Zenn Trujillo Rodrigo.

Electrnica Analgica.

Tarea # 1
SEMICONDUCTORES TIPO N Y TIPO P.
Cuando al dopar introducimos tomos con tres electrones de valencia en un elemento de
tomos con cuatro estamos formando un semiconductor tipo P, viniendo su nombre del
exceso de carga aparentemente positiva (porque los tomos siguen siendo neutros,
debido a que tienen igual nmero de electrones que de protones) que tienen estos
elementos. Estos tomos "extraos" que hemos aadido se recombinan con el resto pero
nos queda un hueco libre que produce atraccin sobre los electrones que circulan por
nuestro elemento. Tambin se produce una circulacin de estos huecos colaborando en
la corriente.
Sin embargo, si los tomos aadidos tienen cinco electrones en su ltima capa el
semiconductor sedenomina de tipo N, por ser potencialmente ms negativo que uno sin
dopar. En este tipo de materiales tenemos un quinto electrn que no se recombina con
los dems y que, por tanto, est libre y vaga por el elemento produciendo corriente. Para
hacerse una idea de las cantidades que entran en juego en esto del dopaje se podra decir
que se introduce un tomo extrao por cada doscientos millones de tomos del
semiconductor.
Hasta ahora hemos descrito la corriente elctrica como el paso de electrones de un lado
a otro pero ha llegado el momento de aumentar este concepto. Como hemos visto la
aparicin de un hueco produce el movimiento de un electrn hacia l dejando de nuevo
un hueco al que ir otro electrn. Este movimiento puede verse desde dos puntos de
vista. El primero es el del electrn movindose de derecha a izquierda, el segundo sera
el del hueco desplazndose de izquierda a derecha. Pues bien, no es correcto ni uno ni
otro, sino los dos a la vez. Hay que pensar que tan importante es un movimiento como
el otro, y que la corriente elctrica hemos de concebirla como la suma de los dos. Como
veremos, en unos casos ser ms importante, cuantitativamente hablando, la corriente
creada por el movimiento de los electrones y, sin embargo, en otros lo ser la creada por
los huecos. Se ha adoptado por convenio que la corriente elctrica lleva el sentido de los
huecos, es decir, cuando seguimos el sentido de los electrones la corriente es negativa y
positiva en caso contrario.
Debemos dividir a los semiconductores en dos grupos: intrnsecos y extrnsecos. Los
semiconductores extrnsecos son aquellos a los que se les ha dopado de alguna forma,
produciendo as un semiconductor tipo P o del tipo N. Y los intrnsecos son los que no
han sufrido ninguna clase de dopaje
Puesto que el paso de electrones a travs de cualquier material siempre produce calor
nos va a ser imposible separar los efectos producidos por el dopaje y el aumento de
temperatura en un semiconductor; as que ambos efectos se suman y la circulacin de
electrones y huecos va a ser mayor.
Portadores mayoritarios y minoritarios
No est completa nuestra explicacin sin comentar brevemente lo que se conoce con el
nombre de portadores mayoritarios y minoritarios.
Cuando existe corriente dentro de un material hemos visto que es debida a electrones
movindose hacia un lado y a huecos desplazndose en sentido contrario. Pero las

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cantidades de unos y otros no tienen por qu ser iguales ni parecidas, esto depende del
material por el que circule la corriente. Llamamos portadores mayoritarios a quien
contribuya al paso de la corriente en mayor medida y, obviamente, los minoritarios
sern aquellos que lo hagan en menor medida.
Si tenemos un material tipo N por el que circula corriente, los portadores mayoritarios
sern los electrones que le sobran por el dopaje junto con los electrones que saltan
debido al calor y los portadores minoritarios sern los huecos producidos al marcharse
los electrones de su sitio. Por el contrario, en un semiconductor tipo P los portadores
mayoritarios sern los huecos que tiene en exceso por el dopaje ms los huecos que se
producen por efecto del calor, mientras que los portadores minoritarios sern los
electrones que han saltado de su sitio.
Unin P-N
Llegados a este punto, cualquiera con un poco de curiosidad se habr hecho la siguiente
pregunta: Qu ocurrira si se juntase un trozo de material tipo P con un trozo de
material tipo N? Pues bien, esta pregunta ya se la hizo alguien hace unos cuantos aos y
dio origen a lo que hoy da se conoce como unin P-N.
De nuevo, como electrnicos que somos, solamente nos interesa algo muy concreto de
esta unin, lo cual no es otra cosa que su comportamiento de cara al paso de corriente
elctrica.
Supongamos, primeramente, que hemos unido por las buenas un trozo de material tipo P
con uno tipo N; Qu ocurre?, pues que los electrones que le sobran al material tipo N
se acomodan en los huecos que le sobran al material tipo P. Pero, ojo!, no todos los de
un bando se pasan al otro, solamente lo hacen los que estn medianamente cerca de la
frontera que los separa. A esto se le llama recombinacin
Y Por qu solo unos pocos? Pues porque el hecho de que se vayan los electrones con
los huecos es debido a la atraccin mutua que existe entre ellos ya que poseen cargas
opuestas; sin embargo, una vez que se han pasado cierta cantidad de electrones al otro
bando comienza a haber una concentracin de electrones mayor de lo normal, lo que
provoca que estos empiecen a repelerse entre ellos. Por tanto, se llega a un equilibrio al
haberse ido los suficientes electrones para apaciguar la atraccin hueco-electrn inicial
pero no tantos como para llegar a repelerse entre ellos.
Una vez alcanzado este equilibrio se dice que se ha creado una barrera de potencial. Una
barrera de potencial es simplemente una oposicin a que sigan pasando los electrones y
huecos de un lado a otro. Esta situacin permanecer inalterable mientras no hagamos
nada externo para modificarla, es decir, compensar el efecto de esa barrera de potencial
con otro potencial aportado por nosotros, por ejemplo, conectndolo a una batera.
3.3 Polarizacin directa e inversa
Existen dos formas de conectar una batera a una unin P-N. Primero conectar el borne
positivo de la batera con el material tipo P y el borne negativo con el material tipo N y
la otra conectar el borne positivo con el material tipo N y el borne negativo con el tipo
P. A la primera de ellas se la denomina polarizacin directa y a la segunda polarizacin
inversa. Veamos qu ocurre en cada una de ellas. Al polarizar directamente una unin P-

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N el polo negativo de la batera est inyectando electrones al material N, mientras que el
polo positivo recibe electrones del lado P crendose as una corriente elctrica. Con esta
batera hemos conseguido vencer el obstculo que se haba creado debido a la barrera de
potencial existente entre ambos materiales. De nuevo los electrones y los huecos pueden
pasar libremente a travs de la frontera.
Sin embargo, al polarizar inversamente una unin P-N no se crea una corriente en
sentido opuesto sino que, curiosamente, no hay corriente alguna. Esto es por que los
huecos libres del tipo P se recombinan con los electrones que proceden del polo
negativo de la batera, y los electrones libres del tipo N son absorbidos por sta,
alejndose tanto huecos como electrones de la unin, en vez de vencer nuestra barrera
de potencial sta se ha hecho ms grande y no existe corriente; aunque, para ser exactos,
s existe una corriente y esta es la producida por los portadores minoritarios, pero es
demasiado pequea e inapreciable.