Dopaje (semiconductores)

En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional

de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin
referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las
impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los
semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como un
conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.
El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las
capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequea. Cuando se
agregan un pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada
100.000.000 de tomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando
se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000 tomos) entonces
se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la
nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.
Tipos de materiales dopantes[editar]
Tipo N[editar]
Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la
aparicin de electrones sin huecos asociados a los mismos semiconductores. Los
tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones.
Suelen ser de valencia cinco, como el Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no se
ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al
semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a diferencia de los
tomos que conforman la estructura original, por lo que la energa necesaria para
separarlo del tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura en el
cristal de silicio (o del semiconductor original). Finalmente, existirn ms
electrones que huecos, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y
los ltimos los minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios ser funcin
directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el
caso del Fsforo, se dona un electrn.

Dopaje de tipo N
Tipo P[editar]
Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin
de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al
romperse una ligadura. Los tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que
"aceptan" o toman un electrn. Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el
Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido es neutro, por lo que no
modificar la neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres
electrones en su ltima capa de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender
a tomar electrones de los tomos prximos, generando finalmente ms huecos
que electrones, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los
segundos los minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de
portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de
impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso
del boro le falta un electrn y, por tanto, es donado un hueco de electrn.

Dopaje de tipo P
Dopaje en conductores orgnicos[editar]
Artculo principal: Polmero conductor

Los polmeros conductores pueden ser dopados al agregar reactivos qumicos que
oxiden (o algunas veces reduzcan) el sistema, para ceder electrones a las rbitas
conductoras dentro de un sistema potencialmente conductor.
Existen dos formas principales de dopar un polmero conductor, ambas mediante
un proceso de reduccin-oxidacin. En el primer mtodo, dopado qumico, se
expone un polmero, como la melanina (tpicamente una pelcula delgada), a un
oxidante (tpicamente yodo o bromo) o a un agente reductor (tpicamente se
utilizan metales alcalinos, aunque esta exposicin es bastante menos comn). El
segundo mtodo es el dopaje electroqumico, en la cual un electrodo de trabajo,
revestido con un polmero, es suspendido en una solucin electroltica, en la cual
el polmero es insoluble, junto al electrodo opuesto, separados ambos. Se crea
una diferencia de potencial elctrico entre los electrodos, la cual hace que una
carga (y su correspondiente ion del electrolito) entren en el polmero en la forma
de electrones agregados (dopaje tipo N) o salgan del polmero (dopaje tipo P),
segn la polarizacin utilizada.
La razn por la cual el dopaje tipo N es mucho menos comn es que la atmsfera
de la tierra, la cual es rica en oxgeno, crea un ambiente oxidante. Un polmero
tipo N rico en electrones reaccionara inmediatamente con el oxgeno ambiental y
se desdopara (o reoxidara) nuevamente el polmero, volviendo a su estado
natural

Clasificacin y configuracin electrnica.

Capas electrnicas de los tomos
Al movernos hacia abajo en una familia en la tabla peridica cambiamos la energa
de los electrones de valencia del tomo. O lo que es lo mismo cambiamos el
nmero cuntico principal n de los electrones de valencia
Hemos dicho que todos los orbitales que tienen el mismo nmero cuntico n
en un tomo constituyen una capa.
Cmo es la descripcin cuntica de las distribuciones de probabilidad para
todos los electrones de un tomo? Veamos las de los tres primeros gases nobles:
He

1s2

Ne

1s2 2s2 2p6

Ar

1s2 2s2 2p6 3s2 3p6

Figura 0: Distribucin radial de la densidad electrnica

Esta distribucin puede calcularse usando los programas adecuados y el resultado

es una distribucin esfricamente simtrica a la que se le llama densidad
electrnica radial. Al analizar cada uno de los ejemplos anteriores vemos que:
El Helio tiene una sola capa
El Nen tiene dos capas
El Argn tiene tres capas
El nmero de capas coincide con el nmero cuntico n que tienen los electrones
ms externos (es decir los de valencia)
En el He los electrones 1s tienen la mxima probabilidad a 0.3 del ncleo
En el Ne los electrones 1s tienen un mximo de probabilidad alrededor de los
0.08 , y los electrones 2s y 2p se combinan para generar otro mximo
alrededor de 0.35 (la capa n = 2)

En el Ar los electrones 1s tienen un mximo alrededor de los 0.02 , los

electrones 2s y 2p se combinan para dar un mximo alrededor de los 0.18 y los
electrones 3s y 3p se combinan para dar un mximo cerca de los 0.7
Por que la capa 1s en el Argn est mucho ms cerca del ncleo que la capa 1s
en el Nen y por que esta est mucho ms cerca que la capa 1s del helio?
La carga nuclear (Z) del He = 2+, del Ne = 10+ y del Ar = 18+
Los electrones ms internos (capa 1s) no estn apantallados por otros
electrones, por tanto la atraccin del ncleo es mayor conforme sea mayor el
nmero de protones.
De la misma manera, la capa n = 2 del Ar est ms cerca al ncleo que la
capa n = 2 del Ne. La Zeff para la sub-capa 2s del Ne ser (10-2) = 8+, y para el Ar
ser (18-2) = 16+. Entonces, los electrones de la sub-capa 2s en el Ar estarn
ms cerca del ncleo debido a la mayor carga nuclear efectiva.
Capas electrnicas y clasificacin
Una manera muy til de clasificar a los elementos es la que emplea a los
electrones distinguibles, es decir los que cambian de elemento a elemento (claro,
los de valencia.)
As podemos clasificar a los elementos como:

Representativos

e- de valencia s o p

Gases nobles

e- de valencia s y p llenos

Transicin

e- de valencia d

Transicin interna

e- de valencia f

Figura 28: Clasificacin de los elementos

Figura 29: Clasificacin y configuracin electrnica

Figura 30: La tabla peridica y los subniveles

Los orbitales

Cada nivel (capa) tiene sub-niveles.

En cada sub-nivel hay orbitales
Y en cada orbital caben nicamente 2 electrones.

Sub-nivel

N de orbitales

N mximo de e-

10

14

Y Cmo son los orbitales?

Figura 31: Los orbitales s

Los orbitales s son esfricos y hay al menos uno en cada nivel

Figura 32:Los orbitales p

De estos hay 3 en cada nivel excepto en el primero, parecen cacahuates y se
apellidan px, py y pz

Figura 33: Los orbitales d

Son ms complicados, hay 5 en cada nivel excepto en el 1 y 2 y tienen apellidos
compuestos: dz2, d (x2- y2), dxy, dyz y dxz.

Figura 34; Los orbitales f

Finalmente los orbitales f, todava son ms complicados, hay 7 en cada nivel

excepto en los tres primeros y tienen apellidos ms complicados
Y Cmo estn en el tomo?

Figura 35: Todos los orbitales del nivel n=2

Figura 36: Todos los orbitales del nivel n=3

El principio de Aufbau (construccin)

Los electrones ocupan los orbitales de adentro para afuera,
Esto es, 1 el nivel 1 despus el 2 etc., y 1 el s, despus el p y etc.
Los electrones prefieren no compartir el mismo orbital a menos que no haya
de otra.
Hay 4 excepciones:

Al llenar el 4s antes que el 3d

Al llenarse el 5s antes que el 4d
Al llenar 5d1 antes que 4f
Al llenarse el 6d1 antes que el 6f

Figura 37: Llenado de los tomos, tendencia general

Dispositivos de proteccin contra sobrecorriente

por: toborino
Sobrecorriente
Es cualquier corriente elctrica en exceso del valor nominal indicado en el dispositivo de
proteccin, en el equipo elctrico o en la capacidad de conduccin de corriente de un
conductor. La sobrecorriente puede ser causada por una sobrecarga, un cortocircuito o una
falla a tierra.
La sobrecorriente eleva la temperatura de operacin en los diferentes
elementos de la instalacin elctrica donde se esta presenta.
Dispositivos de proteccin contra sobrecorriente

Fusible

Su elemento fusible se abre cuando circula por el una corriente de mayor capacidad que su
valor nominal. El tiempo de respuesta depende de la cantidad de corriente en exceso que
circula por este dispositivo.
Interruptor Termomagntico

Su elemento trmico abre (dispara) el interruptor cuando circula una corriente de mayor
capacidad que su valor nominal. El tiempo de respuesta depende de la cantidad de corriente
en exceso que circula por este dispositivo.

Relevadores de proteccin
Son utilizados en conjunto con otros dispositivos, por ser de uso industrial no se detallan
aqu
Sobrecarga
La sobrecarga se presenta al utilizar equipo elctrico que consume mas corriente que el
valor indicado en el dispositivo de proteccin.
Otra causa comn de sobrecarga se presenta cuando la flecha del motor (la parte que gira)
se atasca por algn motivo existe demasiada friccin en su movimiento.

El Interruptor de Circuito por Falla a Tierra (ICFT)

Es un dispositivo de accin electrnica, diseado para la proteccin de personas,
desenergiza un circuito o parte del mismo, cuando una corriente elctrica a tierra excede un
valor predeterminado, normalmente muy pequeo, 4 mA (4 milsimas de Ampere)
magnitud que es mucho menor al necesario para que el dispositivo de proteccin contra
sobrecorriente desconecte del circuito de alimentacin.
Conclusin
El objetivo de la proteccin contra sobrecorriente, es la desconexin de energa en la
seccin de la instalacin donde se presenta la sobrecorriente, para evitar peligro por
sobretemperatura o arqueo elctrico.