Historia de los semiconductores

La historia de los semiconductores se remonta a los tiempos de Faraday

(1833) y Becquerel (1839). Faraday descubre que el sulfato de plata tiene
un coeficiente de temperatura negativo y Becquerel estudia las propiedades
de algunos electrolitos. Ambrose Fleming (1905), en la bsqueda de un
detector de seales elctricas, desarrolla el diodo de vaco, el primer
dispositivo electrnico (vlvula) conocido. Casi simultneamente, Gertel y
Elstel (1905) toman como base el efecto fotoelctrico y producen la primera
clula fotoelctrica, la cual no ser utilizada con fines comerciales hasta
1920, cuando da comienzo la investigacin del cine sonoro y de la
televisin. Poco despus, Lee de Foret (1907) inventa el triodo. Este
dispositivo, aparte de detectar seales elctricas, es ya capaz de amplificar
seales (surge aadiendo un tercer electrodo a la vlvula). Hacia 1915 se
comienza a usar el cristal de galena como detector de seales. A principios
de los aos 20 se empiezan a utilizar los rectificadores de selenio y de xido
de cobre y las vlvulas de radio sustituyen el detector de cristal. Entre 1920
y 1940, por un lado se desarrolla el tetrodo y el pentodo, y de otro, los
fsicos elaboran teoras que explican algunos de los fenmenos descubiertos
hasta entonces. En 1923 Schottky publica la teora de los rectificadores
secos; es la primera contribucin al estudio terico de los semiconductores.
En esta teora se aprecia que el empleo de la mecnica cuntica se revela
indispensable. Tal vez sea el televisor el invento ms notable de nuestro
tiempo, a juzgar por el impacto social que ha causado. En 1928 Zworykin
desarrolla un dispositivo capaz de transformar una imagen ptica en una
corriente elctrica: el iconoscopio. Poco despus este dispositivo o tubo
sufre modificaciones y as se obtiene el tubo disector de imagen, en que la
imagen se consigue a base de presentarla lnea a lnea en lugar de punto a
punto. Una vez salvados todos los problemas tcnicos en la
experimentacin, la televisin comercial irrumpe en los hogares
norteamericanos en 1945. Hacia 1940, durante la segunda guerra mundial,
se busca un detector de cristal que satisfaga las necesidades del radar
(instrumento que funciona en las ondas centimtricas). La industria
electrnica se desarrolla vertiginosamente y surgen tcnicas de
miniaturizacin y empleo de materiales robustos y ligeros en los dispositivos
electrnicos. As el diodo semiconductor recibe un nuevo impulso, mientras
que el diodo de vaco queda relegado

La importancia
En la tecnologa actual es muy significativa ya que forman la basa de gran
parte de los dispositivos de estado slido: rectificadores, transistores,
fotoclulas, termistores, amplificadores operacionales, etc. De hecho se ha
llegado a calificar hasta de revolucin en la electrnica a la masiva
transformacin que ocurri en la en la dcada de los aos 50 , en que la

mayor parte de la vlvula de vaco fueron sustituidas por diodos

semiconductores y estos tenan la ventaja de ser mucho ms baratos ,sufrir
menos averas y consumir una potencia menor. Al ser de tamao mucho
ms reducido que las vlvulas de vaco motivo que se empezase a
considerar seriamente la miniaturizacin de los componentes electrnicos
naciendo la denominada microelectrnica.se puede afirmar con poca
probabilidad de error que si no hubiera sido por el transistor y por los
posteriores circuitos integrados el crecimiento exponencial experimentado
por la industria electrnica desde 1920 se hubiera convertido en crecimiento
lineal tal como sucedi con la industria del acero o la del automvil en los
pases desarrollados .

APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES

EN DISPOSITIVOS ELECTRICOS
1.- INTRODUCCIN
Un material semiconductor es aquel que tiene una conductividad
elctrica intermedia, entre la de los metales y los aislantes; y otras
propiedades fsicas no usuales. Estos se pueden clasificar en dos tipos:

Semiconductores intrnsecos: poseen una conductividad elctrica

fcilmente controlable y, al combinarlos correctamente adecuadamente,
pueden actuar como interruptores, amplificadores o dispositivos de
almacenamiento. Ejemplo: Si y Ge puros.

Semiconductores extrnsecos: estos se forman al agregar,
intencionadamente, a un semiconductor intrnseco sustancias dopantes.
Su conductividad depender de la concentracin de esos tomos
dopantes. Dependiendo de esas impurezas habr dos tipos:
a Semiconductores de tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen
elementos del grupo 15 los cuales debido a que tienen un electrn
mas en su capa de valencia que los elementos del grupo14 se
comportan como impurezas donadoras de electrones o portadores
negativos.
b Semiconductores de tipo p: En este caso se introducen elementos del
grupo 13 que presentan un electrn menos en su capa de valencia,
por lo que se comportan como aceptores o captadores de electrones.

2.- APLICACIONES EN DISPOSITIVOS ELECTRICOS

Se han desarrollado muchos dispositivos electrnicos utilizando las
propiedades de transporte de los semiconductores; el uso de
semiconductores en la industria electrnica ha aumentado de forma
importante. As, veremos algunas de las ms importantes:

Termistores: se basan en la propiedad de que la conductividad

depende de la temperatura para medir dicha temperatura. Tambin se
usan en otros dispositivos, como en alarmas contra incendio.
Transductores de presin: al aplicar presin a un semiconductor,
los tomos son forzados a acercarse, el gap de energa se estrecha y la
conductividad aumenta. Midiendo la conductividad, se puede conocer
la presin que acta sobre ese material.
Rectificadores (dispositivos de unin tipo p-n): se producen
uniendo un semiconductor tipo n con otro tipo p, formando una unin
tipo p-n. Los electrones se concentran en la unin tipo n y los huecos
en la unin p. El desequilibrio electrnico resultante crea un voltaje a
travs de la unin.
Transistores de unin bipolar: un transistor se puede usar como
interruptor o como amplificador. El transistor de unin bipolar (BJT), se
suele utilizar en unidades de procesamiento central de computadoras
por su rpida respuesta a la conmutacin.
Transistores de efecto de campo: utilizado frecuentemente para
almacenar informacin en la memoria de los ordenadores. El transistor
de efecto de campo (FET), se comporta de forma algo distinta a los de
unin bipolar.

3.- LA UNION P-N

Los dispositivos semiconductores ms comunes dependen de las
propiedades de la unin entre materiales de tipo p y de tipo n. Esta unin
p-n se produce de forma ms habitual por difusin en estado slido de un
tipo de impureza de tipo p sobre un material de tipo n. Aunque tambin se
puede obtener un diodo de unin p-n por crecimiento de un monocristal de
silicio intrnseco y dopndolo primero con un material de tipo n y despus
con uno p. Este diodo p-n se puede encontrar de tres maneras distintas,
segn como se aplique el voltaje:

En el equilibrio: Antes de la unin, ambos tipos de semiconductores

son neutros; en los p los huecos son los portadores mayoritarios y en los
n son los electrones. Despus de la unin, los portadores de esta se
difunden a travs de ella. Despus de algunas recombinaciones, el
proceso se interrumpe, ya que los electrones que van al material tipo p,
son repelidos por los iones negativos; y los huecos son repelidos por los
iones positivos del material tipo n. Los iones inmviles de la unin
forman una zona agotada de los portadores mayoritarios, llamada zona
de deplexin. De esta forma no hay flujo neto de corriente en
condiciones de circuito abierto.
Polarizacin inversa: Si se invierte el voltaje aplicado, tanto los huecos
como los electrones se separan de la unin. Sin portadores de carga en
la zona de agotamiento, la unin se comporta como un aislante y casi no
fluye corriente.
Polarizacin directa: Si en la unin p-n se aplica un voltaje externo, de
forma que la terminal negativa este del lado tipo n, los electrones y los
huecos se movern hacia la unin y se recombinarn finalmente. El
movimiento de electrones y de huecos producen una corriente neta. Si

se incrementa esta polarizacin, aumentar la corriente que pase por la

unin.

4.- APLICACIONES PARA DIODOS DE UNION P-N.

Diodos rectificadores: Uno de los usos ms importantes de estos diodos

de unin p-n es convertir corriente alterna en corriente continua, lo que se
conoce como rectificacin. Al aplicar una seal de corriente alterna a un
diodo de unin p-n, este conducir slo cuando la regin p tenga aplicado
un voltaje positivo con respecto a la regin n, por lo que se produce una
rectificacin de media onda. Esta seal se suaviza con otros dispositivos y
circuitos electrnicos, para dar una corriente continua estable.
Diodos de avalancha: Tambin se les llama diodos zener; son
rectificadores de Si. En la polarizacin inversa se produce una pequea
fuga de corriente, debido al movimiento de electrones y huecos
trmicamente activados. Al hacerse demasiado grande la polarizacin
inversa, cualquier portador que llegue a fugarse se acelerara lo suficiente
para excitar a portadores de carga, causando una corriente elevada en
direccin inversa. Debido a este fenmeno se pueden disear dispositivos
limitadores de voltaje. Al dopar adecuadamente la unin p-n, se puede
seleccionar el voltaje de avalancha o de ruptura. Al aumentar mucho el
voltaje, por encima del de ruptura, fluir una corriente elevada a travs
de la unin, as se evita que pase por el resto del circuito; por eso se
utilizan para proteger circuitos contra voltajes accidentales.

5.- TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR.

Un transistor de unin bipolar es un apilamiento de materiales
semiconductores en secuencia n-p-n-p-n-p. En el transistor se pueden
distinguir tres zonas:

Emisor: emite portadores de carga, como es de tipo n, emite

electrones.
Base: controla el flujo de los portadores de carga, es de tipo p. Esta se
hace muy delgada (del orden de 10-3 cm de espesor) y se dopa, de forma
que solo una pequea fraccin de los portadores que viene del emisor se
combinar con los portadores mayoritarios de la base con carga opuesta.
Colector: recoge los portadores de carga provenientes del emisor; la
zona del colector es del tipo n, recoge electrones.