Diodo tnel

Carlos Alberto Cardona Osorio

Samuel Eduardo Toro Gmez
Universidad Autnoma de Occidente
Carlos.Cardona-94@hotmail.com
samtoro9408@gmail.com

Abstract En el presente informe, se realiz el anlisis del diodo

tnel, con el propsito de estudiar sus caractersticas,
funcionamiento, aplicaciones en la vida real, comportamiento de su
curva caractersticas con el fin de desarrollar conceptos claros sobre
estos y poder diferenciarlos de otros diodos y saberlos usar para el
montaje de circuitos elctricos.

INTRODUCCIN
El diodo es el ms simple de los dispositivos
semiconductores
debido
a
que
tiene
caractersticas que le permiten comportarse en
condiciones ideales con un interruptor. Los
diodos tienen un sinnmero de caractersticas y
aplicaciones. En 1958, el fsico japons Leo
Esaki, descubri que los diodos semiconductores
obtenidos con un grado de contaminacin del
material bsico mucho ms elevado que lo
habitual exhiben una caracterstica tensincorriente muy particular. Este comportamiento
particular de los diodos muy contaminados se
debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel.

DESCRIPCIN DEL DIODO TNEL

El Diodo tnel es un diodo semiconductor que
tiene una unin pn, en la cual se produce el
efecto tnel que da origen a una conductancia
diferencial negativa en un cierto intervalo de la
caracterstica
corriente-tensin.
Una
caracterstica importante del diodo tneles su
resistencia negativa en un determinado intervalo
de voltajes de polarizacin directa. Cuando la
resistencia es negativa, la corriente disminuye al
aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo
tnel puede funcionar como amplificador o como

oscilador. Esencialmente, este diodo es un

dispositivo de baja potencia para aplicaciones
que involucran microondas y que estn
relativamente libres de los efectos de la
radiacin.
Si durante su construccin a un diodo invertido
se le aumenta el nivel de dopado, se puede lograr
que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los
0V. Los diodos construidos de esta manera, se
conocen como diodos tnel. Estos dispositivos
presentan una caracterstica de resistencia
negativa; esto es, si aumenta la tensin aplicada
en los terminales del dispositivo, se produce una
disminucin de la corriente (por lo menos en una
buena parte de la curva caracterstica del diodo).
Este fenmeno de resistencia negativa es til
para aplicaciones en circuitos de alta frecuencia
como los osciladores, los cuales pueden generar
una seal sinodal a partir de la energa que
entrega la fuente de alimentacin. Estos diodos
tienen la cualidad de pasar entre los niveles de
corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de
estado de conduccin al de no conduccin
incluso ms rpido que los diodos Schottky. El
diodo Tnel se comporta de una manera muy
interesante conforme se le va aumentando una
tensin aplicada en sentido directo.

-Efecto tnel
El efecto tnel es un fenmeno nanoscpico por
el que una partcula viola los principios de la
mecnica clsica penetrando una barrera
potencial o impedancia mayor que la energa
cintica de la propia partcula. Una forma
sencilla de explicarlo es la siguiente:

Hablando desde el punto de vista de la mecnica

clsica una partcula no puede atravesar la
barrera de potencial porque no tiene suficiente
energa para hacerlo. Sin embargo si se aplica los
conceptos de la mecnica cuntica existe la
posibilidad de que partculas atraviesen la barrera
ya que se tiene un comportamiento dual partcula
onda y eso se conoce como efecto de
tunelamiento. La mecnica cuntica es el
modelo adecuado para describir la mecnica de
partculas muy pequeas como los electrones.

- Composicin fsica

Fig. 2 Curva caracteristica del diodo tnel

- Funcionamiento elctrico del diodo tnel

- Cuando V=0, no se produce corriente.

Fig. 1 Composicin fsica del diodo tnel.

- Curvas caractersticas
Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo
tnel empieza a conducir (hay flujo de
corriente). Si se sigue aumentando esta tensin la
corriente aumentar hasta llegar un punto
despus del cual la corriente disminuye. La
corriente continuar disminuyendo hasta llegar al
punto mnimo de un "valle" y despus volver a
incrementarse. esta ocasin la corriente
continuar aumentando conforme aumenta la
tensin, este nuevo crecimiento de la corriente es
al principio lento, pero luego se hace cada vez
ms rpido hasta llegar a destruir el diodo si no
se lo limita de alguna manera [Figura 1].

- Si se aplica una pequea polarizacin en directo

la barrera de potencial es muy alta, sin embargo
algunos de los electrones de la banda de
conduccin N pasaran por el efecto tnel a la
banda de valencia de la regin P, se creara una
corriente de polarizacin tnel. Hasta llegar a un
nivel mximo de corriente (punto pico) que
ocurre cuando los electrones de la banda de
conduccin N llenan todos los huecos de la
banda de valencia P.
- Al aumentar mas la tensin, el numero de
electrones que pasan de N a P empieza a
disminuir por incremento de la barrera de
potencial de nuevo, es as que se da una
disminucin en la corriente y se esta en la regin
de resistencia negativa hasta llegar a un punto
valle en la curva.
- Al superar el punto valle se incrementando la
tensin y el diodo tnel adquiere el
comportamiento
tpico
de
un
diodo
convencional.

- Simbolos del diodo tnel: En la Figura 3 se ve

el smbolo mas comn para denotar el diodo nel
en un circuito electrico, mientras que en la
Figura 4 se ven otras formas de representar este
diodo.

- Ecuaciones

I =I tunel + I diodo+ I exceso

Fig. 3 Smbolo representativo del diodo tnel.

Corriente total

del diodo

v p

(
v
v
I tunel = p e
Ro

Fig. 4 Otros simbolos del diodo tnel.

Corriente de

tunelamiento

CONCLUSIONES
- Caractersticas tcnicas de un diodo tnel
Los diodos tienen ciertas caracteristicas tcnicas
que son las que ayudan al usuario a guiarse
respecto a los valores de tensin y de corriente
sobre los que se debe trabajar el diodo [Figura 2].

Los diodos son una de gran importancia en los

avances en la tecnolgicos, por lo cual, la
investigacin de nuevos usos, comportamientos,
propiedades fsicas, materiales de fabricacin
entre otras, se convierte en un tema de vital
importancia para el desarrollo de nuevas
tecnologas que mejoren la calidad de los
dispositivos electrnicos, circuitos integrados y
su funcionamiento. Con este trabajo se notaron
varias cualidades de los diodos tnel que vale la
pena destacar, como:
-Poseen velocidades de respuesta superior a la de
los diodos Schottky.
-Su uso principalmente se da en los osciladores,
detectores y amplificadores operacionales,
debido a su veloz tiempo de respuesta.

Fig. 5

Caractersticas tcnicas de un diodo tnel de

Germanio.

-Corriente de fuga alta cuando se conecta en

inversa
-Despus de un tiempo, el diodo tnel se
empieza a comportar como un diodo ordinario.

- Aplicaciones del diodo tnel

Este tipo de diodo no se puede utilizar como
rectificador debido a que tiene una corriente de
fuga muy grande cuando estn polarizados en
reversa. As estos diodos slo encuentran
aplicaciones reducidas como en circuitos
osciladores de alta frecuencia, detectores y
amplificadores.

REFERENCIAS
[1] A. P. Malvino Principios de electrnica, 6ta ed,
Editorial McGraw Hill.
[2] R. L. Boylestad, L. Nashlesky Electrnica:
Teora de circuitos y dispositivos electrnicos, 8va
ed, Editorial Pearson.

[3] R. L. Boylestad, L. Nashlesky Electrnica:

Teora de circuitos y dispositivos electrnicos, 4ta ed,
Editorial Pearson.

the American Physical Society 1985 International Prize for

New Materials for his pioneering work in artificial
semiconductor superlattices, the IEEE Medal of Honor in
1991 for contributions to and leadership in tunneling,

Leo Esaki was born in Osaka, Japan in 1925. Esaki

completed work for a B.S. in Physics in 1947 and received
his Ph.D in 1959, both from the University of Tokyo. Esaki is
an IBM Fellow and has been engaged in semiconductor
research at the IBM Thomas J. Watson Research Center,
Yorktown Heights, New York, since 1960. Prior to joining
IBM, he worked at the Sony Corp. where his research on
heavily-doped Ge and Si resulted in the discovery of the
Esaki tunnel diode; this device constitutes the first quantum
electron device. Since 1969, Esaki has, with his colleagues,
pioneered "designed semiconductor quantum structures" such
as man-made superlattices, exploring a new quantum regime
in

the

frontier

of

semiconductor

physics.

The Nobel Prize in Physics (1973) was awarded in

recognition of his pioneering work on electron tunneling in
solids. Other awards include the Nishina Memorial Award
(1959), the Asahi Press Award (1960), the Toyo Rayon
Foundation Award for the Promotion of Science and
Technology (1960), the Morris N. Liebmann Memorial Prize
from IRE (1961), the Stuart Ballantine Medal from the
Franklin Institute (1961), the Japan Academy Award (1965),
the Order of Culture from the Japanese Government (1974),

semiconductor superlattices, and quantum wells. Dr. Esaki

holds honorary degrees from Doshisha School, Japan, the
Universidad Politecnica de Madrid, Spain, the University of
Montpellier, France, Kwansei Gakuin University, Japan and
the University of Athens, Greece. Dr. Esaki is a Director of
IBM-Japan, Ltd., on the Governing Board of the IBM-Tokyo
Research Laboratory, a Director of the Yamada Science
Foundation and the Science and Technology Foundation of
Japan. He serves on numerous international scientific
advisory boards and committees, and is an Adjunct Professor
of Waseda University, Japan. Currently he is a Guest
Editorial writer for the Yomiuri Press. Dr. Esaki was elected a
Fellow of the American Academy of Arts and Sciences in
May 1974, a member of the Japan Academy on November
12, 1975, a Foreign Associate of the National Academy of
Engineering (USA) on
April

1, 1977, a member of

the

Max-PlanckGesellschaft on March

17,

1989, and a foreign

member

of

the

American Philosophical
Society in April of 1991.