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Modlisation Thermique des composants

lectroniques en rgime transitoire


Cheikh Tidiane DIA1,2*, Eric MONIER VINARD2, Valentin BISSUEL2,
Olivier DANIEL2, Najib LARAQI1
1

Universit Paris Ouest, Laboratoire Thermique Interfaces Environnement, EA 4415, GTE,


50 Rue de Svres, F-92410 Ville dAvray
2
Thales Corporate Services
18 Rue du Marchal Juin, 92 360 Meudon La Fort
*

auteur correspondant : cheikhtidiane.dia@thalesgroup.com

Rsum- Ltude prsente dans cet article porte sur une mthodologie de gnration de modles
dynamiques compacts destins aux composants lectroniques. Cette approche sinspire du projet
europen DELPHI [1] qui est lorigine d'une standardisation concernant la gnration de modle
comportemental, appel Compact Thermal Model [2]. Cette standardisation est maintenant reprise par
le comit de standardisation JEDEC, une organisation amricaine ddie aux semi-conducteurs.
Toutefois, la mthodologie propose par le consortium DELPHI est limite au rgime permanent, ainsi
qu'aux composants mono-puces, ce qui rduit son champ d'application.

Nomenclature
A
C
Cp
CTM
DCTM
h
H
I
J
k
L
NN
NR
NS
NT

Ambiante
Capacit thermique, J. K-1
Capacit thermique spcifique, J.kg-1.K-1
Modle thermique compact
Modle thermique compact dynamique
Coefficient dchange, W.m-2. K-1
Epaisseur du composant, m
Inner
Jonction
Conductivit thermique, W.m-1.K-1
Longueur du composant, m
Nombre de nuds
Rseau plusieurs rsistances
Nombre de scnarios
Nombre de pas de temps

PD
Q
R
RC
S
t
T
TA
V
W
We

1R
2R

Puissance dissipe par la puce, W


Flux thermique, W
Rsistance thermique, K.W-1
Rseau plusieurs rsistancescapacitances
Surface, m2
Temps, s
Temprature, C
Temprature ambiante, C
Volume, m3
Largeur du composant, m
Poids du nud de la jonction
Masse volumique, kg.m-3
Rseau 1 rsistance
Rseau 2 rsistances

1. Introduction
Une voie pour limiter les tempratures vues par les composants lectroniques sans avoir
recours des systmes de refroidissement sophistiqus, passifs (caloduc par exemple) ou
actifs (ventilateur par exemple), consiste optimiser leur dure d'activation et de
dsactivation.
Le concept des modles rduits dsigns sous le nom de Compact Thermal Model ou CTM
a permis ces dernires annes de minimiser la taille des modles numriques et de rduire les
temps de calcul tout en conservant une prcision importante. Cette dmarche a t explicite,
en 1996, par une mthodologie de caractrisation thermique des composants lectroniques,
propose par le consortium Europen DELPHI.
Ainsi, un composant est rduit sous la forme simplifie dun rseau thermique. En fait, il

s'agit de dfinir un ensemble de rsistances thermiques prpondrantes, reliant son lment le


plus sensible, dit puce, ou une zone active de celle-ci, ses diffrentes faces externes.
Le but est de reproduire, avec une trs bonne prcision, le comportement thermique d'un
modle numrique dtaill.
Toutefois, la conception actuelle des modles CTMs ne permet pas de dterminer
l'volution temporelle de cette temprature. Notre objectif est par consquent de crer une
nouvelle gamme de modles thermiques rduits, dsigne par le nom de Dynamic Compact
Thermal Model ou par lacronyme DCTM qui soit capable de reproduire, le plus fidlement
possible, le comportement thermique, en rgime transitoire, d'un composant lectronique.

2. Processus de rduction
A l'instar des CTMs, les DCTMs, sont gnrs partir des rponses temporelles d'un
modle numrique dtaill soumis un ensemble de sollicitations diffrentes. Celles-ci sont
matrialises par un jeu de coefficients d'change thermique appliqu sur chacune des faces
externes du modle du composant.
L'ensemble de ces donnes est ensuite trait au moyen d'un algorithme gntique afin de
dfinir les rsistances, de conserver les plus dterminantes, puis de dterminer les capacits
ncessaires, pour reproduire avec prcision, le comportement thermique du composant.

3. Ajustement via les algorithmes gntiques


Notre mthode de rsolution sest porte sur lutilisation des algorithmes gntiques [3].
Celle-ci sinspire de la thorie de lvolution de Charles Darwin. La population de dpart,
pour la dtermination du CTM, est compose dun ensemble de matrices pleines contenant les
diffrentes rsistances reliant les nuds du rseau.
Il est ncessaire d'ajuster des paramtres d'volution, tels que le nombre de gnrations, les
taux de croisements et de mutations, pour adapter de manire progressive une population
alatoire donne vers une solution optimale compatible de critres requis.
En pratique, l'issue du processus d'volution, on retient le rseau thermique ayant le meilleur
score pour un ensemble de conditions d'environnement. Celui-ci est qualifi par une fonction,
dite cot, dont une forme est explicite par lquation (1). Le rseau final est obtenu en
liminant les rsistances qui ont un impact mineur sur la fonction cot.
Celle-ci tient compte de la temprature maximale de la jonction (Tj), des tempratures
moyennes (Ti) des autres nuds du rseau ainsi que de leur flux thermique (Qi).
Un poids plus important, We=0.8, est accord aux tempratures afin davoir plus de prcision
sur la temprature de jonction. Celle-ci matrialise la partie la plus sensible du composant.
Pour avoir une bonne prcision entre le modle DCTM et modle dtaill, la fonction cot
doit tre proche de 1.

NS NN
DTM

CTM
DTM
T i,n T A
T i,n T i,n

NS NN
0.5 n=1 i =1

NS NN

CTM
DTM
0.5 n=1 i =1
DTM
Cost_f =1We. +0.3 Max T T i,n
T A
+ (We 1) .
T

i
,
n
i
,
n

CTM
DTM
DTM

+0.5 max

Max
+
0.2

T j k,n T A

T j k,n T j k,n

(
(

) (
) (

((Q

CTM

i ,n

(( Q

DTM

i,n

NS NN
CTM

i,n

DTM

i,n

) P )
D

) P)
D

(1)

4. Rsultat de la rduction d'un composant rel en rgime permanent


Le composant commercial tudi est un boitier Quad Flatpack No leads (QFN16). Celui-ci est
dot de 16 plots d'interconnexion lectrique, au pas de 0.65mm. Sa puce en Silicium est colle
sur une plateforme mtallique et est protge par de la rsine. Ses principales caractristiques
sont dcrites dans la Fig. 1.

L
( mm )

W
( mm )

H
( mm )

V
( mm3 )

( kg.m-3 )

Cp
( Jkg-1K-1 )

k
(W.m-1.K-1)

CX
(J.K-1)

Puce

1,9

1,9

0,3

1,19

2330

708

kSi

0,00197

Plateforme

2,4

2,4

0,2

1,15

8900

385

260

0,00395

Colle

1,9

1,9

0,03

0,108

1900

920

2,1

0,00019

16 x Plots

0,23

0,4

0,2

0,147

8900

385

260

0,0005

Rsine

0,85

11

1900

920

0,66

0,0192

k Si = 148

T + 273 1/ 3
300
Fig. 1: Caractristiques utilises par le modle numrique dtaill du QFN 16

La puissance de la puce est applique une fine couche surfacique de 50m d'paisseur situe
sur la partie suprieure de la puce, sa dissipation est fixe 1W.
La colle est situe linterface puce-plateforme. Et les plots servent la connexion lectrique.
Notre mthode de rduction fait appel plusieurs jeux de coefficients dchange thermique,
en fait 49 scnarios dfinis par la mthodologie DELPHI. Ceux-ci sont reprsentatifs de
conditions aux limites rencontres par un composant sur une carte lectronique, ceci pour
diffrents modes de refroidissement actif et passif.
D'autre part, la mthodologie propose galement une technique de dcomposition des
surfaces.
A une surface du modle dtaill est attribu un nud du modle rduit.
Les rseaux de type DELPHI, possdant N rsistances, sont beaucoup plus prcis [4], ils
retraduisent une cartographie thermique plus physique des faces suprieure et infrieure du
composant contrairement aux rseaux simplifis (1R, 2R) ne possdant quun seul nud par
face. D'autre part, les modles de type DELPHI restent pertinent et prcis quelles que soient
les conditions alatoires appliques [5] (puissance diffrente...).
En fait, la multiplicit des scnarios imposs soumet les lments constitutifs du composant,
telle que la puce, une large gamme de temprature traduisant les diffrentes conditions
denvironnement auxquelles peut tre soumis le composant.

5. Application sur un composant rel en rgime transitoire


Compte tenu de la complexit des rseaux DELPHI, l'analyse sur la modlisation du
comportement transitoire du composant QFN16 a t conduite sur la topologie suivante.
Seules ses faces suprieure et infrieure respectivement dsignes par Top et Bottom
sont soumises un jeu de coefficients d'change thermique uniformes. Ses autres faces sont
considres adiabatiques.
Cette premire analyse dmontre qu'il est obligatoire de dcomposer les chemins thermiques

en une srie d'chelons RC, ceci de manire retranscrire plus fidlement l'volution
temporelle des tempratures des nuds du modle; Junction, Top et Bottom.
A titre d'exemple, le comportement thermique du composant QFN16 peut tre dcrit sous la
forme du rseau prsent dans le Tableau 1. Celui-ci est compos de cinq rsistances et de
cinq capacits thermiques. Pour amliorer la qualit du modle, les rsistances thermiques
Junction-Top et Junction-Bottom ont t scindes en deux. Les valeurs distinctives de
ces rsistances ainsi que celles des capacits thermiques sont dduites d'un processus
complmentaire, lequel ajuste 2 paramtres, f et g, destins mieux reproduire les paliers de
la monte en temprature du composant.

Modle DCTMdu QFN16 dduit


Node
Name

Ref.

(J.K-1)

Resistor
Name

(K.W-1)

Top

0.0005148

RI1_T

35.8

Inner1

I1

0.01184

RJ_I1

123.6

Chip

0.003118

Inner2

I2

0.005584

RJ_I2

19.2

Bottom

0.003648

RI2_B

21.4

0.0247

RC_B

74

C NR

CX

RX

Tableau 1: Topologie du rseau DCTM du QFN16


Les dix scnarios complmentaires dits transitoires, repris de le Tableau 2, ont t
appliqus afin d'ajuster le comportement dynamique du rseau thermique RC celui du
modle dtaill.

Scenarios

h Case
(W.m-2.K-1)

h Board.
(W.m-2.K-1)

Dure de
stabilisation

15

100

70s

50

250

27s

800

20

10s

10

-8

40
-8

10

1000

10

-8

TJ-MAX

1000

8s

100

81s

40

8s

-8

81s

100

10

15

200

38s

10

30

200

35s

Tableau 1: Scnarios transitoires appliqus au QFN16

L'valuation de la capacit thermique globale du DCTM est proche de celle du modle


numrique dtaill, savoir 0.0258 J.K-1, l'cart constat est infrieur 5%.
D'autre part, la prise en compte du rgime transitoire a ncessit de dfinir une nouvelle
fonction cot. Celle-ci est donne par lquation (2).
Le poids accord au nud correspondant la jonction, est dsormais fix We=0.6.
2
2

TJ ,k DTM (t j ) TJ ,k DCTM (t j ) (1 We ) Ti J ,k DTM (t j ) Ti J ,k DCTM (t j )


We

DTM
DTM
T
(
t
)

T
NN

1
T
(
t
)

k =1 i =1 j =1
J ,k
j
A
i J ,k
j
A

S = 1
NS NN NT
NS NN NT

(2)

Pour juger de la pertinence du modle dduit, le modle DCTM et le modle dtaill du


QFN16 ont t compars partir d'un scnario alatoire.
Ainsi, deux coefficients alatoires d'change thermique uniformes ont t appliqus sur les
faces externes Top et Bottom du modle, respectivement de 20 et 800 W/(m.K ). Ce cas
de figure se rapproche de la configuration dun composant pos sur une carte lectronique. En
effet, une grande partie du flux est draine par la face Bottom du composant en contact
avec carte.
La comparaison des prdictions de ces 2 modles pour l'intgralit de la dure d'activation est
indique sur la Figure 2.

Ecart de temprature des 2 modles

Rponse temporelle de la temprature de la puce

Fig. 2: Comparaison des tempratures de jonction des deux modles du QFN16

Les profils de la Figure 2 dmontrent que la topologie de rseau propose est en mesure de
modliser le comportement thermique de la puce du composant QFN16. Ceci reste galement
valable pour les deux autres nuds caractristiques du modle, savoir les nuds Top et
Bottom. L'cart en temprature des prdictions n'excde pas 4C.
Par ailleurs, nos travaux ont rvl que laugmentation de la subdivision des rsistances sur
les chemins thermiques, reliant la puce ces faces, augmente la prcision du modle DCTM
en particulier sur les premiers pas de temps. Entre 0 et 0,01 s, lcart maximal nest plus que
de 0,25 C (en valeur absolue), au lieu de 0,4 C pour le modle de la figure 2.

6. Conclusions
Une premire investigation sur la capacit raliser un modle thermique dynamique d'un
composant lectronique a permis de gnrer le modle comportemental dit DCTM, partir
d'une topologie de rseau utilisant un jeu de 5 rsistances et 5 capacits thermiques. Ce
modle comportemental est capable de prdire, avec prcision, l'volution des tempratures
de l'lment le plus sensible dun composant lectronique, en rgime transitoire sur un
ensemble de cas tests alatoires.
Cette analyse dmontre que l'emploi d'un processus de rduction bas sur l'utilisation des
algorithmes gntiques s'avre adquat pour la ralisation de modle thermique dynamique.
Le processus actuel fait appel 2 tapes successives de rduction.
La premire utilise l'approche classique de type DELPHI pour crer le rseau de rsistances,
puis une seconde tape, partir d'un jeu de scnarios temporels supplmentaires, consiste
dterminer les capacits associer ce rseau.
La suite de ces travaux portera sur la gnration de modles ayant des topologies de rseau
plus sophistiques, prenant en compte une dcomposition des surfaces externes du modle
afin d'obtenir une meilleure prcision quelle que soit la complexit gomtrique du composant
modliser.
Rfrences :
[1]
[2]
[3]

[4]

[5]

SHIDORE S., SAHRAPOUR A., DELPHI Compact Models Revolutionize Thermal Design,
Flomerics.
SABRY M.N., Compact Thermal Models for electronic Systems, IEEE Transactions on
components and packaging technologies, Vol.26, N1 (2003) pp. 179-185.
PARTHIBAN A., KANKANHALLY N.S., ISHAK A.A., Determination of Thermal Compact
Model via Evolutionary Genetic Optimization Method, IEEE Transactions on components and
packaging technologies, vol. 28, no 2, (2005) pp. 345-352.
LASANCE Clemens J.M., Two Benchmarks for the study of Compact Thermal Modelling
Phenomena, Phillips Research Laboratories, 6th Int. workshop on THERMINIC 2000,
Budapest, 24-27 September 2000, ISBN 2-913329-51-9, (2000) pp. 235-243.
GERSTENMAIER Y.C., PAPE H., WACHUTCHA G., Boundary Independent Exact Thermal
Model for Electronic Systems, Nanotech Vol.1, Proc. 4th conf. Modeling and Simulation of
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