EMISOR AUTOPOLARIZADO

Jonny Pieros Castaeda

U1802280@unimilitar.edu.co
Ingeniera Mecatrnica, Universidad Militar Nueva Granada
Bogot, Colombia

Abstract -.this lab is making an

assembly
of
a
standar
configurationof an amplifier with an
NPN transistor that is particular case
is the 2n2222, to check operation and
make measurements of currents and
voltages are ordered by mesh
equations found.
I.

RESUMEN

En este laboratorio se toma un montaje

de una configuracin estndar de un
amplificador con un transistor NPN que
para en este caso en particular es el
2N2222,
para
comprobar
su
funcionamiento y hacer las mediciones
de corrientes y voltajes pedidas
halladas mediantes ecuaciones de
malla.
II.

Emisor: est fuertemente dopada casi

con propiedades de un metal y como su
nombre lo indica se comporta como un
emisor de portadores de carga.
Base: es la regin ms estrecha y
separa al emisor del colector.
Colector: es la regin ms grande ya
que es donde llega la carga
transportada desde el emisor.
Transistor NPN:

MARCO TEORICO
Fig. 1. Diagrama de terminales transistor NPN

EL TRANSISTOR:
El transistor de unin bipolar es un
elemento electrnico que consiste en
dos uniones de pastillas PN muy
cercanas entre ellas entre las cuales se
controla el paso de corriente entre sus
terminales.
Del transistor se resaltan sus tres
terminales que son nombradas:

Emisor autopolarizado:
Este montaje se de realimentacin por
emisor se relaciona con la idea que los
cambios que ocurren en una seal de
entrada del montaje que se causan por

la seal de salida de el mismo circuito.

En este montaje en concreto los
cambios que se somete la corriente de
colector provocan cambios en la
corriente de base.

Fig-2.montaje emisor autopolarizado

Montaje seleccionado:
Los elementos que se usaron en el
desarrollo de la prctica fueron tomados
de un archivo pdf en internet.
Documento en lnea independiente, sin
autor,
sin
fecha
publicacin,
polarizacin del transistor extrado 26
de enero de 2015 desde
https://electronicavm.files.wordpress.co
m/2011/02/polarizacicc3b3n-deltransistor.pdf
III.

ELEMENTOS Y EQUIPOS
Protoboard.
Resistencias 68K, 220,22.
Transistor NPN.
Condensadores 10F 25v, 47F
35v

Fuente protek DC regulated PL3003T.

Osciloscopio
tektronix
TDS
2012B.
Generador de seales Gw inste
AFG-2225.

Simulaciones:

Ecuaciones de mallas:
Vb=Vc+Vcb
Fig-3. Primer montaje con Ci(Condensador entrada)

Vbt=Vbe+Ve
Vct=Vce+Ve

Vo=Vc+Vce+Ve

La corriente en las resistencias est

relacionada por:
Ie=Ib+Ic

De donde se sabe que Ib es una

corriente muy pequea.
Fig-4 toma de seales con osciloscopio

Y la seal
100(mVpp).

de

entrada

Vi=10khz

Fig-5 segundo montaje sin Ci(Condensador entrada)

Fig-8 toma de seales con osciloscopio

IV.

Fig-6 toma de seales con osciloscopio 2do montaje

PROBLEMAS

Para el montaje tomado del libro se

usaban 20V para alimentar el circuito
pero al montarlo y probarlo la
resistencia de colector se calentaba por
este motivo se usaron 10V para
comprobar las ecuaciones de malla

BIBLIOGRAFIA

Fig-7. Tercer montaje con Ci(Condensador entrada) y

Ce(condensador emisor a tierra)

[1] Boylestad,Nashelsky.Electronica:
teora de circuitos y dispositivos
electrnicos, Mexico(2009),Pearson
Education.

[2] Malvino, Principios de electrnica,

Espaa(2000),McGraw Hill.
[3] Documento en lnea independiente,
sin autor, sin fecha publicacin,
polarizacin del transistor extrado 26
de enero de 2015 desde
https://electronicavm.files.wordpress.co
m/2011/02/polarizacicc3b3n-deltransistor.pdf