Estructura Cristalina de Los Materiales

Ingeniera de Materiales
Unidad 2. Estructura de los materiales
Estructura cristalina de los materiales

Los materiales slidos podran ser clasificados de acuerdo a la uniformidad en la
que estn dispuestos sus tomos o iones uno respecto de otro. Un material
cristalino es aqul cuyos tomos estn dispuestos en arreglos repetitivos y
peridicos en distancias mayores a la escala atmica.
Los materiales cristalinos se encuentran formados por arreglos de tomos bien
definidos geomtricamente y presentan pequeas unidades de repeticin que
son llamadas celdas unitarias. La celda unitaria, como su nombre lo indica, es la
unidad mnima que, gracias a la suma de sus repeticiones, conforma la llamada
red cristalina. La estructura cristalina est conformada por una celda ms una
base. La celda es un prisma que puede adoptar varias formas y la base son los
tomos o conjunto de tomos que toman lugar dentro de la celda.
Celda
Base
Celda + base= Estructura cristalina
Figura 2.1 Estructura cristalina
Universidad Iberoamericana
Dr. Francisco Manuel Snchez Arvalo
Las celdas unitarias para la mayora de las estructuras cristalinas son

paraleleppedos o prismas que tienen tres conjuntos de caras paralelas. Estas
celdas se utilizan para representar la simetra de la estructura cristalina. Los
vrtices de los prismas representan los centros de los tomos que conforman la
celda. Vale la pena destacar que existe un gran nmero de estructuras cristalinas
que van desde las ms sencillas, pertenecientes a los metales, hasta las
complejas, que se encuentran presentes en los materiales cermicos y en los
polmeros. En este captulo slo se presentan las celdas unitarias correspondientes
a los metales; en las unidades subsecuentes se abordarn los temas
correspondientes a las estructuras cristalinas de los materiales cermicos y
polmeros.
Estructuras cristalinas en los metales
En los metales, las estructuras cristalinas presentes son de las ms sencillas, como
se mencion anteriormente. Las estructuras que ms comnmente se presentan
en algunos de los metales son del tipo cbico.
En el sistema cbico se tienen tres tipos de celdas, que son los siguientes:
Cbica simple: En esta estructura slo se presentan tomos en los vrtices del
cubo (nunca presente en metales. Este tipo de estructura es ms caracterstico de
los cermicos).
Cbica centrada en el cuerpo: En esta estructura se presentan los tomos en

cada uno de los vrtices de la estructura ms un tomo en el centro del cubo. En
ingeniera de materiales este tipo se celdas se abrevia como BCC (por sus siglas en
ingls body center cubic).
Cbica centrada en las caras: En este tipo de estructuras los tomos se localizan
en cada uno de los vrtices del cubo ms un tomo en cada una de las caras del
cubo. La abreviatura para esta celda es FCC (por sus siglas en ingls face center
cubic).
En la figura 2.2 se aprecia perfectamente la diferencia entre las celdas
pertenecientes al sistema cbico. En esta misma figura aparece la letra a, que
indica una acotacin de distancia en la celda cristalina. Esta distancia presente
entre tomos es llamada parmetro de red, que describe la forma y tamao de
la celda. El parmetro de red y la disposicin de los tomos juegan un papel muy
importante en el comportamiento y propiedades de los materiales.
Cbica simple (cermicos)
Cbica centrada en el cuerpo
Cbica centrada en el las caras (Cu, Al, Ag y Au)
Figura. 2.2 Celdas unitarias en el sistema cbico
El conocimiento de los principales parmetros e indicadores de la celda cristalina

permite calcular otras caractersticas importantes de los materiales, como la
densidad. Esta propiedad se estima mediante la expresin siguiente:
nA
VcN A
Donde
= Densidad
n= Nmero de tomos asociado a cada celda unitaria
A= Peso atmico
Vc= Volumen de la celda unitaria
NA= Es el nmero de Avogadro (6.023x1023 tomos/mol)
En este punto surgen varios conceptos importantes, como el nmero de tomos
por celda y volumen de la celda unitaria.
El nmero de tomos por celda unitaria (n) se estima de acuerdo al nmero de
tomos vecinos en una red cristalina. Los tomos localizados en las esquinas de la
red son compartidos con ocho celdas unitarias y toman el valor de 1/8; los tomos
que se encuentran en las caras slo son compartidos por dos celdas y toman el
valor de 1/2 y los tomos en el centro del cubo no se comparten con ninguna
otra celda y toman el valor de 1. Si se quiere determinar el nmero de tomos que
comparte una celda cbica simple tenemos lo siguiente:
La celda cbica simple tiene ocho esquinas que compartirn el mismo tomo
con ocho celdas unitarias, por lo tanto cada tomo por vrtice toma un valor de
1/8 de tomo. Entonces el nmero de tomos por celda unitaria se calcula de la

siguiente manera:
n=1/8*(8 tomos)= 1 tomo. Por lo tanto, el nmero de tomos en la celda cbica
simple es de 1 tomo/celda unitaria.
n=1/8*(8 tomos)= 1 tomo. Por lo tanto, el nmero de tomos en la celda

cbica simple es de 1.
1/8 de tomo
Figura 2.3 Nmero de tomos en una celda unitaria cbica simple
Otro parmetro ligado a la densidad es el volumen de las celdas unitarias (Vc).

ste, a su vez, est relacionado con el tipo de celda unitaria, el parmetro de red
y el radio atmico del elemento presente en la celda. En la figura 2.4 se muestra
el modelo de esferas rgidas para celda FCC. En esta figura tenemos representado
el parmetro de red (a) r el radio atmico R.
Figura tomada de
Callister 7 Ed.
Figura 2.4 Modelo de esferas rgidas para una celda unitaria FCC
Dado que se est trabajando con un cubo, el volumen de ste estara dado por
a3. Es decir, elevar al cubo el parmetro de red; sin embargo, el parmetro de red
est en funcin del radio atmico R. Por consiguiente, hay que determinar el
parmetro de red a en funcin de R.
El tringulo que se forma por los dos catetos del parmetro de red a y la
hipotenusa que es igual a 4R nos permite plantear la siguiente expresin utilizando
el teorema de Pitgoras (a2+b2=c2). Ponindolo en trminos de la celda, tenemos
lo siguiente:
a2+a2=(4R)2
Resolviendo para a
a 2R 2
La expresin anterior representa el parmetro de red de la celda FCC; por lo tanto,
si elevamos al cubo este parmetro tendremos su volumen.
Vc a 3 (2R 2 ) 3 8R 3 ( 2 ) 3 16R 3 2
Vc 16R 3 2
El acomodo o distribucin de los tomos en las celdas unitarias da paso a otros

dos conceptos importantes: el nmero de coordinacin y el factor de
empaquetamiento.
El nmero de coordinacin es el nmero de vecinos que tienen todos y cada uno
de los tomos presentes en la celda unitaria estudiada. Para la celda cbica
simple el nmero de coordinacin es 6, para la celda BCC es 8 y para las celdas
FCC y para la hexagonal compacta es 12.
El factor de empaquetamiento atmico (FEA) es la fraccin de espacio ocupada
por tomos, suponiendo que son esferas slidas. La expresin para determinar
dicho factor es la siguiente:
FEA
(# atomos / celda )(vol.cadaatomo )

Vc
Donde el volumen de cada tomo es calculado mediante el volumen de una

esfera 4R 3 . R representa el radio atmico del elemento.
Un factor de empaquetamiento grande le confiere a los metales mayor
desplazamiento entre planos cristalinos y por lo tanto mayor ductilidad.
Fuera del sistema cbico, pero no menos importante para los metales, tenemos a
la celda hexagonal compacta. Dentro de este tipo de celda tenemos ubicados
metales de mucha importancia, como son el Titanio (Ti), Magnesio, Cadmio y Zinc.
Esta celda se caracteriza por tener una base hexagonal. En cada arista del
hexgono y en el centro del mismo se localiza un tomo. Este arreglo se repite
para la tapa superior de un poliedro. En la parte central de ste se encuentran
tres tomos ms dispuestos en forma de tringulo, como se muestra en la figura
2.5.
Figura tomada de
Callister 7 Ed.
Figura 2.5 Celda unitaria hexagonal compacta
Sistema
Relaciones
axiales
ngulos
interaxiales
Geometra de la
celda unitaria
Nmero
redes
Cbico
Hexagonal
de
Tetragonal
Rombohdrico
(Trigonal)
Ortorrmbico
Monoclnico
Triclnico
Figura 2.6 Clasificacin general de las redes de Bravais
Figura adaptada de
Callister 7 Ed.
La clasificacin general de las estructuras cristalinas o redes de Bravais se

presenta en la figura 2.6. En dicha figura se observan los sistemas cristalinos y sus
principales caractersticas geomtricas. Los parmetros de red estn
comprendidos por las distancias y ngulos interaxiales. Las distancias se denotan
con letras del alfabeto latino y los ngulos con las del griego. Estas relaciones dan
lugar a la geometra de las celdas unitarias que se observa en la cuarta columna
de la figura 2.6. Resumiendo la informacin presentada (figura 2.6.) tenemos lo
siguiente: en tres dimensiones, slo hay 7 posibles celdas unitarias y por lo tanto 7
sistemas cristalinos. Los tomos pueden acomodarse de maneras distintas en estas
7 celdas unitarias, dando 14 posibilidades o redes, por lo que existen 14 grupos de
simetra puntual.
Planos y direcciones cristalinas
Para establecer un plano o una direccin cristalina en una celda unitaria, primero
hay que ubicar ciertos puntos en la red cristalina y establecer un sistema de
referencia en trminos de las coordenadas atmicas (x,y,z) de tal manera que el
sistema coordenado coincida con las aristas de la celda, como se muestra en la
figura 2.7. Cada coordenada es una fraccin de la longitud axial representada
por a, b y c en la direccin de los ejes x, y y z, respectivamente. El origen de la
celda se encuentra representado por la letra O.
8
Figura tomada de
Callister 7 Ed.
Figura 2.7 Ubicacin del sistema de referencia

Convenientemente se ha establecido que para designar las direcciones y planos
cristalogrficos se utilicen tres nmeros enteros. Los valores de stos se determinan
basndose en el sistema de referencia previamente establecido.
Direcciones cristalogrficas
Una direccin cristalogrfica est dada por un vector que va desde el origen a
un punto con coordenadas x,y,z ubicado dentro de la red o de la celda unitaria.
Para determinar la direccin cristalogrfica hay que seguir los siguientes pasos.
1. Trazar un vector con la longitud apropiada desde el origen del sistema de
referencia hasta el punto en cuestin con coordenadas (x,y,z). Hay que
recordar que este vector se puede trasladar si se mantiene la condicin de
paralelismo.
2. Determinar la longitud del vector proyeccin en cada uno de los ejes en
trminos de las dimensiones del la celda unitaria a,b y c. En otras palabras,
calcular la resta de las coordenadas del punto final menos el punto inicial
que definen al vector trazado. El resultado son tres nmeros que pueden
ser enteros o fracciones.
3. Estos tres nmeros son reducidos al multiplicarlos o dividirlos por un factor
comn de tal manera que quedan reducidos al nmero entero ms
pequeo.
4. Los tres nmeros enteros obtenidos se encierran entre corchetes y no van
separados por comas [uvw], obteniendo as la direccin cristalogrfica.
Ejemplo (Ver los videos Direccion_cristalografica.mov y plano_cristalino.mov)

Planos cristalinos
Un plano cristalino es la superficie plana formada por la interseccin de tres
coordenadas cristalinas localizadas en la celda unitaria. Para dar la orientacin
del plano es necesario seguir el procedimiento que se describe a continuacin:
1. Identifique los puntos en los cuales el plano interseca los ejes de
coordenadas (x,y,z) en funcin del nmero de parmetros de red a, b y c.
Si el plano pasa a travs del origen, el origen del sistema de coordenadas
deber moverse.
2. Tome los recprocos de estas intersecciones.
3. Elimine las fracciones, pero no reduzca a los mnimos enteros.
4. Encierre los nmeros resultantes entre parntesis. Los nmeros negativos se
representan con una barra encima de ellos. Cabe mencionar que los
nmeros obtenidos no van separados por comas.
Al representar los nmeros enteros dentro del parntesis se dice que se obtuvieron
los ndices de Miller que corresponden a dicho plano. Los ndices de Miller a
menudo se representan en la literatura con las letras (hkl).
Con los conceptos de direcciones y planos cristalogrficos surgen dos nuevos

trminos: la densidad atmica lineal y la densidad atmica en el plano.
Densidad atmica lineal (pendiente)
La densidad atmica lnea (DAL) es el cociente del nmero de tomos centrados
en el vector direccin entre la longitud del vector direccin. La densidad atmica
lineal entonces puede ser determinada por la siguiente expresin:
DAL
# Atomosconcentroenelv ectordirec cin

longitudde lvectordir eccin
Densidad atmica en un plano

La densidad atmica en el plano (DAP) es el nmero de tomos por unidad de
superficie cuyo centro esta sobre el plano. Se puede representar por la siguiente
expresin:
DAP
10
# Atomosporcara
AreadelaCa ra
Ejemplo (Clculo de la densidad lineal y planar)

Distancia entre planos y la Ley de Bragg
La disposicin de los tomos en las celdas unitarias contiene simetra respecto a
algunos ejes. La simetra presente en las estructuras cristalinas nos permite ubicar
planos cristalinos como se vio anteriormente. Es lgico pensar que entre planos
cristalinos bien definidos existir una distancia (d). La distancia entre planos
cristalinos estar en funcin del parmetro de red de la estructura cristalina en
estudio y de los ndices de Miller (hkl) para dicho plano. La siguiente expresin nos
permite encontrar la distancia entre planos.
d ( hkl )
a
h2 k 2 l 2
Donde
a es el parmetro de red de la celda unitaria
(hkl) son los ndices de Miller para el plano cristalogrfico estudiado
De la expresin anterior es claro que, si podemos medir la distancia entre planos
entonces podremos determinar el parmetro de red. Para medir la distancia entre
planos se recurre a una tcnica experimental llamada difraccin de rayos X. El
aparato que hace posible esta medicin se llama difractmetro y su funcin es
determinar de manera experimental dnde se cumple la ley de Bragg cuando un

slido cristalino es radiado.
Ley de Bragg
Segn esta ley, si el haz de rayos X incide contra un conjunto de planos cristalinos
con un ngulo arbitrario, generalmente no habra un haz difractado. El fenmeno
de difraccin no ocurre debido a que los rayos reflejados por los planos del cristal
deben viajar diferentes distancias y tenderan a estar fuera de fase y cancelarse
entre s. Sin embargo, a un ngulo especfico conocido como ngulo de Bragg
(), los rayos difractados estaran en fase debido a que la distancia que recorren
sera un nmero entero de las longitudes de onda ().
Planos (hkl)
11
Ley de Bragg
Difractograma indexado
La ley de Bragg se expresa mediante la siguiente relacin:
n 2d( hkl) Sin

Donde:
n= es el orden de la reflexin (generalmente n=1)
= longitud de onda con la que el material es radiado
d(hkl)= Distancia entre planos
= es el ngulo de difraccin
El resultado que se obtiene del cumplimiento de la ley de Bragg es un
difractograma. En l se representa la intensidad con la que los rayos X son
difractados por el material respecto a un ngulo de difraccin 2 .
Con esta informacin se pueden hacer dos cosas. La primera es identificar o
indexar cada uno de los picos del difractograma; es decir, identificar en qu
planos est ocurriendo la difraccin. Y la segunda es determinar el parmetro de
red una vez que se conoce los ndices de Miller del plano, el ngulo de difraccin
y la distancia entre planos. Cabe sealar que el difractograma mostrado es
representativo para materiales policristalinos.
El conjunto de celdas unitarias en el material da origen a cristales o granos. stos
se encuentran formados por un conjunto de celdas unitarias que presenta la
misma orientacin cristalogrfica. Cuando dicha orientacin cambia, entonces
surge un nuevo cristal o grano; por lo tanto, podemos definir a los monocristales y
policristales.
Sin duda, ahora debemos recordar la clasificacin de los materiales segn su
cristalinidad: cristalinos y de los no cristalino o amorfos. Un material cristalino es
aqul en el cual su estructura se encuentra perfectamente ordenada en arreglos
simtricos y repetitivos como los son las celdas unitarias. Por otro lado, un material
amorfo es aquel material que no presenta estructura cristalina y por lo tanto no
existe orden ni simetra en su disposicin atmica.
Silicio
Oxgeno
12
a)
b)
Figura tomada de
Callister 7 Ed.
Figura 2.8 Estructura del xido de silicio a) Estructura cristalina b) Estructura

amorfa
Monocristal
Un monocristal tiene lugar cuando la disposicin atmica de un slido cristalino es
perfecta; es decir, sin interrupciones ni irregularidades a lo largo de toda la
muestra y sobre todo el conjunto de celdas unitarias que forman el cristal
presentan la misma orientacin o direccin.
Policristales
La mayora de los slidos cristalinos pertenecen a esta categora. En este caso los
policristales, como su nombre lo indica, estn formados por varios cristales o
granos. Los granos tienen la caracterstica de encontrarse perfectamente
delimitados por el cambio de orientaciones entre uno y otro grano. A esa
delimitacin se le conoce como lmite de grano.
Anisotropa
El trmino anisotropa se refiere a la variacin de las propiedades (mecnicas,
elctricas, pticas, magnticas, etc.) en funcin de la direccin en la que son
medidas. Los materiales en s son anisotrpicos por naturaleza, ya que si medimos
alguna de las propiedades arriba mencionadas a travs de dos direcciones
cristalogrficas no equivalentes (por ejemplo en la [111] y la [100]) de una celda
BCC, la respuesta del material no es igual en ambas direcciones. El motivo es la
interaccin (fuerzas de atraccin y repulsin) de los tomos involucrados en

dichas direcciones. ste es el caso ms sencillo de anisotropa; sin embargo,
recordemos que los materiales estn formados por varios cristales o granos que
van a presentar distintas orientaciones cristalinas. Al tener esa variacin de
orientaciones, las propiedades del slido cristalino no tendrn los mismos valores
al ser medidas en direcciones diferentes.
[111]
[100]
Figura adaptada de
Callister 7 Ed.
Figura.2.9 Anisotropa de los materiales cristalinos

Imperfecciones en los slidos
13
Los defectos cristalinos o imperfecciones en los slidos

son las fallas o
interrupciones en la disposicin del acomodo atmico de los slidos. En otras
palabras, la red cristalina se ve afectada por defectos de tipo puntual, lnea o
rea. A continuacin se describir cada uno de los tipos de defectos.
Tipos de imperfecciones
Vacancia de tomos
Atomos intersticiales
Atomos sustitucionales
Defectos puntuales
Dislocaciones
Defectos de lnea
Fronteras de grano
Defectos de rea
Dentro de los defectos puntuales tenemos a las vacancias, los intersticios y los
defectos sustitucionales.
Vacancia
Este defecto puntual se refiere a la ausencia de un tomo en la red; por lo tanto,
existe una vacante en ese sitio donde se esperaba la presencia de un tomo con
las mismas caractersticas de los tomos vecinos.
Nv Ne(
Qv
)
kT
Donde Nv= el nmero de equilibrio de las vacancias

N es el nmero total de sitios atmicos
Qv es la energa requerida para la formacin de vacancias
T es la temperatura en grados Kelvin
k es la constante del Boltzmann 1.38x10-23 J/atomo-K o 8.62x10-5 eV/atomo-K
Para determinar el nmero total de sitios atmicos tenemos
N A
A
Donde NA es el numero de Avogadro, A el peso atmico y la
densidad.
Intersticio
Este defecto ocurre cuando en la red cristalina aparece un tomo extra en la red.
Ese tomo puede modificar sustancialmente la posicin de sus vecinos en la red.
Sustitucin
El defecto sustitucional ocurre, como su nombre lo indica, cuando un tomo en el
arreglo cristalino es remplazado por un tomo perteneciente a otro elemento.
14
Figura 2.10 Defectos puntuales
Dentro de los defectos de lnea tenemos clasificadas a las dislocaciones.
Principalmente podemos hablar de tres tipos de dislocaciones. Las de borde, las
de tornillo y las mixtas. En breve describiremos las principales caractersticas de
estas dislocaciones.
Dislocaciones de borde
La dislocacin de borde ocurre cuando un conjunto de tomos es dispuesto en
forma de cua respecto al resto de la red. Esto causa la deformacin a lo largo
de una lnea.
Dislocaciones de tornillo
Las dislocaciones de tornillo surgen cuando la red cristalina sufre un pequeo
desplazamiento entre planos en una direccin determinada. Este pequeo
desplazamiento da lugar a un borde sobresaliente de la red ocasionando una
imperfeccin a lo largo de una lnea.
Dislocaciones mixtas
Como su nombre lo indica, las dislocaciones mixtas son aqullas donde podemos
localizar, en la misma red, las dislocaciones de borde y de tornillo. En algunas
ocasiones, las podemos apreciar de forma independiente y en otras podemos
apreciarlas de manera combinada.
Dislocacin
de tornillo
Vector de Burgers
Dislocacin
de borde
Deslizamiento
de planos
Vista lateral
con apariencia
de la cuerda de
un tornillo
(a)
15
(b)
Dislocacin
de tornillo
Dislocacin
de borde
Figura 2.11 Tipos de dislocaciones
Figura adaptada de
Callister 7 Ed.
(c)
Los defectos de superficie o tambin llamados interfaciales se forman por el
cambio de orientacin cristalina; es decir, son los lmites de grano, macla, fase
que separan a dos o ms regiones del material con diferente estructura cristalina
u orientacin cristalogrfica. La clasificacin de estos defectos se presenta de la
manera siguiente:
Superficies externas
Lmites de grano
Defectos
superficiales
Lmites de macla
Defectos de apilamiento
Lmites de fase
Superficies externas
Los defectos de superficie externa son los ms evidentes y se localizan en la
superficie del material. Aqu los tomos superficiales no estn enlazados con el
mximo nmero de tomos vecinos.
Lmites de grano
Este defecto se localiza, como su nombre lo indica, en los lmites de grano. Este
defecto rompe la uniformidad de la orientacin cristalogrfica del conjunto de
celdas unitarias y beneficia la difusividad, reactividad qumica.
16
Lmites de macla
Una macla es un defecto cristalino superficial que se caracteriza por presentar
estructuras cristalinas con simetra tipo espejo. El plano que divide a ese conjunto
de celdas simtricas es llamado plano de la macla o lmite de macla.
Defectos de apilamiento
Los defectos de apilamiento se observan en el acomodo atmico en la formacin
de estructuras ms complejas. Si la secuencia de apilamiento cambia, entonces
surge un defecto de apilamiento.
Lmites de fase
Los defectos de fase ocurren cuando un material est conformado por ms de
una fase. Si se da un cambio abrupto en la distribucin de las fases en el material,
entonces se origina un lmite de fase.
Lmite de grano
Lmite de fase
17
Figura 2.12 Defectos cristalinos superficiales

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