperacin desde 5s hasta valores tan bajos como 5 ns
HOJAS DE DATOS
Son datos que los fabricantes de diodos (y en general de semiconductores) ponen a disposicin
del pblico con la finalidad de que ste evale y seleccione un dispositivo adecuado a una
aplicacin de inters. Contienen informacin muy valiosa de las caractersticas elctricas y
fsicas del diodo y normalmente se encuentran en idioma ingls. Entre otras caractersticas, una
hoja de datos puede contener:
1. Nombre del fabricante
2. Descripcin general del dispositivo
3. Dibujos, fotografas o diagramas del dispositivo
4. Caractersticas ms sobresalientes (esta informacin est orientada ms bien a ventas)
5. Encapsulado y dimensiones
6. Rangos mximos. Es informacin de temperaturas, voltajes, corrientes, etc mximas a las
cuales el fabricante garantiza el funcionamiento y deben considerarse en la etapa de diseo.
7. Caractersticas nominales trmicas, elctricas y/o mecnicas.
8. Curvas caractersticas. Pueden proporcionar informacin de manejo de potencia, voltajes de
unin, comportamiento a cierta temperatura, etc.
9. Notas aclaratorias, glosario, abreviaciones, etc.
10. Notas de aplicacin y prueba
11. Informacin de manejo y empaquetado
Esta informacin puede ser utilizada para el diseo o para sustituir un componente por otro,
seleccionando aquellas caractersticas ms apropiadas. Pueden obtenerse en forma impresa
como manuales, pero esto es muy costoso. Tambin pueden pedirse hojas de datos en CD u
obtenerlos directamente del fabricante, en forma gratuita, a travs de internet.
FABRICANTES DE DIODOS SEMICONDUCTORES
La siguiente es una lista de algunos de los fabricantes de diodos y sus sitios de internet. La
mayora de ellos tambin fabrica otros dispositivos semiconductores como tiristores,
transistores, circuitos integrados, etc.
Agilent Technologies. www.agilent.com

Crydom. www.crydom.com
General semiconductor. www.gensemi.com
International Rectifier. www.irf.com
IPS
Fairchild. www.fairchildsemi.com
Motorola (ON semiconductor) www.onsemi.com
Multicomp
National Semiconductor. www.national.com
NTE (antes Phillips/ECG) www.nteinc.com
Panjit
Powerex Inc www.pwrx.com
Rectron
Semikron. www.semikron.com
Vishay Telefunken www.vishay.com
Existen cientos de fabricantes en el mundo de dispositivos semiconductores como: SGSThomson, Texas Instruments, Intel, Analog Devices, Altera, Burr-Brown, Cyrix, Harris, Signetics,
Teledyne, etc. La lista es demasiado larga para ponerla aqu.
MANUALES DE SUSTITUCIN
Algunas compaas de semiconductores ofrecen productos genricos con caractersticas
similares pero, ojo, NO exactamente iguales a las de cierto dispositivo o dispositivos de otros
fabricantes. Por ejemplo, el fabricantes NTE (antes ECG ) ofrece el diodo NTE-116 como
reemplazo a los diodos 1N4001 a IN4005 (ON semiconductor). Entre otras caractersticas, su
voltaje de bloqueo inverso es de 600V; sin embargo, el 1N4001 tiene un PIV de 50V, el 1N4002
de 100 Volts y as sucesivamente. En este caso, puede utilizarse este reemplazo sin problemas,
pero si la aplicacin requiere cierto tiempo de recuperacin inversa, funcionamiento a altas
temperaturas, etc., puede no ser el adecuado.
El manual de sustitucin tiene su mayor aplicacin en la reparacin de equipos electrnicos,
para sustituir un componente daado que puede ser difcil de conseguir del fabricante original.
En Mxico, la mayora de los comerciantes de dispositivos electrnicos hacen uso de la gua de
reemplazo de NTE o ECG; sin embargo, esto puede ser un problema en componentes crticos,
ya que puede ocurrir que al emplear el sustituto este no funcione adecuadamente, se dae o
dae a otros componentes perifricos. En estos casos es mejor obtener la hoja de datos del
dispositivo original y comparar con la hoja de datos de NTE o de algn otro fabricante de
reemplazos.
DIODOS REALES E IDEALES (modelos del diodo)

De la curva de respueste del diodo ideal, se sabe que debera tener un voltaje de encendido de
cero (resistencia cero en estado de conduccin), soportar cualquier valor de voltaje de bloqueo
(resistencia infinita en polarizacin inversa), poderse apagar y encender rpidamente, manejar
altas corrientes y voltajes, tener cero prdidas de potencia y tener un tamao pequeo.
En la prctica, el diodo semiconductor, debido a su construccin, presenta varios

inconvenientes y limitaciones segn se ha visto. Para el anlisis y diseo de circuitos con
diodos (es decir, para la aplicacin real), se requiere modelar el comportamiento no ideal del
diodo para predecir su comportamiento.
Modelos. El diodo se modela mediante componentes bsicos del anlisis de circuitos como
resistores, fuentes de voltaje, capacitores, etc. Esto representa una descripcin matemtica
que, contario a lo que se pudiera pensar, FACILITA enormemente el anlisis y diseo. Existen
modelos muy complejos que modelan el comportamiento del diodo considerando variaciones
de temperatura, niveles de dopado, proceso de fabricacin, etc. que se utilizan en paquetes
computacionales como Multisim (Electronics Workbench), Circuit Maker, Protel 99, OrCAD
Pspice, etc.
Para anlisis sencillos, donde utilizar un paquete de simulacin es demasiado y se requieren
resultados rpidos, existen modelos que se aproximan a la realidad sin ser excesivamente
complejos, que son el modelo de cada constante, el modelo ideal y el lineal por partes.
Modelo de cada constante. Se representa al diodo como una pequea batera con el ctodo
como el (-) y el nodo como el (+) con un valor de 0.7V (Si) que representa la cada de tensin
en polarizacin directa (VF). En polarizacin inversa se puede modelar como una batera con
los terminales invertidos cuyo valor es el de ruptura. En la siguiente figura, el circuito de la
izquierda representa a un diodo de Silicio en polarizacin directa y el de la derecha al mismo
dispositivo pero en polarizacin inversa, con un PRV de 50V.
VF
+
-
PRV
0.7
V
Vi
Vi
50
V
Modelo ideal. Se supone una cada de tensin a travs del diodo de cero en polarizacin
directa. Esto se utiliza en voltajes altos donde la cada de tensin es despreciable (por ejemplo,
con un voltaje de 40 50 Volts, una cada de 0.7 V no es representativa).
Modelo lineal por partes. Se dibuja un diodo ideal en serie con una batera (voltaje de cada
del diodo) en serie con un resistor (Rd). Que representa las prdidas de potencia en el
dispositivo.
VF
Rd
0.7V
Este modelo tiene la ventaja de que si VF y Rd no afectan signficativamente, puede sustituirse

todo solamente por el diodo ideal D. Si VF no es tan importante pero Rd si, entonces el modelo
incluir a la resistencia y al diodo, etc.
Qu modelo utilizar?. Depende de la complejidad de la aplicacin; mientras ms crtico sea
el componente en el diseo, es mejor considerar todas las caractersticas posibles, pero en este
caso es mejor utilizar un software de simulacin.
CIRCUITOS DE APLICACIN
El diodo como rectificador.

Esta es la principal aplicacin de los diodos. La rectificacin puede considerarse como la
conversin de Corriente Alterna (CA) en Corriente Directa (CD). Existen varias topologas
(formas de conectar los diodos y otros dispositivos) que pueden realizar esta operacin, por lo
que en general se les llama rectificadores o convertidores CA/CD. Todos utilizan la principal
caracterstica del diodo semiconductor: la conduccin de corriente en una sola direccin
Rectificador de media onda
Esta topologa consiste en la conexin de un diodo en serie con una carga (dispositivo que
consume energa) aplicando una fuente de CA. Como el diodo en polarizacin directa
intentar conducir toda la corriente que la fuente de CA le pueda proporcionar, puesto que
pasado el voltaje de conduccin se comporta como un interruptor cerrado, la resistencia de
carga RL es quien limita la corriente en el circuito:
b
Diodo
Voltaje de CA
Resistencia
de carga (RL)
a
Puesto que es un circuito serie muy sencillo, la corriente circulante es la misma en el diodo y en
la resistencia de carga; sin embargo, existir una cada de tensin en el diodo (cuyo valor, como
ya se vi anteriormente, depende de la corriente circulante, pero para este ejemplo la
consideraremos de un valor estandar de 0.7 V) y otra cada de tensin en el resistor de carga.
Cuando se aplica una entrada de CA cuyo valor pico es menor que el voltaje mximo de
polarizacin inversa del diodo, se obtienen las siguientes formas de onda. Para comprenderlas
mejor, hay que analizar con cuidado cada una:
1. El voltaje de entrada, o voltaje de CA medido entre los nodos a y b. Se puede ver que es
una onda peridica tipo senoidal cuyos valores cambian en el tiempo y con una amplitud
mxima de + 10V a 10 V. Estos valores slo son para ilustrar el funcionamiento del
circuito, pudo haberse utilizado cualquier otro valor.
2. La corriente en el circuito. Puesto que es un circuito de una sola malla, la corriente es la
misma en todos los puntos de la red. Se puede ver que cuando el voltaje de entrada es
positivo respecto al origen (0V), el diodo quedar polarizado directamente y entrar en
conduccin, permitiendo el flujo de corriente en el circuito. Por el contrario, cuando la
entrada es negativa, el diodo queda polarizado inversamente y slo fluir la corriente de
saturacin, que por ser muy pequea se puede despreciar y considerar que el diodo no
conduce corriente.
3. El voltaje medido en el diodo, entre los nodos b y c. De acuerdo a la LVK, la ecuacin
de malla para cualquier instante de tiempo est dada por:
V Entrada V Diodo V RL
Cuando el voltaje de entrada es positivo y menor o igual a 0.7 V, el diodo no puede

conducir y aparece este valor a travs del diodo como se puede ver en la forma de onda
correspondiente. Una vez pasado este valor, el diodo entra en conduccin; esto significa
que se comporta como un interruptor no ideal cerrado, donde sin importar cunta
corriente circule, la cada de tensin ser constante (0.7V). Cuando aparece el pico
negativo de la onda, el diodo no conduce, por lo que todo el voltaje est presente a
travs de l, como si fuera un interruptor abierto.
4. El voltaje en la carga, medido entre los nodos a y c. La forma de onda observada aqu
es exactamente lo contrario de la anterior, ya que cuando el diodo conduce, la cada de
voltaje a travs de ste es casi cero (0.7V) y todo el voltaje restante se aplica a la carga
(10 0.7 = 9.3 V). Cuando el diodo se polariza inversamente y no conduce, no hay flujo
de corriente, por lo que la cada de tensin en RL es de cero.
Nota: las escalas de voltaje y corriente son solo de referencia
En resumen, el diodo solo permite el paso de las alternancias o semiciclos positivos de la onda
senoidal, por lo que en la carga (que se considera la salida del circuito), slo se ve la mitad de
la onda senoidal, de ah el nombre de rectificador de media onda. Tambin puede verse que a
diferencia de la CA, el voltaje y corriente en la carga no cambian de polaridad, sino que se
mantienen positivos, este es un voltaje rectificado.
Rectificador de onda completa a diodos simtricos
En el rectificador de media onda, solamente se aprovecha la parte positiva de la onda senoidal,
desperdiciando la mitad negativa. El rectificador a diodos simtricos permite aprovechar ambas.
La topologa es la siguiente:
D1
+
+
T1
V1
I
RL
V2
-
D2
Esta topologa hace uso de dos diodos semiconductores (de ah el nombre) y un transformador
cuyo devanado secundario tiene una derivacin central; esta conexin divide el voltaje total del
secundario del transformador en dos partes: V1 y V2. Cuando se presenta la condicin que se
muestra en la figura, la polaridad mostrada en V1 y V2 polariza directamente a D1 e
inversamente a D2, por lo tanto, solamente D1 puede conducir y en la carga RL aparecern el
voltaje V1 y la corriente I en la direccin indicada.
D1
+
T1
V1
V2
RL
I
D2
Cuando la polaridad en el transformador cambia, el diodo D1 no puede conducir, pero el diodo

D2 est polarizado directamente, por lo que conduce la corriente I a travs de RL en la misma
direccin que en el caso anterior, por lo que la cada de tensin en RL tiene la misma polaridad,
de forma que se ve como si el semiciclo de V2 se hubiera invertido, pasando de ser
negativo a positivo. A continuacin se muestran las formas de onda para esta topologa. Todos
los voltajes se miden tomando el nodo tierra como referencia.
1. El voltaje de entrada 1 (V1) se hace positivo respecto a tierra, permitiendo que D1

conduzca. Cuando se hace negativo, D1 deja de conducir.
2. El Voltaje de entrada 2 (V2) es negativo respecto a tierra. Bajo estas condiciones, D2 no
conducir y D1 s podr hacerlo. Cuando V2 se hace positivo respecto a tierra, polariza
directamente a D2 y ste conducir.
3. El voltaje de salida medido en RL respecto a tierra muestra que cuando D1 conduce,
aparece la mitad positiva de V1; en cambio, cuando D2 conduce, aparece el voltaje V2.
en otras palabras, conduce un diodo a la vez. El valor de voltaje est dado por V1 - 0.7 y
V2 - 0.7 para cada caso, ya que hay que superar esta barrera para que el diodo
conduzca. La forma de la onda de la corriente en la carga es similar y su valor
depender del valor de RL, quien, nuevamente, al igual que en el rectificador de media
onda, es quien limita la corriente en el circuito, ya que los diodos que conducen se
comportan como interruptores.
Las formas de onda del voltaje en los diodos son las siguientes: OJO, El voltaje en D2 est al
revs, porque se supone que conduce en el semiciclo negativo, solo hay que invertir la imagen,
porque est bien indicado, que no conduce en el semiciclo positivo y que conduce en el negativo
(aparecera un 0.7 V), es como si se hubiera medido de ctodo a nodo
La desventaja de este rectificador es que se requiere un transformador con un voltaje en el

secundario del doble del valor de CD deseado. Si por ejemplo se necesitan 12 V de CD, debe
conseguirse un transformador de 24 VCA con derivacin central.
Rectificador de onda completa en puente de diodos
Esta topologa requiere cuatro diodos conectados en puente, esto significa que se forma un
circuito con 4 ramas iguales (los 4 diodos) con un resistor de carga RL en medio. Al igual que la
topologa anterior, permite una rectificacin de onda completa, pero sin necesidad de un
transformador con derivacin central. La figura siguiente muestra el arreglo de conexin:
D1
V1
D2
RL
D3
D4
Cuando se presenta el semiciclo positivo de la onda de CA, los diodos D2 y D3 quedan

polarizados directamente, por lo que ambos conducen haciendo circular a la corriente I en la
direccin que se muestra en la siguiente figura:
D1
V1
D2
RL
D3
D4
Durante el semiciclo negativo, los diodos D1 y D4 quedan polarizados directamente y son los
nicos que pueden conducir, generando un flujo de corriente con la misma direccin que el
caso anterior, por lo que la cada de tensin en RL tiene la misma polaridad.
D1
V1
D2
RL
D3
D4
Las formas de onda para este rectificador son las siguientes: Ojo, est al revs la forma de onda en
D1 y D4, indica correctamente que no conduce en el semiciclo positivo pero s en el negativo, donde el
voltaje debera ser de 0.7V, para que coincida con el voltaje de entrada, mas que nada, porque se provoc
confusin con algunos alumnos.
En cualquier caso, los tres parmetros ms importantes a considerar para seleccionar diodos
rectificadores son:
a. El voltaje de polarizacin inversa mximo (PRV) (se recomienda utilizar un 50% ms del
valor total por seguridad)
b. La corriente mxima requerida en polarizacin directa (se aplica la misma consideracin
anterior, ya que si el diodo conduce la mxima corriente se calentar y su tiempo de vida
disminuir)
c. El tiempo de recuperacin inversa o la frecuencia de operacin. La frecuencia de la
seal a rectificar se ver afectada por este parmetro segn se ha comentado
anteriormente. Hay que recordar que est ntimamente ligado con la capacitancia de
unin. La mayora de los diodos rectificadores operan sin ningn problema a frecuencias
de alrededor de 60 Hz.
DIODOS ZENER
Diodo Zener (diodo de ruptura o diodo regulador de voltaje). A diferencia del diodo comn,
este dispositivo funciona en la regin de ruptura donde se lleva a cabo el efecto Zener. Debido
a que estos diodos requieren un control muy cuidadoso de los niveles de impureza, se prefiere
el Silcio sobre el Germanio en su fabricacin.
A diferencia de los diodos normales, la regin de ruptura se alcanza a valores de voltaje de
polarizacin inversa muy bajos, en rangos que van desde 2.4 V hasta 200 V. La corriente
circulante es la de polarizacin inversa, que se debe limitar a valores de potencia que en la
prctica pueden ir desde de Watt hasta 50 Watts.
Regulacin. De la curva de polarizacin inversa del diodo, puede verse que en la regin de
ruptura (Regin sombreada), el efecto zener se presenta a partir de Vzk, que es el voltaje
zener o de ruptura, en la rodilla de la curva a un valor de corriente -Izk. A partir de este punto,
la corriente inversa se eleva rpidamente hasta que se mantiene casi vertical en el punto
indicado por Vz y IZT , donde se puede ver que el voltaje permanece constante a pesar de
que la corriente sigue creciendo. A esto se le llama regulacin de voltaje.
-Vz
-Vzk
-IZk
-IZT
Caractersticas del diodo Zener

Corriente zener de prueba (IZT). Es la corriente inversa mnima necesaria para que el diodo,
dentro de la regin zener, pueda regular efectivamente, a un valor de Vz y temperatura dados.
Se puede ver que a cualquier valor entre Vzk y Vz el voltaje y la corriente cambian (no hay
regulacin). A partir de I ZT, el Voltaje permanecer casi constante con un porcentaje de
variacin pequeo ( 2 a 20%, segn el tipo de diodo), ya que la curva no es perfectamente
vertical.
Voltaje Zener (Vz). Es el valor del voltaje Zener especificado a un valor de I ZT y temperatura
dados.
Corriente inversa mxima (IZM). Es la corriente inversa mxima que puede hacerse circular por
el diodo a valores de voltaje zener y temperatura dados.
Eleccin de la corriente en el diodo. En la prctica, debe elegirse un valor mayor a IZT y
menor que IZM para asegurar la regulacin. Si se elige un valor igual a IZT, pueden existir
problemas de regulacin, pues se puede ver que variaciones pequeas en Vz producen
grandes cambios en la corriente del diodo; por otro lado, si se trabaja al valor de I ZM, el diodo se
est operando al lmite y eventualmente se daar. La eleccin de la corriente ms adecuada
depende del coeficiente de temperatura. La IZM se obtiene a partir de la hoja de datos, donde se
especifica la potencia de disipacin mxima del dispositivo. Para la adquisicin de un diodo, se

deben especificar su potencia y voltaje de regulacin.
Coeficiente de temperatura (temco). Es el cambio del voltaje zener (Vz) con la temperatura,
expresado en V/C. Puede ser positivo, negativo o cero segn el tipo de diodo. El zener es
altamente dependiente de la temperatura, por lo que variaciones en sta pueden sacarlo de
regulacin al igual que las variaciones en los voltajes de entrada. Esta es su principal
desventaja.
Aplicaciones del Zener. Su principal aplicacin es en la regulacin (mantener un valor fijo) de
voltaje de baja potencia. Este voltaje regulado puede utilizarse para alimentar una carga o como
voltaje de referencia para alguna aplicacin, especialmente en circuitera para instrumentacin y
de proteccin.Tambin se puede utilizar como limitador de sobrevoltaje para un voltaje de
entrada de CA.
Circuitos de regulacin
El regulador zener se conecta de la siguiente forma:
R L im
Vi
IL
IT
VZ
-
Iz
RL
0
El diodo zener se conecta en paralelo con RL (por lo que consitituye una fuente de voltaje de
valor Vz para la carga). Se debe conocer la cantidad de corriente que esta ltima requiere as
como su voltaje de funcionamiento para elegir el zener ms adecuado. Tanto el zener como la
carga conducen una corriente (Iz e IL respectivamente) segn puede verse en la figura.
Analizando el circuito por medio de la LVK, tenemos que:
Vi VR lim Vz 0
Este regulador se utiliza donde el voltaje Vi es mayor que Vz y su valor cambia
constantemente; el propsito de introducir el zener es mantener el voltaje constante a pesar de
estas variaciones. El resistor RLim debe colocarse para que la potencia que no se aplica a la
carga y que tampoco es consumida por el diodo zener, se disipe en forma de calor; adems,
como el nombre lo indica, limita la corriente en el diodo, protegindolo as de daarse. Segn
puede verse en la figura y de acuerdo con la LVK, la corriente que circula a travs de RL est
dada por:
I T Iz I L
Diseo del regulador. Los pasos adecuados para disear un regulador de este tipo son los
siguientes:
1.
Determinar la cantidad de voltaje y corriente que la carga (RL) necesita
2.
3.
4.
5.
Seleccionar el diodo zener que proporcione el voltaje adecuado para la carga

Seleccionar una corriente de operacin para el zener cuyo valor se encuentre entre IZT
e IZM. Esta informacin se obtiene de la hoja de datos.
Determinar el valor de RLim
Calcular la disipacin de potencia en RLim
Ventajas y desventajas. La principal desventaja de este regulador es que si la R L requiere de

una corriente muy alta, RLim deber disipar una gran cantidad de potencia, por lo que la
disipacin de calor se vuelve un problema. Esto lo convierte en un regulador poco eficiente; por
esta razn se utiliza solamente en aplicaciones de baja potencia; su principal ventaja es que es
econmico y requiere slamente un diodo zener y un resistor (RLim).
Parmetros de regulacin. En la prctica, es muy importante determinar qu tan bien funciona
el regulador zener (y en general, cualquier regulador) y para ello debe considerarse qu tanto
puede cambiar el voltaje de entrada Vi sin que estas variaciones afecten la regulacin. De igual
forma, es necesario conocer el desempeo del regulador cuando RL cambia. A esto se le llama
"parmetros de regulacin" y pueden ser de regulacin de lnea y regulacin de carga. Para
determinar estos parmetros, es necesario conocer el valor de IZT e IZM.
Vo mV
es el cambio en el voltaje de salida (Vo) del regulador

Vi
V
cuando el voltaje de entrada (Vi) cambia. Es posible calcular el rango de voltajes mnimo y
mximo permisibles.
Regulacin de lnea =
Vo mV
es el cambio en el voltaje de salida del regulador cuando

I L
mA
los requerimientos de corriente de carga cambian. Al igual que el anterior, es posible precalcular
cul es la variacin mxima de corriente permisible en la carga.
Regulacin de carga =
DIODOS ESPECIALES Y SUS CARACTERSTICAS

Diodo de barrera Schottky (SBD). Se construyen con un material semiconductor tipo N
(ctodo) en contacto con un metal (nodo). La curva caracterstica es similar a la de un diodo
normal. La corriente producida se debe solo a los electrones, por lo que no hay acumulacin de
carga en la unin al polarizarlo directamente; por ello se dice que es un dispositivo unipolar
(solo un tipo de portadores).
Al momento de hacer la unin, los electrones del material N (que tienen mejor movilidad que
los del metal y por ello se les llama portadores de alta energa) fluyen hacia el metal hasta que
se forma una pared de electrones en el metal que impide que los electrones del
semiconductor pasen a travs de la unin. Queda una regin sin carga separada por dos
cargas negativas; por ello la conmutacin es ms rpida, puesto que no se tiene que invertir el
flujo de corriente
Caractersticas. El Voltaje de cada es de 0.3 a 0.5 Volts. En contraparte, su regin de
polarizacin inversa es mucho ms corta que la de un diodo normal (unas 3 veces menor), por
lo que se utilizan en aplicaciones de voltajes relativamente bajos (unos 100 V). La corriente de
polarizacin inversa y de fuga tambin son mayores que en el diodo P-N. A mayor temperatura
presentan ms prdidas por fugas; pueden manejar corrientes desde 75 hasta 300 A con
tiempos de recuperacin de 10 ns o menos, es de 3 a 5 veces ms rpido que un diodo comn.
Aplicaciones. Se utilizan mucho en fuentes conmutadas de alta frecuencia, en familias lgicas

rpidas (Schottky-TTL), mezcladores y detectores en sistemas de comunicacin,
instrumentacin y convertidores A/D.
Smbolo del diodo Schottky:
Diodo varactor (varicap). Bsicamente es un capacitor variable controlado por voltaje. Se

debe recordar que a medida que se incrementa el voltaje inverso en un diodo, la capacitancia
se reduce al aumentar el ancho de la regin de agotamiento, siguiendo el modelo matemtico
para un capacitor de placas paralelas. El voltaje de polarizacin inversa est limitado a unos 20
V y la corriente es pequea, ya que se trabaja en la regin de polarizacin inversa.
Aplicaciones: moduladores de FM, AFC (Automatic Frecuency Control) en televisores y
receptores de radio, filtros pasabanda ajustables, generadores de seales, etc.
Smbolo:
Diodos de potencia. Se utilizan principalmente en rectificacin. Requieren enfriamiento que

puede ser forzado y/o por medio de disipadores metlicos de calor. Pueden manejar corrientes
de hasta 3,000 A de corriente de polarizacin directa y de 1 a 4 KV de PRV con tiempos de
recuperacin estandares.
Diodos de recuperacin rpida. Se utilizan principalmente en convertidores de energa (CDCD, CD-CA). Sus tiempos de recuperacin inversa son menores a 5 s y pueden manejar
voltajes de hasta 3 KV y corrientes de varios cientos de Amperes.
Diodo Tnel. Consiste de una unin P-N con un alto grado de contaminacin (cientos a miles
de veces ms de lo normal). Se utiliza Germanio comnmente porque es ms fcil de dopar.
Este dispositivo presenta una regin de resistencia negativa (al aumentar el voltaje, disminuye
la corriente) y debido a su alta impurificacin, su voltaje de polarizacin inversa es
extremadamente bajo:
Regin de resistencia
negativa
Id
0.6 V
Debido a la contaminacin, la regin de agotamiento es muy pequea, por lo que al aplicar un

voltaje de polarizacin directa existe una recombinacin muy alta que produce la alta corriente
inicial. La excesivamente alta concentracin de portadores minoritarios evita que esto contine,
por lo que en la regin de resistencia negativa, mientras ms se trata de forzar la
recombinacin, ms oposicin se encuentra. Pasado un cierto punto, el voltaje aplicado es
comparativamente tan alto que efectivamente se forza a algunos portadores a recombinarse
atravesando la barrera de potencial por medio de tneles (esto es parte de la teora de la
fsica cuntica, que explica tambin cmo se pueden romper enlaces covalentes por calor, que
se suponen muy fuertes, en el material intrnseco) existentes en sta.
Los portadores que logran esto tienen una muy alta velocidad, comparada con la del diodo
comn, por ello estos dispositivos estn pensados para aplicaciones de muy alta velocidad. Su
fabricacin se ha detenido en la actualidad debido a los altos costos y dificultades de
fabricacin, pero el efecto tnel es uno de los principales fenmenos que se estn considerando
para el desarrollo de dispositivos nanoelectrnicos.
Caractersticas. Las corrientes que pueden manejar van de unos cuantos microamperes hasta
varios cientos de ellos, con voltajes de encendido mximos de 0.6 Volts. Si se prueba un diodo
tnel con un multmetro, puede daarse debido a esto. Las enormes ventajas que posee es que
es un concepto sencillo, puede manejar altas corrientes y sus voltajes de encendido son muy
bajos, lo que los aproxima ms a un interruptor ideal, al menos en polarizacin directa.
Smbolo
LEDs (Light Emitting Diode). Cuando se polarizan directamente una unin P-N, la
recombinacin de portadores minoritarios por difusin produce, entre otras cosas, calor y luz en
forma de fotones, donde la intensidad luminosa es proporcional al nmero de recombinaciones
que se llevan a cabo; a este fenmeno se le llama electroluminiscencia. En el Germanio y Silicio
este fenmeno es muy reducido, pero en materiales como el arseniuro de galio (GaAs) y el
fosfuro de Galio (GaP), es muy fuerte, por ello se utilizan estos y otros materiales para fabricar
LEDs. La luz emitida se concentra por medio de una lente parablica para evitar que se
disperse.
Caractersticas. Dependiendo del material y dopado, pueden emitir luz en longitudes de onda
dentro del espectro visible (400 a 780 nm) en variados colores: rojo, verde, amarillo y narnaja e
incluso en el infrarrojo (de 800 a 2,000 nm). La salida de la potencia radiante (dada en
mW/cm2) es prcticamente lineal con la corriente de polarizacin directa cuyo valor tpico es de
10 a 100 mA.
La curva corriente-voltaje es similar a la de un diodo de unin, excepto que el encendido del
diodo se logra en un valor alrededor de 1.5 a 3 Volts. Para la corriente de polarizacin directa
normalmente se elige un valor entre 10 y 20 mA, suficiente para que el diodo encienda. Sus
tiempos de respuesta se miden en nanosegundos, por lo que son muy rpidos, consumen poca
potencia (un mximo de unos 150 mW), prcticamente no emiten calor y su ciclo de servicio es
mucho mayor a 100,000 horas, en contraste con otras fuentes luminosas. Son muy robustos y
de pequeo tamao.
Aplicaciones: en displays de 7 segmentos, emisores para fibra ptica, emisores para control
remoto, sensores de presencia, como indicadores, en medidores de ritmo cardiaco y
oxigenacin,de la sangre, en instrumentacin, etc.
Smbolo
Fotodiodos. Al polarizar inversamente la unin P-N y hacer incidir luz concentrada por medio
de una lente sobre ella, se liberan electrones y huecos, incrementando la corriente inversa de
manera proporcional a la potencia luminosa, este es el principio de operacin del fotodiodo.
El fotodiodo produce una corriente muy pequea en ausencia de luz incidente sobre la unin
debida a agitacin trmica; esta corriente es llamada corriente de oscuridad que tiene valores
desde 0.01A hasta unos 500A y como era de esperarse, es altamente dependiente de la
temperatura.
Caractersticas. Los fotodiodos de silicio poseen una buena sensibilidad de deteccin entre los
800 y 900 nm (del rojo al infrarrojo cercano), aunque mantienen una buena sensibilidad en el
espectro visible y parte del ultravioleta. Los fotodiodos de arseniuro de Galio responden mejor
en la regin infrarroja hasta 1,500 nm, mientras que los de Germanio van de los 2,000 a los
20,000 nm.
Aplicaciones. Existen dos modos de utilizacin: el fotoconductivo, que requiere aplicar un voltaje
de polarizacin inversa en el modo fotovoltaico, sin voltaje de polarizacin. El primero permtie
utilizar al fotodiodo como sensor de luz, mientras que en el segundo se extrae la corriente
generada para fabricar celdas y paneles solares, interconectando varios de ellos. La corriente
mxima se obtiene al cortocircuitar los extremos de la unin, por ello la corriente de cortocircuito
(Isc) es un parmetro muy importante a considerar en los paneles solares comerciales. Los
fotodiodos semiconductores tambin se utilizan ampliamente como detectores de luz debido a
su bajo costo, pequeo tamao, baja disipacin de potencia, buena resistencia mecnica y
rapidez de respuesta (decenas de ns).
Smbolo
Fotoceldas (fotoresistores). Consisten de una capa delgada de material semiconductor. Al

incidir la energa luminosa, se genera mayor cantidad de portadores libres que se traduce en
una disminucin de la resistencia del material. Por ello, mientras mayor cantidad de luz incide
sobre el dispositivo, la resistencia disminuye y viceversa. El cambio puede ir desde 100 K
(oscuridad) hasta 100 (mxima potencia luminosa). Su respuesta es bastante lineal, pero son
relativamente lentas (en el orden de ms). Se utilizan para el control de iluminacin, detectores
de humo, etc.
UNIDAD III. Transistores bipolares de unin (BJT)

Objetivo: Utilizar los BJTs en circuitos de aplicacin especifica
Saber: Definicin, construccin, polarizacin y curvas caractersticas. Configuraciones.
Funciones de transferencia. Regiones de operacin. Configuraciones Darlington y en cascada.
Saber hacer: Prueba del transistor con Ohmetro. Caracterizacin. Empleo de manuales de
sustitucin y hojas de datos. Clculo de disipadores de calor. Circuitos de aplicacin en las
diferentes regiones de operacin.
Importancia del transitor. Desde su aparicin en 1947 y producto de las investigaciones de

William Shockley, John Bardeen y Walter Houser Brattain, el transistor de unin bipolar (Bipolar
Junction Transistor) ha permtido aplicaciones mucho ms variadas que las de un diodo, desde
amplificar seales hasta ser utilizado como dispositivo digital y de memoria, fundamentales para
el desarrollo de las microcomputadoras y la microelectrnica. El transistor puede utilizarse como
un dispositivo lineal y/o en sus regiones de operacin no lineales llamadas corte y saturacin
(encendio y apagado), por lo que puede funcionar como un resistor o como interruptor.
Las grandes ventajas del transistor respecto a las vlvulas de vaco fueron:
Menor tamao
Menor disipacin de potencia
Pueden integrarse en un espacio pequeo
No tienen partes mviles que se desgasten
Menores consumos de potencia
Peso muy bajo
No requieren calentamiento para comenzar a funcionar adecuadamente
Construccin robusta
Transistor (Transference resistor).
Definicin. Es un dispositivo de 3 terminales y tres capas de material semiconductor, de las
cuales 2 son tipo "P" o "N" y la tercera es de un material extrnseco diferente, que forman una
especie de "sandwich". De acuerdo al orden en el que se encuentran estas capas, se les llama
transistor NPN transistor PNP. Sus terminales son llamadas emisor (E), base (B) y colector (C)
por razones que ms adelante se vern. Las estructuras internas y smbolos se muestran en la
siguiente figura, donde puede verse que la nica diferencia est en la direccin de la flecha, que
identifica al emisor y apunta en la direccin del flujo de huecos:
C
B
B
C
C
E
EE
Se le denomina "bipolar" porque

utiliza materiales dopados cuyos
E
B
C
portadores mayoritarios, es decir
electrones y huecos, tienen cargas de polaridad diferente ("N" y "P"), el diodo Schottky, por
ejemplo, es unipolar porque solo usa portadores negativos (electrones) que provienen tanto del
semiconductor como del metal con el que se forma la unin.
Comentarios sobre la estructura del transistor. Puede considerarse que el transistor est
formado por dos uniones P-N, una de base a emisor (B-E) y otra de base a colector (B C),
ambas con todas las propiedades y caractersticas de las uniones P N anteriormente
comentadas. Un circuito equivalente sera semejante al siguiente, que corresponde a un
transistor PNP; para un transistor NPN, simplemente se invierte el sentido de los diodos
Esto no significa que conectando dos diodos de esta manera se construya un transitor; en la
realidad, la base es ms pequea (aproximadamente 70 o ms veces menor que las otras) y
est ms dbilmente contaminada (unas 10 veces menos), lo que reduce el flujo de portadores
libres a travs de ella. La base es la clave para el funcionamiento de un transistor, ya sea NPN
PNP.
Funcionamiento del transistor NPN. Para que cualquier transistor pueda operar
correctamente, la unin B - E se debe polarizar directamente y la unin B - C inversamente. La
siguiente figura muestra un transistor NPN polarizado correctamente.
Donde:
Ie es la corriente de emisor
Ic es la corriente de colector
Ib es la corriente de base
Debido a que la unin B - E est polarizada directamente, los electrones del material "N" del
emisor se mueven hacia el material "P" de la base, formando la corriente de emisor (Ie) y
provocando el flujo de portadores mayoritarios por difusin, al igual que en un diodo polarizado
directamente. Los electrones del emisor no pueden pasar todos hacia la base debido a que,
como ya se coment, es muy pequea y est pobremente contaminada, por lo que en un
momento dado hay un exceso de portadores minoritarios (electrones) en el material "P" de la
base. Aquellos pocos portadores mayoritarios que se logran recombinar forman una pequea
corriente denominada Ib (corriente de base). El valor de Ib respecto a Ie puede ser 100 o ms
veces ms pequea y es del orden de los microamperes (A).
Lo anterior nos indica que los electrones inyectados o emitidos desde el emisor en la base no
se recombinan en su mayora y se crea un "amontonamiento" de portadores minoritarios en el
material "P". Como la unin B - C est polarizada inversamente, el campo elctrico de la regin
de agotamiento "barre" este exceso de electrones y los enva hacia el colector, formando una
corriente de desplazamiento Is. Hay que recordar que en el diodo polarizado inversamente, la
corriente la forman los portadores minoritarios. Por lo tanto, los electrones emitidos en el
emisor, son recogidos o colectados en el colector. Lo mismo pasa para el transistor PNP, pero
considerando un flujo de huecos.
Analizando al transistor como una caja negra con tres terminales o como si fuese un nodo muy
grande, se puede establecer la siguiente relacin de acuerdo con la LCK:
Ie = Ic + Ib.
Debido a que la Ib est formada por los pocos portadores mayoritarios que se alcanzan a
colar en la base por difusin y forman una corriente mucho muy pequea, prcticamente todos
los electrones del emisor llegarn hasta el colector, por lo que se considera que las corrientes
de emisor y colector son iguales en magnitud. Es importante resaltar que Ic es independiente
del voltaje aplicado entre base y colector, depende ms bien del ancho de la base y el rea de
la unin B - E.
Flujo de huecos. Al estudiar al diodo, qued claro que la corriente de huecos es opuesta en
direccin a la del flujo de los electrones; puede verse en el smbolo del transitor NPN que la
flecha en el emisor indica precisamente este caso. El funcionamiento tambin puede explicarse
considerando una corriente de huecos, donde stos se ven expulsados desde el colector, llegan
a la base y de ah pasan hasta el emisor (ver la flecha en este terminal).
La siguiente figura muestra una estructura de transistor NPN ms aproximada a la realidad.
Aunque la base aparentemente es ms grande que el emisor, en realidad ocupa un volumen
mucho muy pequeo.
Se puede ver que el colector rodea por completo a la base y esta a su vez est rodeada por el
colector. Los electrones que salen del emisor son ms eficientemente inyectados en la base con
esta estructura. De igual manera, los electrones en exceso en la base pueden ser colectados en
su totalidad debido a que el colector la rodea completamente.
Funcionamiento del transistor PNP. El funcionamiento es similar al del transistor NPN; las
direcciones del flujo de la corriente de electrones es la siguiente:
El funcionamiento puede explicarse mejor considerando una corriente de huecos. La unin

B E directamente polarizada favorece la recombinacin de portadores mayoritarios en la
base. Nuevamente, pocos huecos (que son los portadores mayoritarios del emisor) podrn
recombinarse con los portadores mayoritarios (electrones) de la base, generando una
corriente Ib pequea. El exceso de huecos en la base (para la cual son portadores
minoritarios) es removido por el campo elctrico de la regin de agotamiento de la unin B
C inversamente polarizada, por lo que los huecos son recogidos o colectados en el colector.
Resistor de transferencia. Es claro que en ambos casos se transfiere corriente (ya sea de
huecos o de electrones) desde el emisor hasta el colector; el material semiconductor presenta
un cierto valor resistivo diferente para cada una de las uniones: la unin polarizada
directamente presenta baja resistencia, mientras que la unin polarizada inversamente presenta
una resistencia muy alta, tal y como se analiz en los temas relacionados con sus estructura
atmica, de aqu viene el nombre de transistor (transference resistor), pues se transfiere la
misma corriente entre dos resistencias de valores diferentes.
Corriente de colector. En la prctica, la corriente de colector es mucho muy importante. Debe
tomarse en cuenta que esta corriente est formada por portadores mayoritarios (inyectados
desde el emisor en cualquiera de los dos tipos de transistores) y portadores minoritarios (que
provienen directamente de la unin de la base y colector); ambos efectos se superponen y se
ve como una sola corriente de electrones para el transistor NPN o de huecos para el PNP. La
siguiente expresin indica lo anterior
Ic= Ic mayoritarios + Ic minoritarios
La Ic minoritarios es llamada tambin "corriente de fuga" o I CO y es fcil deducir que depende

de la agitacin trmica, ya que es una corriente de polarizacin inversa. Su valor es del
orden de los A o nA en circunstancias normales; sin embargo, debe considerarse en los
diseos para evitar que el transistor funcione inadecuadamente en un momento dado.
La relacin entre la corriente de colector Ic y la corriente de emisor Ie est dada por:
I C I E
Donde es una constante proporcional llamada "factor de amplificacin en corto circuito de

base comn" y cuyo valor oscila entre 0.9 y 0.998; en la prctica se considera que ambas
corrientes son iguales. Tambin puede expresarse esta relacin como:

Ic
Ie Vcb cons tan te
Ic
y es 1 (0.9 a 0.998)
Ie
Por lo anterior, el transistor tambin puede definirse como un dispositivo electrnico que
requiere una corriente de entrada para poder proporcionar una corriente de salida; esto,
segn se ver ms adelante, se cumplir siempre.
De lo anterior, se deduce que se pueden hacer las siguientes aproximaciones:
Ie Ic
Ic = Ie + Ico
Configuraciones de los transistores. Las configuraciones son las formas en las que se puede
conectar un transistor, considerando una de sus terminales como punto de referencia a partir de
la cual se van a medir voltajes y corrientes de entrada y salida. Estas configuraciones pueden
ser 3:
1. Base comn
2. Emisor comn
3. Colector comn
Configuracin a base comn. Esta configuracin corresponde a la polarizacin que se ha
mostrado anteriormente, considerando que la base es el punto de referencia entre la entrada
(unin B E) y la salida (unin B- C ), por lo que la nica diferencia es que se debe agregar un
smbolo de tierra en la base:
Las curvas caractersticas que se obtienen son las de entrada (Voltaje Base- Emisor vs.
Corriente de emisor) y de salida (Voltaje Base - colector Vs. Corriente de colector). En estas
caractersticas se relaciona la informacin tanto de salida como de entrada. La siguiente figura
muestra las caractersticas de salida para la configuracin a base comn:
Hay
varios
puntos
importantes
que se deben
resaltar
en
esta
caracterstica.
En
primer
lugar,
se
indican
tres
regiones
diferentes: la
de corte, que
corresponde a
la parte inferior
de la grfica, la
de saturacin,
a la izquierda y
entre
estas
dos regiones se encuentra la regin activa o lineal. Estas tres regiones se comentan a
continuacin.
Regin activa. Un transistor conectado en configuracin de base comn operar en la regin
activa si la unin B - E est polarizada directamente y la unin B - C inversamente (es decir, en
condiciones normales). Para amplificar seales, el transistor debe operar en esta regin, por lo
que es muy importante comprender su funcionamiento: la mayora de las aplicaciones del
transistor en la prctica involucran amplificacin. La grfica muestra fundamentalmente dos
cosas importantes:
1. Las corrientes de colector y emisor son prcticamente iguales, de acuerdo al parmetro
ya discutido; adems, las curvas estn igualmente espaciadas unas de otras.
2. Despus de la regin de corte, las curvas son prcticamente horizontales, por lo que se
deduce que Ic permanece constante a pesar de las variaciones en el Vbc en un muy
amplio rango de valores, por ello es que el colector se comporta como una fuente de
corriente regulada (la corriente permanece constante a pesar de las variaciones de
voltaje).
Regulacin de corriente. La razn por la que el Vbc no afecta a Ic es porque esta corriente
proviene de la corriente de emisor, que a su vez depende del voltaje que se aplica en la unin
B-E, el cual, por ser una unin P-N no debe exceder de los 0.7 V (en forma general).
La curva de respuesta de la entrada corresponde a la de un diodo polarizado directamente. La
siguiente caracterstica muestra que la corriente de emisor es prcticamente la misma sin
importar si el Vbc se incrementa o disminuye, en especial a un voltaje Vbe de 0.7 Volts. Se
representa al Vbe como negativo debido a que esta es la polaridad que muestra cuando se
mide desde la base.
Regin de corte. El
comportamiento observado en la regin de corte ocurre cuando las dos uniones estn
polarizadas inversamente ( el Vbe es mucho menor a 0.7 Volts). La corriente de emisor es
menor o igual a cero, por lo que no puede existir corriente de colector an cuando se
incremente el valor del Vbc. La nica corriente circulante ser la de fuga, generada por
agitacin trmica que en general puede despreciarse, excepto en transistores que manejan
altas corrientes (10 A o ms) y/o cuando el transistor opera a altas temperaturas. En esta regin
operan los transistores que se utilizan en circuitos digitales para producir un "0" lgico
(transistor apagado).
Regin de saturacin. Se llega a esta regin cuando ambas uniones estn polarizadas
directamente. Puede verse en la grfica que el Vbc tiene aqu un rango de valores negativos
(medido desde la base), es es decir que esta polarizado directamente. Bajo estas condiciones,
la corriente de colector es extremadamente alta cuando se llega a los -0.7 Volts, al igual que
ocurre con el diodo normal. En esta regin operan los transistores que se utilizan en circuitos
digitales para producir un "1" lgico (transistor encendido).
Funciones de transferencia (ganancias de corriente y voltaje). La funcin de transferencia
es la relacin entre la entrada y salida de un sistema o dispositivo. Expresado en forma
matemtica, es la relacin entre la funcin de excitacin y la respuesta obtenida. La salida
puede ser mayor que la entrada, en tal caso se dice que hubo amplificacin o ganancia. Las
ganancias pueden ser mayores que la unidad (amplificacin) o menores (atenuacin) que 1.
En el caso de los transistores, las funciones de transferencia son las relaciones entre voltajes y
corrientes de entrada y salida. La ganancia de corriente se expresa de la siguiente manera:
Ganancia de corriente Ai
Io
Ii
La ganancia de voltaje se expresa como:

Av
Vo
Vi
En general, las ganancias de corriente y voltaje dependen de la configuracin del transistor, el

tipo de voltaje y/o corriente de entrada, las resistencias internas de las fuentes de entrada, etc.
Es necesario hacer el anlisis de circuito correspondiente para determinar la funcin de
transferencia de inters.
En el caso de la configuracin a base comn, la ganancia de corriente est especificada por el
parmetro , es decir que la corriente de salida (Ic) es menor que la corriente de entrada (Ie),
por lo que la corriente de salida est atenuada respecto a la corriente de entrada. En cuanto a
la ganancia de voltaje, la configuracin a base comn permite ganancias de 50 a 300.
Otras caractersticas de la configuracin a base comn: Presenta una excelente respuesta a

altas frecuencias, baja impedancia de entrada (de 10 a 100 tpicamente) y alta
impedancia de salida (100 K a 1 M) debidas a la polarizacin directa de la unin B-E e
inversa de la C-B.
Configuracin a emisor comn. Esta configuracin es muy importante porque es la ms
utilizada en la prctica para el diseo de amplificadores de audio y video, instrumentacin,
circuitos integrados analgicos, etc. El terminal de emisor se utiliza como referencia, por lo que
la
entrada la constituyen el voltaje Vbe y la Ib.
La salida de esta configuracin es la corriente de colector Ic y el voltaje Colector emisor (Vce),

la caracterstica de salida se muestra a continuacin:
Regiones
de
operacin.
Nuevamente se
identifican
tres
regiones
de
operacin.
A
diferencia de la
caracterstica de
salida a base
comn, en la
regin lineal se
observa que las
lneas
que
representan
la
corriente
de
colector no son
tan horizontales,
sino
que
presentan
una
ligera pendiente;
es decir que la corriente de colector aumenta a medida que el voltaje Vce aumenta tambin. Por
otro lado, mientras la corriente de colector est dada en mA, la corriente de base es del orden
de los A y puede verse en este ejemplo que es unas 1,000 veces ms pequea que la
corriente de colector.
En cuanto a la regin de corte, se puede ver que, an cuando Ib sea cero, puede existir una
corriente de colector diferente de cero, que ser "n" veces mayor que Ico (corriente de fuga);
esto se expresa de la siguiente manera; la demostracin queda para un rato de ocio:
Ic corte I CEO
I CO
1 I 0
B
lo cual no da cero
Por lo tanto, el corte o apagado del transistor no ocurre cuando Ic = 0, sino al valor de ICE0. la
regin de corte se logra cuando el Vce es muy alto, pero la corriente de colector es muy
pequea.
La regin de saturacin se alcanza cuando el Vce es mnimo (tendiente a cero), pero la
corriente de colector Ic es mxima.
La caracterstica de entrada muestra que la corriente de base Ib no se ve afectada

prcticamente con las variaciones en el voltaje colector emisor (Vce) y esencialmente es la
misma curva de respuesta de un diodo de unin polarizado directamente.
Amplificacin de corriente. Al igual que el parmetro , existe una forma de relacionar las
corrientes de entrada y salida, llamado (beta) del transistor; este se puede expresar tanto para
CA como para CD de la siguiente forma:
hfe AC
Ic
;
Ib Vce cons tan te
Ic
Para CD: DC Ib
Vce cons tan te
, tambin llamada hfe en el caso de la ganancia en CA, es una constante que depende de la
construccin del transistor: el ancho de la base, difusividad de portadores, etc. Se le llama
ganancia de corriente de emisor comn y puede tener valores que van 100 a 200 o 1000 en
algunos casos. Los transistores con muy altas se fabrican con una base muy delgada y muy
poco contaminada y un emisor altamente contaminado.
Los parmetros y pueden relacionarse mediante las siguientes expresiones:
Y:
Caractersticas generales de la configuracin a emisor comn. Estas caractersticas pueden

resumirse de la siguiente forma:
Zi= Impedancia de entrada = moderada

Zo= Impedancia de salida = alta
Av= Ganancia de voltaje = moderada
Ai= Ganancia de corriente = Alta ( est dada por )

Respuesta en alta frecuencia = deficiente
Configuracin a Colector comn. En esta configuracin, la entrada de voltaje es el Vbc y la

entrada de corriente es Ib, mientras que el voltaje de salida es el Vce y la corriente de
salida es Ie, para un intervalo de valores de Ib. Esta informacin se puede obtener en
forma indirecta a partir de las caractersticas de entrada/salida de la configuracin a
emisor comn; debido a que las impedancias de entrada y salida son altas (sta ltima es
un poco menor que la primera), esta configuracin se utiliza ms bien para el acople de
impedancias. Sus ganacias de corriente son altas, pero su ganancia de voltaje es cercana a
la unidad.
Hojas de datos de un transistor. Al igual que ocurre con los diodos, contienen informacin del
fabricante relacionada con un tipo en particular de transistor. Las principales caractersticas a
tomar en cuenta son: la corriente mxima de colector (Ic), la ganancia de corriente a emisor
comn o hfe y la disipacin mxima de potencia (PD), que se obtiene de la curva de salida de la
configuracin a emisor comn y es el producto de Ic x VCE.
Adems de lo anterior, la hoja de datos proporciona informacin sobre los voltajes de ruptura
(VBR o Voltaje de Break down), es decir, los voltajes aplicados en polarizacin inversa que
provocaran que las uniones que forman al transistor se destruyeran irremediablemente. Otro
tipo de informacin que se proporciona puede ser la velocidad de conmutacin (en s), el tipo
de encapsulado y/o la frecuencia mxima (en MHz) que se puede aplicar al transistor.
Las curvas caractersticas pueden ser las de base o emisor comn, adems de otras que
muestran la degradacin de potencia, reas de operacin segura (en las cuales la disipacin de
potencia mxima del transistor no se excede), etc.
Disipacin de potencia. Una de las limitaciones en los transistores (y en los semiconductores
para electrnica, en general), es la disipacin de calor generada internamente debida al flujo de
corriente, que eleva la temperatura de la unin. Es muy importante no exceder la temperatura
mxima permitida (TJ mx), que se proporciona en las hojas de datos y cuyo rango va de 150 C
a 175 C para el Silicio
Para que el semiconductor no se dae, el calor generado debe ser expulsado desde la unin,
pasar a travs del encpasulado y disiparse en el ambiente. La diferencia entre la temperatura
de la unin y la temperatura del ambiente est dada por:
TJ - TA JAPD
Donde:
TJ es la temperatura de la unin, en C
TA es la temperatura del ambiente en C
PD es la potencia disipada en Watts
El smbolo (theta), en general, denota la resistencia trmica; expresada en C/Watt, por lo

que JA es la resistencia trmica unin-ambiente dada en C/W y se puede considerar como
una medida de la habilidad del dispositivo para expulsar el calor desde la unin hacia el medio
ambiente.
Esta resistencia trmica representa cunto se eleva la temperatura por unidad de potencia
disipada y se proporciona en las hojas de datos. Por ejemplo, una JA de 50C/W indica que la
temperatura se incrementa 50C por cada Watt de potencia disipada; los valores ms pequeos
indican que el dispositivo se calienta poco a pesar de que la disipacin de potencia se
incremente. La resistencia trmica de la unin al ambiente (JA) tiene dos componentes: la
resistencia trmica de la unin al encapsulado (JC) y la resistencia trmica del encapsulado al
ambiente (CA), es decir que:
JA = JC + CA
Analoga elctrica. El proceso de transferencia de calor puede visualizarse por medio de una
analoga elctrica en el cual la potencia es modelada por la corriente, la resistencia trmica por
resistencia elctrica y la temperatura por el voltaje. Como lo muestra la siguiente figura,
aplicando las leyes de Ohm y LVK, se puede encontrar la temperatura en cualquier punto. La
resistencia trmica de la unin al encapsulado depende del material, tamao, espesor y la
calidad del encapsulado. La resistencia trmica de ste al ambiente (al aire libre) depende de
su superficie y de las condiciones del ambiente, as como tambin del flujo de aire que circula
por el dispositivo. Si el flujo es forzado (ventilacin forzada), el dispositivo podr disipar ms
calor al ambiente.
Disipadores de calor (heat sinks). La capacidad de disipacin de potencia hacia el ambiente de

un dispositivo electrnico tiene un lmite mximo, ms all del cual se puede daar. Para
disminuir la resistencia trmica y facilitar el flujo de calor del encapsulado al ambiente, es
necesario emplear disipadores de calor; stos estn disponibles en un gran variedad de formas
y tamaos con resistencias trmicas desde 30C/W hasta menos de 1C/W, generalmente
fabricados de aluminio. El modelo anterior cambia ligeramente, ya que se agrega una
resistencia trmica del encapsulado al disipador y del disipador al ambiente, como se muestra
en las siguientes figuras:
JC es la resistencia trmica de la unin al encapsulado, mientras que la resistencia del

encapsulado al ambiente (CA) ahora es la resistencia del encapsulado a la superficie de
montaje (CS) ms la resistencia de la superficie de montaje pasando por el disipador hacia el
ambiente (SA), de manera que:
JA = JC + CS + SA
La superficie de montaje puede ser una rondana aislante o una mica de fibra de vidrio con una
capa de grasa de silicn; en cualquier caso la resistencia trmica tpica es menor de 1C/W.
Seleccin de disipadores de calor. La mejor combinacin encapsulado-disipador de calor se
determina en base a la mxima disipacin de potencia esperada, la temperatura de unin
permisible mxima y la temperatura ambiente anticipada mxima (una temperatura ambiente
muy alta disminuye la capacidad de disipacin de todo el sistema, por lo que en ambientes
cerrados es preferible emplear una ventilacin forzada).
Ejemplo de clculo. El primer paso es encontrar JA, que de acuerdo a la LVK, se expresa como:
JA = TJ - TA
PD
Por ejemplo, supngase un transistor con encapsulado TO-220 en configuracin emisor comn
con una JC de 5C/W y una JA de 50C/W (datos del fabricante), que debe operar en un rango
de temperatura ambiente (TA) de 0 a 60C, con una corriente de colector de 0.8A y un V CE de
salida de 6V. Para encontrar JA mxima, debe considerarse la mxima variacin de

temperatura ambiente y la mxima disipacin de potencia, en este caso si TJMAX es 125C (se
eligi un valor por debajo de TJMAX, 150C para el silicio por seguridad):
JA = (125 - 60) = 11.6 C/W

(6)0.8
CA = CS +SA = JA - JC = 11.6 - 5 = 6.6 C/W
Suponiendo una CS de 0.6C/W, SA ser igual a 6CW, que ser el valor de la resistencia
trmica del disipador de calor a emplear. Existen tablas para utilizar placas de aluminio o cobre
de determinado grosor y rea, pero tambin existen compaas dedicadas a disear
disipadores de calor, las cuales tienen definidos perfiles normalizados de diferentes tipos y
tamaos de disipadores, donde especifican la resistencia trmica del disipador mediante una
grfica.
Las resistencias trmicas de los disipadores comerciales pueden especificarse al aire libre
(ventilacin natural, tambin llamada conveccin) o con ventilacin forzada (por medio de
ventiladores) y sus valores pueden depender de la colocacin del disipador (vertical u
horizontal). Como ya se haba mencionado, el material ms comn es el aluminio.
UNIDAD IV. Transistor de efecto de campo (FET)

Objetivo: Utilizar los FETs y MOSFETs en circuitos de aplicacin especifica.
Teora de operacin
El FET (Field-Effect Transistor), transistor de efecto de campo es un dispositivo unipolar, opera

como un dispositivo controlado por voltaje, ya sea con corriente de electrones en un FET de
canal N o con corriente de huecos en un FET de canal P. El FET es un dispositivo de 3
terminales que contiene una unin P-N bsica y puede construirse como un FET de unin
(JFET: Junction FET) o como un FET metal xido semiconductor (MOSFET).
Existen dos tipos de JFETs, de canal N y de canal P. Sus smbolos son los siguientes:
El FET puede utilizarse como interruptor y como amplificador, al igual que un BJT, el voltaje
entre dos terminales controla la circulacin de corriente de la tercer terminal.
El FET deriva su nombre de la esencia de su operacin fsica, el mecanismo de control de

corriente est basado en un campo elctrico establecido por el voltaje aplicado a la terminal de
control.
En comparacin de un BJT, un transistor MOSFET puede ser muy pequeo y su proceso de
manufactura es relativamente sencilla, las funciones de lgica digital se pueden ejecutar con
slo un MOSFET (no se necesitan diodos, ni resistores), por esta razn los circuitos integrados
a gran escala se hacen en base a la tecnologa MOS (metal xido semiconductor) y por la
misma razn son los ms estudiados.
MOSFET de enriquecimiento
El smbolo de un MOSFET de enriquecimiento de canal N es el siguiente:
El MOSFET de enriquecimiento es el tipo de FET ms utilizado. En la siguiente figura se

muestra la estructura de un MOSFET de enriquecimiento de canal N o transistor NMOS. El
transistor se fabrica en un sustrato tipo P, el cual es el apoyo de todo el dispositivo. En este
sustrato se agregan dos regiones tipo N fuertemente contaminadas, indicadas en la figura como
fuente y drenador. Se aade una delgada capa de dixido de silicio que es un excelente
aislador elctrico, crece en la superficie del sustrato P, cubriendo el rea de entre las regiones
de la fuente y el drenador. Se deposita metal en la parte superior de la capa de xido para
formar el electrodo de compuerta del dispositivo, de esta forma se tienen tres terminales:
compuerta (G), fuente (S) y drenador (D). A diferencia del BJT, el MOSFET est en general
construido como dispositivo simtrico, por lo que su fuente y drenador se pueden intercambiar
sin que haya cambio en las curvas caractersticas del dispositivo.
Operacin de un MOSFET sin voltaje aplicado en la compuerta
Sin voltaje aplicado se forman dos diodos conectados en oposicin (espalda con espalda) en
serie entre drenador y fuente. Uno de estos diodos est formado por la unin PN entre el
sustrato P y la fuente tipo N y el otro se forma por la unin PN entre el sustrato tipo P y la regin
tipo N del drenador. Estos diodos no permiten la conduccin cuando se aplica un voltaje V DS, de
hecho la trayectoria entre drenador y fuente tiene una resistencia muy elevada (del orden de
1012 ).
Creacin de un canal para circulacin de corriente
La creacin del canal para la circulacin de corriente se logra conectando la fuente y el

drenador a tierra y aplicando un voltaje positivo a la compuerta. El voltaje positivo en la
compuerta atrae a los electrones de las regiones N de la fuente y el drenador hacia la regin del
canal, cuando un nmero suficiente de electrones se acumula en la regin del canal se crea
una regin N que conecta a las regiones de la fuente y el drenador como se observa en la
siguiente figura. Si se aplicara un voltaje entre drenador y fuente circulara una corriente por
esta regin inducida, llevada por los electrones mviles. El valor de V GS en el cual un nmero
suficiente de electrones mviles se acumula en la regin del canal para formar un canal
conductor se llama voltaje de umbral y se denota como Vt (algunos autores lo denotan como
VT). Para un FET de canal N, Vt es positivo y por lo general estn entre 1 y 3V.
Al inducirse el canal, si se aplica un voltaje positivo V DS entre drenador y fuente (de

aproximadamente 0.1 o 0.2 V), este voltaje hace que circule una corriente I D por el canal N
inducido, la corriente se desplaza de la fuente al drenador, la magnitud de esta corriente
depender de la densidad de electrones en el canal, que a su vez depende de VGS,
especficamente para VGS = Vt, el canal es slo inducido y la corriente conducida es todava tan
pequea que resulta despreciable. A medida que VGS empieza a exceder a Vt, la resistencia del
canal disminuye (o su conductancia aumenta al atraerse ms electrones de la S y el D).
La conductancia del canal es proporcional al exceso de voltaje en la compuerta (V GS-Vt)
tambin conocido como voltaje eficaz. Se deduce que la corriente I D es proporcional a VGS-Vt y
desde luego el voltaje VDS que hace que circule ms ID.
En la siguiente grfica se ilustran las curvas de I D contra VDS para varios valores de VGS, se
observa que el MOSFET se comporta como resistencia lineal cuyo valor est controlado por
VGS, la resistencia es infinita para V GSVt y su valor decrece a medida que V GS excede de Vt.
Finalmente se tiene que la corriente de la fuente es igual a la del drenador y la corriente de
compuerta es IG=0.
A medida que VDS aumenta (manteniendo constante VGS a un valor mayor de Vt), este voltaje
aparece como cada de voltaje a lo largo del canal, entonces el voltaje entre la compuerta y los
puntos situados a lo largo del canal disminuye de V GS en el extremo de la fuente a VGS-VDS en el
extremo del drenador. Como la profundidad del canal depende de este voltaje, se observa que
el canal ya no tiene profundidad uniforme sino que tomar la forma de la siguiente figura.
A medida que VDS aumenta, la profundidad del canal en el extremo del drenador disminuye, si
VDS=VGS-Vt la profundidad del canal en el extremo del drenador disminuye a prcticamente cero
y se dice que el canal est estrangulado. Aumentar V DS a ms de este valor tiene poco efecto
(tericamente ninguno) en la forma del canal y la corriente que pasa por el canal permanece
constante al valor alcanzado para VDS = VGS-Vt. En la siguiente figura se visualiza el efecto de
VDS en la forma del canal.
La corriente de drenador se satura a este valor y se dice que el MOSFET ha entrado en la

regin de saturacin de operacin (observar que no significa lo mismo que un BJT est en
saturacin). El voltaje VDS al que ocurre la saturacin se denota como VDSsat
VDSsat = VGS-Vt
La curva ID contra VDS para las condiciones anteriores se muestra a continuacin.
En la primera parte de la curva se observa una lnea casi recta con pendiente
proporcional a VGS Vt.
En la segunda parte la curva se arquea porque la resistencia del canal aumenta con el
aumento de VDS.
En la tercera parte se observa una lnea recta horizontal, aqu la corriente se mantiene
constante (se dice que se satura) porque el canal se estrangula en el extremo del
drenador y aumentar VDS, tericamente ya no tiene efecto. En esta parte el MOSFET ha
entrado en la regin de saturacin.
Para cada valor de VGS Vt, existe un correspondiente valor de VDSsat, el MOSFET opera en la
regin de saturacin si VDSsat. La regin de la curva caracterstica en donde VDS < VDSsat se
denomina regin del triodo por los dispositivos de vaco cuya operacin es semejante a la de un
FET.
El MOSFET de enriquecimiento de canal P
El MOSFET de enriquecimiento de canal P o transistor PMOS se fabrica en un sustrato tipo N

con regiones P para el drenador y la fuente, ste tiene huecos como portadores de carga. El
dispositivo opera de la misma forma que un NMOS, excepto que V GS y VDS son negativos y el
voltaje de umbral Vt, tambin es negativo. Al igual que un NMOS la corriente sale de la fuente y
entra en la terminal del drenador.
La tecnologa PMOS fue muy dominante originalmente, pero como los dispositivos NMOS se
pueden hacer ms pequeos, operan con ms rapidez y adems requieren menores voltajes de
alimentacin que el PMOS; los NMOS prcticamente han sustituido a los PMOS. Sin embargo,
es importante conocer el transistor PMOS porque todava se utilizan para fabricar circuitos
discretos y lo que es ms importante, los transistores PMOS y NMOS se utilizan en circuitos
MOS o CMOS complementarios, de los cuales se hablar ms adelante.
El smbolo de un MOSFET de canal P de enriquecimiento es:
Para inducir un canal entre fuente y drenador en un MOSFET de canal P de enriquecimiento, se

debe aplicar un voltaje VGS Vt (recordar que Vt en un MOSFET de canal P es negativo). Para
hacer circular una corriente entre fuente y drenador se aplica un voltaje V DS negativo, para
operar en la regin del triodo se debe satisfacer V DS VGS Vt, es decir el voltaje del drenador
debe ser ms negativo que el voltaje de la compuerta en por lo menos |Vt|.
Para operar en saturacin, VDS debe satisfacer la relacin:
VDS VGS Vt
Esto es el voltaje del drenador debe ser menor que el voltaje de la compuerta + |Vt|.
El papel del sustrato en los transistores MOS
En muchas aplicaciones el sustrato est conectado al terminal de la fuente, lo que resulta en

que la unin PN entre el sustrato y el canal inducido tiene una polarizacin constante de cero
(en corte). En tal caso el sustrato no desempea papel alguno en la operacin del circuito y su
existencia se puede ignorar por completo.
Efectos de la temperatura en una transistor MOS
Vt es sensible a la temperatura. La magnitud de Vt decrece alrededor de 2mV por cada C de

calentamiento. Esta disminucin en |Vt| da lugar a un aumento correspondiente en corriente de
drenador a medida que la temperatura aumenta. Sin embargo, existe un parmetro llamado
transconductancia (relacin entre un voltaje de entrada, que produce una corriente de salida)
que decrece con la temperatura y su efecto es dominante, el efecto total observado de un
calentamiento es un decremento en la corriente de drenador, este resultado se aprovecha para
aplicar un MOSFET en circuitos de potencia.
Ruptura y proteccin de entrada de un transistor MOS
A medida que se aumenta el voltaje sobre el drenador, se alcanza un valor al que la unin PN
entre la regin del drenador y el sustrato sufre la ruptura de avalancha. Esta ruptura suele
ocurrir a voltajes de 50 a 100V y resulta en un rpido aumento en corriente.
Otro efecto de ruptura que ocurre a menores voltajes (alrededor de 20V) en dispositivos
modernos se denomina perforacin. Este efecto se presenta en dispositivos con canales
relativamente cortos cuando el voltaje de drenador se aumenta al punto que la corriente de
drenador aumenta con gran rapidez, normalmente la perforacin no resulta en dao
permanente al dispositivo.
Otra clase de ruptura es cuando el voltaje de compuerta a fuente excede de unos 50V. Esta es
la ruptura del xido de compuerta y resulta en un dao permanente al dispositivo. Aun cuando
50V es alto, una descarga esttica puede ocasionar que se exceda este voltaje de ruptura. Por
esto se debe manejar con mucho cuidado un dispositivo MOS, pues el slo hecho de tocarlos
puede provocar una descarga esttica que los dae irreversiblemente, para proteger un CI
MOS se debe manipular con pulseras antiestticas, las cuales deben aterrizarse. Tambin se
incluyen dispositivos de proteccin a la entrada de un circuito integrado MOS, los cuales
normalmente son diodos fijadores o sujetadores de nivel de voltaje que protegen de la
acumulacin de carga esttica en la compuerta de un MOSFET.
MOSFET de agotamiento
El smbolo de un MOSFET de agotamiento de canal N es el siguiente:
La estructura del MOSFET de agotamiento es semejante al de enriquecimiento, la diferencia es

que ste tiene un canal fsicamente implantado. As, un MOSFET de canal N del tipo de
agotamiento tiene una regin tipo N que conecta a la regin de la fuente y la del drenador en la
parte superior del sustrato tipo P. as, si se aplica un voltaje VDS entre drenador y fuente, la
corriente ID circula para VGS=0, no hay necesidad de incluir un canal a diferencia del MOSFET
de enriquecimiento.
La profundidad del canal y en consecuencia, su conductividad pueden ser controladas por V GS
en la misma forma que el MOSFET de enriquecimiento. Al aplicar un V GS positivo se enriquece
el canal al atraer ms electrones hacia s, pero tambin se puede aplicar un V GS negativo, lo
cual hace que los electrones sean repelidos del canal, ste se hace menos profundo y su
conductividad disminuye. Se dice que el VGS negativo vaca el canal de sus portadores de carga
y este modo de operacin se denomina modo de vaciamiento (o agotamiento). A medida que la
magnitud de VGS aumenta en la direccin negativa, se alcanza un valor en el cual el canal est
por completo vaco de portadores de carga e I D se reduce a cero aun cuando V DS todava se
puede aplicar. Este valor negativo de VGS es el voltaje de umbral del MOSFET de canal N del
tipo de agotamiento.
Lo anterior sugiere que un MOSFET del tipo de agotamiento se puede operar en el modo de
enriquecimiento al aplicar un VGS positivo y en el modo de agotamiento al aplicar un V GS
negativo. Las curvas caractersticas ID-VDS son semejantes a las del dispositivo de
enriquecimiento, excepto que Vt, en el dispositivo de canal N de agotamiento es negativo.
Curvas caractersticas de un MOSFET de agotamiento
Suponiendo que se tiene un MOSFET con un Vt = - 4V
Los transistores PMOS de agotamiento operan de forma similar a los NMOS de agotamiento,
excepto que las polaridades de todos los voltajes (incluyendo Vt) estn invertidas. Del mismo
modo, en un dispositivo de canal P, ID fluye de fuente a drenador.
El smbolo de un PMOS de agotamiento es el siguiente:
Como resumen en la siguiente figura se muestran las curvas caractersticas I D-VGS de los
MOSFET de enriquecimiento y agotamiento de ambas polaridades (operando en saturacin).
CMOS (MOS complementario)

Como su nombre lo indica, la tecnologa CMOS utiliza transistores MOS de ambas polaridades
(NMOS y PMOS), esta tecnologa permite disear potentes circuitos, en la actualidad la CMOS
es la ms til de todas las tecnologas de circuitos integrados. Esta expresin se aplica tanto a
circuitos anlogos como digitales.
En la siguiente figura se ilustra una seccin transversal de un chip CMOS
El transistor NMOS se construye directamente en el sustrato P y el PMOS se fabrica en una

regin N especialmente creada, conocida como pozo N; los dispositivos estn aislados entre s
por una gruesa regin de xido que funciona como aislador.

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Por lo tanto, hay 3 tipos de cargas en un material extrnseco:

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El nodo corresponde al material tipo P, el ctodo al material tipo N. La flecha apunta en la

CARACTERSTICAS FSICAS Y ELCTRICAS DEL DIODO

disminuye, debido a que por agitacin trmica la Eg disminuye. Si If se mantiene constante, la

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