Juan Luis Gonzles Prez A01206765 IMT

Marco A. Garca Morales A01207171 ISD

Electrnica

CUESTIONARIO Materiales Semiconductores

1. Defina con sus propias palabras a los materiales Conductores, Aislantes y

Semiconductores, en funcin del flujo de corriente elctrica que permiten.

Conductores: Materiales cuyas caractersticas elctricas permiten, con baja

resistencia, el paso de la corriente elctrica a travs de sus terminales.

Aislantes: Materiales cuyas caractersticas elctricas no permiten el paso de

la corriente elctrica a travs de sus terminales.

Semiconductores: Materiales cuyas caractersticas elctricas no permiten

fcilmente el paso de la corriente elctrica a travs de sus terminales.

2. Defina la resistividad y la ecuacin matemtica que permite determinarla.

Proporcione valores de resistividad de Conductores, Aislantes y
Semiconductores tpicos.
Resistividad: Propiedad fsica de los dispositivos electrnicos para comparar sus
niveles de resistencia al flujo elctrico.

Conductor : =106 cm(cobre)

Semiconductor : =50 cm ( germanio )

=50 3 cm(silicio)
12
Aislante : =10 cm(mica)

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3. De acuerdo al Modelo de Bohr del Silicio y del Germanio, qu tienen en

comn ambos elementos?
Ambos tienen en su ltima orbita cuatro electrones, conocidos como
electrones de valencia.
4. A qu se debe que el Germanio tenga una resistividad menor que el Silicio?
El germanio tiene ms niveles de energa y como se puede observar en el
modelo atmico de Bohr, los electrones de valencia estn ms alejados del
ncleo por lo cual se requiere menos energa para hacer que dichos
electrones pasen de la banda de valencia a la banda de conduccin.
5. Qu es un material semiconductor intrnseco?
Son semiconductores que han sido refinados hasta lograr reducir las
impurezas a un nivel muy bajo.
6. Cuales son las razones por las que se usa el Silicio y el Germanio en la
fabricacin de dispositivos semiconductores.

Pueden ser fabricados con un alto nivel de pureza

Sus caractersticas elctricas pueden cambiar significativamente

sometindolos al proceso de dopado y a travs de la aplicacin de
calor o luz.

7. Explique con sus propias palabras a qu se debe que el Silicio y el Germanio

tengan un Coeficiente de Temperatura Negativo.
Coeficiente de Temperatura Negativo: Al someter los semiconductores a
un aumento de la temperatura, aumenta el nmero de electrones libres. Por
lo tanto al contar un nmero mayor de electrones en movimiento, es posible
que presenten una resistividad menor al flujo de la corriente elctrica
conforme aumenta la temperatura.
8. Cmo interpreta el dato de energa en eV (electrn-volt) proporcionado en el
apunte para Aislante, Semiconductores y Conductores. Por qu esta energa es
menor en semiconductores que en aislantes.
La energa necesaria para que al aplicar voltaje a un material, sus electrones
de valencia pasen a la banda de conduccin. Y debido a que un

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semiconductor opone menor resistencia al flujo de corriente es lgico que

sea necesaria una cantidad de energa menor para que sus electrones de
valencia pasen a la banda de conduccin que la necesaria en un material
aislante.
9. Defina material extrnseco. Qu tipos de materiales extrnsecos hay.
Es aquel material semiconductor que es sometido a dopaje, es decir,
introducir impurezas al material. Existen dos tipos:
Tipo N
Tipo P
10. Explique como se crea un material tipo N. Cuales son los portadores
mayoritarios en este tipo de material. A que se debe que tambin se tengan
portadores minoritarios.
El material tipo N se crea al introducir tomos impuros que poseen 5
electores de valencia (tomos donadores) como el antimonio, arsnico y
fosforo. Los portadores mayoritarios son electrones y tambin cuentan con
portadores minoritarios debido a que el proceso de dopado agrega impurezas
las cuales aportan en menor cantidad huecos.
11. Explique como se crea un material tipo P. Cuales son los portadores
mayoritarios en este tipo de material.
Se crea introduciendo tomos impuros trivalentes como el boro o galio. Los
portadores mayoritarios son los huecos.
12. Defina con sus propias palabras la Corriente de Arrastre. El sentido
convencional de corriente en un semiconductor corresponde al movimiento de
huecos o de electrones?
Es la corriente que se obtiene en el semiconductor al aplicar un campo
elctrico, debido al cual los electrones libres y los huecos se mueven en
sentidos opuestos, dando como resultado una corriente, donde el sentido
convencional de corriente en un semiconductor corresponde al movimiento
de huecos.
13. Identifique cada una de las variables que aparecen en la ecuacin de Densidad
de Corriente de Arrastre Total.

J drifttotal q (n n p p ) E

J drifttotal

=Densidad de corriente de arrastre total

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q = Carga del electrn (1.6x10^-19 Coulombs)

n = Densidad de electrones
n = Constante de movilidad del electrn

p
= Constante de movilidad del hueco
p = Densidad de huecos

E = Campo elctrico aplicado

14. Defina con sus propias palabras la Corriente de Difusin.
El efecto de difusin se produce cuando la concentracin de portadores no es
uniforme a lo largo del semiconductor. Debido a este fenmeno se provoca
un movimiento de carga a travs de la superficie y por lo tanto una corriente
de difusin.
15. Identifique cada una de las variables que aparecen en la ecuacin de Densidad
de Corriente de Difusin Total.
Jdiff-total = Densidad de corriente de difusin total
q = Carga del electrn (1.6x10^-9 Coulombs)
Dn = Constante de difusin de huecos
Dp = Constante de difusin de electrones
16. Identifique cada una de las variables que definen la Relacin de Einsten.
D n D p kT
= = =V T
n p
q
k = constante de Boltzman = 1.38x10-23 joules/K
T = temperatura absoluta en K = 273+C
VT = voltaje trmico = 25 mV a 20C
D n = difusin de movilidad material tipo n

n = movilidad material tipo n

D p = difusin de movilidad material tipo n

p = movilidad material tipo n

q=carga del electrn(1.6 x 1019 Coulombs)

17. Para qu condiciones de operacin el Voltaje Trmico VT = 25 mV
Cuando la temperatura de operacin es de 20 Celsius.