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DIODO SEMICONDUTOR

Princpios Bsicos

Anlise de Circuitos

Bibliografia: Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos

Autores: Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky

Objetivos

Entender o princpio bsico de funcionamento do


diodo Semicondutor.
Conhecer os modelos do diodo e distinguir a sua
aplicao na anlise de circuitos.

Interpretar o funcionamento de circuitos que utilizam


o diodo semicondutor em aplicaes de circuitos
eletrnicos a partir da anlise de circuitos eltricos.

Diodo Semicondutor- 2

Introduo

O diodo semicondutor possui dois terminais e


construdo a partir de materiais semicondutores
como o Silcio e o Germnio.
O diodo semicondutor um elemento de circuito
ativo. Isto : O comportamento do diodo depende da
maneira como o mesmo est ligado e de sua
interao com outros componentes do circuito que
definiro a sua regio de operao.
O diodo ideal uma chave que possui a capacidade
de conduzir corrente em um nico sentido.
Diodo Semicondutor- 3

O smbolo do diodo composto por uma seta que


aponta para o sentido da corrente quando o mesmo
est diretamente polarizado. Uma barra na ponta da
seta indica que o diodo ideal no conduz no sentido
de polarizao reversa.

Diodo diretamente polarizado

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Sob polarizao direta, o diodo ideal uma chave


fechada.

ID=(V-VD)/R
VD=0

Sob polarizao reversa o diodo ideal uma chave


aberta.

ID=0
VD=V
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O Diodo por dentro


Por dentro do Diodo

O Silcio o principal elemento utilizado na construo de dispositivos


semicondutores seguido pelo Germnio. Ambos formam estruturas
cristalinas cujos tomos so tetravalentes, possuindo quatro eltrons
na camada de valncia.
A conduo no semicondutor analisada pelo modelo de bandas de
energia. O calor e a luz fornecem energia suficiente para que alguns
eltrons saiam da banda de valncia do semicondutor para se tornarem
portadores na banda de conduo.
Um material do tipo N formado pela introduo de impurezas
pentavalentes no semicondutor. Estas impurezas fornecem portadores
majoritrios negativos ou eltrons para a banda de conduo.
Um material do tipo P formado pela introduo de impurezas
trivalentes no semicondutor. A esta impureza est associada uma
carncia de eltrons, resultando em portadores majoritrios
positivos ou lacunas na banda de conduo.
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O diodo semicondutor formado pela simples unio de um material do


tipo p com um material do tipo n, construdos a partir da mesma base,
Ge ou Si.
Na ausncia de tenso de polarizao o fluxo de carga zero.

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Sob condies de polarizao reversa ocorre uma ampliao da regio


de depleo reduzindo o fluxo de portadores majoritrios a zero. O
fluxo resultante o de portadores minoritrios que se mantm
constante.
A corrente resultante sob condies de polarizao reversa chamada
de corrente de saturao reversa Is. Esta corrente, formada por portadores
minoritrios se mantm constante para altos valores de VD at uma regio
prxima ruptura do diodo.

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Sob condies de polarizao direta ocorre uma reduo da regio de


depleo resultando em um intenso fluxo de portadores majoritrios na
juno. O fluxo resultante de portadores minoritrios se mantm
constante.
Um diodo semicondutor polarizado diretamente quando
estabelecido um potencial positivo no material do tipo p e um potencial
negativo no material do tipo n.

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Comparao dos diodos semicondutores de Si e Ge.

A maior parte dos diodos construda para trabalhar na regio de


polarizao direta, no primeiro quadrante do grfico.

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Para uma polarizao reversa suficientemente grande, potencial zener,


ocorrer uma mudana brusca na curva do diodo. As colises de
portadores devido sua acelerao produz ionizao e gerao de
novos portadores, ruptura por avalanche.

Alguns diodos so projetados para operar sob polarizao reversa no


terceiro quadrante do grfico, regio zener.
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Folha de dados
Caractersticas Eltricas de um diodo de alta tenso e de baixas correntes de fuga.

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Tempo de recuperao reversa trr


Aplicaes em alta frequncia

O chaveamento do estado ligado para o estado desligado no ocorre


instantaneamente com a inverso da polaridade na tenso da fonte.

CT - Capacitncia de transio.

CD - Capacitncia de difuso ou acumulao.

ts - tempo de armazenamento.

tt

trr = ts + tt

- intervalo de transio.

(tempo de recuperao reversa)

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APROXIMAES PARA O DIODO


Circuito Equivalente Linear por Partes

- E+

Onde rav a resistncia mdia na aproximao

Em muitos circuitos, a resistncia em srie com o diodo grande o


suficiente para tornar rav desprezvel. Uma anlise mais simplificada pode
ser mais til para o estudo do comportamento do circuito.

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APROXIMAES PARA O DIODO


Circuito Equivalente Simplificado ( E >VT, R >> rav )

VT=0,7V para o diodo de Si e VT=0,3V para o diodo de Ge.

- E+

Circuito Equivalente Ideal ( E >>VT, R >> rav )

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Anlise de Circuitos
com Diodos

O modelo de circuito adequado selecionado de


acordo com a polarizao do diodo no circuito
original.
Um circuito equivalente aproximado construdo
para cada condio de operao identificada.
O circuito resultante para a regio de operao
analisado utilizando as Leis de Kirchhoff.

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Aplicaes em corrente
contnua
Determinao de VD e ID na configurao em srie do diodo.

Polarizao direta

Polarizao reversa

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Configurao srie em polarizao direta

Figs 2.12 2.14


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Configurao srie em polarizao reversa

ESTUDAR
EXEMPLO
2.6

Figs 2.15 2.17


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EXEMPLO 2.6

Determine VD, VR e ID

VERIFIAR EXEMPLO 2.7

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EXEMPLO 2.8

Determine VD, IR e ID

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EXEMPLO 2.9

Determine V0 e ID

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EXEMPLO 2.10

Determine ID, VD2 e V0

Diodo Semicondutor- 24

EXEMPLO 2.11

Determine I, V1, V2 e V0

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EXEMPLO 2.12

Determine V0, I1, VD1 E VD2

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EXEMPLO 2.13

Determine a corrente I

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EXEMPLO 2.14

Determine a tenso V0

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EXEMPLO 2.15 Determine as correntes I1, I2, e ID

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