Laboratorio de celdas solares

Determinacin de la longitud de difusin de portadores minoritarios en

una celda solar.
Nicols Marn Miriam Marmara, Carrizales Velzquez Carlos
Escuela Superior de Fsica y Matemticas IPN
Departamento de Fsica, Ciencia de los materiales, Mxico D.F.
E-mail: marcbrim22_92@hotmail.com, goblink_logan@hotmail.com

Resumen En este trabajo presentamos las mediciones realizadas

para determinar la longitud de difusin, como veremos existen dos
formas de determinarla.

Abstract In this paper we present measurements made to

determine

I. INTRODUCCIN
A. Portadores de carga
Los semiconductores pueden doparse para incrementar su
conductividad y generar propiedades interesantes como las
responsables del funcionamiento de las clulas solares.
Cuando se dopa un semiconductor con un material que
contiene un electrn de valencia ms por tomo que el
material original, se tiene un semiconductor tipo n. El
tomo intruso se une mediante enlaces covalentes a sus
vecinos, dejando el electrn sobrante libre en la banda de
conduccin. En un semiconductor tipo n, por tanto, hay una
gran cantidad de electrones como portadores de carga, y por
eso a estos se les denomina portadores de carga
mayoritarios. Por el contrario, si la impureza es de un
material que contenga un electrn menos en la banda de
valencia del material, se introducen huecos adicionales en la
banda de valencia del semiconductor, que permiten tambin
la conduccin de carga elctrica. En este caso tendremos un
semiconductor tipo p y los portadores de carga
mayoritarios sern los huecos. [1]
B. Unin p-n
La unin p-n se genera poniendo en contacto un
semiconductor tipo n con un semiconductor tipo p. En el
semiconductor tipo n, hay una gran cantidad de electrones
libres en la banda de conduccin, y unos iones positivos del
tomo dopante que se introdujo en el material, que estn
fijos en la red. En el semiconductor tipo p, por el contrario,
tenemos una gran cantidad de huecos libres en la banda de
valencia, y unos iones negativos fijos en la red, del material
utilizado como dopante. Al poner ambos materiales en
contacto, los electrones se mueven de la zona n a la zona p,
donde la concentracin de electrones es mucho menor, por

difusin. Del mismo modo los huecos se difunden a la zona

n. La difusin mueve los portadores de carga mayoritarios al
lado opuesto de la unin.
Este movimiento genera un desequilibrio de cargas en
ambos lados del material. En la zona n, al haber menos
electrones, hay un exceso de carga positiva, producida por
los iones positivos de la impureza. En la zona p, hay un
exceso de carga negativa. Esto produce un campo elctrico
interno, en la zona de la unin, que atrae los electrones de
vuelta a la zona n, y los huecos de vuelta a la zona p. Esta
corriente se denomina de arrastre, y lo que hace es
transportar a travs de la unin los portadores de carga
minoritarios que se acercan a la misma. Este mecanismo es
opuesto a la difusin, por lo que al alcanzar el equilibrio
deja de haber un movimiento neto de cargas entre las dos
zonas de la unin. Adems, la zona de la unin donde se
produce el campo elctrico se vaca de portadores de carga.
Por tanto, en equilibrio (ausencia de iluminacin y de
voltajes externos), no hay movimiento neto de carga, pues la
corriente de difusin iguala a la corriente de arrastre
generada por el campo elctrico. Cuando cesa la accin
externa, por ejemplo que la radiacin solar deja de incidir
sobre el semiconductor, todos los pares electrn-hueco fuera
del equilibrio se recombinarn.

C. Recombinacin de portadores
Hay dos regiones en donde ocurre dicha recombinacin, la
primera, en el volumen interno del cristal, caracterizado por
una estructura de red cristalina regular y peridica en donde
estn unidos los tomos, junto con un pequeo porcentaje de
receptores (y, o donadores), y un pequeo nmero de
defectos, que son irregularidades en la periodicidad del
cristal. La otra regin en la cual ocurre la recombinacin es
la superficie del cristal, caracterizado por el abrupto trmino
de la estructura cristalina del semiconductor y la presencia
de tomos forneos sobre la superficie, en una regin de
alrededor de 20 a 100 amstrongs de grueso.
La recombinacin en la superficie depende tambin de
factores que no dependen del cristal, por ejemplo en una
tpica celda solar de silicio, se produce una oxidacin en la
superficie provocando (SiO2), las cargas de las impurezas

Laboratorio de celdas solares

son atrapadas en este xido Esta recombinacin es explicada
por la teora de Shockley-Read-Hall de recombinacin de
huecos y electrones dentro de un semiconductor. La
recombinacin ocurre en niveles defectuosos de la banda
prohibida o bangap, es decir desde la banda de valencia
hasta la banda de conduccin, debido a la energa que
produce un fotn (recombinacin radiactiva), o de un
portador energtico de carga (recombinacin de taladro).

D. Tiempo de vida
El tiempo que se encuentran los pares electrn-hueco fuera
del equilibrio antes de recombinarse se denomina tiempo de
vida, n o p, en dependencia si est asociado a electrones o
huecos respectivamente.
El tiempo de vida del portador minoritario es menor que el
tiempo de vida del portador mayoritario y es el que
condiciona el proceso de recombinacin. Unido al tiempo de
vida de los portadores minoritarios, se define otro parmetro
relacionado, la longitud de difusin (LD) de los portadores y
es la distancia que recorre el portador en exceso fuera de
equilibrio antes de recombinarse.
En la construccin de celdas solares es de gran importancia
que el tiempo de vida sea lo ms alto posible, para preservar
la generacin ptica de pares electrn-hueco. En
semiconductores tales como el germanio y el silicio es
mucho mayor que en otros 18 materiales.

(LD) de los portadores y es la distancia que recorre el

portador en exceso fuera de equilibrio antes de
recombinarse.
La longitud de difusin se expresa como:
LD

1
2

KT

(1)

Siendo la movilidad de los portadores

La corriente de cortocircuito se expresa como:

J q 1 R

Ln

Ln

(2)

Donde R es la reflectancia de la celda, el coeficiente de

absorcin, la intensidad de la luz incidente y Ln la longitud
de difusin de los portadores minoritarios.
La ecuacin anterior puede ser escrita como:

const. Ln

(3)

Ms adelante se explicara como obtenemos esta relacin.

Para la regin activa de una celda solar, la fotocorriente es
generada por esta regin en la regin de longitudes de ondas
largas y s, adems, como es usual, la longitud de difusin
Ln es menor que el espesor de la regin activa, el
rendimiento cuntico interno () se reduce a:

QE( )

Ln
Ln 1

(4)

La relacin (4) usualmente se escribe en la forma:

Ln 1
1

QE( )
Ln

(5)

II. METODOLOGA
E. Longitud de difusin.
Unido al tiempo de vida de los portadores minoritarios, se
define otro parmetro relacionado, la longitud de difusin

La determinacin de la longitud de onda lo podemos hacer

de dos maneras, una manteniendo la corriente constante y
otra con la ayuda de la eficiencia cuntica que ya se calcula
en una prctica anterior.

Laboratorio de celdas solares

Mtodo 2

En este mtodo se mantiene J constante al variar la longitud

de onda, variando la intensidad de la luz incidente.
Primero se mide la corriente de cortocircuito de la celda en
funcin de la longitud de onda de la luz incidente sobre la
misma, en la regin infrarroja del espectro de RE de la
celda ya que es el que corresponde a la parte activa de la
celda. Luego se vara la longitud de onda manteniendo la
corriente constante variando la abertura de salida del
monocromador. Para los mismos valores de la longitud de
onda y de la abertura de salida del monocromador, se
calcula la intensidad de la radiacin incidente mediante
una celda calibrada. Se grafica la intensidad luminosa en
funcin de -1 obteniendo los valores de alfa para cada
lamba, segn sea el tipo de celda. De esta manera tenemos
una relacin como la (3) con la cual encontramos Ln
interceptando.

1.

CdTe

De la prctica anterior se obtuvo un grafica de la eficiencia

cuntica como sigue.

1.0

0.8

Normalized Y1

A. Mtodo 1

0.6

0.4

0.2

0.0

300

Para el CdTe el coeficiente de absorcin puede expresare

como:

400

500

600

700

800

900

1000

1100

1200

Longitud de onda (nm)

Como ya se dijo se toma los datos de la bajada y

( ) -2.63893 *108 954386.4832 - 1147.69682calculamos
0.4590el
3inverso de la eficiencia y el a cada longitud
de onda, se grafica y se obtiene:
Y para el CIGS es:
2.0
Equation

y =a +

Intercep 0.865

0.01747

Slope

0.05326

0.9972
( ) -3.77507 *106 + 64317.26994 - 146.27004 2 + 0.15048 Adj.3 R-Squ
- 6.14915
* 10-5 4
Value Standard E

1.8

1.6

1/QE

Pero este mtodo es un poco tedioso por estar manteniendo

la corriente constante variando la abertura del
monocromador. As que solo trabajaremos con el segundo
mtodo, aunque era importante mencionarlo.

1.745

1.4

1.2

A. Mtodo 2
Otro mtodo de determinar Ln es mediante la eficiencia
cuntica que se determin en la prctica anterior.
Para este mtodo tomaremos la grafica de la eficiencia
cuntica pero nicamente los valores donde comienza a
descender la eficiencia ya que es la parte que nos interesa de
la celda, calcularemos el inverso de la eficiencia y lo
graficaremos contra el inverso del coeficiente de absorcin
utilizando las ecuaciones que presentamos antes para cada
longitud de onda.
Se puede observar que tendremos una relacin como la
ecuacin (5) por lo tanto la pendiente de la grafica
correspondera al inverso de la longitud de difusin.

III. RESULTADOS

1.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

1/a (micras)

De esta menra con ayuda de la pendiente encontramos un

valor ara la longitud de difusin Ln de :
Ln = 0.57 m
2.

CIGS

La grafica de la eficiencia para este material es:

Laboratorio de celdas solares

[2]
[3]
1.0

Normalized Y1

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

300

400

500

600

700

800

900

1000

1100

1200

Longitud de onda (nm)

Al igual que el caso anterior tomamos los valores donde la

eficiencia disminuye, calculamos el inverso de la eficiencia
y el coeficiente de absorcin con la formula correspondiente
a este material. Se obtiene la siguiente grafica:

Equation y = a +
Adj. R-Sq 0.9606

Value

Standard

Interce -5.235

1.11272

Slope

2.06167

17.756

1/QE

0.40

0.45

0.50

0.55

0.60

0.65

0.70

1/a (micras)

Con ayuda del valor de la pendiente calculamos la longitud

de de difusin, se tiene que:
Ln = 0.05 m

IV. CONCLUSIONES
REFERENCIAS
[1]

Snchez-Friera, P. (2011, July 28). Unidad 1. La clula solar.

Retrieved January 10, 2015, from UNIA Open Course Ware Web site:
http://ocw.unia.es/ciencias-tecnologicas/tecnologia-de-celulas-ymodulos-fotovoltaicos/Materiales/ud1/unidad-1.-la-celula-solar

http://web.ing.puc.cl/power/paperspdf/pereda.pdf
http://www.el.uma.es/marin/DE_tema2_semiconductores.pdf